JPH0770518B2 - Dry etching method - Google Patents
Dry etching methodInfo
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- JPH0770518B2 JPH0770518B2 JP61038413A JP3841386A JPH0770518B2 JP H0770518 B2 JPH0770518 B2 JP H0770518B2 JP 61038413 A JP61038413 A JP 61038413A JP 3841386 A JP3841386 A JP 3841386A JP H0770518 B2 JPH0770518 B2 JP H0770518B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、例えば半導体基板面上に形成されるアルミ
ニウム（Al）等の被エッチング材料を、所定のパターン
にしたがってエッチングして、例えば配線層等が高精度
に形成されるようにするドライエッチング方法に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of application] The present invention relates to, for example, a wiring layer formed by etching a material to be etched such as aluminum (Al) formed on the surface of a semiconductor substrate according to a predetermined pattern. Etc. The present invention relates to a dry etching method which enables highly accurate formation of the like.
［従来の技術］ 例えば、半導体基板面上に形成されたアルミニウム等の
金属層をドライエッチングするには、通常半導体基板面
上のアルミニウム層の上にレジスト膜によるエッチング
パターンを形成し、CF4またはCF4＋O2のガスによる前処
理、またはディープ（Deep）UV処理を行うことにより、
上記レジスト膜を改質して、ドライエッチングを実行す
るようにしている。[Prior Art] For example, in order to dry-etch a metal layer such as aluminum formed on the surface of a semiconductor substrate, an etching pattern of a resist film is usually formed on the aluminum layer on the surface of the semiconductor substrate, and CF 4 or By pretreatment with CF 4 + O 2 gas or deep UV treatment,
The resist film is modified to perform dry etching.
ここで、上記アルミニウムのドライエッチングを例えば
BCl3、CCl3F、Heのガスを用いて実行した場合、上記CF4
の前処理を行った場合には、ドライエッチングのアルミ
ニウム／レジストの選択比が「３」程度にしかならな
い。Here, for example, dry etching of the aluminum is performed.
When executed with BCl 3 , CCl 3 F and He gases, the above CF 4
When the pretreatment of (1) is performed, the dry etching aluminum / resist selection ratio is only about "3".
［発明が解決しようとする問題点］ この発明は上記のような点に鑑みなされたもので、例え
ば被エッチング材料としてアルミニウムが選択され、こ
のエッチング材料のドライエッチングを実行した場合
に、レジスト膜に対する選択比を充分に大きく設定する
ことができ、高精度のエッチング動作がより効果的に実
行されるようにするドライエッチング方法を提供しよう
とするものである。[Problems to be Solved by the Invention] The present invention has been made in view of the above points. For example, when aluminum is selected as the material to be etched and dry etching of this etching material is performed, the resist film An object of the present invention is to provide a dry etching method in which a selection ratio can be set sufficiently large and a highly accurate etching operation can be more effectively performed.
［問題点を解決するための手段］ この発明に係るドライエッチング方法は、基板上のアル
ミニウムを主成分とした被エッチング材料の表面にレジ
スト膜によるエッチングパターンを形成すると共に、こ
のレジストパターンを「CF4＋H2」のガス反応による前
処理を実行するもので、この前処理で使用する反応ガス
のH2対CF4の比が１対４乃至３対４に設定され、このレ
ジストパターンにしたがって、被エッチング材料を少な
くとも塩素系ガスを含むエッチングガスによってエッチ
ングするようにした。[Means for Solving Problems] A dry etching method according to the present invention forms an etching pattern of a resist film on a surface of a material to be etched containing aluminum as a main component on a substrate, 4 + H 2 "gas reaction pretreatment is performed, and the H 2 to CF 4 ratio of the reaction gas used in this pretreatment is set to 1: 4 to 3: 4, and according to this resist pattern, The material to be etched is etched by an etching gas containing at least chlorine gas.
［作用］ 例えば、H2/CF4を1/4乃至3/4に設定した反応ガスによっ
てレジスト膜を前処理し、例えばアルミニウムの薄膜を
ドライエッチング処理したとすると、このドライエッチ
ング時のアルミニウム対レジストの選択比は、確実に
「５」以上の状態に設定できるようになる。したがっ
て、レジスト膜に形成されたパターンに成果に対応した
ドライエッチングが確実に実行されるようになるもので
あり、半導体製造技術の向上に大きな効果が発揮される
ようになるものである。[Operation] For example, assuming that the resist film is pretreated with a reaction gas in which H 2 / CF 4 is set to 1/4 to 3/4, and, for example, a thin film of aluminum is dry-etched, the aluminum The resist selection ratio can be reliably set to a value of "5" or more. Therefore, the dry etching corresponding to the result can be surely performed on the pattern formed on the resist film, and the great effect can be exerted on the improvement of the semiconductor manufacturing technique.
［発明の実施例］ 以下、図面を参照しながらこの発明の一実施例を説明す
る。まず、第１図乃至第４図に示すように半導体基板11
の表面には、被エッチング材料となるアルミニウム膜12
が、例えば枚葉式スパッタ装置によって、例えば1.1μ
ｍに形成されているもので、このアルミニウム膜12は例
えばAl−２％Siで構成されている。そして、このアルミ
ニウム膜12の上に、例えばシプレー・マイクロポジット
1300によるレジスト膜13が形成される。[Embodiment of the Invention] An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, as shown in FIG. 1 to FIG.
An aluminum film 12 to be etched is formed on the surface of
However, for example, with a single-wafer type sputtering device,
The aluminum film 12 is made of, for example, Al-2% Si. Then, on the aluminum film 12, for example, Shipley Microposit
A resist film 13 of 1300 is formed.
このレジスト膜13には、エッチングパターンに対応して
光照射が実行され、現像処理されるもので、このレジス
ト膜13にはエッチング部分に対応した上記アルミニウム
膜12に開口14が形成されているものである。This resist film 13 is subjected to light irradiation corresponding to an etching pattern and is subjected to development processing, and the resist film 13 has an opening 14 formed in the aluminum film 12 corresponding to an etched portion. Is.
次に、上記レジスト膜13によるエッチングパターンが形
成されたならば、第２図で示すような「CF4＋H2」の反
応ガスによる前処理を実行する。この前処理は、例えば
ガス流量 CF44SCCM＋H22SCCM、圧力5pa、RFPowerは100W、処理時
間２分で実行する。この前処理によってレジスト膜13の
耐ドライエッチング性が著しく向上されるようになる。Next, after the etching pattern of the resist film 13 is formed, pretreatment with a reaction gas of "CF 4 + H 2 " as shown in FIG. 2 is performed. This pretreatment is performed, for example, at a gas flow rate of CF 4 4SCCM + H 2 2SCCM, a pressure of 5 pa, RFPower of 100 W, and a treatment time of 2 minutes. By this pretreatment, the dry etching resistance of the resist film 13 is significantly improved.
そして、このような前処理が実行されたならば、第３図
で示すように「150℃×20分」のポストベークを行な
い、この後第４図で示すようにアルミニウム膜12のドラ
イエッチングを実行するものである。Then, if such pretreatment is performed, post-baking of "150 ° C. × 20 minutes" is performed as shown in FIG. 3, and then dry etching of the aluminum film 12 is performed as shown in FIG. It is what you do.
このドライエッチングは、例えば「BCl3＋CCl3F＋He」
のガスを用いて行うものである。This dry etching is performed using, for example, “BCl 3 + CCl 3 F + He”
The gas is used.
ここで、上記のようなドライエッチングを行った場合の
アルミニウム対レジスト（Al/レジスト）の選択比の状
態を、H2/CF4の流量パーセントとの関係で実験してみる
と、その結果は第５図に示すようになる。すなわち、流
量パーセントが25〜75％の状態で選択比が「５」以上と
なるものであり、流量パーセントが50％の状態では、選
択比は「６」となるものである。Here, when the dry etching as described above is performed and the state of the selection ratio of aluminum to resist (Al / resist) is tested in relation to the flow rate percentage of H 2 / CF 4 , the result is As shown in FIG. That is, the selection ratio is "5" or more when the flow rate is 25 to 75%, and the selection ratio is "6" when the flow rate is 50%.
尚、上記実施例にあっては、被エッチング材料としてア
ルミニウムの場合を示しているものであるが、この被エ
ッチング材料としてはその他にAl−Si、Al−Si−Cu等の
材料が適宜適用されるものであり、これら材料に対して
も上記同様の効果が得られるものである。In the above examples, the case where the material to be etched is aluminum is shown, but as the material to be etched, other materials such as Al-Si and Al-Si-Cu are appropriately applied. However, the same effects as described above can be obtained for these materials.
［発明の効果］ 以上のようにこの発明に係るドライエッチング方法によ
れば、被エッチング材料とレジストとの選択比が充分に
大きく設定できるものであるため、被エッチング材料の
エッチングパターンがレジストパターンにしたがって、
正確に再現されるものであり、非常に精度の高いドライ
エッチングが実行できるようになるものである。したが
って、半導体の製造技術の精度が効果的に向上されるよ
うになるものであり、特に高集積度の半導体装置を製造
する場合に大きな効果が発揮されるものである。EFFECTS OF THE INVENTION As described above, according to the dry etching method of the present invention, since the selection ratio of the material to be etched and the resist can be set to be sufficiently large, the etching pattern of the material to be etched becomes a resist pattern. Therefore,
It can be accurately reproduced, and very accurate dry etching can be performed. Therefore, the precision of the semiconductor manufacturing technology is effectively improved, and a great effect is exerted particularly when manufacturing a highly integrated semiconductor device.
第１図乃至第４図はこの発明の一実施例に係るドライエ
ッチング方法を順次説明するための図、第５図は上記の
ようなエッチングにおけるアルミニウムとレジストとの
選択比の状態を説明する図である。 11……半導体基板、12……アルミニウム膜、13……レジ
スト膜、14……開口。1 to 4 are views for sequentially explaining a dry etching method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a view for explaining a state of selection ratio of aluminum and resist in the above etching. Is. 11 …… Semiconductor substrate, 12 …… Aluminum film, 13 …… Resist film, 14 …… Opening.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ 21/30 ５７０ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location 7352-4M 21/30 570
Claims (1)
とした被エッチング材料の表面にレジスト膜によるエッ
チングパターンを形成する手段と、 上記レジストパターンを「CF4＋H2」のガス反応による
前処理を実行する手段とを具備し、 上記前処理で使用される反応ガスのH2対CF4の比が１対
４乃至３対４に設定され、この反応ガスで前処理された
レジスト膜パターンにしたがって、上記被エッチング材
料を少なくとも塩素系ガスを含むエッチングガスによっ
てエッチングするようにしたことを特徴とするドライエ
ッチング方法。1. A means for forming an etching pattern by a resist film on a surface of a material to be etched mainly composed of aluminum formed on a substrate, and a pretreatment of the resist pattern by a gas reaction of "CF 4 + H 2 ". The ratio of H 2 to CF 4 of the reaction gas used in the above pretreatment is set to 1: 4 to 3: 4, and the resist film pattern pretreated with this reaction gas is formed. Therefore, the dry etching method is characterized in that the material to be etched is etched by an etching gas containing at least a chlorine-based gas.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038413A JPH0770518B2 (en) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | Dry etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038413A JPH0770518B2 (en) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | Dry etching method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62198125A JPS62198125A (en) | 1987-09-01 |
| JPH0770518B2 true JPH0770518B2 (en) | 1995-07-31 |
Family
ID=12524615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61038413A Expired - Lifetime JPH0770518B2 (en) | 1986-02-25 | 1986-02-25 | Dry etching method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770518B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01304730A (en) * | 1988-06-01 | 1989-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor manufacturing apparatus |
| US7053003B2 (en) * | 2004-10-27 | 2006-05-30 | Lam Research Corporation | Photoresist conditioning with hydrogen ramping |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6057630A (en) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPS6060728A (en) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Hitachi Ltd | Processing method of polyimide resin |
-
1986
- 1986-02-25 JP JP61038413A patent/JPH0770518B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62198125A (en) | 1987-09-01 |
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