JPH0770052A - 有機チオ化合物 - Google Patents
有機チオ化合物Info
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- JPH0770052A JPH0770052A JP5235796A JP23579693A JPH0770052A JP H0770052 A JPH0770052 A JP H0770052A JP 5235796 A JP5235796 A JP 5235796A JP 23579693 A JP23579693 A JP 23579693A JP H0770052 A JPH0770052 A JP H0770052A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記一般式（１）で示される有機チオ化合
物。 【化１】 （但し、式中Ｒ1，Ｒ2は水素原子又は同一又は異種の炭
素数１〜８の置換又は非置換の１価炭化水素基、Ｒ3は
炭素数１〜３の置換又は非置換の２価炭化水素基、Ｒ4
は炭素数１〜１２の置換又は非置換の２価炭化水素基を
示す。Ｍは水素原子、アルカリ金属原子又はアミン塩基
を示す。） 【効果】 本発明の有機チオ化合物は、これを硫酸銅め
っき浴の添加剤として使用した場合、銅アノードと反応
せず低電流密度での使用ができ、かつ非電解時の消耗が
少なく、しかも光沢性及び平滑性の良好な銅めっき皮膜
を与えることができる。
物。 【化１】 （但し、式中Ｒ1，Ｒ2は水素原子又は同一又は異種の炭
素数１〜８の置換又は非置換の１価炭化水素基、Ｒ3は
炭素数１〜３の置換又は非置換の２価炭化水素基、Ｒ4
は炭素数１〜１２の置換又は非置換の２価炭化水素基を
示す。Ｍは水素原子、アルカリ金属原子又はアミン塩基
を示す。） 【効果】 本発明の有機チオ化合物は、これを硫酸銅め
っき浴の添加剤として使用した場合、銅アノードと反応
せず低電流密度での使用ができ、かつ非電解時の消耗が
少なく、しかも光沢性及び平滑性の良好な銅めっき皮膜
を与えることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気銅めっき浴、特に
硫酸銅めっき浴の光沢剤として好適な新規な有機チオ化
合物に関する。
硫酸銅めっき浴の光沢剤として好適な新規な有機チオ化
合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電気銅めっき浴に光沢剤を添
加して光沢のある銅めっき皮膜を与えることが行われて
いる。
加して光沢のある銅めっき皮膜を与えることが行われて
いる。
【０００３】この場合、光沢剤としては、有機チオ化合
物、酸素含有高分子有機化合物等が知られており、有機
チオ化合物としては、ＮａＯ3ＳＣ3Ｈ6Ｓ−ＳＣ3Ｈ6Ｓ
Ｏ3Ｎａなどのジスルファイドが汎用され、また酸素含
有高分子有機化合物としては、オキシアルキレンポリマ
ー、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコー
ル、酸化エチレンと酸化プロピレンとの共重合体などが
使用されている。更に、上記以外の添加剤として、チオ
尿素及びその誘導体、有機酸アミド類などが使用されて
いるが、これらのなかでは、光沢性などの点においてジ
スルファイド系の有機チオ化合物が好ましく使用されて
いる。
物、酸素含有高分子有機化合物等が知られており、有機
チオ化合物としては、ＮａＯ3ＳＣ3Ｈ6Ｓ−ＳＣ3Ｈ6Ｓ
Ｏ3Ｎａなどのジスルファイドが汎用され、また酸素含
有高分子有機化合物としては、オキシアルキレンポリマ
ー、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコー
ル、酸化エチレンと酸化プロピレンとの共重合体などが
使用されている。更に、上記以外の添加剤として、チオ
尿素及びその誘導体、有機酸アミド類などが使用されて
いるが、これらのなかでは、光沢性などの点においてジ
スルファイド系の有機チオ化合物が好ましく使用されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ジスル
ファイドは、相当の効果をもってはいるものの、使用電
流密度範囲が狭く、特に使用できる低電流密度領域に限
界がある。また、めっき液を使用していない間或いは電
解中には、分解生成物が蓄積するので、使用できる低電
流領域は更に減少し、そのため光沢剤を追加したり、或
いは分解生成物を除去するためめっき液を活性炭濾過す
る必要が頻繁に生じるというような問題がある。
ファイドは、相当の効果をもってはいるものの、使用電
流密度範囲が狭く、特に使用できる低電流密度領域に限
界がある。また、めっき液を使用していない間或いは電
解中には、分解生成物が蓄積するので、使用できる低電
流領域は更に減少し、そのため光沢剤を追加したり、或
いは分解生成物を除去するためめっき液を活性炭濾過す
る必要が頻繁に生じるというような問題がある。
【０００５】更に、ジスルファイドは電流密度により消
費量が変わり、しかもアノードの影響を受け易く、特に
銅アノード（陽極）と下記のように反応すると思われ
る。
費量が変わり、しかもアノードの影響を受け易く、特に
銅アノード（陽極）と下記のように反応すると思われ
る。
【０００６】 Ｃｕ ＋ Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ → ２Ｃｕ（Ｉ）Ｓ−Ｒ
【０００７】即ち、従来より銅めっきの陽極としては金
属銅が用いられ、特に含リン銅が用いられている。この
場合、含リン銅ではめっきが正常な場合は、陽極表面に
いわゆる黒皮が生成され、かつ安定に維持されている
が、ジスルファイドを光沢剤として用いた場合、低電流
密度領域では黒皮が生成されなくなって電流分布が乱
れ、不良めっきが生じることがある。
属銅が用いられ、特に含リン銅が用いられている。この
場合、含リン銅ではめっきが正常な場合は、陽極表面に
いわゆる黒皮が生成され、かつ安定に維持されている
が、ジスルファイドを光沢剤として用いた場合、低電流
密度領域では黒皮が生成されなくなって電流分布が乱
れ、不良めっきが生じることがある。
【０００８】従って、このように従来の有機チオ化合物
（ジスルファイド）は、銅めっきの光沢剤として用いた
場合、めっき浴の管理が難しい上、使用しなくても消費
するので、めっき作業開始時にトラブルが発生し易い。
（ジスルファイド）は、銅めっきの光沢剤として用いた
場合、めっき浴の管理が難しい上、使用しなくても消費
するので、めっき作業開始時にトラブルが発生し易い。
【０００９】このため、銅めっき用光沢剤として、管理
し易く、不使用時でも消耗しないものが要望されてい
た。
し易く、不使用時でも消耗しないものが要望されてい
た。
【００１０】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
硫酸銅めっき浴、特にプリント配線板のスルーホールめ
っき用の銅めっき浴の光沢剤として使用され、光沢を損
なうことなく低電流密度領域でめっきを行うことがで
き、かつ銅アノード（陽極）と反応せずに不使用時のめ
っき浴の消耗を防ぐことができる新規な有機チオ化合物
を提供することを目的とする。
硫酸銅めっき浴、特にプリント配線板のスルーホールめ
っき用の銅めっき浴の光沢剤として使用され、光沢を損
なうことなく低電流密度領域でめっきを行うことがで
き、かつ銅アノード（陽極）と反応せずに不使用時のめ
っき浴の消耗を防ぐことができる新規な有機チオ化合物
を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、例えば
アクリルアミドやＮ，Ｎ−ジアルキルアミドなどのアミ
ドに対し、ＨＳ−Ｒ4−ＳＯ3Ｍで表される化合物を反応
させるなどのことにより、アミド基とスルホン酸基とを
有し、チオエーテル結合をもつ下記一般式（１）で示さ
れる新規な有機チオ化合物が得られると共に、この有機
チオ化合物が硫酸銅めっき浴の添加剤（光沢剤）として
好適に用いられることを知見した。
記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、例えば
アクリルアミドやＮ，Ｎ−ジアルキルアミドなどのアミ
ドに対し、ＨＳ−Ｒ4−ＳＯ3Ｍで表される化合物を反応
させるなどのことにより、アミド基とスルホン酸基とを
有し、チオエーテル結合をもつ下記一般式（１）で示さ
れる新規な有機チオ化合物が得られると共に、この有機
チオ化合物が硫酸銅めっき浴の添加剤（光沢剤）として
好適に用いられることを知見した。
【００１２】
【化２】 （但し、式中Ｒ1，Ｒ2は水素原子又は同一又は異種の炭
素数１〜８の置換又は非置換の１価炭化水素基、Ｒ3は
炭素数１〜３の置換又は非置換の２価炭化水素基、Ｒ4
は炭素数１〜１２の置換又は非置換の２価炭化水素基を
示す。Ｍは水素原子、アルカリ金属原子又はアミン塩基
を示す。）
素数１〜８の置換又は非置換の１価炭化水素基、Ｒ3は
炭素数１〜３の置換又は非置換の２価炭化水素基、Ｒ4
は炭素数１〜１２の置換又は非置換の２価炭化水素基を
示す。Ｍは水素原子、アルカリ金属原子又はアミン塩基
を示す。）
【００１３】即ち、上記式（１）で表されるように硫黄
原子をメルカプタン、ジスルファイド、ジチオカルバミ
ン酸、キサントゲン酸として存在させるのではなく、ス
ルファイド（チオエーテル）基として存在させることに
より、硫黄原子が化学的、電気化学的に非常に安定にな
り、かつ同一分子内にアミド基とスルホン酸基とを含有
させたことにより、銅めっき浴の添加剤として用いた場
合、その理由は必ずしも明らかではないが、アミド基の
存在でスルファイド（チオエーテル）の効き目を調節す
ることができ、またスルホン酸基の存在で水溶性にする
ことができること、この式（１）の有機チオ化合物は、
銅アノードと反応せず、かつ非電解時の消耗度が少な
く、しかも従来のジスルファイド系添加剤と同等以上の
光沢及び平滑性のあるめっき皮膜を与えることができる
ことを知見し、本発明をなすに至ったものである。
原子をメルカプタン、ジスルファイド、ジチオカルバミ
ン酸、キサントゲン酸として存在させるのではなく、ス
ルファイド（チオエーテル）基として存在させることに
より、硫黄原子が化学的、電気化学的に非常に安定にな
り、かつ同一分子内にアミド基とスルホン酸基とを含有
させたことにより、銅めっき浴の添加剤として用いた場
合、その理由は必ずしも明らかではないが、アミド基の
存在でスルファイド（チオエーテル）の効き目を調節す
ることができ、またスルホン酸基の存在で水溶性にする
ことができること、この式（１）の有機チオ化合物は、
銅アノードと反応せず、かつ非電解時の消耗度が少な
く、しかも従来のジスルファイド系添加剤と同等以上の
光沢及び平滑性のあるめっき皮膜を与えることができる
ことを知見し、本発明をなすに至ったものである。
【００１４】以下、本発明を更に詳述すると、本発明の
有機チオ化合物は、下記一般式（１）で示されるもので
ある。
有機チオ化合物は、下記一般式（１）で示されるもので
ある。
【００１５】
【化３】
【００１６】ここで、Ｒ1，Ｒ2は水素原子又は同一又は
異種の炭素数１〜８の置換又は非置換の１価炭化水素基
であり、このような１価炭化水素基としては、特に炭素
数１〜４の低級アルキル基やフェニル等のアリール基が
挙げられる。
異種の炭素数１〜８の置換又は非置換の１価炭化水素基
であり、このような１価炭化水素基としては、特に炭素
数１〜４の低級アルキル基やフェニル等のアリール基が
挙げられる。
【００１７】Ｒ3は炭素数１〜３の置換又は非置換の２
価炭化水素基であり、具体的には、−（ＣＨ2）n−（ｎ
＝１〜３）の低級アルキレン基が挙げられる。
価炭化水素基であり、具体的には、−（ＣＨ2）n−（ｎ
＝１〜３）の低級アルキレン基が挙げられる。
【００１８】Ｒ4は炭素数１〜１２の置換又は非置換の
２価炭化水素基であり、このような２価炭化水素基とし
ては、下記のものを挙げることができる。
２価炭化水素基であり、このような２価炭化水素基とし
ては、下記のものを挙げることができる。
【００１９】
【化４】 （但し、Ｒ5は水素原子、−ＣＯＯＲ及び−ＯＲ（Ｒは
水素原子、アルカリ金属又は炭素数１〜４の低級アルキ
ル基である）から選ばれる基、Ｒ6、Ｒ7はそれぞれ炭素
数１〜４の低級アルキレン基である。ｍは１〜４の整
数、ｋは１〜２の整数である。）
水素原子、アルカリ金属又は炭素数１〜４の低級アルキ
ル基である）から選ばれる基、Ｒ6、Ｒ7はそれぞれ炭素
数１〜４の低級アルキレン基である。ｍは１〜４の整
数、ｋは１〜２の整数である。）
【００２０】また、Ｍは水素原子、Ｎａ，Ｋ等のアルカ
リ金属、モノ、ジ、トリエタノールアミン等のアミン塩
基である。
リ金属、モノ、ジ、トリエタノールアミン等のアミン塩
基である。
【００２１】上記式（１）で表されるような有機チオ化
合物は、Ｓ−（２−エチルアミド）−チオプロパンスル
ホン酸、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオプロパンス
ルホン酸、Ｓ−（４−ブチルアミド）−チオプロパンス
ルホン酸、Ｓ−（３−ブチルアミド）−チオプロパンス
ルホン酸、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオプロピル
−２−ヒドロキシ−３−スルホン酸、Ｓ−（３−プロピ
ルアミド）−チオフェニルスルホン酸、Ｓ−（Ｎ，Ｎ−
ジメチル−３−プロピルアミド）−チオプロパンスルホ
ン酸、Ｓ−（Ｎ−フェニル−３−プロピルアミド）−チ
オプロパンスルホン酸、Ｓ−（３−プロピルアミド）−
チオベンゼン−２−カルボキシ−４−スルホン酸、Ｓ−
（３−プロピルアミド）−チオベンゼン−４−スルホン
酸、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオ−２−ナフタレ
ンスルホン酸やこれらのナトリウム塩、カリウム塩、ア
ミン塩基などが挙げられる。
合物は、Ｓ−（２−エチルアミド）−チオプロパンスル
ホン酸、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオプロパンス
ルホン酸、Ｓ−（４−ブチルアミド）−チオプロパンス
ルホン酸、Ｓ−（３−ブチルアミド）−チオプロパンス
ルホン酸、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオプロピル
−２−ヒドロキシ−３−スルホン酸、Ｓ−（３−プロピ
ルアミド）−チオフェニルスルホン酸、Ｓ−（Ｎ，Ｎ−
ジメチル−３−プロピルアミド）−チオプロパンスルホ
ン酸、Ｓ−（Ｎ−フェニル−３−プロピルアミド）−チ
オプロパンスルホン酸、Ｓ−（３−プロピルアミド）−
チオベンゼン−２−カルボキシ−４−スルホン酸、Ｓ−
（３−プロピルアミド）−チオベンゼン−４−スルホン
酸、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオ−２−ナフタレ
ンスルホン酸やこれらのナトリウム塩、カリウム塩、ア
ミン塩基などが挙げられる。
【００２２】上記式（１）の有機チオ化合物は、例え
ば、２−クロロアセトアミドなどの炭素置換クロロアミ
ド類、アクリルアミドやＮ，Ｎ−ジアルキルアミドなど
の脂肪族不飽和基を有するアミド類にＨＳ−Ｒ4−ＳＯ3
Ｍ（Ｒ4、Ｍは上記と同様の意味を示す。）で表される
化合物を反応させることにより得ることができる。
ば、２−クロロアセトアミドなどの炭素置換クロロアミ
ド類、アクリルアミドやＮ，Ｎ−ジアルキルアミドなど
の脂肪族不飽和基を有するアミド類にＨＳ−Ｒ4−ＳＯ3
Ｍ（Ｒ4、Ｍは上記と同様の意味を示す。）で表される
化合物を反応させることにより得ることができる。
【００２３】この場合、使用される溶媒は反応出発物を
溶解させるものであれば、特に制限されるものではない
が、Ｈ2Ｏ、メタノール、エタノール、２−プロパノー
ル、ＤＭＦ等を用いれば好収率で目的物質が得られる。
これらの溶媒は単独で用いてもよいし、２種以上を混合
して用いてもよい。
溶解させるものであれば、特に制限されるものではない
が、Ｈ2Ｏ、メタノール、エタノール、２−プロパノー
ル、ＤＭＦ等を用いれば好収率で目的物質が得られる。
これらの溶媒は単独で用いてもよいし、２種以上を混合
して用いてもよい。
【００２４】反応溶液のｐＨはアルカリ性であるが、ｐ
Ｈを規制するのではなく、加える水酸化物のＨＳ−Ｒ4
−ＳＯ3Ｍ（Ｒ4、Ｍは上記と同様の意味を示す。）で表
される化合物に対するモル比を、炭素置換クロロアミド
類との反応では１．０、脂肪族不飽和基を有するアミド
類との反応では０．１程度のモル比にすることが有効で
ある。ここで水酸化物は、ＮａＯＨ、ＫＯＨが好まし
い。
Ｈを規制するのではなく、加える水酸化物のＨＳ−Ｒ4
−ＳＯ3Ｍ（Ｒ4、Ｍは上記と同様の意味を示す。）で表
される化合物に対するモル比を、炭素置換クロロアミド
類との反応では１．０、脂肪族不飽和基を有するアミド
類との反応では０．１程度のモル比にすることが有効で
ある。ここで水酸化物は、ＮａＯＨ、ＫＯＨが好まし
い。
【００２５】ＨＳ−Ｒ4−ＳＯ3Ｍ（Ｒ4、Ｍは上記と同
様の意味を示す。）で表される化合物に対するアミド類
の使用量は、モル比で１〜１０である。１より少ないと
未反応のＨＳ−Ｒ4−ＳＯ3Ｍの回収に手間がかかり、１
０よりも大きいと経済的に不利になる。
様の意味を示す。）で表される化合物に対するアミド類
の使用量は、モル比で１〜１０である。１より少ないと
未反応のＨＳ−Ｒ4−ＳＯ3Ｍの回収に手間がかかり、１
０よりも大きいと経済的に不利になる。
【００２６】反応温度は３０〜８０℃で行うことが好ま
しい。反応温度が８０℃より高いとアミド基の加水分解
が増加し、また３０℃より低いと反応速度が遅くなり経
済的に不利になる。
しい。反応温度が８０℃より高いとアミド基の加水分解
が増加し、また３０℃より低いと反応速度が遅くなり経
済的に不利になる。
【００２７】反応時間は、反応温度により異なるが、６
０℃で３時間反応させれば充分である。
０℃で３時間反応させれば充分である。
【００２８】上記式（１）の有機チオ化合物は、電気銅
めっき浴、特に硫酸銅めっき浴の添加剤（光沢剤）とし
て用いることができる。この場合、本発明の有機チオ化
合物を硫酸銅めっき浴に添加剤として配合する場合、
０．１〜１，０００ｍｇ／Ｌ、特に０．３〜５００ｍｇ
／Ｌの濃度とすることが好ましい。
めっき浴、特に硫酸銅めっき浴の添加剤（光沢剤）とし
て用いることができる。この場合、本発明の有機チオ化
合物を硫酸銅めっき浴に添加剤として配合する場合、
０．１〜１，０００ｍｇ／Ｌ、特に０．３〜５００ｍｇ
／Ｌの濃度とすることが好ましい。
【００２９】なお、本発明の有機チオ化合物を電気銅め
っき浴の添加剤として使用した場合、それ自身だけでも
満足すべき光沢効果を与えることができるが、他の既知
の添加剤を用いて光沢効果及び平滑性を更に改良するこ
とができる。
っき浴の添加剤として使用した場合、それ自身だけでも
満足すべき光沢効果を与えることができるが、他の既知
の添加剤を用いて光沢効果及び平滑性を更に改良するこ
とができる。
【００３０】この有機チオ化合物を添加した電気銅めっ
き浴のめっき条件は通常の条件を使用し得る。
き浴のめっき条件は通常の条件を使用し得る。
【００３１】
【発明の効果】本発明の有機チオ化合物は、これを硫酸
銅めっき浴の添加剤として使用した場合、銅アノードと
反応せず低電流密度での使用ができ、かつ非電解時の消
耗が少なく、しかも光沢性及び平滑性の良好な銅めっき
皮膜を与えることができる。
銅めっき浴の添加剤として使用した場合、銅アノードと
反応せず低電流密度での使用ができ、かつ非電解時の消
耗が少なく、しかも光沢性及び平滑性の良好な銅めっき
皮膜を与えることができる。
【００３２】
【実施例】以下、実施例及び参考例を示して本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定される
ものではない。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定される
ものではない。
【００３３】［実施例１］ 〈Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオプロパンスルホン
酸ナトリウム〉撹拌機、温度計及び冷却管を備えた１０
００ｍｌの４つ口フラスコに水酸化ナトリウム０．２ｇ
（０．００５モル）とメタノール７００ｍｌとを入れて
溶解した。その後、アクリルアミド７．１ｇ（０．１０
モル）とメルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム８．
９ｇ（０．０５モル）を加えて溶解し、６０℃にて３時
間撹拌した。反応終了後、１Ｎの塩酸でｐＨ７に中和し
た。その後、濃縮乾固し、クロロホルムで洗浄した後、
メタノール可溶分を抽出することにより、Ｓ−（３−プ
ロピルアミド）−チオプロパンスルホン酸ナトリウム
（白色粉末）１０．２ｇを得た（ｍ．ｐ．２５５℃）。
この場合、メルカプトプロパンスルホン酸ナトリウムに
対する収率は８１．７％であった。得られたＳ−（３−
プロピルアミド）−チオプロパンスルホン酸ナトリウム
のＩＲスペクトルを図１に示す。
酸ナトリウム〉撹拌機、温度計及び冷却管を備えた１０
００ｍｌの４つ口フラスコに水酸化ナトリウム０．２ｇ
（０．００５モル）とメタノール７００ｍｌとを入れて
溶解した。その後、アクリルアミド７．１ｇ（０．１０
モル）とメルカプトプロパンスルホン酸ナトリウム８．
９ｇ（０．０５モル）を加えて溶解し、６０℃にて３時
間撹拌した。反応終了後、１Ｎの塩酸でｐＨ７に中和し
た。その後、濃縮乾固し、クロロホルムで洗浄した後、
メタノール可溶分を抽出することにより、Ｓ−（３−プ
ロピルアミド）−チオプロパンスルホン酸ナトリウム
（白色粉末）１０．２ｇを得た（ｍ．ｐ．２５５℃）。
この場合、メルカプトプロパンスルホン酸ナトリウムに
対する収率は８１．７％であった。得られたＳ−（３−
プロピルアミド）−チオプロパンスルホン酸ナトリウム
のＩＲスペクトルを図１に示す。
【００３４】［実施例２］ 〈Ｓ−（Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−プロピルアミド）−チ
オプロパンスルホン酸ナトリウム〉撹拌機、温度計及び
冷却管を備えた１０００ｍｌの４つ口フラスコに水酸化
ナトリウム０．２ｇ（０．００５モル）とメタノール７
００ｍｌとを入れて溶解した。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアクリルアミド９．９ｇ（０．１０モル）とメルカプ
トプロパンスルホン酸ナトリウム８．９ｇ（０．０５モ
ル）を加えて溶解し、６０℃にて３時間撹拌した。反応
終了後、１Ｎの塩酸でｐＨ７に中和した。その後、濃縮
乾固し、クロロホルムで洗浄した後、メタノール可溶分
を抽出することにより、Ｓ−（３−Ｎ，Ｎ−ジメチル−
３−プロピルアミド）−チオプロパンスルホン酸ナトリ
ウム（白色粉末）１０．９ｇを得た（ｍ．ｐ．２５０
℃）。この場合、メルカプトプロパンスルホン酸ナトリ
ウムに対する収率は７８．７％であった。得られたＳ−
（３−Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−プロピルアミド）−チオ
プロパンスルホン酸ナトリウムのＩＲスペクトルを図２
に示す。
オプロパンスルホン酸ナトリウム〉撹拌機、温度計及び
冷却管を備えた１０００ｍｌの４つ口フラスコに水酸化
ナトリウム０．２ｇ（０．００５モル）とメタノール７
００ｍｌとを入れて溶解した。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアクリルアミド９．９ｇ（０．１０モル）とメルカプ
トプロパンスルホン酸ナトリウム８．９ｇ（０．０５モ
ル）を加えて溶解し、６０℃にて３時間撹拌した。反応
終了後、１Ｎの塩酸でｐＨ７に中和した。その後、濃縮
乾固し、クロロホルムで洗浄した後、メタノール可溶分
を抽出することにより、Ｓ−（３−Ｎ，Ｎ−ジメチル−
３−プロピルアミド）−チオプロパンスルホン酸ナトリ
ウム（白色粉末）１０．９ｇを得た（ｍ．ｐ．２５０
℃）。この場合、メルカプトプロパンスルホン酸ナトリ
ウムに対する収率は７８．７％であった。得られたＳ−
（３−Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−プロピルアミド）−チオ
プロパンスルホン酸ナトリウムのＩＲスペクトルを図２
に示す。
【００３５】［実施例３］ 〈Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオベンゼン−２−カ
ルボキシ−４−スルホン酸ナトリウム〉撹拌機、温度計
及び冷却管を備えた１０００ｍｌの４つ口フラスコに水
酸化ナトリウム０．２ｇ（０．００５モル）とメタノー
ル７００ｍｌとを入れて溶解した。その後、アクリルア
ミド７．１ｇ（０．１０モル）と４−スルホチオサリチ
ル酸２ナトリウム１４．０ｇ（０．０５モル）を加えて
溶解し、６０℃にて３時間撹拌した。反応終了後、１Ｎ
の塩酸でｐＨ2とした。その後、濃縮乾固し、クロロホ
ルムで洗浄した後、メタノール可溶分を抽出することに
より、Ｓ−（３−プロピルアミド）チオベンゼン−２−
カルボキシ−４−スルホン酸ナトリウム（白色粉末）
９．６ｇを得た。この場合、４−スルホチオサリチル酸
二ナトリウムに対する収率は５４．９％であった。得ら
れたＳ−（３−プロピルアミド）チオベンゼン−２−カ
ルボキシ−４−スルホン酸ナトリウムのＩＲスペクトル
を図３に示す。
ルボキシ−４−スルホン酸ナトリウム〉撹拌機、温度計
及び冷却管を備えた１０００ｍｌの４つ口フラスコに水
酸化ナトリウム０．２ｇ（０．００５モル）とメタノー
ル７００ｍｌとを入れて溶解した。その後、アクリルア
ミド７．１ｇ（０．１０モル）と４−スルホチオサリチ
ル酸２ナトリウム１４．０ｇ（０．０５モル）を加えて
溶解し、６０℃にて３時間撹拌した。反応終了後、１Ｎ
の塩酸でｐＨ2とした。その後、濃縮乾固し、クロロホ
ルムで洗浄した後、メタノール可溶分を抽出することに
より、Ｓ−（３−プロピルアミド）チオベンゼン−２−
カルボキシ−４−スルホン酸ナトリウム（白色粉末）
９．６ｇを得た。この場合、４−スルホチオサリチル酸
二ナトリウムに対する収率は５４．９％であった。得ら
れたＳ−（３−プロピルアミド）チオベンゼン−２−カ
ルボキシ−４−スルホン酸ナトリウムのＩＲスペクトル
を図３に示す。
【００３６】［実施例４］ 〈Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオベンゼン−４−ス
ルホン酸ナトリウム〉撹拌機、温度計及び冷却管を備え
た１０００ｍｌの４つ口フラスコに水酸化ナトリウム
０．２ｇ（０．００５モル）とメタノール７００ｍｌと
を入れて溶解した。その後、アクリルアミド７．１ｇ
（０．１０モル）とメルカプトベンゼン−４−スルホン
酸ナトリウム１０．６ｇ（０．０５モル）を加えて溶解
し、６０℃にて３時間撹拌した。反応終了後、１Ｎの塩
酸でｐＨ７に中和した。その後、濃縮乾固し、クロロホ
ルムで洗浄した後、メタノール可溶分を抽出することに
より、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオベンゼン−４
−スルホン酸ナトリウム（白色粉末）８．７ｇを得た
（ｍ．ｐ．１４０℃）。この場合、メルカプトベンゼン
−４−スルホン酸ナトリウムに対する収率は６１．５％
であった。得られたＳ−（３−プロピルアミド）−チオ
ベンゼン−４−スルホン酸ナトリウムのＩＲスペクトル
を図４に示す。
ルホン酸ナトリウム〉撹拌機、温度計及び冷却管を備え
た１０００ｍｌの４つ口フラスコに水酸化ナトリウム
０．２ｇ（０．００５モル）とメタノール７００ｍｌと
を入れて溶解した。その後、アクリルアミド７．１ｇ
（０．１０モル）とメルカプトベンゼン−４−スルホン
酸ナトリウム１０．６ｇ（０．０５モル）を加えて溶解
し、６０℃にて３時間撹拌した。反応終了後、１Ｎの塩
酸でｐＨ７に中和した。その後、濃縮乾固し、クロロホ
ルムで洗浄した後、メタノール可溶分を抽出することに
より、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオベンゼン−４
−スルホン酸ナトリウム（白色粉末）８．７ｇを得た
（ｍ．ｐ．１４０℃）。この場合、メルカプトベンゼン
−４−スルホン酸ナトリウムに対する収率は６１．５％
であった。得られたＳ−（３−プロピルアミド）−チオ
ベンゼン−４−スルホン酸ナトリウムのＩＲスペクトル
を図４に示す。
【００３７】［実施例５］ 〈Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオ−２−ナフタレン
スルホン酸ナトリウム〉撹拌機、温度計及び冷却管を備
えた１０００ｍｌの４つ口フラスコに水酸化ナトリウム
０．２ｇ（０．００５モル）とメタノール７００ｍｌと
を入れて溶解した。その後、アクリルアミド７．１ｇ
（０．１０モル）と２−メルカプトナフタレンスルホン
酸ナトリウム１３．１ｇ（０．０５モル）を加えて溶解
し、６０℃にて３時間撹拌した。反応終了後、１Ｎの塩
酸でｐＨ７に中和した。その後、濃縮乾固し、クロロホ
ルムで洗浄した後、メタノール可溶分を抽出することに
より、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオ−２−ナフタ
レンスルホン酸ナトリウム（白色粉末）１１．５ｇを得
た（ｍ．ｐ．３００℃）。この場合、２−メルカプトナ
フタレンスルホン酸ナトリウムに対する収率は６９．１
％であった。得られたＳ−（３−プロピルアミド）−チ
オ−２−ナフタレンスルホン酸ナトリウムのＩＲスペク
トルを図５に示す。
スルホン酸ナトリウム〉撹拌機、温度計及び冷却管を備
えた１０００ｍｌの４つ口フラスコに水酸化ナトリウム
０．２ｇ（０．００５モル）とメタノール７００ｍｌと
を入れて溶解した。その後、アクリルアミド７．１ｇ
（０．１０モル）と２−メルカプトナフタレンスルホン
酸ナトリウム１３．１ｇ（０．０５モル）を加えて溶解
し、６０℃にて３時間撹拌した。反応終了後、１Ｎの塩
酸でｐＨ７に中和した。その後、濃縮乾固し、クロロホ
ルムで洗浄した後、メタノール可溶分を抽出することに
より、Ｓ−（３−プロピルアミド）−チオ−２−ナフタ
レンスルホン酸ナトリウム（白色粉末）１１．５ｇを得
た（ｍ．ｐ．３００℃）。この場合、２−メルカプトナ
フタレンスルホン酸ナトリウムに対する収率は６９．１
％であった。得られたＳ−（３−プロピルアミド）−チ
オ−２−ナフタレンスルホン酸ナトリウムのＩＲスペク
トルを図５に示す。
【００３８】［実施例６］ 〈Ｓ−（２−エチルアミド）−チオプロパンスルホン酸
ナトリウム〉撹拌機、温度計及び冷却管を備えた１００
０ｍｌの４つ口フラスコに水酸化ナトリウム１．２ｇ
（０．０３モル）とメタノール６００ｍｌとを入れて溶
解した。その後、２−クロロアセトアミド５．６ｇ
（０．０６モル）とメルカプトプロパンスルホン酸ナト
リウム５．３ｇ（０．０３モル）を加えて溶解し、６０
℃にて３時間撹拌した。反応終了後、１Ｎの塩酸でｐＨ
２に中和した。その後、濃縮乾固し、クロロホルムで洗
浄した後、メタノール可溶分を抽出することにより、Ｓ
−（２−エチルアミド）−チオプロパンスルホン酸ナト
リウム（白色粉末）５．８ｇを得た（ｍ．ｐ．２５５
℃）。この場合、メルカプトプロパンスルホン酸ナトリ
ウムに対する収率は９０．７％であった。得られたＳ−
（２−エチルアミド）−チオプロパンスルホン酸ナトリ
ウムのＩＲスペクトルを図６に示す。
ナトリウム〉撹拌機、温度計及び冷却管を備えた１００
０ｍｌの４つ口フラスコに水酸化ナトリウム１．２ｇ
（０．０３モル）とメタノール６００ｍｌとを入れて溶
解した。その後、２−クロロアセトアミド５．６ｇ
（０．０６モル）とメルカプトプロパンスルホン酸ナト
リウム５．３ｇ（０．０３モル）を加えて溶解し、６０
℃にて３時間撹拌した。反応終了後、１Ｎの塩酸でｐＨ
２に中和した。その後、濃縮乾固し、クロロホルムで洗
浄した後、メタノール可溶分を抽出することにより、Ｓ
−（２−エチルアミド）−チオプロパンスルホン酸ナト
リウム（白色粉末）５．８ｇを得た（ｍ．ｐ．２５５
℃）。この場合、メルカプトプロパンスルホン酸ナトリ
ウムに対する収率は９０．７％であった。得られたＳ−
（２−エチルアミド）−チオプロパンスルホン酸ナトリ
ウムのＩＲスペクトルを図６に示す。
【００３９】次に、参考例として本発明の有機チオ化合
物を電気銅めっき浴中に配合した場合の光沢性について
評価した。
物を電気銅めっき浴中に配合した場合の光沢性について
評価した。
【００４０】［参考例］ 下記組成 硫酸銅（ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ） ８０ｇ／Ｌ 濃硫酸 ２００ｇ／Ｌ ＮａＣｌ １００ｍｇ／Ｌ ｐＨ＜１ からなる銅めっき浴に、上記有機チオ化合物を３ｍｇ／
Ｌ、ポリエチレングリコール（＃１０，０００）を０．
３ｇ／Ｌ加えてめっきを行った。この場合、めっき浴は
空気を吹き込んで撹拌を行い、特に陰極の近傍がよく撹
拌されるように空気を被めっき物に当たるようにし、下
記条件でハルセル試験器を用いてめっきを行った。その
結果、析出物は上記条件にていずれも良好な光沢を有す
るものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．１５〜４Ａ／ｄｍ2
Ｌ、ポリエチレングリコール（＃１０，０００）を０．
３ｇ／Ｌ加えてめっきを行った。この場合、めっき浴は
空気を吹き込んで撹拌を行い、特に陰極の近傍がよく撹
拌されるように空気を被めっき物に当たるようにし、下
記条件でハルセル試験器を用いてめっきを行った。その
結果、析出物は上記条件にていずれも良好な光沢を有す
るものであった。 温度 ２５℃ 陰極電流密度 ０．１５〜４Ａ／ｄｍ2
【図１】本発明の実施例１で得られた有機チオ化合物の
ＩＲスペクトルを示す。
ＩＲスペクトルを示す。
【図２】本発明の実施例２で得られた有機チオ化合物の
ＩＲスペクトルを示す。
ＩＲスペクトルを示す。
【図３】本発明の実施例３で得られた有機チオ化合物の
ＩＲスペクトルを示す。
ＩＲスペクトルを示す。
【図４】本発明の実施例４で得られた有機チオ化合物の
ＩＲスペクトルを示す。
ＩＲスペクトルを示す。
【図５】本発明の実施例５で得られた有機チオ化合物の
ＩＲスペクトルを示す。
ＩＲスペクトルを示す。
【図６】本発明の実施例６で得られた有機チオ化合物の
ＩＲスペクトルを示す。
ＩＲスペクトルを示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 堀田 輝幸 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村工 業株式会社中央研究所内 (72)発明者 上玉利 徹 大阪府枚方市出口１丁目５番１号 上村工 業株式会社中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 下記一般式（１）で示される有機チオ化
合物。 【化１】 （但し、式中Ｒ1，Ｒ2は水素原子又は同一又は異種の炭
素数１〜８の置換又は非置換の１価炭化水素基、Ｒ3は
炭素数１〜３の置換又は非置換の２価炭化水素基、Ｒ4
は炭素数１〜１２の置換又は非置換の２価炭化水素基を
示す。Ｍは水素原子、アルカリ金属原子又はアミン塩基
を示す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5235796A JPH0770052A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 有機チオ化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5235796A JPH0770052A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 有機チオ化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0770052A true JPH0770052A (ja) | 1995-03-14 |
Family
ID=16991392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5235796A Pending JPH0770052A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 有機チオ化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770052A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170029970A1 (en) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | Taiwan Hopax Chems. Mfg. Co., Ltd. | Electroplating additive and preparation method for the same |
-
1993
- 1993-08-27 JP JP5235796A patent/JPH0770052A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170029970A1 (en) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | Taiwan Hopax Chems. Mfg. Co., Ltd. | Electroplating additive and preparation method for the same |
| US9840784B2 (en) * | 2015-07-28 | 2017-12-12 | Taiwan Hopax Chems. Mfg. Co., Ltd. | Electroplating additive and preparation method for the same |
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