JPH0772118A - メッキバス中の浄化処理の監視方法 - Google Patents

メッキバス中の浄化処理の監視方法

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JPH0772118A
JPH0772118A JP6056321A JP5632194A JPH0772118A JP H0772118 A JPH0772118 A JP H0772118A JP 6056321 A JP6056321 A JP 6056321A JP 5632194 A JP5632194 A JP 5632194A JP H0772118 A JPH0772118 A JP H0772118A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、ボルタンメトリ技術によってメッ
キバス浄化処理を正確に指示するメッキバスの浄化処理
サイクルの監視方法を得ることを目的とする。 【構成】 メッキバス溶液と接触する電極18を設け、任
意の吸収された有機物材料あるいは電極からのその他の
汚染物質を除去することによって電極18を前処理するの
に十分な電位および持続時間を有するdc前処理信号を
ポテンシオスタット6 より供給し、掃引電位、掃引速度
および反転電位を有し、応答電流信号を発生する掃引d
c測定信号を前処理された電極19に供給し、メッキバス
の浄化処理サイクルの状態の正確な指示を与える応答電
流信号の特性を監視するステップを有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、メッキバス分析方法に
関し、特に、メッキバス浄化処理サイクルの状態を監視
する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】メッキバスの最適な特性を確保するた
め、バスは規則的な間隔で浄化されなければならない。
浄化は、長時間にわたってバス中にたまった有機汚染物
質およびその他の不純物を除去し、不所望のメッキ特性
を導く。多くの場合において、汚染物質はバス内の電気
化学プロセスから生ずる電解破壊された生成物である。
浄化処理間の時間は、メッキバスプロセスの性質および
頻度の関数である汚染物質成長率に依存して変わる。例
えば酸性銅メッキバスのような有機物添加剤を使用して
いるメッキバスはかなりのレベルの汚染物質を生成し、
頻繁な浄化を必要とする。
【0003】カーボン処理は、幅広く使用されるメッキ
バス浄化技術の1つである。カーボン処理プロセスは、
活性化されたカーボンをメッキバスと接触させることを
含む。汚染物質は活性化されたカーボンに吸収され、そ
れによってメッキバス溶液から効果的に除去される。バ
ス内の汚染物質のレベルは浄化処理中に連続的に減少さ
れ、許容可能な低い汚染物質レベルが得られるとき処理
が終了される。新しい添加剤は処理されたバスに添加さ
れ、メッキバスは再び使用する準備が整えられる。連続
的な使用により、有機物およびその他の汚染物質はバス
内に再び蓄積し始め、結局、浄化処理が繰返されなけれ
ばならない。メッキバスの品質は汚染物質の低いレベル
を保持することに依存するので、カーボン処理サイクル
が適当な時間に開始され終了されることは最も重要であ
る。同様のことはその他のメッキバス浄化技術に適用す
る。
【0004】現在実用されている技術において、通常、
浄化処理の進行はメッキバス溶液において手動の試験を
繰返されることによって監視される。LeaRonalアプリケ
ーション・ノートAN30009CT に開示された1つのこのよ
うな手動の試験は、カーボン処理を監視するためにHu
llセルメッキ技術を使用する。カーボン処理プロセス
中、オペレータはプロセスが完了するときを決定するた
めに約3時間毎にHullセルメッキ試験を行う。各H
ullセル試験は空気攪拌により15分間で2アンペア
実行される。メッキされたHullセルパネルが全体の
電流密度の範囲の全域で平坦なマットであるとき、カー
ボン処理プロセスが完了すると考えられる。現在一般に
使用されるその他の方法は、同様の繰返された手動試験
手順を含む。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】電流浄化処理監視方法
は多数の問題がある。手動試験を繰返し実行することは
時間がかかり、熟練者および特別の装置を必要とする。
試験を実行するために必要とされる時間は生産中断時間
であり、メッキプロセス生産力を制限する。
【0006】さらに、現在使用されている技術は一般に
正確で反覆可能な結果を生じない。手動試験は、メッキ
されたHullセルパネルの場合のような推測動作およ
び恣意的な解釈をしばしば含む。これは、不完全な浄化
処理および結果的なメッキバス品質問題を導く。
【0007】さらに、この技術は、米国特許第4,631,11
6 号明細書に開示されるような既知のボルタンメトリメ
ッキバス分析方法によって容易に統合されることができ
ない。それ故、メッキバス使用者は、メッキバスの構成
成分の濃度を測定する1システムおよび1組の装置、お
よび浄化処理の進行を追跡する別の装置を維持しなけれ
ばならない。
【0008】上記から明らかであるように、メッキバス
内の浄化処理サイクルの状況を連続的に監視する簡単で
効果的な方法が必要である。その方法は、最適な処理開
始および終了点の非常に正確な指示を提供すべきであ
る。その方法は、これらの特徴を提供し、大抵のオンラ
インのメッキバス分析方法およびそれに関する装置と両
立すべきである。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、ボルタンメト
リ技術がメッキバス浄化処理の進行の正確な指示を提供
することの発見に基づく。ボルタンメトリ技術は、米国
特許第4,631,116 号明細書に開示されており、浄化処理
状態を監視するためには従来考慮されていないメッキバ
ストレース構成成分の濃度を監視するために使用されて
いる。
【0010】本発明は、メッキバス浄化処理サイクルを
監視する方法を提供する。その方法は、メッキバス溶液
に接触する電極を設け、有機物およびその表面からのそ
の他の汚染物質を除去するために電極にdc前処理信号
を供給し、応答電流信号が生成されるような前処理電極
に掃引dc測定信号を供給するステップを含む。応答電
流信号特性はメッキバス汚染物質レベルを決定するため
に監視され、浄化処理サイクルの状態が監視される。
【0011】本発明の特徴として、前処理および測定信
号を供給し、応答電流を監視するステップは、最適な処
理終了点を正確に決定するために浄化処理中に十分に繰
返される。これら同様のステップは、最適な処理開始点
を決定するために浄化処理の前あるいは後に正常なメッ
キ動作中に繰返されることができる。浄化処理プロセス
の開始あるいは終了を行うべきか否かの決定は、応答電
流によって示されるようなメッキバス汚染物質の濃度レ
ベルに基づく。
【0012】本発明の付加的な特徴として、その方法は
非常に正確で繰返し可能な測定結果を提供する。浄化処
理プロセスは、あらかじめ定められた汚染物質レベルで
開始され、終了される。メッキバス汚染物質レベルは所
望の低いレベルに連続的に維持され、最適なメッキプロ
セススループットおよび品質を保証する。
【0013】さらに本発明の特徴として、その方法はメ
ッキバスの正常な動作を妨害することなしに実時間に結
果を供給するためにタンク内の電気化学センサで使用さ
れることができる。それによって、時間のかかる手動の
試験のための生産中断時間が除去される。
【0014】本発明の監視方法は、典型的にボルタンメ
トリメッキバス分析方法に使用される同じ装置および計
測装置を使用して実行される。浄化処理を監視するため
にのみ使用される特別な試験装置は必要でない。本発明
の方法は、効果的な全体の電気化学監視および制御シス
テムを供給するために既知のメッキバス分析技術と容易
に統合される。
【0015】
【実施例】本発明の上記説明された特徴および付随の利
点は、好ましい実施例の以下の詳細な説明および添付図
面を参照することによってよく理解されるであろう。
【0016】ボルタンメトリ技術は、様々なメッキバス
の電気化学成分の濃度レベルを検出するために使用され
ている。Delahay 氏による1966年のInterscience Publi
sherInc. の「電気化学による新しい器械方法」の第6
章に開示された1つの例示的なボルタンメトリ技術は、
線形掃引dcボルタンメトリ信号を使用する。米国特許
第4,631,116 号明細書に開示されたような別の方法は、
acおよびdcの両方のボルタンメトリ信号を使用す
る。しかしながら、これらacおよびdcボルタンメト
リ技術のいずれもメッキバス浄化処理の状態を監視する
ことは考慮されていない。
【0017】本発明によれば、ボルタンメトリ技術はメ
ッキバスの浄化を監視するために適用される。例示的な
浄化サイクルは図4に示されている。以下の詳細な説明
は、好ましい線形dc掃引ボルタンメトリ技術を使用し
て監視される例示的なカーボン処理浄化サイクルに関す
る。しかしながら、本発明がこの例示的な処理あるいは
技術に限定されるものではないことに注意すべきであ
る。本発明の方法は、他のacおよびdcボルタンメト
リ技術を使用している様々な異なる浄化処理を監視する
ために使用されることができる。
【0018】本発明の方法を行うための装置の好ましい
実施例は図1に示されている。好ましい実施例は、電気
化学液体16で満たされたメッキタンク12に浸されたタン
ク内の電気化学センサ10を含む。タンク内のセンサ10
は、支持具9によってタンク12内に保持される。外部ポ
ンプ8は、測定のためにセンサ10を通って電気化学液体
16を移動させる。外部試験装置ラック14は表示モニタ
1、制御装置2、コンピュータ3、波形発生器4、ロッ
クイン増幅器5、およびポテンシオスタット6を含む。
波形発生器4およびポテンシオスタット6は、センサ10
内の電極に供給されるボルタンメトリ信号を発生する。
コンピュータ3および制御装置2は、測定および応答信
号の発生および表示を自動化させることができる。
【0019】図1に示される装置の動作は、図2の概略
図を参照し、よく理解されることができる。例示的なタ
ンク内の電気化学センサ10は動作電極18、対向電極19、
および基準電極17を含み、それら全ては電気化学液体16
と接触している。測定の前に、前処理信号はその表面上
の全ての吸収された有機材料あるいはその他の汚染物質
を除去するために動作電極に供給される。それからボル
タンメトリ測定信号が前処理された電極18に供給され
る。発生された応答電流信号は、動作電極電位の関数と
して測定される。動作および対向電極18,19は、白金、
銅、金、銀あるいはその他の適当な導電性材料から構成
される。典型的に、基準電極17は銅電極あるいは飽和さ
れたカロメル電極(SCE)である。電極17,18および
19を備えたタンク内の電気化学センサ10は、典型的にボ
ルタンメトリ技術と共に使用されるセンサ設計である。
その他のセンサ設計も使用されることができる。
【0020】波形発生器4は、適当な前処理信号および
測定信号を供給する。典型的に、前処理信号は予め定め
られた期間に供給される一定のdc信号である。また代
りに、前処理信号はポテンシオスタット6から直接供給
されてもよい。測定信号はdc掃引信号、適当なac信
号あるいはacおよびdc信号の組合わせであり、使用
されるボルタンメトリ技術のタイプに依存している。例
えば、米国特許第4,631,116 号明細書に開示されたボル
タンメトリ技術が使用される場合、波形発生器4からの
出力信号はポテンシオスタット6において発生されたd
c掃引信号に重畳される正弦波ac信号であることが好
ましい。線形のdc掃引ボルタンメトリを使用する本発
明の好ましい実施例において、波形発生器4はdc掃引
信号を線25で表されるようにポテンシオスタット6に供
給する。代りに、dc掃引信号はポテンシオスタット6
内で発生されることができる。
【0021】ポテンシオスタット6からのdc掃引信号
出力は、線26を介して電気化学センサ10における動作電
極18に供給される。対向電極19および基準電極17は、そ
れぞれ線28,27を介してポテンシオスタット6に接続さ
れる。dc掃引信号が動作電極18に供給されるとき、応
答電流は動作電極18と対向電極19の間に生成される。ポ
テンシオスタット6は、供給されたdc掃引信号の特性
が動作電極18と対向電極19の間に流れる電流の変化の結
果として変化するものではないことを確実にする。
【0022】応答信号は、供給された電位の関数として
測定されたdc電流である。全ての測定された電位は基
準電極を参照にする。メッキバスの浄化を追跡する診断
信号は、陰極掃引におけるdcピーク電流密度に対応し
ている電極電位である。本発明の好ましい実施例を使用
して発生される2つの例示的な応答電流信号が図3に示
されている。これらの電流応答信号は時間の関数として
表示されるが、掃引電位のような別の信号特性の関数と
して表示されることもできる。
【0023】図1および2の例示的なシステムにおいて
使用される特定の装置は、HP3314A型波形発生
器、PAR273ポテンシオスタット、およびPAR5
208ロックイン増幅器を含む。HP波形発生器はカリ
フォルニア州フラートンのヒューレット・パッカード社
から入手可能であり、PAR装置はニュージャージー州
プリンストンのプリンストン・アプライド・リサーチ社
から入手可能である。例示的なボルタンメトリ技術によ
って生成される応答電流スペクトルおよび上記説明され
た装置の正確度を保証するために、最適な前処理および
測定信号パラメータが使用されるべきである。本発明の
好ましい実施例の線形dcボルタンメトリ技術に関し
て、dc前処理電圧および時間、並びにdc掃引信号電
圧範囲および掃引速度は最適な設定を決定するために独
立して変化される。約+2.0乃至3.0ボルトの電圧
電位を有するdc前処理信号は、約5乃至20秒の期間
で動作電極に供給されることが好ましい。約+3V乃至
−3Vにわたる掃引電位を有し、約10乃至100mv
毎秒の掃引速度の、約−0.2乃至−0.6ボルトの電
位で反転されるdc掃引測定信号が動作電極に供給され
る。
【0024】上記説明されたパラメータ設定が最適であ
るが、本発明の方法がこれらの特定の最適な範囲外のパ
ラメータを使用して有効な結果を生ずることを強調しな
ければならない。本発明の方法によるその他のボルタン
メトリ技術の適用において、特定の技術に適用可能であ
る1組の最適なパラメータが使用される。
【0025】上記前処理および測定信号は、浄化処理プ
ロセスを通じて規則的な時間間隔で動作電極18に供給さ
れる。処理プロセス中、処理時間を最小限度にするため
に頻繁な測定が適当である。汚染物質の許容可能な低い
レベルが達成されるまで、測定が処理中に約0.1乃至
0.5時間毎に繰返されることは好ましい。処理プロセ
スが完了すると、メッキバスは汚染物質の許容可能な低
いレベルを示す。
【0026】測定信号の時間間隔の上記説明された決定
は、コンピュータ制御に適している。コンピュータ3お
よび制御装置2は、浄化監視プロセスの自動制御を行う
ために使用されることができる。コンピュータは時間周
期を記憶することができ、測定は次のサイクルに対する
最適な測定インターバルを決定するために前のサイクル
から得られる。さらに、特定のタイプのメッキバスある
いは浄化プロセスに対する最適な測定インターバルはコ
ンピュータ内に記憶され、必要なときに使用され、非常
に効果的で柔軟性のある浄化監視プロセスを生ずる。
【0027】上記説明された好ましい実施例は、以下の
実例における酸性銅メッキバスのカーボン処理浄化に適
用される。この例と共に論議される全ての電圧は、銅基
準電極に関連する。白金動作電極は、約10秒の期間に
わたって約+3Vの電圧電位を有する一定のdc信号を
使用して前処理される。測定信号は約20mv毎秒の掃
引速度で約+0.5ボルトから+0.6ボルトにわたる
掃引電位を有するdc掃引信号であり、約−0.4乃至
−0.6ボルトの電位で反転される。これらの信号は、
上記説明された好ましい実施例にしたがって酸性銅メッ
キバスに適用される。
【0028】前処理および測定信号を供給し、応答信号
を監視するステップは、例示的なカーボン処理前、処理
中および処理後に繰返された。カーボン処理の開始と終
了に対応している2つの結果的な応答電流信号は、図3
において時間の関数として表示されている。図3におい
て、用語「DCVデータ」はポテンシオスタットからの
信号出力の電圧を示し、dc電流の尺度である。カーボ
ン処理の開始直前に得られる応答電流信号は、約41秒
においてピークP1を有する。このピークに対応してい
る電圧電位は約400mvである。この測定は、カーボ
ン処理の前のメッキバスの状態に対応する。図4に示さ
れるような次の測定は、カーボン処理が進行するにした
がって減少するピーク電位を示す。結局、点は、カーボ
ン処理が終了される点に到達される。最終的にカーボン
処理が終了できる点に到達するこの点に対応している。
応答電流は図3に示され、約35秒において約280m
vの電位ピークを有する。この測定は、カーボン処理の
終りのメッキバスの状態に対応する。
【0029】この例示的なサイクルにおいて得られる全
ての応答電流測定の全域で診断ピーク電流密度に対応し
ている電位における変化は、図4に示されている。図4
において、「測定の時間」はカーボン処理のプロセスお
よび測定が行われる有機物の補給中の時間を示す。時間
は、2日間にわたってクロック時間で示されている。図
3における応答電流電位ピークP1およびP2は、それ
ぞれ図4における測定点P1およびP2に対応する。図
4に示されるように、カーボン処理は約8時間続けら
れ、点P1とP2の間の時間差によって示される。処理
中の測定は、約0.1乃至0.5時間の比較的早い間隔
で繰返される。測定は、メッキバスの有機物内容を計量
するメッキバス浄化プロセスを監視する正確で容易な方
法を提供することができる。本発明の方法は、様々な異
なるメッキバスおよびその他のボルタンメトリ技術を使
用する浄化処理に同様に適用されることができる。
【0030】前述の説明は単なる例示として行われたも
のであり、多くの変化が特許請求の範囲によってのみ限
定される本発明の技術的範囲から逸脱することなしに可
能であることは当業者によって理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法を実行するための装置の好ましい
実施例の概略図。
【図2】図1の好ましい実施例の概略ブロック図。
【図3】カーボン処理浄化サイクルに関する図1の好ま
しい実施例によって発生される例示的な応答電流信号特
性図。
【図4】全体のカーボン処理浄化サイクルにわたって得
られる応答信号の例示的な複雑化を示す特性図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ブルース・エム・エリアッシュ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90034、ロサンゼルス、ハージス・ストリ ート 9106 (72)発明者 フランク・エー・ルドウイッグ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90274、ランチョ・パロス・バーデス、ホ イットリー・コリンズ 29443 (72)発明者 ヌグイエット・エイチ・ファン アメリカ合衆国、カリフォルニア州 90025、ロサンゼルス、ナンバーセブン、 ベロイト・アベニュー 1531

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 メッキバス溶液と接触する少なくとも1
    つの電極を設け、 任意の吸収された有機物材料あるいは前記電極からのそ
    の他の汚染物質を除去することによって前記電極を前処
    理するのに十分な電位および持続時間を有するdc前処
    理信号を供給し、 掃引電位、掃引速度および反転電位を有し、応答電流信
    号を発生する掃引dc測定信号を前記前処理された電極
    に供給し、 前記メッキバスの浄化処理サイクルの状態の正確な指示
    を与える前記応答電流信号の特性を監視するステップを
    有していることを特徴とするメッキバス溶液内の浄化処
    理サイクルの監視方法。
  2. 【請求項2】 前記前処理信号および測定信号を前記電
    極に供給する前記ステップ、および前記応答信号特性を
    監視する前記ステップが浄化処理中に約0.1乃至0.
    5時間毎に繰返される請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 前記浄化処理サイクルがカーボン処理サ
    イクルである請求項1記載の方法。
  4. 【請求項4】 前記応答信号特性の1つが陰極掃引にお
    ける前記応答電流信号のピーク電流密度に対応している
    電極電位である請求項1記載の方法。
  5. 【請求項5】 前記浄化処理が前記応答電流信号の特性
    に基づいて終了されるべきときを決定し、前記処理を終
    了するために自動制御回路が設けられている請求項1記
    載の方法。
  6. 【請求項6】 前記電極がメッキバス分析方法で使用さ
    れるタンク内電気化学センサ内に含まれ、前記前処理信
    号、測定信号および応答信号が前記メッキバス分析方法
    において使用される同じ外部装置によって供給され、監
    視される請求項1記載の方法。
  7. 【請求項7】 メッキバス溶液と接触する少なくとも1
    つの電極を設け、 任意の吸収された有機物材料あるいは前記電極からのそ
    の他の汚染物質を除去することによって前記電極を前処
    理するのに十分な電位および持続時間を有する前処理信
    号を供給し、 前記メッキバス内の有機物汚染物質のレベルを示す特性
    を有する応答電流信号を発生するボルタンメトリ信号を
    前記電極に供給し、 前記応答信号の前記特性を監視し、 前記前処理信号およびボルタンメトリ信号を前記電極に
    供給する前記ステップを有し、前記応答電流特性を監視
    する前記ステップを前記浄化処理サイクルの最適な終了
    点を決定するような最適な時間間隔で繰返すことを特徴
    とするメッキバス溶液内の浄化処理サイクルの監視方
    法。
  8. 【請求項8】 前記浄化処理サイクルがカーボン処理サ
    イクルである請求項6記載の方法。
  9. 【請求項9】 前記浄化処理が前記応答電流信号の前記
    特性に基づいて終了されるべきときを決定し、前記処理
    を終了するために自動制御回路が設けられている請求項
    6記載の方法。
  10. 【請求項10】 前記電極がメッキバス分析方法で使用
    されるタンク内電気化学センサ内に含まれ、前記前処理
    信号、測定信号および応答信号が前記メッキバス分析方
    法において使用される同じ外部装置によって供給され、
    監視される請求項6記載の方法。
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