JPH0770736B2 - 可変容量回路 - Google Patents
可変容量回路Info
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- JPH0770736B2 JPH0770736B2 JP5090500A JP9050093A JPH0770736B2 JP H0770736 B2 JPH0770736 B2 JP H0770736B2 JP 5090500 A JP5090500 A JP 5090500A JP 9050093 A JP9050093 A JP 9050093A JP H0770736 B2 JPH0770736 B2 JP H0770736B2
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- electrode
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- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波帯またはミ
リ波帯での電圧制御発振器等に用いられる可変容量回路
に関する。
リ波帯での電圧制御発振器等に用いられる可変容量回路
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波帯やミリ波帯の電波を
使用する通信装置においては、周波数変調や発振周波数
の変化あるいはフィードバックループによる安定化のた
めに、電圧制御発振器（ＶＣＯ）が用いられている。通
常、この回路では、トランジスタあるいはガンダイオー
ド等の能動素子を用いた発振器の共振回路にバラクタ等
の可変容量素子を用いて発振周波数を変化させていた。
ここで用いる発振用能動素子としては、特にミリ波にお
いては、遮断周波数が大きく、利得の高い高電子移動度
トランジスタ（ＨＥＭＴ）等のヘテロ接合の電界効果ト
ランジスタ（ＦＥＴ）を用いるのが有利である。したが
って、このようなＶＣＯをモノリシック集積回路化する
ためには、可変容量回路として、上記トランジスタと同
様な構造を有するヘテロ接合ＦＥＴのゲートショットキ
ダイオードを用いると好都合である。かかるショットキ
ダイオードは、容量Ｑを大きくするために直列抵抗を最
大限に小さくする必要があり、通常は、ミリ波モノリシ
ック集積回路の一部２を示す図２のように、ゲートとオ
ーミック電極がインターディジタル型に、換言すれば、
ＦＥＴのソースとドレインが連結、短絡されソースドレ
イン電極３４を形成する構造となっている。図２におい
て、３１は半絶縁性ＧａＡｓ（ガリウム・ヒ素）基板
を、３２は能動領域を示している。この能動領域とは、
例えば基板３１上にアンドープＧａＡｓ、アンドープＩ
ｎＧａＡｓ（インジウム・ガリウム・ヒ素）チャネル、
Ｎ−ＡｌＧａＡｓ（アルミニウム・ガリウム・ヒ素）が
積層された領域である。３３はゲート電極である。３４
はソースドレイン電極であり、Ｖｉａ−Ｈｏｌｅ３６を
通じて裏面接地電極３７に接続されている。ゲートショ
ットキダイオードには電極３８から制御電圧が印加され
るとともに、伝送線路３９により発振回路全体に接続さ
れる。
使用する通信装置においては、周波数変調や発振周波数
の変化あるいはフィードバックループによる安定化のた
めに、電圧制御発振器（ＶＣＯ）が用いられている。通
常、この回路では、トランジスタあるいはガンダイオー
ド等の能動素子を用いた発振器の共振回路にバラクタ等
の可変容量素子を用いて発振周波数を変化させていた。
ここで用いる発振用能動素子としては、特にミリ波にお
いては、遮断周波数が大きく、利得の高い高電子移動度
トランジスタ（ＨＥＭＴ）等のヘテロ接合の電界効果ト
ランジスタ（ＦＥＴ）を用いるのが有利である。したが
って、このようなＶＣＯをモノリシック集積回路化する
ためには、可変容量回路として、上記トランジスタと同
様な構造を有するヘテロ接合ＦＥＴのゲートショットキ
ダイオードを用いると好都合である。かかるショットキ
ダイオードは、容量Ｑを大きくするために直列抵抗を最
大限に小さくする必要があり、通常は、ミリ波モノリシ
ック集積回路の一部２を示す図２のように、ゲートとオ
ーミック電極がインターディジタル型に、換言すれば、
ＦＥＴのソースとドレインが連結、短絡されソースドレ
イン電極３４を形成する構造となっている。図２におい
て、３１は半絶縁性ＧａＡｓ（ガリウム・ヒ素）基板
を、３２は能動領域を示している。この能動領域とは、
例えば基板３１上にアンドープＧａＡｓ、アンドープＩ
ｎＧａＡｓ（インジウム・ガリウム・ヒ素）チャネル、
Ｎ−ＡｌＧａＡｓ（アルミニウム・ガリウム・ヒ素）が
積層された領域である。３３はゲート電極である。３４
はソースドレイン電極であり、Ｖｉａ−Ｈｏｌｅ３６を
通じて裏面接地電極３７に接続されている。ゲートショ
ットキダイオードには電極３８から制御電圧が印加され
るとともに、伝送線路３９により発振回路全体に接続さ
れる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図２に示すよ
うな上記従来のゲートショットキダイオードを用いた可
変容量回路では、上述のようにソースとドレインとを短
絡接続しても、実験の結果、その直列抵抗は大きく、発
振回路には適さないことが判明した。本発明は、上記の
課題を解決するためになされたものであり、ゲートショ
ットキダイオードを可変容量として用いる可変容量回路
で、素子の直列抵抗を極めて小さくしうる可変容量回路
を提供することを目的とする。
うな上記従来のゲートショットキダイオードを用いた可
変容量回路では、上述のようにソースとドレインとを短
絡接続しても、実験の結果、その直列抵抗は大きく、発
振回路には適さないことが判明した。本発明は、上記の
課題を解決するためになされたものであり、ゲートショ
ットキダイオードを可変容量として用いる可変容量回路
で、素子の直列抵抗を極めて小さくしうる可変容量回路
を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明に係る可変容量回路は、ドレインとソースと
を有するショットキゲート電界効果トランジスタのゲー
トショットキダイオードを可変容量として用いる可変容
量回路であって、当該ドレインに直流バイアスを印加す
る直流バイアス印加手段と、前記ドレインを高周波的に
前記ソースと短絡させる短絡手段と、を備えて構成され
る。
め、本発明に係る可変容量回路は、ドレインとソースと
を有するショットキゲート電界効果トランジスタのゲー
トショットキダイオードを可変容量として用いる可変容
量回路であって、当該ドレインに直流バイアスを印加す
る直流バイアス印加手段と、前記ドレインを高周波的に
前記ソースと短絡させる短絡手段と、を備えて構成され
る。
【０００５】
【作用】上記従来の可変容量回路では、そのドレインと
ソースとが直流的にも高周波的にも短絡され直流バイア
スがかかっておらず、ヘテロ接合ＦＥＴにおいては、オ
ーム性電極（ソース）とチャネル（ＩｎＧａＡｓあるい
はＧａＡｓ）の間に存在するＡｌＧａＡｓ層が一種のバ
リアとなり、電界がかからないとバリア越えの電流が小
さく、このため抵抗が大きいものと考えられるのに対
し、上記構成を有する本発明に係る可変容量回路によれ
ば、ドレインに直流バイアスを印加して電子を加速する
ことができるので、上記のバリア越えが容易に行え、抵
抗を低減することができる。また、本発明の可変容量回
路では、ドレインを高周波的にソースと短絡させている
ので、抵抗値をさらに小さくすることができる。
ソースとが直流的にも高周波的にも短絡され直流バイア
スがかかっておらず、ヘテロ接合ＦＥＴにおいては、オ
ーム性電極（ソース）とチャネル（ＩｎＧａＡｓあるい
はＧａＡｓ）の間に存在するＡｌＧａＡｓ層が一種のバ
リアとなり、電界がかからないとバリア越えの電流が小
さく、このため抵抗が大きいものと考えられるのに対
し、上記構成を有する本発明に係る可変容量回路によれ
ば、ドレインに直流バイアスを印加して電子を加速する
ことができるので、上記のバリア越えが容易に行え、抵
抗を低減することができる。また、本発明の可変容量回
路では、ドレインを高周波的にソースと短絡させている
ので、抵抗値をさらに小さくすることができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面にもとづいて
説明する。本発明の一実施例であるミリ波モノリシック
集積回路（ＭＭＩＣ）の構成の一部を図１に示す。図１
に示すように、このＭＭＩＣ１は、裏面に裏面接地電極
１７を有する半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に形成されて
いる。図は、ＭＭＩＣのうち、ゲートショットキダイオ
ード３の部分を示している。
説明する。本発明の一実施例であるミリ波モノリシック
集積回路（ＭＭＩＣ）の構成の一部を図１に示す。図１
に示すように、このＭＭＩＣ１は、裏面に裏面接地電極
１７を有する半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に形成されて
いる。図は、ＭＭＩＣのうち、ゲートショットキダイオ
ード３の部分を示している。
【０００７】このゲートショットキダイオード３は、ソ
ース電極１４ａ，１４ｂと、ドレイン電極１５と、ゲー
ト電極１３とを有している。ソース電極１４ａ，１４ｂ
は、Ｖｉａ−Ｈｏｌｅ１６ａ，１６ｂを通じて基板裏面
の接地電極１７に接地されている。また、ドレイン電極
１５は、キャパシタ上部電極２１、絶縁膜２３及びキャ
パシタ下部電極２２を有して構成されるＭＩＭ（金属−
絶縁膜−金属）キャパシタ５と、Ｖｉａ−Ｈｏｌｅ１６
ｃとにより高周波的に接地されるとともに、ドレインバ
イアス電極２０により直流（ＤＣ）電圧が印加される。
したがって、このゲートショットキダイオード３のドレ
イン電極１５は、ＭＩＭキャパシタ５、Ｖｉａ−Ｈｏｌ
ｅ１６ｃ、裏面接地電極１７、Ｖｉａ−Ｈｏｌｅ１６
ａ，１６ｂにより、高周波的にソース電極１４ａ，１４
ｂと短絡されている。ここに、ＭＩＭキャパシタ５、Ｖ
ｉａ−Ｈｏｌｅ１６ｃ、裏面接地電極１７、及びＶｉａ
−Ｈｏｌｅ１６ａ，１６ｂは短絡手段を構成している。
また、ドレインバイアス電極２０は、直流バイアス印加
手段に相当している。
ース電極１４ａ，１４ｂと、ドレイン電極１５と、ゲー
ト電極１３とを有している。ソース電極１４ａ，１４ｂ
は、Ｖｉａ−Ｈｏｌｅ１６ａ，１６ｂを通じて基板裏面
の接地電極１７に接地されている。また、ドレイン電極
１５は、キャパシタ上部電極２１、絶縁膜２３及びキャ
パシタ下部電極２２を有して構成されるＭＩＭ（金属−
絶縁膜−金属）キャパシタ５と、Ｖｉａ−Ｈｏｌｅ１６
ｃとにより高周波的に接地されるとともに、ドレインバ
イアス電極２０により直流（ＤＣ）電圧が印加される。
したがって、このゲートショットキダイオード３のドレ
イン電極１５は、ＭＩＭキャパシタ５、Ｖｉａ−Ｈｏｌ
ｅ１６ｃ、裏面接地電極１７、Ｖｉａ−Ｈｏｌｅ１６
ａ，１６ｂにより、高周波的にソース電極１４ａ，１４
ｂと短絡されている。ここに、ＭＩＭキャパシタ５、Ｖ
ｉａ−Ｈｏｌｅ１６ｃ、裏面接地電極１７、及びＶｉａ
−Ｈｏｌｅ１６ａ，１６ｂは短絡手段を構成している。
また、ドレインバイアス電極２０は、直流バイアス印加
手段に相当している。
【０００８】また、ゲート電極１３は、伝送線路１９に
より、発振回路（図示せず）に接続されるとともに、電
圧制御電極１８により制御電圧Ｖc が印加される。図１
における能動領域１２は、例えば、半絶縁性ＧａＡｓ基
板１１上にアンドープＧａＡｓ、アンドープＩｎ0.15Ｇ
ａ0.85Ａｓ（インジウム・ガリウム・ヒ素）チャネル
層、およびＮ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ（アルミニウム・
ガリウム・ヒ素）電子供給層が積層成長されたものが用
いられる。この能動領域１２のソース電極１４ａ，１４
ｂおよびドレイン電極１５の下部には、上記の電子供給
層の上に、さらにｎ+ −ＧａＡｓコンタクト層（図示せ
ず）が設けられている。
より、発振回路（図示せず）に接続されるとともに、電
圧制御電極１８により制御電圧Ｖc が印加される。図１
における能動領域１２は、例えば、半絶縁性ＧａＡｓ基
板１１上にアンドープＧａＡｓ、アンドープＩｎ0.15Ｇ
ａ0.85Ａｓ（インジウム・ガリウム・ヒ素）チャネル
層、およびＮ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ（アルミニウム・
ガリウム・ヒ素）電子供給層が積層成長されたものが用
いられる。この能動領域１２のソース電極１４ａ，１４
ｂおよびドレイン電極１５の下部には、上記の電子供給
層の上に、さらにｎ+ −ＧａＡｓコンタクト層（図示せ
ず）が設けられている。
【０００９】この結果、ゲート長0.15μｍ、ゲート幅50
μｍ×２本、計 100μｍの場合について、０〜60 GHzで
のＳパラメータの測定から等価回路を見積もったとこ
ろ、図２に示す従来の例では、制御電圧Ｖc ＝−２Ｖの
ときには、容量Ｃ＝0.076 pF、直列抵抗Ｒ＝12.2Ωであ
り、制御電圧Ｖc ＝０Ｖのときには、容量Ｃ＝0.163 p
F、直列抵抗Ｒ＝19.8Ωと、直列抵抗値Ｒが大きかった
のに対し、図１に示す本願発明の実施例では、ドレイン
バイアス電極２０への印加電圧が０．３Ｖの場合、制御
電圧Ｖc ＝−２Ｖのときには、容量Ｃ＝0.068 pF、直列
抵抗Ｒ＝ 6.7Ωであり、制御電圧Ｖc ＝０Ｖのときに
は、容量Ｃ＝0.158 pF、直列抵抗Ｒ＝ 5.8Ωと、直列抵
抗値が大きく低減でき、かつ十分な容量変化が実現でき
た。
μｍ×２本、計 100μｍの場合について、０〜60 GHzで
のＳパラメータの測定から等価回路を見積もったとこ
ろ、図２に示す従来の例では、制御電圧Ｖc ＝−２Ｖの
ときには、容量Ｃ＝0.076 pF、直列抵抗Ｒ＝12.2Ωであ
り、制御電圧Ｖc ＝０Ｖのときには、容量Ｃ＝0.163 p
F、直列抵抗Ｒ＝19.8Ωと、直列抵抗値Ｒが大きかった
のに対し、図１に示す本願発明の実施例では、ドレイン
バイアス電極２０への印加電圧が０．３Ｖの場合、制御
電圧Ｖc ＝−２Ｖのときには、容量Ｃ＝0.068 pF、直列
抵抗Ｒ＝ 6.7Ωであり、制御電圧Ｖc ＝０Ｖのときに
は、容量Ｃ＝0.158 pF、直列抵抗Ｒ＝ 5.8Ωと、直列抵
抗値が大きく低減でき、かつ十分な容量変化が実現でき
た。
【００１０】上記の直列抵抗値低減の理由は、図２に示
すゲートショットキダイオード４のような従来の可変容
量回路では、そのドレイン電極とソース電極とが直流的
にも高周波的にも短絡され直流バイアスがかかっておら
ず、ヘテロ接合ＦＥＴにおいては、オーム性電極（ソー
ス）とチャネル（ＩｎＧａＡｓあるいはＧａＡｓ）の間
に存在するＡｌＧａＡｓ層が一種のバリアとなり、電界
がかからないとバリア越えの電流が小さく、このため抵
抗が大きいものと考えられるのに対し、上記構成を有す
る本発明に係るゲートショットキダイオード３のような
可変容量回路によれば、ドレイン電極１５に直流バイア
スを印加して電子を加速することができるので、上記の
バリア越えが容易に行え、抵抗を低減することができる
ものと考えられる。。また、本発明に係るゲートショッ
トキダイオード３のような可変容量回路では、ドレイン
電極１５を高周波的にソース電極１４ａ，１４ｂと短絡
させているので、直列抵抗値をさらに小さくすることが
できるものと考えられる。
すゲートショットキダイオード４のような従来の可変容
量回路では、そのドレイン電極とソース電極とが直流的
にも高周波的にも短絡され直流バイアスがかかっておら
ず、ヘテロ接合ＦＥＴにおいては、オーム性電極（ソー
ス）とチャネル（ＩｎＧａＡｓあるいはＧａＡｓ）の間
に存在するＡｌＧａＡｓ層が一種のバリアとなり、電界
がかからないとバリア越えの電流が小さく、このため抵
抗が大きいものと考えられるのに対し、上記構成を有す
る本発明に係るゲートショットキダイオード３のような
可変容量回路によれば、ドレイン電極１５に直流バイア
スを印加して電子を加速することができるので、上記の
バリア越えが容易に行え、抵抗を低減することができる
ものと考えられる。。また、本発明に係るゲートショッ
トキダイオード３のような可変容量回路では、ドレイン
電極１５を高周波的にソース電極１４ａ，１４ｂと短絡
させているので、直列抵抗値をさらに小さくすることが
できるものと考えられる。
【００１１】以上の説明では、ゲートショットキダイオ
ードとしてヘテロ接合ＦＥＴ型について説明したが、こ
れは、ＧａＡｓＭＥＳ型ＦＥＴ型の場合であっても、ソ
ースおよびドレインオーム性電極の性質が若干のバリア
を越えるトンネル電流で支配されると考えられ、やはり
ドレインに少し電圧をかけた方が抵抗が小さくなると考
えられるので、この場合にも本願発明が適用できる。
ードとしてヘテロ接合ＦＥＴ型について説明したが、こ
れは、ＧａＡｓＭＥＳ型ＦＥＴ型の場合であっても、ソ
ースおよびドレインオーム性電極の性質が若干のバリア
を越えるトンネル電流で支配されると考えられ、やはり
ドレインに少し電圧をかけた方が抵抗が小さくなると考
えられるので、この場合にも本願発明が適用できる。
【００１２】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではない。上記実施例は、例示であり、本発明の特
許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な
構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
ものではない。上記実施例は、例示であり、本発明の特
許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な
構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、上記従来の可変容
量回路では、そのドレインとソースとが直流的にも高周
波的にも短絡され直流バイアスがかかっておらず、ヘテ
ロ接合ＦＥＴにおいては、オーム性電極（ソース）とチ
ャネル（ＩｎＧａＡｓあるいはＧａＡｓ）の間に存在す
るＡｌＧａＡｓ層が一種のバリアとなり、電界がかから
ないとバリア越えの電流が小さく、このため抵抗が大き
いものと考えられるのに対し、上記構成を有する本発明
に係る可変容量回路によれば、ドレインに直流バイアス
を印加して電子を加速することができるので、上記のバ
リア越えが容易に行え、抵抗を低減することができる。
また、本発明の可変容量回路では、ドレインを高周波的
にソースと短絡させているので、抵抗値をさらに小さく
することができる、という利点を有している。上記よ
り、ＭＭＩＣに適した低抵抗の可変容量回路が実現で
き、高性能な電圧制御発振器、ひいては高性能な小型ミ
リ波通信装置を実現することができる、という利点をも
有している。
量回路では、そのドレインとソースとが直流的にも高周
波的にも短絡され直流バイアスがかかっておらず、ヘテ
ロ接合ＦＥＴにおいては、オーム性電極（ソース）とチ
ャネル（ＩｎＧａＡｓあるいはＧａＡｓ）の間に存在す
るＡｌＧａＡｓ層が一種のバリアとなり、電界がかから
ないとバリア越えの電流が小さく、このため抵抗が大き
いものと考えられるのに対し、上記構成を有する本発明
に係る可変容量回路によれば、ドレインに直流バイアス
を印加して電子を加速することができるので、上記のバ
リア越えが容易に行え、抵抗を低減することができる。
また、本発明の可変容量回路では、ドレインを高周波的
にソースと短絡させているので、抵抗値をさらに小さく
することができる、という利点を有している。上記よ
り、ＭＭＩＣに適した低抵抗の可変容量回路が実現で
き、高性能な電圧制御発振器、ひいては高性能な小型ミ
リ波通信装置を実現することができる、という利点をも
有している。
【図１】本発明の一実施例であるミリ波モノリシック集
積回路の一部の構成を示す斜視図である。
積回路の一部の構成を示す斜視図である。
【図２】従来例であるミリ波モノリシック集積回路の一
部の構成を示す斜視図である。
部の構成を示す斜視図である。
１，２ ミリ波モノリシック集積回路 ３，４ ゲートショットキダイオード ５ ＭＩＭキャパシタ １１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 １２ 能動領域 １３ ゲート電極 １４ａ，１４ｂ ソース電極 １５ ドレイン電極 １６ａ〜１６ｃ Ｖｉａ−Ｈｏｌｅ １７ 裏面接地電極 １８ 電圧制御電極 １９ 伝送線路 ２０ ドレインバイアス電極 ２１ キャパシタ上部電極 ２２ キャパシタ下部電極 ２３ 絶縁膜 ３１ 半絶縁性ＧａＡｓ基板 ３２ 能動領域 ３３ ゲート電極 ３４ ソースドレイン電極 ３６ Ｖｉａ−Ｈｏｌｅ ３７ 裏面接地電極 ３８ 電圧制御電極 ３９ 伝送線路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/04 27/095 29/872 Ｈ０３Ｌ 7/099 8826−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 29/48 Ｚ 27/04 Ｖ 9182−5Ｊ Ｈ０３Ｌ 7/08 Ｆ
Claims (1)
- 【請求項１】 ドレインとソースとを有するショットキ
ゲート電界効果トランジスタのゲートショットキダイオ
ードを可変容量として用いる可変容量回路であって、 当該ドレインに直流バイアスを印加する直流バイアス印
加手段と、 前記ドレインを高周波的に前記ソースと短絡させる短絡
手段と、 を備えたことを特徴とする可変容量回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5090500A JPH0770736B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 可変容量回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5090500A JPH0770736B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 可変容量回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283707A JPH06283707A (ja) | 1994-10-07 |
| JPH0770736B2 true JPH0770736B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=14000229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5090500A Expired - Lifetime JPH0770736B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 可変容量回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770736B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7898047B2 (en) * | 2003-03-03 | 2011-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated nitride and silicon carbide-based devices and methods of fabricating integrated nitride-based devices |
| US7112860B2 (en) | 2003-03-03 | 2006-09-26 | Cree, Inc. | Integrated nitride-based acoustic wave devices and methods of fabricating integrated nitride-based acoustic wave devices |
| JP4868751B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2012-02-01 | 新日本無線株式会社 | ガンダイオード発振器 |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP5090500A patent/JPH0770736B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06283707A (ja) | 1994-10-07 |
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