JPH0777160B2 - 光蓄積リング - Google Patents
光蓄積リングInfo
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- JPH0777160B2 JPH0777160B2 JP1191366A JP19136689A JPH0777160B2 JP H0777160 B2 JPH0777160 B2 JP H0777160B2 JP 1191366 A JP1191366 A JP 1191366A JP 19136689 A JP19136689 A JP 19136689A JP H0777160 B2 JPH0777160 B2 JP H0777160B2
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/10—Scattering devices; Absorbing devices; Ionising radiation filters
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H13/00—Magnetic resonance accelerators; Cyclotrons
- H05H13/04—Synchrotrons
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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- X-Ray Techniques (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、シンクロトロン放射光発生装置を使用した光
蓄積リングに関する。
蓄積リングに関する。
［従来の技術］ 最近、荷電粒子を所定の曲率を持つ軌道に沿って光速に
近い速度で運動させることにより、軌道の接線方向へシ
ンクロトロン放射光を発生するシンクロトロン放射光発
生装置が注目を浴びている。本発明者は、このようなシ
ンクロトロン放射光発生装置に荷電粒子軌道の外周を取
巻くように反射鏡を設置し、この反射鏡によりシンクロ
トロン放射光を反射することによって、シンクロトロン
放射光を反射鏡内に蓄積する光蓄積リングを、特開昭64
-72500号公報で明らかにした。このような光蓄積リング
では、通常のシンクロトロン放射光発生装置に比べて、
シンクロトロン放射光の利用効率を著しく改善すること
ができる。また、本発明者は、既に、荷電粒子軌道を真
円形とし、反射鏡を荷電粒子軌道に対して同心円となる
ように設置し、反射鏡の曲率半径を荷電粒子軌道の半径
と特定の関係を満足するように設定することにより、シ
ンクロトロン放射光と該シンクロトロン放射光の反射光
との間の干渉又は反射光同士の干渉を利用して、単色の
光を取り出せるようにした光蓄積リングを、特願平1-60
479号明細書において提案している。更に、本発明者
は、既に、特願昭63-323716号明細書において、レーザ
光を反射鏡内に投入したり、反射鏡の一部又は全部を回
折格子とすることにより、蓄積されたシンクロトロン放
射光と軌道を周回する荷電粒子を相互作用させて、自由
電子レーザ発振を起こさせることができる光蓄積リング
も提案している。とにかく、このような光蓄積リングを
用いて、超LSI等の微細加工だけでなく、レーザ加工、
レーザ核融合等、幅広い応用が期待されている。
近い速度で運動させることにより、軌道の接線方向へシ
ンクロトロン放射光を発生するシンクロトロン放射光発
生装置が注目を浴びている。本発明者は、このようなシ
ンクロトロン放射光発生装置に荷電粒子軌道の外周を取
巻くように反射鏡を設置し、この反射鏡によりシンクロ
トロン放射光を反射することによって、シンクロトロン
放射光を反射鏡内に蓄積する光蓄積リングを、特開昭64
-72500号公報で明らかにした。このような光蓄積リング
では、通常のシンクロトロン放射光発生装置に比べて、
シンクロトロン放射光の利用効率を著しく改善すること
ができる。また、本発明者は、既に、荷電粒子軌道を真
円形とし、反射鏡を荷電粒子軌道に対して同心円となる
ように設置し、反射鏡の曲率半径を荷電粒子軌道の半径
と特定の関係を満足するように設定することにより、シ
ンクロトロン放射光と該シンクロトロン放射光の反射光
との間の干渉又は反射光同士の干渉を利用して、単色の
光を取り出せるようにした光蓄積リングを、特願平1-60
479号明細書において提案している。更に、本発明者
は、既に、特願昭63-323716号明細書において、レーザ
光を反射鏡内に投入したり、反射鏡の一部又は全部を回
折格子とすることにより、蓄積されたシンクロトロン放
射光と軌道を周回する荷電粒子を相互作用させて、自由
電子レーザ発振を起こさせることができる光蓄積リング
も提案している。とにかく、このような光蓄積リングを
用いて、超LSI等の微細加工だけでなく、レーザ加工、
レーザ核融合等、幅広い応用が期待されている。
［発明が解決しようとする課題］ ところが、上記開示及び提案された光蓄積リングは、現
時点では、短波長において、その位相を揃える程度にま
で、反射鏡を高精度に製造することが困難であるため、
光蓄積リングから取り出された出射光の波長をあまり短
くすることが出来ない。
時点では、短波長において、その位相を揃える程度にま
で、反射鏡を高精度に製造することが困難であるため、
光蓄積リングから取り出された出射光の波長をあまり短
くすることが出来ない。
従って、本発明の課題は、短波長帯域の光を強調して取
り出すことができる光蓄積リングを提供することであ
る。
り出すことができる光蓄積リングを提供することであ
る。
［課題を解決するための手段］ 本発明によると、荷電粒子を所定の曲率を有する軌道に
沿って光速に近い速度で運動させることにより、前記軌
道の接線方向へシンクロトロン放射光を発生し、該シン
クロトロン放射光を前記軌道の外周を取巻くように配置
された反射手段で反射することにより、前記反射手段内
に前記シンクロトロン放射光を蓄積すると共に、該蓄積
されたシンクロトロン放射光を出射光として光取出手段
を介して取り出す光蓄積リングにおいて、前記シンクロ
トロン放射光の放射方向と逆向きに、前記軌道の接線方
向に沿って電磁波を投入する投入手段を有し、該投入手
段が前記光取出手段に設けられて、前記光取出手段より
取り出された出射光を反射する付加反射手段であり、前
記投入された電磁波を前記軌道上を周回中の荷電粒子と
衝突させることにより、短波長の放出光の量を増加させ
たことを特徴とする光蓄積リングが得られる。
沿って光速に近い速度で運動させることにより、前記軌
道の接線方向へシンクロトロン放射光を発生し、該シン
クロトロン放射光を前記軌道の外周を取巻くように配置
された反射手段で反射することにより、前記反射手段内
に前記シンクロトロン放射光を蓄積すると共に、該蓄積
されたシンクロトロン放射光を出射光として光取出手段
を介して取り出す光蓄積リングにおいて、前記シンクロ
トロン放射光の放射方向と逆向きに、前記軌道の接線方
向に沿って電磁波を投入する投入手段を有し、該投入手
段が前記光取出手段に設けられて、前記光取出手段より
取り出された出射光を反射する付加反射手段であり、前
記投入された電磁波を前記軌道上を周回中の荷電粒子と
衝突させることにより、短波長の放出光の量を増加させ
たことを特徴とする光蓄積リングが得られる。
［作用］ 軌道の接線方向に放出されるシンクロトロン放射光と反
対方向から電磁波（長波長の光）を投入する。この投入
される電磁波と軌道上を周回中の荷電粒子のタイミング
を揃えて、この電磁波を荷電粒子と衝突するように投入
する。このとき、この電磁波は、荷電粒子により、荷電
粒子の進行方向に散乱を受ける。この散乱は、逆コンプ
トン散乱として知られている。この逆コンプトン散乱に
より、荷電粒子と衝突した電磁波は、その荷電粒子から
エネルギを受け、電磁波のエネルギが増加し、散乱され
た（衝突された後の）電磁波の波長は、衝突する前の電
磁波のそれよりも、短くなる。
対方向から電磁波（長波長の光）を投入する。この投入
される電磁波と軌道上を周回中の荷電粒子のタイミング
を揃えて、この電磁波を荷電粒子と衝突するように投入
する。このとき、この電磁波は、荷電粒子により、荷電
粒子の進行方向に散乱を受ける。この散乱は、逆コンプ
トン散乱として知られている。この逆コンプトン散乱に
より、荷電粒子と衝突した電磁波は、その荷電粒子から
エネルギを受け、電磁波のエネルギが増加し、散乱され
た（衝突された後の）電磁波の波長は、衝突する前の電
磁波のそれよりも、短くなる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図を参照して、本発明の第１の実施例に係るシンク
ロトロン放射光発生装置から成る光蓄積リングについて
説明する。
ロトロン放射光発生装置から成る光蓄積リングについて
説明する。
第１図に示された光蓄積リングは、円形形状の真空容器
（図示せず）及び超伝導磁石等の偏向磁石によって構成
された磁場発生装置（図示せず）とを備え、電子等の荷
電粒子が入射加速器からインフレクタ等を介して真空容
器内に入射される。真空容器内には、上記した磁場発生
装置によって数テスラに達する磁場が発生されているか
ら、入射した荷電粒子は印加される磁場の強度によって
定まる曲率を有する円形軌道１を描いて光速に近い速度
で運動する。ここでは、荷電粒子軌道１の曲率中心をＯ
とする。荷電粒子は円形軌道１上で局部的に密集し、所
謂、バンチを複数個形成した状態で運動する。バンチの
長さ及び数はシンクロトロン放射光発生装置の運転条件
及び設計条件によって定まる。各バンチは等間隔を維持
した状態で、荷電粒子軌道１上を光速に近い速度で運動
する。この実施例では、円形の荷電粒子軌道１の半径を
ｒとして説明し、第１及び第２のバンチ６及び７が荷電
粒子軌道１上を周回しているものとして説明する。この
状態で、各バンチ６及び７からは荷電粒子軌道１の接線
方向にシンクロトロン放射光が放出される。
（図示せず）及び超伝導磁石等の偏向磁石によって構成
された磁場発生装置（図示せず）とを備え、電子等の荷
電粒子が入射加速器からインフレクタ等を介して真空容
器内に入射される。真空容器内には、上記した磁場発生
装置によって数テスラに達する磁場が発生されているか
ら、入射した荷電粒子は印加される磁場の強度によって
定まる曲率を有する円形軌道１を描いて光速に近い速度
で運動する。ここでは、荷電粒子軌道１の曲率中心をＯ
とする。荷電粒子は円形軌道１上で局部的に密集し、所
謂、バンチを複数個形成した状態で運動する。バンチの
長さ及び数はシンクロトロン放射光発生装置の運転条件
及び設計条件によって定まる。各バンチは等間隔を維持
した状態で、荷電粒子軌道１上を光速に近い速度で運動
する。この実施例では、円形の荷電粒子軌道１の半径を
ｒとして説明し、第１及び第２のバンチ６及び７が荷電
粒子軌道１上を周回しているものとして説明する。この
状態で、各バンチ６及び７からは荷電粒子軌道１の接線
方向にシンクロトロン放射光が放出される。
図示された光蓄積リングは円形の荷電粒子軌道１の外周
を全体的に取巻く反射鏡２及び反射鏡２の一部に設けら
れた光取出口３を有する。ここでは、荷電粒子は電子で
あるものとして説明するが、陽電子、イオン等であって
もよい。図に示された反射鏡２は荷電粒子軌道１と同様
に、円形であり、反射鏡２の曲率中心は荷電粒子軌道１
の曲率中心Ｏと実質的に一致するように、配置されてい
るものとし、その曲率半径をＲとする。したがって、こ
の例では、反射鏡２は荷電粒子軌道１と曲率半径Ｒの同
心円を構成していることになる。
を全体的に取巻く反射鏡２及び反射鏡２の一部に設けら
れた光取出口３を有する。ここでは、荷電粒子は電子で
あるものとして説明するが、陽電子、イオン等であって
もよい。図に示された反射鏡２は荷電粒子軌道１と同様
に、円形であり、反射鏡２の曲率中心は荷電粒子軌道１
の曲率中心Ｏと実質的に一致するように、配置されてい
るものとし、その曲率半径をＲとする。したがって、こ
の例では、反射鏡２は荷電粒子軌道１と曲率半径Ｒの同
心円を構成していることになる。
反射鏡２と荷電粒子軌道１とが同心円を構成している場
合、各バンチ６及び７から荷電粒子軌道１の接線方向に
放出されたシンクロトロン放射光（以下SOR光と呼ぶ）
は、反射鏡２により、荷電粒子軌道１に接するように反
射される。したがって、この構成では、各バンチ６及び
７から放出されたSOR光は荷電粒子軌道１と繰り返し接
しながら、光取出口３に導かれる。このことは、反射鏡
２で反射されたSOR光と荷電粒子軌道１との接点位置で
放射されたSOR光が全て同一の光路５を通って、光取出
口３に導かれることを意味し、これによって、SOR光の
利用効率を改善できる。
合、各バンチ６及び７から荷電粒子軌道１の接線方向に
放出されたシンクロトロン放射光（以下SOR光と呼ぶ）
は、反射鏡２により、荷電粒子軌道１に接するように反
射される。したがって、この構成では、各バンチ６及び
７から放出されたSOR光は荷電粒子軌道１と繰り返し接
しながら、光取出口３に導かれる。このことは、反射鏡
２で反射されたSOR光と荷電粒子軌道１との接点位置で
放射されたSOR光が全て同一の光路５を通って、光取出
口３に導かれることを意味し、これによって、SOR光の
利用効率を改善できる。
第１図に示された光蓄積リングは、光取出口３から、SO
R光の放射方向と逆向きに、荷電粒子軌道１の接線方向
に沿って電磁波を投入するための投入装置を具備してい
る。この投入された電磁波を荷電粒子軌道１上を周回中
のバンチ６と衝突させることにより、以下に詳細に述べ
るように、短波長の放出光の量を増加させることが可能
である。
R光の放射方向と逆向きに、荷電粒子軌道１の接線方向
に沿って電磁波を投入するための投入装置を具備してい
る。この投入された電磁波を荷電粒子軌道１上を周回中
のバンチ６と衝突させることにより、以下に詳細に述べ
るように、短波長の放出光の量を増加させることが可能
である。
本第１の実施例では、投入装置は、電磁波として高周波
を発生する高周波発生装置４と、この高周波発生装置４
から発生された高周波を光取出口３へ導いて光取出口３
より投入高周波として反射鏡２内へ投入するための導波
管８とを有している。この投入高周波は、パルス状に送
出されてもよいし、連続的に送出されてもよい。投入高
周波がパルス状に送出された場合には、パルス状の投入
高周波とバンチ６とがそれらの接点Ａにおいて衝突する
ように、パルス状の投入高周波の送出タイミングを設定
する。
を発生する高周波発生装置４と、この高周波発生装置４
から発生された高周波を光取出口３へ導いて光取出口３
より投入高周波として反射鏡２内へ投入するための導波
管８とを有している。この投入高周波は、パルス状に送
出されてもよいし、連続的に送出されてもよい。投入高
周波がパルス状に送出された場合には、パルス状の投入
高周波とバンチ６とがそれらの接点Ａにおいて衝突する
ように、パルス状の投入高周波の送出タイミングを設定
する。
投入高周波はバンチ６により逆コンプトン散乱を受け
て、光取出口３の方向へ鋭く放出（散乱）される。この
散乱された高周波はバンチ６の電子よりエネルギを受け
るために、その波長が短くなる方向にシフトして、短波
長の高周波となる。
て、光取出口３の方向へ鋭く放出（散乱）される。この
散乱された高周波はバンチ６の電子よりエネルギを受け
るために、その波長が短くなる方向にシフトして、短波
長の高周波となる。
一方、接点Ａにおいて散乱を受けなかった高周波は反射
鏡２により荷電粒子軌道１と接するように反射される。
したがって、この反射された高周波は、再び、バンチ、
例えば、バンチ７と衝突する。反射鏡２の曲率半径を、
この様にバンチと投入高周波が繰り返し衝突する様に設
定できることは、特開昭64-72500号公報で明らかであ
る。このようにして、投入高周波は極めて有効に利用さ
れる。
鏡２により荷電粒子軌道１と接するように反射される。
したがって、この反射された高周波は、再び、バンチ、
例えば、バンチ７と衝突する。反射鏡２の曲率半径を、
この様にバンチと投入高周波が繰り返し衝突する様に設
定できることは、特開昭64-72500号公報で明らかであ
る。このようにして、投入高周波は極めて有効に利用さ
れる。
所で、本実施例では、高周波を投入するために導波管８
を使用している。そして、この導波管８には、接点Ａで
散乱された高周波を取り出すための穴９が空けられてい
る。投入高周波は、その波長が長いので、導波管８に空
けられた穴９によっては、その反射率に余り影響を受け
ない。
を使用している。そして、この導波管８には、接点Ａで
散乱された高周波を取り出すための穴９が空けられてい
る。投入高周波は、その波長が長いので、導波管８に空
けられた穴９によっては、その反射率に余り影響を受け
ない。
散乱された高周波の最短の波長λは、次の式で与えられ
る。
る。
λ＝λ０／（４γ２） ここで、λ０は投入高周波の波長、γは特殊相対性理論
に表れる電子のローレンツ・ファクタである。因みに、
電子のエネルギが500MeVのとき、波長λ０としてmmのオ
ーダの投入高周波を投入するならば、散乱された高周波
の波長λとしてnmのオーダのものを得ることが出来る。
に表れる電子のローレンツ・ファクタである。因みに、
電子のエネルギが500MeVのとき、波長λ０としてmmのオ
ーダの投入高周波を投入するならば、散乱された高周波
の波長λとしてnmのオーダのものを得ることが出来る。
上記の第１の実施例では、電磁波の発生源として高周波
発生装置４を用いている。しかし、SOR光は白色光であ
るので、その長波長の成分のみをSOR光の放射方向と逆
向きに反射して、再び、荷電粒子軌道上に戻して、荷電
粒子軌道のバンチと衝突させることにより、上記の第１
の実施例と同様の効果を得ることが出来る。ミラーと接
点Ａの間の距離は、反射された放射光が再び電子と衝突
する様に設定されている。
発生装置４を用いている。しかし、SOR光は白色光であ
るので、その長波長の成分のみをSOR光の放射方向と逆
向きに反射して、再び、荷電粒子軌道上に戻して、荷電
粒子軌道のバンチと衝突させることにより、上記の第１
の実施例と同様の効果を得ることが出来る。ミラーと接
点Ａの間の距離は、反射された放射光が再び電子と衝突
する様に設定されている。
第２図を参照して、本発明の第２の実施例では、光取出
口３に、図示の如く、SOR光の長波長の成分のみを反射
するような材質のミラー10を設置している。ミラー10の
中心部には、SOR光および散乱された電磁波の内、短波
長のもののみを透過するための、所定の半径をもつ穴11
が空けられている。ミラー10の材質としては、高誘電体
が好ましい。また、ミラー10は、銅板、金メッキした金
属板、または金属メッシュでもよい。
口３に、図示の如く、SOR光の長波長の成分のみを反射
するような材質のミラー10を設置している。ミラー10の
中心部には、SOR光および散乱された電磁波の内、短波
長のもののみを透過するための、所定の半径をもつ穴11
が空けられている。ミラー10の材質としては、高誘電体
が好ましい。また、ミラー10は、銅板、金メッキした金
属板、または金属メッシュでもよい。
［発明の効果］ 以上の説明で明らかなように、本発明によれば、SOR光
の放射方向と逆向きに、荷電粒子軌道の接線方向に沿っ
て電磁波を投入することにより、短波長の光を得ること
が出来るという効果がある。また、電磁波を投入する手
段として、光取出手段より取り出された出射光を反射す
る付加反射手段を使用しているので、構成が極めて簡易
であるという利点がある。
の放射方向と逆向きに、荷電粒子軌道の接線方向に沿っ
て電磁波を投入することにより、短波長の光を得ること
が出来るという効果がある。また、電磁波を投入する手
段として、光取出手段より取り出された出射光を反射す
る付加反射手段を使用しているので、構成が極めて簡易
であるという利点がある。
第１図は本発明の第１の実施例による光蓄積リングの概
略構成を示す平面図、第２図は本発明の第２の実施例に
よる光蓄積リングの概略構成を示す平面図である。 １……荷電粒子軌道、２……反射鏡、３……光取出口、
４……高周波発生装置、５……光路、6,7……バンチ、
８……導波管、９……穴、10……ミラー、11……穴。
略構成を示す平面図、第２図は本発明の第２の実施例に
よる光蓄積リングの概略構成を示す平面図である。 １……荷電粒子軌道、２……反射鏡、３……光取出口、
４……高周波発生装置、５……光路、6,7……バンチ、
８……導波管、９……穴、10……ミラー、11……穴。
Claims (5)
- 【請求項１】荷電粒子を所定の曲率を有する軌道に沿っ
て光速に近い速度で運動させることにより、前記軌道の
接線方向へシンクロトロン放射光を発生し、該シンクロ
トロン放射光を前記軌道の外周を取巻くように配置され
た反射手段で反射することにより、前記反射手段内に前
記シンクロトロン放射光を蓄積すると共に、該蓄積され
たシンクロトロン放射光を出射光として光取出手段を介
して取り出す光蓄積リングにおいて、前記シンクロトロ
ン放射光の放射方向と逆向きに、前記軌道の接線方向に
沿って電磁波を投入する投入手段を有し、該投入手段が
前記光取出手段に設けられて、前記光取出手段より取り
出された出射光を反射する付加反射手段であり、前記投
入された電磁波を前記軌道上を周回中の荷電粒子と衝突
させることにより、短波長の放出光の量を増加させたこ
とを特徴とする光蓄積リング。 - 【請求項２】前記付加反射手段が、前記光取出手段より
取り出された出射光及び前記荷電粒子と衝突して散乱さ
れた電磁波の内、短波長のもののみを透過する透過手段
をもつ請求項１記載の光蓄積リング。 - 【請求項３】前記透過手段が所定の大きさの穴或いはメ
ッシュ状の金属である請求項２記載の光蓄積リング。 - 【請求項４】前記透過手段が可視光を透過する誘電体ミ
ラーである請求項２記載の光蓄積リング。 - 【請求項５】前記透過手段がハーフミラー或いはＱスイ
ッチである請求項２記載の光蓄積リング。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191366A JPH0777160B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 光蓄積リング |
| PCT/JP1990/000956 WO1991002446A1 (en) | 1989-07-26 | 1990-07-26 | Inverse-compton scattering apparatus |
| US07/668,512 US5227733A (en) | 1989-07-26 | 1990-07-26 | Inverse compton scattering apparatus |
| EP19900911327 EP0436043A4 (en) | 1989-07-26 | 1990-07-26 | Inverse-compton scattering apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1191366A JPH0777160B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 光蓄積リング |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0357200A JPH0357200A (ja) | 1991-03-12 |
| JPH0777160B2 true JPH0777160B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=16273387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1191366A Expired - Fee Related JPH0777160B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 光蓄積リング |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5227733A (ja) |
| EP (1) | EP0436043A4 (ja) |
| JP (1) | JPH0777160B2 (ja) |
| WO (1) | WO1991002446A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3234151B2 (ja) * | 1996-04-18 | 2001-12-04 | 科学技術振興事業団 | 高エネルギー・コヒーレント電子線とガンマ線レーザーの発生方法及びその装置 |
| US5825847A (en) * | 1997-08-13 | 1998-10-20 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Compton backscattered collimated x-ray source |
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