JPH0772612A - 位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスク及びその製造方法Info
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- JPH0772612A JPH0772612A JP23900593A JP23900593A JPH0772612A JP H0772612 A JPH0772612 A JP H0772612A JP 23900593 A JP23900593 A JP 23900593A JP 23900593 A JP23900593 A JP 23900593A JP H0772612 A JPH0772612 A JP H0772612A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- shifter
- forming film
- phase shift
- Prior art date
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハにパターン露光を行う際にマスク上に
おける照射光寸法と露光対象物上での露光光寸法との間
に寸法誤差が生じるのを防止すること及びその場合でも
マスクの機械的強度を低下させないことを目的とする。 【構成】 透明基板１１の上に、順次、シフター層１３
及び遮光層１４を形成して成る下シフタータイプのレベ
ンソン型位相シフトマスクであって、遮光部Ｓ、シフタ
ーを有しない透光部Ｔn 及びシフターを有する透光部Ｔ
a が面内で交互に配列される位相シフトマスクである。
シフター層１３と透明基板１１との間にエッチングスト
ッパー層１２が形成されるが、このエッチングストッパ
ー層１２はシフターを有しない透光部Ｔn には設けられ
ない。これにより、透光部Ｔn を通過する露光光のエネ
ルギ減衰を防止する。
おける照射光寸法と露光対象物上での露光光寸法との間
に寸法誤差が生じるのを防止すること及びその場合でも
マスクの機械的強度を低下させないことを目的とする。 【構成】 透明基板１１の上に、順次、シフター層１３
及び遮光層１４を形成して成る下シフタータイプのレベ
ンソン型位相シフトマスクであって、遮光部Ｓ、シフタ
ーを有しない透光部Ｔn 及びシフターを有する透光部Ｔ
a が面内で交互に配列される位相シフトマスクである。
シフター層１３と透明基板１１との間にエッチングスト
ッパー層１２が形成されるが、このエッチングストッパ
ー層１２はシフターを有しない透光部Ｔn には設けられ
ない。これにより、透光部Ｔn を通過する露光光のエネ
ルギ減衰を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、投影露光装置において
使用されるパターンを備えたフォトマスク、特にパター
ンを通過する露光光に位相差を与えて高解像度のパター
ン転写を可能にする位相シフトマスク及びその製造方法
に関する。
使用されるパターンを備えたフォトマスク、特にパター
ンを通過する露光光に位相差を与えて高解像度のパター
ン転写を可能にする位相シフトマスク及びその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の位相シフトマスクとして、図１３
に示すような下シフタータイプのレベンソン型位相シフ
トマスクがある。この位相シフトマスク４０は、透明基
板４１上に順次、エッチングストッパー層４２、シフタ
ー層４３、そして遮光層４４を積層することによって形
成されている。符号Ｓは遮光部、符号Ｔn はシフターを
有しない透光部、そして符号Ｔa はシフターを有する透
光部を示している。
に示すような下シフタータイプのレベンソン型位相シフ
トマスクがある。この位相シフトマスク４０は、透明基
板４１上に順次、エッチングストッパー層４２、シフタ
ー層４３、そして遮光層４４を積層することによって形
成されている。符号Ｓは遮光部、符号Ｔn はシフターを
有しない透光部、そして符号Ｔa はシフターを有する透
光部を示している。
【０００３】この下シフタータイプのレベンソン型位相
シフトマスク４０は、上シフタータイプに比較してステ
ップカバレッジ等の問題がないため特性上優れている。
しかしながら、シフター層４３が遮光層４４に比べて大
幅に厚くなるため、平面的なマスクパターンの取り扱い
のみでは不十分であり、シフター層４３の厚みも考慮し
た３次元的なマスク形状が解像特性に影響を及ぼす。
シフトマスク４０は、上シフタータイプに比較してステ
ップカバレッジ等の問題がないため特性上優れている。
しかしながら、シフター層４３が遮光層４４に比べて大
幅に厚くなるため、平面的なマスクパターンの取り扱い
のみでは不十分であり、シフター層４３の厚みも考慮し
た３次元的なマスク形状が解像特性に影響を及ぼす。
【０００４】すなわち、図１４に示すように、遮光層エ
ッジ４４ａとシフター側壁４３ａの内径寸法差が小さい
場合（図示の場合は内径寸法差がほとんどない状態を示
している）、斜めに入射してシフター層４３を透過し、
シフター層側壁４３ａからシフターを有しない透光部Ｔ
n に抜け出る照射光Ｌ２及びＬ３が照射光Ｌ１を打ち消
すので、シフターを有しない透光部Ｔn に対応するＳｉ
ウエハ４５上の光強度分布Ｐ１はマスク４０上での寸法
Ｗ１より小さくなってしまう。これに対し、シフターを
有する透光部Ｔa （図１３）に対応するウエハ４５上の
光強度分布は、マスク４０上での寸法Ｗ１と同じであ
る。なお、図において符号４６はレジスト層を示してい
る。
ッジ４４ａとシフター側壁４３ａの内径寸法差が小さい
場合（図示の場合は内径寸法差がほとんどない状態を示
している）、斜めに入射してシフター層４３を透過し、
シフター層側壁４３ａからシフターを有しない透光部Ｔ
n に抜け出る照射光Ｌ２及びＬ３が照射光Ｌ１を打ち消
すので、シフターを有しない透光部Ｔn に対応するＳｉ
ウエハ４５上の光強度分布Ｐ１はマスク４０上での寸法
Ｗ１より小さくなってしまう。これに対し、シフターを
有する透光部Ｔa （図１３）に対応するウエハ４５上の
光強度分布は、マスク４０上での寸法Ｗ１と同じであ
る。なお、図において符号４６はレジスト層を示してい
る。
【０００５】このようなウエハ上での露光光の寸法誤差
の発生を防止する目的で、図１５に示すように、シフタ
ー層５３の側壁５３ａが遮光層５４のエッジ５４ａより
奥側に引っ込んだ構造の位相シフトマスク５０が検討さ
れている。同図において符号５１は透明基板、５２はエ
ッチングストッパー層を示し、Ｓ，Ｔn ，Ｔa は図１３
と同じ部分を示している。
の発生を防止する目的で、図１５に示すように、シフタ
ー層５３の側壁５３ａが遮光層５４のエッジ５４ａより
奥側に引っ込んだ構造の位相シフトマスク５０が検討さ
れている。同図において符号５１は透明基板、５２はエ
ッチングストッパー層を示し、Ｓ，Ｔn ，Ｔa は図１３
と同じ部分を示している。
【０００６】本位相シフトマスク５０においては、図１
６に示すように、斜めに入射する照射光Ｌ２及びＬ３
は、シフター層５３を透過しないのでその位相は逆転せ
ず、照射光Ｌ１と打ち消し合うことがなく、よってシフ
ターを有しない透光部Ｔn に対応するウエハ４５上の光
強度分布Ｐ２はマスク５０上での寸法Ｗ１と同一であ
り、こうしてウエハ４５上での露光幅寸法の誤差を回避
することができる。しかし、遮光層５４のエッジ５４ａ
がひさし状に突出しているので物理的耐性に問題があ
り、ひさし状の部分が欠け落ちて異物となり、フォトマ
スクを汚染するおそれがある。
６に示すように、斜めに入射する照射光Ｌ２及びＬ３
は、シフター層５３を透過しないのでその位相は逆転せ
ず、照射光Ｌ１と打ち消し合うことがなく、よってシフ
ターを有しない透光部Ｔn に対応するウエハ４５上の光
強度分布Ｐ２はマスク５０上での寸法Ｗ１と同一であ
り、こうしてウエハ４５上での露光幅寸法の誤差を回避
することができる。しかし、遮光層５４のエッジ５４ａ
がひさし状に突出しているので物理的耐性に問題があ
り、ひさし状の部分が欠け落ちて異物となり、フォトマ
スクを汚染するおそれがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の位相
シフトマスクに関する上記の問題点を解消するためにな
されたものであって、露光対象物、例えばウエハにパタ
ーン露光を行う際にマスク上における照射光寸法と露光
対象物上での露光光寸法との間に寸法誤差が生じるのを
防止すること及びその場合でもマスクの機械的強度を低
下させないことを目的とする。
シフトマスクに関する上記の問題点を解消するためにな
されたものであって、露光対象物、例えばウエハにパタ
ーン露光を行う際にマスク上における照射光寸法と露光
対象物上での露光光寸法との間に寸法誤差が生じるのを
防止すること及びその場合でもマスクの機械的強度を低
下させないことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明に係る位相シフトマスクは、透明基板の上に、
順次、シフター層及び遮光層を形成して成る下シフター
タイプのレベンソン型位相シフトマスクであって、遮光
部、シフターを有しない透光部及びシフターを有する透
光部が面内で交互に配列された位相シフトマスクにおい
て、シフター層と透明基板との間にエッチングストッパ
ー層を設け、しかしながらシフターを有しない透光部に
はこのエッチングストッパー層を設けないことを特徴と
している。
め本発明に係る位相シフトマスクは、透明基板の上に、
順次、シフター層及び遮光層を形成して成る下シフター
タイプのレベンソン型位相シフトマスクであって、遮光
部、シフターを有しない透光部及びシフターを有する透
光部が面内で交互に配列された位相シフトマスクにおい
て、シフター層と透明基板との間にエッチングストッパ
ー層を設け、しかしながらシフターを有しない透光部に
はこのエッチングストッパー層を設けないことを特徴と
している。
【０００９】また、本発明に係る位相シフトマスクの製
造方法は、次の各工程、すなわち（ａ）透明基板上に、
エッチングストッパー層形成用皮膜と、シフター層形成
用皮膜と、遮光層形成用皮膜と、第１レジスト層形成用
皮膜とを順次一様に形成する工程、（ｂ）第１レジスト
層形成用皮膜を描画して遮光層用レジストパターンを形
成する工程、（ｃ）遮光層用レジストパターンから露出
する遮光層形成用皮膜をエッチング処理して遮光層を形
成する工程、（ｄ）遮光層用レジストパターンを剥離す
る工程、（ｅ）第２レジスト層形成用皮膜を形成する工
程、（ｆ）第２レジスト層形成用皮膜を描画してシフタ
ー層用レジストパターンを形成する工程、（ｇ）シフタ
ー層用レジストパターンから露出するシフター層形成用
皮膜をエッチング処理してシフター層を形成する工程、
（ｈ）シフター層から露出するエッチングストッパー層
形成用皮膜をエッチング処理してエッチングストッパー
層を形成することにより透明基板を露出させる工程、
（ｉ）シフター層用レジストパターンを剥離する工程を
具備することを特徴としている。
造方法は、次の各工程、すなわち（ａ）透明基板上に、
エッチングストッパー層形成用皮膜と、シフター層形成
用皮膜と、遮光層形成用皮膜と、第１レジスト層形成用
皮膜とを順次一様に形成する工程、（ｂ）第１レジスト
層形成用皮膜を描画して遮光層用レジストパターンを形
成する工程、（ｃ）遮光層用レジストパターンから露出
する遮光層形成用皮膜をエッチング処理して遮光層を形
成する工程、（ｄ）遮光層用レジストパターンを剥離す
る工程、（ｅ）第２レジスト層形成用皮膜を形成する工
程、（ｆ）第２レジスト層形成用皮膜を描画してシフタ
ー層用レジストパターンを形成する工程、（ｇ）シフタ
ー層用レジストパターンから露出するシフター層形成用
皮膜をエッチング処理してシフター層を形成する工程、
（ｈ）シフター層から露出するエッチングストッパー層
形成用皮膜をエッチング処理してエッチングストッパー
層を形成することにより透明基板を露出させる工程、
（ｉ）シフター層用レジストパターンを剥離する工程を
具備することを特徴としている。
【００１０】なお、上記（ｈ）項記載の工程及び（ｉ）
項記載の工程に関してはその順序を入れ替えることもで
きる。
項記載の工程に関してはその順序を入れ替えることもで
きる。
【００１１】
【作用】請求項１記載の位相シフトマスクに光が照射さ
れるとき、遮光層に照射された光は進行を阻止され、シ
フターを有する透光部に照射された光は位相が反転した
状態で露光対象物、例えばウエハへ向かい、そしてシフ
ターを有しない透光部に照射された光は位相が反転する
ことなくそのまま露光対象物へ向かう。シフターを有し
ない透光部にはエッチングストッパー層が存在しないの
で、その透光部に垂直に入射する照射光に関しては、エ
ッチングストッパー層があったとしたならば消費される
であろうエネルギの損失がなくなる。よって、露光対象
物に垂直に照射される光の振幅分布が全体的に高くな
る。従って、位相シフトマスクに斜めに入射してシフタ
ー層を透過し、さらにシフター層の側壁からシフターを
有しない透光部に抜け出る照射光によって上記の垂直照
射光が打ち消されたとしても、その垂直照射光の露光対
象物上での分布幅が狭くなることはない。その結果、露
光対象物上での光強度分布の幅寸法をマスク上での光強
度分布の幅寸法と同一に維持できる。このように露光対
象物上の照射光分布幅に誤差が生じることを防止するこ
とにより、マスクの解像性能を向上できる。
れるとき、遮光層に照射された光は進行を阻止され、シ
フターを有する透光部に照射された光は位相が反転した
状態で露光対象物、例えばウエハへ向かい、そしてシフ
ターを有しない透光部に照射された光は位相が反転する
ことなくそのまま露光対象物へ向かう。シフターを有し
ない透光部にはエッチングストッパー層が存在しないの
で、その透光部に垂直に入射する照射光に関しては、エ
ッチングストッパー層があったとしたならば消費される
であろうエネルギの損失がなくなる。よって、露光対象
物に垂直に照射される光の振幅分布が全体的に高くな
る。従って、位相シフトマスクに斜めに入射してシフタ
ー層を透過し、さらにシフター層の側壁からシフターを
有しない透光部に抜け出る照射光によって上記の垂直照
射光が打ち消されたとしても、その垂直照射光の露光対
象物上での分布幅が狭くなることはない。その結果、露
光対象物上での光強度分布の幅寸法をマスク上での光強
度分布の幅寸法と同一に維持できる。このように露光対
象物上の照射光分布幅に誤差が生じることを防止するこ
とにより、マスクの解像性能を向上できる。
【００１２】しかも、本発明の位相シフトマスクは、遮
光層エッジの下までシフター層を存在させることがで
き、遮光層エッジがひさし形状にはならないので、遮光
層が欠け落ちてフォトマスクを汚すこともない。
光層エッジの下までシフター層を存在させることがで
き、遮光層エッジがひさし形状にはならないので、遮光
層が欠け落ちてフォトマスクを汚すこともない。
【００１３】
【実施例】（位相シフトマスクの実施例） まず、本発明に係る位相
シフトマスクの一実施例を図１に示す。この位相シフト
マスク１０は、透明基板１１と、透明基板１１上に形成
したエッチング処理の進行を止めるためのエッチングス
トッパー層１２と、エッチングストッパー層１２の上に
形成されていて露光光の位相を反転するためのシフター
層１３と、そしてシフター層１３の上に形成されていて
露光光の進行を阻止する遮光層１４とを有している。
シフトマスクの一実施例を図１に示す。この位相シフト
マスク１０は、透明基板１１と、透明基板１１上に形成
したエッチング処理の進行を止めるためのエッチングス
トッパー層１２と、エッチングストッパー層１２の上に
形成されていて露光光の位相を反転するためのシフター
層１３と、そしてシフター層１３の上に形成されていて
露光光の進行を阻止する遮光層１４とを有している。
【００１４】遮光層１４が形成された部分は露光光を通
さない遮光部Ｓを構成し、遮光層１４及びシフター層１
３が存在しない部分はシフターを有しない透光部Ｔn を
構成し、そして遮光層１４は存在しないがシフター層１
３が存在する部分はシフターを有する透光部Ｔa を構成
する。互いに隣り合う透光部を透過した光が互いを打ち
消し合うように相互作用させるという位相シフトマスク
の主たる機能を達成するため、シフターを有しない透光
部Ｔn とシフターを有する透光部Ｔa とは面内で交互に
配列される。シフターを有しない透光部Ｔn にはエッチ
ングストッパー層１２が存在しない。
さない遮光部Ｓを構成し、遮光層１４及びシフター層１
３が存在しない部分はシフターを有しない透光部Ｔn を
構成し、そして遮光層１４は存在しないがシフター層１
３が存在する部分はシフターを有する透光部Ｔa を構成
する。互いに隣り合う透光部を透過した光が互いを打ち
消し合うように相互作用させるという位相シフトマスク
の主たる機能を達成するため、シフターを有しない透光
部Ｔn とシフターを有する透光部Ｔa とは面内で交互に
配列される。シフターを有しない透光部Ｔn にはエッチ
ングストッパー層１２が存在しない。
【００１５】今、図２に示すように、フォトレジスト１
６が積層されたウエハ１５を露光対象物として、位相シ
フトマスク１０を通してそのウエハ１５に露光光を照射
する場合を考える。露光光としては、シフターを有しな
い透光部Ｔn に垂直に入射する垂直入射光Ｌ１と、その
透光部Ｔn に斜め方向から入射する斜め入射光Ｌ２及び
Ｌ３を考える。ウエハ１５に入射する垂直入射光Ｌ１の
光振幅分布はＱ１で示すような正側に凸の曲線状であ
る。一方、斜め入射光Ｌ２，Ｌ３の光振幅分布は、それ
らの光がシフター層１３を透過することに起因して、そ
れぞれＱ２，Ｑ３で示すように位相が反転して負側に凸
の曲線となる。
６が積層されたウエハ１５を露光対象物として、位相シ
フトマスク１０を通してそのウエハ１５に露光光を照射
する場合を考える。露光光としては、シフターを有しな
い透光部Ｔn に垂直に入射する垂直入射光Ｌ１と、その
透光部Ｔn に斜め方向から入射する斜め入射光Ｌ２及び
Ｌ３を考える。ウエハ１５に入射する垂直入射光Ｌ１の
光振幅分布はＱ１で示すような正側に凸の曲線状であ
る。一方、斜め入射光Ｌ２，Ｌ３の光振幅分布は、それ
らの光がシフター層１３を透過することに起因して、そ
れぞれＱ２，Ｑ３で示すように位相が反転して負側に凸
の曲線となる。
【００１６】ウエハ１５上の実際の光強度分布は、上記
のＱ１，Ｑ２，Ｑ３を合成したものであるから、その分
布はＰO で示すように両裾部分が打ち消された状態とな
る。しかしながら本実施例では、シフターを有しない透
光部Ｔn にエッチングストッパー層１２が存在していな
いので、そこを透過した垂直入射光Ｌ１の振幅分布Ｑ１
は符号Ｒで示すように全体的に高くなっている。エッチ
ングストッパー層１２の材質や厚さにも依存するが、通
常は１０〜２０％程度高くなる。この結果、斜め入射光
Ｌ２，Ｌ３によって打ち消されるとしても、ウエハ１５
上の光強度分布は常にマスク１０上での露光光幅Ｗ１の
寸法と同一に維持される。よって、ウエハ１５上に形成
されるパターン像の解像性能を高精度に維持できる。
のＱ１，Ｑ２，Ｑ３を合成したものであるから、その分
布はＰO で示すように両裾部分が打ち消された状態とな
る。しかしながら本実施例では、シフターを有しない透
光部Ｔn にエッチングストッパー層１２が存在していな
いので、そこを透過した垂直入射光Ｌ１の振幅分布Ｑ１
は符号Ｒで示すように全体的に高くなっている。エッチ
ングストッパー層１２の材質や厚さにも依存するが、通
常は１０〜２０％程度高くなる。この結果、斜め入射光
Ｌ２，Ｌ３によって打ち消されるとしても、ウエハ１５
上の光強度分布は常にマスク１０上での露光光幅Ｗ１の
寸法と同一に維持される。よって、ウエハ１５上に形成
されるパターン像の解像性能を高精度に維持できる。
【００１７】しかも、図１に示したシフトマスク１０で
は、遮光層エッジ１４ａの下にまでシフター層１３が存
在し、遮光層エッジ１４ａがひさし状になっていないの
で、遮光層１４が欠け落ちてフォトマスク１０を汚染す
ることもない。
は、遮光層エッジ１４ａの下にまでシフター層１３が存
在し、遮光層エッジ１４ａがひさし状になっていないの
で、遮光層１４が欠け落ちてフォトマスク１０を汚染す
ることもない。
【００１８】（位相シフトマスクの製造方法の第１実施例） （１）図３に示すように、透明基板２１の上にエッチン
グストッパー層形成用皮膜２２と、シフター層形成用皮
膜２３と、遮光層形成用皮膜２４と、そして第１レジス
ト層形成用皮膜２５とを順次一様に形成する。各層の具
体的な形成方法としては周知の薄膜形成方法が適用でき
る。また、各層は、例えば次のような材料によって構成
できる。
グストッパー層形成用皮膜２２と、シフター層形成用皮
膜２３と、遮光層形成用皮膜２４と、そして第１レジス
ト層形成用皮膜２５とを順次一様に形成する。各層の具
体的な形成方法としては周知の薄膜形成方法が適用でき
る。また、各層は、例えば次のような材料によって構成
できる。
【００１９】 遮光層形成用皮膜２４ ：Ｃｒ（クロ
ム） シフター層形成用皮膜２３ ：ＳｉＯ2 エッチングストッパー層形成用皮膜２２：タンタル、ア
ルミナ（Ａｌ2Ｏ3）
ム） シフター層形成用皮膜２３ ：ＳｉＯ2 エッチングストッパー層形成用皮膜２２：タンタル、ア
ルミナ（Ａｌ2Ｏ3）
【００２０】（２）その後、第１レジスト層形成用皮膜
２５を描画、すなわちパターン露光して、遮光層用のレ
ジストパターン２５’を形成する（図４）。そして、遮
光層用レジストパターン２５’から露出する遮光層形成
用皮膜２４をエッチング処理して遮光層２４’を形成す
る（図５）。この場合のエッチング処理としては、例え
ば硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸との混合溶
液によるウエットエッチングが適用できる。
２５を描画、すなわちパターン露光して、遮光層用のレ
ジストパターン２５’を形成する（図４）。そして、遮
光層用レジストパターン２５’から露出する遮光層形成
用皮膜２４をエッチング処理して遮光層２４’を形成す
る（図５）。この場合のエッチング処理としては、例え
ば硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸との混合溶
液によるウエットエッチングが適用できる。
【００２１】（３）その後、遮光層用レジストパターン
２５’を剥離し（図６）、第２レジスト層形成用皮膜２
６を形成し（図７）、さらに、第２レジスト層形成用皮
膜２６を描画してシフター層用のレジストパターン２
６’を形成する（図８）。そして、シフター層用レジス
トパターン２６’から露出するシフター層形成用皮膜２
３をエッチング処理してシフター層２３’を形成する
（図９）。この場合のエッチング処理としては、例えば
ＣＦ4 又はＣ2Ｆ6等の反応性ガスが存在する減圧雰囲気
中においてグロー放電を起こし、プラズマ中に発生する
活性ラジカルによってエッチングする、いわゆるドライ
エッチングを適用できる。
２５’を剥離し（図６）、第２レジスト層形成用皮膜２
６を形成し（図７）、さらに、第２レジスト層形成用皮
膜２６を描画してシフター層用のレジストパターン２
６’を形成する（図８）。そして、シフター層用レジス
トパターン２６’から露出するシフター層形成用皮膜２
３をエッチング処理してシフター層２３’を形成する
（図９）。この場合のエッチング処理としては、例えば
ＣＦ4 又はＣ2Ｆ6等の反応性ガスが存在する減圧雰囲気
中においてグロー放電を起こし、プラズマ中に発生する
活性ラジカルによってエッチングする、いわゆるドライ
エッチングを適用できる。
【００２２】（４）その後、シフター層２３’から露出
するエッチングストッパー層用成形皮膜２２をエッチン
グ処理してエッチングストッパー層２２’を形成するこ
とにより透明基板２１を露出させる（図１０）。そして
最後に、シフター層用レジストパターン２６’を剥離す
る（図１１）。これにより、目標とする位相シフトマス
ク１０が製造される。なお、エッチングストッパー層形
成用皮膜２２のエッチング処理は、ＫＯＨ又はＮａＯＨ
の水溶液によるウエットエッチングを適用できる。
するエッチングストッパー層用成形皮膜２２をエッチン
グ処理してエッチングストッパー層２２’を形成するこ
とにより透明基板２１を露出させる（図１０）。そして
最後に、シフター層用レジストパターン２６’を剥離す
る（図１１）。これにより、目標とする位相シフトマス
ク１０が製造される。なお、エッチングストッパー層形
成用皮膜２２のエッチング処理は、ＫＯＨ又はＮａＯＨ
の水溶液によるウエットエッチングを適用できる。
【００２３】（位相シフトマスクの製造方法の第２実施
例）上記第１実施例における（１）〜（３）までの工
程、すなわち図３から図９までに示した一連の工程を行
ってシフター層２３’を形成する（図９）。その後、上
記（４）の工程、すなわちまず先に皮膜２２をエッチン
グ処理し、次にレジストパターン２６’を剥離するとい
う工程の代わりに、まずシフター層用レジストパターン
２６’を先に剥離し（図１２）、その後シフター層２
３’から露出するエッチングストッパー層形成用皮膜２
２をエッチング処理してエッチングストッパー層２２’
を形成することにより透明基板２１を露出させ（図１
１）、これにより目標とする位相シフトマスク１０を製
造する。
例）上記第１実施例における（１）〜（３）までの工
程、すなわち図３から図９までに示した一連の工程を行
ってシフター層２３’を形成する（図９）。その後、上
記（４）の工程、すなわちまず先に皮膜２２をエッチン
グ処理し、次にレジストパターン２６’を剥離するとい
う工程の代わりに、まずシフター層用レジストパターン
２６’を先に剥離し（図１２）、その後シフター層２
３’から露出するエッチングストッパー層形成用皮膜２
２をエッチング処理してエッチングストッパー層２２’
を形成することにより透明基板２１を露出させ（図１
１）、これにより目標とする位相シフトマスク１０を製
造する。
【００２４】以上、好ましい実施例をあげて本発明を説
明したが、本発明はそれらの実施例に限定されるもので
なく、請求の範囲に記載した技術的範囲内で種々に改変
できる。
明したが、本発明はそれらの実施例に限定されるもので
なく、請求の範囲に記載した技術的範囲内で種々に改変
できる。
【００２５】
【発明の効果】請求項１記載の位相シフトマスクによれ
ば、シフターを有しない透光部にはエッチングストッパ
ー層を配置しないようにしたので、該透光部を透過する
垂直照射光の振幅分布の全体的なレベルが高くなり、よ
ってシフター層を透過して該透光部に入り込む斜め照射
光が存在して垂直照射光の両裾部を打ち消す場合でも、
露光対象物上の光強度分布は常に位相シフトマスク上で
の照射光幅（Ｗ１）の寸法と同一に維持される。その結
果、露光対象物に形成されるパターン像の解像性能を高
精度に維持できる。
ば、シフターを有しない透光部にはエッチングストッパ
ー層を配置しないようにしたので、該透光部を透過する
垂直照射光の振幅分布の全体的なレベルが高くなり、よ
ってシフター層を透過して該透光部に入り込む斜め照射
光が存在して垂直照射光の両裾部を打ち消す場合でも、
露光対象物上の光強度分布は常に位相シフトマスク上で
の照射光幅（Ｗ１）の寸法と同一に維持される。その結
果、露光対象物に形成されるパターン像の解像性能を高
精度に維持できる。
【００２６】しかも、図１に示した位相シフトマスクで
は、遮光層エッジの下にまでシフター層が存在し、遮光
層エッジがひさし状にならないので、遮光層が欠け落ち
てフォトマスクを汚染することもない。
は、遮光層エッジの下にまでシフター層が存在し、遮光
層エッジがひさし状にならないので、遮光層が欠け落ち
てフォトマスクを汚染することもない。
【００２７】請求項２及び請求項３記載の位相シフトマ
スクの製造方法によれば、シフターを有しない透光部に
エッチングストッパー層が存在しないような位相シフト
マスクを確実且つ簡単に製造することができる。
スクの製造方法によれば、シフターを有しない透光部に
エッチングストッパー層が存在しないような位相シフト
マスクを確実且つ簡単に製造することができる。
【００２８】
【図１】本発明に係る位相シフトマスクの一実施例の要
部を模式的に示す断面図である。
部を模式的に示す断面図である。
【図２】同位相シフトマスクの動作状態を模式的に示す
図である。
図である。
【図３】同位相シフトマスクの製造方法の一例における
一工程、特に各層を一様に積層した状態を示す断面図で
ある。
一工程、特に各層を一様に積層した状態を示す断面図で
ある。
【図４】同位相シフトマスクの製造方法の一例における
一工程、特に遮光層用レジストパターンを形成した状態
を示す断面図である。
一工程、特に遮光層用レジストパターンを形成した状態
を示す断面図である。
【図５】同位相シフトマスクの製造方法の一例における
一工程、特にエッチング処理によって遮光層を形成した
状態を示す断面図である。
一工程、特にエッチング処理によって遮光層を形成した
状態を示す断面図である。
【図６】同位相シフトマスクの製造方法の一例における
一工程、特に遮光層用レジストパターンを剥離した状態
を示す断面図である。
一工程、特に遮光層用レジストパターンを剥離した状態
を示す断面図である。
【図７】同位相シフトマスクの製造方法の一例における
一工程、特に第２レジスト層形成用皮膜を形成した状態
を示す断面図である。
一工程、特に第２レジスト層形成用皮膜を形成した状態
を示す断面図である。
【図８】同位相シフトマスクの製造方法の一例における
一工程、特にシフター層用レジストパターンを形成した
状態を示す断面図である。
一工程、特にシフター層用レジストパターンを形成した
状態を示す断面図である。
【図９】同位相シフトマスクの製造方法の一例における
一工程、特にエッチング処理によってシフター層を形成
した状態を示す断面図である。
一工程、特にエッチング処理によってシフター層を形成
した状態を示す断面図である。
【図１０】同位相シフトマスクの製造方法の一例におけ
る一工程、特にエッチング処理によってエッチングスト
ッパー層を形成した状態を示す断面図である。
る一工程、特にエッチング処理によってエッチングスト
ッパー層を形成した状態を示す断面図である。
【図１１】完成した位相シフトマスクの要部を示す断面
図である。
図である。
【図１２】位相シフトマスクの製造方法の他の一例にお
ける要部工程、特にシフター層用のレジストパターンを
剥離した状態を示す断面図である。
ける要部工程、特にシフター層用のレジストパターンを
剥離した状態を示す断面図である。
【図１３】従来の位相シフトマスクの一例の要部を示す
断面図である。
断面図である。
【図１４】同従来の位相シフトマスクの動作状態を模式
的に示す図である。
的に示す図である。
【図１５】従来の位相シフトマスクの他の一例の要部を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１６】同従来の位相シフトマスクの動作状態を模式
的に示す図である。
的に示す図である。
１０ 位相シフトマスク １１ 透明基板 １２ エッチングストッパー層 １３ シフター層 １３ａ シフター層の側壁 １４ 遮光層 １４ａ 遮光層のエッジ １５ ウエハ １６ フォトレジスト
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板の上に、順次、シフター層及び
遮光層を形成して成る下シフタータイプのレベンソン型
位相シフトマスクであって、遮光部、シフターを有しな
い透光部及びシフターを有する透光部が面内で交互に配
列された位相シフトマスクにおいて、シフター層と透明
基板との間にエッチングストッパー層を有し、このエッ
チングストッパー層はシフターを有しない透光部には設
けられないことを特徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項２】（ａ）透明基板上に、エッチングストッパ
ー層形成用皮膜と、シフター層形成用皮膜と、遮光層形
成用皮膜と、第１レジスト層形成用皮膜とを順次一様に
形成する工程、（ｂ）第１レジスト層形成用皮膜を描画
して遮光層用レジストパターンを形成する工程、（ｃ）
遮光層用レジストパターンから露出する遮光層形成用皮
膜をエッチング処理して遮光層を形成する工程、（ｄ）
遮光層用レジストパターンを剥離する工程、（ｅ）第２
レジスト層形成用皮膜を形成する工程、（ｆ）第２レジ
スト層形成用皮膜を描画してシフター層用レジストパタ
ーンを形成する工程、（ｇ）シフター層用レジストパタ
ーンから露出するシフター層形成用皮膜をエッチング処
理してシフター層を形成する工程、（ｈ）シフター層か
ら露出するエッチングストッパー層形成用皮膜をエッチ
ング処理してエッチングストッパー層を形成することに
より透明基板を露出させる工程、（ｉ）シフター層用レ
ジストパターンを剥離する工程を順に具備することを特
徴とする請求項１記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項３】（ａ）透明基板上に、エッチングストッパ
ー層形成用皮膜と、シフター層形成用皮膜と、遮光層形
成用皮膜と、第１レジスト層形成用皮膜とを順次一様に
形成する工程、（ｂ）第１レジスト層形成用皮膜を描画
して遮光層用レジストパターンを形成する工程、（ｃ）
遮光層用レジストパターンから露出する遮光層形成用皮
膜をエッチング処理して遮光層を形成する工程、（ｄ）
遮光層用レジストパターンを剥離する工程、（ｅ）第２
レジスト層形成用皮膜を形成する工程、（ｆ）第２レジ
スト層形成用皮膜を描画してシフター層用レジストパタ
ーンを形成する工程、（ｇ）シフター層用レジストパタ
ーンから露出するシフター層形成用皮膜をエッチング処
理してシフター層を形成する工程、（ｈ）シフター層用
レジストパターンを剥離する工程、（ｉ）シフター層か
ら露出するエッチングストッパー層形成用皮膜をエッチ
ング処理してエッチングストッパー層を形成することに
より透明基板を露出させる工程を順に具備することを特
徴とする請求項１記載の位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23900593A JP3322284B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23900593A JP3322284B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0772612A true JPH0772612A (ja) | 1995-03-17 |
| JP3322284B2 JP3322284B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=17038483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23900593A Expired - Fee Related JP3322284B2 (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3322284B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807851A1 (en) | 1996-05-15 | 1997-11-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shift mask, blank for phase shift mask, and method of manufacturing phase shift mask |
| WO2001035166A1 (en) * | 1999-11-08 | 2001-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask, method of producing photomask, and method of making pattern using photomask |
| JP2007128115A (ja) * | 2003-01-14 | 2007-05-24 | Asml Netherlands Bv | 誘起されたトポグラフィおよび導波路効果を減少させるための位相シフト・マスクおよびプレーナ位相シフト・マスク用の埋め込み型エッチング停止部 |
| KR20200089065A (ko) * | 2019-01-16 | 2020-07-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 포토 마스크 |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP23900593A patent/JP3322284B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807851A1 (en) | 1996-05-15 | 1997-11-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shift mask, blank for phase shift mask, and method of manufacturing phase shift mask |
| US5902702A (en) * | 1996-05-15 | 1999-05-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shift mask, blank for phase shift mask, and method of manufacturing phase shift mask |
| EP0922997A1 (en) * | 1996-05-15 | 1999-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Phase shift mask and method of manufacturing phase shift mask |
| WO2001035166A1 (en) * | 1999-11-08 | 2001-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask, method of producing photomask, and method of making pattern using photomask |
| US6703168B1 (en) | 1999-11-08 | 2004-03-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask |
| US7001711B2 (en) | 1999-11-08 | 2006-02-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Patterning method using a photomask |
| US7205077B2 (en) | 1999-11-08 | 2007-04-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing photomask and method for producing photomask pattern layout |
| US7468240B2 (en) | 1999-11-08 | 2008-12-23 | Panasonic Corporation | Patterning method using photomask |
| JP2007128115A (ja) * | 2003-01-14 | 2007-05-24 | Asml Netherlands Bv | 誘起されたトポグラフィおよび導波路効果を減少させるための位相シフト・マスクおよびプレーナ位相シフト・マスク用の埋め込み型エッチング停止部 |
| KR20200089065A (ko) * | 2019-01-16 | 2020-07-24 | 엘지이노텍 주식회사 | 포토 마스크 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3322284B2 (ja) | 2002-09-09 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |