JPH0776562A - ジアミノ安息香酸誘導体 - Google Patents

ジアミノ安息香酸誘導体

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JPH0776562A
JPH0776562A JP5297856A JP29785693A JPH0776562A JP H0776562 A JPH0776562 A JP H0776562A JP 5297856 A JP5297856 A JP 5297856A JP 29785693 A JP29785693 A JP 29785693A JP H0776562 A JPH0776562 A JP H0776562A
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JP
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lower alkyl
substituted
alkyl
phenyl
alkoxy
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JP5297856A
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Wilhelm Kump
クンプ ビルヘルム
Uwe Trinks
トリンクス ウベ
Peter Traxler
トラクスラー ペーター
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Ciba Geigy AG
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明はタンパク質キナーゼを阻害する新規
化合物を提供する。 【構成】 本発明は次式Ｉの化合物 【化１】 （式中、Ａ1 及びＡ2 は水素、未置換又は置換化低級ア
ルキル、アルケニル、アルキニル、複素環式低級アルキ
ル、アシル、低級アルキルスルホニル、アリールスルホ
ニルであるか、又は一緒となって未置換もしくは置換化
低級アルキレン；ＸがＯ又はＳ；Ｙがアミノ、置換化ア
ミノ、低級アルコキシ、又は未置換もしくは置換化低級
アルキルチオ；Ｚが置換化メチル又はカルボキシル等で
ある）に関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は次式Ｉの化合物
【化４】 〔式中、Ａ1 及びＡ2 は互いに独立して水素、未置換も
しくは置換化低級アルキル、未置換もしくは置換化低級
アルケニル、未置換もしくは置換化低級アルキニル、複
素環式低級アルキル、アシル、低級アルキルスルホニル
もしくはアリールスルホニルであるか、又はＡｒ1 及び
Ａｒ2 は一緒になって未置換もしくは置換化低級アルキ
レンであり；Ａｒ1 及びＡｒ2 は互いに独立してアリー
ル、ヘテロアリール又は未置換もしくは置換化シクロア
ルキルであり；ＸはＯ又はＳであり、Ｙはアミノ、置換
化アミノ、置換化低級アルコキシ又は未置換もしくは置
換化低級アルキルチオであるか；又は更には、ＸがＯそ
してＺが置換化メチルなら、Ｙはヒドロキシルであり；
そしてＺは置換化メチル、カルボキシル、エステル化カ
ルボキシル、もしくはそのカルボニル基のオキソがチオ
に置き換えられている類似の基、又はアミド化カルボキ
シル、もしくはそのカルボニル基のオキソがチオに置き
換えられている類似の基であるか；又はＹ及びＺは共に
１−オキサメチレンである（これはＹ位にある酸素を介
して、及びＺ位にあるメチレンの炭素原子を介して結合
している）〕、あるいは塩形成基が存在しているならば
その塩、又は互変異性基が存在しているならばその互変
異性体、かかる化合物の製造のための方法、かかる化合
物を含んで成る薬理学的組成物、ヒトもしくは動物の身
体の処置に関する治療方法におけるかかる物質の利用、
及び／又はヒトもしくは動物の治療的処置もしくは薬理
学組成物の製造のためのかかる化合物の利用に関する。
【０００２】本明細書において、使用する一般用語は好
ましくは下記に定義する通りである。
【０００３】本明細書はヒト又は動物身体の処置に関す
る方法を述べており、この方法なる語は温血動物の処置
のための方法及び温血動物におけるタンパク質キナーゼ
を阻害する方法も包括する。
【０００４】何らかの記載がある限り、前置詞「低級」
は７個まで、特に４個まで、そして特別には１〜３個ま
での炭素原子までの基を意味する。
【０００５】低級アルキルは好ましくはｎ−プロピル、
イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、第二ブチル、
第三ブチル、ｎ−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシ
ル又はｎ−ヘプチル、好ましくはメチル、エチル又はｎ
−プロピルである。
【０００６】低級アルケニルは２〜７個、好ましくは３
〜７個、特３又は４個の炭素原子を有し、例えばアリル
又はクロチルである。
【０００７】低級アルキニルは２〜７個、好ましくは３
〜７個、特３又は４個の炭素原子を有し、例えばプロピ
ニ−１−イルもしくはプロピニ−２−イル又は２−ブチ
ニ−１−イルである。
【０００８】置換化低級アルキルは好ましくは前記した
低級アルキルであり、この低級アルキルは４個まで、好
ましくは２個までの基により置換されており、その基は
アミノ（例えばこれにより置換されてアミノメチル、ア
ミノエチル、アミノプロピルもしくはアミノブチルとな
る）、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ（ここで
その低級アルキル基は、ヒドロキシル、低級アルコキ
シ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキ
シ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級ア
ルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級ア
ルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボ
キシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ
−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキル
カルバモイル及び／又はシアノにより一置換もしくは二
置換されているか、又は好ましくは未置換である）（例
えばアミノメチル、アミノエチル、アミノプロピルもし
くはアミノブチル）、シクロアルキルアミノ、フェニル
低級アルキルアミノもしくはフェニルアミノ、アシルア
ミノ、例えば低級アルカノイルアミノ、フェニル低級ア
ルカノイルアミノもしくはフェニルカルボニルアミノ
（＝ベンゾイルアミノ）、ヒドロキシル、（例えばこれ
により置換されてヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル
又はヒドロキシプロピルとなる）、低級アルコキシ（こ
こでその低級アルキル基は、ヒドロキシル、低級アルコ
キシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキ
シ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級ア
ルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級ア
ルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボ
キシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ
−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキル
カルバモイル及び／又はシアノにより一置換もしくは二
置換されているか、又は好ましくは未置換である）、フ
ェニル−低級アルコキシ、アシルオキシ、特に低級アル
カノイルオキシ、メルカプト、低級アルキルチオ（ここ
でその低級アルキル基は、ヒドロキシル、低級アルコキ
シ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキ
シ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級ア
ルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級ア
ルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボ
キシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ
−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキル
カルバモイル及び／又はシアノにより一置換もしくは二
置換されているか、又は好ましくは未置換である）、フ
ェニル−低級アルキルチオ、アシルチオ、特に低級アル
カノイルチオ、カルボキシル（例えばこれにより置換さ
れてカルボキシメチル、カルボキシエチル又はカルボキ
シプロピルとなる）、エステル化カルボキシル、例えば
低級アルコキシカルボニル、例えばメトキシカルボニ
ル、エトキシカルボニルもしくは第三ブトキシカルボニ
ル、（特に、これにより置換されてメトキシ−もしくは
エトキシカルボニルメチル、−エチルもしくは−プロピ
ルとなる）もしくはフェニル−低級アルコキシカルボニ
ル、例えばベンジルオキシカルボニル、シアノ、カルバ
モイル（例えばこれにより置換されてカルバモイルメチ
ル、カルバモイルエチルもしくはカルバモイルプロピル
となる）、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ
低級アルキルカルバモイル、Ｎ−ヒドロキシカルバモイ
ル、Ｎ−フェニルカルバモイル、チオカルバモイル、Ｎ
−低級アルキルチオカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アル
キルチオカルバモイル、ウレイド、ウレイドであって、
その一方又は両方の窒素原子において低級アルキル、ア
リールもしくはアリール−低級アルキルで置換されてい
るもの、特に１−もしくは３−モノ−、１，３−もしく
は３，３−ジ−又は１，３，３−トリ−低級アルキルウ
レイド、１−もしくは３−フェニルウレイド、１−もし
くは３−モノ−、１，３−もしくは３，３−ジ−又は
１，３，３−トリフェニル−低級アルキルウレイド、例
えば３−低級アルキルウレイド、例えば３−メチルもし
くは３−エチルウレイド、特に３−メチル−もしくは３
−エチルウレイドメチル、−エチルもしくは−プロピ
ル、チオウレイド、チオウレイドであって、その一方又
は両方の窒素原子において低級アルキル、アリールもし
くはアリール−低級アルキルで置換されているもの、特
に１−もしくは３−モノ−、１，３−もしくは３，３−
ジ−又は１，３，３−トリ−低級アルキルチオウレイ
ド、１もしくは３−フェニルチオウレイド、１−もしく
は３−モノ−、１，３−もしくは３，３−ジ−又は１，
３，３−トリフェニル−低級アルキルチオウレイド、例
えば３−低級アルキルチオウレイド、例えば３−メチル
−もしくは３−エチルチオウレイド、特に３−メチル−
もしくは３−エチルチオウレイドメチル、−エチルもし
くは−プロピル、ヒドラジノ、ヒドラジノであってその
一方又は両方の窒素原子において低級アルキル、アリー
ルもしくはアリール低級アルキルにより置換されている
もの、特に１−もしくは２−モノ−、１，２−もしくは
２，２−ジ−又は１，２，２−トリ−低級アルキルヒド
ラジノ、１−もしくは２−フェニルヒドラジノ、１−も
しくは２−モノ−、１，２−もしくは２，２−ジ−もし
くは１，２，２−トリフェニル−低級アルキルヒドラジ
ノ、例えば２，２−ジ低級アルキルヒドラジノ、例えば
２，２−ジメチル−もしくは２，２−ジエチルヒドラジ
ノ、アミジノ（例えばこれにより置換されてアミジノメ
チル、アミジノエチル又はアミジノプロピルとなる）、
アミジノであって、その一方又は両方の窒素原子におい
て低級アルキル、アリールもしくはアリール低級アルキ
ルにより置換されたもの、特にＮ1 −もしくはＮ2 −モ
ノ−、Ｎ1 ，Ｎ2 −ジ−もしくはＮ1 ，Ｎ1 −ジもしく
はＮ1 ，Ｎ1 ，Ｎ2 −トリ−低級アルキルアミジノ、Ｎ
1 −もしくはＮ2 −フェニルアミジノ、Ｎ1 −もしくは
Ｎ2 −モノ−、Ｎ1 ，Ｎ2 −、Ｎ1 ，Ｎ1 −ジもしくは
Ｎ1 ，Ｎ1 ，Ｎ2 −トリフェニル−低級アルキルアミジ
ノ、例えばＮ1 ，Ｎ1 −ジ−低級アルキルアミジノ、例
えばＮ1 ，Ｎ1 −ジメチル−もしくはＮ1，Ｎ1 −ジエ
チルアミジノ、グアニジノ（例えばこれにより置換され
たグアニジノメチル、グアニジノエチル又はグアニジノ
プロピルとなる）、グアニジノであって、その１，２又
は３個全ての窒素原子において低級アルキル、アリール
もしくはアリール低級アルキルにより置換されているも
の、特に１−、２−もしくは３−モノ−、１，１−、
３，３−、１，２−、１，３もしくは２，３−ジ−、
１，１，２−、１，１，３−、１，２，３−、１，３，
３−もしくは２，３，３−トリ−、１，１，２，３−、
１，２，３，３−テトラもしくは１，１，２，３，３−
ペンタ低級アルキルグアニジノもしくは−フェニル−低
級アルキルグアニジノ、特に３，３−ジ低級アルキルグ
アニジノ、例えば３，３−ジエチルグアジノもしくは
３，３−ジエチルグアニジノ、オキソであってＡ1 又は
Ａ2 を保有しない窒素原子に結合している炭素に結して
いないもの（例えばこれにより置換されて２−オキソプ
ロピル又は３−オキソ−ｎ−ブチルとなる）、チオキ
ソ、イミノ、低級アルキルイミノ、アシルイミノ、特に
低級アルカノイルイミノ、例えばアセチルイミノ、ヒド
ロキシイミノ（ＨＯ−Ｎ＝）（例えばこれにより置換さ
れてヒドロキシイミノメチル（ＨＯ−Ｎ＝ＣＮ−）、ヒ
ドロキシイミノエチル又はヒドロキシイミノプロピルと
なる）、低級アルコキシイミノ、例えばメトキシイミ
ノ、ヒドラゾノ（例えばこれにより置換されてヒドラゾ
ノメチル、−エチル又は−プロピルとなる）、Ｎ−モノ
−もしくはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルヒドラゾノ、Ｎ−ア
シルヒドラゾノ、特にＮ−低級アルカノイルヒドラゾ
ノ、例えばアセチルヒドラゾノもしくは低級アルコキシ
カルボニルヒドラゾノ、例えば第三ブトキシカルボニル
ヒドラゾノ、及び低級アルキルチオイミノ、例えばメチ
ルチオイミノもしくはエチルチオイミノ（特にこれによ
り置換されてメチルチオイミノ−もしくはエチルチオイ
ミノメチル、−エチルもしくは−プロピルとなる）より
成る系列から選ばれる。低級アルキルは好ましくは線形
であり、そして上記の置換基のいづれかにより末端置換
されている。
【０００９】アリール−低級アルキルは好ましくは下記
に定義するアリールを含み、そして特にフェニル低級ア
ルキル、例えばベンジルである。
【００１０】置換化低級アルケニルは好ましくは上記し
た低級アルケニル、特に３〜７個、特別には３又は４個
の窒素原子を有し、置換化低級アルキルの定義において
前述した置換基から好適に選ばれる４個までの基により
置換されたものである。一定の置換基において、二重結
合の相互作用により互変異性体が考えられる。これによ
り、ヒドロキシル、メルカプト又は結合性窒素上に遊離
水素を有するＮ−結合型置換基は、三重結合の炭素原子
に結合したときに互変異性してオキソ、チオオキソ又は
イミノ化合物を供することができる；二重結合により窒
素原子を介して結合している置換基、例えばヒドロキシ
イミノ又はヒドラゾノも低級アルケニル基における二重
結合と共役したときに互変異性することができる；かか
る化合物は互変異性平衡において存在していることもで
きる。置換化低級アルケニルとして好ましいのは、互変
異性のない基、即ち、ヒドロキシル、メルカプトもしく
は結合性窒素原子上に遊離水素を有さないＮ−結合型置
換基が、二重結合が由来する低級アルケニル基の炭素原
子に結合していないもの及び／又は二重結合により窒素
原子を介して結合している置換基、例えばヒドロキシイ
ミノもしくはヒドラゾノが低級アルケニル基の二重結合
と共役していないものである。しかしながら、未置換の
低級アルケニルＡ1 及び／又はＡ2 が置換化低級アルケ
ニルよりも好ましい。
【００１１】置換化低級アルキニルは好ましくは前記し
た低級アルキニルであり、特に３〜７個、特別には３又
は４個の炭素原子を有し、置換化低級アルキルの定義に
おいて前述した置換基から好適に選ばれる４個まで基に
より置換されたものである。置換変低級アルケニルに関
する互変異性体及び互変異性平衡体の定義と同様に、置
換化アルキニルについても対応の互変異性体及び互変異
性平衡体が存在しうる。この場合も好ましい基は互変異
性のない対応の基であり、それらの基は置換化低級アル
ケニルに同様に定義される。しかしながら、低級アルキ
ニルＡ1 及び／又はＡ2 が好ましい置換化低級アルキニ
ルである。
【００１２】複素環式低級アルキルは、上述した低級ア
ルキル基、好ましくはメチル、エチル又はｎ−プロピル
であって、好ましくは末端炭素原子が、複素環、特に、
飽和型、部分飽和型又は不飽和型の単環であって環の窒
素原子を介して結合しており、そして３〜７個、主とし
て５〜７個の環原子を有する複素環により置換されたも
の低級アルキルである。この複素環は結合性窒素原子に
加えて窒素、硫黄及び／又は酸素より成る系列から選ば
れる２個迄の更なるヘテロ原子を有することが可能であ
る。この複素環は単環であるか、又は１もしくは２個、
好ましくは１個のベンゼン、シクロペンタン、シクロヘ
キサン又はシクロヘプタン環と縮合してよい。更にこの
複素環は未置換であるか、又は特に低級アルキル、低級
アルカノイル、ヒドロキシル、低級アルコキシ、ハロゲ
ン、シアノ及び／又はトリフルオロメチルにより置換さ
れたピロリル、２，５−ジヒドロピロリル、ピロリニ
ル、イミダゾリル、イミダゾリジニル、ピラゾリニル、
ピラゾリジニル、トリアゾリル、例えば１，２，３−、
１，２，４−もしくは１，３，４−トリアゾリル、テト
ラゾリル、例えば１−もしくは２−テトラゾリル、テト
ラヒドロオキサゾリル、テトラヒドロ−イソキサゾリ
ル、テトラヒドロ−チアゾリル、テトラヒドロ−イソチ
アゾリル、インドリル、イソインドリル、ベンズイミダ
ゾリル、ピペリジニル、ピペラジン−１−イル、モルホ
リノ、チオモルホリノ、Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモルホリ
ノ、１，２−ジヒドロ−もしくは１，２，３，４−テト
ラヒドロキノリル及び１，２−ジヒドロ−もしくは１，
２，３，４−テトラヒドロイソキノリルでありここで上
記の基は未置換であるか、又は上記のように特に低級ア
ルキルにより置換された、例えば４−低級アルキルピペ
ラジン−１−イル、例えば４−メチル−もしくは４−エ
チルピペラジン−１−イルであるか、又は低級アルカノ
イルにより置換された、例えば４−低級アルカノイルピ
ペラジン−１−イル、例えば４−アセチルピペラジン−
１−イルである。
【００１３】アシルは好ましくは低級アルカノイル、ハ
ロ−低級アルカイル、例えばトリフルオロ−もしくはト
リクロロアセチル、アリール低級アルカノイル、例えば
フェニル−低級アルカノイル、例えばフェニルアセチ
ル、アリールカルボニル、例えばフェニルカルボニルで
あり、ここで最後に挙げた２つのケースにおけるアリー
ルは前述した通りであるか、ただし最後に挙げたアリー
ル基におけるアシル置換基は好ましくは低級アルカイ
ル、フェニル−低級アルカノイル及びフェニルカルボニ
ルの中から選ばれるか、又は低級アルコキシカルボニ
ル、例えば第三ブトキシカルボニル又はフェニル−低級
アルコキシカルボニル、例えばベンジルオキシカルボニ
ルである。アシルは主として低級アルカノイルである。
【００１４】低級アルカノイルは好ましくはホルミル、
アセチル、プロピオニル、ｎ−ブチリル、ピバロイル又
はバレロイルであり、特にホルミル、アセチル又はプロ
ピオニルである。
【００１５】ハロゲンは特にフッ素、塩素、臭素及び／
又はヨウ素であり、主としてフッ素又はヨウ素である。
【００１６】低級アルキルスルホニル（＝低級アルキル
−ＳＯ2 −）は好ましくはメタン−又はエタン−スルホ
ニルである。
【００１７】アリールスルホニル（＝アリール−ＳＯ2
−）は好ましくはベンゼン−又はトルエン−スルホニ
ル、例えば４−トルエンスルホニルである。
【００１８】Ａ1 とＡ2 が一緒になって形成される低級
アルキレンは枝分れしており、１〜４個、好ましくは２
又は３個の炭素原子を有し、そして未置換であるか、又
は下記に挙げる置換基のうちの１個又は数個により、好
ましくは３個まで、特に１個の置換基により置換されて
おり、かかる置換基は、低級アルキル、例えばメチルも
しくはエチル、アミノ−低級アルキル、例えばアミノメ
チル、アミノエチルもしくはアミノプロピル、モノ−も
しくはジ−低級アルキルアミノ又はモノ−もしくはジ−
低級アルキルアミノ−低級アルキル（ここでこの低級ア
ルキル基はヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低
級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、ア
ミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メ
ルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニ
ル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、低級アル
コキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカ
ルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び
／又はシアノにより一置換もしくは二置換されている、
又は好ましくは未置換である）、シクロアルキルアミ
ノ、シクロアルキルアミノ−低級アルキル、フェニル−
低級アルキルアミノ、フェニル低級アルキルアミノ−低
級アルキル、フェニルアミノ、フェニルアミノ−低級ア
ルキル、アシルアミノ、例えば低級アルカノイルアミ
ノ、フェニル−低級アルカノイルアミノもしくはフェニ
ルカルボニルアミノ（＝ベンジルアミノ）、アシルアミ
ノ−低級アルキル、例えば低級アルカノイルアミノ−低
級アルキル、フェニル−低級アルカノイルアミノ−低級
アルキルもしくはフェニルカルボニルアミノ−低級アル
キル（＝ベンゾイルアミノ−低級アルキル）、ヒドロキ
シル、ヒドロキシ低級アルキル、例えばヒドロキシメチ
ル、ヒドロキシエチルもしくはヒドロキシプロピル低級
アルコキシもしくは低級アルコキシ−低級アルキル（そ
の末端低級アルキル基は、ヒドロキシル、低級アルコキ
シ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキ
シ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級ア
ルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級ア
ルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボ
キシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ
−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキル
カルバモイル及び／又はシアノにより一置換もしくは二
置換されているか、又は好ましくは未置換である）、例
えば２−メトキシ−もしくは２−エトキシエトキシ−低
級アルキル、フェニル−低級アルコキシ、例えばベンジ
ルオキシ、フェニル−低級アルコキシ−低級アルキル、
例えば２−ベンジルオキシエチル、アシロキシ、特に低
級アルカノイルオキシ、アシロキシ−低級アルキル、特
に低級アルカノイルオキシ−低級アルキル、例えば２−
アセトキシエチル、メルカプト、メルカプト−低級アル
キル、例えばメルカプトメチルもしくはメルカプトエチ
ル、低級アルキルチオもしくは低級アルキルチオ−低級
アルキル（その末端低級アルキル基は、ヒドロキシル、
低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカ
ノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミ
ノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキル
チオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホ
ニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カル
バモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ
低級アルキルカルバモイル及び／又はシアノにより一置
換もしくは二置換されているか、又は好ましくは未置換
である）、例えば２−メチルチオ−もしくは２−エチル
チオエチルチオ−低級アルキル、フェニル−低級アルキ
ルチオ、例えばベンジルチオ、フェニル−低級アルキル
チオ−低級アルキル、例えば２−ベンジルチオエチル、
アシルチオ、特に低級アルカノイルチオ、アシルチオ−
低級アルキル、特に低級アルカノイルチオ−低級アルキ
ル、例えば２−アセチルチオエチル、カルボキシル、カ
ルボキシ−低級アルキル例えばカルボキシメチル、エス
テル化カルボキシル、例えば低級アルコキシカルボニ
ル、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルも
しくは第三ブトキシカルボニル、エステル化カルボキシ
低級アルキル、例えば低級アルコキシカルボニル−低級
アルキル、例えばメトキシカルボニルメチル、エトキシ
カルボニルメチルもしくは第三ブトキシカルボニルメチ
ルもしくはフェニル−低級アルコキシカルボニル−低級
アルキル、例えばベンジルオキシカルボニルメチル、シ
アノ、シアノ−低級アルキル、カルバモイル、カルバモ
イル−低級アルキル、例えばカルバモイルメチル、カル
バモイルエチルもしくはカルバモイルプロピル、Ｎ−低
級アルキルカルバモイル、例えばＮ−メチル−もしくは
Ｎ−エチルカルバモイルメチル、−エチルもしくはプロ
ピル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル、Ｎ−低級
アルキルカルバモイル−低級アルキル、Ｎ，Ｎ−ジ低級
アルキルカルバモイル−低級アルキル、Ｎ−ヒドロキシ
カルバモイル、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル−低級アル
キル、Ｎ−フェニルカルバモイル、Ｎ−フェニルカルバ
モイル−低級アルキル、チオカルバモイル、チオカルバ
モイル−低級アルキル、Ｎ−低級アルキルチオカルバモ
イル、Ｎ−低級アルキルチオカルバモイル−低級アルキ
ル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルチオカルバモイル、Ｎ，Ｎ
−ジ低級アルキルチオカルバモイル−低級アルキル、ウ
レイドもしくはウレイド−低級アルキル、又はそれぞれ
がその一方又は両方の窒素原子において低級アルキル、
アリールもしくはアリール低級アルキルにより置換され
ているウレイドもしくはウレイド低級アルキル、特に、
１−もしくは３−モノ−、１，３−もしくは３，３−ジ
−もしくは１，３，３−トリ低級アルキルウレイド、１
−もしくは３−フェニルウレイド、１−もしくは３−モ
ノ−、１，３−もしくは３，３−ジ−もしくは１，３，
３−トリフェニル−低級アルキルウレイド、例えば３−
低級アルキルウレイド、例えば３−メチル−もしくは３
−エチルウレイド、１−もしくは３−モノ−、１，３−
ジ−もしくは３，３−ジ−もしくは１，３，３−トリ−
低級アルキルウレイド−低級アルキル、１−もしくは３
−フェニルウレイド−低級アルキル、１−もしくは３−
モノ−、１，３−もしくは３，３−ジ−もしくは１，
３，３−トリフェニル−低級アルキルウレイド−低級ア
ルキル、例えば３−低級アルキルウレイド−低級アルキ
ル、例えば３−メチル−もしくは３−エチルウレイド−
低級アルキル、特に３−メチル−もしくは３−エチルウ
レイドメチル、−エチルもしくは−プロピル、チオウレ
イドもしくはチオウレイド−低級アルキル、又はそれぞ
れがその一方又は両方の窒素原子において低級アルキ
ル、アリールもしくはアリール低級アルキルにより置換
されているチオウレイドもしくはチオウレイド低級アル
キル、特に、１−もしくは３−モノ−、１，３−もしく
は３，３−ジ−もしくは１，３，３−トリ低級アルキル
チオウレイド、１−もしくは３−フェニルチオウレイ
ド、１−もしくは３−モノ−、１，３−もしくは３，３
−ジ−もしくは１，３，３−トリフェニル−低級アルキ
ルチオウレイド、例えば３−低級アルキルチオウレイ
ド、例えば３−メチル−もしくは３−エチルチオウレイ
ド、１−もしくは３−モノ−、１，３−ジ−もしくは
３，３−ジ−もしくは１，３，３−トリ−低級アルキル
チオウレイド低級アルキル、１−もしくは３−フェニル
チオウレイド−低級アルキル、１−もしくは３−モノ
−、１，３−もしくは３，３−ジ−もしくは１，３，３
−トリフェニル−低級アルキルチオウレイド−低級アル
キル、例えば３−低級アルキルチオウレイド−低級アル
キル、例えば３−メチル−もしくは３−エチルチオウレ
イド−低級アルキル、特に３−メチル−もしくは３−エ
チルチオウレイドメチル、−エチルもしくは−プロピ
ル、ヒドラジノもしくはヒドラジノ−低級アルキル、又
はそれぞれがその一方又は両方の窒素原子において低級
アルキル、アリールもしくはアリール低級アルキルによ
り置換されているヒドラジノもしくはヒドラジノ低級ア
ルキル、特に、１−もしくは２−モノ−、１，２−もし
くは２，２−ジ−もしくは１，２，２−トリ低級アルキ
ルヒドラジノ、１−もしくは２−フェニルヒドラジノ、
１−もしくは２−モノ−、１，２−もしくは２，２−ジ
−もしくは１，２，２−トリフェニル−低級アルキルヒ
ドラジノ、例えば２，２−ジ低級アルキルヒドラジノ、
例えば２，２−ジメチル−もしくは２，２−ジエチルヒ
ドラジノ、１−もしくは２−モノ−、１，２−もしくは
２，２−ジ−もしくは１，２，２−トリ−低級アルキル
ヒドラジノ−低級アルキル、１−もしくは２−フェニル
ヒドラジノ−低級アルキル、１−もしくは２−モノ−、
１，２−もしくは２，２−ジ−もしくは１，２，２−ト
リフェニル−低級アルキルヒドラジノ−低級アルキル、
例えば２，２−ジ低級アルキルヒドラジノ−低級アルキ
ル、例えば２，２−ジメチル−もしくは２，２−ジエチ
ルヒドラジノ−低級アルキル、アミジノもしくはアミジ
ノ−低級アルキル、又はそれぞれがその一方又は両方の
窒素原子において低級アルキル、アリールもしくはアリ
ール低級アルキルにより置換されているアミジノもしく
はアミジノ低級アルキル、特に、Ｎ1 −もしくはＮ2 −
モノ−、Ｎ1 ，Ｎ2 −もしくはＮ1 ，Ｎ1 −ジ−もしく
はＮ1 ，Ｎ 1 ，Ｎ2 −トリ低級アルキルアミジノ、Ｎ1
−もしくはＮ2 −フェニルウレイド、Ｎ1 −もしくはＮ
2 −モノ−、Ｎ1 ，Ｎ2 ，Ｎ1 ，Ｎ1 −ジ−もしくはＮ
1 ，Ｎ1 ，Ｎ2 −トリフェニル−低級アルキルアミジ
ノ、例えばＮ1 ，Ｎ1 −ジ低級アルキルアミジノ、例え
ばＮ1 ，Ｎ1 −ジメチル−もしくはＮ1 ，Ｎ1 −ジエチ
ルアミジノ、Ｎ1 −もしくはＮ2 −モノ−、Ｎ1 ，Ｎ2
−もしくはＮ1 ，Ｎ1 −ジ−もしくはＮ1 ，Ｎ1 ，Ｎ2
−トリ−低級アルキルアミジノ−低級アルキル、Ｎ1 −
もしくはＮ2 −フェニルアミジノ−低級アルキル、Ｎ1
−もしくはＮ2 −モノ−、Ｎ1 ，Ｎ2 ，Ｎ1 ，Ｎ1 −ジ
−もしくはＮ1 ，Ｎ1 ，Ｎ2 −トリフェニル−低級アル
キルアミジノ−低級アルキル、例えばＮ1 ，Ｎ1 −ジ低
級アルキルアミジノ−低級アルキル、例えばＮ1 ，Ｎ1
−ジメチル−もしくはＮ1 ，Ｎ1 −ジエチルウレイド−
低級アルキル、グアニジノ、グアニジノ−低級アルキ
ル、例えばグアニジノメチル、グアニジノエチルもしく
はグアニジノプロピル、又はその１，２もしくは３個の
全ての窒素原子において低級アルキル、アリールもしく
はアリール低級アルキルにより置換されたグアニジノも
しくはグアニジノ−低級アルキル、特に、１−、２−も
しくは３−モノ−、１，１−、３，３−、１，２−、
１，３−もしくは２，３−ジ−、１，１，２−、１，
１，３−、１，２，３−、１，３，３−もしくは２，
３，３−トリ、１，１，２，３−、１，２，３，３−も
しくは１，１，３，３−テトラ−又は１，１，２，３，
３−ペンタ−低級アルキル−もしくは−フェニル低級ア
ルキルグアニジノ、特に３，３−ジ−低級アルキルグア
ニジノ、例えば３，３−ジメチルグアニジノもしくは
３，３−ジエチルグアニジノ、１−、２−もしくは３−
モノ−、１，１−、３，３−、１，２−、１，３−もし
くは２，３−ジ−、１，１，２−、１，１，３−、１，
２，３−、１，３，３−もしくは２，３，３−トリ、
１，１，２，３−、１，２，３，３−もしくは１，１，
３，３−テトラ−又は１，１，２，３，３−ペンタ低級
アルキルもしくは−フェニル低級アルキルグアニジノ−
低級アルキル、特に３，３−ジ低級アルキルグアニジノ
−低級アルキル、例えば３，３−ジメチルグアニジノ−
低級アルキルもしくは３，３−ジエチルグアニジノ−低
級アルキル、オキソ、オキソ−低級アルキル、特に低級
アルカノイル、例えばホルミル、アセチルもしくはプロ
ピオニル、チオキソ、チオキソ−低級アルキル、イミ
ノ、イミノ−低級アルキル、低級アルキルイミノ、低級
アルキルイミノ−低級アルキル、アシルイミノ、特に低
級アルカノイルイミノ、例えばアセチルイミノ、アシル
イミノ−低級アルキル、特に低級アルカノイルイミノ−
低級アルキル、例えばアセチルイミノ−低級アルキル、
ヒドロキシイミノ、ヒドロキシイミノ−低級アルキル、
例えばヒドロキシイミノメチル、ヒドロキシイミノエチ
ルもしくはヒドロキシイミノプロピル、低級アルコキシ
イミノもしくは低級アルコキシイミノ−低級アルキル、
例えばメトキシイミノもしくはメトキシイミノ−低級ア
ルキル、ヒドラゾノ、ヒドラゾノ低級アルキル、例えば
ヒドラゾノメチル、ヒドラゾノエチルもしくはヒドラゾ
ノプロピル、Ｎ−モノ−もしくはＮ，Ｎ−ジ−低級アル
キルヒドラゾノ、Ｎ−モノ−もしくはＮ，Ｎ−ジ低級ア
ルキルヒドラゾノ−低級アルキル、Ｎ−アシルヒドラゾ
ノ、特にＮ−低級アルカノイルヒドラゾノ、例えばアセ
チルヒドラゾノ、又は低級アルコキシカルボニルヒドラ
ゾノ、例えば第三ブトキシカルボニルヒドラゾノ、Ｎ−
アシルヒドラゾノ−低級アルキル、特にＮ−低級アルカ
ノイルヒドラゾノ−低級アルキル、例えばアセチルヒド
ラゾノ−低級アルキル、又は低級アルコキシカルボニル
ヒドラゾノ−低級アルキル、例えば第三ブトキシカルボ
ニルヒドラゾノ−低級アルキル、低級アルキルチオイミ
ノ、例えばメチルチオイミノもしくはエチルチオイミ
ノ、及び低級アルキルチオイミノ−低級アルキル、例え
ばメチル−もしくはエチル−チオイミノ−低級アルキ
ル、主としてメチル−もしくはエチル−チオイミノメチ
ル、−エチルもしくは−プロピルより選ばれる。
【００１９】本明細書がチオキソについて述べていると
き、この置換基は末端のメチルには結合しておらず、な
ぜならチオアルデヒド原則的には不安定であるからであ
る。
【００２０】アリールは好ましくはフェニル又はナフチ
ル、例えば１−もしくは２−ナフチルである。フェニル
及びナフチル基は未置換か、又はフェニルについて下記
するように置換されている。アリールは好ましくはフェ
ニルであり、これは未置換であるか、又は１もしくは数
個の、好ましくは５個までの、特に１もしくは２個の、
特に１個の置換基により特にｐ位において、又はハロゲ
ン、主としてフッ素の場合は５個までの置換基により置
換されており、その置換基はハイドロカルビル、例えば
低級アルキル、低級アルケニル、低級アルキニル、低級
アルキレン（２個の隣接Ｃ原子に結合）、シクロアルキ
ル、フェニル−低級アルキル又はフェニル；置換化ハイ
ドロカルビル、例えばアルキルであってヒドロキシル、
低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカ
ノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミ
ノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキル
チオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホ
ニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カル
バモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ
低級アルキルカルバモイル及び／又はシアノにより置換
されている低級アルキル；ヒドロキシル；エーテル化ヒ
ドロキシル、例えば低級アルコキシ、ハロ−低級アルコ
キシ、フェニル低級アルコキシ、フェニルオキシ、低級
アルケニルオキシ、ハロ−低級アルケニルオキシもしく
は低級アルキニルオキシ；低級アルキレンジオキシ（２
個の隣接Ｃ原子に連結）；エステル化ヒドロキシル、例
えば低級アルカノイルオキシ、フェニル−低級アルカノ
イルオキシもしくはフェニルカルボニルオキシ（＝ベン
ジルオキシ）；メルカプト；エーテル化メルカプト（遊
離又は酸化型）、例えば低級アルキルチオ、フェニル−
低級アルキルチオ、フェニルチオ、低級アルキルスルフ
ィニル〔−Ｓ（＝Ｏ）−低級アルキル〕；フェニル−低
級アルキルスルフィニル、フェニルスルフィニル、低級
アルキルスルホニル〔−Ｓ（Ｏ2 ）−低級アルキル〕、
フェニル−低級アルキルスルホニルもしくはベンゼンス
ルホニル（＝フェニルスルホニル）；ハロゲン、ニト
ロ、アミノ；モノハイドロカルビルアミノ、例えば低級
アルキルアミノ、シクロアルキルアミノ、フェニル−低
級アルキルアミノもしくはフェニルアミノ；ジヒドロカ
ルビルアミノ、例えばジ低級アルキルアミノ、Ｎ−低級
アルキル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−低級アルキル−Ｎ
−フェニル低級アルキルアミノ、低級アルキレンアミ
ノ；低級アルキレンアミノであって−Ｏ−，−Ｓ−もし
くは−ＮＲ″（ここでＲ″は水素、低級アルキルもしく
はアシル、例えば低級アルカノイルである）により中断
されているもの；アシルアミノ、例えば低級アルカノイ
ルアミノ、フェニル−低級アルカノイルアミノもしくは
フェニルカルボニルアミノ（ベンゾイルアミノ）；アシ
ル、例えば低級アルカイル、フェニル−低級アルカイル
もしくはフェニルカルボニル（＝ベンゾイル）；カルボ
キシル；エステル化カルボキシル、例えば低級アルコキ
シカルボニル；アミド化カルボキシル、例えばカルバモ
イル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級
アルキルカルバモイル、Ｎ−ヒドロキシカルバモイルも
しくはＮ−フェニルカルバモイル；シアノ、ホスホリロ
キシであって、その隣原子において、ヒドロキシル、低
級アルコキシ又はフェニル低級アルコキシ（例えばベン
ジルオキシ）より成る系列から互いに独立して選ばれる
２個の基により置換されているもの、又はホスホリロキ
シであって、その隣原子においてフェニルレン−１，２
−ジオキシ（即ち、次式の基
【化５】 式中、Ｑ1 及びＱ2 は互いに独立して水素、低級アルキ
ル及びフェニル−低級アルキルであるか、又はＱ1 とＱ
2 は一緒にオルトフェニレンとなっている）により置換
されているもの；エステル化スルホ例えば低級アルコキ
シスルホニル；並びにアミド化スルホ、例えばスルファ
モイル（−ＳＯ2 ＮＨ2 ）、Ｎ−低級アルキルスルファ
モイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルスルファモイルもしく
はＮ−フェニルスルファモイルより成る群から選ばれ、
ここでこれらの置換基におけるフェニル基はそれぞれの
場合において未置換であるか、又は低級アルキル、低級
アルコキシ、ヒドロキシル、ハロゲン及び／もしくはト
リフルオロメチルにより置換されている。アリールは主
として未置換のフェニルであるか、又は低級アルキル、
例えばメチルもしくはエチル、ヒドロキシル、低級アル
コキシ、例えばメトキシ、ハロゲン、例えばフッ素もし
くはヨウ素、カルボキシル、低級アルコキシカルボニ
ル、例えばメトキシカルボニルもしくはエトキシカルボ
ニル及びシアノより成る系列から選ばれる置換基により
ｏ−、ｎ−もしくはｐ−置換されたものであるか、又は
ペンタフルオロフェニルである。
【００２１】ベンゼン環の隣接するＣ原子に連結する低
級アルキレンは好ましくはＣ3 −Ｃ 4 アルキレン、例え
ば１，３プロピレン又は１，４−ブタジエンである。
【００２２】隣接するＣ原子に連結する低級アルキレン
ジオキシは好ましくはＣ1 −Ｃ2 アルキレンジオキシ、
例えばメチレン−又は１，２−エチレンジオキシであ
る。
【００２３】低級アルキレンアミノは好ましくはＣ4 −
Ｃ7 アルキレンアミノ、特にＣ4 −Ｃ5 アルキレンアミ
ノ、例えばピペリジノである。−Ｏ−，−Ｓ−又は−Ｎ
Ｒ′−により中断されている低級アルキレンアミノは好
ましくは例えばＣ4 −Ｃ7 アルキレンアミノ、特にＣ4
−Ｃ5 アルキレンアミノであり、環炭素原子が対応のヘ
テロ基により置き代っており、そして特にモルホリノ、
チオモルホリノ、ピペラジノ又は４−低級アルキルもし
くは４−低級アルカノイルピペラジノである。
【００２４】ヘテロアリールは不飽和複素環基であり、
そして好ましくは環の炭素原子を介して連結している。
これは特に、Ｎ，Ｏ及びＳ、主としてＮの中から選ばれ
る３個までのヘテロ原子を有する５−又は６−員環であ
り、例えばイミダゾリル、トリアゾリル、ピリジル、ピ
リミジニル又はトリアジニルであり、特にピリジルであ
る。これらの基は未置換であるか、又は例えば低級アル
キル、ヒドロキシル、低級アルコキシ、ハロゲン、シア
ノ及び／もしくはトリフルオロメチルにより置換されて
いてよい。
【００２５】ピリジルは例えば２−、３−又は４−ピリ
ジルである。
【００２６】イミダゾリルは例えば２−又は４（５）−
イミダゾリルである。
【００２７】トリアゾリルは例えば１，２，４−トリア
ゾール−３−もしくは−４−イル又は１，２，３−トリ
アゾール−４−イルである。
【００２８】ピリミジニルは例えば２，４−又は５−ピ
リミジニルである。
【００２９】トリアジニルは例えば１，３，５−トリア
ジン−１−イルである。ヘテロアリールは特に２−、３
−もしくは４−ピリジル、２，４−もしくは５−ピリミ
ジニル又は１，３，５−トリアジン−２−イルである。
【００３０】シクロアルキルは好ましくはＣ3 −Ｃ8 シ
クロアルキルであり、特にＣ5 −Ｃ 7 シクロアルキルで
あり、これは３〜８個、又は５〜７個の環炭素原子を有
することを意味し、例えばシクロペンチル、シクロヘキ
シル又はシクロヘプチルである。上記のシクロアルキル
基は例えば低級アルキル、ハロゲン、例えばフッ素、塩
素もしくは臭素、又はヒドロキシルにより置換されてい
てもよい。
【００３１】基−（Ｃ＝Ｘ）が−（Ｃ＝Ｏ）−及び−
（Ｃ＝Ｓ）−として定義されるとき、−（Ｃ＝Ｏ）が好
ましい。
【００３２】置換化アミノは好ましくはモノ−又はジ−
低級アルキルアミノ（ここでその低級アルキルは未置換
であるか、又はヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニ
ル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲ
ン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミ
ノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキルスル
フィニル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、低
級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アル
キルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイ
ル及び／又はシアノにより更に置換されている）、例え
ばメチルアミノ、シクロアルキルアミノ、例えばＣ5 −
Ｃ7 シクロアルキルアミノ、フェニル−低級アルキルア
ミノ、例えばベンジルアミノ、フェニルアミノ又はアシ
ルアミノ、特に低級アルカノイルアミノ、ハロ−低級ア
ルカノイルアミノ、例えばトリフルオロ−もしくはトリ
クロロアセチルアミノ、アリール低級アルカノイルアミ
ノ、例えばフェニル−低級アルカノイルアミノ、例えば
フェニルアセチルアミノ、又はアリールカルボニルアミ
ノ（アリールアミノ)(ここでアリールは好ましくは未置
換のフェニルであるか、又は前記のように置換されたフ
ェニルである）、例えばフェニルカルボニルアミノ（＝
ベンゾイルアミノ）、ヒドラジノ、その１又は両方の窒
素原子が低級アルキル（これは未置換であるか、又はヒ
ドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキ
シ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級
アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、
低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級ア
ルキルスルホニル、カルボキシル、低級アルコキシカル
ボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイ
ル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び／又はシ
アノにより更に置換されている）により置換されたヒド
ラジノ、又はアリールもしくはアリール−低級アルキル
（ここでアリールは特に未置換である、又は前記のよう
に置換されたフェニルである）により置換されたヒドラ
ジノ、特に１−もしくは２−モノ−、１，２−もしくは
２，２−ジ−又は１，２，２−トリ−低級アルキルヒド
ラジノ、１−もしくは２−フェニルヒドラジノ、１−も
しくは２−モノ−、１，２−又は２，２−ジ−もしくは
１，２，２−トリフェニル低級アルキルヒドラジノ、例
えば２，２−ジ低級アルキルヒドラジノ、例えば２，２
−ジメチルヒドラジノ又は２，２−ジエチルヒドラジ
ノ、ヒドロキシアミノ、低級アルコキシアミノ（ここで
その低級アルキル基は未置換であるか、又はヒドロキシ
ル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級ア
ルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルア
ミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキ
ルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスル
ホニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カ
ルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−
ジ低級アルキルカルバモイル及び／又はシアノにより更
に置換されている）、又は低級アルキレンアミノ、好ま
しくはＣ4 −Ｃ7 アルキレンアミノ、特にＣ4 −Ｃ5 ア
ルキレンアミノ、例えばピペリジノ、又は−Ｏ−，−Ｓ
−もしくは−ＮＲ′−により中断された低級アルキレン
アミノ（前記に定義）、好ましくはＣ4 −Ｃ7 アルキレ
ンアミノ、特にＣ4 −Ｃ5 アルキレンアミノその環炭素
原子が対応のヘテロ原子により置き代っている、例えば
モルホリノ、チオモルホリノ、ピペラジノ又は４−低級
アルキルピペラジノもしくは４−低級アルカノイルピペ
ラジノであり、主として低級アルキルアミノ、例えばメ
チルアミノ、フェニルアミノ又はヒドラジノである。
【００３３】置換化低級アルコキシは好ましくは低級ア
ルコキシであって、その低級アルキル基が、特にヒドロ
キシル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低
級アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキ
ルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級ア
ルキルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキル
スルホニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニ
ル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、
Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び／又はシアノ
により一置換又は二置換されているものであり、主とし
てヒドロキシ−低級アルコキシ、例えば２−ヒドロキシ
エトキシである。
【００３４】未置換又は置換化低級アルキルチオは好ま
しくは低級アルキルチオであって未置換のもの、又は特
にその低級アルキルチオ基においてヒドロキシル、低級
アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイ
ルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ
低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、
低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、
カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイ
ル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級ア
ルキルカルバモイル及び／又はシアノにより一置換もし
くは二置換されているもの、特にヒドロキシ−低級アル
キルチオ、例えば２−ヒドロキシエチルチオである。
【００３５】置換化メチルは特に、下記の基により置換
されたメチルであり、その置換基はアミノ、モノ−もし
くはジ−低級アルキルアミノ（その低級アルキル基はヒ
ドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキ
シ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級
アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、
低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級ア
ルキルスルホニル、カルボキシル、低級アルコキシカル
ボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイ
ル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び／又はシ
アノにより一置換もしくは二置換されているか、又は好
ましくは未置換である）、低級アルカノイルアミノ、ヒ
ドロキシル、低級アルコキシ（その低級アルキル基はヒ
ドロキシル、低級アルコキシ、フェニル−低級アルコキ
シ、低級アルカノイルオキシ、アミノ、低級アルカノイ
ルアミノ及び／又はジ−低級アルキルアミノにより一置
換もしくは二置換されているか、又は好ましくは未置換
である）、又は低級アルカノイルオキシ、低級アルキル
チオ（その低級アルキル基はヒドロキシル、低級アルコ
キシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキ
シ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級ア
ルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級ア
ルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボ
キシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ
−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキル
カルバモイル及び／又はシアノにより一置換もしくは二
置換されているか、又は好ましくは未置換である）、シ
アノ、ウレイド、１−もしくは３−モノ−低級アルキル
ウレイド、ヒドラジノ、一方もしくは両方の窒素原子に
おいて低級アルキルにより置換されているヒドラジノ、
グアニジノ、１，２もしくは３個全ての窒素原子におい
て低級アルキルにより置換されているグアニジノ、オキ
ソ、イミノ、低級アルキルイミノ、アシルイミノ、特に
低級アルカノイルイミノ、例えばアセチルイミノ、ヒド
ロキシイミノ、低級アルコキシイミノ、ヒドラゾノ、Ｎ
−モノ−もしくはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルヒドラゾノ、
Ｎ−アシルヒドラゾノ、特にＮ−低級アルカノイルヒド
ラゾノ、例えばアセチルヒドラゾノ、又は低級アルコキ
シカルボニルヒドラゾノ、例えば第三ブトキシカルボニ
ルヒドラゾノ、及びアルキルチオイミノより成る系列か
ら選ばれ、主としてヒドロキシメチル、低級アルカノイ
ルオキシメチル、例えばアセトキシメチル、ホルミル又
は更にはヒドロキシイミノメチルである。
【００３６】Ｚの定義において、エステル化カルボキシ
ル又はそのカルボニル基のオキソがチオに置き代ってい
る類似の基は、好ましくはアルコキシカルボニル又は低
級アルキルチオカルボニル（低級アルキル−Ｓ−（Ｃ＝
Ｏ）−)(ここでその低級アルキル基は未置換であるか、
又は特にヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低級
アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミ
ノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メル
カプト、低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニ
ル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、低級アル
コキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカ
ルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び
／又はシアノにより一もしくは二置換されている）；ア
リールオキシカルボニル、アリールチオカルボニル（ア
リール−Ｓ−（Ｃ＝Ｏ）−）、アリール−低級アルコキ
シカルボニルもしくはアリール低級アルキルチオカルボ
ニル（アリール−低級アルキル−Ｓ−（Ｃ＝Ｏ）−)(こ
こでそのアリールは前記した通りである）、主としてフ
ェニル−又はフェニル−低級アルコキシカルボニル（こ
こでそのフェニル基はアリールについて前記した通りに
置換されている）、例えばフェニルオキシカルボニルも
しくはベンジルオキシカルボニル、又は（未置換の低級
アルキルチオカルボニルもしくは上記のように置換され
た低級アルキルチオカルボニル、アリールチオカルボニ
ル又はアリール低級アルキルチオカルボニルを除いて）
対応のチオカルボニル類似体であり、主として低級アル
コキシカルボニル、例えばメトキシカルボニル、又はヒ
ドロキシ−低級アルコキシカルボニル、例えば２−ヒド
ロキシエトキシカルボニルである。
【００３７】アミド化カルボキル又はそのカルボニル基
のオキソがチオに置き代っている類似の基は、好ましく
はカルバモイル、Ｎ−モノ−もしくはＮ，Ｎ−ジ−低級
アルキルカルバモイル（その低級アルキルは未置換であ
るか、又はヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低
級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、ア
ミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メ
ルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニ
ル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、低級アル
コキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカ
ルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び
／又はシアノにより置換されている）、例えばＮ−メチ
ルアミノカルボニル、Ｎ−シクロアルキルカルバモイ
ル、例えばＣ5 −Ｃ7 シクロアルキルアミノカルボニ
ル、Ｎ−フェニル−低級アルキルカルバモイル、例えば
Ｎ−ベンジルカルバモイル、フェニルカルバモイル、ヒ
ドラジノカルボニル、ヒドラジノカルボニルであってそ
の一方もしくは両方の窒素原子において低級アルキル
（これは未置換であるか、又はヒドロキシル、低級アル
コキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオ
キシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級
アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級
アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カル
ボキシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、
Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキ
ルカルバモイル及び／又はシアノにより置換されてい
る）により、又はアリールもしくはアリール低級アルキ
ル（ここでこのアリールは特に未置換フェニル又は前記
のように置換されたフェニルである）により置換されて
いるヒドラジノカルボニル、特に１−もしくは２−モノ
−、１，２−もしくは２，２−ジ−又は１，２，２−ト
リ低級アルキルヒドラジノカルボニル、１−もしくは２
−フェニルヒドラジノカルボニル、１−もしくは２−モ
ノ−、１，２−もしくは２，２−ジ−、又は１，２，２
−トリフェニル−低級アルキルヒドラジノカルボニル、
例えば２，２−ジ−低級アルキルヒドラジノカルボニ
ル、例えば２，２−ジメチル−もしくは２，２−ジエチ
ル−ヒドラジノカルボニル、ヒドロキシアミノカルボニ
ル、低級アルコキシアミノカルボニル（その低級アルキ
ル基は未置換であるか、又はヒドロキシル、低級アルコ
キシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキ
シ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級ア
ルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級ア
ルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボ
キシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ
−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキル
カルバモイル及び／又はシアノにより置換されてい
る）、又は低級アルキレンアミノカルボニル、好ましく
はＣ4 −Ｃ7 アルキレンアミノカルボニル、特にＣ4 −
Ｃ5 アルキレンアミノカルボニル、例えばピペリジノカ
ルボニル、又は低級アルキレンアミノカルボニルであっ
て−Ｏ−、−Ｓ−もしくは−ＮＲ′−（前記の通り）に
より中断されているもの、好ましくはＣ4 −Ｃ7 アルキ
レンアミノカルボニル、特にＣ4 −Ｃ5 アルキレンアミ
ノカルボニルであってその環炭素原子は対応のヘテロ原
子に置き代っているもの、例えばモルホリノ−、チオモ
ルホルノ−、ピペラジノ−、４−低級アルキルピペラジ
ノ−又は４−低級アルカノイルピペラジノ−カルボニ
ル；又は上記の基の対応のチオ類似体であり、主として
カルバモイル、低級アルキルアミノカルボニル、例えば
メチルアミノカルボニル、フェニルアミノカルボニル又
はヒドラジノカルボニルである。
【００３８】塩形成基を有する式Ｉの化合物の塩は主と
して薬理学的に有用な無毒な塩である。例えば、塩基性
基、例えば第一第二又は第三アミノ基を有する式Ｉの化
合物（更にはヒドラジノ又はヒドラゾノも有する）は例
えば無機酸と、例えば塩酸、硫酸もしくは燐酸と、又は
適当な有機カルボン酸もしくはスルホン酸、例えば酢
酸、フマル酸もしくはメタンスルホン酸と、又はアミノ
酸、例えばアルギニンもしくはリジンと酸付加塩を形成
することができる。酸性基、例えばカルボキシル、スル
ホもしくはホスホを有する式Ｉの化合物は、例えば金属
塩もしくはアンモニウム塩、例えばアルカリ金属塩及び
アルカリ土類金属塩、例えばナトリウム塩、カリウム
塩、マグネシウム塩又はカルシウム塩、そして更にはア
ンモニウム塩を、アンモニア又は適当な有機アミン、例
えば低級アルキルアミン、例えばトリエチルアミン、ヒ
ドロキシ−低級アルキルアミン、例えば２−ヒドロキシ
エチルアミン、ビス（２−ヒドロキシエチル）アミンも
しくはトリス（２−ヒドロキシエチル）アミン、カルボ
ン酸の塩基性脂肪式エステル、例えば２−ジエチルアミ
ノエチル−４−アミノベンゾエート、低級アルキレンア
ミン、例えば１−エチルピペリジン、シクロアルキルア
ミン、例えばジシクロヘキシルアミン又はベンジルアミ
ン、例えばＮ，Ｎ′−ジベンジルエチレンジアミン、ジ
ベンジルアミン又はベンジル−β−フェネチルアミンと
形成する。酸性と塩基性基を有する式Ｉの化合物は内部
塩の形態、即ち、両性イオンの形態においても存在する
ことがある。
【００３９】式Ｉの化合物の塩は遷移金属イオン、例え
ば銅、コバルト、プラチナ又はマンガンを有する式Ｉの
化合物の錯体も包括する。
【００４０】単離又は精製の目的で、薬理学的に許容れ
ない塩、例えばピクレート又はパーコレートを利用する
ことも可能である。薬理学的に有用な無毒な塩のみが治
療に利用され、、だからこれらの塩が好ましい。
【００４１】複数の異性体が考えられるなら、式Ｉの化
合物は個別の異性体として、又はそれらの複合物として
存在しうる。非対称性置換化二重結合又は環が存在する
なら（例えば置換化アルケニルＡ1 又はＡ2 のケー
ス）、シス及び／又はトランス形態が存在でき、環系の
上に二重結合型窒素があるなら（例えばヒドロキシイミ
ノ）、シン又はアンチ形態が例えば存在しうる。不斉置
換炭素原子は（Ｓ),（Ｒ）又は（Ｒ，Ｓ）形態で存在し
うる。適切な構造要件があるなら、異性体の複合物（例
えばラセミ体又は立体異性体の複合物）、純粋な立体異
性体又は純粋な鏡像異性体が存在しうる。
【００４２】式Ｉの化合物の互変異性体が存在するな
ら、これは純粋な形態にあるか、又は他の互変異性体と
の平衡にあることができ、従って本明細書のその定義は
そのような互変異性体も包括している。例えば互変異性
基は、水素が、二重結合を有する炭素原子に結合してい
るＯ，Ｓ又はＮに結合しているときに存在し、これは
（チオ）ケノ／エノール又はイミン／エナミン互変異体
をもたらす。これが、チオウレイドもしくはグアニジノ
基を有する式Ｉの化合物、又は少なくとも１個の水素原
子もしくは窒素原子を有する上記のように置換されたそ
の誘導体のケースにおける例である。その他の可能性
は、特に、Ｙがアミノ又は窒素の上に遊離な水素原子を
有する置換化アミノであり、そしてＺがホルミルである
式Ｉの化合物の環／鏡互変異性体である。これらの化合
物は好ましくは下記の式Ｉａの環形態にある：
【化６】 〔式中、Ｇ1 は水素であるか、又は前記したような置換
化アミノの置換基のうちのいづれかであり（ただし、カ
ルボニル、例えばアシルを介して結合している置換基を
除く）、特に水素もしくは未置換の低級アルキルである
か、又は更には置換化アミノの定義において前記したよ
うに置換された低級アルキル、又はシクロアルキルもし
くはフェニル−低級アルキルであり、そして残りの基は
式Ｉの化合物について定義した通りである（Ｘは好まし
くは酸素）〕。
【００４３】互変異性体が例えば溶液の中で平衡状態に
あることも可能である。その発生が当業者に理解されて
いるかかる互変異性体全ては本発明の一部に該当する。
式Ｉの互変異性体のうちで特に好ましいのは−互変異性
形態において存在するもの、又は−互変異性形態が大部
分を占めるものである。
【００４４】式Ｉの化合物は特に薬理学的に有用な特徴
を有する価値を有する。特に、これらは薬理学的観点か
ら興味深い特異的な阻害活性を有する。それらは主とし
てタンパク質チロシンキナーゼ阻害剤として働き、そし
て例えば表皮成長因子（ＥＧＦ）及びＣ−ｅｒｂＢ２キ
ナーゼにとってのレセプターのチロシンキナーゼ活性の
有効な阻止を示す。このようなレセプター特異性酵素活
性はヒト細胞、特に上皮細胞、免疫系細胞並びに中枢及
び末梢神経系の細胞を含む数多くの哺乳動物細胞の信号
の伝達に重要な役を担う。一定の細胞タイプにおいて、
レセプター−結合型タンパク質チロシンキナーゼのＥＧ
Ｆ誘発型活性（ＥＧＦ−Ｒ−ＰＴＫ）は細胞分裂それ故
細胞集団の繁殖にとって必要である。従ってＥＧＦ−レ
セプター特異性チロシンキナーゼの付加はこのような細
胞の倍化を阻止する。
【００４５】ＥＧＦ−レセプター特異性タンパク質チロ
シンキナーゼ（ＥＧＦ−Ｒ−ＰＴＫ）の阻害は例えば
Ｅ．ＭｃＧｌｙｎｎらの方法（Ｅｕｒｏｐ．Ｊ．Ｂｉｏ
ｃｈｅｍ．２０７，２６５−２７５（１９９２）を参照
のこと）により検出できる。式Ｉの化合物は約０．００
１μＭ以上、特に１０-9〜１０-3Ｍ、例えば約１０-7Ｍ
〜約１０-4Ｍの濃度において酵素活性を５０％（Ｉ
Ｃ50）ほど阻害する。マイクロモルの範囲において、好
ましくは１０-7〜約１０-3Ｍの範囲において、特に７×
１０-6〜１０-4Ｍで、それらは更にＥＧＦ−依存性細胞
系、例えば類表皮ネズミケラチノサイト細胞系の細胞増
殖の阻害も示す。表皮ＢＡＬＢ／ＭＫケラチノサイトの
ＥＧＦ刺激型細胞増殖は細胞増殖の阻害の測定のために
利用されている（Ｍｅｙｅｒ，Ｔ．らＩｎｔ．Ｊ．Ｃａ
ｎｃｅｒ４３，８５１（１９８９）の方法に詳細）。繁
殖するには、これらの細胞はＥＧＦの存在に大いに依存
する（Ｗｅｉｓｓｍａｎｎ，Ｂ．Ｅ．，Ａａｒｏｎｓｏ
ｎ，Ｓ．Ａ．Ｃｅｌｌ３２，５９９（１９８３))。この
試験を実施するため、ＢＡＬＢ／ＭＫ細胞（１０，００
０／ウェル）を９６穴マイクロタイタープレートに移
し、そして一夜インキュベートする。試験物質（ＤＭＳ
Ｏに溶解）を様々な濃度（希釈系列において）で加え、
ＤＭＳＯの最終濃度が１％を超えないようにした。この
添加の後、このプレートを３日間インキュベートし、そ
の際、試験物質を含まないコントロール培養物は少なく
とも３回の有系分裂周期を経た。ＭＫ細胞の増殖はメチ
レンブルー染色により測定した。ＩＣ50値は、阻害剤を
有さないコントロール培養物と比較して５０％の低下を
もたらすような課題の試験物質の濃度として定義した。
【００４６】ＥＧＦ−Ｒ−ＰＴＫの他に、又は代りに、
式Ｉの化合物は栄養媒介型信号伝達に関与するその他の
チロシンキナーゼ、例えばａｂｌキナーゼ（好ましくは
１０ -6Ｍ以上の範囲において）、ｓｒｃキナーゼの科に
由来するキナーゼ（好ましくは１０-6Ｍ以上の範囲にお
いて）及びＣ−ｅｒｂＢ２キナーゼ（ＨＥＲ−２）、並
びにセリン／スレオニンキナーゼ、例えばタンパク質キ
ナーゼＣ（好ましくは１０-5Ｍ以上の範囲において）も
阻害し、これらのキナーゼは全てヒト細胞を含む哺乳動
物細胞の成長調節及び形質転換に役割を担っている。
【００４７】Ｃ−ｅｒｂＢ２チロシンキナーゼ（ＨＥＲ
−２）の阻害は、例えばＥＧＦ−Ｒ−ＰＴＫに関して利
用したＥ．ＭｃＧｌｙｎｎらの方法（Ｅｕｒｏｐ．Ｊ．
Ｂｉｏｃｈｅｍ．２０７，２６５−２７５を参照）に類
似の方法で検出できる。Ｃ−ｅｒｂＢ２キナーゼは周知
のプロトコールにより単離でき、そしてその活性は例え
ばＴ．Ａｋｉｙａｍａら、Ｓｃｉｅｎｃｅ２３２，１６
４４（１９８６）又は好ましくはＰ．Ｍ．Ｇｕｙら
（Ｊ．Ｂｉｏｌ．Ｃｈｅｍ．２６７，１３８５１−１３
８５６（１９９２))の方法により決定できる。
【００４８】このことは、式Ｉの化合物がチロシンキナ
ーゼ及び近縁のチロシンキナーゼ類により媒介される過
程を阻害するのにも適切であることを意味する。
【００４９】例えば雌のＢＡＬＢ／ｃ無毛マウス（Ｂｏ
ｍｈｏｌｔｇａｒｄ，デンマーク）に移植するヒト上皮
細胞癌種Ａ４３１（ＡＴＣＣ Ｎｏ．ＣＲＬ １５５
５）を用いてインビボ抗腫瘍活性を試験した。実験のた
め、約１cm3 のサイズを有するインビボで見つかった腫
瘍をこの動物から無菌条件下で切り出した。これらの腫
瘍をホモナイズに付し、１０容量（Ｗ／Ｖ）のリン酸緩
衝食塩水に懸濁し、そして動物の左脇に皮下注射した
（０．２ml／マウス、例えば１０6 細胞／マウス）。試
験物質による処置は移植して５〜８日目に開始し、その
ときの腫瘍の直径は４〜５mmであった。課題の試験物質
〔例えばラウログリコール（商標)(１，２−プロピレン
グリコールモノラウレート；両構成異性体の複合物；Ｇ
ａｔｔｅｆｏｓｓｅ Ｓ．Ａ．，Ｓａｉｎｔ Ｐｒｉｅ
ｓｔ、フランス）、ゲルシレ（Ｇｅｌｕｃｉｒｅ（商
標))（グリセリドと、脂肪酸の部分ポリグリセリド、Ｇ
ａｔｔｅｆｏｓｓｅ Ｓ．Ａ．，Ｓａｉｎｔ Ｐｒｅｉ
ｓｔ、フランス）又はセラミシート油の中に溶解〕を１
５日間連続して経口的に投与した。腫瘍の増殖は、垂直
状に腫瘍の直径をモニターすることにより決定し、そし
て腫瘍の体積を式π×Ｌ×Ｄ2 ／６（Ｌ＝長さ、Ｄ＝腫
瘍の軸線に対して右方向での腫瘍の直径）を用いて計算
した。その結果を処置／コントロール（Ｔ／Ｃ）パーセ
ントとして示す。
【００５０】式Ｉの化合物は従って例えば温和又は重症
腫瘍の処置において有用である。これらは腫瘍の抑制を
起こさせる、並びに代謝的転移及び微小転移巣の増殖の
阻止が可能である。特に、これらは表皮の過剰増殖（乾
癖）において、上皮物質の新形成、例えば乳癌の処置に
おいて、及び白血病の処置において使用できうる。更
に、該化合物は免疫系障害及び炎症の処置に、これらの
障害にタンパク質キナーゼが関与している限り使用でき
る。該化合物は中枢又は末梢神経系の障害の処置におい
ても、タンパク質キナーゼが信号伝達に関与している限
り使用できる。最後に、式Ｉの化合物は抗微生物特性も
有し、従ってこれらは細菌、例えばサルモネラチフィミ
ュリウム（Ｓａｔｔ Ｓａｌｍｏｎｅｌｌａ ｔｙｐｈ
ｉｍｕｒｉｕｍ）、ウィルス、例えばバクシニア（ｖａ
ｃｃｉｎｉａ）ウィルス、及びその他の微生物であって
成長因子に応答するタンパク質キナーゼと相互作用する
ものにより生ずる障害の処置にも適しうる。
【００５１】式Ｉの化合物は単独で、及びその他の薬理
学的に活性な物質、例えば（ａ）プロアミン合成の酵素
の阻害剤、（ｂ）タンパク質キナーゼＣの阻害剤、
（ｃ）その他のチロキシキナーゼの阻害剤、（ｄ）サイ
トカイン、（ｅ）ネガティブ成長調節剤、例えばＴＧＦ
−β又はＩＦＮ−β、（ｆ）アロマターゼ阻害剤、
（ｇ）アンチオエストロゲン又は（ｈ）シトステートと
の組合せで使用できる。
【００５２】下記に述べる式Ｉの化合物の群において、
例えば置換基についての一般定義は、上記した一般定義
に述べたより詳しい定義によりそれぞれ個別に置き代わ
られうる。
【００５３】好ましい式Ｉの化合物は、Ａ1 及びＡ2 が
互いに独立して、水素、低級アルキル、置換化低級アル
キルであって、以下の基、即ち、アミノ、モノ−もしく
はジ−低級アルキルアミノ（ここでその低級アルキル基
は、ヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低級アル
コキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、
低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプ
ト、低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニル、低
級アルキルスルホニル、カルボキシル、低級アルコキシ
カルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモ
イル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び／もし
くはシアノにより一置換もしくは二置換されているか、
又は未置換である）、Ｃ3 −Ｃ8 シクロアルキルアミ
ノ、フェニル低級アルキルアミノもしくはフェニルアミ
ノ、低級アルカノイルアミノ、フェニル低級アルカノイ
ルアミノ、フェニルカルボニルアミノ、ヒドロキシル、
低級アルコキシ（ここでこのアルコキシ基は、ヒドロキ
シル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級
アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキル
アミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アル
キルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルス
ルホニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、
カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ
−ジ低級アルキルカルバモイル及び／もしくはシアノに
より一置換もしくは二置換されているか、又は未置換で
ある）、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオ
キシ、メルカプト、低級アルキルチオ（ここでこの低級
アルキル基は、ヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニ
ル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲ
ン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミ
ノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキルスル
フィニル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、低
級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アル
キルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイ
ル及び／又はシアノにより）、フェニル低級アルキルチ
オ、低級アルカノイルチオ、カルボキシ、低級アルコキ
シカルボニル、フェニル低級アルコキシカルボニル、シ
アノ、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、
Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル、Ｎ−ヒドロキシ
カルバモイル、Ｎ−フェニルカルバモイル、チオカルバ
モイル、Ｎ−低級アルキルチオカルバモイル、Ｎ，Ｎ−
ジ低級アルキルチオカルバモイル、ウレイド、ウレイド
であってその窒素原子の一方又は両方において低級アル
キル、アリール又はアリール低級アルキルにより置換さ
れているもの、チオウレイド、チオウレイドであってそ
の窒素原子の一方又は両方において低級アルキル、アリ
ール又はアリール低級アルキルにより置換されているも
の、ヒドラジノ、ヒドラジノであってその窒素原子の一
方又は両方において低級アルキル、アリール又はアリー
ル低級アルキルにより置換されているもの、アミジノ、
アミジノであってその窒素原子の一方又は両方において
低級アルキル、アリール又はアリール低級アルキルによ
り置換されているもの、グアニジノ、グアニジノであっ
て、その窒素原子のうちの１，２又は３個全てにおいて
低級アルキル、アリール又はアリール低級アルキルで置
換されているもの、オキソであって、Ａ1 又はＡ2 を保
有する窒素原子に結合している炭素上に結合していない
もの、チオキソ、イミノ、低級アルキルイミノ、低級ア
ルカノイルイミノ、ヒドロキシイミノ、低級アルコキシ
イミノ、ヒドラゾノ、Ｎ−モノ−又はＮ，Ｎ−ジ−低級
−アルキルヒドラゾノ、Ｎ−低級アルカノイルヒドラゾ
ノ、低級アルコキシカルボニルヒドラゾノ及び低級アル
キルチオイミノより成る系列から選ばれる２個まで基に
より置換されている低級アルキルであるか；又は低級ア
ルケニルもしくは低級アルキニル（それぞれは置換化低
級アルキルに関して記載した基のいづれかにより置換さ
れているか、又は未置換である）であるか；又は複素環
式低級アルキルであって、複素環が以下の基、即ち、ピ
ロリル、２，５−ジヒドロピロリル、ピロリニル、イミ
ダゾリル、イミダゾリジニル、ピラゾリニル、ピラゾリ
ジニル、トリアゾリル、例えば１，２，３−、１，２，
４−もしくは１，３，４−トリアゾリル、テトラゾリ
ル、例えば１−もしくは２−テトラゾリル、テトラヒド
ロオキサゾリル、テトラヒドロ−イソキサゾリル、テト
ラヒドロ−チアゾリル、テトラヒドロ−イソチアゾリ
ル、インドリル、イソインドリル、ベンズイミダゾリ
ル、ピペリジニル、ピペラジン−１−イル、モルホリ
ノ、チオモルホリノ、Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモルホリ
ノ、１，２−ジヒドロ−もしくは１，２，３，４−テト
ラヒドロキノリル及び１，２−ジヒドロ−もしくは１，
２，３，４−テトラヒドロイソキノリルより成る系列か
ら選ばれる基（ここでそれぞれは低級アルキルに末端結
合しており、そして環の窒素原子を介して結合してお
り、更にそれぞれは、未置換であるか、又は低級アルキ
ル、低級アルカノイル、ヒドロキシル、低級アルコキ
シ、ハロゲン、シアノ及び／もしくはトリフルオロメチ
ルにより置換されている）であるものであるか；あるい
はＡ1 とＡ2 が一緒になって低級アルキレンであって未
置換であるか又は以下の基、即ち、低級アルキル、アミ
ノ、アミノ低級アルキル、モノ−もしくはジ−低級アル
キルアミノ又はモノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ
−低級アルキル（ここでこの低級アルキル基は、ヒドロ
キシル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低
級アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルカ
ノイルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低
級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級アル
キルスルホニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボ
ニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、
Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び／もしくはシ
アノにより一置換もしくは二置換されているか、又は未
置換である）、シクロアルキルアミノ、シクロアルキル
アミノ−低級アルキル、フェニル−低級アルキルアミ
ノ、フェニル低級アルキルアミノ−低級アルキル、フェ
ニルアミノ、フェニルアミノ−低級アルキル、低級アル
カノイルアミノ、フェニル−低級アルカノイルアミノ、
フェニルカルボニルアミノ、低級アルカノイルアミノ−
低級アルキル、フェニル−低級アルカノイルアミノ−低
級アルキル、フェニルカルボニルアミノ−低級アルキ
ル、ヒドロキシル、ヒドロキシ低級アルキル、低級アル
コキシもしくは低級アルコキシ−低級アルキル（その末
端低級アルキル基は、ヒドロキシル、低級アルコキシ、
フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハ
ロゲン、アミノ、低級アルカノイルアミノ、ジ低級アル
キルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級アル
キルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボキ
シル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−
低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカ
ルバモイル及び／もしくはシアノにより一置換もしくは
二置換されているか、又は未置換である）、フェニル−
低級アルコキシ、フェニル−低級アルコキシ−低級アル
キル、低級アルカノイルオキシ、低級アルカノイルオキ
シ−低級アルキル、メルカプト、メルカプト−低級アル
キル、低級アルキルチオ又は低級アルキルチオ−低級ア
ルキル（その末端低級アルキル基は、ヒドロキシル、低
級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノ
イルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルカノイルアミ
ノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキル
チオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホ
ニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カル
バモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ
低級アルキルカルバモイル及び／もしくはシアノにより
一置換もしくは二置換されているか、又は未置換であ
る）、フェニル−低級アルキルチオ、フェニル−低級ア
ルキルチオ−低級アルキル、低級アルカノイルチオ、低
級アルカノイルチオ−低級アルキル、カルボキシル、カ
ルボキシ−低級アルキル、低級アルコキシカルボニル、
低級アルコキシカルボニル−低級アルキル、フェニル−
低級アルコキシカルボニル−低級アルキル、シアノ、シ
アノ−低級アルキル、カルバモイル、カルバモイル−低
級アルキル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−
ジ低級アルキルカルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバ
モイル−低級アルキル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバ
モイル、Ｎ−低級アルキル、Ｎ−ヒドロキシカルバモイ
ル、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル−低級アルキル、Ｎ−
フェニルカルバモイル、Ｎ−フェニルカルバモイル−低
級アルキル、チオカルバモイル、チオカルバモイル−低
級アルキル、Ｎ−低級アルキルチオカルバモイル、Ｎ−
低級アルキルチオカルバモイル−低級アルキル、Ｎ，Ｎ
−ジ低級アルキルチオカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級ア
ルキルチオカルバモイル−低級アルキル、ウレイド、ウ
レイド−低級アルキル又はそれぞれが窒素原子のうちの
一方又は両方において低級アルキル、アリールもしくは
アリール−低級アルキルにより置換されているウレイド
もしくはウレイド−低級アルキル、チオウレイドもしく
はチオウレイド−低級アルキル又はそれぞれが窒素原子
のうちの一方又は両方において低級アルキル、アリール
もしくはアリール−低級アルキルにより置換されている
チオウレイドもしくはチオウレイド−低級アルキル、ヒ
ドラジノもしくはヒドラジノ−低級アルキル又はそれぞ
れが窒素原子のうちの一方又は両方において低級アルキ
ル、アリールもしくはアリール−低級アルキルにより置
換されているヒドラジノもしくはヒドラジノ−低級アル
キル、アミジノもしくはアミジノ−低級アルキル又はそ
れぞれが窒素原子のうちの一方又は両方において低級ア
ルキル、アリールもしくはアリール−低級アルキルによ
り置換されているアミジノもしくはアミジノ−低級アル
キル、グアニジノもしくはグアニジノ−低級アルキル又
はそれぞれが窒素の原子のうちの１，２又は３個全てに
おいて低級アルキル、アリールもしくはアリール低級ア
ルキルにより置換されているグアニジノもしくはグアニ
ジノ−低級アルキル、オキソ、オキソ−低級アルキル、
チオキソ、チオキソ−低級アルキル、イミノ、イミノ低
級アルキル、低級アルキルイミノ、低級アルキルイミノ
−低級アルキル、低級アルカノイルイミノ、低級アルカ
ノイルイミノ−低級アルキル、ヒドロキシイミノ、ヒド
ロキシイミノ−低級アルキル、低級アルコキシイミノ、
低級アルコキシイミノ−低級アルキル、ヒドラゾノ、ヒ
ドラゾ−低級アルキル、Ｎ−モノ−もしくはＮ，Ｎ−ジ
低級アルキルヒドラゾノ、Ｎ−モノ−もしくはＮ，Ｎ−
ジ低級アルキルヒドラゾノ−低級アルキル、Ｎ−低級ア
ルカノイルヒドラゾノ、低級アルコキシカルボニルヒド
ラゾノ、Ｎ−低級アルカノイルヒドラゾノ−低級アルキ
ル、低級アルコキシカルボニルヒドラゾノ−低級アルキ
ル、低級アルキルチオイミノ及び低級アルキルチオイミ
ノ−低級アルキルより成る系列から選ばれる３個までの
基により置換されている低級アルキレンを形成してお
り；Ａｒ1 及びＡｒ2 が互いに独立して、アリール、ヘ
テロアリールであって、イミダゾリル、トリアゾリル、
ピリジル、ピリミジニル及びトリアジニル（それぞれ
は、未置換であるか、又は低級アルキル、ヒドロキシ
ル、低級アルコキシ、ハロゲン、シアノ及び／もしくは
トリフルオロメチルにより置換されている）より成る系
列から選ばれるものであるか、又はＣ3 −Ｃ 8 シクロア
ルキル（これは未置換であるか、又は低級アルコキシも
しくはヒドロキシルにより置換されている）であり；Ｘ
がＯ又はＳであり；Ｙがアミノ、モノ−もしくはジ低級
アルキルアミノ（ここで低級アルキル未置換であるか又
はヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコ
キシ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低
級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプ
ト、低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニル、低
級アルキルスルホニル、カルボキシル、低級アルコキシ
カルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモ
イル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び／もし
くはシアノにより置換されている）、Ｃ5 −Ｃ7 シクロ
アルキルアミノ、フェニル−低級アルキルアミノ、フェ
ニルアミノ、低級アルカノイルアミノ、ハロ−低級アル
カノイルアミノ、フェニル−低級アルカノイルアミノ、
フェニルカルボニルアミノ、ヒドラジノ、ヒドラジノで
あってその窒素原子のうちの一方又は両方において、低
級アルキル（これはヒドロキシル、低級アルコキシ、フ
ェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロ
ゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルア
ミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキルス
ルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、
低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級ア
ルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモ
イル及び／もしくはシアノにより置換されているか、未
置換である）により又はアリールもしくはアリール−低
級アルキルにより置換されているものであるか、又はヒ
ドロキシアミノ、低級アルコキシアミノ（ここでその低
級アルキル基はヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニ
ル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲ
ン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミ
ノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキルスル
フィニル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、低
級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アル
キルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイ
ル及び／もしくはシアノにより置換されているか、又は
未置換である）、低級アルキレンアミノもしくは低級ア
ルキレンアミノであって、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ′
−（ここでＲ′は低級アルキル又は低級アルカノイルで
ある）により中断されているもの、低級アルコキシ（こ
こでその低級アルキル基は、ヒドロキシル、低級アルコ
キシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキ
シ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級ア
ルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級ア
ルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボ
キシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ
−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキル
カルバモイル及び／もしくはシアノにより一置換もしく
は二置換されているか、又は未置換である）、又は低級
アルキルチオであって、未置換であるか、又はその低級
アルキルチオ基においてヒドロキシル、低級アルコキ
シ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキ
シ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級ア
ルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級ア
ルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボ
キシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ
−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキル
カルバモイル及び／もしくはシアノにより一置換もしく
は二置換されているものであるか、又は更に、もしＸが
酸素そしてＺが置換化メチルであるなら、Ｙがヒドロキ
シルであり；Ｚが置換化メチル〔ここでその置換基は、
アミノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ（ここ
でその低級アルキル基はヒドロキシル、低級アルコキ
シ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキ
シ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級ア
ルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級ア
ルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボ
キシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ
−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキル
カルバモイル及び／もしくはシアノにより一置換もしく
は二置換されているか、又は未置換である）、低級アル
カノイルアミノ、ヒドロキシル、低級アルコキシ（ここ
でその低級アルキル基はヒドロキシル、低級アルコキ
シ、フェニル−低級アルコキシ、低級アルカノイルオキ
シ、アミノ、低級アルキルアミノ及び／又はジ低級アル
キルアミノにより一置換もしくは二置換されているか、
又は未置換である）、低級アルカノイルオキシ、低級ア
ルキルチオ（ここでその低級アルキル基はヒドロキシ
ル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級ア
ルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルア
ミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキ
ルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスル
ホニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カ
ルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−
ジ低級アルキルカルバモイル及び／もしくはシアノによ
り一置換もしくは二置換されているか、又は未置換であ
る）、シアノ、ウレイド、１−もしくは３−モノ低級ア
ルキルウレイド、ヒドラジノ、ヒドラジノであってその
窒素原子の一方又は両方において低級アルキルにより置
換されているもの、グアニジノ、グアニジノであってそ
の窒素原子のうちの１，２又は３個全てが低級アルキル
によって置換されているもの；オキソ、イミノ、低級ア
ルキルイミノ、ヒドロキシイミノ、ヒドラゾノ、Ｎ−モ
ノ−もしくはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルヒドラゾノ及び低
級アルキルチオイミノより成る系列から選ばれる〕、カ
ルボキシル、低級アルコキシカルボニルもしくは低級ア
ルキルチオカルボニル（ここでその低級アルキル基はヒ
ドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキ
シ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級
アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、
低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級ア
ルキルスルホニル、カルボキシル、低級アルコキシカル
ボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイ
ル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び／もしく
はシアノにより一置換もしくは二置換されているか、又
は未置換である）、アリールオキシカルボニルもしくは
アリール−低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、
Ｎ−モノ−もしくはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイ
ル（ここでその低級アルキルはヒドロキシル、低級アル
コキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオ
キシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級
アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級
アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カル
ボキシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、
Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキ
ルカルバモイル及び／もしくはシアノにより置換されて
いるか、又は未置換である）、Ｃ5 −Ｃ7 シクロアルキ
ルアミノカルボニル、Ｎ−フェニル−低級アルキルカル
バモイル、フェニルカルバモイル、ヒドラジノカルボニ
ル、ヒドラジノカルボニル〔ここでその窒素原子の一方
又は両方又は、低級アルキル（これはヒドロキシル、低
級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノ
イルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、
ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチ
オ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニ
ル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カルバ
モイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低
級アルキルカルバモイル及び／もしくはシアノにより置
換されているか又は未置換である）、アリール又はアリ
ール低級アルキルにより置換されている〕、ヒドロキシ
アミノカルボニル、低級アルコキシアミノカルボニル
（ここでその低級アルキル基はヒドロキシル、低級アル
コキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオ
キシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級
アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級
アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カル
ボキシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、
Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキ
ルカルバモイル及び／もしくはシアノにより置換されて
いるか、又は未置換である）、低級アルキレンアミノカ
ルボニル、又は低級アルキレンアミノカルボニルであっ
て、−Ｏ−，−Ｓ−又は−ＮＲ′−（ここでＲ′は低級
アルキル又は低級アルカノイルである）により中断され
ているものであるか、あるいは上記の基の対応のチオ類
似体（結合性カルボニル基がチオカルボニルに置き換え
られているもの）であるか；あるいはＹとＺが一緒にな
って式−Ｏ−ＣＨ2 の二価基を形成しており（この酸素
はＹの箇所に結合しており、そしてメチレンの炭素はＺ
の箇所に結合している）；ここで、上記の基において、
アリールはフェニルであり、これは未置換であるか、又
は低級アルキル、低級アルケニル、低級アルキニル、低
級アルキレン（２個の隣接Ｃ原子に連結）、Ｃ5 −Ｃ7
シクロアルキル、フェニル−低級アルキルもしくはフェ
ニル；ヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低級ア
ルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミ
ノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メル
カプト、低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニ
ル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、低級アル
コキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカ
ルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び
／もしくはシアノにより置換されている低級アルキル；
ヒドロキシル、低級アルコキシ、ハロ−低級アルコキ
シ、フェニル低級アルコキシ、フェニルオキシ、低級ア
ルケニルオキシ、ハロ−低級アルケニルオキシもしくは
低級アルキニルオキシ；低級アルキレンジオキシ（２個
の隣接Ｃ原子に連結）；低級アルカノイルオキシ、フェ
ニル−低級アルカノイルオキシもしくはフェニルカルボ
ニルオキシ；メルカプト；低級アルキルチオ、フェニル
−低級アルキルチオ、フェニルチオ、低級アルキルスル
フィニル；フェニル−低級アルキルスルフィニル、ベン
ゼンスルフィニル、低級アルキルスルホニル、フェニル
−低級アルキルスルホニルもしくはベンゼンスルホニ
ル；ハロゲン、ニトロ、アミノ；低級アルキルアミノ、
Ｃ5−Ｃ7 シクロアルキルアミノ、フェニル−低級アル
キルアミノもしくはフェニルアミノ；ジ低級アルキルア
ミノ、Ｎ−低級アルキル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−低
級アルキル−Ｎ−フェニル低級アルキルアミノ、低級ア
ルキレンアミノ；低級アルカノイルアミノ、フェニル−
低級アルカノイルアミノもしくはフェニルカルボニルア
ミノ；低級アルカイル、フェニル−低級アルカノイルも
しくはフェニルカルボニル；カルボキシ；低級アルコキ
シカルボニル；カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバ
モイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル、Ｎ−ヒ
ドロキシカルバモイルもしくはＮ−フェニルカルバモイ
ル；シアノ、ホスホリロキシであって、その隣原子にお
いて、ヒドロキシル、低級アルコキシ及びフェニル低級
アルコキシ（例えばベンジルオキシ）より成る系列から
互いに独立して選ばれる２個の基により置換されている
もの、又はホスホリロキシであって、その隣原子におい
てフェニルレン−１，２−ジオキシにより置換されてい
るもの、スルホ（ＳＯ3 Ｈ）；低級アルコキシスルホニ
ル；スルファモイル、Ｎ−低級アルキルスルファモイ
ル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルスルファモイル及びＮ−フ
ェニルスルファモイルより成る群から選ばれる１又は数
個の置換基により置換されているものであり、ここでこ
れらの置換基におけるフェニル基がそれぞれの場合にお
いて未置換であるか、又は低級アルキル、低級アルコキ
シ、ヒドロキシル、ハロゲン及び／もしくはトリフルオ
ロメチルにより置換されている、化合物、並びに塩形成
基が存在しているならばその塩、及び互変異性基が存在
しているならばその互変異性体である。本発明は、活性
成分としてこれらの化合物を有する薬理学的組成物、ヒ
トもしくは動物の身体の治療的処置におけるかかる化合
物の利用及び／又はヒトもしくは動物の身体の治療的処
置のためのかかる化合物の利用又は上記の障害の処置の
ための薬理学的組成物の調製のためのかかる化合物の利
用に関する。
【００５４】非常に好ましい式Ｉの化合物は、Ａ1 及び
Ａ2 が互いに独立して水素、アミノ−低級アルキル、例
えば２−アミノエチルもしくは３−アミノプロピル、カ
ルバモイル−低級アルキル、例えば３−カルバモイルプ
ロピル、（３−低級−アルキルウレイド）−低級アルキ
ル、例えば（３−メチルウレイド）−低級アルキル−例
えば３−（３−メチルウレイド）プロピル、又は更には
低級アルケニル、例えばアリルであるか、あるいはＡ1
とＡ2 とが一緒になって１，２−エチレン（これは未置
換であるか、又はアミノ−低級アルキル、例えばアミノ
メチル、ヒドロキシ−低級アルキル、例えばヒドロキシ
メチル及びヒドロキシイミノ−低級アルキル、例えばヒ
ドロキシイミノメチルより成る系列から選ばれる置換基
により置換されている）、特に１，２−エチレン、１−
ヒドロキシメチル−１，２−エチレン、１−アミノメチ
ル−１，２−エチレン、又は１−ヒドロキシイミノメチ
ル−１，２−エチレンであり；Ａｒ1 及びＡｒ2 が互い
に独立して未置換のフェニルであるか、又は低級アルキ
ル、例えばメチルもしくはエチル、ヒドロキシル、低級
アルコキシ、例えばメトキシ、ハロゲン、例えばフッ素
もしくはヨウ素、カルボキシル、低級アルコキシカルボ
ニル、例えばメトキシカルボニルもしくはエトキシカル
ボニル及びシアノより成る系列から選ばれる基によりｏ
−、ｍ−もしくはｐ−位において置換されているフェニ
ルであるか、又はペンタフルオロフェニル、２−、３−
もしくは４−ピリジル、２−、４−もしくは５−ピリミ
ジニル又は１，３，５−トリアジン−２−イルであり、
好ましくは両者は同一の基であり、特にフェニル又は４
−フロオロフェニルであり、Ｘが酸素であり；Ｙがアミ
ノ、低級アルキルアミノ、例えばメチルアミノ、フェニ
ルアミノ、ヒドロキシ、低級アルコキシ、例えば２−ヒ
ドロキシエトキシ又はヒドラジノであるか、又は更にＺ
がヒドロキシメチル、低級アルカノイルオキメチル、ホ
ルミル又はヒドロキシイミノメチルであるなら、Ｙがヒ
ドロキシルであり；Ｚがヒドロキシメチル、低級アルカ
ノイルオキシメチル、例えばアセトキシメチル、カルボ
キシル、低級アルコキシカルボニル、例えばメトキシカ
ルボニル、ヒドロキシ−低級アルコキシカルボニル、例
えば２−ヒドロキシエトキシカルボニル、カルバモイ
ル、ホルミル又は更にはヒドロキシイミノメチルである
か；又はＹとＺが一緒となって式−Ｏ−ＣＨ2 −の二価
基（ここでこの酸素はＹ位に結合し、そしてメチレンの
炭素はＺ位に結合している）を形成している化合物、塩
形成基があるならばその塩、又はＹがアミノもしくは低
級アルカノイルアミノであり、そしてＺがホルミルであ
る式Ｉの化合物の特定の環鎖互変異性体である。本発明
は、活性成分としてこれらの化合物を有する薬理学的組
成物、ヒトもしくは動物の身体の治療的処置におけるか
かる化合物の利用及び／又はヒトもしくは動物の身体の
治療的処置のためのかかる化合物の利用又は上記の障害
の処置のための薬理学的組成物の調製のためのかかる化
合物の利用に関する。
【００５５】より好ましい式Ｉの化合物は、Ａ1 及びＡ
2 がそれぞれ水素原子であり；Ａｒ 1 及びＡｒ2 が互い
に独立して未置換のフェニルであるか、又は低級アルキ
ル、例えばメチルもしくはエチル、ヒドロキシル、低級
アルコキシ、例えばメトキシ、ハロゲン、例えばフッ素
もしくはヨウ素、カルボキシル、低級アルコキシカルボ
ニル、例えばメトキシカルボニルもしくはエトキシカル
ボニル及びシアノより成る系列から選ばれる基によりｏ
−、ｍもしくはｐ−位において置換されているフェニル
であるか、又はペンタフルオロフェニルであり、好まし
くは両者とも同一の基であり、特にフェニル又は４−フ
ルオロフェニルであり；Ｘが酸素であり；Ｙがアミノで
あり；そしてＺがカルバモイルである化合物；塩形成基
があるならその塩である。本発明は、活性成分としてこ
れらの化合物を有する薬理学的組成物、ヒトもしくは動
物の身体の治療的処置におけるかかる化合物の利用及び
／又はヒトもしくは動物の身体の治療的処置のためのか
かる化合物の利用又は上記の障害の処置のための薬理学
的組成物の調製のためのかかる化合物の利用に関する。
【００５６】その他の式Ｉの化合物は、Ａ1 とＡ2 が一
緒となって未置換の１，２−エチレンであるか、又はヒ
ドロキシ−低級アルキル、例えばヒドロキシメチル、ア
ミノ−低級アルキル、例えばアミノメチル及びヒドロキ
シイミノ−低級アルキル、例えばヒドロキシイミノメチ
ルより成る系列から選ばれる基により置換された１，２
−エチレンであり、Ａｒ1 及びＡｒ2 が互いに独立し
て、未置換であるか、又は低級アルキル、例えばメチル
もしくはエチル、ヒドロキシル、低級アルコキシ、例え
ばメトキシ、ハロゲン、例えばフッ素もしくはヨウ素、
カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、例えばメト
キシカルボニルもしくはエトキシカルボニル及びシアノ
より成る系列から選ばれる基によりｏ−、ｍ−もしくは
ｐ位において置換されたフェニル、又はペンタフルオロ
フェニルであり、好ましくは両者とも同一の基であり、
特にフェニル又は４−フルオロフェニルであり；Ｘが酸
素であり；Ｙがアミノ又はヒドロキシ−低級アルコキ
シ、例えば２−ヒドロキシエトキシであり；そしてＺが
カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、例えばメト
キシカルボニル、ヒドロキシ−低級アルコキシカルボニ
ル、例えば２−ヒドロキシエトキシカルボニル又はカル
バモイルである化合物；又は塩形成基があるならその塩
である。本発明は、活性成分としてこれらの化合物を有
する薬理学的組成物、ヒトもしくは動物の身体の治療的
処置におけるかかる化合物の利用及び／又はヒトもしく
は動物の身体の治療的処置のためのかかる化合物の利用
又は上記の障害の処置のための薬理学的組成物の調製の
ためのかかる化合物の利用に関する。
【００５７】好ましい式Ｉの化合物、Ａ1 及びＡ2 が互
いに独立して水素、又は置換化低級アルキル、好ましく
は水素であるか、又は２個までの基により置換されてい
る低級アルキル〔この基はアミノ（例えばこれにより置
換されてアミノメチル、アミノエチル、アミノプロピル
もしくはアミノブチルとなる）、モノ−もしくはジ−低
級アルキルアミノ（ここでその低級アルキル基は、ヒド
ロキシル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、
低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アル
キルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級
アルキルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキ
ルスルホニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニ
ル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、
Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び／又はシアノ
により一置換もしくは二置換されているか、又は好まし
くは未置換である）（例えばアミノメチル、アミノエチ
ル、アミノプロピル、もしくはアミノブチル）、Ｃ5 〜
Ｃ7 シクロアルキルアミノ、フェニル低級アルキルアミ
ノもしくはフェニルアミノ、低級アルカノイルアミノ、
フェニル低級アルカノイルアミノもしくはフェニルカル
ボニルアミノ（＝ベンゾイルアミノ）、ヒドロキシル、
（例えばこれにより置換されてヒドロキシメチル、ヒド
ロキシエチル又はヒドロキシプロピルとなる、低級アル
コキシ（ここでその低級アルキル基は、ヒドロキシル、
低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカ
ノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミ
ノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキル
チオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホ
ニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カル
バモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ
低級アルキルカルバモイル及び／又はシアノにより一置
換もしくは二置換されているか、又は好ましくは未置換
である）、フェニル−低級アルコキシ、低級アルカノイ
ルオキシ、メルカプト、低級アルキルチオ（ここでその
低級アルキル基は、ヒドロキシル、低級アルコキシ、フ
ェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロ
ゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルア
ミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキルス
ルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、
低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級ア
ルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモ
イル及び／又はシアノにより一置換もしくは二置換され
ているか、又は好ましくは未置換である）、フェニル−
低級アルキルチオ、低級アルカノイルチオ、カルボキシ
ル（例えばこれにより置換されてカルボキシメチル、カ
ルボキシエチル又はカルボキシプロピルとなる）、低級
アルコキシカルボニル、例えばメトキシカルボニル、エ
トキシカルボニル、もしくは第三ブトキシカルボニル、
（特に、これにより置換されてメトキシ−もしくはエト
キシカルボニルメチル、−エチルもしくはプロピルとな
る）もしくはフェニル−低級アルコキシカルボニル、例
えばベンジルオキシカルボニル、シアノ、カルバモイル
（例えばこれにより置換されてカルバモイルメチル、カ
ルバモイルエチルもしくはカルバモイルプロピルとな
る）、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級
アルキルカルバモイル、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル、
Ｎ−フェニルカルバモイル、チオカルバモイル、Ｎ−低
級アルキルチオカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキル
チオカルバモイル、ウレイド、ウレイドであって、その
一方又は両方の窒素原子において低級アルキル、アリー
ルもしくはアリール−低級アルキルで置換されているも
の、特に１−もしくは３−モノ−、１，３−もしくは
３，３−ジ−又は１，３，３−トリ−低級アルキルウレ
イド、１−もしくは３−フェニルウレイド、１−もしく
は３−モノ−、１，３−もしくは３，３−ジ−又は１，
３，３−トリフェニル−低級アルキルウレイド、例えば
３−低級アルキルウレイド、例えば３−メチルもしくは
３−エチルウレイド、特に３−メチル−もしくは３−エ
チルウレイドメチル、−エチルもしくは−プロピル、チ
オウレイド、チオウレイドであって、その一方又は両方
の窒素原子において低級アルキル、アリールもしくはア
リール−低級アルキルで置換されているもの、特に１−
もしくは３−モノ−、１，３−もしくは３，３−ジ−又
は１，３，３−トリ−低級アルキルチオウレイド、１−
もしくは３−フェニルチオウレイド、１−もしくは３−
モノ−、１，３−もしくは３，３−ジ又は１，３，３，
−トリフェニル−低級アルキルチオウレイド、例えば３
−低級アルキルチオウレイド、例えば３−メチル−もし
くは３−エチルチオウレイド、特に３−メチル−もしく
は３−エチルチオウレイドメチル、−エチルもしくは−
プロピル、ヒドラジノ、ヒドラジノであってその一方又
は両方の窒素原子において低級アルキル、アリールもし
くはアリール低級アルキルにより置換されているもの、
特に１−もしくは２−モノ−１，２−もしくは２，２−
ジ−又は１，２，２−トリ−低級アルキルヒドラジノ、
１−もしくは２−フェニルヒドラジノ、１もしくは２−
モノ−、１，２−もしくは２，２−ジ−もしくは１，
２，２−トリフェニル−低級アルキルヒドラジノ、例え
ば２，２−ジ低級アルキルヒドラジノ、例えば２，２−
ジ−メチル−もしくは２，２−ジ−エチルヒドラジノ、
アミジノ（例えばこれにより置換されてアミジノメチ
ル、アミジノエチル又はアミジノプロピルとなる）、ア
ミジノであって、その一方又は両方の窒素原子において
低級アルキル、アリールもしくはアリール低級アルキル
により置換されたもの、特にＮ1 −もしくはＮ2 −モノ
−、Ｎ1 ，Ｎ2 −ジ−もしくはＮ1 ，Ｎ1 −ジ−もしく
はＮ1 ，Ｎ1 ，Ｎ2 −トリ−低級アルキアミジノ、Ｎ1
−もしくはＮ2 −フェニルアミジノ、Ｎ1 −もしくはＮ
2 −モノ−、Ｎ1 ，Ｎ2 −、Ｎ1 ，Ｎ1 −ジもしくはＮ
1 ，Ｎ1 ，Ｎ2 −トリフェニル−低級アルキルアミジ
ノ、例えばＮ1 ，Ｎ1 −ジ−低級アルキルアミジノ、例
えばＮ1 ，Ｎ1−ジメチル−もしくはＮ1 ，Ｎ1 −ジエ
チルアミジノ、グアニジノ（例えばこれにより置換され
たグアニジノメチル、グアニジノエチル又はグアニジノ
プロピルとなる）、グアニジノであって、その１，２又
は３個全ての窒素原子において低級アルキル、アリール
もしくはアリール低級アルキルにより置換されているも
の、特に１−、２−もしくは３−モノ−、１，１−、
３，３，−、１，２−、１，３もしくは２，３−ジ−、
１，１，２−、１，１，３−、１，２，３−、１，３，
３−もしくは２，３，３−レリー、１，１，２，３−、
１，２，３，３−テトラもしくは１，１，２，３，３−
ペンタ低級アルキルグアニジノもしくは−フェニル−低
級アルキルグアニジノ、特に３，３，−ジ低級アルキル
グアニジノ、例えば３，３−ジエチルグアジノもしくは
３，３−ジエチルグアニジノ、オキソであってＡ1 又は
Ａ2 を保有しない窒素原子に結合している炭素に結して
いないもの（例えばこれにより置換されて２−オキソプ
ロピル又は３−オキソ−ｎ−ブチルとなる）、チオキ
ソ、イミノ、低級アルキルイミノ、低級アルカノイルイ
ミノ、例えばアセチルイミノ、ヒドロキシイミノ（ＨＯ
−Ｎ＝）（例えばこれにより置換されてヒドロキシイミ
ノメチル（ＨＯ−Ｎ＝ＣＨ−）、ヒドロキシイミノエチ
ル又はヒドロキシイミノプロピルとなる）、低級アルコ
キシイミノ、例えばメトキシイミノ、ヒドラゾノ（例え
ばこれにより置換されてヒドラゾノメチル、−エチル又
は−プロピルとなる）、Ｎ−モノ−もしくはＮ，Ｎ−ジ
低級アルキルヒドラゾノ、Ｎ−低級アルカノイルヒドラ
ゾノ、例えばアセチルヒドラゾノもしくは低級アルコキ
シカルボニルヒドラゾノ、例えば第三ブトキシカルボニ
ルヒドラゾノ、及び低級アルキルチオイミノ、例えばメ
チルチオイミノもしくはエチルチオイミノ（特にこれに
より置換されてメチルチオイミノ−もしくはエチルチオ
イミノメチル、−エチルもしくは−プロピルとなる）よ
り成る系列から選ばれる〕、特に、水素又は線形低級ア
ルキルであって上記の基のいづれかにより未端置換され
たもの、主として水素又はアミノ−低級アルキル、例え
ば２−アミノエチル又は３アミノプロピル、カルバモイ
ル−低級アルキル、例えば３−カルバモイルプロピル、
又は（３−低級アルキルウレイド）−低級アルキル、例
えば（３−メチルウレイド）−低級アルキル、例えば３
−（３−メチルウレイド）、プロピルであり；Ａｒ1 及
びＡｒ2 が互いに独立してアリール又はヘテロアリール
であり；ＸがＯであり；Ｙがアミノ、低級アルキルアミ
ノ、例えばメチルアミノ、フェニルアミノもしくはヒド
ラジノであるか、又は置換化低級アルコキシ、特にヒド
ロキシ低級アルコキシ、例えば２−ヒドロキシエトキシ
であるか、あるいはＺが置換化メチルなら、Ｙがヒドロ
キシルであり；そしてＺが置換化メチル、特にヒドロキ
シルメチル、低級アルカノイルオキシメチル、例えばア
セトキシメチル、又はホルミル、カルボキシル、エステ
ル化カルボキシル、特に低級アルコキシカルボニル、例
えばメトキシカルボニル、又はヒドロキシ−低級アルコ
キシカルボニル、例えば２−ヒドロキシエトキシカルボ
ニル、又は（更には）ヒドロキシイミノメチルである
か；あるいはＹとＺが一緒になって式−Ｏ−ＣＨ2 −の
二価基（ここで酸素はＹ位に結合しており、そしてメチ
レンの炭素はＺ位に結合している）を形成しており、こ
こで前記の定義において：アリールは好ましくはフェニ
ルであり、これは未置換であるか、又はもしくは数個
の、好ましくは５個までの、特にもしくは２個の、特に
１個の置換基により特にＰ位において、又はハロゲン−
特にフッ素の場合は５個までの置換基により置換されて
おり、その置換基は低級アルキル、低級アルケニル、低
級アルキニル、低級アルキレン（２個の隣接Ｃ原子に結
合）Ｃ5 −Ｃ7 シクロアルキル、フェニル−低級アルキ
ル又はフェニル；低級アルキルであってヒドロキシル、
低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカ
ノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミ
ノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキル
チオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホ
ニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カル
バモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ
低級アルキルカルバモイル及び／又はシアノにより置換
されている低級アルキル；ヒドロキシル；低級アルコキ
シ、ハロ−低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、
フェニルオキシ、低級アルケニルオキシ、ハロ−低級ア
ルケニルオキシもしくは低級アルキニルオキシ；低級ア
ルキレンジオキシ（２個の隣接Ｃ原子に連結）；低級ア
ルカノイルオキシ、フェニル−低級アルカノイルオキシ
もしくはフェニルカルボニルオキシ（＝ベンジルオキ
シ）；メルカプト；低級アルキルチオ、フェニル−低級
アルキルチオ、フェニルチオ、低級アルキルスルフィニ
ル〔−Ｓ（＝Ｏ）−低級アルキル〕；フェニル−低級ア
ルキルスルフィニル、ベンゼンスルフィニル、低級アル
キルスルホニル〔−Ｓ（Ｏ2 ）−低級アルキル〕、フェ
ニル−低級アルキルスルホニルもしくはベンゼンスルホ
ニル；ハロゲン、ニトロ、アミノ；低級アルキルアミ
ノ、Ｃ5 −Ｃ7 シクロアルキルアミノ、フェニル−低級
アルキルアミノもしくはフェニルアミノ；ジ低級アルキ
ルアミノ、Ｎ−低級アルキル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ
−低級アルキル−Ｎ−フェニル低級アルキルアミノ、低
級アルキレンアミノ；低級アルカノイルアミノ、フェニ
ル−低級アルカノイルアミノもしくはフェニルカルボニ
ルアミノ（ベンゾイルアミノ）；低級アルカノイル、フ
ェニル−低級アルカノイルもしくはフェニルカルボニル
（＝ベンゾイル）；カルボキシル；低級アルコキシカル
ボニル；カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイ
ル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル、Ｎ−ヒドロ
キシカルバモイルもしくはＮ−フェニルカルバモイル；
シアノ、ホスホリロキシであって、その燐原子におい
て、ヒドロキシル、低級アルコキシ及びフェニル低級ア
ルコキシ（例えばベンジルオキシ）より成る系列から互
いに独立して選ばれる２個の基により置換されているも
の、又はホスホリロキシであって、その燐原子において
フェニルレン−１，２−ジオキシにより置換されている
もの；スルホ（ＳＯ3 Ｈ）；低級アルコキシスルホニ
ル；スルファモイル（−ＳＯ2 ＮＨ2）、Ｎ−低級アル
キルスルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルスルファ
モイル及びＮ−フェニルスルファモイルより成る群から
選ばれ、ここでこれらの置換基におけるフェニル基はそ
れぞれの場合において未置換であるか、又は低級アルキ
ル、ヒドロキシル、ハロゲン及び／もしくはトリフルオ
ロメチルにより置換されており、好ましくは未置換のフ
ェニルであるか、又は低級アルキル、例えばメチルもし
くはエチル、ヒドロキシル、低級アルコキシ、例えばメ
トキシ、ハロゲン、例えばフッ素もしくはヨウ素、カル
ボキシル、低級アルコキシカルボニル、例えばメトキシ
カルボニルもしくはエトキシカルボニル及びシアノより
成る系列から選ばれる置換基によりｏ−、ｍ−もしくは
ｐ−置換されたものであるか、又はペンタフルオロフェ
ニルであり、そしてヘテロアリールが好ましくは３個ま
での環窒素原子を有する５又は６員環、例えばイミダゾ
リル、トリアゾリル、ピリジル、ピリミジニル又はトリ
アジニルであり、そして環の炭素原子を介して結合して
おり、この環は未置換であるか、又は低級アルキル、ヒ
ドロキシル、低級アルコキシ、ハロゲン、シアノ及び／
もしくはトリフロオロメチルにより置換されていてよ
く、主として２−，３−もしくは４−ピリジル、２−、
４−もしくは５−ピリミジニル又は１，３，５−トリア
ジン−２−イルである化合物；並びに塩形成基があるな
らその塩、及び／又は互変異性基があるならその互変異
性体である。
【００５８】非常に極めて好ましい式Ｉの化合物は、Ａ
1 及びＡ2 が互いに独立して水素であるか、又はアミ
ノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ（ここでそ
の低級アルキル基はヒドロキシル、低級アルコキシ、フ
ェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロ
ゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルア
ミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキルス
ルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、
低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級ア
ルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモ
イル及び／又はシアノにより一置換もしくは二置換され
ているか、好ましくは未置換である）、フェニル−低級
アルキルアミノ、フェニルアミノ、低級アルコキシ（そ
の低級アルキル基はヒドロキシル、低級アルコキシ、フ
ェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロ
ゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルア
ミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキルス
ルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、
低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級ア
ルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモ
イル及び／又はシアノにより一置換もしくは二置換され
ているか、好ましくは未置換である）、フェニル−低級
アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、カルボキシル、
低級アルコキシカルボニル、フェニル−低級アルコキシ
カルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモ
イル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル、ウレイ
ド、１−もしくは３−モノ−又は１，３−もしくは３，
３−ジ−低級アルキルウレイド、オキソであってＡ1 又
はＡ2 を保有する窒素に結合している炭素原子上に結合
していないもの、イミノ及びヒドロキシイミノより成る
系列から選ばれる２個までの基により置換された低級ア
ルキルであり、特に水素であるか、又は上記の基のうち
のいづれかにより未端置換された線形低級アルキルであ
り、主として水素又はアミノ−低級アルキル、例えば２
−アミノメチル又は３−アミノプロピル、カルバモイル
−低級アルキル−例えば３−カルバモイルプロピル又は
（３−低級アルキルウレイド）−低級アルキル、例えば
（３−メチルウレイド）−低級アルキル、例えば３−
（３−メチルウレイド）−プロピルであり、Ａｒ1 及び
Ａｒ2 が互いに独立してフェニル（これは未置換である
か、又は１もしくは２個の置換基、特に１個の置換基に
より主としてｐ−位において、又はハロゲン、特にフッ
素の場合は５個までの置換基により置換されており、そ
の置換基は低級アルキル、トリフルオロメチル、ヒドロ
キシル、低級アルコキシ、ハロゲン、カルボキシル、低
級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アル
キルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイ
ル及びシアノより成る群から選ばれる）であるか、又は
２−，３−もしくは４−ピリジル、２−、４−もしくは
５−ピリミジニル及び１，３，５−トリアジン−２−イ
ルより選ばれるヘテロアリール（それぞれは未置換であ
るか、又は低級アルキル、ヒドロキシル、低級アルコキ
シ、ハロゲン、シアノ及び／もしくはトリフルオロメチ
ルにより置換されている）であり；ＸがＯであり；Ｙが
アミノ、低級アルキルアミノ、フェニルアミノ、ヒドラ
ジノもしくはヒドロキシ、低級アルコキシであるか、又
は更にはＺがヒドロキシメチル、低級アルカノイルオキ
シメチル、ホルミルもしくはヒドロキシイミノメチルな
ら、Ｙがヒドロキシであり；そしてＺがヒドロキシメチ
ル、低級アルカノイルオキシメチル、ホルミル、カルボ
キシル、低級アルコキシカルボニルもしくはヒドロキシ
−低級アルコキシカルボニルであるか、又は（更には）
ヒドロキシイミノメチルであるか；又はＹとＺが一緒と
なって式−Ｏ−ＣＨ2 −の二価基を形成（ここで酸素は
Ｙ位に、そしてメチレンの炭素原子はＺ位に結合してい
る）している化合物；塩形成基があるならその塩、及び
／又は互変異性基があるならその互変異性体である。
【００５９】今迄に挙げた中で最も好ましい式Ｉの化合
物はＡ1 及びＡ2 が水素であるか、２個の基Ａ1 とＡ2
のうちの一方が水素であり、そして他方が各ケースにお
いて述べた置換基のいづれかにより置換された低級アル
キルであるか；又はＡ1 とＡとが一緒になって未置換で
あるか又は各ケースにおいて述べた置換基のいづれかに
より置換された低級アルキレンであり；残りの基が前記
した通りである化合物である。本発明は、特に活性成分
としてこれらの化合物を有する薬理学的組成物、ヒトも
しくは動物の身体の治療的処置におけるかかる化合物の
利用及び／又はヒトもしくは動物の身体の治療的処置の
ためのかかる化合物の利用又は上記の障害の処置のため
の薬理学的組成物の調製のためのかかる化合物の利用に
関する。
【００６０】特に重要なのは下記の式Ｉの化合物 ４，５−ビス（４−フルオロアニリノ）フタル酸ジアミ
ド、ビス（２−ヒドロキシエチル）５，８−ジフェニル
−５，８−ジアザ−５，６，７，８−テトラヒドロナフ
タレン−２，３−ジカルボキシレート、２，３−ジカル
ボキシレート、４，５−ジアニリノフタル酸ジアミド、 ４，５−ビス（２−ヨードアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（３−ヨードアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（４−ヨードアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（２−メトキシアニリノ）フタル酸ジアミ
ド ４，５−ビス（３−メトキシアニリノ）フタル酸ジアミ
ド ４，５−ビス（４−メトキシアニリノ）フタル酸ジアミ
ド ４，５−ビス（２−シアノアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（３−シアノアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（４−シアノアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（２−フルオロアニリノ）フタル酸ジアミ
ド ４，５−ビス（３−フルオロアニリノ）フタル酸ジアミ
ド ４，５−ビス（ペンタフルオロアニリノ）フタル酸ジア
ミド ４，５−ビス（４−ヒドロキシアニリノ）フタル酸ジア
ミド ４，５−ビス（３−ヒドロキシアニリノ）フタル酸ジア
ミド ４，５−ビス（２−ヒドロキシアニリノ）フタル酸ジア
ミド ４，５−ビス（４−エチルアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（３−エチルアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（２−エチルアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（４−メチルアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（３−メチルアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（２−メチルアニリノ）フタル酸ジアミド ５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−６−ヒドロキシ
メチル−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−
２，３−ジカルボキサミド、６−アミノメチル−５，８
−ジフェニル−５，８−ジアザ−５，６，７，８−テト
ラヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキサミド、メチ
ル−６−アミノメチル−５，８−ビス（４−フルオロフ
ェニル）−５，８−ジアザ−５，６，７，８−テトラヒ
ドロナフタレン−２，３−ジカルボキサミデート、メチ
ル５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−６−ヒドロキ
シメチル−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−
２，３−ジカルボキサミデート、５，８−ビス（４−フ
ルオロフェニル）−５，８−ジアザ−６−ヒドロキシメ
チル−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２，
３−ジカルボキサミド、６−アミノメチル−５，８−ビ
ス（４−フルオロフェニル）−５，８−ジアザ−５，
６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２，３−ジカル
ボキサミド、メチル−５，８−ビス（４−フルオロフェ
ニル）−５，８−ジアザ−６−ヒドロキシメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２，３−ジカル
ボキサミデート、メチル−６−アミノメチル−５，８−
ビス（４−フルオロフェニル）−５，８−ジアザ−５，
６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２，３−ジカル
ボキサミデート、メチル−５，８−ビス（４−フルオロ
フェニル）−５，８−ジアザ−６−ヒドロキシイミノメ
チル−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２，
３−ジカルボキサミデート、５，８−ビス（４−フルオ
ロフェニル）−５，８−ジアザ−６−ヒドロキシイミノ
メチル−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−
２，３−ジカルボキサミド、メチル−５，８−ジフェニ
ル−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２，３
−ジカルボキサミデート、又は５，８−ジフェニル−
５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２，３−ジ
カルボキサミド、又は塩形成基が存在しているならばそ
の塩である。
【００６１】最も好ましいは実施例に述べている式Ｉの
化合物、塩形成基があるならその塩、及び互変異性基が
あるならその互変異性体である。本発明は、活性成分と
してこれらの化合物を有する薬理学的組成物、ヒトもし
くは動物の身体の治療的処置におけるかかる化合物の利
用及び／又はヒトもしくは動物の身体の治療的処置のた
めのかかる化合物の利用又は上記の障害の処置のための
薬理学的組成物の調製のためのかかる化合物の利用に関
する。
【００６２】式Ｉの化合物は、例えば； ａ）ＸがＯであり、Ｙがアミノ、置換化アミノ、置換化
低級アルコキシ、又は未置換もしくは置換化低級アルキ
ルチオであり、そしてＺがカルボキシル、エステル化カ
ルボキシルもしくはアミド化カルボキシルであり、そし
て残りの基が式Ｉの化合物について前記した通りである
式Ｉの化合物又はその塩を形成せしめるために、次式II
のジカルボン酸の反応性酸誘導体
【化７】 （式中、Ａ1 ，Ａ2 ，Ａｒ1 及びＡｒ2 は前記した通
り）を、次式III の化合物 Ｗ1 −Ｈ （III) （式中、Ｗ1 は未置換もしくは置換化アミノ、置換化低
級アルコキシ又は未置換もしくは置換化アルキルチオで
ある）と反応させて、基Ｙを導入せしめ、及び／又は水
と、もしくは次式IVの化合物 Ｗ2 −Ｈ （IV) （式中、Ｗ2 はエステル化カルボキシ又はアミド化カル
ボキシルであるＺの製造のために適する補助基である）
と反応させて基Ｚを作り（ここで反応に関与しなく、且
つ、式II, III 及びIVの出発材料に存在している官能基
は所望するならば保護形態において存在している) 、次
いで、下記の追加の工程手順のうちのいづれかの前及び
／又は後に存在している保護基を脱離せしめるか、ある
いは、 ｂ）Ｚがヒドロキシメチル又はホルミルであり、そして
残りの基が式Ｉの化合物について前記した通りである式
Ｉの化合物又はその塩及び／もしくは互変異性体を製造
するために、次式Ｖのカルボン酸
【化８】 〔式中、Ｙ′はヒドロキシルであるか、又は式Ｉの化合
物について前記した基のいづれかであり（Ｙ′がヒドロ
キシルならＸは酸素であることを条件とする）、そして
残りの基が式Ｉの化合物について前記した通りである〕
もしくはかかるカルボン酸の反応性誘導体を還元せしめ
（ここで反応に関与しなく、且つ、式Ｖの出発材料に存
在している官能基は所望するならば保護形態にある）、
次いで下記の追加の工程手順のいづれかの前及び／又は
役に存在している保護基を脱離せしめ、次いで所望する
ならば、追加の工程手順として、獲得できうる式Ｉの化
合物を別の式Ｉの化合物に変換せしめる、及び／又は獲
得できうる塩を遊離化合物もしくは別の塩へと変換せし
める、及び／又は獲得できうる式Ｉの遊離化合物を塩へ
と変化せしめる、及び／又は獲得できうる式Ｉの異性体
化合物の複合物を個別の異性体に分けること；による本
質的に知られている方法によって獲得できる。
【００６３】何らかの記載がない限り、下記のより詳し
い方法に示すＡ1 ，Ａ2 ，Ａｒ1 ，Ａｒ2 ，Ｘ，Ｙ及び
Ｚの記号は式Ｉの化合物に関して定義した通りである。
【００６４】ジカルボン酸誘導体の製造 式IIのジカルボン酸誘導体は反応性誘導体として存在
し、１又は両方、好ましくは両方のカルボキシル基が誘
導化されることが、例えば活性化酸誘導体として、遊離
カルボキシル化合物由来のエステルとして、例えば低級
アルキルエステルとして、反応性無水物として、又は活
性環式イミドとして誘導化されることが可能である。更
に、これらの反応性誘導体はその場で形成されもする。
両方のカルボキシル基は同時に（式III の化合物は式IV
の化合物と同等であり；−（Ｃ＝Ｘ）−ＹかＺに相当す
る式Ｉの化合物を提供する）又は順次に（式III の化合
物と式IVの化合物は同一又は異なり；Ｚとは異なる−
（Ｃ＝Ｘ）−Ｙが規定された化合物を提供する）反応し
うる。
【００６５】 適切な活性化酸誘導体は例えば式IIa の化合物
【化９】 （式中、Ｚ1 及び／又はＺ2 はヒドロキルであるか、又
は特に反応性活性化ヒドロキシルであり、ここで２個の
基Ｚ1 及びＺ2 の両方がヒドロキシルであることはな
い）である。
【００６６】式IIの遊離なカルボン酸は、例えば強酸、
例えばハロゲン化酸、硫酸、スルホン酸もしくはカルボ
ン酸により、又は酸性イオン交換剤、例えば塩酸、臭化
水素酸もしくはヨウ化水素酸、硫酸、未置換であるかも
しくは例えばハロゲンにより置換されたアルカンカルボ
ン酸により、又は好ましくは過剰量の式IIの酸により、
所望するならば水結合剤により形成される反応水を結合
しながら、共沸蒸留により反応水を除去しながら、又は
酸無水物による特に無機酸無水物、例えばカルボン酸無
水物、例えば低級アルカンカルボン酸無水物（ギ酸無水
物を除く）、例えば酢酸無水物による抽出エステル化を
伴って、又は適当な活性化もしくは下記に記のカップリ
ング剤により、特にその場において活性化されうる。Ｚ
1 及び／又はＺ2 はアジド（これは例えば適当な酸エス
テルを対応のヒドラジドを介して反応させ、この後者を
亜硝酸で処理することにより獲得できる）；ハロゲン、
特に塩素又は臭素（これは例えば有機酸ハロゲン化物、
特にオキサリル二ハロゲン化物、例えばオキサリル二塩
化物、又は特に無機酸ハロゲン化物、例えば燐又は硫黄
の酸ハロゲン化物、例えば三塩化燐、二臭化燐、五塩化
燐、五臭化燐、オキシ塩化燐、オキシ臭化燐、塩化チオ
ニル又は臭化チオニルとの反応により獲得できうる）；
シアノメチル、ニトロキシフェノキシ、例えば４−ニト
ロフェノキシもしくは２，４−ジニトロフェノキシ、又
はポリハロフェノキシ、例えばペンタクロロフェノキシ
（これは例えば関連の酸をクロロアセトニトリルによる
塩基の存在下における処理により、又は酸を対応のニト
ロフェノールもしくはポリハロフェノールと、縮合剤、
例えばＮ，Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボジイミド又は
特に２−エトキシ−１−エトキシカルボニル−１，２−
ジヒドロキノンの存在下において反応させるとにより獲
得できうる）；又は不斉酸無水物（これは例えば塩、例
えばアルカリ金属塩、例えば式IIの酸又はその反応体、
好ましくはアルカンカルボン酸、例えば酢酸のナトリウ
ム又はカリウム塩を酸ハロゲン化物に反応させることに
より獲得できる）であり、それぞれのケース、特に式II
のカルボン酸、ハロゲン化カルボン酸、例えば塩化カル
ボン酸の塩との反応、又はＺ1 及びＺ2 がハロゲンであ
る式IIa のハロゲン化カルボン酸と低級アルカンカルボ
ン酸、特に酢酸ナトリウムもしくは酢酸カリウムとの反
応のケースにおいて相補的である。Ｚ1 及びＺ2 は好ま
しくはハロゲン、例えば塩素又は臭素、及びアシロキ
シ、例えば低級アルカノイルオキシ、例えばアセチルオ
キシである。
【００６７】式IIの化合物は下記の式IIb の化合物か
ら、Ｒ1 及びＲ2 の、例えばヒドロキシ塩基、例えばア
ルカリ金属水酸化物又はアルカリ土類金属水酸化物、例
えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム又は水酸バリウ
ムによる、無水又は水溶溶媒又は溶媒混合物、例えば水
性アルコール系溶液、例えばメタノール／水の中での、
高温、例えば４０℃〜還流温度、特に還流温度より１０
℃低い温度から還流温度に至る温度での加水分解及び脱
離により作られうる。もし低級アルキル基Ｒ1 及び／又
はＲ2 が結合性炭素原子上で枝分れしているなら、酸加
水分解も、例えば硫酸又はハロゲン化水素酸、例えば塩
酸を使用して可能である。Ｒ1 及び／又はＲ2 の代りに
下記のカルボキシル保護基がある式IIb の化合物の類似
体の製造も保護基の脱離により可能である。Ｒ1 及び／
又はＲ2 の代りにカルボキシル保護基がある式IIb の化
合物の類似体は、例えば式Ｖの化合物の代りに、式IIb
の化合物に類似するがＲ1 及び／又はＲ2 の代りにカル
ボキシル保護基を有する化合物を製造するため用いるＲ
1 及び／又はＲ2 の代りにカルボキシ保護基がある類似
化合物（これは式Ｖの化合物と同様に作られうる）を用
い、式IIb 自体の化合物について説明する類似の反応に
より獲得できる。適切な条件、好ましくは保護基の脱離
のために下記する条件のもとでの保護基の脱離は、獲得
できた式IIb の化合物の類似体から式IIb の化合物を獲
得するのに利用できる。前記した通り、これらは式IIa
の遊離化合物を作るのに利用できる。式IIの化合物のエ
ステルは好ましくは式IIb のそれである；
【化１０】 （式中、Ａｒ1 ，Ａｒ2 ，Ａ1 及びＡ2 は式Ｉについて
定義した通りである。Ｒ 1 は低級アルキル、例えばメチ
ルであり、そしてＲ2 は水素又は低級アルキル、例えば
メチルである。）上記の式Ｉの化合物をもたらす式IIb
の化合物、特に対応のモノ−又はジ−低級アルキルエス
テルの化合物と、式III 及び／又はIVの化合物との反応
は、適当な溶媒、特に極性溶媒、例えばアルコール、例
えばメタノールもしくはエタノール、又はエーテル、例
えばテトラヒドロフラン、ニトリル、例えばアセトニト
リル又はこれらの混合物（好ましくは式III 及び／又は
IVのアミノ化合物を用いてエステルのアミド化を行うと
き）、又は（式III 及び／又は式IVのアルコールを用い
てエステル転移を行うとき、これはアンモニアが存在し
ていてもよい）不活性溶媒を伴うもしくは好ましくは伴
わない溶液又は溶融物（これは反応温度で液状である）
の中で、式III 及び／又はIVの適当な化合物を伴って、
所望するならば保護ガスのもとで、又はオートクレーブ
の中で、３０℃〜２４０℃の温度、例えば５０℃〜課題
の反応混合物の融点、又は５０℃〜課題の反応混合物の
沸点、例えば５０〜１３０℃、好ましくは約１２０℃
で、式III及び／又はIVのアミノ化合物によるアミド化
の場合はオートクレーブの中で、縮合剤なしで、又は好
ましくは存在下で、式IIa の化合物、特に２−エトキシ
−１−エトキシカルボニル−１，２−ジヒドロキノリン
の反応において前述した通り、塩基例えば炭酸水素又は
炭酸塩（式III 及び／又はIVのアミノ化合物の炭酸塩又
は炭酸水素として存在しうる) の存在下又はなしで、０
〜５０℃の温度、特に室温で実施される；式III 及びIV
の化合物が同一でないなら、２段の連続反応工程におい
て実施し、式III 及びIVの化合物のうちの一方、次いで
他方の反応工程で行われる（所望の式Ｉの化合物は存在
している任意の二次副産物から分離させることができ
る）；又は特に、Ｒ1 及びＲ2 がそれぞれ低級アルキル
であり、そして式III 及びIVの化合物が同一ならそれら
を同時に置き換えることができる。
【００６８】式IIIbの出発材料は例えば式Ｖのシクロヘ
キサジエン
【化１１】 （式中、Ｍｅはメチル（そうでなければ、存在しうるそ
の他の低級アルキル基）であり、そしてＲ1 及びＲ2 は
式IIb の化合物について定義した通りである）を、式VI
のアニリン ＡＨＮ−Ａｒ （VI) （式中、Ａは特に水素、未置換もしくは置換化低級アル
キル未置換もしくは置換化低級アルケニル、未置換もし
くは置換化低級アルキニル、複素環式−低級アルキル、
アリール、アシル、低級アルコキシスルホニル又はアリ
ールスルホニルであり、Ａ1 又はＡ2 は前記した通りで
あり、そしてＡｒはアリール、ヘテロアリール又は未置
換もしくは置換化シクロアルキルであり、Ａｒ1 もしく
はＡｒ2 は前記した通りである）と、又は式VI′のジア
ニリノ- 低級アルキレン化合物と Ａｒ1 −ＮＨ−Ｋ−ＮＨ−Ａｒ2 （VI′) （式中、Ａｒ1 及びＡｒ2 は式Ｉについて前記した通
り、例えばフェニルであり、そしてＫは置換化、又は好
ましくは未置換の低級アルキレン、Ａ1 及びＡ2 が一緒
になって形成される前記した未置換もしくは置換化低級
アルキレンである）、酸触媒を伴って、例えば低級アル
カンカルボン酸、例えば酢酸の中で、８０℃〜環流温
度、例えば１００〜約１４０℃で反応させることにより
作られる（Ｍａｔｌｉｎ，Ｓｔｅｐｈｅｎ Ａ．とＢａ
ｒｒｏｎ，ＫｅｎｎｅｔｈのＪ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｓ．Ｓ
ｙｎｏｐ．８，２４６−２４７（１９９０）を参照のこ
と）。反応に関与しない出発材料における官能基は、必
要ならば保護しておく。存在する保護基は適当な工程で
除去してよい。保護基、その導入及びその脱離は下記に
説明してある。基Ａｒの置換基は縮合反応の後に、常用
の芳香もしくは複素環化学の方法により、又は酵素的方
法により（例えば４−ヒドロキシル化）導入することも
できる。
【００６９】式Ｖの化合物は例えば２，３−ビス（トリ
−低級アルキルシリルオキシ）ブタジエンとジ−低級ア
ルキルアセチレンジカルボキシレートとに由来するディ
ールスーアルダー反応により作られ、これも上記の文献
（Ｍａｔｌｉｎら）に記載され、そしてそれに記載の方
法に類似して実施できる。
【００７０】Ａ1 及びＡ2 並び／又はＡｒ1 及びＡｒ2
が異なる式IIｂの不斉化合物を作るには、例えば式Ｖの
化合物を２種の異なる式VIの化合物と、例えば順次に反
応させ、次いで所望の式IIｂの化合物を例えばシリカゲ
ルでのクロマトグラフィー分離により単離することが可
能である。
【００７１】更に、Ａ1 とＡ2 が一緒になって形成する
未置換又は置換化低級アルキレンを除き基が前記した通
りである式IIｂの化合物を調製するため、例えばＡ1 及
びＡ 2 の代りに水素を有する式IIｂの化合物を、 １）次式VII の試薬と反応させることが可能である： Ｗ3 −Ｌ （VII ） 〔式中、Ｗ3 はＡ1 及び／又はＡ2 の定義において前記
した通りの未置換もしくは置換化低級アルケニル、未置
換もしくは置換化低級アルキニル又は複素環式低級アル
キルであり、ここで置換化低級アルケニル又は置換化低
級アルキニルの場合、Ｌは好ましくは二重結合の由来し
ていない炭素原子に結合しており、そしてこれは置換基
による反応が二重結合に対する付加よりもはるかに迅速
となるように選ばれ；そしてＬは離核性基、好ましくは
トルエンスルホニルオキシ又はハロゲン、例えば塩素、
臭素もしくはヨウ素であるか、又は基Ｗ3 が２個以上の
炭素原子を有するなら、２個の隣接炭素原子と結合して
いるオキサ（−Ｏ−）又はチア（−Ｓ−）であり（これ
はアルキル化の際に反応するオキシラン又はチイランを
形成せしめる）；この反応は強塩基、例えばリチウムジ
イソプロピルアミド、ナトリウムアミド又は特に水酸化
ナトリウムの存在下で、５０℃〜反応混合物の沸点の温
度、例えば８０〜１００℃で、酸アミド、例えばジメチ
ルホルムアミド又は尿素誘導体、例えば１，３−ジメチ
ル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリ
ミジノン（ＤＭＰＵ）の中で行われ、そしてその後の加
水分解の際に２−ヒドロキシ−又は２−メルカプト−低
級アルキル基を提供する）か、又は２個の隣接炭素原子
と結合しているアザ（−ＮＨ−）である（これは反応の
際に反応するアジランを形成せしめる）；この反応は強
塩基、例えばリチウムジイソプロピルアミド、ナトリウ
ムアミド又は特に水酸化ナトリウムの存在下で、５０℃
〜反応混合物の沸点の温度、例えば８０〜１００℃で、
酸アミド、例えばジメチルホルムアミド又は尿素誘導
体、例えば１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラ
ヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン（ＤＭＰＵ）の中で
行われ、そしてその後の加水分解の際に２−アミノ−低
級アルキル基を形成する）；ここで出発材料の官能基で
あって反応に関与しないものは遊離であるか又は保護形
態にあり、そして存在している保護基は必要ならば適当
な反応工程において脱離させる；この反応は好ましくは
強塩基、例えばアルカリ金属水酸化物、例えば水酸化ナ
トリウム、アルカリ金属アミド、例えばナトリウムアミ
ド、又はアルカリ金属ジ低級アルキルアミド、例えばリ
チウムジイソプピルアミド、特に水酸化ナトリウム又は
ナトリウムアミドの存在下において行なわれ（これは例
えば塩基の油の中の分散物として、Ａ1 及びＡ2 の代り
に水素原子を有するそれぞれのケースの式IIｂの化合物
のモル量に対して当モル量で、又は過剰量で、例えば５
倍モル量で、特に１〜２倍モル量で加えられる）、室温
〜反応混合物の還流温度で、特に約８０〜約１００℃
で、非プロトン系、特に極性溶媒、例えば酸アミド、例
えばジメチルホルムアミド、１，３−ジメチル−３，
４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン
（ＤＭＰＵ）もしくはヘキサメチルホスホリックトリア
ミド、又はかかる溶媒の複混合物の中で、保護ガス、例
えばアルゴン又は窒素の存在下又は非存在下で行われ、
ここで塩基としてアルカリ金属アミドを使用したとき、
生成されるアンモニアは真空、例えば０．１〜１００、
特に０．５〜１０トルを適用することにより除去する〕
並びに／又は ２）次式VII ′の酸と反応させることが可能である： Ｗ3 ′−Ｌ′ （VII ′） （式中、Ｗ3 ′はＡ1 及び／又はＡ2 の定義において前
記した通りのアシル、低級アルキルスルホニル又はアリ
ールスルホニルであるか、又はその反応性誘導体であ
り、ここでＬ′は水素又は式IIａの化合物におけるＺ1
について前記した基、特にハロゲンである；その反応条
件は式IIの化合物と式III 及び／又はＶの化合物との反
応について説明したものと類似である）。
【００７２】基Ａ1 及びＡ2 のうちの一方のみが水素を
除く前記に定義した通りであり、そして他方の基が水素
である式Ｉの化合物を製造することを所望するとき、そ
の反応は、Ａ1 及びＡ2 の代りに水素を有する式IIｂの
化合物のモル量に対して、０．２〜２倍モル量、例えば
１〜１．６倍モル量に相当する式VII 又はVII ′の化合
物のモル量によって実施する。Ａ1 及びＡ2 が水素であ
る式IIｂの化合物の両水素原子を、水素を除くＡ1 及び
Ａ2 の定義に述べた基により交換することを所望すると
き、過剰量の、例えば２〜１０倍、特約２〜３倍量の式
VII 又はVII ′の化合物を使用することが好ましい。
【００７３】式Ｖ，VI，VI′，VII 及びVII ′の化合物
は公知であり、そして市販されているか、又は本質的に
知られる方法によって製造できうる。
【００７４】式VII の化合物において、低級アルキル、
低級アルケニル又は低級アルキニルＷ3 は好ましくは未
置換であるか、又は保護型アミノにより置換され、特に
アミノ−低級アルキルにおいて、例えばフタルイミド−
低級アルキル、例えばフタルイミドプロピル、例えばモ
ノ−低級アルキルアミノであって低級級アルコキシカル
ボニル例えば第三ブチルオキシカルボニルにより保護さ
れ、且つ、モノ−低級アルキル基において未置換である
かもしくはモノ−低級アルキル基において前記の通りに
置換されているもの（どちらのケースも所望するならば
置換基上で保護されている）、特に適切に保護され、且
つ、置換されたモノ−低級アルキルアミノ−低級アルキ
ルにおいて、ジ−低級アルキルアミノであって２個のＮ
−低級アルキル基において置換されているかもしくは２
個のＮ−低級アルキル基において前記のように置換され
ているもの（どちらのケースも必要ならば置換基上で保
護されている）において、特に適切な未置換もしくは置
換化ジ−低級アルキルアミノ−低級アルキルにおいて、
Ｎ−保護型シクロアルキルアミノ、特にＮ−保護型シク
ロアルキルアミノ−低級アルキルにおいて、Ｎ−保護型
フェニル低級アルキルアミノ、特にＮ−保護型フェニル
低級アルキルアミノ−低級アルキルにおいて、Ｎ−保護
型フェニルアミノ、特にＮ−保護型フェニルアミノ−低
級アルキル、アシルアミノ、例えばアシルアミノ−低級
アルキルにおいて、保護型ヒドロキシル、特にヒドロキ
シ−低級アルキルであってヒドロキシル基が保護されて
いるもの、低級アルコキシであって末端低級アルキル基
が未置換であるかもしくは前記のように置換されている
もの／どのケースも必要ならば置換基上で置換されてい
る）、例えば適切に置換された保護型もしくは未置換の
低級アルコキシ−低級アルキルにおいて、フェニル−低
級アルコキシ、特にフェニル−低級アルコキシ−低級ア
ルキル、アシル、特にアシル−低級アルコキシ−低級ア
ルキルにおいて、保護型メルカプト、特にメルカプト低
アルキルにおいて（ここでそのメルカプト基は保護され
ている）、低級アルキルチオであってその末端低級アル
キル基が未置換であるかもしくは前記のように置換され
たもの（どのケースも必要ならば置換基は保護されてい
る）において、特に適切に置換された保護型もしくは未
置換の低級アルキルチオ−低級アルキルにおいて、フェ
ニル−低級アルキルチオ、例えばフェニル−低級アルキ
ルチオ−低級アルキルにおいて、アシルチオ、例えばア
シルチオ−低級アルキルにおいて、保護型カルボキシ
ル、例えば保護型カルボキシ−低級アルキルにおいて、
エステル化カルボキシル、例えばエステル化カルボキシ
−低級アルキルにおいて、シアノ、例えばシアノ−低級
アルキルにおいて、オキソ、例えばオキソ−低級アルキ
ルにおいて（必要ならば、例えば低級アルカノールによ
る、特にエタン−１，２−ジオールによるアセタール形
成によって保護されている；ここでその保護基は酸、例
えば酢酸又は硫酸の存在下での加水分解による所望の工
程において脱離されうる）、並びに／又はチオキソ、特
にチオキソ−低級アルキルにおいて（必要ならば、例え
ば低級アルキルメルカプタン、例えばエタン−１，２−
ジチールによるチオアセタールの形成により保護されて
いる；この保護基は酸、例えば酢酸又は硫酸の存在下で
の加水分解により適宜脱離されうる）、又は複素環、例
えば複素環−低級アルキルにおいて必要ならば保護され
ている。
【００７５】式VII の化合物の代りに、上記の離核性基
Ｌのいづれかに加えて、ハロゲン原子が基Ｗ3 （ここで
はＡ1 及びＡ2 について前記した通りの未置換又は置換
化低級アルキルである）上に存在している対応の化合物
を用いるなら、対応の未置換又は置換化低級アルケニル
の化合物が、反応のために用いる例えば過剰量で用いる
塩基、例えばナトリウムアミドの存在下でハロゲン化水
素を脱離することにより上記の反応条件のもとで獲得で
きる。同様に、未置換又は未置換化アルキニル基は上記
の離核性基Ｌのいづれかに加えて更に２個のハロゲン原
子がある式VIIの化合物の対応の類似体から獲得でき
る。
【００７６】獲得できうる式IIｂの化合物において、置
換基としてＡ1 及び／又はＡ2 に存在するカルボキシル
基はカルバモイル、Ｎ−モノ−もしくはＮ，Ｎ−ジ低級
アルキルカルバモイル、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル又
はＮ−フェニルカルバモイル基（更にはＮ−アリール−
及びＮ−アリール−低級アルキルカルバモイル基）へ
と、例えばアンモニア、低級アルキルアミン又はジ−低
級アルキルアミン、ヒドロキシルアミン又はフェニルア
ミンとの、縮合剤、例えばカルボジイミド、例えばジシ
クロヘキシルカルボジイミドもしくはその極性誘導体の
存在下での、極性有機溶媒、例えばエタノールの中での
反応により、又はＮ，Ｎ′−カルボニルジアゾリド、例
えばＮ，Ｎ′−ジカルボニルイミダゾール（Ｈ．Ａ．Ｓ
ｔａａｂ，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．７４，４０７−４２
３（１９６２）を参照のこと）の存在下での、不活性有
機溶媒、例えば塩素化炭化水素、例えば塩化メチレンも
しくはクロロホルム、もしくはエーテル、例えばジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフランもしくはジオキサンの
中での対応のカルボン酸アゾリドを介する反応により変
換できうる。このことは、Ａ1 及び／又はＡ2 がカルバ
モイル、Ｎ−モノ−又はＮ，Ｎ−ジ−低級アルキルカル
バモイル、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル又はＮ−フェニ
ルカルバモイルを含む式IIｂの対応の化合物を供する。
Ａ1 及びＡ2 における対応のチオカルバモイル置換基
は、カルボキシルから、ハロゲン化カルボニルへの、例
えば無機酸ハロゲン化物、例えば三塩化燐、五塩化燐も
しくは塩化チオニル、又は有機ハロゲン化物、例えばオ
キサリル二塩化物を用いる変換、それに続く例えば五塩
化燐、硫化水素及びアンモニア、又は最後に挙げたアミ
ン類との反応により獲得できうる。
【００７７】Ａ1 及び／又はＡ2 が例えばヒドロキシ−
低級アルキルである式IIｂの化合物において、ヒドロキ
シル基は求核置換により、ヒドラジノ基、ヒドラジノ基
であって低級アルキル、アリール及び／もしくはアリ−
低級アルキル基によりＮ−置換されたもの、グアジニノ
基又はグアジニノ基であって低級アルキル、アリール及
び／もしくはアリ−低級アルキル基によりＮ−置換され
たものへと変換されうる。例えばヒドロキシ化合物は、
対応の芳香族スルホン酸のエステルへと、芳香族スルホ
ン酸又はその活性誘導体との、例えば対応の芳香族スル
ホニルハロゲン化物、例えばトルエンスルホニルハロゲ
ン化物、例えばトルエンスルホニル塩化物との、適当な
塩基、例えば第三窒素塩基、例えばトリエチルアミン又
はＮ−メチルモルホリンの非存在下又は好ましくは存在
下での反応により変換でき、そしてこのエステルは次に
ヒドラジン、グアニジン又はその適当な誘導体もしくは
塩（保護基が存在していてもよい）との求核置換条件下
での、好ましくは有機溶媒、例えばアルコール、例えば
メタノール−エタノールもしくはトリフルオロエタノー
ル、ケトン、例えばアセトン、ニトリル、例えばアセト
ニトリル、エステル、例えばエチルアセテート、エーテ
ル、例えばジエチルエーテル、エチレングリコールジメ
チルエーテル、テトラヒドロフラン又はジオキサン、酸
アミド、例えばジメチルホルムアミド、ビスアルカンス
ルフィン、例えばジメチルスルホキシド、アリールアル
コール、例えばフェノール、又はそうでなければ水、又
はこれらの溶媒の混合物の好ましくは存在下での、所望
するならば不活性有機溶媒（例えばアリール結合型窒素
の反応のため）、例えばジメチルホルムアミド又は１，
３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１
Ｈ）−ピリミジノンの中での、強塩基、例えばナトリウ
ムアミド又は水酸化ナトリウムの添加に伴って反応でき
うる。Ａ1 及び／又はＡ2 がヒドラジノ、一方又は両方
の窒素原子が低級アルキル、アリール又はアリール低級
アルキルにより置換されたヒドラジノ、又はグアジニ
ノ、又は１，２もしくは３個の全ての窒素が低級アルキ
ル、アリール又はアリール低級アルキルにより置換され
たグアジニノより選ばれる置換基を有する式IIｂの化合
物が獲得できる。ヒドラジノ並びに末端Ｎ原子が低級ア
ルキル、アリール及び／又はアリール低級アルキルによ
り置換されたヒドラジノから選ばれる置換基を有する式
IIｂの化合物は、対応の式IIｂのオキソ化合物から出発
して、ヒドラジン並びに２個のＮ原子のうちの一方が低
級アルキル、アリール及び／又はアリール−低級アルキ
ルにより最高で二置換されているヒドラジンと（オキソ
化合物と窒素塩基との反応について下記に更に説明する
ように）反応させ、続いて、獲得できた対応のイミノ化
合物を、好ましくは選択的水素化触媒を用いる、特に固
相支持材料、例えばチャーコール上のパラジウムの存在
下での、極性有機又は有機／水性溶媒又は溶媒混合物中
での、特にエーテル、例えば環状エーテル、例えばテト
ラヒドロフランもしくはジオキサン、又はアルコール、
例えば低級アルカノール、例えばメタノールもしくはエ
タノール又はその混合物、例えばメタノール／テトラヒ
ドロフラン混合物の中での、−２０〜６０℃の温度、例
えば０〜４０℃、例えば室温での触媒水素化による還元
により獲得できる。
【００７８】Ａ1 及び／又はＡ2 が例えばシアノ−低級
アルキルである式IIｂの化合物において、シアノ基は式
IIｂの化合物においてカルバモイル又はＮ−低級アルキ
ルカルバモイル基へと、例えばグラフ−リッター反応に
よる部分加水分解により、又はイミノ−低級アルキルエ
ステル塩を介して変換できうる。シアノ中間体の加水分
解の条件は反応がアミドレベルで中断するような状況と
なるように選ばれうる。この目的に特に適切なのは酸に
よる加水分解であり、適当な酸は例えば８０％の硫酸
（熱しながら）、ポリリン酸（１１０〜１５０℃で）、
臭化水素酸／氷酢酸（室温、ギ酸又は溶媒なし）、エー
テル系溶液中のＨＣｌガス、それに続く水又は水性塩酸
の添加、又はハロゲン化硼素である。式IIｂのＮ−モノ
アルキル化アミドもグラフ−リッター反応によって対応
のニトリルから製造できる。この目的のため、ニトリル
を、強酸、好ましくは８５〜９０％の硫酸、又はそうで
なければポリリン酸、ギ酸、三フッ素化硼素又はルイス
酸（ただし塩化アルモニウムを除く）の存在下で、酸性
媒質の中でカーベニウムイオンの形成可能な化合物、即
ち、例えばオレフィン又はアルコールと反応させる。式
IIｂのイミノ−低級アルキルエステルは、例えばニトリ
ル前駆体上へのアルコールの酸触媒化添加により獲得で
きる。他方、この添加は塩基、例えばアルコレート、例
えばナトリウムメトキシドによって触媒されうる。例え
ば窒素塩基、例えばトリエチルアミン又はＮ−メチルモ
ルホリンの存在下で、アルコールの代りに対応のメルカ
プタンを使用すると、対応のイミノ−低級アルキルチオ
エステルが獲得できる。このイミノ−低級アルキルエス
テルから、カルバモイル誘導体が獲得でき、そして対応
のチオカルバモイル誘導体はイミノ−低級アルキルチオ
エステルから、約８０℃以上の温度でのイミノエステル
塩の熱分解によるピンナー分解によって獲得できる。こ
のチオカルバモイル化合物はシアノ基を硫化水素と、部
分加水分解に類似して、例えば第三アミン、例えばトリ
エチルアミンの存在下で直接反応させることによっても
獲得できる。
【００７９】Ａ1 及び／又はＡ2 がアミジノ−低級アル
キル又はアミジノ−低級アルキルであって窒素原子が低
級アルキル、アリール及びアリール低級アルキルから選
ばれる２個までの基により置換されたものである式IIｂ
の化合物は、対応のイミノ−低級アルキルエステル又は
イミノ−低級アルキルチオエステル前駆体（酸付加塩と
して、例えば前記のように対応のシアノ化合物から製造
される−（Ｃ＝ＮＨ）−ＯＣ2 Ｈ5 ・ＨＣｌ又は−Ｃ
（＝ＮＨ）−ＳＣ2 Ｈ5 ・ＨＩ）をアンモニア又は対応
の低級アルキルアミン、アリールアミンもしくはアリー
ル−低級アルキルアミンと反応させることにより調製で
きる。シアノ前駆体は遊離モノ−又はジ−置換化アミジ
ンへと、例えばアルカリ金属アミドとの反応により、又
は適当なアンモニウム塩、例えば適当なハロゲン化アン
モニウムとの反応により変換できうる。Ａ1 及び／又は
Ａ2 が、アリール、アリール低級アルキル又は低級アル
キルにより両窒素原子が置換されているアミジノを含む
式IIｂの化合物は、低級アルキル、アリール又はアリー
ル−低級アルキルによりＮ−置換されたカルバモイルが
Ａ1 及び／又はＡ2 においてカルバモイルの代りの置換
基として存在する式IIｂの化合物（これは低級アルキル
カルバモイルについて前述した手順に類似して製造でき
る）から、例えばＰＯＣｌ3 又はＰｌｌ5 と反応させて
対応のイミジッククロリド（例えば−（Ｃ＝ＮＨ−低級
アルキル）−Ｃｌ）を供することで調製できる（これ
は、アンモニアとの、又は第一もしくは第二アミンとの
反応の後に式IIｂの置換化アミジンをもたらす）（Ｃｈ
ｅｍ．Ａｂｓｔｒ．８１，９１１８６ａ（１９７４）を
参照のこと）。
【００８０】獲得できうる式IIｂの化合物において、Ａ
1 及び／又はＡ2 において置換基として存在するアミノ
基は、ウレイド又は低級アルキル、アリール及びアリー
ル低級アルキルより選ばれる１個の基により一方又は両
方の窒素原子が置換されているウレイドへと、例えばＡ
1 及び／又はＡ2 がアミノ−低級アルキルもしくはＮ−
モノ−低級アルキルアミノ−低級アルキルであるか、又
はＡ1 及びＡ2 の一方又は両方の代りに、アリールアミ
ノ−低級アルキル及び／もしくはアリール低級アミノ−
低級アルキルである式IIｂの化合物（これは例えば、Ａ
1 又はＡ2 の代りに水素を有する式IIｂの化合物を、離
核性基Ｌに加えて更なる離核性基、例えばハロゲンを有
する式VII の化合物の類似体と、Ａ1 及び／又はＡ2 の
代りに水素がある式IIｂの化合物の反応に類似の条件で
反応させ、再度類似の反応条件を利用し、次いでこの第
二の離核性基をアリールアミン又はアリール低級アルキ
ルアミンのいづれかで置き換えることにより製造できる
か、又はＡ1 及び／又はＡ 2 がヒドロキシ−低級アルキ
ルである式IIｂの化合物より、このヒドロキシル基を離
核性基へと、例えば芳香族スルホニルハロゲン化物、例
えばトルエンスルホニル塩化物との処理により変換さ
せ、次いでその離核性基をアリールアミン又はアリール
低級アルキルアミンと、Ａ1 及び／又はＡ2 の代りに水
素を有する式IIｂの化合物の式VII の化合物との反応に
類似する条件のもとで反応させることにより製造でき
る）を、低級アルキルイソシアネート、アリールイソシ
アネート又はアリール低級イソシアネート又はＮ−保護
型イソシアネート（例えばベンジルイソシアネート）
と、好ましくはエーテル、例えば環状エーテル、例えば
テトラヒドロフランの中で、好ましくは−２０〜６０℃
の温度で、特にほぼ室温で反応させることにより変換で
き、ここで反応に関与しない官能基は必要ならば保護
し、そして存在する保護基は適当な反応工程で脱離させ
る。
【００８１】同様にして、式IIｂの化合物の中のＡ1 及
び／又はＡ2 において置換基として存在しているアミノ
基はチオウレイド又は一方もしくは両方の窒素原子が低
級アルキル、アリール、アリール低級アルキルから選ば
れる１個の基により置換されたチオウレイドへと、イソ
シアネートの代りに対応のチオイソシアネートを用いる
ことにより変換できる。
【００８２】Ａ1 及び／又はＡ2 が例えばウレイド−低
級アルキルであって低級アルキル、アリール及びアリー
ル低級アルキルより選ばれる２個の基により末端窒素が
置換されているものである式IIｂの化合物は、例えば式
IIｂの対応のアミノ−低級アルキル化合物をホスゲン又
はその類似体、例えばＮ，Ｎ′−カルボニルジアゾリ
ド、例えばＮ，Ｎ′−カルボニルジイミダゾールと反応
させ（Ｈ．Ａ．Ｓｔａａｂ，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．７
４，４０７−４２３（１９６２））、次いで得られるク
ロロカルボニルアミノ又はアゾリドカルボニルアミノ化
合物を、低級アルキル、アリール及びアリール低級アル
キルより選ばれる２個の基により置換されたアンモニア
と反応させるか、又は反対に、対応の式IIｂのアミノ−
低級アルキル化合物を、低級アルキル、アリール及びア
リール低級アルキルより選ばれる２個の基により置換さ
れたアンモニアと、ホスホゲン又はその類似体、例えば
Ｎ，Ｎ′−カルボニルジアゾリド、例えばＮ，Ｎ′−カ
ルボニルジイミダゾールとの反応生成物と反応させ、類
似置換されたウレイド化合物を獲得することにより製造
できうる。この反応は好ましくは不活性溶媒の中で、特
に塩素化炭化水素、例えば塩化メチレン又はクロロホル
ム、エーテル、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン又はジオキサン、又は酸アミド、例えばジメチル
ホルムアミドの中で、−２０℃〜還流温度、特に０〜３
０℃で行われる。
【００８３】Ａ1 及び／又はＡ2 が例えば低級アルキ
ル、アリール及びアリール低級アルキルより選ばれる２
個の基により末端窒素原子上で置換されているチオウレ
イド−低級アルキルを含む式IIｂの化合物は類似の方法
で、例えば式IIｂの対応のアミノ−低級アルキル化合物
を、チオホスホゲン又はその類似体、例えばＮ，Ｎ′−
チオカルボニルジアゾリド、例えばＮ，Ｎ′−チオカル
ボニルジイミダゾール（Ｈ．Ａ．Ｓｔａａｂ，Ａｎｇｅ
ｗ．Ｃｈｅｍ．７４，４０７−４２３（１９６２）を参
照）と反応させ、次いで得られるクロロチオカルボニル
アミノ又はアゾリドチオカルボニルアミノ化合物を、低
級アルキル、アリール及びアリール低級アルキルより選
ばれる２個の基により置換されたアンモニアと反応させ
るか、又は反応に、対応の式IIｂの低級アルキル化合物
を、低級アルキル、アリール及び／もしくはアリール低
級アルキルより選ばれる２個の基により置換されたアン
モニアと、チオホスゲン又はその類似体、例えばＮ，
Ｎ′−チオカルボニルジアゾリド、例えばＮ，Ｎ′−チ
オカルボニルジイミダゾールとの反応生成物と反応させ
ることにより製造できる。
【００８４】式IIｂの化合物において、ヒドロキシ−低
級アルキルＡ1 及び／又はＡ2 は、例えば酸化されて対
応のオキソ化合物をもたらすことができる。第一アルコ
ールの場合、これは選択的酸化剤、例えば水性溶媒中の
カリウムフェレート（Ｋ2 ＦｅＯ4 ）及び有機溶媒中の
二酸化マンガン、第三ブチルクロメート、ピリジウムジ
クロメート又は特に不活性有機溶媒中の、例えば塩素化
炭化水素、例えばジクロロメタン又はクロロホルム中の
ピリジニウム クロロクロメートの利用を必要とする。
この反応は好ましくは−２０℃〜還流温度、例えば０〜
４０℃で行われる。第二アルコールの場合、酸化は選択
性の低い酸化剤、例えばクロム酸、ジクロメート／硫
酸、ジクロメート／氷酢酸、硝酸、二酸化マンガン、二
酸化セレン又はジメチルスルホキシドにより、オキサリ
ルクロリドの存在下で、水、水性又は有機溶媒、例えば
ハロゲン化炭化水素、例えば塩化メチレン、又はカルボ
キシアミド、例えばジメチルホルムアミドの中で、好ま
しくは−５０℃〜還流温度で、特に−１０〜５０℃で行
われる。基Ａ1 及び／又はＡ2 がオキソ基を有する式II
ｂの化合物が得られる。
【００８５】Ａ1 及び／又はＡ2 がイミノ、低級アルキ
ルアミノ、アシルイミノ、ヒドロキシイミノ、低級アル
コキシイミノ、ヒドラゾノ、Ｎ−モノ−もしくは、Ｎ，
Ｎ−ジ−低級アルキルヒドラゾノ及び／又はＮ−アシル
ヒドラゾノを、例えば置換化アルキルの置換基として含
む式IIｂの化合物は、対応の式IIｂのオキソ化合物か
ら、オキソ化合物の単離の後に、又は好ましくはそれら
を直接粗生成物の状態で、例えばヒドロキシ化合物の酸
化（これは好ましくは前記の通りに実施する）がオキソ
化合物を供するように溶媒を除去するために部分的にエ
パレーションした後に製造できる。
【００８６】オキソ化合物は対応のイミノ誘導体へと、
アンモニア、低級アルキルアミン、ヒドロキシルアミ
ン、低級アルコキシアミン、ヒドラジン、Ｎ−モノ−も
しくはＮ，Ｎ−ジ−低級アルキルヒドラジン及びＮ−ア
シルヒドラジンより成る系列から選ばれる窒素塩基との
反応により変換されうる。その反応条件はカルボニル化
合物と窒素塩基との反応において慣用される条件に相当
し、窒素塩基は、例えば酸、例えばハロゲン水素酸、例
えばフッ素化水素酸、塩酸、臭化水素酸又はヨウ素化水
素酸、特に好ましくは塩酸の塩として、硫酸もしくは硫
酸水素の塩として、例えば硫酸水素アルカリ金属、例え
ば硫酸水素ナトリウム、リン酸の、リン酸水素の塩とし
て、又はリン酸二水素の塩として、例えばリン酸水素ア
ルカリ金属又はリン酸二水素、例えばリン酸水素ナトリ
ウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸水素カリウム又
はリン酸水素二カリウム、又は有機酸、特にカルボン酸
との塩、例えば低級アルカンカルボン酸であって低級ア
ルキル基が未置換のもの、又は好ましくはハロゲン、例
えばフッ素又はヨウ素により置換されたもの、例えば酢
酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸又はトリフルオロ−もし
くはトリクロロ酢酸、又はスルホン酸、例えば低級アル
キルスルホン酸、例えばメタンスルホン酸、エタンスル
ホン酸又はエタンジスルホン酸、又はアリールスルホン
酸、例えばベンゼン−もしくはナフタレンスルホン酸又
はナフタレン−１，５−ジスルホン酸との塩として利用
される；上記の窒素塩基と酸との塩は、特に揮発性な弱
酸、例えば低級アルカンカルボン酸、例えば酢酸、又は
特に炭酸又は炭酸水素から、強酸、例えば硫酸又は主と
して上記のハロゲン化水素酸のいづれかにより、弱酸を
置き換えることによってその場でのみ作ることも可能で
ある。反応は水の中で（界面活性剤の存在又は非存在下
で）、水性溶媒混合物、例えば水と１もしくは数種のア
ルコール、例えばメタノール、エタノールもしくはイソ
プロパノールとの混合物、ジ低級アルキルスルホキシ
ド、例えばジメチルスルホキシド、又はジ低級アルキル
低級アルカノイルアミド、例えばジメチルホルムアミ
ド、有機溶媒、例えばアルコール、例えばメタノール又
はエタノール、ジ低級アルキルスルホキシド、例えばジ
メチルスルホキシド、ジ低級アルキル低級アルカノイル
アミド、例えばジメチルホルムアミドの中で、又は十分
に不活性なニトリル、例えばアセトニトリルの中で、か
かる有機溶媒の混合物の中で、又は溶媒のない溶融物に
おいて、好ましくはアルコール系溶液、例えばメタノー
ル、エタノールの中で、又は特にイソプロパノールの中
で行われる。温度は好ましくは−２０℃〜溶媒の存在下
での反応混合物の還流温度、溶融物においては２２０℃
まで、特に溶媒の存在下では０〜５０℃の温度、特にほ
ぼ室温とする。
【００８７】この手法で獲得できうる式IIｂのオキソ化
合物は対応のチオキソ化合物へと、例えば五硫化燐酸又
は好ましくは五硫化燐酸に代わる物質、例えばローソン
試薬（＝２，４−ビス（４−メトキシフェニル）−２，
４−ジチオキソ−１，３，２，４−ジチアホスフェタ
ン）との反応により変換されることができ、その反応は
不活性有機溶媒の中で、例えばハロゲン化炭化水素、例
えばジクロロメタンの中で、３０℃〜還流温度で、特に
還流しながら行う。
【００８８】Ａ1 及び／又はＡ2 がアシルイミノ置換基
を、例えば置換化低級アルキルにおける置換基として有
する式IIｂの化合物は、対応のイミノ抽出物から、それ
らを、アシル基を含む遊離酸と、例えば縮合剤、例えば
カルボジイミド、例えばジシクロヘキシルカルボジイミ
ドの存在下において、又はそれらを、その活性化酸誘導
体、例えばカルボン酸ハロゲン化物と、必要ならば適当
な塩基、例えば既に定義した第三アミンの存在下で、好
ましくは水分なして反応させることにより獲得できる。
【００８９】Ａ1 及び／又はＡ2 が低級アルキルチオイ
ミノ置換基を例えば置換化低級アルキルの上に有する式
IIｂの化合物は、式IIｂの適当なイミノ出発材料を、低
級アルキルスルフェニルハロゲン化物（これは、例えば
ハロゲン化水素を有するスルフェン酸から、又は適当な
有機硫黄化合物のクロロ分解、ブロモ分解又はヨード分
解により調製でき、その調製はその場で実施されること
も可能である）、特に低級アルキルスルフェニルハロゲ
ン化物、例えばメチルスルフェニル塩化物と、好ましく
はイミノ化合物の塩を用いながら、又はアルカリ金属水
酸化物、例えば水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウ
ムの存在下で、好ましくは有機溶媒、例えば炭化水素、
例えばヘプタン、エーテル、例えばジエチルエーテル、
ジオキサン又はテトラヒドロフラン、又はカルボキサミ
ド、例えばジメチルホルムアミドの中で、好ましくは０
℃〜還流温度、特に０℃〜３０℃で反応させることによ
り製造できうる。
【００９０】Ａ1 及び／又はＡ2 が置換化低級アルキル
に加えて、又はその代りに置換化低級アルケニル及び置
換化低級アルキニルより選ばれる式IIｂの化合物は、た
とえて式IIｂの化合物の製造の章において完全に触れて
いなくても、置換化低級アルキルを有する式IIｂの化合
物について記載したのと類似の製造方法で有利に合成で
きることをここで述べる。
【００９１】Ａ1 及び／又はＡ2 が例えば複素環式−低
級アルキルである式IIｂの化合物は、置換基Ａ1 及びＡ
2 の少なくとも一方が水素である式IIｂの対応の化合物
又はＡ1 及びＡ2 の代りにそれぞれ水素を有する対応の
類似体から、好ましくは次式VIIIの化合物 複素環−低級アルキル−Ｌ″ （VIII） （ここで複素環−低級アルキルは前述した通りであり、
そしてＬ″は式VII の化合物においてＬについて定義し
た通りの離核性基である）との反応により獲得できる。
その反応条件は強塩基の存在下での式VII の化合物との
アルキル化反応で述べた条件であることが好ましい。
【００９２】Ａ1 及びＡ2 が共に未置換又は置換化低級
アルキレンである式IIｂの化合物を作るため、例えばＡ
1 及びＡ2 の代りに水素を有する式IIｂの化合物を、式
IXのアルキル化剤 Ｌ1 Ｂ−Ｌ2 （IX） （式中、Ｂは未置換化又は置換化低級アルキレン、例え
ばその炭素原子（未置換であるか、又はＡ1 とＡ2 とが
一緒になって形成する置換化低級アルキレンの定義にお
いて述べた置換基、好ましくはその置換のうちの１個に
より置換）のいづれかを介して結合している二価の基で
あり、そしてＬ1 及びＬ2 は互いに独立して、式VII の
化合物の定義におけるＬについて前述した離核性基であ
る）と反応させる。ここで必要ならば、反応に関与しな
い出発材料及び最終生成物における官能基は保護基によ
り保護しておき、これは適当な反応工程において除去す
る。好ましい保護基、その導入及びその脱離は前記した
通りである。
【００９３】Ｌ1 は好ましくは離核性基、特に脂肪式又
は芳香基により置換されたスルホニルオキシ、例えばメ
タンスルホニルオキシ又はｐ−トルエンスルホニルオキ
シ（トシルオキシ）、ハロゲン、例えば塩素、臭素もし
くはヨウ素、又はシアノであり、一方、Ｌ2 は、低級ア
ルキレン基Ｂが２個以上の炭素原子を有するなら、それ
は隣接の炭素原子に結合しているオキサ（−Ｏ−）又は
チア（−Ｓ−）であって（これはアルキル化の際に反応
するチイランを形成し、そのアルキル化は特に強塩基、
例えばリチウムジイソプロピルアミド、ナトリウムアミ
ド又は特に水素化ナトリウムの存在下で、５０℃〜反応
混合物の沸点、例えば８０〜１００℃で、酸アミド、例
えばジメチルホルムアミドの中で実施され、そしてその
後の加水分解の際、１−ヒドロキシ−又は１−メルカプ
ト−低級アルキレン基の形成が伴う）、又は２個の隣接
炭素原子に結合したアザ（−ＮＨ−）（これはアルキル
化の際に反応するアジランを形成し、そのアルキル化
は、特に強塩基、例えばリチウムジイソプロピルアミ
ド、ナトリウムアミド、又は特に水素化ナトリウムの存
在下で、５０℃〜反応混合物の沸点、例えば８０〜１０
０℃で、酸アミド、例えばジメチルホルムアミドの中で
実施され、そしてその後の加水分解の際、１−アミノ−
低級アルキレン基が形成される）である。
【００９４】反応は好ましくはＡ1 及びＡ2 の代りに水
素を有する式IIｂの化合物の式VIIの化合物との反応に
ついて好ましい前述した反応条件のもとで実施する。
【００９５】式IXの化合物は好ましくは、Ａ1 及びＡ2
の代りに水素原子を有する式IIｂの化合物に対して当モ
ル量で又は過剰量で、特に１〜３倍モル量で、例えば１
〜１．５倍モル量で、例えば約１．２倍モル量で利用す
る。この反応のために用いる強塩基は好ましくはＡ1 及
びＡ2 が水素原子である式IIｂの化合物に対して過剰
量、特に２〜１０倍モル量、例えば２〜３倍モル量で利
用する。
【００９６】この反応は離核性基Ｌ1 及びＬ2 が一工程
において本質的に同時に置換される、又は離核性基Ｌ1
及びＬ2 が一連のバッチで連続的に置換されうるように
実施されうる。
【００９７】式IXの化合物において、Ｂは好ましくは、
未置換の低級アルキレンであるか、又は１もしくは数個
の、特に１個の下記の置換基より置換されたアルキレン
であり；ここでその置換基は、低級アルキル；保護型ア
ミノ又はアミノ−低級アルキル、例えばフタルイミド又
はフタルイミド低級アルキル、例えばフタルイミドプロ
ピル又はモノ−低級アルキルアミノもしくはモノ−低級
アルキルアミノ−低級アルキル（それぞれは、例えば低
級アルコキシカルボニル、例えば第三ブトキシカルボニ
ルにより置換され、且つ、モノ−低級アルキル基におい
て未置換であるか、又は前記のように置換されておりそ
して必要ならば、その置換基上で保護されている）；ジ
−低級アルキルアミノ又はジ−低級アルキルアミノ−低
級アルキル（それぞれは、両方のＮ−低級アルキル基に
おいて未置換であるか、又は前記のように置換されてお
り、そして必要ならば、その置換基上で保護されてい
る）；Ｎ−保護型シクロアルキルアミノ又はシクロアル
キルアミノ−低級アルキル；Ｎ−保護型フェニル−低級
アルキルアミノ又はフェニル−低級アルキルアミノ−低
級アルキル；Ｎ−保護型フェニルアミノ又はフェニルア
ミノ−低級アルキル；アシルアミノ又はアシルアミノ−
低級アルキル；ヒドロキシル（Ａ1 及びＡ2 により形成
される置換化低級アルキレンの定義に加えて中間体にお
いて可能）又はヒドロキシ−低級アルキル（ヒドロキシ
ル基は保護されている）；低級アルコキシ又は低級アル
コキシ−低級アルキル（ここで末端低級アルキル基は未
置換であるか又は前記のように置換されている（どのケ
ースにおいても、必要ならば置換基は保護されてい
る）；フェニル−低級アルコキシ又はフェニル−低級ア
ルコキシ−低級アルキル；アシルオキシ又はアシルオキ
シ−低級アルキル；メルカプト又はメルカプト−低級ア
ルキル（メルカプト基は保護形態にある）；低級アルキ
ルチオ又は低級アルキルチオ−低級アルキル（その末端
低級アルキル基は未置換であるか、又は前記のように置
換されている（どのケースにおいても、必要ならば置換
基は保護されている）；フェニル−低級アルキルチオ又
はフェニル−低級アルキルチオ−低級アルキル；アシル
チオ又はアシルチオ−低級アルキル；保護型カルボキシ
ル又はカルボキシル−低級アルキル；エステル化カルボ
キシル又はカルボキシ−低級アルキル；シアノ又はシア
ノ−低級アルキル；オキソ又はオキソ−低級アルキル
（必要ならば、低級アルカノール、特にエタン−１，２
−ジオールによるアセタール形成によって保護され、保
護基は酸、例えば酢酸又は硫酸の存在下で加水分解によ
り常用の工程で脱離されうる）；又はチオキソ又はチオ
キソ−低級アルキル（必要ならば、低級アルキルメルカ
プタン、例えばエタン−１，２−ジチオールによるチオ
アセタール形成によって保護され、保護基は酸、例えば
酢酸又は硫酸の存在下で加水分解により常用の工程で脱
離されうる）である。
【００９８】獲得できうる式IIｂの化合物において、カ
ルボキシル（Ａ1 とＡ2 が一緒となって形成される置換
化低級アルキレンに存在しているカルボキシル又はカル
ボキシ−低級アルキル基において）はカルバモイル、Ｎ
−モノ−もしくはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイ
ル、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル又はＮ−フェニルカル
バモイル（更にはＮ−アリール−及びＮ−アリール−低
級アルキルカルバモイル基）へと、例えばアンモニア、
低級アルキルアミン又はジ低級アルキルアミン、ヒドロ
キシルアミン又はフェニルアミン、又は各ケースの塩と
の、縮合剤、例えばカルボジイミド、例えばジシクロヘ
キシルカルボジイミド又はその極性溶媒の存在下で、極
性有機溶媒、例えば塩素化炭化水素、例えば塩化メチレ
ン又はクロロホルムの中で、又はエーテル、例えばジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン又はジオキサンの中
で、対応のカルボン酸アゾリドを経る反応により獲得で
きうる。このことは、Ａ1 及び／又はＡ2 が一緒になっ
て形成し、且つ、カルバモイル、Ｎ−モノ−又はＮ，Ｎ
−ジ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ−ヒドロキシカル
バモイル及び／もしくはＮ−フェニルカルバモイルによ
り置換された低級アルキレンを有する式IIｂの対応の化
合物を供する。Ａ1 及びＡ2 が一緒になって形成する置
換化低級アルキレンにおける対応のチオカルバモイル置
換基は、カルボキシルから、ハロゲン化カルボニルへ
の、例えば無機酸ハロゲン化物、例えば三塩化燐、五塩
化燐もしくは塩化チオニル、又は有機ハロゲン化物、例
えばオキサリル二塩化物を用いる変換、それに続く例え
ば五塩化燐、硫化水素及びアンモニア、低級アルキルア
ミン又はジ低級アルキルアミン、ヒドロキシルアミン又
はフェニルアミンとの反応により獲得できうる。
【００９９】Ａ1 及びＡ2 により形成される置換化アル
キレンがヒドロキシル及び／又はヒドロキシ−低級アル
キルにより置換されている式IIｂの化合物において、ヒ
ドロキシル基は求核置換により、ヒドラジノ基、ヒドラ
ジノ基であって低級アルキル、アリール及び／もしくは
アリ−低級アルキル基によりＮ−置換されたもの、グア
ジニノ基又はグアジニノ基であって低級アルキル、アリ
ール及び／もしくはアリ−低級アルキル基によりＮ−置
換されたものへと変換されうる。例えばヒドロキシ化合
物は、対応の芳香族スルホン酸によりエステル化された
ヒドロキシルへと、芳香族スルホン酸又はその活性誘導
体との、例えば対応の芳香族スルホニルハロゲン化物、
例えばトルエンスルホニルハロゲン化物、例えばトルエ
ンスルホニル塩化物との、適当な塩基、例えば第三窒素
塩基、例えばトリエチルアミン又はＮ−メチルモルホリ
ンの非存在下又は好ましくは存在下での反応により変換
でき、そしてこのエステルは次にヒドラジン、グアニジ
ン又はその適当な誘導体もしくは塩（保護基が存在して
いてもよい）との求核置換条件下での、好ましくは有機
溶媒、例えばアルコール、例えばメタノール−エタノー
ルもしくはトリフルオロエタノール、ケトン、例えばア
セトン、ニトリル、例えばアセトニトリル、エステル、
例えばエチルアセテート、エーテル、例えばジエチルエ
ーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン又はジオキサン、酸アミド、例えばジメチ
ルホルムアミド、ビスアルカンスルフィン、例えばジメ
チルスルホキシド、アリールアルコール、例えばフェノ
ール、又はそうでなければ水、又はこれらの溶媒の混合
物の好ましくは存在下での、所望するならば不活性有機
溶媒（例えばアリール結合型窒素の反応のため）、例え
ばジメチルホルムアミド又は１，３−ジメチル−３，
４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン
の中での、強塩基、例えばナトリウムアミド又は水酸化
ナトリウムの添加に伴って反応できうる。好都合なら、
存在の保護基を脱離させる。これは、Ａ1 及び／又はＡ
2 がヒドラジノ、一方又は両方の窒素原子が低級アルキ
ル、アリール又はアリール低級アルキルにより置換され
たヒドラジノ、又はグアジニノ、又は１，２もしくは３
個の全ての窒素が低級アルキル、アリール又はアリール
低級アルキルにより置換されたグアジニノより選ばれる
置換基を有する式IIｂの化合物を提供する。
【０１００】Ａ1 及び／又はＡ2 が一緒にシアノ及び／
又はシアノ−低級アルキルにより置換された低級アルキ
レンを形成する式IIｂの化合物において、シアノ基は式
IIｂの化合物におけるカルバモイル又はＮ−低級アルキ
ルカルバモイル基へと、例えばグラフ−リッター反応に
よる部分加水分解により、又はイミノ−低級アルキルエ
ステル塩を介して変換できうる。シアノ中間体の加水分
解の条件は反応がアミドレベルで中断するような状況と
なるように選ばれうる。この目的に特に適切なのは酸に
よる加水分解であり、適当な酸は例えば８０％の硫酸
（熱しながら）、ポリリン酸（１１０〜１５０℃で）、
臭化水素酸／氷酢酸（室温、ギ酸又は溶媒なし）、エー
テル系溶液中のＨＣｌガス、それに続く水又は水性塩酸
の添加、又はハロゲン化硼素である。式IIｂのＮ−モノ
アルキル化アミドもグラフ−リッター反応によって対応
のニトリルから製造できる。この目的のため、ニトリル
を、強酸、好ましくは８５〜９０％の硫酸、又はそうで
なければポリリン酸、ギ酸、三フッ素化硼素又はルイス
酸（ただし塩化アルモニウムを除く）の存在下で、酸性
媒質の中でカーベニウムイオンの形成可能な化合物、即
ち、例えばオレフィン又はアルコールと反応させる。式
IIｂのイミノ−低級アルキルエステルは、例えばシアノ
化合物（塩としての）上へのアルコールの酸触媒化添加
により獲得できる。他方、この添加は塩基、例えばアル
コレート、例えばナトリウムメトキシドによって触媒さ
れうる。例えば窒素塩基、例えばトリエチルアミン又は
Ｎ−メチルモルホリンの存在下で、アルコールの代りに
対応のメルカプタンを使用すると、対応のイミノ−低級
アルキルチオエステルが獲得できる。このイミノ−低級
アルキルエステルから、カルバモイル誘導体が獲得で
き、そして対応のチオカルバモイル誘導体はイミノ−低
級アルキルチオエステルから、約８０℃以上の温度での
イミノエステル塩の熱分解によるピンナー分解によって
獲得できる。このチオカルバモイル化合物はシアノ基を
硫化水素と、部分加水分解に類似して、例えば第三アミ
ン、例えばトリエチルアミンの存在下で直接反応させる
ことによっても獲得できる。
【０１０１】Ａ1 及び／又はＡ2 一緒になって形成する
置換化低級アルキレンが、アミジノ又はアミジノ−低級
アルキルであって窒素原子が低級アルキル、アリール及
びアリール低級アルキルから選ばれる２個までの基によ
り置換されたものである式IIｂの化合物は、対応のイミ
ノ−低級アルキルエステル又はイミノ−低級アルキルチ
オエステル前駆体（酸付加塩として、例えば前記のよう
に対応のシアノ又はシアノ低級アルキル出発材料から製
造される −（Ｃ＝ＮＨ）−ＯＣ2 Ｈ5 ・ＨＣｌ又は−Ｃ（＝Ｎ
Ｈ）−ＳＣ2 Ｈ5 ・ＨＩ）をアンモニア又は適当な第一
もしくは第二低級アルキルアミン、アリールアミンもし
くはアリール−低級アルキルアミンと反応させることに
より調製できる。対応のシアノ前駆体は遊離モノ−又は
ジ−置換化アミジンへと、第一又は第二アンモニウム
塩、例えばハロゲン化第一又は第二アンモニウムとの反
応により変換できうる。Ａ1 及び／又はＡ2 が、アリー
ル、アリール低級アルキル又は低級アルキルにより両窒
素原子が置換されているアミジノ又はアミジノ−低級ア
ルキルを有する式IIｂの化合物は、低級アルキル、アリ
ール又はアリール−低級アルキルによりＮ−置換された
カルバモイルを有する式IIｂの化合物（これは低級アル
キルカルバモイルについて前述した手順に類似して製造
できる）から、例えばＰＯＣｌ3 又はＰｌｌ5 と反応さ
せて対応のイミジッククロリド（例えば−（Ｃ＝ＮＨ−
低級アルキル）−Ｃｌ）を供することで調製できる（こ
れは、アンモニアとの、又は第一もしくは第二アミンと
の反応の後に式IIｂの置換化アミジンをもたらす）（Ｃ
ｈｅｍ．Ａｂｓｔｒ．８１，９１１８６ａ（１９７４）
を参照のこと）。
【０１０２】獲得できうる式IIｂの化合物において、ア
ミノ及び／又はアミノ−低級アルキル基に存在している
アミノ基は（これはＡ1 及びＡ2 が一緒になって形成す
る置換化低級アルキレンの置換基である）、ウレイドも
しくはウレイド−低級アルキル、又はウレイドもしくは
ウレイド−低級アルキル（それぞれは低級アルキル、ア
リール及びアリール低級アルキルより選ばれる１個の基
により一方又は両方の窒素原子が置換されている）へ
と、Ｎ−モノ−低級アルキルアミノ−低級アルキル又は
アリールアミノ−低級アルキルもしくはアリール低級ア
ミノ−低級アルキルがアミノに置き代っているようなア
ミノ基がある式IIｂの対応のアミノ化合物（これは例え
ば、Ａ1 及びＡ2 が一緒になって形成する置換化低級ア
ルキレンが、例えば芳香族スルホニルハロゲン化物、例
えばトリエンスルホニル塩化物との反応によりエステル
化によって離核性基、例えば芳香族スルホニルオキシへ
と変換されるヒドロキシルを含む式IIｂの化合物を、Ａ
1 及びＡ2 の代りに水素を有する式IIｂの化合物の反応
と同様にして、アリールアミンもしくはアリール低級ア
ルキルアミンのいづれかを有する離核性芳香族スルホニ
ルオキシの求核置換を有する式VII の化合物と反応させ
ることにより作られうる）を、低級アルキルイソシアネ
ート、アリールイソシアネート又はアリール低級イソシ
アネート又はＮ−保護型イソシアネート（例えばベンジ
ルイソシアネート）と、好ましくはエーテル、例えば環
状エーテル、例えばテトラヒドロフランの中で、好まし
くは−２０〜６０℃の温度で、特にほぼ室温で反応させ
ることにより変換でき、ここで反応に関与しない官能基
は必要ならば保護し、そして存在する保護基は適当な反
応工程で脱離させる。
【０１０３】同様にして、式IIｂの化合物の中のＡ1 及
び／又はＡ2 において置換基として存在しているアミノ
基はチオウレイド又は一方もしくは両方の窒素原子が低
級アルキル、アリール、アリール低級アルキルから選ば
れる１個の基により置換されたチオウレイドへと、イソ
シアネートの代りに対応のチオイソシアネートを用いる
ことにより変換できる。
【０１０４】Ａ1 及び／又はＡ2 が一緒になって形成す
る置換化低級アルキレンにおける置換基として、ウレイ
ド及び／又はウレイド−低級アルキル（それぞれは低級
アルキル、アリール及びアリール低級アルキルより選ば
れる２個の基により末端窒素が置換されている）を有す
る式IIｂの化合物は、例えば式IIｂの対応のアミノ化合
物をホスゲン又はその類似体、例えばＮ，Ｎ′−カルボ
ニルジアゾリド、例えばＮ，Ｎ′−カルボニルジイミダ
ゾールと反応させ（Ｈ．Ａ．Ｓｔａａｂ，Ａｎｇｅｗ．
Ｃｈｅｍ．７４，４０７−４２３（１９６２））、次い
で得られるクロロカルボニルアミノ又はアゾリドカルボ
ニルアミノ化合物を、低級アルキル、アリール及びアリ
ール低級アルキルより選ばれる２個の基により置換され
たアンモニアと反応させるか、又は反対に、対応の式II
ｂのアミノ化合物を、低級アルキル、アリール及びアリ
ール低級アルキルより選ばれる２個の基により置換され
たアンモニアと、ホスホゲン又はその類似体、例えば
Ｎ，Ｎ′−カルボニルジアゾリド、例えばＮ，Ｎ′−カ
ルボニルジイミダゾールとの反応生成物と反応させ、類
似置換されたウレイド化合物を獲得することにより製造
できうる。この反応は好ましくは不活性溶媒の中で、特
に塩素化炭化水素、例えば塩化メチレン又はクロロホル
ム、エーテル、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロ
フラン又はジオキサン、又は酸アミド、例えばジメチル
ホルムアミドの中で、−２０℃〜還流温度、特に０〜３
０℃で行われる。式IVのアミノの化合物の代りに、モノ
−低級アルキルアミノ、アリールアミノ及び／又はアリ
ール−低級アルキルアミノがある類似体を用いると、ウ
レイド基の２個の窒素原子上に低級アルキル、アリール
及び／又はアリール−低級アルキルより選ばれる３個ま
で置換基を有する式IIｂの対応の化合物を獲得すること
が可能ともなる。
【０１０５】Ａ1 及び／又はＡ2 が例えば低級アルキ
ル、アリール及びアリール低級アルキルより選ばれる２
個の基により末端窒素原子（Ａ1 とＡ2 により形成され
る置換化低級アルキレンの置換基として）上で置換され
ているチオウレイド−低級アルキルを含む式IIｂの化合
物は類似の方法で、例えば式IIｂの対応のアミノ−低級
アルキル化合物を、チオホスホゲン又はその類似体、例
えばＮ，Ｎ′−チオカルボニルジアゾリド、例えばＮ，
Ｎ′−チオカルボニルジイミダゾール（Ｈ．Ａ．Ｓｔａ
ａｂ，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．７４，４０７−４２３
（１９６２）を参照）と反応させ、次いで得られるクロ
ロチオカルボニルアミノ又はアゾリドチオカルボニルア
ミノ化合物を、低級アルキル、アリール及びアリール低
級アルキルより選ばれる２個の基により置換されたアン
モニアと反応させるか、又は反応に、対応の式IIｂのア
ミノ化合物を、低級アルキル、アリール及び／もしくは
アリール低級アルキルより選ばれる２個の基により置換
されたアンモニアと、チオホスゲン又はその類似体、例
えばＮ，Ｎ′−チオカルボニルジアゾリド、例えばＮ，
Ｎ′−チオカルボニルジイミダゾールとの反応生成物と
反応させることにより製造できる。
【０１０６】ヒドロキシ及び／又はヒドロキシ−低級ア
ルキル（Ａ1 及びＡ2 により形成される置換化低級アル
キレンの置換基として）を有する式IIｂの化合物は酸化
されて対応のオキソ化合物となる。第一アルコールの場
合、これは選択的酸化剤、例えば水性溶媒中のカリウム
フェレート（Ｋ2 ＦｅＯ4 ）及び有機溶媒中の二酸化マ
ンガン、第三ブチルクロメート、ピリジウムジクロメー
ト又は特に不活性有機溶媒中の、例えば塩素化炭化水
素、例えばジクロロメタン又はクロロホルム中のピリジ
ニウム クロロクロメートの利用を必要とする。この反
応は好ましくは−２０℃〜還流温度、例えば０〜４０℃
で行われる。第二アルコールの場合、酸化は選択性の低
い酸化剤、例えばクロム酸、ジクロメート／硫酸、ジク
ロメート／氷酢酸、硝酸、二酸化マンガン、二酸化セレ
ン又はジメチルスルホキシドにより、オキサリルクロリ
ドの存在下で行われうる。これはＡ1 及びＡ2 が一緒に
なって形成する置換化低級アルキレンがオキソで置換さ
れている式IIｂの化合物をもたらす。
【０１０７】イミノ、低級アルキルアミノ、アシルイミ
ノ、ヒドロキシイミノ、低級アルコキシイミノ、ヒドラ
ゾノ、Ｎ−モノ−もしくは、Ｎ，Ｎ−ジ−低級アルキル
ヒドラゾノ及び／もしくはＮ−アシルヒドラゾノより選
ばれる１もしくは数個の置換基又はこれらにより置換さ
れた低級アルキルを（Ａ1 及びＡ2 により形成される置
換化低級アルキルに）含む式IIｂの化合物は、対応の式
IIｂのオキソ化合物から、オキソ化合物の単離の後に、
又は好ましくはそれらを直接粗生成物の状態で、例えば
ヒドロキシ化合物の酸化（これは好ましくは前記の通り
に実施する）がオキソ化合物を供するように溶媒を除去
するために部分的にエパレーションした後に製造でき
る。
【０１０８】オキソ化合物は対応のイミノ誘導体へと、
アンモニア、低級アルキルアミン、ヒドロキシルアミ
ン、低級アルコキシアミン、ヒドラジン、Ｎ−モノ−も
しくはＮ，Ｎ−ジ−低級アルキルヒドラジン及びＮ−ア
シルヒドラジンより成る系列から選ばれる窒素塩基との
反応により変換されうる。その反応条件はカルボニル化
合物と窒素塩基との反応において慣用される条件に相当
し、窒素塩基は、例えば酸、例えばハロゲン水素酸、例
えばフッ素化水素酸、塩酸、臭化水素酸又はヨウ素化水
素酸、特に好ましくは塩酸の塩として、硫酸もしくは硫
酸水素の塩として、例えば硫酸水素アルカリ金属、例え
ば硫酸水素ナトリウム、リン酸の、リン酸水素の塩とし
て、又はリン酸二水素の塩として、例えばリン酸水素ア
ルカリ金属又はリン酸二水素、例えばリン酸水素ナトリ
ウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸水素カリウム又
はリン酸水素二カリウム、又は有機酸、特にカルボン酸
との塩、例えば低級アルカンカルボン酸であって低級ア
ルキル基が未置換のもの、又は好ましくはハロゲン、例
えばフッ素又はヨウ素により置換されたもの、例えば酢
酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸又はトリフルオロ−もし
くはトリクロロ酢酸、又はスルホン酸、例えば低級アル
キルスルホン酸、例えばメタンスルホン酸、エタンスル
ホン酸又はエタンジスルホン酸、又はアリールスルホン
酸、例えばベンゼン−もしくはナフタレンスルホン酸又
はナフタレン−１，５−ジスルホン酸との塩として利用
される；上記の窒素塩基と酸との塩は、特に揮発性な弱
酸、例えば低級アルカンカルボン酸、例えば酢酸、又は
特に炭酸又は炭酸水素から、強酸、例えば硫酸又は主と
して上記のハロゲン化水素酸のいづれかにより、弱酸を
置き換えることによってその場でのみ作ることも可能で
ある。反応は水の中で（界面活性剤の存在又は非存在下
で）、水性溶媒混合物、例えば水と１もしくは数種のア
ルコール、例えばメタノール、エタノールもしくはイソ
プロパノールとの混合物、ジ低級アルキルスルホキシ
ド、例えばジメチルスルホキシド、又はジ低級アルキル
低級アルカノイルアミド、例えばジメチルホルムアミ
ド、有機溶媒、例えばアルコール、例えばメタノール又
はエタノール、ジ低級アルキルスルホキシド、例えばジ
メチルスルホキシド、ジ低級アルキル低級アルカノイル
アミド、例えばジメチルホルムアミドの中で、又は十分
に不活性なニトリル、例えばアセトニトリルの中で、か
かる有機溶媒の混合物の中で、又は溶媒のない溶融物に
おいて、好ましくはアルコール系溶液、例えばメタノー
ル、エタノールの中で、又は特にイソプロパノールの中
で行われる。温度は好ましくは−２０℃〜溶媒の存在下
での反応混合物の還流温度、溶融物においては２２０℃
まで、特に溶媒の存在下では０〜５０℃の温度、特にほ
ぼ室温とする。
【０１０９】アシルイミノ又はアシルイミノ−低級アル
キルを（Ａ1 及びＡ2 により形成される置換化低級アル
キレンの置換基として）有する式IIｂの化合物は、対応
のイミノ化合物から、それらを、アシル基を含む遊離酸
と、例えば縮合剤、例えばカルボジイミド、例えばジシ
クロヘキシルカルボジイミドの存在下において、又はそ
れらを、その活性化酸誘導体、例えばカルボン酸ハロゲ
ン化物と、必要ならば適当な塩基、例えば既に定義した
第三アミンの存在下で、好ましくは水分なして反応させ
ることにより獲得できる。
【０１１０】Ａ1 及び／又はＡ2 により形成される低級
アルキレンが低級アルキルチオイミノ置換基を有する式
IIｂの化合物は、式IIｂの適当なイミノ出発材料を、低
級アルキルスルフェニルハロゲン化物（これは、例えば
ハロゲン化水素を有するスルフェン酸から、又は適当な
有機硫黄化合物のクロロ分解、ブロモ分解又はヨード分
解により調製でき、その調製はその場で実施されること
も可能である）、特に低級アルキルスルフェニルハロゲ
ン化物、例えばメチルスルフェニル塩化物と、好ましく
はイミノ化合物の塩を用いながら、又はアルカリ金属水
酸化物、例えば水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウ
ムの存在下で、好ましくは有機溶媒、例えば炭化水素、
例えばヘプタン、エーテル、例えばジエチルエーテル、
ジオキサン又はテトラヒドロフラン、又はカルボキサミ
ド、例えばジメチルホルムアミドの中で、好ましくは０
℃〜還流温度、特に０℃〜３０℃で反応させることによ
り製造できうる。
【０１１１】獲得できうる式IIｂの化合物は、好ましく
は例えば酸性又はアルカリ媒質の中での加水分解により
式IIの化合物を供する。式IIｂの化合物の加水分解は好
ましくはヒドロキシ塩基の水性アルコール溶液、例えば
アルカリ金属水酸化物、例えば水酸化ナトリウム又は水
酸化カリウムの、水とエタノール又はメタノールとの混
合物中の溶液の中で、好ましくは０℃〜課題の反応混合
物の還流温度、特に約４０℃〜還流温度で実施される。
無酸素で、例えば保護ガス、例えばアルゴン又は窒素下
で反応を実施することが特に好ましい。
【０１１２】残りの出発材料は公知であるか、又は市販
されているかもしくは公知の方法で製造されうる。
【０１１３】式IIのカルボン酸無水物は好ましくは次式
IIｃの中間無水物である；
【化１２】 （式中、Ａ1 ，Ａ2 ，Ａｒ1 及びＡｒ2 は式Ｉに定義の
通りである）。これらの無水物は式Ｉの化合物（特に、
ＸがＯ、Ｙがアミノ、置換化アミノ、置換化低級アルコ
キシ又は未置換もしくは置換アルキルチオ、そしてＺが
カルボキシルである化合物）の製造のために式III の化
合物との反応に適切である。この反応は好ましくは不活
性溶媒、例えばエーテル、例えばジ−低級アルキルエー
テル、例えばジエチルエーテル、又は環状エーテル、例
えばジオキサン又はテトラヒドロフランの中で、０℃〜
還流温度、好ましくは２０〜６０℃、例えば約５０℃で
実施される。
【０１１４】式IIｃの内部無水物は好ましくは式IIの遊
離ジカルボン酸から、次式Ｘの酸無水物 Ｒ3 −（Ｃ＝Ｏ）−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−Ｒ3 ′ （Ｘ） （式中、Ｒ3 及びＲ3 ′は互いに独立して水素又は低級
アルキルであるが、その２個の基は同時に水素であって
はいけない）、特に酢酸無水物との反応により製造され
うる。
【０１１５】式IIのジカルボン酸の環状イミドは好まし
くは次式IIｄである
【化１３】 （式中、Ａ1 ，Ａ2 ，Ａｒ1 及びＡｒ2 は式Ｉに定義の
通りである）。これらの化合物は、ＸがＯ、Ｙがアミノ
そしてＺが遊離もしくはエステル化カルボキシルである
式Ｉの化合物（Ｗ3 がエステル化カルボキシルＺの製造
のために適する相補基である式IVの化合物又は水との反
応による）；又はＸがＯ、Ｙが置換化低級アルコキシも
しくは置換化低級アルキルチオそしてＺがカルバモイで
ある式Ｉの化合物（Ｗ1 が置換化低級アルコキシ又は置
換化低級アルキルチオである式IIIの化合物との反応に
よる）の製造のために特に適する。この反応は好ましく
は非プロトン溶媒、例えばエーテル、例えばジエチルエ
ーテル、ジオキサン又はテトラヒドロフランの存在下
で、又は利用する式III 又はIVの化合物が反応温度で液
状ならその非存在下で、高温、例えば５０℃〜還流温
度、特に５０〜６５℃で行われる。水を利用するなら
（加水分解）、その反応は好ましくは水性溶媒、例えば
水性エーテル、例えば水／ジオキサン又は水／テトラヒ
ドロフランの中で、０〜５０℃、特にほぼ室温で、ヒド
ロキシ塩基、例えばアルカリ金属水酸化物、例えば水酸
化ナトリウム又は水酸化カリウムの存在下で行う。
【０１１６】式IIｄの化合物は本質的に公知の方法によ
り、例えばＲ1 及びＲ2 が低級アルキル、例えばメチル
である式IIｂの化合物をアンモニアと反応させることに
より製造されうる。この反応は公知のフタル酸ジエステ
ルとアンモニアとのアミノ分解に類似し、そしてほとん
どの場合高温でのみ進行する。特に好ましいのは、溶
媒、特に高沸点アルコール、例えばジオール、例えばエ
チレングリコールの中での、１００〜１５０℃、例えば
約１２０℃の温度での、アンモニアをこの混合物に通す
反応；又は低級アルキルエステルの同じ温度での、アン
モニア及び溶媒、例えばアルコール、例えば低級アルカ
ノール、例えばメタノール又はエタノールの存在下で
の、又は更に溶媒の非存在下での、高圧のオートクレー
ブの中での反応である。
【０１１７】式III の化合物において、Ｗ1 は、対応の
基Ｙについて定義し通り、未置換もしくは置換化アミ
ノ、未置換もしくは置換化低級アルキシ、又は置換化低
級アルキルチオである。
【０１１８】式IVの化合物において、エステル化カルボ
キシル又はアミド化カルボキシルＺの製造のために適す
る相補基は、Ｚについて定義した対応の基から、カルボ
ニル基、例えば低級アルコキシもしくは低級アルキルチ
オ（ここでこの低級アルキル基は未置換であるか、又は
ヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキ
シ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級
アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、
低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級ア
ルキルスルホニル、カルボキシル、低級アルコキシカル
ボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイ
ル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び／又はシ
アノにより−もしくは二置換されている）；又はアリー
ルオキシ、アリールチオアリール−低級アルコキシもし
くはアリール−低級アルキルチオ（このアリールは前記
に定義した通りである）；アミノ；Ｎ−モノ−もしくは
Ｎ，Ｎ−ジ−低級アルキルアミノ（この低級アルキルは
未置換であるか、又はヒドロキシル、低級アルコキシ、
フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハ
ロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキル
アミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキル
スルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボキシ
ル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低
級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカル
バモイル及び／又はシアノにより置換されている）、又
はＮ−シクロアルキルアミノ、Ｎ−フェニル−低級アル
キルアミノ、フェニルアミノ、ヒドラジノ、ヒドラジノ
であってその一方又は両方の窒素原子が低級アルキル
（これは未置換であるか、又はヒドロキシル、低級アル
コキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオ
キシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級
アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級
アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カル
ボキシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、
Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキ
ルカルバモイル及び／又はシアノにより置換されてい
る）により置換されているヒドラジノ、又はアリールも
しくはアリール低級アルキル（このアリールは特に未置
換のフェニルか、又は前記のように置換されたフェニル
である）、ヒドロキシアミノ、低級アルコキシアミノ
（その低級アルキル基は未置換であるか、又はヒドロキ
シル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級
アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキル
アミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アル
キルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルス
ルホニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、
カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ
−ジ低級アルキルカルバモイル及び／又はシアノにより
置換されている）、又は低級アルキレンアミノもしくは
低級アルキレンアミノであって−Ｏ−，−Ｓ−もしくは
−ＮＲ′−（前記に定義の通り）により中断されている
ものの除去により形成され、ここで環炭素原子は課題の
ヘテロ基により交換される。
【０１１９】前述した通り、アシル化剤として用いられ
る少なくとも１個の遊離カルボキシル基を有する式IIの
カルボン酸又はその誘導体はその場で形成もされうる。
例えば、Ｎ，Ｎ′−ジ置換化アミジノエステルは、式II
I 又はIVの出発材料と式II又は式IIｂの酸（その基Ｚ1
又はＺ2 の一方は、アシル化剤として用いられるヒドロ
キシルである）との混合物を、Ｎ，Ｎ′−ジ置換化カル
ボジイミド、例えばＮ，Ｎ′−シクロヘキシルカルボジ
イミドの存在下で、例えば適当な塩基、例えばトリエチ
ルアミンの存在下で反応させることによりその場で形成
されうる。更に、アシル化剤として利用される酸のアミ
ノエステル又はアミドエステルは、課題の酸及びアミノ
出発材料の混合物をＮ，Ｎ′−ジ置換化カルボジイミ
ド、例えばＮ，Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボジイミド
及びＮ−ヒドロキシアミン又はＮ−ヒドロキシアミド、
例えばＮ−ヒドロキシスクシニミドの存在下で、適切な
ら適当な塩基、例えば４−ジメチルアミノピリジンの存
在下での反応により、アシル化すべき式III 又はIVの出
発材料の存在下において形成されうる。更に、その場で
の活性化はＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラアルキルウロニ
ウム化合物、例えばＯ−ベンゾトリアゾール−１−イル
−Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルウロニウムヘキサ
フルオロホスフェートとの反応により達成されうる。最
後に、式IIのカルボン酸のリン酸無水物は、アルキルリ
ン酸アミド、例えばヘキサメチルリン酸アミドを、スル
ホン酸無水物、例えば４−トルエンスルホン酸無水物の
存在下で、塩、例えばテトラフルオロボレート、例えば
ナトリウムテトラフルオロボレートと、又はその他のヘ
キサメチルリン酸トリアミドの誘導体、例えばベンゾト
リアゾル−１−イルオキシトリス（ジメチルアミノ）ホ
スホニウムヘキサフルオリドと、好ましくはＮ−ヒドロ
キシベンゾトリアゾールの存在下で反応させることによ
りその場で製造されうる。
【０１２０】本反応は、それ自体既知の反応条件下で、
慣用温度で、不活性溶媒又は希釈剤の存在中で、特に上
記の式（III ）のカルボン酸を活性化するために低級ア
ルカノイル酸無水物が使用されるときは、その非存在中
で、例えば、酸アミド、例えば、カルボン酸アミド、例
えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド又
は１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−
２（１Ｈ）−ピリミジノン（ＤＭＰＵ）中で、又は無機
酸のアミド、例えば、ヘキサメチル燐酸トリアミド、エ
ーテル、例えば、環状エーテル、例えば、テトラヒドロ
フラン又はジオキサン、又は非環状エーテル、例えば、
ジエチルエーテル又はエチレングリコールジメチルエー
テル、ハロゲン化炭化水素、例えば、ハロ−低級アルカ
ン、例えば、塩化メチレン又はクロロホルム、ケトン、
例えば、アセトン、ニトリル、例えば、アセトニトリ
ル、酸無水物、例えば、無水酢酸、エステル、例えば、
酢酸エチル、ビスアルカンスルフィン、例えば、ジメチ
ルスルホキサイド、窒素複素環、例えば、ピリジン、又
はこれらの混合溶媒、特に無水の溶媒又は混合溶媒中
で、上記の反応のために、それぞれの場合に好適な特定
の溶媒を選ぶことを可能にしながら、適切及び好都合な
ものとして、使用された化合物の塩、特に使用されたカ
ルボン酸の金属塩、例えば、アルカリ金属又はアルカリ
土類金属塩、例えば、ナトリウム又はカリウム塩を使用
しながら、触媒、縮合剤又は中和剤の非存在又は存在中
で、そしてその反応及び／又は反応基質の性質に依存し
て、大気圧下又は密閉容器中で、正常圧又は昇圧下、例
えば、密閉管内の反応条件下の反応混合物内で生じた圧
力で、そして／又は不活性雰囲気中で、例えば、アルゴ
ン又は窒素雰囲気中で、行なわれることができる。本例
の中に記す反応条件に類似するものが好ましい。さら
に、アシル化剤、例えば、カルボン酸ハライド又はカル
ボン酸無水物が、それ自体溶媒として役立つことができ
る。反応経過は、有利には、慣用の分析方法を使用し
て、特に薄層クロマトグラフィーを使用して監視でき
る。
【０１２１】記載の全ての出発材料（即ち、出発物質又
は中間体）は所望するならば、記載の反応に関与しない
官能基上で保護されていてよく、そしてこの保護基は適
宜脱離させる。保護基を有する得られる式Ｉの化合物は
保護基の脱離によって式Ｉの化合物へと変換されうる
か、又は下記の追加の工程手順に付されうる。
【０１２２】出発物質中の官能基のための保護基であっ
て、その反応が避けられるべきもの、特にカルボキシ、
アミノ、ヒドロキシル、メルカプト及びスルホ基は、特
に、ペプチド化合物の合成において、そしてまた、セフ
ァロスポリン及びペニシリン並びに核酸誘導体及び糖類
の合成において、慣習的に使用されるような保護基（慣
用保護基）を含む。これらの保護基は、既にその前駆体
として存在してもよいし、そして不所望の副反応、例え
ば、アシル化、エーテル化、エステル化、酸化、ソリボ
リシス等に対し、問題の官能基を保護することを意図さ
れている。特定の場合においては、保護基は、反応が選
択的に、例えば立体選択的に進行することを追加的に引
き起こす。それらが、簡単に、すなわち不所望の副反応
を引き起こすことなく、例えば、ソリボリシス、還元、
光分解により、そしてまた酵素的に、例えば、生理学的
な条件の下でも、除去され得ることが、保護基の特徴で
ある。最終製品中に存在しない基だけを、保護基と称す
る。
【０１２３】上記のような保護基による官能基の保護、
保護基それ自体及びそれらの除去反応は、例えば、標準
的な研究、例えば、Ｊ．Ｆ．Ｗ．ＭｃＯｍｉｅ，″Ｐｒ
ｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｅｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎ
ｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ″，Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓ
ｓ，Ｌｏｎｄｏｎ ａｎｄ Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ １９７
３，ｉｎ Ｔｈ．Ｗ．Ｇｒｅｅｎｅ，″Ｐｒｏｔｅｃｔ
ｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｅｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙ
ｎｔｈｅｓｉｓ″，Ｗｉｌｅｙ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ １
９８１，ｉｎ″Ｔｈｅ Ｐｅｐｔｉｄｅｓ″，Ｖｏｌｕ
ｍｅ ３（Ｅ．Ｇｒｏｓｓ ａｎｄ Ｊ．Ｍｅｉｅｎｈ
ｏｆｅｒ，ｅｄｓ．），Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓ
ｓ，Ｌｏｎｄｏｎ ａｎｄ Ｎｅｗ ｙｏｒｋ １９８
１，ｉｎ″Ｍｅｔｈｏｄｅｎ ｄｅｒ ｏｒｇａｎｉｓ
ｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉｅ″，Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌ，
４ｔｈ ｅｄｉｔｉｏｎ，Ｖｏｌｕｍｅ １５／Ｉ，Ｇ
ｅｏｒｇ Ｔｈｉｅｍｅ Ｖｅｒｌａｇ，Ｓｔｕｔｔｇ
ａｒｔ １９７４，ｉｎＨ．−Ｄ．Ｊａｋｕｂｋｅ ａ
ｎｄ Ｈ．Ｊｅｓｃｈｅｉｔ，″Ａｍｉｎｏｓａｅｕｒ
ｅｎ，Ｐｅｐｔｉｄｅ，Ｐｒｏｔｅｉｎｅ″（″アミノ
酸、ペプチド、蛋白質″），Ｖｅｒｌａｇ Ｃｈｅｍｉ
ｅ，Ｗｅｉｎｈｅｉｍ，Ｄｅｅｒｆｉｅｌｄｂｅａｃｈ
ａｎｄ Ｂａｓｌｅ １９８２，ａｎｄ ｉｎ Ｊｏ
ｃｈｅｎ Ｌｅｈｍａｎｎ，″Ｃｈｅｍｉｅ ｄｅｒ
Ｋｏｈｌｅｎｈｙｄｒａｔｅ：Ｍｏｎｏｓａｃｃｈａｒ
ｉｄｅ ｕｎｄ Ｄｅｒｉｖａｔｅ″（″炭水化物の化
学：単糖類及び誘導体″），Ｇｅｏｒｇ Ｔｈｉｅｍｅ
Ｖｅｒｌａｇ，Ｓｔｕｔｔｇａｒｔ １９７４の中に
記載されている。
【０１２４】カルボキシル基は、例えば、温和な条件下
で選択的に解裂されることができるエステル基の形態で
保護される。エステル形態で保護されたカルボキシル基
は、特に、好ましくはその低級アルキル基の１−位で枝
分かれしているか又は好適な置換基によりその低級アル
キル基の１−若しくは２−位で置換されている低級アル
キル基によりエステル化される。低級アルキル基により
エステル化された保護カルボキシル基は、例えば、メト
キシカルボニル又はエトキシカルボニルである。その低
級アルキル基の１−位で枝分かれしている低級アルキル
基によりエステル化された保護カルボキシル基は、例え
ば、ｔｅｒｔ−低級アルコキシカルボニル、例えば、ｔ
ｅｒｔ−ブトキシカルボニルである。
【０１２５】好適な置換基によりその低級アルキル基の
１−若しくは２−位で置換されている低級アルキル基に
よりエステル化され保護カルボキシル基は、例えば、１
若しくは２つのアリール基をもつアリールメトキシカル
ボニルであって、アリールが置換されていないか又は例
えば、低級アルキル、例えば、第三低級アルキル、例え
ば、ｔｅｒｔ−ブチル、低級アルコキシ、例えば、メト
キシ、ヒドロキシ、ハロゲン、例えば、塩素、及び／又
はニトロにより、モノ−、ジ−若しくはトリ−置換され
たフェニルであるもの、例えば、ベンジルオキシカルボ
ニル、上記の置換基により置換されたベンジルオキシカ
ルボニル、例えば、４−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル又は４−メトキシ−ベンジルオキシカルボニル、ジフ
ェニルメトキシカルボニル又は上記の置換基により置換
されたジフェニルメトキシカルボニル、例えば、ジ（４
−メトキシフェニル）メトキシカルボニル、そしてま
た、低級アルキル基によりエステル化されたカルボキシ
であって、低級アルキル基が好適な置換基により１−若
しくは２−位で置換されているもの、例えば、１−低級
アルコキシ−低級アルコキシカルボニル、例えば、メト
キシメトキシカルボニル、１−メトキシエトキシカルボ
ニル又は１−エトキシエトキシカルボニル、１−低級ア
ルキルチオ−低級アルコキシカルボニル、例えば、１−
メチルチオメトキシカルボニル又は１−エチルチオエト
キシカルボニル、アロイルメトキシカルボニルであっ
て、アロイル基が置換されていないか又は例えば、ハロ
ゲン、例えば、臭素により置換されているベンゾイルで
あるもの、例えば、フェナシルオキシカルボニル、２−
ハロ−低級アルコキシカルボニル、例えば、２，２，２
−トリクロロエトキシカルボニル、２−ブロモエトキシ
カルボニル又は２−ヨードエトキシカルボニル、並びに
２−（トリ−置換シリル）−低級アルコキシカルボニル
であって、置換基が互いに独立した脂肪族の、アラリフ
ァティック（ａｒａｌｉｐｈａｔｉｃ）の、環脂肪族の
又は芳香族の炭化水素（置換されていないか又は例え
ば、低級アルキル、低級アルコキシ、アリール、ハロゲ
ン及び／又はニトロにより置換されている）、例えば、
低級アルキル、フェニル−低級アルキル、それぞれが置
換されていないか又は上記のように置換されたシクロア
ルキル又はフェニルであるもの、例えば、２−トリ−低
級アルキルシリル−低級アルコキシカルボニル、例え
ば、２−トリ−低級アルキルシリルエトキシアルボニ
ル、例えば、２−トリメチル−シリルエトキシカルボニ
ル又は２−（ジ−ｎ−ブチル−メチル−シリル）−エト
キシカルボニル、又は２−トリアリールシリルエトキシ
カルボニル、例えば、トリフェニルシリルエトキシカル
ボニルである。
【０１２６】カルボキシル基は、有機シリルオキシカル
ボニル基の形態でも保護される。有機シリルオキシカル
ボニル基は、例えば、トリ−低級アルキルシリルオキシ
カルボニル基、例えば、トリメチルシリルオキシカルボ
ニルである。このシリルオキシカルボニル基の珪素原子
は、２つの低級アルキル基、例えば、メチル基、及び式
（Ｉ）の第二分子のアミノ基又はカルボキシル基により
置換されてもよい。このような保護基をもつ化合物は、
例えば、シリル化剤としてジメチルクロロシランを使用
して合成されることができる。カルボキシル基は、その
分子内で、そのカルボキシル基から好適な距離にある、
例えば、そのカルボキシル基に対してγ−位にあるヒド
ロキシル基による内部エステルの形態で、すなわち、ラ
クトン、好ましくはγ−ラクトンの形態で、保護されて
もよい。保護カルボキシル基は、好ましくは第三低級ア
ルコキシカルボニル、例えば、第三ブトキシカルボニ
ル、ベンジルオキシカルボニル、４−ニトロベンジルオ
キシカルボニル、９−フルオレニルメトキシカルボニル
又はジフェニルメトキシカルボニルである。
【０１２７】保護カルボキシルは常用の方法、例えば保
護基の上記の標準出版物に述べられている方法で自由と
なる。
【０１２８】例えば、保護されたカルボキシ、例えば、
第三低級アルコキシカルボニル、２−位でトリ置換シリ
ル基により、又は１−位で低級アルコキシにより又は低
級アルキルチオにより置換された低級アルコキシカルボ
ニル、置換されていないか又は置換されたジフェニルメ
トキシカルボニルは、求核化合物、例えば、フェノール
又はアニソールの添加による適切な状態で、好適な酸、
例えば、ギ酸、塩酸又はトリフルオロ酢酸による処理に
より遊離のカルボキシに変換されることができる。置換
されていないか又は置換されたベンジルオキシカルボニ
ルは、例えば、水添分解により、すなわち、金属水素化
触媒、例えば、パラジウム触媒の存在中の水素による処
理により、遊離されることができる。さらに、好適な置
換ベンジルイオキシカルボニル、例えば、４−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルも、還元により、例えば、アル
カリ金属ジチオナイト、例えば、ナトリウム・ジチオナ
イトによる、又は還元金属、例えば亜鉛、還元金属塩、
例えば、クロム（II）塩、例えば、塩化クロム（II）に
よる処理により、又は、上記金属と一緒になって活性水
素を作ることができる水素−産生剤、例えば、酸、特に
好適なカルボン酸、例えば、置換されていないか又は置
換された、例えば、ヒドロキシ−置換された低級アルカ
ンカルボン酸、例えば、酢酸、ギ酸、グリコール酸、ジ
フェニルグリコール酸、乳酸、マンデル酸、４−クロロ
マンデル酸又は酒石酸の存在中で、又はアルコール又は
チオールの存在中で、好ましくは水を添加しながら、遊
離のカルボキシに変換されることができる。
【０１２９】上記の還元金属又は金属塩による処理によ
り、２−ハロ−低級アルコキシカルボニル（適切には、
２−ブロモ−低級アルコキシカルボニル基を対応する２
−ヨード−低級アルコキシカルボニル基に変換した後）
又はアロイルメトキシカルボニルも、遊離のカルボキシ
に変換されることができる。アロイルメトキシカルボニ
ルは、求核剤、好ましくは塩形成剤、例えば、ネトリウ
ム・チオフェノレート又はヨウ化ナトリウムによる処理
によっても解裂されることができる。２−（トリ−置換
シリル）−低級アルコキシカルボニル、例えば、２−ト
リ−低級アルキルシリル−低級アルコキシカルボニル
は、フッ素アニオンを産生するフッ化水素酸の塩、例え
ば、アルカリ金属フルオリド、例えば、フッ化ナトリウ
ム若しくはカリウムによる、適切には、高環状ポリエー
テル（″クラウン・エーテル″）の存在中での処理によ
り、又は有機４級塩基のフルオリド、例えば、テトラ−
低級アルキルアンモニウム・フルオリド又はテトラブチ
ル−アンモニウム・フルオリドによる、ａｐｒｏｔｉｃ
な極性溶媒、例えば、ジメチルスルホキシド又はＮ，Ｎ
−ジメチルアセトアミドの存在中での処理によっても遊
離のカルボキシに変換されることができる。有機シリル
オキシカルボニルの形態で保護されたカルボキシ、例え
ば、トリ−低級アルキルシリルオキシカルボニル、例え
ば、トリメチルシリルオキシカルボニルは、ソリボリシ
スによる慣習的な方法で、例えば、水、アルコール又は
酸、又はさらに、上記のようなフルオリドによる処理に
より遊離されることができる。エステル化されたカルボ
キシも、酵素的に、例えば、エステラーゼ又は好適なペ
プチダーゼにより遊離されることもでき、例えば、エス
テル化アルギニン又はリジン、例えば、リジン・メチル
・エステルは、トリプシンにより遊離される。内部エス
テル、例えば、γ−ラクトンの形態で保護されたカルボ
キシは、ヒドロキシド−含有塩基、例えば、アルカリ土
類金属ヒドロキシド又は特にアルカリ金属ヒドロキシ
ド、例えば、ＮａＯＨ，ＫＯＨ若しくはＬｉＯＨ、特に
ＬｉＯＨの存在中で、その対応する保護ヒドロキシル基
を同時に遊離しながら、加水分解により遊離されること
ができる。
【０１３０】保護アミノ基は、アミノ保護基により、例
えば、アシルアミノ、アリールメチルアミノ、エステル
化メルカプトアミノ、２−アシル−低級アルク−１−エ
ニルアミノ又はシリルアミノ基の形態で、あるいはアジ
ド基の形態で、保護されることができる。
【０１３１】アシルアミノ基においては、アシルは、例
えば、１８までの炭素原子をもつ有機カルボン酸、特に
置換されていないか又は置換された、例えば、ハロ−若
しくはアリール−置換された低級アルカンカルボン酸又
は置換されていないか又は置換された、例えば、ハロ
−、低級アルコキシ−若しくはニトロ−置換された安息
香酸の、又は好ましくは炭酸のセミエステルの、アシル
基である。このようなアシル基は、好ましくは、低級ア
ルカノイル、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニ
ル又はピバロイル、ハロ−低級アルカノイル、例えば、
２−ハロ−アセチル、例えば、２−クロロ、２−ブロモ
−、２−ヨード、２，２，２−トリフルオロ−若しくは
２，２，２−トロクロロ−アセチル、置換されていない
か又は置換された、例えば、ハロ−、低級アルコキシ−
若しくはニトロ−置換されたベンゾイル、例えば、ベン
ゾイル、４−クロロベンゾイル、４−メトキシベンゾイ
ル又は４−ニトロベンゾイル、低級アルコキシカルボニ
ル、好ましくは、その低級アルキル基の１−位で枝分か
れし、又は１−若しくは２−位で好適に置換されている
低級アルコキシカルボニル、例えば、ｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニル、１，２若しくは３つのアリール基をもつ
アリールメトキシカルボニルであって、アリールが置換
されていないか又は例えば、低級アルキル、特に第三低
級アルキル、例えば、第三ブチル、低級アルコキシ、例
えば、メトキシ、ヒドロキシ、ハロゲン、例えば、塩
素、及び／又はニトロにより、モノ−若しくはポリ−置
換されたフェニルであるもの、例えば、ベンジルオキシ
カルボニル、４−ニトロベンジルオキシカルボニル、ジ
フェニルメトキシカルボニル、９−フルオレニルメトキ
シ−カルボニル又はジ（４−メトキシフェニル）メトキ
シカルボニル、アロイルメトキシカルボニルであって、
アロイル基が好ましくは、置換されていないか又は例え
ば、ハロゲン、例えば、臭素により置換されているベン
ゾイルであるもの、例えば、フェナシルオキシカルボニ
ル、２−ハロ−低級アルコキシカルボニル、例えば、
２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル、２−ブロ
モエトキシカルボニル又は２−ヨードエトキシカルボニ
ル、２−（トリ−置換シリル）−低級アルコキシカルボ
ニル、例えば、２−トリ−低級アルキルシリル−低級ア
ルコキシカルボニル、例えば、２−トリメチル−シリル
エトキシカルボニル又は２−（ジ−ｎ−ブチル−メチル
−シリル）−エトキシカルボニル、又は２−トリアリー
ルシリル−低級アルコキシカルボニル、例えば、２−ト
リフェニルシリルエトキシカルボニルである。
【０１３２】アリールメチルアミノ基、例えば、モノ
−、ジ−若しくはトリ−低級アリールメチルアミノ基に
おいては、このアリール基は、特に、置換されていない
か又は置換されたフェニル基である。このような基は、
例えば、ベンジル−、ジフェニルメチル−若しくは特に
トリチル−アミノである。エーテル化されたメルカプト
アミノ基においては、このメルカプト基は、特に、置換
されたアリールチオ又はアリール−低級アルキルチオで
あって、アリールが置換されていないか又は例えば、低
級アルキル、例えば、メチル又は第三ブチル、低級アル
コキシ、例えば、メトキシ、ハロゲン、例えば、塩素、
及び／又はニトロにより、置換されたフェニルであるも
の、例えば、４−ニトロフェニルチオの形態にある。ア
ミノ−保護基として使用されることができる２−アシル
−低級アルク−１−エニル基においては、アシルは、例
えば、低級アルカンカルボン酸の又は置換されていない
か又は例えば、低級アルキル、例えば、メチル又はｔｅ
ｒｔ−ブチル、低級アルコキシ、例えば、メトキシ、ハ
ロゲン、例えば、塩素、及び／又はニトロにより置換さ
れた安息香酸の、又は特に炭酸のセミエステル、例え
ば、炭酸の低級アルキルセミエステルの、それに対応す
る基である。対応する保護基は、特に、１−低級アルカ
ノイル−低級アルク−１−エン−２−イル、例えば、１
−低級アルカノイルプロプ−１−エン−２−イル、例え
ば、１−アセチルプロプ−１−エン−２−イル、又は低
級アルコキシカルボニル−低級アルク−１−エン−２−
イル、例えば、低級アルコキシカルボニルプロプ−１−
エン−２−イル、例えば、１−エトキシカルボニルプロ
プ−１−エン−２−イルである。
【０１３３】シリルアミノ基は、例えば、トリ−低級ア
ルキルシリルアミノ基、例えば、トリメチルシリルアミ
ノ又はｔｅｒｔ−ブチル−ジメチルシリルアミノであ
る。このシリルアミノ基の珪素原子は、ただ２つの低級
アルキル基、例えば、メチル基により、及び式（Ｉ）の
第二分子のアミノ基又はカルボキシル基により、置換さ
れてもよい。このような保護基をもつ化合物は、例え
ば、シリル化剤として、その対応するクロロシラン、例
えば、ジメチルクロロシランを使用して合成されること
ができる。
【０１３４】アミノ基はプロトン化形態への変換によっ
ても保護される；適切なアニオンは主として強無機酸、
例えば硫酸、リン酸又はハロゲン化水素酸、例えば塩化
又は臭化イオン、又は有機スルホン酸、例えばｐ−トル
エンスルホン酸のそれである。
【０１３５】好ましいアミノ−保護基は、低級アルコキ
シカルボニル、フェニル−低級アルコキシカルボニル、
フルオレニル−低級アルコキシカルボニル、２−低級ア
ルカノイル−低級アルク−１−エン−２−イル及び低級
アルコキシカルボニル−低級アルク−１−エン−２−イ
ル、特に第三ブトキシカルボニル及びベンジルオキシカ
ルボニルである。
【０１３６】その他の好ましいアミノ保護基は二価のア
ミノ保護基、例えばモノ−又はジ置換化メチリデン基、
例えば１−低級アルコキシ（例えばメトキシ又はエトキ
シ）−低級アルキリデン（例えばエチリデン又は１−ｎ
−ブチリデン）、例えば＝Ｃ（ＣＨ3 ）（ＯＣ
2 Ｈ5 ）、更には例えば＝Ｃ（ＣＨ3 ）2 又は＝ＣＨ−
フェニル、そして特にビスアシル基、例えば保護すべき
窒素原子と一緒に１Ｈ−イソインドル−１，３（２Ｈ）
−ジオン（フタルイミド基）を形成するフタリル基であ
る。
【０１３７】保護アミノ基は、それ自体既知の、そし
て、その保護基の性質に従った、様々な方法で、好まし
くはソルボリシス又は還元により遊離される。低級アル
コキシカルボニルアミノ、例えば、第三ブトキシカルボ
ニルアミノは、極性溶媒、例えば、水又はカルボン酸、
例えば、酢酸、又はエーテル、好ましくは環状エーテ
ル、例えば、ジオキサン中の、酸、例えば、無機酸、例
えば、ハロゲン化水素の、例えば、塩化水素の又は臭化
水素の特に臭化水素の酸又は硫酸又は燐酸、好ましくは
極性溶媒中の塩化水素の存在中で、解裂されることがで
き、そして２−ハロ−低級アルコキシカルボニルアミノ
（適切には、２−ブロモ−低級アルコキシカルボニル基
を２−ヨード−低級アルコキシカルボニル基に変換した
後）、アロイルメトキシカルボニルアミノ又は４−ニト
ロベンゾイルオキシカルボニルアミノは、例えば、好適
な還元剤、例えば、好適なカルボン酸、例えば、水性酢
酸の存在中の亜鉛による処理により解裂されることがで
きる。アロイルメトキシカルボニルアミノは、求核剤、
好ましくは塩形成剤、例えば、ナトリウム・トリフェノ
レートによる処理によっても解裂されることができ、そ
して４−ニトロベンジルオキシカルボニルアミノは、ア
ルカリ金属ジチオナイト、例えば、ナトリウム・ジチオ
ナイトによる処理によっても解裂されることができる。
【０１３８】置換されていないか又は置換されたジフェ
ニルメトキシカルボニルアミノ、第三低級アルコキシカ
ルボニルアミノ又は２−（トリ−置換シリル）−低級ア
ルコキシ−カルボニルアミノ、例えば、２−トリ−低級
アルキルシリル−低級アルコキシカルボニルアミドは、
好適な酸、例えば、ギ酸又はトリフルオロ酢酸による処
理により遊離されることができ；置換されていないか又
は置換されたベンジルオキシカルボニルアミノは、例え
ば、水添分解により、すなわち、好適な水添触媒、例え
ば、パラジウム触媒の存在中の水素にいよる処理によ
り、好ましくは極性溶媒、例えば、ジ−低級アルキル−
低級アルカノイルアミド、例えば、ジメチルホルムアミ
ド、エーテル、例えば、環状エーテル、例えば、ジオキ
サン、又はアルコール、例えば、メタノール、エタノー
ル又はプロパノール（特にメタノールが好ましい）中
で、遊離されることができ；置換されていないか又は置
換されたトリアリールメチルアミノ又はホルミルアミノ
は、例えば、酸、例えば、無機酸、例えば、塩酸、又は
有機酸、例えば、ギ酸、酢酸又はトリフルオロ酢酸によ
る処理により、適切には、水の存在中で、遊離されるこ
とができ；シリルアミノの形態で保護されたアミノ基
は、例えば、加水分解又はアルコリシスにより遊離され
ることができる。
【０１３９】２−ハロアセチル、例えば、２−クロロア
セチルにより保護されたアミノ基は、塩基の存在中のチ
オウレアによる処理により、又はチオレート、例えば、
チオウレアのアルカリ金属チオレートによる処理によ
り、そして次の得られた置換製品のソルボリシス、例え
ば、アルコロシス又は加水分解により遊離されることが
できる。２−（トリ−置換シリル）−低級アルコキシカ
ルボニル、例えば、２−トリ−低級アルキルシリル−低
級アルコキシカルボニルは、対応する保護カルボキシル
基の遊離に関係して先に記載したフッ素アニオンを産生
するフッ化水素酸の塩による処理によっても遊離のアミ
ノ基に変換されることができる。同様に、シリル、例え
ば、ヘテロ原子、例えば、窒素に直接的に結合したトリ
メチルシリルは、フッ素イオンを使用して除去されるこ
とができる。フタリル基はヒドラジン水和物又は酸、例
えば鉱酸、例えば塩酸、又は有機酸、例えば酢酸によ
り、有機溶媒、例えばメタノール又はテトラヒドロフラ
ンの存在下又は非存在下で脱離されうる。アジド基の形
態で保護されたアミノは、例えば、還元により、例え
ば、水添触媒、例えば、酸化プラチナ、パラジウム又は
Ｒａｎｅｙニッケルの存在中の水素による水添分解によ
り、メルカプト化合物、例えば、ジチオトレイトール又
はメルカプトエタノールを使用した還元により、又は
酸、例えば、酢酸の存在中の亜鉛による処理により、遊
離のアミノに変換されることができる。触媒的水添は好
ましくは不活性溶媒、例えばハロゲン化炭化水素、例え
ば塩化メチレン、又はそうでなければ水と有機溶媒、例
えばアルコール又はジオキサンとの混合物の中で、約２
０〜２５℃、又は冷却もしくは加熱しながら行う。
【０１４０】ヒドロキシル基は、アセチル基、例えば、
置換されていないか又はハロゲン、例えば塩素により置
換された低級アルカノイル、例えば、アセチル又は２，
２−ジクロロアセチルにより、あるいは特に、保護アミ
ノ基のために記載した炭酸のセミエステルのアシル基に
より、保護されることができる。好ましいヒドロキシ−
保護基は、例えば、２，２，２−トリクロロエトキシカ
ルボニル、４−ニトロベンジルオキシカルボニル、ジフ
ェニルメトキシカルボニル又はトリフェニルメトキシカ
ルボニルである。ヒドロキシル基は、トリ−低級アルキ
ルシリル、例えば、トリメチルシリル、トリイソプロピ
ルシリル又はｔｅｒｔ−ブチル−ジメチルシリルによ
り、難なく除去できるエーテル化する基、例えば、アル
キル基、例えば、ｔｅｒｔ−低級アルキル、例えば、第
三ブチルにより、オキサ−若しくはチア−脂肪族又は−
環状脂肪族の、例えば、２−オキサ−若しくは２−チア
−脂肪族又は−環状脂肪族の炭化水素基、例えば、１−
低級アルコキシ−低級アルキル又は１−低級アルキルチ
オ−低級アルキル、例えば、メトキシメチル、１−メト
キシエチル、１−エトキシエチル、メチルチオメチル、
１−メチルチオエチル又は１−エチルチオエチルによ
り、又は５から７までの環原子をもつ２−オキサ−若し
くは２−チア−環状アルキル、例えば、２−テトラヒド
ロフリール又は２−テトラヒドロピラニル、又は対応す
るチア類似体により、そしてまた１−フェニル−低級ア
ルキル、例えば、ベンジル、ジフェニルメチル又はトリ
チルであって、フェニル基が例えば、ハロゲン、例え
ば、塩素、低級アルコキシ、例えば、メトキシ、及び／
又はニトロにより、置換されているものにより保護され
てもよい。
【０１４１】２つのヒドロキシル基すなわち、特に、分
子内に生じた隣接ヒドロキシル基、又は互いに隣接する
ヒドロキシル基及びアミノ基は、例えば、２価の保護
基、例えば、好ましくは例えば、１若しくは２つの低級
アルキル基により又はオキソにより置換されたメチレン
基、例えば、置換されていないか又は置換されたアルキ
リデン、例えば、低級アルキリデン、例えば、イソプロ
ピリデン、シクロアルキリデン、例えば、シクロヘキシ
リデン、アルボニル基又はベンジリデンにより、保護さ
れることができる。カルボキシル基に隣接した位置にあ
るヒドロキシル基は、内部エステル（ラクトン）、特に
γ−ラクトンにより保護されることができる。トリ−低
級アルキルシリルにより又はラクトンの形態で、特に第
三ブチル−ジメチルシリルにより保護されたヒドロキシ
ル基が好ましい。
【０１４２】メルカプト基は、特に、置換されていない
か又は置換されたアルキル基を用いたＳ−アルキル化に
より、シリル化により、チオアセタール形成により、Ｓ
−アシル化により、又は不斉ジスルフィド基形成によ
り、保護されることができる。好ましいメルカプト保護
基は、例えば、置換されていないか又はそのフェニル基
内で例えば、メトキシにより又はニトロにより置換され
たベンジル、例えば、４−メトキシベンジル、置換され
ていないか又はそのフェニル基内で例えば、メトキシに
より置換されたジフェニルメチル、例えば、ジ（４−メ
トキシフェニル）メチル、トリフェニルメチル、ピリジ
ルジフェニルメチル、トリメチルシリル、ベンジルチオ
メチル、テトラヒドロピラニル、アシルアミノメチル、
例えば、アセトアミドメチル、イソブチリルアセトアミ
ドメチル又は２−クロロアセトアミドメチル、ベンゾイ
ル、ベンジルオキシアルボニル又はアルキル−、特に低
級アルキル−アミノカルボニル、例えば、エチルアミノ
カルボニル、そしてまた低級アルキルチオ、例えば、Ｓ
−エチルチオ又はＳ−第三ブチルチオ、又はＳ−スルフ
ォである。
【０１４３】好適なアシル基により、トリ−低級アルキ
ルシリル基により又は置換されていないか若しくは置換
された１−フェニル−低級アルキルにより保護されたヒ
ドロキシ又はメルカプトは、対応する保護アミノ基と同
様に遊離される。２，２−ジクロロアセチルにより保護
されたヒドロキシ又はメルカプト基は、例えば、塩基性
加水分解により遊離され、ｔｅｒｔ−低級アルキルによ
り、又は２−オキサ−若しくは２−チア−脂肪族の又は
２−オキサ−若しくは２−チア−環脂肪族の炭化水素に
より保護されたヒドロキシ又はメルカプトは、酸加水分
解により、例えば、無機酸又は強カルボン酸、例えば、
トリフルオロ酢酸による処理により遊離される。ピリジ
ルジフェニルメチルにより保護されたメルカプトは、例
えば、pH２〜６における水銀（II）を使用して、又は亜
鉛／酢酸により又は電気分解還元により遊離されること
ができ；アセトアミドメチル及びイソブチリルアミドメ
チルにより保護されたメルカプトは、例えば、pH２〜６
における水銀（II）との反応により遊離されることがで
き２−クロロアセトアミドメチルにより保護されたメル
カプトは、例えば、１−ピペリジノチオカルボキシアミ
ドを使用して遊離されることができ；Ｓ−エチルチオ、
Ｓ−ｔｅｒｔ−ブチルチオ及びＳ−スルフォは、例え
ば、チオフェノール、チオグリコール酸、ナトリウム・
チオフェノレート又は１，４−ジチオトレイトールによ
るチオ分解により遊離されることができる。
【０１４４】２価の保護基により、好ましくは、例え
ば、低級アルキルによりモノ−若しくはジ−置換された
メチレン基、例えば、低級アルキリデン、例えば、イソ
プロピリデン、シクロアルキリデン、例えば、シクロヘ
キシリデン、又はベンジリデンにより共に保護された、
２つのヒドロキシ基又は隣接アミノ酸及びヒドロキシ基
は、酸ソルボリシスにより、特に、無機酸又は強有機酸
の存在中で遊離されることができる。トリ−低級アルキ
ルシリル基は、同様に、酸加水分解、例えば、無機酸、
好ましくはフッ化水素酸、又は強カルボン酸により除去
される。２−ハロ−低級アルコキシカルボニルは、上記
の還元剤、例えば、亜鉛、還元金属塩、例えば、クロム
（II）塩を使用して、又は硫黄化合物、例えば、ナトリ
ウム・ジチオナイト又は好ましくは硫化ナトリウム及び
硫化炭素により除去される。エステル化されたヒドロキ
シ基、例えば、低級アルカノイルオキシ、例えば、アセ
トキシは、エステラーゼによっても遊離され、そしてア
シル化アミノは、例えば、好適なペプチダーゼにより遊
離されることができる。
【０１４５】スルホ基は例えば低級アルキル、例えばメ
チル又はエチル、又はフェニルにより、又はスルホンア
ミド、例えばイミダゾリドの形態で保護されうる。
【０１４６】スルホネート又はスルホンアミドの形態で
保護されているスルホ基は、例えば鉱酸の存在下での酸
加水分解により、又はアルカリ金属水酸化物又はアルカ
リ金属炭酸塩、例えば炭酸ナトリウムの存在下での塩基
加水解により自由にされる。
【０１４７】必要ならば、オキソは、例えば低級アルカ
ノールによる特にエタン−１，２−ジオールの中でのア
セタール形成により保護しておき、この保護基は酸、例
えば酢酸又は硫酸の存在下での所望の段階での加水分解
により脱離させることが可能であり、そしてチオオキソ
−低級アルキルは、必要ならば、例えば低級アルキルメ
ルカプタン、例えばエタン−１，２−ジチオールにより
保護しておき、この保護基は酸、例えば酢酸又は硫酸の
存在下で適宜脱離されることが可能である。
【０１４８】上記の保護官能基を遊離する温度は、好ま
しくは、−８０から１００℃まで、特に−２０から５０
℃まで、例えば、１０から３５℃まで、例えば、室温の
領域内にある。幾つかの保護官能基が存在するとき、所
望により、その保護基は、１つより多い基が、例えば、
酸加水分解により、例えば、トリフルオロ酢酸による処
理により、又は水素及び水添触媒、例えば、炭素上パラ
ジウム触媒を用いて、同時に除去されることができるよ
うに選ばれてもよい。反対に、その基は、それらが全て
同時に除去されないが、その対応する中間体を得なが
ら、所望の配列内で除去されるように選ばれてもよい。
【０１４９】ｂ）カルボキシル基の還元 Ｙ′が式Ｉの化合物において定義した通りであり（ただ
しカルボキシル基に置き代わりうるヒドロキシルを除
く）である式Ｖのモノカルボン酸は好ましくは活性形態
にある。その反応性誘導体は特に次式IIｅである；
【化１４】 （式中、Ｙ″は式Ｉの化合物において定義したＹである
か、又はカルボキシル保護基であり、Ｘが酸素なら、Ｚ
はハロゲン、例えば塩素又は臭素であり、そして残りの
基は前記した通りである）。これはＺがヒドロキシメチ
ル又はホルミルである式Ｉの化合物をもたらす。
【０１５０】その他の好ましい反応性誘導体は式IIｆの
環状イミドである；
【化１５】 （式中、Ｅは水素又は低級アルキルであり、そして残り
の基は前記した通りである）。
【０１５１】還元は、好ましくは錯体水素化物、特にエ
ーテル、例えばジエチルエーテルもしくはテトラヒドロ
フラン、ピリジン又はＮ−アルキルモルホリン、例えば
Ｎ−メチルモルホリン中の水素化リチウムアルミニウム
もしくはＬｉＡＬＨ〔ＯＣ（ＣＨ3)3 〕を用いて、又は
水、ジグリコール、メタノール、エタノールもしくはイ
ソプロパノール又はそれらの混合物中の硼水素化ナトリ
ウム（必要ならばＬｉＣｌの存在下）により、１０℃〜
還流温度で行う。
【０１５２】式IIｅの化合物は、例えば方法ａ）により
獲得できるＺがカルボキシル基であり、そして残りの基
が前記した通りである（即ち、式Ｖの化合物において）
式Ｉの化合物を、無機酸ハロゲン化物、例えば三塩化
燐、三臭化燐、五塩化燐、五臭化燐、塩化チオチルもし
くは臭化チオニル、又はオキサリルジクロリドと、必要
ならば溶媒の存在下で、１０℃〜還流温度、例えば室温
〜８０℃で、そして水を除去して反応させることにより
製造される。
【０１５３】Ｅが低級アルキル、特にメチルである式II
ｆの化合物は、好ましくは式IIｂの化合物から前述の式
IIｄの化合物を作るのと類似して、アンモニアの代りに
低級アルキルアミンとの反応を実施することにより、且
つ、式IIｂの化合物から式IIｄの化合物を製造するのに
述べたのと類似の条件でそれを行うことにより製造され
る。Ｅが水素である式IIｅの化合物は式IIｄの化合物と
同一であり、そしてそれと同じようにして作られること
が好ましい。
【０１５４】他方、式IIｆの化合物は式IIｃの無水物か
ら、それをアンモニア又は低級アルキルアミンと、高温
で、又はヘキサメチルジシラザン及びメタノールの存在
下でほぼ室温で、好ましくは高沸点アルコール、例えば
２−エトキシエタノールの中で、５０〜１３０℃、例え
ば約１００〜１２０℃の温度で反応させることによって
も好適に製造されうる。
【０１５５】Ｘが酸素であり、そしてＹ′がヒドロキシ
ルであるジカルボン酸は好ましくは反応性誘導体の形態
にある。この反応性誘導体は特に反応性無水物、例えば
方法ａ）に述べた式IIｃの内部無水物、又は方法ａ）に
述べた式IIｄの環状イミドを有し、そして各ケースにお
ける基は前記した通りであり、そして前記のように製造
されうる。
【０１５６】式IIｃの内部無水物は好ましくは錯体水素
化物を用いて、式Ｖの化合物の還元について述べた反応
条件のもとで、特にメタノール又はエタノール中の硼素
水素化ナトリウムを用いて、室温〜還流温度で、例えば
ほぼ室温〜４０℃で還元させる。これはＸが酸素、Ｙが
ヒドロキシル、Ｚがヒドロキシメチル、そして残りの基
が前記した通りである式Ｉの化合物をもたらす。
【０１５７】式IIｆの環状イミドは好ましくは式IIｃの
内部無水物について前記したのと同一の条件のもとで、
特にメタノール又はエタノール中の硼素水素化ナトリウ
ムを用いて、室温〜還流温度で、例えばほぼ室温〜４０
℃で還元させる。これは、Ｘが酸素、Ｙがアミノ又はヒ
ドロキシル、Ｚがヒドロキシメチル、そして残りの基が
前記した通りである式Ｉの化合物をもたらす。
【０１５８】記載の全ての出発材料は、必要ならば、前
記の反応に関与しない官能基上で保護されていてよく、
存在の保護基は適宜脱離される。保護基を有する得られ
る式Ｉの化合物はその保護基を脱離することにより、又
は（必要ならば保護基の一部又は全てを脱離した後に）
下記の追加の工程手順に付する。上記の化合物の保護、
適切な保護基及びその脱離を方法ａ）に述べた。追加の工程手順： 式Ｉの化合物は周知の方法で別の式Ｉ
の化合物へと変換されうる。
【０１５９】上記の変換は個別に、又はそうでなければ
適当な組合せを選んで、即ち、式Ｉの化合物についての
２通り以上の変換を実施するように行うことが可能であ
る。式Ｉの出発材料及びその他の出発材料中の課題の反
応に関与しない官能基は必要ならば保護形態にしてお
く。この保護基は適宜に脱離させる。保護基の導入法、
保護基自体及びその脱離法は方法ａ）に述べた通りであ
る。
【０１６０】例えば、基−Ｃ（＝Ｘ）−が−Ｃ（＝Ｏ）
である式Ｉの化合物は、適当な試薬と反応させて基−Ｃ
（＝Ｘ）−が−Ｃ（＝Ｓ）である式Ｉの別の化合物を獲
得せしめることができる。同様に、エステル化又はアミ
ド化カルボキシルＺを、カルボニル基のオキソがチオに
置き代っている基へと変換せしめることができる。−Ｃ
（＝Ｏ）−の−Ｃ（＝Ｓ）−への変換のための適切な試
薬は例えば五硫化燐、又は好ましくは五硫化燐に代わり
うる試薬、例えばローソン試薬（＝２，４−ビス（４−
メトキシフェニル）−２，４−ジチオキソ−１，３，
２，４−ジチアホスフェタン）であり、その反応は例え
ばハロゲン化炭化水素、例えばジクロロメタンの中で、
３０℃〜還流温度、特に還流温度で行われる。
【０１６１】基Ａ1 及びＡ2 のうちの一方が水素である
式Ｉの化合物は、適当な試薬との反応により、基Ａ1 及
びＡ2 のいづれもがもはや水素ではない別の式Ｉの化合
物へと変換されうる。
【０１６２】Ａ1 又はＡ2 ＝未置換又は置換化低級アル
キルを導入するための適当な処理は例えば塩基ＬＤＡに
より処理、それに続く未置換もしくは置換化ジ−低級ア
ルキルエーテル又は未置換もしくは置換化低級アルキル
ハロゲン化物との反応である。置換化低級アルキルは式
Ｉの化合物における対応の基Ａ1 及び／又はＡ2 につい
て定義した通りである。
【０１６３】Ａｒ1 及び／又はＡｒ2 がアリール、特に
フェニル又はナフチル（これはハロゲン、好ましくは臭
素により置換されている）である式Ｉの化合物は、アリ
ールＡｒ1 及び／又はＡｒ2 におけるハロゲン原子の一
つ又は全てがシアノに置き代っている対応の誘導体へ
と、例えば遷移金属のシアニド塩による、５０〜１５０
℃、好ましくは６０〜１４０℃の温度での、不活性極性
溶媒、例えばＮ，Ｎ−ジ低級アルキル低級アルカンカル
ボキサミド、例えばジメチルホルムアミド中での、触
媒、例えば水性溶液中の遷移金属ハロゲン化物、例えば
塩化（III)鉄のその後の添加を伴わない又は伴う変換に
より変換されうる（Ｒｏｓｅｎｍｕｎｄら、、Ｂｅｒ．
５２，１７４９（１９１６）；ｖｏｎ Ｂｒａｕｎら、
Ａｎｎ．４８８，１１１（１９３１）を参照のこと）。
【０１６４】式Ｉの化合物において、未置換又は置換化
アリール、好ましくは未置換のフェニル又はナフチルで
ある基Ａｒ1 及び／又はＡｒ2 は、互いに独立して、例
えば芳香基にニトロ基を導入するのに慣用の条件のもと
で、例えば濃又は１００％の硝酸を用いて、０〜１００
℃の温度で、好ましくは１０〜４０℃で、不活性溶媒、
例えば有機酸無水物、例えば無水酢酸中での１又は数個
のニトロ基の導入によりニトロ化されうる。ニトロ基の
位置及び数が異なる複数の様々な生成物が形成された
ら、それらは常用の方法、例えばカラムクロマトグラフ
ィーにより分離できうる。
【０１６５】基Ａｒ1 及び／又はＡｒ2 におけるニトロ
置換基は、例えば常用の条件のもとでの水素添加によ
り、例えばニトロ基の選択的還元に適する水素添加触
媒、例えばラニーニッケルの存在下で、不活性溶媒、例
えば環状又は非環式エーテル、例えばテトラヒドロフラ
ンの中で、大気圧又は５bar までの高圧での水素添加に
より還元されうる。
【０１６６】エーテル化ヒドロキシル基、例えばアルコ
キシ基をＡｒ1 及び／もしくはＡｒ 2 における又はＡ1
及び／もしくはＡ2 上の置換基として有する式Ｉの化合
物は、エーテル分解により式Ｉの対応のヒドロキシル置
換化化合物へと変換できる。エーテル分解は本質的に周
知条件、例えばハロゲン化水素酸、例えば臭素化水素酸
又はヨウ素化水素酸の存在下で、溶媒、例えばカルボン
酸、例えば低級アルカンカルボン酸、例えば酢酸中で、
２０℃〜反応の混合物の還流温度で、あるいは好ましく
はハロゲン化硼素、特に三臭化硼素を伴う不活性溶媒、
例えば塩素化炭化水素、例えば塩化メチレン又はクロロ
ホルム中での−８０°〜０℃、特に−５０°〜２０℃で
の温和な条件のもとで行われる。
【０１６７】Ａ1 、Ａ2 、基Ａ1 及びＡ2 により形成さ
れる置換化低級アルキレン、並びに／又はヒドロキシメ
チルＺにおいてヒドロキシルが存在している式Ｉの化合
物は、酸化により対応のカルボニル化合物へと変換で
き、これに続いて又はそのカルボニル化合物を単離した
後にヒドロキシルアミンもしくはその塩又はその他のア
ミノ化合物との反応により対応のヒドロキシイミノ化合
物へと変換できうる。更なる置換基、試薬及び好ましい
反応条件は、イミノ、低級アルキルイミノ、アシルイミ
ノ、ヒドロキシイミノ、低級アルコキシイミノ、ヒドラ
ゾノ、Ｎ−モノ−又はＮ，Ｎ−ジ−低級アルキルヒドラ
ゾノ及び／もしくはＮ−アシルヒドラゾノをＡ1 及びＡ
2 により形成される置換化低級アルキレン中の置換基と
して有する式IIの化合物の、式IIｂの対応のオキソ化合
物から製造の説明において見い出せ、ここでは式Ｉの化
合物を式IIｂのオキソ化合物の代りに利用している。
【０１６８】Ａ1 及び／もしくはＡ2 、又はこれらの２
個の基により形成される低級アルキレン並びに／又はヒ
ドロキシイミノメチルＺにおける置換基としてヒドロキ
シイミノを有する式Ｉの化合物は水素添加されて対応の
アミノ化合物を供することができる。水素添加は、好ま
しくは選択的水素添加触媒を、特に固相支持材料、例え
ばチャーコール上のパラジウムの存在下で、極性溶媒又
は有機／水性溶媒又は溶媒混合物、特にエーテル、例え
ば環状エーテル、例えばテトラヒドロフラン又はジオキ
サン、又はアルコール、例えば低級アルカノール、例え
ばメタノール又はエタノール、又はこれらの混合物、例
えばメタノール／テトラヒドロフラン混合物の中で、−
２０℃〜６０℃、好ましくは０〜４０℃、例えばほぼ室
温で用いて触媒的に実施する。
【０１６９】置換化低級アルキルＡ1 及び／又はＡ2 が
カルボキシルを含む（例えばカルボキシメチルＡ1 及び
／又はＡ2 ）、又はＡ1 及びＡ2 により形成され、そし
て置換基としてカルボキシル又はカルボキシ−低級アル
キルを置換化低級アルキレンを有する式Ｉの化合物、例
えば先に記載の方法により第一ヒドロキシル基を有する
式Ｉの化合物から製造した化合物において、カルボキシ
ル基はジアゾメタン（メチルオキシカルボニルを供す
る）又は低級アルカール、例えばメタノールもしくはエ
タノールと反応することにより対応の低級アルコキシカ
ルボニル基へと変換されうる。ジアゾメタンとの反応は
例えば水性／アルコール系溶液、例えば水／メタノー
ル、又は好ましくはエーテルの中で、ジアゾメタンのエ
ーテル溶液、例えばジエチルエーテル中のジアゾメタン
の存在下で、−２０℃〜３０℃、例えば０℃〜室温で実
施される。低級アルコールとの反応は好ましくは縮合
剤、例えばカルボジイミド、例えばジシクロヘキシルカ
ルボジイミドの存在下で、不活性有機溶媒、好ましくは
ジメチルホルムアミド又はジメチルアセトアミドを添加
することがある課題の低級アルコールの中で、０℃〜還
流温度、好ましくは１０〜４０℃で行われる。これは式
Ｉの対応の低級アルコキシカルボニル化合物を供する。
【０１７０】Ａ1 及びＡ2 により形成される置換化低級
アルキレン及び／又はヒドロキシメチルＺにおいて置換
基としてヒドロキシル及び／又はヒドロキシル−低級ア
ルキルを有する式Ｉの化合物は、対応のオキソ化合物へ
と酸化されうる。第一アルコールの場合、これは選択的
酸化剤、例えば水性溶媒中のカリウムフェレート（Ｋ 2
ＦｅＯ4 ）及び有機溶媒中の二酸化マンガン、第三ブチ
ルクロメート、ピリジウムジクロメート又は特に不活性
有機溶媒中の、例えば塩素化炭化水素、例えばジクロロ
メタン又はクロロホルム中のピリジニウムクロロクロメ
ートの利用を必要とする。この反応は好ましくは−２０
℃〜還流温度、例えば０〜４０℃で行われる。第二アル
コールの場合、酸化は選択性の低い酸化剤、例えばクロ
ム酸、ジクロメート／硫酸、ジクロメート／氷酢酸、硝
酸、二酸化マンガン、二酸化セレン又はジメチルスルホ
キシドにより、オキサリルクロリドの存在下で、水、水
性又は有機溶媒、例えばハロゲン化炭化水素、例えば塩
化メチレン、又はカルボキシアミド、例えばジメチルホ
ルムアミドの中で、好ましくは−５０℃〜還流温度で、
特に−１０〜５０℃で行われる。これは、Ａ1 とＡ2 に
より形成される置換化低級アルキレン及び／又は置換化
メチルがオキソにより置換された式Ｉの化合物を供す
る。
【０１７１】Ｚがヒドロキシメチルである式Ｉの化合物
は、ヒドロキシル基が、例えば芳香族スルホン酸又はそ
の活性化誘導体、例えば対応の芳香族スルホニルハロゲ
ン化物、例えばトルエンスルホニルハロゲン化物、例え
ばトルエンスルホニル塩化物又はハロ、例えばクロロ、
又は特にブロモ（これは無機酸ハロゲン化物、例えば三
塩化燐、三臭化燐、五塩化燐、五臭化燐、塩化チオニル
又は臭化チオニルと反応により製造されうる）との反応
により離脱基へと変換された後（離脱基の製造は必要な
らば不活性溶媒、例えばエーテル、例えばテトラヒドロ
フラン又はジオキサン、又はハロゲン化炭化水素、例え
ばクロロホルム、又は塩化メチレンの中で、室温〜還流
温度で、第三窒素塩基、例えばピリジン、Ｎ−メチルモ
ルホリン又はトリエチルアミンの存在下で行われる）、
Ｚがモノ−低級アルキルアミノ、ジ−低級アルキルアミ
ノ又は低級アルキルチオ（そのアルキル基は未置換であ
るか、又は前記のように置換されている）、シアノ、ヒ
ドラジノ、１もしくは両方の窒素原子が低級アルキルに
より置換されているヒドラジノ、又はグアニジノ、１，
２もしくは３個全ての窒素原子が低級アルキルにより置
換されているグアニジノにより置換されているメチルで
ある対応の化合物へと変換されうる。導入すべき置換基
に依存して、その反応はモノ−もしくはジ−低級アルキ
ルアミン；未置換もしくは置換化低級アルキルを有する
低級アルキルメルカプタンを用いて、塩基、例えばヒド
ロキシ塩基、例えばアルカリ金属水酸化物、例えば水酸
化ナトリウム又は水酸化カリウムの存在下で、シアン化
塩、例えばアルカリ金属シアン化物、例えばシアン化ナ
トリウム又はシアン化カリウムと；ヒドラジン、グアニ
ジン又はその適当な置換化誘導体を用いて（保護基があ
ってもよい）、求核置換条件のもとで、好ましくは有機
溶媒、例えばアルコール、例えばメタノール、エタノー
ル又はトリフルオロエタノール、ケトン、例えばアセト
ン、ニトリル、例えばアセトニトリル、エステル、例え
ばエチルアセテート、エーテル、例えばジエチルエーテ
ル、エチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒド
ロフラン又はジオキサン、酸アミド、例えばジメチルホ
ルムアミド、ビスアルカンスルフィン、例えばジメチル
スルホキシド、アリールアルコール、例えばフェール、
又はそうでなければ水、又はそれらの混合物の存在下で
行う。保護基は脱離させてよい。置換化メチルＺがヒド
ラジノ及び末端Ｎ原子上で低級アルキルにより置換され
たヒドラジノの中から選ばれる置換基を含む式Ｉの化合
物は、対応の式Ｉｂのオキソ化合物から出発してヒドラ
ジン及び末端のＮ原子が低級アルキルにより最高で二置
換されているヒドラジンから選ばれる窒素塩基とオキソ
化合物と窒素塩基との反応について下記に更に説明する
ように反応させ、続いて、獲得できた対応のイミノ化合
物を、好ましくは選択的水素化触媒を用いる、特に固相
支持材料、例えばチャーコール上のパラジウムの存在下
での、極性有機又は有機／水性溶媒又は溶媒混合物中で
の、特にエーテル、例えば環状エーテル、例えばテトラ
ヒドロフランもしくはジオキサン、又はアルコール、例
えば低級アルカノール、例えばメタノールもしくはエタ
ノール又はその混合物、例えばメタノール／テトラヒド
ロフラン混合物の中での、−２０〜６０℃の温度、例え
ば０〜４０℃、例えば室温での触媒水素化による還元に
より獲得できる。
【０１７２】Ｚがヒドロキシメチルである式Ｉの化合物
は、ヒドロキシル基が前記のように離脱基、例えばトル
エンスルホニルオキシ基へと変換された後に、未置換で
あるか又は低級アルキル基において適当に置換されてい
る低級アルカノールと反応させて、Ｚが未置換である
か、又は低級アルコキシにより置換されたメチルである
式Ｉの化合を供することができる。反応は好ましくは、
例えばアルカリ金属、例えばナトリウムの、エーテル、
例えばジエチルエーテル、ジオキサン又はテトラヒドロ
フラン中での反応により得られる未置換又は置換化アル
カノールのアルコラート（これは必要ならば、反応に関
与しない保護基は保護形態をとっている）により行わ
れ、特にアルコラートはゆっくり添加し、不活性な非プ
ロトン溶媒、例えば低級アルカノレートが溶解されてい
るのと同じ溶媒の中で、ヒドロキル基が離脱基へと変換
された課題の式Ｉの化合物を供するように行い、温度は
室温〜還流温度とする。
【０１７３】Ｚがアミノメチル又は低級アルキルアミノ
メチルである式Ｉの化合物は、Ｚがウレイドメチル又は
１−もしくは３−モノ−低級アルキルウレイドメチルで
ある対応の化合物へと、式Ｉの対応のアミノ化合物を低
級アルキルイソシアネート又はＮ−保護型イソシアネー
ト（例えばベンジルイソシアネート）と、好ましくはエ
ーテル、例えば環状エーテル、例えばテトラヒドロフラ
ンの中で、好ましくは−２０〜６０℃の温度で、特にほ
ぼ室温で反応させることにより変換させることができ、
ここで必要ならば、反応に関与しない官能基は保護して
おき、次いで存在している保護基を脱離させる。式Ｉの
対応のアミノ化合物をホスゲン又はその類似体、例えば
Ｎ，Ｎ′−カルボニルジアゾリド、例えばＮ，Ｎ′−カ
ルボニルジイミダゾールと反応させ（Ｈ．Ａ．Ｓｔａａ
ｂ，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．７４，４０７−４２３（１
９６２））、次いで得られるクロロカルボニルアミノ又
はアゾリドカルボニルアミノ化合物を、低級アルキルに
より置換されたアンモニアと反応させるか、又は反対
に、対応の式Ｉのアミノ化合物を、低級アルキルにより
置換されたアンモニアと、ホスホゲン又はその類似体、
例えばＮ，Ｎ′−カルボニルジアゾリド、例えばＮ，
Ｎ′−カルボニルジイミダゾールとの反応生成物と反応
させ、３−低級−アルキルウレイドメチルＺを獲得する
ことができうる。この反応は好ましくは不活性溶媒の中
で、特に塩素化炭化水素、例えば塩化メチレン又はクロ
ロホルム、エーテル、例えばジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン又はジオキサン、又は酸アミド、例えばジ
メチルホルムアミドの中で、−２０℃〜還流温度、特に
０〜３０℃で行われる。
【０１７４】Ａ1 及びＡ2 により形成される置換化低級
アルキレンにおいて、イミノ、低級アルキルイミノ、ア
シルイミノ、ヒドロキシイミノ、低級アルコキシイミ
ノ、ヒドラゾノ、Ｎ−モノ−もしくはＮ，Ｎ−ジ−低級
アルキルヒドラゾノ、Ｎ−アシルヒドラゾノ及び低級ア
ルキル（これはイミノ、低級アルキルイミノ、アシルイ
ミノ、ヒドロキシイミノ、低級アルコキシイミノ、ヒド
ラゾノ、Ｎ−モノ−もしくはＮ，Ｎ−ジ−低級アルキル
ヒドラゾノ、及び／もしくはＮ−アシルヒドラゾノによ
り置換されている）から選ばれる１又は数個の置換基を
有する式Ｉの化合物、並びに／又はＺがイミノ、低級ア
ルキルイミノ、アシルイミノ、ヒドロキシイミノ、低級
アルコキシイミノ、ヒドラゾノ、Ｎ−モノ−もしくは
Ｎ，Ｎ−ジ−低級アルキルヒドラゾノ、もしくはＮ−ア
シルヒドラゾノにより置換されている式Ｉの化合物は、
対応の式Ｉの化合物から、オキソ化合物の単離した後
に、又は好ましくはそれらを粗生成物（例えばヒドロキ
シ化合物をオキソ化合物へと酸化せしめることが実施さ
れる溶媒の除去のための部分エバポレーションの後に）
として直接処理することにより作られ、これは例えば前
記した通りに行われる。
【０１７５】オキソ化合物は対応のイミノ誘導体へと、
アンモニア、低級アルキルアミン、ヒドロキシルアミ
ン、低級アルコキシアミン、ヒドラジン、Ｎ−モノ−も
しくはＮ，Ｎ−ジ−低級アルキルヒドラジン及びＮ−ア
シルヒドラジンより成る系列から選ばれる窒素塩基との
反応により変換されうる。その反応条件はカルボニル化
合物と窒素塩基との反応において慣用される条件に相当
し、窒素塩基は、例えば酸、例えばハロゲン水素酸、例
えばフッ素化水素酸、塩酸、臭化水素酸又はヨウ素化水
素酸、特に好ましくは塩酸の塩として、硫酸もしくは硫
酸水素の塩として、例えば硫酸水素アルカリ金属、例え
ば硫酸水素ナトリウム、リン酸の、リン酸水素の塩とし
て、又はリン酸二水素の塩として、例えばリン酸水素ア
ルカリ金属又はリン酸二水素、例えばリン酸水素ナトリ
ウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸水素カリウム又
はリン酸水素二カリウム、又は有機酸、特にカルボン酸
との塩、例えば低級アルカンカルボン酸であって低級ア
ルキル基が未置換のもの、又は好ましくはハロゲン、例
えばフッ素又はヨウ素により置換されたもの、例えば酢
酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸又はトリフルオロ−もし
くはトリクロロ酢酸、又はスルホン酸、例えば低級アル
キルスルホン酸、例えばメタンスルホン酸、エタンスル
ホン酸又はエタンジスルホン酸、又はアリールスルホン
酸、例えばベンゼン−もしくはナフタレンスルホン酸又
はナフタレン−１，５−ジスルホン酸との塩として利用
される；上記の窒素塩基と酸との塩は、特に揮発性な弱
酸、例えば低級アルカンカルボン酸、例えば酢酸、又は
特に炭酸又は炭酸水素から、強酸、例えば硫酸又は主と
して上記のハロゲン化水素酸のいづれかにより、弱酸を
置き換えることによってその場でのみ作ることも可能で
ある。反応は水の中で（界面活性剤の存在又は非存在下
で）、水性溶媒混合物、例えば水と１もしくは数種のア
ルコール、例えばメタノール、エタノールもしくはイソ
プロパノールとの混合物、ジ低級アルキルスルホキシ
ド、例えばジメチルスルホキシド、又はジ低級アルキル
低級アルカノイルアミド、例えばジメチルホルムアミ
ド、有機溶媒、例えばアルコール、例えばメタノール又
はエタノール、ジ低級アルキルスルホキシド、例えばジ
メチルスルホキシド、ジ低級アルキル低級アルカノイル
アミド、例えばジメチルホルムアミドの中で、又は十分
に不活性なニトリル、例えばアセトニトリルの中で、か
かる有機溶媒の混合物の中で、又は溶媒のない溶融物に
おいて、好ましくはアルコール系溶液、例えばメタノー
ル、エタノールの中で、又は特にイソプロパノールの中
で行われる。温度は好ましくは−２０℃〜溶媒の存在下
での反応混合物の還流温度、溶融物においては２２０℃
まで、特に溶媒の存在下では０〜５０℃の温度、特にほ
ぼ室温とする。
【０１７６】Ｚが低級アルキルチオイミノ置換基である
式Ｉの化合物は、式Ｉの適当なイミノ出発材料を、低級
アルキルスルフェニルハロゲン化物（これは、例えばハ
ロゲン化水素を有するスルフェン酸から、又は適当な有
機硫黄化合物のクロロ分解、ブロモ分解又はヨード分解
により調製でき、その調製はその場で実施されることも
可能である）、特に低級アルキルスルフェニルハロゲン
化物、例えばメチルスルフェニル塩化物と、好ましくは
イミノ化合物の塩を用いながら、又はアルカリ金属水酸
化物、例えば水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウム
の存在下で、好ましくは有機溶媒、例えば炭化水素、例
えばヘプタン、エーテル、例えばジエチルエーテル、ジ
オキサン又はテトラヒドロフラン、又はカルボキサミ
ド、例えばジメチルホルムアミドの中で、好ましくは０
℃〜還流温度、特に０℃〜３０℃で反応させることによ
り製造できうる。
【０１７７】式Ｉの化合物において、アミノメチルＺは
低級アルカノイルアミノメチルＺに、又はヒドロキシメ
チルＺは低級アルカノイルオキシメチルへと変換されう
る。これは不活性溶媒、例えばエーテル、例えばテトラ
ヒドロフラン又はジオキサンに溶かされた式Ｘの例えば
活性化（所望するならばその場で）低級アルカノン酸
（これは式IIａの活性化酸誘導体に類似して作られう
る）、例えば低級アルカノン酸、例えば酢酸無水物又は
低級アルカノン酸ハロゲン化物、例えば塩化物又は臭化
物又はＮ，Ｎ−ジ−低級アルキル低級アルカンカルボキ
サミドとの、０℃〜還流温度、特にほぼ室温で、第三窒
素塩基、例えばピリジン、Ｎ−メチルモルホリン又はト
リエチルアミンの存在下での反応により行われる。
【０１７８】ＸがＯであり、ＹがアミノそしてＺがヒド
ロキシメチルである式Ｉの化合物は、Ｙ及びＺが一緒に
なって１−オキサメチレン（これはＹの酸素を介して及
びＺ位のメチレン炭素原子を介して結合している）であ
る式Ｉの化合物へと変換されうる。この変換は例えばバ
ルブチューブを用い、高真空、例えば０．００１〜０．
５torr、好ましくは０．２〜０．０５torrで蒸留のため
に十分に高い温度、例えば１８０〜２５０℃での蒸留に
よって好適に実施される。
【０１７９】ＸがＯであり、Ｙが置換化アミノであり、
そしてＺがヒドロキシメチルである式Ｉの化合物は、Ｙ
及びＺが一緒になって１−オキサメチレン（これは酸素
を介してＹ位に、そしてメチレン炭素原子を介してＺ位
に結合している）である式Ｉの化合物より、前記した式
III の化合物（ここでＷ1 は置換化アミノ、特にモノ−
もしくはジ−低級アルキルアミノ、ヒドラジノ、フェニ
ルアミノ又はフェニル−低級アルキルアミノである）と
の反応によって獲得できうる。その反応は好ましくはア
ルコール、例えばメタノール又はエタノールの中で、酸
化防止剤、例えばアスコルビン酸ナトリウムの存在下
で、３０〜１００℃、例えば５０〜８０℃で、還流温度
より高い場合はシールチューブの中で実施される。
【０１８０】本法に従って獲得でき、且つ、塩形成特性
を有する式Ｉの遊離化合物は本質的に公知の方法でその
塩へと変換されることができ、それは塩基特性を有する
化合物は例えばそれを酸又は適当なその誘導体で処理す
ることにより、酸特性を有する化合物は例えばそれを塩
基又は適当なその誘導体で処理することによる。
【０１８１】本発明に従って獲得できる異性複合物は本
質的に公知の方法で個別の異性体へと分けることがで
き、立体異性体は例えば多重相溶媒混合物、再結晶化及
び／又はクロマトグラフィー分離（例えばシリカゲルで
の）により、そしてラセミ体は例えば光学的に純粋な塩
形成試薬と塩を形成させ、次いで得られる立体異性体を
例えば分別結晶化により、又は光学的活性カラム材料の
クロマトグラフィーにより分解させる。
【０１８２】上記の反応は、それ自体既知の反応条件下
で、溶媒又は希釈剤、好ましくは、使用された試薬に対
して不活性でありそしてそれ故の溶媒である溶媒及び希
釈剤の非存在中又は慣習的には存在中で、触媒、縮合剤
又は中和剤の非存在又は存在中で、反応及び／又は反応
基質の性質に依存して、減少された、正常の又は上昇さ
れた温度で、例えば、約−８０℃から約２５０℃まで
の、好ましくは約−２０℃から約１５０℃までの温度範
囲内で、例えば、室温からその還流温度までで、融解す
る場合は、２２０℃までで、大気圧下又は密閉容器内
で、所望により圧力、例えば、密閉管内での反応条件下
での反応混合物中で作られた圧力で、そして／又は、不
活性雰囲気中で、例えば、アルゴン又は窒素雰囲気下
で、行われることができる。それぞれの場合において特
に記載された反応条件が、好ましい。
【０１８３】溶媒及び希釈剤は、例えば、水、アルコー
ル、例えば、低級アルキルヒドロキシド、例えば、メタ
ノール、エタノール又はフェノール、ジオール、例え
ば、エチレングリコール、トリオール、例えば、グリセ
ロール、又はアリールアルコール、例えば、フェノー
ル、酸アミド、例えば、カルボン酸アミド、例えば、ジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド又は１，３
−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１
Ｈ）−ピリミジノン（ＤＭＰＵ）、又は無機酸のアミ
ド、例えば、ヘキサメチルリン酸トリアミド、エーテ
ル、例えば、環状エーテル、例えば、テトラヒドロフラ
ン又はジオキサン、又は非環状エーテル、例えば、ジエ
チルエーテル又はエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ハロゲン化炭化水素、例えば、ハロ−低級アルカ
ン、例えば、塩化メチレン又はクロロホルム、ケトン、
例えば、アセトン、ニトリル、例えば、アセトニトリ
ル、酸無水物、例えば、無水酢酸、エステル、例えば、
酢酸エチル、ビスアルカンスルフィン、例えば、ジメチ
ルスルホキシド、窒素の複素環、例えば、ピリジン、炭
化水素、例えば、低級アルカン、例えば、ヘプタン、又
は芳香族化合物、例えば、ベンゼン又はトルエン、又は
これらの混合溶媒であり、上記の反応のそれぞれに好適
な特定の溶媒を選択できるようにしたものである。
【０１８４】式Ｉの化合物と、遊離形態並びに塩及び／
又は互変異性体の形態のその前駆体との密接な関係によ
り、本明細書における遊離化合物及びその出発材料は、
適切ならば、対応の塩又は遊離化合物及び／もしくは互
変異性体も、その化合物が１もしくは数個の塩形成基、
例えば塩基性基、例えばアミノもしくはイミノ基（数個
の不飽和炭素原子に結合しているものを含む；例えば中
心のフェニル環のＣ原子上に結合している基−ＮＡ1 Ａ
ｒ1 及び／又は−ＮＡ2 Ａｒ2 （ここでＡｒ1及びＡ1
並びに／又はＡｒ2 及びＡ2 は不飽和炭素原子を介して
結合していない）及び／又は酸性基（例えばカルボキシ
ル又はスルホ（ＳＯ3 Ｈ）、及び／又は互変異性基を有
する限り、同じように解する。出発材料又は式Ｉの化合
物について本明細書で述べられているとき、置換基、化
合物、互変異性体、塩、複数の置換基、複数の化合物、
複数の互変異性体もしくは塩は、単数形又は複数形の利
用に関係なく「１又は数個」を適宜意味している。出発
材料は必要、且つ、有利ならば保護形態で用いられ、適
宜脱離されうる。保護基、その導入及び脱離法は方法
ａ）で定義した。
【０１８５】本化合物及びその塩は水和物の形態、又は
結晶化のために用いた溶媒を含みうる結晶状で獲得でき
うる。
【０１８６】本発明の方法は先記した出発材料を利用す
るのが好ましい。
【０１８７】本発明は、任意の段階で中間体として得ら
れる化合物から出発して残りの工程を実施する、又は記
載の反応条件のもとで形成される出発材料、その誘導
体、例えば塩から出発する態様の方法にも関する。
【０１８８】本発明は活性成分として式Ｉの化合物を含
んで成る薬理学的組成物にも関連する。特に好ましいの
は経腸、特に経口及び非経口用組成物である。この組成
物は活性成分のみ、又は好ましくは薬理学的補助剤を一
緒に含んで成る。活性成分の投与量は処置すべき疾患、
種、年齢、体重、及び個体の状況、並びに投与方法に依
存するであろう。
【０１８９】代表的な温血種、特に前記の疾患、詳しく
はタンパク質キナーゼの阻害に応答する疾患、例えば乾
癬又は腫瘍に苦しむ人間への投与に適する、式Ｉの化合
物、又は塩形成基が組成物するならその塩を、タンパク
質キナーゼを阻害するのに有効な量で、少なくとも１種
の薬理学的に許容される補助剤と一緒に含んで成る組成
物が好ましい。
【０１９０】該薬理学的組成物は活性成分を約５〜約９
５％含んで成り、個別投与に付される投与形態は好まし
くは約２０％〜約９０％の活性成分含んで成り、そして
個別投与に付されない投与形態は好ましくは約５％〜約
２０％の活性成分を含んで成る。単位投与形態、例えば
糖衣錠、錠剤、カプセルは約０．０５ｇ〜約１．０ｇの
活性成分を含んで成る。
【０１９１】本発明の薬理学的組成物は、常用の方法、
例えば常用の混合、顆粒化、糖衣、溶解又は凍結乾燥に
より調製される。例えば経口投与用薬理学的組成物は、
活性成分を１もしくは数種の固形補助剤と混ぜ、所望す
るならばこの混合物を顆粒化し、そして所望するならば
この顆粒を錠剤又は糖衣錠コアへと、更なる賦形剤を伴
って又は伴わないで加工することにより得られうる。
【０１９２】好適な補助剤は、特に増量剤、例えば、糖
類、例えば、ラクトース、シュクロース、マニトール又
はソルビトール、セルロース調製物及び／又はリン酸カ
ルシウム、例えば、リン酸３カルシウム又はリン酸水素
カルシウム、及び結合剤、例えば、例えば、トウモロコ
シ、小麦、米又はポテトの澱粉を使用した澱粉ペース
ト、ゼラチン、トラガント、メチルセルロース、ヒドロ
キシプロピルメチルセルロース、ナトリウムカルボキシ
メチルセルロース、及び／又は、ポリビニルピロリド
ン、及び／又は、所望により、崩壊剤、例えば、上記の
澱粉、またカルボキシメチル澱粉、架橋ポリビニルピロ
リドン、寒天、アルギン酸若しくはそれらの塩、例え
ば、アルギン酸ナトリウムである。その他の賦形剤は、
特に流れ調整剤（ｆｌｏｗ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｅｒ）
及び粘滑剤、例えば、珪酸、滑石（ｔａｌｃ）、ステア
リン酸又はそれらの塩、例えば、ステアリン酸マグネシ
ウム若しくはカルシウム、及び／又はポリエチレングリ
コールである。糖剤のコア（ｄｒａｇｅｅ ｃｏｒｅ）
は、好適な、場合により腸の、被覆により、とりわけ、
アラビアガム、滑石、ポリビニルピロリドン、ポリエチ
レングリコール及び／又はチタニウム・ジオキサイドを
含んで成ることができる濃縮糖溶液、又は好適な有機溶
媒中の被覆溶液を使用しながら、又は、腸の被覆の調製
のためには、好適なセルロース調製物、例えば、フタル
酸エチルセルロース又はフタル酸ヒドロキシプロピルメ
チルセルロースを使用しながら、提供される。染料又は
顔料は、錠剤又は糖剤の被覆又はカプセルのケースに、
例えば、識別の目的のために又は活性成分の異なる投与
量を示すために、添加されることができる。
【０１９３】経口投与用のその他の薬理学的組成物はゼ
ラチン及びプラスチサイザー、例えばグリセロール又は
ソルビトールより成るゼラチンカプセル又はソフトシー
ルカプセルである。ハードゼラチンカプセルは顆粒状の
活性成分を、例えば充填剤、例えばメイズスターチ、バ
インダー及び／又は潤滑剤、例えばタルク又はステアリ
ン酸マグネシウムとの、安定剤を伴って又は伴わない混
合物として含んで成りうる。ソフトカプセルにおいて
は、この活性成分は好ましくは安定液剤、例えば脂肪
油、ラウログリコール（１，２−プロピレングリコール
モノラウレート、Ｇａｔｔｅｆｏｓｓｅ Ｓ．Ａ．Ｓａ
ｉｎｔ Ｐｒｉｅｓｔ，フランス）、ゲルシール（Ｇａ
ｔｔｅｆｏｓｓｅ Ｓ．Ａ．Ｓａｉｎｔ Ｐｒｉｅｓ
ｔ，フランス）、又はセサミシード油、液状パラフィン
又は液状ポリエチレングリコール、例えばＰＥＧ ３０
０（Ｍｒ ２８５−３１５）又はＰＥＧ ４００（Ｍｒ
３８０−４２０）の中に溶解又は懸濁されており、安
定剤又は洗浄剤、例えばツイーン（商標：ポリオキシエ
チレンソルビタン脂肪酸モノエステル、Ａｔｌａｓ Ｃ
ｈｅｍ．Ｉｎｄ．Ｉｎｃ．米国の高標）を加えてよい。
【０１９４】経口投与用のその他の投与形態は例えば、
常用の方法で作られ、且つ、活性成分を懸濁状態で約５
％〜２０％、好ましくは約１０％又は個体への投与量が
５又は１０mlとなるような濃度で含むシロップである。
更に適当なのは粉末又は液状の濃縮体であり、これはシ
ェークするとミルクシェークとなりうる。かかる濃縮体
は個別の投与をもたらす量で包装できうる。
【０１９５】適切な薬理学的組成物は、例えば直腸投与
できるもの、例えば活性成分と座薬ベースより成る座薬
である。適切な座薬ベースは例えば天然又は合成トリグ
リセリド、パラフィンハイドロカーボン、ポリエチレン
グリコール又は高級アルカノールである。
【０１９６】非経口投与用に主として適するのは注射の
ための水溶性状態の、例えば水溶性塩又は水性懸濁状の
活性成分の水性溶液であり、これは増粘剤、例えばナト
リウムカルボキシメチルセルロース、ソルビール及び／
又はデキストランと任意に安定剤を含んで成る。活性成
分は任意的に賦形剤と凍結乾燥でき、これは適当な溶媒
の添加により非経口投与前に溶解させる。
【０１９７】非経口投与のために使用できうる溶液は点
滴のための溶流としても利用できうる。
【０１９８】本発明は前記の障害、特にタンパク質キナ
ーゼの阻害に応答する障害の処置のための方法にも関連
する。本発明の化合物は、かかる処置を必要とする代表
的な温血動物、例えば人間に、好ましくは上記の障害に
有効な量で予防的又は治療的に投与でき、これは好まし
くは薬理学的組成物の形態で使用される。１mg〜５００
０mg、例えば約０．１ｇ〜約５ｇ、好ましくは０．５ｇ
〜約２ｇの本発明の化合物が約７０kgの体重の患者に毎
日投与される。
【０１９９】以下の実施例は本発明を例示する。示して
いる温度はセッ氏である。下記の略語を用いている：ｃ
ａｌｃ．＝計算値；エーテル＝ジエチルエーテル；ＦＡ
Ｂ−ＭＳ＝高速原子衝撃質量分析；ｆ．＝実験値；ｓａ
ｔ．＝不飽和；mbar＝単位圧力（１mbar＝１ヘクトパス
カル）； 1ＨＮＭＲ＝陽子核磁気共鳴；ＲＴ＝室温；
ｍ．ｐ．＝融点；ＴＨＦ＝テトラヒドロフラン；torr＝
単位圧力（１torrは１mm水銀柱に相当；ｄｅｃｏｍｐ．
＝分解が伴う。
【０２００】溶媒／溶離液混合物の定量比はことわりの
ない限り容量比（Ｖ／Ｖ）で示している。
【０２０１】
【実施例】実施例１：４，５−ビス（４−フルオロアニリノ）フタ
ル酸ジアミド オートクレーブの中で、２９０mg（０．７mmol）のジメ
チル４，５−ビス（４−フルオロアニリノ）フタレート
を２mlのメタノールに溶かし、そして２０mlのアンモニ
アをその中で凝縮させた。密閉オートクレーブを１８時
間１２０℃で熱した。オートクレーブをさまし、窒素を
用いてＲＴで過剰のアンモニアを排除し、そして残渣を
エチルアセテートで洗った。黄色い懸濁物を濾過し、そ
してその固形物をエチルアセテートを用いてよく洗っ
た。これにより、黄色い結晶の表題の化合物が得られ
た。ｍ．ｐ．１９２−１９４℃，ＦＡＢ−ＭＳ：３８３
〔Ｍ+＋Ｈ〕。
【０２０２】出発材料は下記のように調製した： ａ）ジメチル４，５−ビス（４−フルオロアニリノ）フ
タレート ６０mlの氷酢酸中の２．４ｇ（６mmol）のジメチル４，
５−ビス（トリメチルシリルオキシ）−シクロヘキサ−
１，４−ジエン−１，２−ジカルボキシレート（実施例
１ｂ）及び２．３ml（２４mmol）の４−フルオロアニリ
ンの溶液を２時間還流させた。この反応混合物をさま
し、溶媒を蒸発させ、こげ茶色の残渣をジクロロメタン
に溶かし、そしてこの溶液を順に、２０mlの１ＮのＨＣ
ｌ，５０mlの飽和ＮａＨＣＯ3 溶液、次いで２回水２０
mlを用いて洗い、硫酸ナトリウムで乾燥させ、そしてエ
バポレートに付した。エバポレーションにより獲得でき
た残渣をシリカゲルでエチルアセテート／ヘキサン
２：１を用いてクロマトグラフィーに付し、そして生成
物の画分をエバポレートに付し、そしてエチルアセテー
ト／ヘキサンより再結晶化させた。これは黄色結晶の表
題の化合物をもたらした。 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ
ｌ3 ）：δ＝７．４０（ｓ，２Ｈ），７．１０−６．８
０（ｍ，８Ｈ），５．７０（ｂｒ ｓ，２Ｈ），３．８
３（ｓ，６Ｈ）。
【０２０３】ｂ）ジメチル４，５−ビス（トリメチルシ
リルオキシ）シクロヘキサ−１，４−ジエン−１，２−
ジカルボキシレート ３０mlのトルエン中の７．１ｇ（５０mmol）のジメチル
アセチレンジカルボキシレート（Ｆｌｕｋａ，スイス）
の溶液をアルゴンのもとで１２．５ｇ（５０mmol）の
２，３−ビス（トリメチルシリルオキシ）−１，３−ブ
タジエン（Ａｌｄｒｉｃｈ，西ドイツ）（９５％）に滴
下し、次いで１９時間還流させた。反応混合物をさま
し、溶媒を蒸発させ、そして残渣を高真空（０．１mba
r，１２４−１２７℃）で蒸留した。これは黄色い高粘
性の表題の化合物をもたらした。 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ
ｌ3 ）：δ＝０．１８（ｓ，１８Ｈ），３．０９（ｓ，
４Ｈ），３．７８（ｓ，６Ｈ）。
【０２０４】実施例２：メチル４，５−ジアニリノフタルアミデート ３５０mg（１．０６mmol）の４，５−ジアニリノフタル
イミドを１０mlのメタノールの中で７日間還流に付し
た。この反応混合物を蒸発させ、そしてその生成物をエ
チルアセテート／ヘキサン２：１を利用してシリカゲル
でクロマトグラフィーに付した。この生成物の画分を合
わせ、そしてエチルアセテート／ヘキサンから結晶化さ
せた。これは薄い黄色の結晶の表題の化合物をもたらし
た。ｍ．ｐ．１７６−１７８℃、ＦＡＢ−ＭＳ：３６２
〔Ｍ+ ＋Ｈ〕。
【０２０５】出発材料は下記の通りに調製した。
【０２０６】ａ）４，５−ジアニリノフタルイミド ２３mlのエチレングリコール中の２３０mg（０．７mmo
l）のジメチル４，５−ジアニリノフタレートの懸濁物
を１２０℃に熱した。撹拌しながらアンモニアを２４時
間通した。この反応混合物を冷やし、そしてエチルアセ
テートを用いて抽出した。エチルアセテート相を順に水
で３回、そして飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗い、硫
酸ナトリウムで乾燥させ、そしてエバポレートに付し
た。エバポレーションにより得た残渣をジクロロメタン
／メタノール４０：１を用いてシリカゲルでクロマトグ
ラフィーに付した。生成物の画分を合わせ、次いでエバ
ポレートした。これは黄色い結晶の表題の化合物をもた
らした。ｍ．ｐ．２１５−２１７℃、ＦＡＢ−ＭＳ：３
３０〔Ｍ+ ＋Ｈ〕。
【０２０７】 ｂ）ジメチル−４，５−ジアニリノナフタレート ５．６ｇ（１５mmol）のジメチル４，５−ビス（トリメ
チルシリルオキシ）シクロヘキサ−１，４−ジエン−
１，２−ジカルボキシレート（実施例１ｂ）及び５．５
ml（６０mmol）のアニリンの溶液を６０mlの氷酢酸の中
で４時間還流に付した。この反応混合物を冷却し、溶媒
を蒸発させ、こげ茶色の残渣をジクロロメタンに溶か
し、そしてこの溶液を順に２０mlの１ＮのＨＣｌ，５０
mlの飽和ＮａＨＣＯ3 溶液、次いで２０mlの水で２回洗
い、硫酸ナトリウムで乾燥させ、そしてエバポレートに
付した。粗生成物をエタノールから再結晶化させた。こ
れは黄色い結晶の表題の化合物をもたらした。ｍ．ｐ．
１７８℃，ＦＡＢ−ＭＳ：３７７〔Ｍ+ ＋Ｈ〕。
【０２０８】実施例３：ナトリウム４，５−ジアニリノ
フタルアミデート ９９８mg（３mmol）の４，５−ジアニリノフタルイミド
（実施例２ａ）を２０mlの０．１Ｎの水酸ナトリウムと
３０mlのＴＨＦの混合物の中で室温で４日間撹拌した。
この反応混合物を濾過し、そしてその濾液をエチルアセ
テートを用いて抽出した。表題の化合物が放置によって
水から結晶化した。白色結晶；分解温度１７０℃；ＦＡ
Ｂ−ＭＳ：３４８〔Ｍ+ ＋Ｈ〕。
【０２０９】実施例４：ジ−２−ヒドロキシエチル４，
５−ジアニリノフタレート及びメチル２−ヒドロキシエ
チル４，５−ビス（アニリノ）フタレート ２３mlのエチレングリコール中の２３０mg（０．７mmo
l）のジメチル４，５−ジアニリノフタレートの懸濁物
をアンモニアガスで飽和にし、１２０℃に熱し、次いで
２４時間撹拌した。この反応混合物を冷やし、飽和塩化
ナトリウム溶液を加え、そしてこの混合物をエチルアセ
テートで抽出した。このエチルアセテート相を順に、水
で３回、そして飽和ＮａＣｌ溶液で１回洗い、硫酸ナト
リウムで乾かし、そしてエバポレートに付した。エバポ
レーションにより得た残渣を２：１から１：１０に至る
ヘキサン／エチルアセテートの勾配を利用するシリカゲ
ル上でクロマトグラフィーに付し、そして生成物画分を
合わせ、そしてエバポレートに付した。これは薄い黄色
の結晶の表題の化合物をもたらした。ジ−２−ヒドロキ
シエチル４，５−ジアニリノフタレート、ｍ．ｐ．１６
２−１６３℃，ＦＡＢ−ＭＳ：４３７〔Ｍ+ ＋Ｈ〕、メ
チル−２−ヒドロキシエチル４，５−ビス（アニリノ）
フタレート、ｍ．ｐ．１７０−１７１℃，ＦＡＢ−Ｍ
Ｓ：４０７〔Ｍ+＋Ｈ〕。
【０２１０】実施例５：ビス（２−ヒドロキシエチル）
５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−５，６，７，８
−テトラヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキシレー
ト 実施例４に類似して、アンモニアガスで飽和にした４ml
のエチレングリコール中の４０mg（０．１mmol）のジメ
チル５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−５，６，
７，８−テトラヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキ
シレートを１２０℃で２４時間熱した。この反応混合物
を冷やし、飽和ＮａＣｌ溶液を加え、そしてこの混合物
をエチルアセテートで抽出した。このエチルアセテート
相を順に、水で３回、次いで飽和ＮａＣｌ溶液で１回洗
い、硫酸ナトリウムで乾かし、そしてエバポレートに付
した。エバポレーションにより得られた残渣をジクロロ
メタン／メタノール２０：１を用いるシリカゲルでのク
ロマトグラフィーに付し、そして生成物画分を合わせ、
そしてエバポレートに付した。これは薄い黄色のワック
スの表題の化合物をもたらした。 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ
ｌ3 ）：７．４５（ｍ，４Ｈ），７．３（ｔ，６Ｈ），
７．１（ｓ，２Ｈ），４．３（ｔ，４Ｈ），３．８
（ｍ，８Ｈ）；ＦＡＢ−ＭＳ：４６３〔Ｍ+ ＋Ｈ〕。
【０２１１】出発材料は下記の通りに調製した。 ａ）ジメチル５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−
５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２，４−ジ
カルボキシレート ２．２４ｇ（６mmol）のジメチル４，５−ビス（トリメ
チルシリルオキシ）シクロヘキサ−１，４−ジエン−
１，２−ジカルボキシレート（実施例１ｂ）及び５．１
ｇ（２４mmol）のＮ，Ｎ′−ジフェニルエチレンジアミ
ン（Ｓｉｇｍａ，スイス）の溶液を２４mlの氷酢酸の中
で２時間還流に付した。この反応混合物を冷やし、溶媒
をエバポレートに付し、こげ茶色の残渣をジクロロメタ
ンに溶かし、そしてこの溶液を順に、２０mlの１ＮのＨ
Ｃｌ，５０mlの飽和ＮａＨＣＯ3 、次いで２０mlの水で
２回洗い、硫酸ナトリウムで乾かし、そしてエバポレー
トに付した。粗生成物をヘキサン／エチルアセテート
３：１を用いてシリカゲルでクロマトグラフィーに付
し、生成物の画分をエバポレートに付し、そして残渣を
エタノールから再結晶化させた。これは橙色結晶の表題
化合物をもたらした。ＦＡＢ−ＭＳ：４０２〔Ｍ+ 〕，
４０３〔Ｍ+ ＋Ｈ〕。
【０２１２】実施例６：４，５−ジアニリノ−２−ヒド
ロキシメチルベンズアミド 固形硼水素化ナトリウム（０．３ｇ，０．００８mol ）
を小分けして撹拌しながらメタノール（４０ml）中の
４，５−ジアニリノフタルイミド（実施例２ａ，０．３
０ｇ，０．９１mmol）の溶液に、最初は黄色であるこの
反応溶液が無色となり、そして出発材料が薄層クロマト
グラフィー（シリカゲル、エチルアセテート／ヘキサン
１：１）で検出されなくなるまで添加した。次にＮａＣ
ｌ溶液を加え、そして形成される生成物をエチルアセテ
ートを用いて抽出した。エチルアセテート抽出物の乾燥
（Ｎａ2 ＳＯ4 ）及びエバポレーションの後、無色の残
渣が残り、これはメタノール／エーテルから結晶化し
た。２段の結晶工程を経て、無色で粗い結晶の２−ヒド
ロキシメチル−４，５−ジアニリノベンズアミドが得ら
れ、これは２００℃で分解を伴って溶けた。Ｃ20Ｈ19Ｎ
3 Ｏ2 ：分子量３３３，ｆ．：３３３（ＦＤ−ＭＳ）。
【０２１３】実施例７：４，５−ビス（４−フルオロア
ニリノ）−２−ヒドロキシメチルベンズアミド 固形硼水素化ナトリウム（０．６ｇ，０．０１６mol ）
を小分けして撹拌しながらメタノール（４０ml）中の
４，５−ビス（４−フルオロアニリノ）フタルイミド
（０．２５ｇ，０．６８５mmol）の溶液に、最初は黄色
であるこの反応溶液が無色となり、そして出発材料が薄
層クロマトグラフィー（シリカゲル、エチルアセテート
／ヘキサン１：１）で検出されなくなるまで添加した。
次にＮａＣｌ溶液を加え、そして形成される生成物をエ
チルアセテートを用いて抽出した。エチルアセテート抽
出物の乾燥（Ｎａ2 ＳＯ4 ）及びエバポレーションの
後、無色の残渣が残り、これをメタノール／エーテルか
ら２回結晶化させた。これは、無色の結晶の２−ヒドロ
キシメチル−４，５−ジ（４−フルオロアニリノ）ベン
ズアミドをもたらした。ｍ．ｐ．８１−８２℃。Ｃ20Ｈ
17Ｆ2 Ｎ3 Ｏ2 ：分子量３６９．３７，ｃａｌｃ．Ｃ６
５．０３％；Ｈ４．６４％；Ｎ１１．３８％；ｆ．Ｃ６
５．０９％；Ｈ４．６７％；Ｎ１１．５５％。
【０２１４】出発材料は下記の通りに調製した。 ａ）４，５−ビス（４−フルオロアニリノ）フタルイミ
ド 実施例２ａと同様にして、２２mlのエチレングリコール
中の２９０mg（０．７mmol) のジメチル４，５−ビス
（４−フルオロアニリノ）−フタレートを１２０℃で熱
し、次いでアンモニアガスを１８時間撹拌しながら通し
た。この反応混合物を冷やし、そしてエチルアセテート
を用いて抽出した。このエチルアセテート相を順に水で
３回、次いで飽和ＮａＣｌ溶液で１回洗い、Ｎａ2 ＳＯ
4 で乾かし、そしてエバポレートに付した。エバポレー
ションにより得られる残渣をヘキサン／エチルアセテー
ト１：１を用いてシリカゲルでクロマトグラフィーに付
し、そして生成物の画分を合わせ、そしてエバポレート
した。これは橙色の結晶の表題の化合物をもたらした。
m.p.＞２２０℃、ＦＡＢ−ＭＳ：３６６〔Ｍ+ ＋Ｈ〕。ｂ）ジメチル４，５−ビス（４−フルオロアニリノ）フ
タレート ６０mlの氷酢酸中の２．４ｇ（６mmol）のジメチル４，
５−ビス（トリメチルシリルオキシ）シクロヘキサ−
１，４−ジエン−１，２−ジカルボキシレート（実施例
１ｂ）及び２．３ml（２４mmol）の４−フルオロアニリ
ンの溶液を２時間還流に付した。この反応混合物を冷や
し、溶媒を蒸発させ、こげ茶色の残渣をジクロロメタン
に溶かし、そしてこの溶液を順に２０mlの１ＮのＨＣ
ｌ、５０mlの飽和ＮａＨＣＯ3 溶液、次いで２０mlの水
で２回洗、Ｎａ2 ＳＯ4 で乾かし、そしてエバポレート
に付した。エバポレーションにより得られた残渣をエチ
ルアセテート／ヘキサン２：１を用いてシリカゲルでク
ロマトグラフィーに付し、そして生成物画分をエバポレ
ートし、次いでエチルアセテート／ヘキサンから再結晶
化させた。これは黄色い結晶の表題の化合物をもたらし
た。 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3)：δ＝７．４０（ｓ，２
Ｈ），７．１０−６．８０（ｍ，８Ｈ），５．７０（ｂ
ｒｓ２Ｈ），３．８３（ｓ，６Ｈ）。
【０２１５】実施例８：４，５−ジアニリノ−２−ヒド
ロキシメチル安息香酸 固形硼水素化ナトリウムを小分けして撹拌しながらメタ
ノール（５０ml）中の４，５−ジアニノリフタル酸無水
物（０．２５０ｇ，０．７５mmol）の溶液に、最初は強
い黄色であるこの反応混合物がほぼ無色となるまで加え
た。次にＮａＣｌ溶液及び水を加え、pHをクエン酸溶液
を用いて６にし、そして形成される生成物をエチルアセ
テートを用いて繰り返し抽出して得た。エチルアセテー
トの乾燥（ＮａＳＯ4 ）及びエバポレーションの後、無
色の物質が残り、これはエチルアセテート／エーテルよ
り結晶化した。これは長くて薄いプリズムの２−ヒドロ
キシメチル−４，５ジアニリノ安息香酸をもたらした。
m.p.１５８−１６９℃（分解）。Ｃ20Ｈ18Ｎ2 Ｏ3 ：分
子量、ｃａｌｃ．３３４，ｆ．３３４（ＦＤ−ＭＳ）。
【０２１６】出発材料は下記のように調製した。 ａ）４，５−ジアニリノフタル酸無水物 無水酢酸中の４，５−ジアニリノフタル酸の溶液を６０
℃で３０分熱し、これは強い黄色をもたらした。エバポ
レーションの後、４，５−ジアニリフタル酸無水物の黄
色い結晶が残り、そしてこれらの結晶をアセトン／エー
テルから再結晶化させた。m.p.１９６−１９７℃。Ｃ20
Ｈ14Ｎ2 Ｏ3 ：分子量ｃａｌｃ．３３０，ｆ．３３０
（ＦＤ−ＭＳ）。
【０２１７】ｂ）４，５−ジアニリノフタル酸 ジメチル４，５−ジアニリノフタレート（実施例２ｂ，
３．０５ｇ）をメタノール（５００ml）と１ＭのＮａＯ
Ｈ（１００ml）との混合物の中で２時間還流に付し、酸
素は除去しておいた。次にメタノールを真空でエバポレ
ートし、そして反応生成物のアルカリ性溶液を塩酸を用
いて酸性化に付した。表題の化合物が迅速に結晶状で沈
殿し、そして塩化メチレンからの再結晶化は薄い黄色の
とんがったプリズムをもたらし、これは１６９℃で分解
を伴って溶けた。Ｃ20Ｈ16Ｎ2 Ｏ4 ：分子量ｃａｌｃ．
３４８，ｆ．３４８（ＦＤ−ＭＳ）。
【０２１８】実施例９：５，６−ジアニリノ−２−オキ
サインダン−１−オン 高真空での蒸留により（バルブチューブ、０．１torr、
浴槽温度２１０℃）、２−ヒドロキシメチル−４，５−
ジアニリノベンズアミド（実施例６）は無色で油状の蒸
留物をもたらし、これはアセトン／エーテル中で結晶化
した。この表題の生成物は薄い黄色でほとんど無色であ
り、m.p.が１８９−１９０℃の結晶であった。Ｃ20Ｈ16
Ｎ2 Ｏ2 ：分子量ｃａｌｃ．３１６，ｆ ３１６（ＦＤ
・ＭＳ）
【０２１９】実施例１０：メチル４，５−ジアニリノ−
２−ヒドロキシメチルベンズアミド ５，６ジアニリ−２−オキサインダン−１−オン（実施
例９，７０mg）をエタノール中のメチルアミン（３３
％，１５ml）と一緒に５ｇのアスコルビン酸（酸化防止
剤）の添加したシールチューブの中で６０℃で３時間熱
した。この反応生成物（エチルアセテート／アセトン
１：１中の紫色の溶液）をエチルアセテートを用いてシ
リカゲルで濾過し、その際濃い紫色の物質が残った。無
色の溶離液をエバポレートに付し、アセトン／エーテル
で再結晶化する結晶が得られた。これは無色のプリズム
状の４，５−ジアニリ−２−ヒドロキシメチルベンズア
ミドをもたらした。m.p.１６７−１６９℃。Ｃ21Ｈ21Ｎ
3 Ｏ2 ：分子量ｃａｌｃ．３４７，ｆ．３４７（ＦＤ−
ＭＳ）。
【０２２０】実施例１１：４，５−ジアニリノ−２−ヒ
ドロキシメチルベンゾヒドラジド ５，６−ジアニリノ−２−オキサインダン−１−オン
（実施例９，０．１３１ｇ，０．０４１mol ）とメタノ
ール（２０ml）及びヒドラジン水和物（０．４ml）をシ
ールチューブの中で７０℃で１２時間熱した。この反応
混合物をエバポレートに付し、そしてその残渣をエチル
アセテート／エーテルから２回結晶化させた。２−ヒド
ロキシメチル−４，５−ジアニリノベンゾヒドラジドは
無色のプリズム（０．０７０ｇ，理論値４９％）を形成
する。m.p.１６６−１６７℃。Ｃ20Ｈ20Ｎ4 Ｏ2 ：分子
量ｃａｌｃ．３４８，ｆ．３４８（ＦＤ−ＭＳ）。
【０２２１】実施例１２：３−ヒドロキシ−４，５−ジ
アニリノ−２−アザインダン−１−オン（４，５−ジア
ニリノ−２−ホルミルベンズアミドの互変異性体）： 固形水素化リチウムアルミニウム（全部で０．３４ｇ：
８．９mmol）を小分けして、撹拌しながらテトラヒドロ
フラン（１５０ml）中の４，５−ジアニリノフタルイミ
ド（実施例２ａ，０．４９３；１．４９mmol）の溶液に
加えた。最初は強い黄色であるこの溶液は薄い黄色とな
った。次に水及びそのpHが約４．５となるような量のク
エン酸を加えた。この混合物をセライト（商標：ｋｉｅ
ｓｅｌｇｕｈｒベース上のフィルター補助材、Ｆｌｕｋ
ａ、スイス）で濾過し、テトラヒドロフラン及びエチル
アセテートで洗い、そしてエチルアセテートでその濾液
を抽出した。乾燥及びエバポレーションの後、アモルフ
ァスなラッカーが残り、これは少量のエチルアセテート
による初期粉砕により結晶化した。これは薄い黄色い
４，５−ジアニリノ−２−ホルミルベンズアミドの結晶
をもたらし、これをメタノール／エタノールからの結晶
化により精製した。m.p.約２２０℃（分解）Ｃ20Ｈ17Ｎ
3 Ｏ2 ：分子量ｃａｌｃ．３３１，ｆ．３３１（ＦＤ−
ＭＳ）。
【０２２２】実施例１３：４，５−ジアニリノ−２−ヒ
ドロキシイミノメチルベンズアミド この表題の化合物は上記の方法により調製した。
【０２２３】実施例１４：２−アセトキシメチル−４，
５−ジアニリノベンズアミド ３mlの無水酢酸及び３mlのピリジン中の７６mgの４，５
−ジアニリ−２−ヒドロキシメチルベンズアミド（実施
例６）の懸濁物をす早く溶かした。室温で３時間放置し
た後、この反応混合物をトルエンの添加を伴って真空で
エバポレートに付した。その無色の残渣が表題の化合物
である。Ｃ20Ｈ21Ｎ3 Ｏ3 ：分子量ｃａｌｃ．３７５，
ｆ．３７５（ＦＤ−ＭＳ）。
【０２２４】実施例１５：４，５−ジアニリフタルアニ
リド ０．１０６ｇの４，５−ジアニリノフタル酸無水物（実
施例８ａ）、２０mlのテトラヒドロフラン及び０．２ｇ
のアニリンの混合物を５０℃で９０分熱した。この混合
物を次に真空で乾くまでエバポレートに付した。エバポ
レーションにより得た残渣をエーテルに溶かし、懸濁し
ている物質を濾過で除去し、そしてこの濾液にペンタン
を加えた。その後すぐに、薄い黄色い結晶の４，５−ジ
アニリノフタルアニリドが沈殿した。m.p.約１２０℃
（ｄｅｃｏｍｐ）。Ｃ26Ｈ21Ｎ3 Ｏ3 ：分子量ｃａｌ
ｃ．４２３，ｆ．４２３（ＦＤ−ＭＳ）。
【０２２５】実施例１６：（Ａ）ジ−（２−ヒドロキシ
エチル）５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−６−ヒ
ドロキシメチル−５，６，７，８−テトラヒドロナフタ
レン−２，３−ジカルボキシレート及び（Ｂ）（２−ヒ
ドロキシエチル）メチル５，８−ジフェニル−５，８−
ジアザ−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−
２，３−ジカルボキシレート： ４０mlのエチレングリコール中の２３０mg（０．７mmo
l）のジメチル５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−
６−ヒドロキシメチル−５，６，７，８−テトラヒドロ
ナフタレン−２，３−ジカルボキシレートの懸濁物を１
２０℃に熱した。アンモニアガス流を撹拌しながらゆっ
くり通した。この反応混合物を冷やし、飽和ＮａＣｌ溶
液を加え、次いでこの混合物をエチルアセテートを用い
て抽出した。そのエチルアセテート相を順に水で３回、
飽和ＮａＣｌ溶液で１回洗い、Ｎａ 2 ＳＯ4 で乾かし、
そしてエバポレートに付した。エバポレーションにより
得られた残渣をジクロロメタンを用いてシリカゲルに適
用し、そしてクロマトグラフィーに付した。第一生成物
画分をエバポレートに付し、そしてその残渣をメタノー
ル／ジエチルエーテルから再結晶化させた。これは黄色
結晶の表題の化合物（Ｂ）をもたらした。m.p.１５５
℃、ＦＡＢ−ＭＳ：４６３〔Ｍ+ ＋Ｈ〕。第二生成物画
分を合わせ、そしてエバポレートに付した。残渣をエチ
ルアセテートから再結晶化させた。これは黄色い針状の
表題の化合物（Ａ）をもたらした。m.p.１７０−１７２
℃、ＦＡＢ−ＭＳ：４９３〔Ｍ+ ＋Ｈ〕。
【０２２６】出発材料は下記の通りに調製した。 ａ）ジメチル５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−６
−ヒドロキシメチル−５，６，７，８−テトラヒドロナ
フタレン−２，３−ジカルボキシレート ９６mg（２．２mmol）の水素化ナトリウム（油中の６０
％の分散物）を、窒素のもとで、１０mlの無水ＤＭＦ中
の３７７mg（１mmol）のジメチル４，５−ジアニリノフ
タレート（実施例２ｂ）の溶液に加えた。２mlの無水Ｄ
ＭＦ中の９６ml（１．２mmol）のエピクロロヒドリンの
溶液をＲＴで滴下し、そしてこの反応混合物を１００℃
に熱して１２時間撹拌した。この反応混合物を冷やし、
溶媒を蒸発させ、黒い残渣をジクロロメタンに溶かし、
そしてこの溶液を水で洗い、Ｎａ 2 ＳＯ4 で乾かし、そ
してエバポレートに付した。エバポレーションにより得
られる残渣をエチルアセテート／ヘキサン２：１を用い
シリカゲルでクロマトグラフィーに付し、そして生成物
画分を合わせ、そしてエバポレートに付した。これは薄
い黄色い粉末状の表題の化合物をもたらした。m.p.６８
℃、ＦＡＢ−ＭＳ：４３３〔Ｍ+ ＋Ｈ〕。
【０２２７】実施例１７：５，８−ジフェニル−５，８
−ジアザ−６−ヒドロキシメチル−５，６，７，８−テ
トラヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキシアミド オートクレーブの中で、２００mg（０．４mmol）の（２
−ヒドロキシエチル）５，８−ジフェニル−５，８−ジ
アザ−６−ヒドロキシメチル−５，６，７，８−テトラ
ヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキシレートを２ml
のメタノールに溶かし、そして１０mlのアンモニアはそ
の中で凝縮させた。密閉オートクレーブを１２０℃で２
４時間熱した。オートクレーブを冷やし、過剰のアンモ
ニアを窒素でＲＴにて追い出し、そしてその残渣をエチ
ルアセテートを用いて洗った。黄色い懸濁物を濾過し、
次いでその濾液をエチルアセテートを用いてよく洗っ
た。これは黄色い結晶の表題の化合物をもたらした。m.
p.２８６℃、ＦＡＢ−ＭＳ：４０３〔Ｍ+ ＋Ｈ〕。
【０２２８】実施例１８：上記及び下記の方法及び／又
は実施例に類似して下記の化合物を調製した： （ａ）４，５−ジアニリノフタル酸ジアミド （ｂ）４，５−ビス（２−ヨードアニリノ）フタル酸ジ
アミド （ｃ）４，５−ビス（３−ヨードアニリノ）フタル酸ジ
アミド（これは実施例１ａ）に類似して実施例１ｂの表
題の化合物及び３−ヨードアニリン（Ｆｌｕｋａ，スイ
ス）から調製した、メチル４，５−ビス（３−ヨードア
ニリノ）フタレートから実施例に類似して調製）、ジク
ロロメタンより薄い黄色い結晶、m.p.２４４−２４５
℃、ＦＡＢ−ＭＳ．５９９（Ｍ+ ＋Ｈ）） ｄ）４，５−ビス（４−ヨードアニリノ）フタル酸ジア
ミド ｅ）４，５−ビス（２−メトキシアニリノ）フタル酸ジ
アミド ｆ）４，５−ビス（３−メトキシアニリノ）フタル酸ジ
アミド ｇ）４，５−ビス（４−メトキシアニリノ）フタル酸ジ
アミド ｈ）４，５−ビス（２−シアノアニリノ）フタル酸ジア
ミド ｉ）４，５−ビス（３−シアノアニリノ）フタル酸ジア
ミド ｊ）４，５−ビス（４−シアノアニリノ）フタル酸ジア
ミド ｋ）４，５−ビス（２−ピリジンアミノ）フタル酸ジア
ミド ｌ）４，５−ビス（３−ピリジンアミノ）フタル酸ジア
ミド ｍ）４，５−ビス（４−ピリジンアミノ）フタル酸ジア
ミド ｎ）４，５−ビス（２−ピリミジンアミノ）フタル酸ジ
アミド ｏ）４，５−ビス（４−ピリミジンアミノ）フタル酸ジ
アミド ｐ）４，５−ビス（５−ピリミジンアミノ）フタル酸ジ
アミド ｑ）４，５−ビス（２−（１，３，５−トリアジニル）
アミノ）フタル酸ジアミド ｒ）４，５−ビス（２−フルオロアニリノ）フタル酸ジ
アミド ｓ）４，５−ビス（３−フルオロアニリノ）フタル酸ジ
アミド ｔ）４，５−ビス（ペンタフルオロニニリノ）フタル酸
ジアミド ｕ）４，５−ビス（４−ヒドロキシアニリノ）フタル酸
ジアミド ｖ）４，５−ビス（３−ヒドロキシアニリノ）フタル酸
ジアミド ｗ）４，５−ビス（２−ヒドロキシアニリノ）フタル酸
ジアミド ｘ）４，５−ビス（４−エチルアニリノ）フタル酸ジア
ミド ｙ）４，５−ビス（３−エチルアニリノ）フタル酸ジア
ミド ｚ）４，５−ビス（２−エチルアニリノ）フタル酸ジア
ミド。
【０２２９】実施例１９：上記及び下記の方法及び／又
は実施例に類似して下記の化合物を調製した： ａ）４，５−ビス（４−メチルアニリノ）フタル酸ジア
ミド ｂ）４，５−ビス（メチルアニリノ）フタル酸ジアミド ｃ）４，５−ビス（２−メチルアニリノ）フタル酸ジア
ミド ｄ）４，５−ビス（４−カルボキシアニリノ）フタル酸
ジアミド ｅ）４，５−ビス（３−カルボキシアニリノ）フタル酸
ジアミド ｆ）４，５−ビス（２−カルボキシアニリノ）フタル酸
ジアミド ｇ）４，５−ビス（４−メトキシカルボニルアニリノ）
フタル酸ジアミド ｈ）４，５−ビス（３−メトキシカルボニルアニリノ）
フタル酸ジアミド ｉ）４，５−ビス（２−メトキシカルボニルアニリノ）
フタル酸ジアミド ｊ）４，５−ビス（４−エトキシカルボニルアニリノ）
フタル酸ジアミド ｋ）４，５−ビス（３−エトキシカルボニルアニリノ）
フタル酸ジアミド ｌ）４，５−ビス（２−エトキシカルボニルアニリノ）
フタル酸ジアミド ｍ）メチル４，５−ビス（２−フルオロアニリノ）フタ
ルアミデード ｎ）４，５−ビス（２−ヨードアニリノ）フタル酸ジア
ミド ｏ）４，５−ビス（３−ヨードアニリノ）フタル酸ジア
ミド ｐ）４，５−ビス（４−ヨードアニリノ）フタル酸ジア
ミド ｑ）４，５−ビス（２−メトキシアニリノ）フタル酸ジ
アミド ｒ）４，５−ビス（３−メトキシアニリノ）フタル酸ジ
アミド ｓ）４，５−ビス（４−メトキシアニリノ）フタル酸ジ
アミド ｔ）４，５−ビス（２−シアノアニリノ）フタル酸ジア
ミド ｕ）４，５−ビス（３−シアノアニリノ）フタル酸ジア
ミド ｖ）４，５−ビス（４−シアノアニリノ）フタル酸ジア
ミド ｗ）４，５−ビス（２−ピリジンアミノ）フタル酸ジア
ミド ｘ）４，５−ビス（３−ピリジンアミノ）フタル酸ジア
ミド ｙ）４，５−ビス（４−ピリジンアミノ）フタル酸ジア
ミド ｚ）４，５−ビス（２−ピリミジンアミン）フタル酸ジ
アミド。
【０２３０】実施例２０：上記又は下記の方法及び／又
は実施例に類似して下記の化合物を調製した： ａ）メチル４，５−ビス（４−ピリミジンアミノ）フタ
ルアミデード ｂ）メチル４，５−ビス（５−ピリミジンアミノ）フタ
ルアミデード ｃ）メチル４，５−ビス（２−（１，３，５−トリアジ
ニル）アミノ）フタルアミデード ｄ）メチル４，５−ビス（３−フルオロアニリノ）フタ
ルアミデード ｅ）メチル４，５−ビス（４−フルオロアニリノ）フタ
ルアミデード ｆ）メチル４，５−ビス（ペンタフルオロアニリノ）フ
タルアミデード ｇ）メチル４，５−ビス（４−ヒドロキシアニリノ）フ
タルアミデード ｈ）メチル４，５−ビス（３−ヒドロキシアニリノ）フ
タルアミデード ｉ）メチル４，５−ビス（２−ヒドロキシアニリノ）フ
タルアミデード ｊ）メチル４，５−ビス（４−エチルアニリノ）フタル
アミデード ｋ）メチル４，５−ビス（３−エチルアニリノ）フタル
アミデード ｌ）メチル４，５−ビス（２−エチルアニリノ）フタル
アミデード ｍ）メチル４，５−ビス（４−メチルアニリノ）フタル
アミデード ｎ）メチル４，５−ビス（３−メチルアニリノ）フタル
アミデード ｏ）メチル４，５−ビス（２−メチルアニリノ）フタル
アミデード ｐ）メチル４，５−ビス（４−カルボキシアニリノ）フ
タルアミデード ｑ）メチル４，５−ビス（３−カルボキシアニリノ）フ
タルアミデード ｒ）メチル４，５−ビス（２−カルボキシアニリノ）フ
タルアミデード ｓ）メチル４，５−ビス（４−メトキシカルボニルアニ
リノ）フタルアミデード ｔ）メチル４，５−ビス（３−メトキシカルボニルアニ
リノ）フタルアミデード ｕ）メチル４，５−ビス（２−メトキシカルボニルアニ
リノ）フタルアミデード ｖ）メチル４，５−ビス（４−エトキシカルボニルアニ
リノ）フタルアミデード ｗ）メチル４，５−ビス（３−エトキシカルボニルアニ
リノ）フタルアミデード ｘ）メチル４，５−ビス（２−エトキシカルボニルアニ
リノ）フタルアミデード ｙ）４（３−〔３メチルウレイド〕プロピル）ジアニリ
ノフタル酸ジアミド。
【０２３１】実施例２１：上記又は下記の方法及び／又
は実施例に類似して下記の化合物を調製した： ａ）４−（２−アミノエチル）−４，５−ジアニリノフ
タル酸ジアミド ｂ）４−（３−アミノエチル）−４，５−ジアニリノフ
タル酸ジアミド ｃ）４−（３−カルバモイルプロピル）−４，５−ジア
ニリノフタル酸ジアミド ｄ）５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−６−ヒドロ
キシイミノメチル−５，６，７，８−テトラヒドロナフ
タレン−２，３−ジカルボキサミド ｅ）６−アミノメチル−５，８−ジフェニル−５，８−
ジアザ−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−
２，３−ジカルボキサミド ｆ）メチル５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−６−
ヒドロキシメチル−５，６，７，８−テトラヒドロナフ
タレン−２，３−ジカルボキサミデート ｇ）メチル４−（３−アミノプロピル）−４，５−ジア
ニリノフタルアミデート ｈ）メチル４−（３−〔３−メチルウレイド〕プロピ
ル）−ジアニリノフタルアミデート ｉ）メチル４−（２−アミノエチル）−４，５−ジアニ
リノフタルアミデート ｊ）メチル４−（３−カルバモイルプロピル）−４，５
−ジアニリノフタルアミデート ｋ）メチル５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−６−
ヒドロキシイミノメチル−５，６，７，８−テトラヒド
ロナフタレン−２，３−ジカルボキサミデート ｌ）メチル６−アミノメチル−５，８−ジフェニル−
５，８−ジアザ−５，６，７，８−テトラヒドロナフタ
レン−２，３−ジカルボキサミデート ｍ）５，８−ビス（４−フルオロフェニル）−５，８−
ジアザ−６−ヒドロキシメチル−５，６，７，８−テト
ラヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキサミド ｎ）４−（３−アミノプロピル）−４，５−ビス（４−
フルオロアニリノ）フタル酸アミド ｏ）４−（３−〔メチルウレイド〕プロピル）−４，５
−ビス（４−フルオロアニリノ）フタル酸アミド ｐ）４−（２−アミノエチル）−４，５−ビス（４−フ
ルオロアニリノ）フタル酸アミド ｑ）４−（３−カルバモイルプロピル）−４，５−ビス
（４−フルオロアニリノ）フタル酸アミド ｒ）５，８−ビス（４−フルオロフェニル）−５，８−
ジアザ−６−ヒドロキシイミノメチル−５，６，７，８
−テトラヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキサミド ｓ）６−アミノメチル−５，８−ビス（４−フルオロフ
ェニル）−５，８−ジアザ−５，６，７，８−テトラヒ
ドロナフタレン−２，３−ジカルボキサミド ｔ）メチル５，８−ビス（４−フルオロフェニル）−
５，８−ジアザ−６−ヒドロキシメチル−５，６，７，
８−テトラヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキサミ
デート ｕ）メチル４−（３−アミノプロピル）−４，５−ビス
（４−フルオロアニリノ）フタルアミデート ｖ）メチル４−（３−〔３−メチルウレイドプロピル）
−４，５−ビス（４−フルオロアニリノ）フタルアミデ
ート ｗ）メチル４−（２−アミノエチル）−４，５−ビス
（４−フルオロアニリノ）フタルアミデート ｘ）メチル４−（３−カルバモイルプロピル）−４，５
−ビス（４−フルオロアニリノ）フタルアミデート ｙ）メチル５，８−ビス（４−フルオロフェニル）−
５，８−ジアザ−６−ヒドロキシイミノメチル−５，
６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２，３−ジカル
ボキサミデート ｚ）メチル６−アミノメチル−５，８−ビス（４−フル
オロフェニル）−５，８−ジアザ−５，６，７，８−テ
トラヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキサミデー
ト。
【０２３２】実施例２２：上記又は下記の方法及び／又
は実施例に類似して下記の化合物を調製した： ａ）メチル５，８−ビス（４−フルオロフェニル）−
５，８−ジアザ−６−ヒドロキシメチル−５，６，７，
８−テトラヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキサミ
デート ｂ）４，５−ビス（Ｎ−アリル−Ｎ−フェニル）アミノ
フタル酸アミド（実施例１と同様にして、二次生成物と
してのジメチル４，５−ビス（Ｎ−アニリノ）フタレー
トから調製）；m.p.１１４−１１６℃、ＦＡＢ−ＭＳ：
４２８（Ｍ+ ＋Ｈ）。
【０２３３】出発材料ジメチル４，５−ビス（Ｎ−アリ
ルアニリノ）フタレートの調製：１５mlのＨＭＰＴ（ヘ
キサメチルリン酸トリアミド）又はＤＭＰＵ中の３．６
７ｇ（１０mmol）のジメチル４，５−ビス（アニリノ）
フタレート（実施例２ｂ）の溶液を、アルゴンのもとで
ＲＴにて、０．６ｇ（１５．４mmol）の水素化ナトリウ
ムで処理し、そしてこの混合物を６０℃で３０分間熱し
た。この暗赤色の溶液を室温に冷やし、そして真空を５
分間適用した（１torr）。次に、３mlのＴＨＦ中の１．
５ml（１５．２mmol）の１−ブロモ−３−クロロプロパ
ンを滴下し、そしてこの反応混合物をＲＴで１８時間撹
拌した。この反応混合物を氷水に注ぎ入れ、そしてエチ
ルアセテートで抽出し、そして有機相を合わせ、水でよ
く洗い、Ｎａ2 ＳＯ4 で乾かし、そしてエバポレートに
付した。エバポレーションにより得られる残渣をヘキサ
ン／エチルアセテート５：１を用いシリカゲルでクロマ
トグラフィーに付した。これは表題の化合物：ジメチル
４，５−ビス（アニリノ）−Ｎ4 ，Ｎ5 −プロパンジイ
ルフタレートを無色の結晶として供する。ＦＡＢ−Ｍ
Ｓ：４１７〔Ｍ+ ＋Ｈ〕；更には無色の油状のジメチル
４，５−ビス（Ｎ−アリルアニリノ）フタレートを供す
る。ＦＡＢ−ＭＳ：４５７〔Ｍ+ ＋Ｈ〕。
【０２３４】実施例２３：上記又は下記の方法に類似し
て下記の化合物を調製した：３−ヒドロキシ−４，５−
ビス（４−フルオロアニリノ）−２−アザインダン−１
−オン（４，５−ビス（４−フルオロアニリノ）−２−
ホルミルベンズアミド〔４，５−ビス（４−フルオロア
ニリノ）フタルイミド（実施例７ａ）から実施例１２と
類似して調製〕）の互変異性体。
【０２３５】実施例２４：上記又は下記の方法に類似し
て下記の化合物を調製した：４，５−ジアニリノ−２−
カルバモイル安息香酸。
【０２３６】実施例２５：４，５−ビス（４−メチルア
ニリノ）−２−ヒドロキシメチルベンズアミド： 固形硼水素化ナトリウム（０．３ｇ，８mmol）を小分け
して、４０℃のメタノール（４０ml）中の４，５−ビス
（４−メチルアニリノ）フタルイミド（０．３５ｇ，
０．９８mmol）の溶液に、最初に黄色である反応溶液が
無色となり、そして薄層クロマトグラフィー（シリカゲ
ル、エチルアセテート／ヘキサン１：１）で出発材料が
もはや検出されなくなるまで加えた。次にＮａＣｌ溶液
を加え、そして形成される生成物をエチルアセテートを
用いて抽出した。Ｎａ2 ＳＯ4 で乾燥させ、そしてエチ
ルアセテート抽出物のエバポレーションに付した後、無
色の残渣が残り、そしてこの残渣をアセトン／ジエチル
エーテルから結晶化させた。２段の結晶工程の後、無色
の結晶状の表題の化合物が得られ、これは１７０〜１７
２℃で分解しながら溶解した。Ｃ22Ｈ23Ｎ3 Ｏ2 ：分子
量ｃａｌｃ．３６１，ｆ．３６１（ＦＤ−ＭＳ）。
【０２３７】出発材料は下記の通りに調製した： ａ）ジメチル４，５−ビス（トリメチルシリルオキシ）
シクロヘキサ−１，４−ジエン−１，２−ジカルボキシ
レート：３０mlのトルエン中の７．１ｇ（５０mmol) の
ジメチルアセチレンジカルボキシレート（Ｆｌｕｋａ，
スイス）の溶液をアルゴンのもとで１２．５ｇ（５０mm
ol）の２，３−ビス（トリメチルシリルオキシ）−１，
３−ブタジエン（Ａｌｄｒｉｃｈ，西ドイツ）（９５
％）に滴下し、そしてこの混合物を次に１９時間還流に
付した。この反応混合物を冷やし、その溶媒をエバポレ
ートに付し、そして残渣を高真空（０．１mbar, １２４
−１２７℃）で蒸留した。これは黄色い非常に粘性な表
題の化合物をもたらした。 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ
ｌ3 ）：８＝０．１８（ｓ，１８Ｈ；３．０９（ｓ，４
Ｈ）；３．７８（ｓ，６Ｈ）。
【０２３８】ｂ）ジメチル４，５−ビス（４−メチルア
ニリノ）フタレート：５４０mlの氷酢酸中の５０ｇ
（０．１３４mol ）のジメチル４，５−ビス（トリメチ
ルシリルオキシ）シクロヘキサ−１，４−ジエン−１，
２−ジカルボキシレート及び５７．４ｇ（０．５４mol
）のｐ−トルイジンの溶液を４時間還流に付した。こ
の反応混合物を冷やし、その溶媒を蒸発させ、こげ茶色
の残渣をジクロロメタンに溶かし、そしてこの溶液を順
に２０mlの１ＮのＨＣｌ、５０mlの飽和ＮａＨＣＯ3 溶
液、次いで水で２回洗い、Ｎａ2 ＳＯ4 で乾かし、そし
てエバポレートに付した。この粗生成物をエタノールか
ら再結晶化させた。これは黄色い結晶状の表題の化をも
たらした。m.p.１７０℃、Ｃ24Ｈ24Ｎ2 Ｏ4 、分子量ｃ
ａｌｃ．４０４，ｆ．４０４（ＦＤ−ＭＳ）。
【０２３９】ｃ）４，５−ビス（４−メチルアニリノ）
フタル酸：ジメチル４，５−ビス（４−メチルアニリ
ノ）フタレート（０．９８ｇ）をメタノール（１５０m
l）と２Ｍの水酸化ナトリウム溶液（２５ml）との混合
物の中で、酸素を排除して２４時間還流に付した。次に
メタノールを真空で蒸発させ、そしてこの反応生成物の
アルカリ溶液を塩酸を用いて酸性化した。分離したジカ
ルボン酸をテトラヒドロフラン及びエチルアセテートに
含ませ、そして粗製のまま処理した。
【０２４０】ｄ）４，５−ビス（４−メチルアニリノ）
フタル酸無水物：上記の粗４，５−ビス（４−メチルア
ニリノ）フタル酸の酢酸無水物の溶液６０℃で３０分熱
し、その際、色は強い黄色に変化した。エバポレーショ
ンに付した後、４，５−ビス（４−メチルアニリノ）フ
タル酸無水物が残り、これをアセトン／ジエチルエーテ
ルから再結晶化させた。m.p.２２１−２２３℃、Ｃ22Ｈ
18Ｎ2 Ｏ3 分子量ｃａｌｃ．３５８，ｆ．３５８（ＦＤ
−ＭＳ）。
【０２４１】ｅ）４，５−ビス（４−メチルアニリノ）
−フタルイミド：アンモニアを２−エトキシエタノール
（４０ml）中の４，５−ビス（４−メチルアニリノ）フ
タル酸無水物の溶液に通した。次にこの混合物をエバポ
レートに付し、そして暗色の残渣をシリカゲルでの濾過
（溶離液エチルアセテート／ヘキサン１：１）により極
性樹脂材料から除去した。精製した表題の化合物は、ジ
エチルエーテル／ペンタンより赤味を帯びた橙色の非常
に粗い結晶をもたらした。m.p.２２３−２３５℃（ｄｅ
ｃｏｍｐ．）。Ｃ22Ｈ19Ｎ3 Ｏ2 分子量ｃａｌｃ．３５
７，ｆ．３５７（ＦＤ−ＭＳ）。
【０２４２】実施例２６：３−ヒドロキシ−２−メチル
−４，５−ジアニリノ−２−アザインダン−１−オン
（Ｎ−メチル−４，５−ジアニリノ−２−ホルミルベン
ズアミドの互変異性体）： 固形硼水素化ナトリウム（０．０７ｇ，１．８mmol）を
メタノール（１０ml）中のＮ−メチル−４，５−ジアニ
リノフタルイミド（０．０７ｇ，０．２mmol）の溶液に
４０℃で撹拌しながら、最初は黄色である反応混合物か
ら無色となり、そして薄層クロマトグラフィー（シリカ
ゲル、エチルアセテート／ヘキサン１：１）で出発材料
がもはや検出されなくなるまで加えた。次に、得られる
生成物にＮａＣｌ溶液を加え、次いでこの生成物をエチ
ルアセテートを用いて抽出した。エチルアセテート抽出
物の乾燥（Ｎａ2 ＮＯ4 ）及びエバポレーションの後、
その残渣をエチルアセテート／ヘキサン１：１を溶離液
として用いるシリカゲルでのクロマトグラフィーにより
精製した。表題の化合物は非常に弱い黄色のバンドの後
の主生成物として溶離した。塩化メチレンからエバポレ
ートしたとき、これは薄い黄色い泡を形成した。Ｃ21Ｈ
19Ｎ3 Ｏ2 、分子量ｃａｌｃ．３４５，ｆ．３４５（Ｆ
Ｄ−ＭＳ）。
【０２４３】出発材料は下記の通りに調製した： ａ）Ｎ−メチル−４，５−ジアニリノフタルイミド：３
３mlのエチレングリコール中の３７６mg（mmol）のジメ
チル−４，５−ビス（アニリノ）フタレート（実施例２
ｂ）を１２０℃に熱し、次いでメチルアミンを１８時間
撹拌しながら通した。この反応混合物を冷やし、次いで
エチルアセテートを用いて抽出した。エチルアセテート
相を順に水で３回、次いで飽和ＮａＣｌ溶液で１回洗
い、Ｎａ2 ＳＯ4 で乾かし、そしてエバポレートに付し
た。エバポレーションにより得られる残渣をヘキサン／
エチルアセテート１：１を用いてシリカゲルでクロマト
グラフィーに付し、そして生成物画分を合わせ、そして
エバポレートに付した。これは薄い黄色い結晶の表題の
化合物をもたらした。ＦＡＢ−ＭＳ：３４４〔Ｍ+ ＋
Ｈ〕，m.p.１９５−１９６℃。
【０２４４】実施例２７：メチル４，５−ビス（４−メ
チルアニリノ）フタルアミデート： アセトニリル（２５ml）及びテトラヒドロフラン（２５
ml）中のメチル４，５−ビス（４−メチルアニリノ）フ
タレート（０．１９２ｇ，０．４９mmol）の溶液を、炭
酸水素アンモニウム（０．０８０ｇ，１mmol）及びコ−
エトキシ−１−エトキシカルボニル−１，２−ジヒドロ
キノリン（０．１３０ｇ，０．５２mmol）と一緒に室温
で４８時間放置した。エバポレートに付したこの反応混
合物をシリカゲルでのクロマトグラフィーにより精製
し、単離された主生成物はＲｆ＝０．５３（シリカゲル
６０上での薄層クロマトグラフィー；Ｍｅｒｃｋ，Ｄａ
ｒｍｓｔａｄｔ，西ドイツ；溶離液エチルアセテート）
であり、これは表題の化合物であった。この表題の化合
物はテトラヒドロフラン／ジエチルエーテルから粗いプ
リズムを形成し、これは１７５℃で分解し、その際、色
は黄色に変化した（イミドの形成）。Ｃ23Ｈ23Ｎ
3 Ｏ3 ，分子量ｃａｌｃ．３８９，ｆ．３８９（ＦＤ−
ＭＳ）。
【０２４５】出発材料は下記の通りに調製した： ａ）メチル４，５−ビス（４−メチルアニリノ）フタレ
ート：４，５−ビス（４−メチルアニリノ）フタル酸無
水物（０．１０ｇ；実施例２５ｄ）をメタノール（０．
３０ml）及びピリジン（３ml）と一緒に、４−ジメチル
アミノピリジン（０．０５ｇ）の添加を伴って３０分還
流に付した。ほぼ無色のこの溶液を次にエバポレートに
付し、その残渣をエチルアセテートに含ませ、次いで順
にクエン酸溶液、そして濃ＮａＣｌ溶液で洗った。エチ
ルアセテート溶液の乾燥（Ｎａ2 ＳＯ4 ）及びエバポレ
ーションの後、黄色味を帯びるように変化したその残渣
をテトラヒドロフラン／ジエチルエーテルから再結晶化
させた、表題の化合物が結晶として得られた。m.p.１６
７−１６９℃。Ｃ23Ｈ22Ｎ2 Ｏ4，分子量ｃａｌｃ．３
９０，ｆ．３９１（Ｍ+ ＋１，ＦＡＢ−ＭＳ）。
【０２４６】実施例２８：５０００個のカプセルを作
り、それぞれは実施例１−２７で調製した化合物のいづ
れかの活性成分０．２５ｇを含んで成る。組成 活性成分 １２５０ｇ タルク １８０ｇ 小麦デンプン １２０ｇ ステアリン酸マグネシウム ８０ｇ ラクトース ２０ｇ
【０２４７】手順：粉末状の物質をメッシュサイズ０．
６mmのスクリーンに通し、そして混合した。ゼラチンカ
プセルに、カプセル充填装によってこの混合物０．３３
ｇを充填した。
【０２４８】実施例２９：ＥＧＦ−レセプター特異的タ
ンパク質チロシンキナーゼの阻害（E.McGlynn ら、Euro
p.J.Biochem.207 ,265−275(1992) 。 下記の阻害濃度（ＩＣ50，μＭ）が決定された。
【０２４９】実施例３０：表皮ＢＡＬＢ／ＭＫケラチノ
サイトの細胞増殖阻害の決定 下記の結果が得られた（ＩＣ50；μＭ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ａ６１Ｋ 31/255 9454−4Ｃ 31/40 9454−4Ｃ 31/44 9454−4Ｃ 31/47 9454−4Ｃ Ｃ０７Ｃ 233/47 7106−4Ｈ 237/42 7106−4Ｈ 311/08 7419−4Ｈ 323/24 7419−4Ｈ 323/39 7419−4Ｈ 327/26 7106−4Ｈ 327/48 7106−4Ｈ Ｃ０７Ｄ 209/46 8217−4Ｃ 209/48 213/74 215/12 233/54 241/42 241/44 249/04 249/08 257/04 521/00 (72)発明者 ウベ トリンクス スイス国，4142 ミュンヘンシュテイン, ハウプトシュトラーセ 80／２ (72)発明者 ペーター トラクスラー スイス国，4142 シェーネンブッフ，ビュ ンテンリンク ３

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 次式Ｉの化合物 【化１】 〔式中、Ａ1 及びＡ2 は互いに独立して水素、未置換も
    しくは置換化低級アルキル、未置換もしくは置換化低級
    アルケニル、未置換もしくは置換化低級アルキニル、複
    素環式低級アルキル、アシル、低級アルキルスルホニル
    もしくはアリールスルホニルであるか、又はＡｒ1 及び
    Ａｒ2 は一緒になって未置換もしくは置換化低級アルキ
    レンであり；Ａｒ1 及びＡｒ2 は互いに独立してアリー
    ル、ヘテロアリール又は未置換もしくは置換化シクロア
    ルキルであり；ＸはＯ又はＳであり、Ｙはアミノ、置換
    化アミノ、置換化低級アルコキシ又は未置換もしくは置
    換化低級アルキルチオであるか；又は更には、ＸがＯそ
    してＺが置換化メチルなら、Ｙはヒドロキシルであり；
    そしてＺは置換化メチル、カルボキシル、エステル化カ
    ルボキシル、もしくはそのカルボニル基のオキソがチオ
    に置き換えられている類似の基、又はアミド化カルボキ
    シル、もしくはそのカルボニル基のオキソがチオに置き
    換えられている類似の基であるか；又はＹ及びＺは共に
    １−オキサメチレンである（これはＹ位にある酸素を介
    して、及びＺ位にあるメチレンの炭素原子を介して結合
    している）〕、 あるいは塩形成基が存在しているならばその塩、又は互
    変異性基が存在しているならばその互変異性体。
  2. 【請求項２】 前記式Ｉの化合物であって、 Ａ1 及びＡ2 が互いに独立して、水素、低級アルキル、
    置換化低級アルキルであって、以下の基、即ち、アミ
    ノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ（ここでそ
    の低級アルキル基は、ヒドロキシル、低級アルコキシ、
    フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハ
    ロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキル
    アミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキル
    スルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボキシ
    ル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低
    級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカル
    バモイル及び／もしくはシアノにより一置換もしくは二
    置換されているか、又は未置換である）、Ｃ3 −Ｃ8 シ
    クロアルキルアミノ、フェニル低級アルキルアミノもし
    くはフェニルアミノ、低級アルカノイルアミノ、フェニ
    ル低級アルカノイルアミノ、フェニルカルボニルアミ
    ノ、ヒドロキシル、低級アルコキシ（ここでこのアルコ
    キシ基は、ヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低
    級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、ア
    ミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メ
    ルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニ
    ル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、低級アル
    コキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカ
    ルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び
    ／もしくはシアノにより一置換もしくは二置換されてい
    るか、又は未置換である）、フェニル低級アルコキシ、
    低級アルカノイルオキシ、メルカプト、低級アルキルチ
    オ（ここでこの低級アルキル基は、ヒドロキシル、低級
    アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイ
    ルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ
    低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、
    低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、
    カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイ
    ル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級ア
    ルキルカルバモイル及び／もしくはシアノにより一置換
    もしくは二置換されているか、又は未置換である）、フ
    ェニル低級アルキルチオ、低級アルカノイルチオ、カル
    ボキシル、低級アルコキシカルボニル、フェニル低級ア
    ルコキシカルボニル、シアノ、カルバモイル、Ｎ−低級
    アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバ
    モイル、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル、Ｎ−フェニルカ
    ルバモイル、チオカルバモイル、Ｎ−低級アルキルチオ
    カルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルチオカルバモイ
    ル、ウレイド、ウレイドであってその窒素原子の一方又
    は両方において低級アルキル、アリール又はアリール低
    級アルキルにより置換されているもの、チオウレイド、
    チオウレイドであってその窒素原子の一方又は両方にお
    いて低級アルキル、アリール又はアリール低級アルキル
    により置換されているもの、ヒドラジノ、ヒドラジノで
    あってその窒素原子の一方又は両方において低級アルキ
    ル、アリール又はアリール低級アルキルにより置換され
    ているもの、アミジノ、アミジノであってその窒素原子
    の一方又は両方において低級アルキル、アリール又はア
    リール低級アルキルにより置換されているもの、グアニ
    ジノ、グアニジノであって、その窒素原子のうちの１，
    ２又は３個全てにおいて低級アルキル、アリール又はア
    リール低級アルキルで置換されているもの、オキソであ
    って、Ａ1 又はＡ2 を保有する窒素原子に結合している
    炭素上に結合していないもの、チオキソ、イミノ、低級
    アルキルイミノ、低級アルカノルイミノ、ヒドロキシイ
    ミノ、低級アルコキシイミノ、ヒドラゾノ、Ｎ−モノ−
    又はＮ，Ｎ−ジ−低級アルキルヒドラゾノ、Ｎ−低級ア
    ルカノイルヒドラゾノ、低級アルコキシカルボニルヒド
    ラゾノ及び低級アルキルチオイミノより成る系列から選
    ばれる２個まで基により置換されている低級アルキルで
    あるか；又は低級アルケニルもしくは低級アルキニル
    （それぞれは置換化低級アルキルに関して記載した基の
    いづれかにより置換されているか、又は未置換である）
    であるか；又は複素環式低級アルキルであって、複素環
    が以下の基、即ち、ピロリル、２，５−ジヒドロピロリ
    ル、ピロリニル、イミダゾリル、イミダゾリジニル、ピ
    ラゾリニル、ピラゾリジニル、トリアゾリル、例えば
    １，２，３−、１，２，４−もしくは１，３，４−トリ
    アゾリル、テトラゾリル、例えば１−もしくは２−テト
    ラゾリル、テトラヒドロオキサゾリル、テトラヒドロ−
    イソキサゾリル、テトラヒドロ−チアゾリル、テトラヒ
    ドロ−イソチアゾリル、インドリル、イソインドリル、
    ベンズイミダゾリル、ピペリジニル、ピペラジン−１−
    イル、モルホリノ、チオモルホリノ、Ｓ，Ｓ−ジオキソ
    チオモルホリノ、１，２−ジヒドロ−もしくは１，２，
    ３，４−テトラヒドロキノリル及び１，２−ジヒドロ−
    もしくは１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリルよ
    り成る系列から選ばれる基（ここでそれぞれは低級アル
    キルに末端結合しており、そして環の窒素原子を介して
    結合しており、更にそれぞれは、未置換であるか、又は
    低級アルキル、低級アルカノイル、ヒドロキシル、低級
    アルコキシ、ハロゲン、シアノ及び／もしくはトリフル
    オロメチルにより置換されている）であるものである
    か；あるいはＡ1 とＡ2 が一緒になって低級アルキレン
    であって未置換であるか又は、以下の基、即ち、低級ア
    ルキル、アミノ、アミノ低級アルキル、モノ−もしくは
    ジ−低級アルキルアミノ又はモノ−もしくはジ−低級ア
    ルキルアミノ−低級アルキル（ここでこの低級アルキル
    基は、ヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低級ア
    ルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミ
    ノ、低級アルカノイルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、
    メルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィ
    ニル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、低級ア
    ルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキル
    カルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及
    び／もしくはシアノにより一置換もしくは二置換されて
    いるか、又は未置換である）、シクロアルキルアミノ、
    シクロアルキルアミノ−低級アルキル、フェニル−低級
    アルキルアミノ、フェニル低級アルキルアミノ−低級ア
    ルキル、フェニルアミノ、フェニルアミノ−低級アルキ
    ル、低級アルカノイルアミノ、フェニル−低級アルカノ
    イルアミノ、フェニルカルボニルアミノ、低級アルカノ
    イルアミノ−低級アルキル、フェニル−低級アルカノイ
    ルアミノ−低級アルキル、フェニルカルボニルアミノ−
    低級アルキル、ヒドロキシル、ヒドロキシ低級アルキ
    ル、低級アルコキシもしくは低級アルコキシ−低級アル
    キル（その末端低級アルキル基は、ヒドロキシル、低級
    アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイ
    ルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルカノイルアミ
    ノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキル
    チオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホ
    ニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カル
    バモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ
    低級アルキルカルバモイル及び／もしくはシアノにより
    一置換もしくは二置換されているか、又は未置換であ
    る）、フェニル−低級アルコキシ、フェニル−低級アル
    コキシ−低級アルキル、低級アルカノイルオキシ、低級
    アルカノイルオキシ−低級アルキル、メルカプト、メル
    カプト−低級アルキル、低級アルキルチオ又は低級アル
    キルチオ−低級アルキル（その末端低級アルキル基は、
    ヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキ
    シ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級
    アルカノイルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプ
    ト、低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニル、低
    級アルキルスルホニル、カルボキシル、低級アルコキシ
    カルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモ
    イル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び／もし
    くはシアノにより一置換もしくは二置換されているか、
    又は未置換である）、フェニル−低級アルキルチオ、フ
    ェニル−低級アルキルチオ−低級アルキル、低級アルカ
    ノイルチオ、低級アルカノイルチオ−低級アルキル、カ
    ルボキシル、カルボキシ−低級アルキル、低級アルコキ
    シカルボニル、低級アルコキシカルボニル−低級アルキ
    ル、フェニル−低級アルコキシカルボニル−低級アルキ
    ル、シアノ、シアノ−低級アルキル、カルバモイル、カ
    ルバモイル−低級アルキル、Ｎ−低級アルキルカルバモ
    イル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル、Ｎ−低級
    アルキルカルバモイル−低級アルキル、Ｎ，Ｎ−ジ低級
    アルキルカルバモイル−低級アルキル、Ｎ−ヒドロキシ
    カルバモイル、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル−低級アル
    キル、Ｎ−フェニルカルバモイル、Ｎ−フェニルカルバ
    モイル−低級アルキル、チオカルバモイル、チオカルバ
    モイル−低級アルキル、Ｎ−低級アルキルチオカルバモ
    イル、Ｎ−低級アルキルチオカルバモイル−低級アルキ
    ル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルチオカルバモイル、Ｎ，Ｎ
    −ジ低級アルキルチオカルバモイル−低級アルキル、ウ
    レイド、ウレイド−低級アルキル、又はそれぞれが窒素
    原子のうちの一方又は両方において低級アルキル、アリ
    ールもしくはアリール−低級アルキルにより置換されて
    いるウレイドもしくはウレイド−低級アルキル、チオウ
    レイドもしくはチオウレイド−低級アルキル、又はそれ
    ぞれが窒素原子のうちの一方又は両方において低級アル
    キル、アリールもしくはアリール−低級アルキルにより
    置換されているチオウレイドもしくはチオウレイド−低
    級アルキル、ヒドラジノもしくはヒドラジノ−低級アル
    キル、又はそれぞれが窒素原子のうちの一方又は両方に
    おいて低級アルキル、アリールもしくはアリール−低級
    アルキルにより置換されているヒドラジノもしくはヒド
    ラジノ−低級アルキル、アミジノもしくはアミジノ−低
    級アルキル、又はそれぞれが窒素原子のうちの一方又は
    両方において低級アルキル、アリールもしくはアリール
    −低級アルキルにより置換されているアミジノもしくは
    アミジノ−低級アルキル、グアニジノもグアニジノ−低
    級アルキル、又はそれぞれが窒素の原子のうちの１，２
    又は３個全てにおいて低級アルキル、アリールもしくは
    アリール−低級アルキルにより置換されているグアニジ
    ノもしくはグアニジノ−低級アルキル、オキソ、オキソ
    −低級アルキル、チオキソ、チオキソ−低級アルキル、
    イミノ、イミノ低級アルキル、低級アルキルイミノ、低
    級アルキルイミノ−低級アルキル、低級アルカノイルイ
    ミノ、低級アルカノイルイミノ−低級アルキル、ヒドロ
    キシイミノ、ヒドロキシイミノ−低級アルキル、低級ア
    ルコキシイミノ、低級アルコキシイミノ−低級アルキ
    ル、ヒドラゾノ、ヒドラゾ低級アルキル、Ｎ−モノ−も
    しくはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルヒドラゾノ、Ｎ−モノ−
    もしくはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルヒドラゾノ低級アルキ
    ル、Ｎ−低級アルカノイルヒドラゾノ、低級アルコキシ
    カルボニルヒドラゾノ、Ｎ−低級アルカノイルヒドラゾ
    ノ−低級アルキル、低級アルコキシカルボニルヒドラゾ
    ノ−低級アルキル、低級アルキルチオイミノ及び低級ア
    ルキルチオイミノ−低級アルキルより成る系列から選ば
    れる３個までの基により置換されている低級アルキレン
    を形成しており；Ａｒ1 及びＡｒ2 が互いに独立して、
    アリール、ヘテロアリールであって、イミダゾリル、ト
    リアゾリル、ピリジル、ピリミジニル及びトリアジニル
    （それぞれは、未置換であるか、又は低級アルキル、ヒ
    ドロキシル、低級アルコキシ、ハロゲン、シアノ及び／
    もしくはトリフルオメチルにより置換されている）より
    成る系列から選ばれるものであるか、又はＣ3 −Ｃ8 シ
    クロアルキル（これは未置換であるか、又は低級アルコ
    キシもしくはヒドロキシルにより置換されている）であ
    り；ＸがＯ又はＳであり；Ｙがアミノ、モノ−もしくは
    ジ低級アルキルアミノ（ここで低級アルキルは未置換で
    あるか又はヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低
    級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、ア
    ミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メ
    ルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニ
    ル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、低級アル
    コキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカ
    ルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び
    ／もしくはシアノにより置換されている）、Ｃ5 −Ｃ7
    シクロアルキルアミノ、フェニル−低級アルキルアミ
    ノ、フェニルアミノ、低級アルカノイルアミノ、ハロ−
    低級アルカノイルアミノ、フェニル−低級アルカノイル
    アミノ、フェニルカルボニルアミノ、ヒドラジノ、ヒド
    ラジノであってその窒素原子のうちの一方又は両方にお
    いて、低級アルキル（これはヒドロキシル、低級アルコ
    キシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキ
    シ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級ア
    ルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級ア
    ルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボ
    キシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ
    −低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキル
    カルバモイル及び／もしくはシアノにより置換されてい
    るか、未置換である）により又はアリールもしくはアリ
    ール−低級アルキルにより置換されているものである
    か、又はヒドロキシアミノ、低級アルコキシアミノ（こ
    こでその低級アルキル基はヒドロキシル、低級アルコキ
    シ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキ
    シ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級ア
    ルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級ア
    ルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボ
    キシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ
    −低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキル
    カルバモイル及び／もしくはシアノにより置換されてい
    るか、又は未置換である）、低級アルキレンアミノもし
    くは低級アルキレンアミノであって、−Ｏ−，−Ｓ−又
    は−ＮＲ′−（ここでＲ′は低級アルキル又は低級アル
    カノイルである）により中断されているもの、低級アル
    コキシ（ここでその低級アルキル基は、ヒドロキシル、
    低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカ
    ノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミ
    ノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキル
    チオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホ
    ニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カル
    バモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ
    低級アルキルカルバモイル及び／もしくはシアノにより
    一置換もしくは二置換されているか、又は未置換であ
    る）、又は低級アルキルチオであって、未置換である
    か、又はその低級アルキルチオ基においてヒドロキシ
    ル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級ア
    ルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルア
    ミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキ
    ルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスル
    ホニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カ
    ルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−
    ジ低級アルキルカルバモイル及び／もしくはシアノによ
    り一置換もしくは二置換されているものであるか、又は
    更に、もしＸが酸素そしてＺが置換化メチルであるな
    ら、Ｙがヒドロキシルであり；Ｚが置換化メチル〔ここ
    でその置換基は、アミノ、モノ−もしくはジ−低級アル
    キルアミノ（ここでその低級アルキル基はヒドロキシ
    ル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級ア
    ルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルア
    ミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキ
    ルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスル
    ホニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カ
    ルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−
    ジ低級アルキルカルバモイル及び／もしくはシアノによ
    り一置換もしくは二置換されているか、又は未置換であ
    る）、低級アルカノイルアミノ、ヒドロキシル、低級ア
    ルコキシ（ここでそのアルキル基はヒドロキシル、低級
    アルコキシ、フェニル−低級アルコキシ、低級アルカノ
    イルオキシ、アミノ、低級アルキルアミノ及び／又はジ
    低級アルキルアミノにより一置換もしくは二置換されて
    いるか、又は未置換である）、低級アルカノイルオキ
    シ、低級アルキルチオ（ここでその低級アルキル基はヒ
    ドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキ
    シ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級
    アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、
    低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級ア
    ルキルスルホニル、カルボキシル、低級アルコキシカル
    ボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイ
    ル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び／もしく
    はシアノにより一置換もしくは二置換されているか、又
    は未置換である）、シアノ、ウレイド、１−もしくは３
    −モノ低級アルキルウレイド、ヒドラジノ、ヒドラジノ
    であってその窒素原子の一方又は両方において低級アル
    キルにより置換されているもの、グアニジノ、グアニジ
    ノであってその窒素原子のうちの１，２又は３個全てが
    低級アルキルによって置換されているもの；オキソ、イ
    ミノ、低級アルキルイミノ、ヒドロキシイミノ、ヒドラ
    ゾノ、Ｎ−モノ−もしくはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルヒド
    ラゾノ及び低級アルキルチオイミノより成る系列から選
    ばれる〕、カルボキシル、低級アルコキシカルボニルも
    しくは低級アルキルチオカルボニル（ここでその低級ア
    ルキル基はヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低
    級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、ア
    ミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メ
    ルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニ
    ル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、低級アル
    コキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカ
    ルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び
    ／もしくはシアノにより一置換もしくは二置換されてい
    るか、又は未置換である）、アリールオキシカルボニル
    もしくはアリール−低級アルコキシカルボニル、カルバ
    モイル、Ｎ−モノ−もしくはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルカ
    ルバモイル（ここでその低級アルキルはヒドロキシル、
    低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカ
    ノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミ
    ノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキル
    チオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホ
    ニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カル
    バモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ
    低級アルキルカルバモイル及び／もしくはシアノにより
    置換されているか、又は未置換である）、Ｃ5 −Ｃ7 シ
    クロアルキルアミノカルボニル、Ｎ−フェニル低級アル
    キルカルバモイル、フェニルカルバモイル、ヒドラジノ
    カルボニル、ヒドラジノカルボニル〔ここでその窒素原
    子の一方又は両方又は、低級アルキル（これはヒドロキ
    シル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級
    アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキル
    アミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アル
    キルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルス
    ルホニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、
    カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ
    −ジ低級アルキルカルバモイル及び／もしくはシアノに
    より置換されているか又は未置換である）、アリール又
    はアリール低級アルキルにより置換されている〕、ヒド
    ロキシアミノカルボニル、低級アルコキシアミノカルボ
    ニル（ここでその低級アルキル基はヒドロキシル、低級
    アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイ
    ルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ
    低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、
    低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、
    カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイ
    ル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級ア
    ルキルカルバモイル及び／もしくはシアノにより置換さ
    れているか、又は未置換である）、低級アルキレンアミ
    ノカルボニル、又は低級アルキレンアミノカルボニルで
    あって、−Ｏ−，−Ｓ−又は−ＮＲ′−（ここでＲ′は
    低級アルキル又は低アルカノイルである）により中断さ
    れているものであるか、あるいは上記の基の対応のチオ
    類似体（結合性カルボニル基がチオカルボニルに置き換
    えられているもの）であるか；あるいはＹとＺが一緒に
    なって式−Ｏ−ＣＨ2 の二価基を形成しており（この酸
    素はＹの箇所に結合しており、そしてメチレンの炭素は
    Ｚの箇所に結合している）；ここで、上記の基におい
    て、アリールはフェニルであり、これは未置であるか、
    又は低級アルキル、低級アルケニル、低級アルキニル、
    低級アルキレン（二個の隣接Ｃ原子に連結）、Ｃ5 −Ｃ
    7 シクロアルキル、フェニル−低級アルキルもしくはフ
    ェニル；ヒドロキシル、低級アルコキシ、フェニル低級
    アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロゲン、アミ
    ノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、メル
    カプト、低級アルキルチオ、低級アルキルスルフィニ
    ル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、低級アル
    コキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカ
    ルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル及び
    ／もしくはシアノにより置換されている低級アルキル；
    ヒドロキシル；低級アルコキシ、ハロ−低級アルコキ
    シ、フェニル低級アルコキシ、フェニルオキシ、低級ア
    ルケニルオキシ、ハロ−低級アルケニルオキシもしくは
    低級アルキニルオキシ；低級アルキレンジオキシ（２個
    の隣接Ｃ原子に連結）；低級アルカノイルオキシ、フェ
    ニル−低級アルカノイルオキシもしくはフェニルカルボ
    ニルオキシ；メルカプト；低級アルキルチオ、フェニル
    −低級アルキルチオ、フェニルチオ、低級アルキルスル
    フィニル；フェニル−低級アルキルスルフィニル、ベン
    ゼンスルフィニル、低級アルキルスルホニル、フェニル
    −低級アルキルスルホニルもしくはベンゼンスルホニ
    ル；ハロゲン、ニトロ、アミノ；低級アルキルアミノ、
    Ｃ5 −Ｃ7 シクロアルキルアミノ、フェニル−低級アル
    キルアミノもしくはフェニルアミノ；ジ低級アルキルア
    ミノ、Ｎ−低級アルキル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−低
    級アルキル−Ｎ−フェニル低級アルキルアミノ、低級ア
    ルキレンアミノ；低級アルカノイルアミノ、フェニル−
    低級アルカノイルアミノもしくはフェニルカルボニルア
    ミノ；低級アルカイル、フェニル−低級アルカイルもし
    くはフェニルカルボニル；カルボキシル；低級アルコキ
    シカルボニル；カルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバ
    モイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル、Ｎ−ヒ
    ドロキシカルバモイルもしくはＮ−フェニルカルバモイ
    ル；シアノ、ホスホリロキシであって、その燐原子にお
    いて、ヒドロキシル、低級アルコキシ及びフェニル低級
    アルコキシ（例えばベンジルオキシ）より成る系列から
    互いに独立して選ばれる２個の基により置換されている
    もの、又はホスホリロキシであって、その燐原子におい
    てフェニルレン−１，２−ジオキシにより置換されてい
    るもの、スルホ（ＳＯ 3 Ｈ）；低級アルコキシスルホニ
    ル；スルファモイル、Ｎ−低級アルキルスルファモイ
    ル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルスルファモイル及びＮ−フ
    ェニルスルファモイルより成る群から選ばれる１又は数
    個の置換基により置換されているものであり、ここでこ
    れらの置換基におけるフェニル基がそれぞれの場合にお
    いて未置換であるか、又は低級アルキル、低級アルコキ
    シ、ヒドロキシル、ハロゲン及び／もしくはトリフルオ
    ロメチルにより置換されている、請求項１に記載の化合
    物、又は塩形成基が存在しているならばその塩、又は互
    変異性基が存在しているならばその互変異性体。
  3. 【請求項３】 前記式Ｉの化合物であって、 Ａ1 及びＡ2 が互いに独立して、水素、低級アルキルで
    あってアミノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ
    （ここでその低級アルキル基は、ヒドロキシル、低級ア
    ルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイル
    オキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低
    級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低
    級アルカンスルフィニル、低級アルキルスルホニル、カ
    ルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイ
    ル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級ア
    ルキルカルバモイル及び／もしくはシアノにより一置換
    もしくは二置換されているか、又は未置換である）、Ｃ
    5 −Ｃ7 シクロアルキルアミノ、フェニル低級アルキル
    アミノもしくはフェニルアミノ、低級アルカノイルアミ
    ノ、フェニル低級アルカノイルアミノ、フェニルカルボ
    ニルアミノ、ヒドロキシル、低級アルコキシ（ここでこ
    のアルコキシ基は、ヒドロキシル、低級アルコキシ、フ
    ェニル低級アルコキシ、低級アルカノイルオキシ、ハロ
    ゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルア
    ミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、低級アルキルス
    ルフィニル、低級アルキルスルホニル、カルボキシル、
    低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−低級ア
    ルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモ
    イル及び／もしくはシアノにより一置換もしくは二置換
    されているか、又は未置換である）、フェニル低級アル
    コキシ、低級アルカノイルオキシ、メルカプト、低級ア
    ルキルチオ（ここでこの低級アルキル基は、ヒドロキシ
    ル、低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級ア
    ルカノイルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルア
    ミノ、ジ低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキ
    ルチオ、低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスル
    ホニル、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カ
    ルバモイル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−
    ジ低級アルキルカルバモイル及び／もしくはシアノによ
    り一置換もしくは二置換されているか、又は未置換であ
    る）、フェニル低級アルキルチオ、低級アルカノイルチ
    オ、カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、フェニ
    ル低級アルコキシカルボニル、シアノ、カルバモイル、
    Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキ
    ルカルバモイル、Ｎ−ヒドロキシカルバモイル、Ｎ−フ
    ェニルカルバモイル、チオカルバモイル、Ｎ−低級アル
    キルチオカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルチオカ
    ルバモイル、ウレイド、ウレイドであってその窒素原子
    の一方又は両方において低級アルキル、アリール又はア
    リール低級アルキルにより置換されているもの、チオウ
    レイド、チオウレイドであってその窒素原子の一方又は
    両方において低級アルキル、アリール又はアリール低級
    アルキルにより置換されているもの、ヒドラジノ、ヒド
    ラジノであってその窒素原子の一方又は両方において低
    級アルキル、アリール又はアリール低級アルキルにより
    置換されているもの、アミジノ、アミジノであってその
    窒素原子の一方又は両方において低級アルキル、アリー
    ル又はアリール低級アルキルにより置換されているも
    の、グアニジノ、グアニジノであって、その窒素原子の
    うちの１，２又は３個全てにおいて低級アルキル、アリ
    ール又はアリール低級アルキルで置換されているもの、
    オキソであって、Ａ1 又はＡ2 を保有する窒素原子に結
    合している炭素上に結合していないもの、チオキソ、イ
    ミノ、低級アルキルイミノ、低級アルカノルイミノ、ヒ
    ドロキシイミノ、低級アルコキシイミノ、ヒドラゾノ、
    Ｎ−モノ−又はＮ，Ｎ−ジ−低級アルキルヒドラゾノ、
    Ｎ−低級アルカノイルヒドラゾノ及び低級アルキルチオ
    イミノより成る系列から選ばれる２個まで基により置換
    されている低級アルキルであり；Ａｒ1 及びＡｒ2 が互
    いに独立してアリール又はヘテロアリールであり；Ｘが
    Ｏであり；Ｙがアミノ、低級アルキルアミノ、フェニル
    アミノ、ヒドラジノ又はヒドロキシ−低級アルコキシで
    あるか、又は更に、Ｚがメチルのとき、Ｙがヒドロキシ
    ルであり；そしてＺが置換化メチル、カルボキシル又は
    エステル化カルボキシルであるか、又はＹとＺが一緒に
    なって式−Ｏ−ＣＨ2 −の二価基を形成しており（この
    酸素はＹの箇所に結合しており、そしてメチレンの炭素
    はＺの箇所に結合している）；アリールがフェニルであ
    り、これは未置であるか、又は低級アルキル、低級アル
    ケニル、低級アルキニル、低級アルキレン（２個の隣接
    Ｃ原子に連結）、Ｃ5−Ｃ7 シクロアルキル、フェニル
    −低級アルキルもしくはフェニル；ヒドロキシル、低級
    アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、低級アルカノイ
    ルオキシ、ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、ジ
    低級アルキルアミノ、メルカプト、低級アルキルチオ、
    低級アルキルスルフィニル、低級アルキルスルホニル、
    カルボキシル、低級アルコキシカルボニル、カルバモイ
    ル、Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級ア
    ルキルカルバモイル及び／もしくはシアノにより置換さ
    れている低級アルキル；ヒドロキシル；低級アルコキ
    シ、ハロ−低級アルコキシ、フェニル低級アルコキシ、
    フェニルオキシ、低級アルケニルオキシ、ハロ−低級ア
    ルケニルオキシもしくは低級アルキニルオキシ；低級ア
    ルキレンジオキシ（２個の隣接Ｃ原子に連結）；低級ア
    ルカノイルオキシ、フェニル−低級アルカノイルオキシ
    もしくはフェニルカルボニルオキシ；メルカプト；低級
    アルキルチオ、フェニル−低級アルキルチオ、フェニル
    チオ、低級アルキルスルフィニル；フェニル−低級アル
    キルスルフィニル、ベンゼンスルフィニル、低級アルキ
    ルスルホニル、フェニル−低級アルキルスルホニルもし
    くはベンゼンスルホニル；ハロゲン、ニトロ、アミノ；
    低級アルキルアミノ、Ｃ5 −Ｃ7 シクロアルキルアミ
    ノ、フェニル−低級アルキルアミノもしくはフェニルア
    ミノ；ジ低級アルキルアミノ、Ｎ−低級アルキル−Ｎ−
    フェニルアミノ、Ｎ−低級アルキル−Ｎ−フェニル低級
    アルキルアミノ、低級アルキレンアミノ；低級アルカノ
    イルアミノ、フェニル−低級アルカノイルアミノもしく
    はフェニルカルボニルアミノ；低級アルカイル、フェニ
    ル−低級アルカイルもしくはフェニルカルボニル；カル
    ボキシル；低級アルコキシカルボニル；カルバモイル、
    Ｎ−低級アルキルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキ
    ルカルバモイル、Ｎ−ヒドロキシカルバモイルもしくは
    Ｎ−フェニルカルバモイル；シアノ、ホスホリロキシで
    あって、その燐原子において、ヒドロキシル、低級アル
    コキシ及びフェニル低級アルコキシ（例えばベンジルオ
    キシ）より成る系列から互いに独立して選ばれる２個の
    基により置換されているもの、又はホスホリロキシであ
    って、その燐原子においてフェニルレン−１，２−ジオ
    キシにより置換されているもの、スルホ；低級アルコキ
    シスルホニル；スルファモイル、Ｎ−低級アルキルスル
    ファモイル、Ｎ，Ｎ−ジ低級アルキルスルファモイル及
    びＮ−フェニルスルファモイルより成る群から選ばれる
    １又は数個の置換基により置換されているものであり、
    ここでこれらの置換基におけるフェニル基がそれぞれの
    場合において未置換であるか、又は低級アルキル、低級
    アルコキシ、ヒドロキシル、ハロゲン及び／もしくはト
    リフルオロメチルにより置換されており、 そしてヘテロアリールが５−又は６員環であって、３個
    まで環窒素原子を有し、環の炭素原子を介して結合して
    おり、そしてこれは未置換であるか、又は低級アルキ
    ル、ヒドロキシル、低級アルコキシ、ハロゲン、シアノ
    及び／もしくはトリフルオロメチルにより置換されてい
    ることがありうる；請求項１に記載の化合物、又は塩形
    成基が存在しているならばその塩、又は互変異性基が存
    在しているならばその互変異性体。
  4. 【請求項４】 下記の名称を有する化合物 ４，５−ビス（４−フルオロアニリノ）フタル酸ジアミ
    ド、 ビス（２−ヒドロキシエチル）−５，８−ジフェニル−
    ５，８−ジアザ−５，６，７，８−テトラヒドロナフタ
    レン−２，３−ジカルボキシレート、 ２，３−ジカルボキシレート、 ４，５−ジアニリノフタル酸ジアミド、 ４，５−ビス（２−ヨードアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（３−ヨードアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（４−ヨードアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（２−メトキシアニリノ）フタル酸ジアミ
    ド ４，５−ビス（３−メトキシアニリノ）フタル酸ジアミ
    ド ４，５−ビス（４−メトキシアニリノ）フタル酸ジアミ
    ド ４，５−ビス（２−シアノアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（３−シアノアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（４−シアノアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（２−フルオロアニリノ）フタル酸ジアミ
    ド ４，５−ビス（３−フルオロアニリノ）フタル酸ジアミ
    ド ４，５−ビス（ペンタフルオロアニリノ）フタル酸ジア
    ミド ４，５−ビス（４−ヒドロキシアニリノ）フタル酸ジア
    ミド ４，５−ビス（３−ヒドロキシアニリノ）フタル酸ジア
    ミド ４，５−ビス（２−ヒドロキシアニリノ）フタル酸ジア
    ミド ４，５−ビス（４−エチルアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（３−エチルアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（２−エチルアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（４−メチルアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（３−メチルアニリノ）フタル酸ジアミド ４，５−ビス（２−メチルアニリノ）フタル酸ジアミド ５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−６−ヒドロキシ
    メチル−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−
    ２，３−ジカルボキサミド、 ６−アミノメチル−５，８−ジフェニル−５，８−ジア
    ザ−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２，３
    −ジカルボキサミド、 メチル５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−６−ヒド
    ロキシメチル−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレ
    ン−２，３−ジカルボキサミデート、 メチル−６−アミノメチル−５，８−ジフェニル−５，
    ８−ジアザ−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン
    −２，３−ジカルボキサミデート、 ５，８−ビス（４−フルオロフェニル）−５，８−ジア
    ザ−６−ヒドロキシメチル−５，６，７，８−テトラヒ
    ドロナフタレン−２，３−ジカルボキサミド、 ６−アミノメチル−５，８−ビス（４−フルオロフェニ
    ル）−５，８−ジアザ−５，６，７，８−テトラヒドロ
    ナフタレン−２，３−ジカルボキサミド、 メチル−５，８−ビス（４−フルオロフェニル）−５，
    ８−ジアザ−６−ヒドロキシメチル−５，６，７，８−
    テトラヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキサミデー
    ト、 メチル−６−アミノメチル−５，８−ビス（４−フルオ
    ロフェニル）−５，８−ジアザ−５，６，７，８−テト
    ラヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキサミデート、 メチル−５，８−ビス（４−フルオロフェニル）−５，
    ８−ジアザ−６−ヒドロキシイミノメチル−５，６，
    ７，８−テトラヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキ
    サミデート、 ５，８−ビス（４−フルオロフェニル）−５，８−ジア
    ザ−６−ヒドロキシイミノメチル−５，６，７，８−テ
    トラヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキサミド、 メチル−５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−６−ヒ
    ドロキシイミノメチル−５，６，７，８−テトラヒドロ
    ナフタレン−２，３−ジカルボキサミデート、又は ５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−６−ヒドロキシ
    イミノメチル−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレ
    ン−２，３−ジカルボキサミド、 より選ばれる請求項１に記載の式Ｉの化合物、又は塩形
    成基が存在しているならばその薬理学的に許容される
    塩。
  5. 【請求項５】 下記の化合物：４，５−ビス（４−フル
    オロアニリノ）フタル酸ジアミド、メチル−４，５−ジ
    アニリノフタルアミデート、ビス（２−ヒドロキシエチ
    ル）−５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−５，６，
    ７，８−テトラヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキ
    シレート、４，５−ビス（４−フルオロアニリノ）−２
    −ヒドロキシメチルベンズアミド、３−ヒドロキシ−
    ４，５−ジアニリノ−２−アザインダン−１−オン、２
    −アセトキシメチル−４，５−ジアニリノベンズアミ
    ド、５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−６−ヒドロ
    キシメチル−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン
    −２，３−ジカルボサミド、４，５−ビス（４−メチル
    アニリノ）フタルアミデート、メチル−３−ヒドロキシ
    −４，５−ビス（４−フルオロアニリノ）−２−アザイ
    ンダン−１−オン、３−ヒドロキシ−２−メチル−４，
    ５−ジアニリノ−２−アザインダン−１−オン及びメチ
    ル−４，５−ビス（４−メチルアニリノ）フタルアミデ
    ート、より選ばれる請求項１に記載の式Ｉの化合物又は
    塩形成基が存在しているならばその薬理学的に許容され
    る塩。
  6. 【請求項６】 下記の化合物：４，５−ジアニリノフタ
    ルアミド、ジ−２−ヒドロキシエチル−４，５−ジアニ
    リフタレート、メチル２−ヒドロキシエチル、４，５−
    ビス（アニリノ）フタレート、４，５−ジアニリノ−２
    −ヒドロキシメチルベンズアミド、４，５−ジアニリノ
    −２−ヒドロキシメチル安息香酸、５，６−ジアニリノ
    −２−オキサインダン−１−オン、Ｎ−メチル−４，５
    −ジアニリノ−２−ヒドロキシメチルベンズアミド、
    ４，５−ジアニリノ−２−ヒドロキシメチルベンゾヒド
    ラジド、４，５−ジアニリノ−２−ヒドロキシイミノメ
    チルベンズアミド、４，５−ジアニリノフタルアニリ
    ド、４，５−ジアニリ−３−カルバモイル−２−カルボ
    ン酸、３−ヒドロキシ−４，５−ビス（４−フルオロア
    ニリノ）−２−アザインダン−１−オン、４，５−ジア
    ニリノフタルアニリド、ジ−（２−ヒドロキシエチル）
    ５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−６−ヒドロキシ
    メチル−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−
    ２，３−ジカルボキシレート、２−ヒドロキシエチルメ
    チル５，８−ジフェニル−５，８−ジアザ−５，６，
    ７，８−テトラヒドロナフタレン−２，３−ジカルボキ
    シレート、４，５−ビス（３−ヨードアニリノ）フタル
    酸ジアミド及び４，５−ビス（４−メチルアニリノ）−
    ２−ヒドロキシメチルベンズアミド、より選ばれる請求
    項１に記載の式Ｉの化合物、又は塩形成基が存在してい
    るならばその薬理学的に許容される塩。
  7. 【請求項７】 薬理学的に許容される補助剤と一緒に、
    請求項１〜６のいづれか１項に記載の式Ｉの化合物又は
    少なくとも１個の塩形成基を有するかかる化合物の薬理
    学的に許容される塩を含んで成る薬理学組成物。
  8. 【請求項８】 請求項１〜６のいづれか１項に記載の式
    Ｉの化合物又は少なくとも１個の塩形成基を有するかか
    る化合物の薬理学的に許容される塩を混合することを含
    んで成る薬理学組成物の製造方法。
  9. 【請求項９】 請求項１に記載の式Ｉの化合物の製造方
    法であって、 ａ）ＸがＯであり、Ｙがアミノ、置換化アミノ、置換化
    低級アルコキシ、又は未置換もしくは置換化低級アルキ
    ルチオであり、そしてＺがカルボキシル、エステル化カ
    ルボキシルもしくはアミド化カルボキシルであり、そし
    て残りの基が式Ｉの化合物について前記した通りである
    式Ｉの化合物又はその塩を形成せしめるために、次式II
    のジカルボン酸の反応性酸誘導体 【化２】 （式中、Ａ1 ，Ａ2 ，Ａｒ1 及びＡｒ2 は前記した通
    り）を、次式III の化合物 Ｗ1 −Ｈ （III) （式中、Ｗ1 は未置換もしくは置換化アミノ、置換化低
    級アルコキシ又は未置換もしくは置換化アルキルチオで
    ある）と反応させて、基Ｙを導入せしめ、及び／又は水
    と、もしくは次式IVの化合物 Ｗ2 −Ｈ （IV） （式中、Ｗ2 はエステル化カルボキシル又はアミド化カ
    ルボキシルであるＺの製造のために適する補助基であ
    る）と反応させて基Ｚを作り（ここで反応に関与しな
    く、且つ、式II，III 及びIVの出発材料に存在している
    官能基は所望するならば保護形態において存在してい
    る）、次いで、下記の追加の工程手順のうちのいづれか
    の前及び／又は後に存在している保護基を脱離せしめる
    か、あるいは、 ｂ）Ｚがヒドロキシメチル又はホルミルであり、そして
    残りの基が式Ｉの化合物について前記した通りである式
    Ｉの化合物又はその塩及び／もしくは互変異性体を製造
    するために、次式Ｖのカルボン酸 【化３】 〔式中、Ｙ′はヒドロキシルであるか、又は式Ｉの化合
    物について前記した基Ｙのいづれかであり（Ｙ′がヒド
    ロキシルならＸは酸素であることを条件とする）、そし
    て残りの基が式Ｉの化合物について前記した通りであ
    る〕もしくはかかるカルボン酸の反応性誘導体を還元せ
    しめ（ここで反応に関与しなく、且つ、式Ｖの出発材料
    に存在している官能基は所望するならば保護形態にあ
    る）、次いで下記の追加の工程手順のいづれかの前及び
    ／又は後に存在している保護基を脱離せしめ、 次いで、所望するならば、追加の工程手順として、獲得
    できうる式Ｉの化合物を別の式Ｉの化合物に変換せしめ
    る、及び／又は獲得できうる塩を遊離化合物もしくは別
    の塩へと変換せしめる、及び／又は獲得できうる式Ｉの
    遊離化合物を塩へと変化せしめる、及び／又は獲得でき
    うる式Ｉの異性体化合物の複合物を個別の異性体に分け
    ること；を含んで成る方法。
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