JPH0770885B2 - マイクロストリツプ線路 - Google Patents
マイクロストリツプ線路Info
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- JPH0770885B2 JPH0770885B2 JP61127804A JP12780486A JPH0770885B2 JP H0770885 B2 JPH0770885 B2 JP H0770885B2 JP 61127804 A JP61127804 A JP 61127804A JP 12780486 A JP12780486 A JP 12780486A JP H0770885 B2 JPH0770885 B2 JP H0770885B2
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- Japan
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- strip conductor
- conductor
- microstrip line
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Description
【発明の詳細な説明】 概要 誘電体基板の一方の面に接地導体を形成し他方の面にス
トリップ導体を形成してなるマイクロストリップ線路
の、少なくとも前記ストリップ導体に対応する部分が表
面波モードの伝播しにくい所定の厚さとなるように、前
記誘電体基板に窪みを設けて構成し、補強部材を排除し
て構成の簡略化を計ると共に、前記接地導体の他の装置
との確実な接続を可能とする。
トリップ導体を形成してなるマイクロストリップ線路
の、少なくとも前記ストリップ導体に対応する部分が表
面波モードの伝播しにくい所定の厚さとなるように、前
記誘電体基板に窪みを設けて構成し、補強部材を排除し
て構成の簡略化を計ると共に、前記接地導体の他の装置
との確実な接続を可能とする。
産業上の利用分野 本発明はマイクロ波伝送線路として使用するマイクロス
トリップ線路の構造に関する。
トリップ線路の構造に関する。
近年、マイクロ波（通常、マイクロ波とは波長が１乃至
100cmの範囲にある周波数帯を対象とすることが多い
が、本願明細書中では、特に20（GHz）程度の準ミリ波
及びそれより高い周波数のミリ波を含めて１（GHz）以
上の周波数帯の電波をマイクロ波と呼ぶことにする。）
を利用した伝送方式は、市外回路の需要の激増及びテレ
ビジョンの急激な普及等に伴い、公衆通信網の基幹とな
っている。他方、この公衆通信網以外にも、簡易通信、
ローカル通信、及び衛星通信等の分野でマイクロ波伝送
方式が適用されており、簡単な構成で確実な動作をなす
伝送線路の実現が望まれていた。
100cmの範囲にある周波数帯を対象とすることが多い
が、本願明細書中では、特に20（GHz）程度の準ミリ波
及びそれより高い周波数のミリ波を含めて１（GHz）以
上の周波数帯の電波をマイクロ波と呼ぶことにする。）
を利用した伝送方式は、市外回路の需要の激増及びテレ
ビジョンの急激な普及等に伴い、公衆通信網の基幹とな
っている。他方、この公衆通信網以外にも、簡易通信、
ローカル通信、及び衛星通信等の分野でマイクロ波伝送
方式が適用されており、簡単な構成で確実な動作をなす
伝送線路の実現が望まれていた。
従来の技術 マイクロ波の伝送線路（電波を一方向に伝えるための線
路、及び電源と負荷とをつなぎ合わせるための回路を含
む）として、マイクロ波を損失及び歪みを少なく伝送す
るために、同軸管及び導波管等の特殊な伝送線路が用い
られている。同軸管及び導波管等からなる伝送線路は、
これらの基本形状からして立体的な構成とならざるを得
ず、小型化、軽量化、及び量産性等の面で制約が生じ
る。そこで最近においては、近年急速に発展したIC（集
積回路）技術や印刷配線基板（PCB）のパターン形成技
術を用して製造可能なマイクロストリップ線路も、マイ
クロ波伝送線路として実用に供されるようになってき
た。
路、及び電源と負荷とをつなぎ合わせるための回路を含
む）として、マイクロ波を損失及び歪みを少なく伝送す
るために、同軸管及び導波管等の特殊な伝送線路が用い
られている。同軸管及び導波管等からなる伝送線路は、
これらの基本形状からして立体的な構成とならざるを得
ず、小型化、軽量化、及び量産性等の面で制約が生じ
る。そこで最近においては、近年急速に発展したIC（集
積回路）技術や印刷配線基板（PCB）のパターン形成技
術を用して製造可能なマイクロストリップ線路も、マイ
クロ波伝送線路として実用に供されるようになってき
た。
第４図は従来のマイクロストリップ線路の一例を示した
ものである。12は低損失の誘電体からなる誘電体基板で
あり、この誘電体基板12の一方の面には、マイクロ波の
伝送線路の一部となるストリップ導体（マイクロストリ
ップパターン）14と、このストリップ導体14に接続され
るトランジスタ等のチップ部品16をバイアス及びアース
等に接続する配線パターン18とが形成されており、誘電
体基板12の他方の面には、通常その全面に接地導体（ア
ースパターン）20が形成されている。誘電体基板12は、
表面波モード（TEモード）の伝播を阻止するために所定
の厚さより薄く形成され、必ずしも十分な強度が得られ
ないので、通常、金属等の導電体からなる補強部材22が
接地導体20に通電可能に密着固定されている。24は、こ
の密着状態を維持するためのネジであり、誘電体基板12
のストリップ導体14及び配線パターン18が形成されてい
ない部分に設けられる図示しない貫通孔を介して、補強
部材22あるいはこの裏面に設けられる図示しないナット
に螺合している。また、26は導電体からなるネジであ
り、ネジ24同様に固定され、アースすべき配線パターン
18と接地導体20及び補強部材22とを電気的に接続する。
そして、このように構成されたマイクロストリップ線路
においては、ストリップ導体14と接地導体20あるいは補
強部材22とに印加されたマイクロ波信号は、所定モード
の電磁波として誘電体基板12内を伝播する。
ものである。12は低損失の誘電体からなる誘電体基板で
あり、この誘電体基板12の一方の面には、マイクロ波の
伝送線路の一部となるストリップ導体（マイクロストリ
ップパターン）14と、このストリップ導体14に接続され
るトランジスタ等のチップ部品16をバイアス及びアース
等に接続する配線パターン18とが形成されており、誘電
体基板12の他方の面には、通常その全面に接地導体（ア
ースパターン）20が形成されている。誘電体基板12は、
表面波モード（TEモード）の伝播を阻止するために所定
の厚さより薄く形成され、必ずしも十分な強度が得られ
ないので、通常、金属等の導電体からなる補強部材22が
接地導体20に通電可能に密着固定されている。24は、こ
の密着状態を維持するためのネジであり、誘電体基板12
のストリップ導体14及び配線パターン18が形成されてい
ない部分に設けられる図示しない貫通孔を介して、補強
部材22あるいはこの裏面に設けられる図示しないナット
に螺合している。また、26は導電体からなるネジであ
り、ネジ24同様に固定され、アースすべき配線パターン
18と接地導体20及び補強部材22とを電気的に接続する。
そして、このように構成されたマイクロストリップ線路
においては、ストリップ導体14と接地導体20あるいは補
強部材22とに印加されたマイクロ波信号は、所定モード
の電磁波として誘電体基板12内を伝播する。
発明が解決しようとする問題点 上述したストリップ線路においては、強度的に不十分な
誘電体基板12を補強するために、補強部材22及びネジ24
等の補強手段が不可欠なものであり、構成が複雑になる
という問題があった。
誘電体基板12を補強するために、補強部材22及びネジ24
等の補強手段が不可欠なものであり、構成が複雑になる
という問題があった。
また、マイクロストリップ線路を用いて例えばマイクヲ
波発振装置・増幅装置等を構成する際には、このマイク
ロストリップ線路のストリップ導体14及び接地導体20
を、導波管及びコネクタ等の他の装置あるいは分割され
る他のマイクロストリップ回路と接続する必要が生じ、
通常、このような場合のアース接続は、補強部材22を介
して行なわれる。つまり、補強部材22を他の装置等の接
地部分と接続するとにより、実質的に接地導体20が当該
接地部分に接続されるようにしている。そのため、例え
ば接続部近傍における接地導体20と補強部材22の密着が
不完全であると、この部分に、ある特有な作用をなす回
路構成要素が形成され、不具合が生ずることがあった。
マイクロ波の場合には、伝送線路を分布定数回路として
取扱う必要があり、このような不具合がしばしば見受け
られる。
波発振装置・増幅装置等を構成する際には、このマイク
ロストリップ線路のストリップ導体14及び接地導体20
を、導波管及びコネクタ等の他の装置あるいは分割され
る他のマイクロストリップ回路と接続する必要が生じ、
通常、このような場合のアース接続は、補強部材22を介
して行なわれる。つまり、補強部材22を他の装置等の接
地部分と接続するとにより、実質的に接地導体20が当該
接地部分に接続されるようにしている。そのため、例え
ば接続部近傍における接地導体20と補強部材22の密着が
不完全であると、この部分に、ある特有な作用をなす回
路構成要素が形成され、不具合が生ずることがあった。
マイクロ波の場合には、伝送線路を分布定数回路として
取扱う必要があり、このような不具合がしばしば見受け
られる。
本発明はこれらの事情に鑑みて創作されたもので、他の
装置との接続に際して特性の悪化の原因となる補強部材
を不要とし、簡単な構成で確実な動作をなすマイクロス
トリップ線路を提供することを目的としている。
装置との接続に際して特性の悪化の原因となる補強部材
を不要とし、簡単な構成で確実な動作をなすマイクロス
トリップ線路を提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段 第１図は本発明のマイクロストリップ線路の基本構成を
示す図である。
示す図である。
本発明によると、誘電体基板の一方の面に接地導体を形
成し他方の面にストリップ導体を形成してなるマイクロ
ストリップ線路において、前記誘電体基板の少なくとも
ストリップ導体に対応する部分が伝搬周波数によって定
まる所定の厚さとなるように他の部分をそれよりも厚く
形成したことを特徴とするマイクロストリップ線路が提
供される。尚、符号４は上述のように構成したことによ
り誘電体基板１に形成される窪みを表している。
成し他方の面にストリップ導体を形成してなるマイクロ
ストリップ線路において、前記誘電体基板の少なくとも
ストリップ導体に対応する部分が伝搬周波数によって定
まる所定の厚さとなるように他の部分をそれよりも厚く
形成したことを特徴とするマイクロストリップ線路が提
供される。尚、符号４は上述のように構成したことによ
り誘電体基板１に形成される窪みを表している。
作用 本発明のマイクロストリップ線路にあっては、誘電体基
板１の少なくともストリップ導体３に対応する部分に窪
み４を設け、この部分の厚さが所定の厚さ（表面波モー
ドの伝搬を阻止するのに十分小さな厚さ）となるように
している、つまり、当該部分を従来のマイクロストリッ
プ線路における誘電体基板12同等に十分薄く形成してい
るので、伝送線路として正常に機能する。また、誘電体
基板１の窪み４を設けていない部分は、マイクロ波の伝
播にほとんど関与しないので、誘電体基板１の強度を確
保するために所望の厚さと設定することができ、従来の
補強部材は不要となる。その結果、接地導体と補強部材
（本発明では用いない）を機械的に密着させることが不
要となり、他の装置との接続の際に、特有な作用をなす
回路が構成されることがなくなる。尚、トランジスタ等
の各種部品を装着する箇所のようにストリップ導体３が
とぎれている部分５に対応する誘電体基板１に窪み４を
形成しなければ、強度上有利となる。
板１の少なくともストリップ導体３に対応する部分に窪
み４を設け、この部分の厚さが所定の厚さ（表面波モー
ドの伝搬を阻止するのに十分小さな厚さ）となるように
している、つまり、当該部分を従来のマイクロストリッ
プ線路における誘電体基板12同等に十分薄く形成してい
るので、伝送線路として正常に機能する。また、誘電体
基板１の窪み４を設けていない部分は、マイクロ波の伝
播にほとんど関与しないので、誘電体基板１の強度を確
保するために所望の厚さと設定することができ、従来の
補強部材は不要となる。その結果、接地導体と補強部材
（本発明では用いない）を機械的に密着させることが不
要となり、他の装置との接続の際に、特有な作用をなす
回路が構成されることがなくなる。尚、トランジスタ等
の各種部品を装着する箇所のようにストリップ導体３が
とぎれている部分５に対応する誘電体基板１に窪み４を
形成しなければ、強度上有利となる。
実 施 例 以下、本発明の一実施例を図面に基いて説明する。
第２図及び第３図は、本発明の適用されるマイクロスト
リップ線路の構成を示すものであり、便宜上第４図に示
した従来例と同一回路構成であるとし、同一の作用・効
果をなす部分には同一の番号を付してその説明を一部省
略する。
リップ線路の構成を示すものであり、便宜上第４図に示
した従来例と同一回路構成であるとし、同一の作用・効
果をなす部分には同一の番号を付してその説明を一部省
略する。
誘電体基板28の一方の面には、マイクロ波の伝送線路の
一部となるストリップ導体14及びマイクロ波に関与しな
い他の配線パターン18が形成され、この面にはまた各種
のチップ部品16が所定の位置に設けられている。誘電体
基板28の他方の面の側には、ストリップ導体14に対応す
る位置に窪み30が形成され、この部分の誘電体基板28の
厚さは下記のように設定される。即ち表面波モード（TE
モード）の伝播周波数をfc（GHz）、誘電体基板28の誘
電率をεｒとするときに、表面波モード（TEモード）が
伝搬するためには、誘電体基板28の厚さ（mm）は少なく
とも 75/fc（εｒ−１）1/2 以上の値ではなくてはならない。従って、表面波モード
の伝搬を阻止するためには、誘電体基板28の厚さを上記
の値より十分小さく設定すればよい。窪み30は、誘電体
基板28のストリップ導体14に対応する部分に形成されて
いれば十分であり、これ以外の部分は強度上十分な厚さ
とすることができる。32は誘電体基板28の窪み30側一面
に形成される接地導体であり、この接地導体32はスルホ
ール34を介して所望の配線パターン18と電気的に接続さ
れる。スルホール34は、例えば誘電体基板28に貫通する
孔にメッキを施すことにより形成できる。
一部となるストリップ導体14及びマイクロ波に関与しな
い他の配線パターン18が形成され、この面にはまた各種
のチップ部品16が所定の位置に設けられている。誘電体
基板28の他方の面の側には、ストリップ導体14に対応す
る位置に窪み30が形成され、この部分の誘電体基板28の
厚さは下記のように設定される。即ち表面波モード（TE
モード）の伝播周波数をfc（GHz）、誘電体基板28の誘
電率をεｒとするときに、表面波モード（TEモード）が
伝搬するためには、誘電体基板28の厚さ（mm）は少なく
とも 75/fc（εｒ−１）1/2 以上の値ではなくてはならない。従って、表面波モード
の伝搬を阻止するためには、誘電体基板28の厚さを上記
の値より十分小さく設定すればよい。窪み30は、誘電体
基板28のストリップ導体14に対応する部分に形成されて
いれば十分であり、これ以外の部分は強度上十分な厚さ
とすることができる。32は誘電体基板28の窪み30側一面
に形成される接地導体であり、この接地導体32はスルホ
ール34を介して所望の配線パターン18と電気的に接続さ
れる。スルホール34は、例えば誘電体基板28に貫通する
孔にメッキを施すことにより形成できる。
誘電体基板28の材質としては、アルミナ系のセラミック
材、フローグラス（ガラス・アルミナ等のセラミック材
を配合した四フッ化エチレン系樹脂）等を挙げることが
できる。この実施例では、上述したように、窪み30及び
スルホール34を形成するので、成形性及び金属付着性に
優れていることが望ましい。窪み30の形状が複雑になる
と、成形性に劣るアルミナ系のセラミック材は不利とな
り、スルホール34を例えばメッキにより形成する場合に
は、金属付着性に劣るフローグラスは不利となる。本実
施例では、成形性、剛性、及びメッキ性共に優れ、実用
上十分に小さな誘電損失を有するポリサルフォン樹脂を
採用している。ポリサルフォン樹脂は熱可塑性の樹脂で
あり、射出成型することにより、複雑な形状の窪み30も
形成可能である。
材、フローグラス（ガラス・アルミナ等のセラミック材
を配合した四フッ化エチレン系樹脂）等を挙げることが
できる。この実施例では、上述したように、窪み30及び
スルホール34を形成するので、成形性及び金属付着性に
優れていることが望ましい。窪み30の形状が複雑になる
と、成形性に劣るアルミナ系のセラミック材は不利とな
り、スルホール34を例えばメッキにより形成する場合に
は、金属付着性に劣るフローグラスは不利となる。本実
施例では、成形性、剛性、及びメッキ性共に優れ、実用
上十分に小さな誘電損失を有するポリサルフォン樹脂を
採用している。ポリサルフォン樹脂は熱可塑性の樹脂で
あり、射出成型することにより、複雑な形状の窪み30も
形成可能である。
ストリップ導体14、配線パターン18、及びスルホール34
の導体薄膜形成技術としては、必要部分に導体パターン
を形成する通常のセミアディティブ法あるいはフルアデ
ィティブ法によることができる。また、これらに限ら
ず、他の導体薄膜形成技術も採用可能である。
の導体薄膜形成技術としては、必要部分に導体パターン
を形成する通常のセミアディティブ法あるいはフルアデ
ィティブ法によることができる。また、これらに限ら
ず、他の導体薄膜形成技術も採用可能である。
このように、伝送線路として必要な部分だけ所定の厚さ
となるように誘電体基板28を形成し、また、この誘電体
基板28の形成は、比較的安価なポリサルフォン樹脂の射
出成型によっているので、従来の補強部材が不要になる
と共に、飛躍的に生産性が向上する。
となるように誘電体基板28を形成し、また、この誘電体
基板28の形成は、比較的安価なポリサルフォン樹脂の射
出成型によっているので、従来の補強部材が不要になる
と共に、飛躍的に生産性が向上する。
発明の効果 以上詳述したように、本発明によれば、簡単な構成で確
実な動作をなし且つ生産性の高いマイクロストリップ線
路の実現が可能になるという効果を奏する。
実な動作をなし且つ生産性の高いマイクロストリップ線
路の実現が可能になるという効果を奏する。
第１図は、本発明の基本構成を示すマイクロストリップ
線路の一部破断斜視図、 第２図は、本発明の一実施例を示すマイクロストリップ
線路の要部斜視図、 第３図は、第２図におけるIII−III断面図、 第４図は、従来の一般的なマイクロストリップ線路の要
部斜視図である。 1,12,28……誘電体基板、 2,20,32……接地導体、 3,14……ストリップ導体、 4,30……窪み、16……チップ部品、 18……配線パターン、22……補強部材、 24,26……ネジ、34……スルホール。
線路の一部破断斜視図、 第２図は、本発明の一実施例を示すマイクロストリップ
線路の要部斜視図、 第３図は、第２図におけるIII−III断面図、 第４図は、従来の一般的なマイクロストリップ線路の要
部斜視図である。 1,12,28……誘電体基板、 2,20,32……接地導体、 3,14……ストリップ導体、 4,30……窪み、16……チップ部品、 18……配線パターン、22……補強部材、 24,26……ネジ、34……スルホール。
Claims (3)
- 【請求項１】誘電体基板の一方の面に接地導体を形成し
他方の面にストリップ導体を形成してなるマイクロスト
リップ線路において、 前記誘電体基板の少なくとも前記ストリップ導体に対応
する部分を、表面波モードの伝搬を阻止するのに十分小
さな厚さに設定し、他の部分をそれよりも厚く形成した
ことを特徴とするマイクロストリップ線路。 - 【請求項２】前記表面波モードの伝搬周波数をfc（GH
z）とし、前記誘電体基板の誘電率をεｒとするとき、
前記誘電体基板の少なくとも前記ストリップ導体に対応
する部分の厚さ（mm）は 75/fc（εｒ−１）1/2 より十分小さく設定されることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のマイクロストリップ線路。 - 【請求項３】前記誘電体基板は成形性樹脂を射出成形し
てなり、 前記ストリップ導体はアディティブ法により形成される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
載のマイクロストリップ線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61127804A JPH0770885B2 (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | マイクロストリツプ線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61127804A JPH0770885B2 (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | マイクロストリツプ線路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62284501A JPS62284501A (ja) | 1987-12-10 |
| JPH0770885B2 true JPH0770885B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=14969087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61127804A Expired - Fee Related JPH0770885B2 (ja) | 1986-06-02 | 1986-06-02 | マイクロストリツプ線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770885B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2700553B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1998-01-21 | 株式会社 潤工社 | 伝送回路 |
| GB9216915D0 (en) * | 1992-08-10 | 1992-09-23 | Applied Radiation Lab | Improved radio frequency filter |
| US5519363A (en) * | 1994-05-31 | 1996-05-21 | The Whitaker Corporation | Controlled impedance lines connected to optoelectronic devices |
| JPH08125414A (ja) * | 1994-10-25 | 1996-05-17 | Fujitsu Ltd | 遅延等化器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5531373U (ja) * | 1978-08-21 | 1980-02-29 |
-
1986
- 1986-06-02 JP JP61127804A patent/JPH0770885B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62284501A (ja) | 1987-12-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |