JPH076664U - 極低温冷却装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 液体窒素温度レベルと液体ヘリウム温度レベ
ルの冷却を同時に行え、かつ冷却効率の良好な極低温冷
却装置を提供する。 【構成】 ＳＱＵＩＤセンサ２を冷却するための極低温
冷却装置１であって、ＳＱＵＩＤセンサ２を極低温状態
（約４Ｋ）に保持するための液体ヘリウムを貯留するク
ライオスタット４と、このクライオスタット４の内部に
設けられ絶対温度６０Ｋから１００Ｋの間の温度状態を
保持するための熱交換ステージ５と、クライオスタット
４を液体ヘリウム温度状態で冷却するための再液化熱交
換器10と熱交換ステージ５を絶対温度６０Ｋから１００
Ｋの間の温度状態で冷却する冷凍機熱交換部９を有する
極低温冷凍機７を備える。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、液体ヘリウムなどの液体冷却剤を冷却あるいは再液化する装置に係 り、特に、医療分野での治療・診断等において人体から発生する心磁波、脳磁波 、眼筋磁場等の生体磁気計測等に適したＳＱＵＩＤ（Superconducting Quantum Interference Device ：超伝導量子干渉素子）磁束計等に適した極低温冷却装置 に関する。ここに、ＳＱＵＩＤとは、低温状態に維持され、ループ内にジョセフ ソン接合を含む超伝導ループであるＳＱＵＩＤループ内に、ピックアップコイル や入力コイル等を介して外部からの磁束が結合されて印加されると、ＳＱＵＩＤ ループに周回電流が誘起され、ループ内のジョセフソン接合における量子的な干 渉効果により、印加された外部磁束の微小な変化が周回電流の大きな変化となっ て現れることを利用して、微小磁束変化を測定するものである。

【０００２】

【従来の技術】

従来、液体ヘリウムを充填する格納容器であるクライオスタットを極低温状態 （約４Ｋ以下の状態。ここにＫは絶対温度を示す。２７３Ｋ＝０°Ｃである。） に保持するためには、クライオスタット内部の液体ヘリウム槽だけを冷却するよ りも、輻射熱シールドおよびクライオスタット内の液体窒素温度レベル（絶対温 度６０Ｋから１００Ｋの間の温度レベル）の部分を上記の液体ヘリウム冷却と同 時に冷却する方式の冷凍機の方が冷却効率がよい。 また、磁気共鳴画像（MRI ：Magnetic Resonance Imaging）診断装置等のクラ イオスタットを極低温状態に保持するために従来用いられている極低温冷却装置 には、上記の液体窒素温度レベルと液体水素温度レベル（約２０〜２４Ｋ）の輻 射熱シールドを冷却するための冷凍機（シールドクーラ）と、液体ヘリウム槽に おいて蒸発したヘリウムガスを再液化するための液体ヘリウム温度の熱交換器を 持つ冷凍機が用いられていた（アメリカ合衆国特許ＵＳＰ4,796,433 参照）。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】 しかし、上記従来の冷凍機等の冷却装置においては、クライオスタットの常温 部フランジから内部へ挿入する配管の先端部分に液体ヘリウム温度の熱交換器（ 蒸発したヘリウムガスを再液化する再凝縮器）を備えたタイプの冷凍機では、液 体ヘリウム温度の熱交換器しか持たないため、液体ヘリウム温度の熱負荷が大き くなり、冷却効率が著しく低下する、という問題点があった。 また、上記従来の冷凍機等の冷却装置は、２台の極低温冷凍機で上記の液体窒 素温度レベルでの冷却と液体ヘリウム温度レベルでの冷却とを同時に行うために ２つの冷却部を備える必要があり、装置全体のサイズが大きくなり、冷凍コスト も高くなる。そして、特に上記の液体窒素温度レベルの冷却部においては、常温 部からの浸入熱である輻射熱と伝導熱とを効率良く吸収して冷却することが困難 であった。 本考案は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、液体窒素温度 レベルと液体ヘリウム温度レベルの冷却を同時に行え、かつ冷却効率の良好な極 低温冷却装置を提供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

上記の課題を解決するため、本考案に係る極低温冷却装置は、超伝導量子干渉 素子と磁束入力手段を有して磁場を計測する磁場計測装置を冷却するための極低 温冷却装置であって、当該磁場計測装置を極低温状態に保持するための液体ヘリ ウムを貯留する極低温容器と、当該極低温容器の内部に設けられ絶対温度６０Ｋ から１００Ｋの間の温度状態を保持するための熱交換ステージと、前記極低温容 器を液体ヘリウム温度状態で冷却するための第１冷却手段と前記熱交換ステージ を絶対温度６０Ｋから１００Ｋの間の温度状態で冷却する第２冷却手段とを有す る極低温冷凍機と、を備えて構成される。

【０００５】

【作用】

上記構成を有する本考案によれば、超伝導量子干渉素子（ＳＱＵＩＤ）を極低 温状態に保持するための液体ヘリウムを貯留する極低温容器と、この極低温容器 の内部に設けられ絶対温度６０Ｋから１００Ｋの間の温度状態を保持するための 熱交換ステージと、極低温容器を液体ヘリウム温度状態で冷却するための第１冷 却手段と熱交換ステージを絶対温度６０Ｋから１００Ｋの間の温度状態で冷却す る第２冷却手段とを有する極低温冷凍機と、を備えたので、液体窒素温度レベル と液体ヘリウム温度レベルの冷却を同時に行え、かつ冷却効率良く冷却を行うこ とができる。

【０００６】

【実施例】

以下、本考案の実施例を図面にもとづいて説明する。図１に示すように、本考 案の実施例である極低温冷却装置１は、極低温容器であるクライオスタット４と 、極低温冷凍機７とを備えて構成されている。極低温冷凍機７は、後述の圧縮機 １２ａ（図２）で生成される高圧のヘリウムガスを後述の膨張機１３（図２）に 供給するための高圧配管１１と、極低温冷凍機７で生成された極低温のヘリウム ガスをクライオスタット４に供給するための冷凍機配管８を有している。

【０００７】 上記したクライオスタット４の内部断面を図１に示す。図に示すように、この クライオスタット４は、一端が閉塞し一端が開放された有底円筒体である槽体１ ９と、この槽体１９の開放端を閉塞する蓋体である常温部フランジ１４とを備え て構成される。槽体１９は、外壁２１と内壁２０を有し、外壁２１と内壁２０と の間は真空層となっており、またこの外壁２１と内壁２０との間には外部からの 熱浸入を防止するための輻射熱遮断手段である輻射熱シールド６が設けられてい る。

【０００８】 上記のクライオスタット４には、常温部フランジ１４から内部に向けて、磁場 計測装置であるＳＱＵＩＤセンサ２をその先端部に設けた支持体であるＳＱＵＩ Ｄセンサプローブ３が復数個挿入配置されている。また、クライオスタット４内 には液体ヘリウムＨが溜められ、上記のＳＱＵＩＤセンサ２を極低温状態（約４ Ｋの状態）に保持するように構成されている。

【０００９】 ＳＱＵＩＤセンサ２は、その内部にジョセフソン接合を含む（例えば２個）超 伝導ループである超伝導量子干渉素子（ＳＱＵＩＤ）ループ（図示せず）内に、 磁束入力手段であるピックアップコイルや入力コイル等（図示せず）を介して外 部からの磁束が結合されて印加されると、ＳＱＵＩＤループに周回電流が誘起さ れ、ループ内のジョセフソン接合における量子的な干渉効果により、印加された 外部磁束の微小な変化が周回電流の大きな変化となって現れることを利用して、 微小磁束変化を測定するものである。

【００１０】 そして、上記のクライオスタット４の常温部フランジ１４からは、上記の冷凍 機配管８がクライオスタット内部に向けて挿入され、その先端部には再液化熱交 換器１０が設けられている。

【００１１】 また、上記のクライオスタット４内の常温部フランジ１４から距離Ｌの位置に は、所定の貫通孔を有する熱交換ステージ５が設けられている。この熱交換ステ ージ５は絶対温度６０Ｋから１００Ｋの間の温度状態を保持するためのステージ である。上記の複数のＳＱＵＩＤセンサプローブ３及び冷凍機配管８は、この熱 交換ステージ５と所定離隔（クリアランス）を配するようにして貫通孔内に配置 されている。貫通孔内の冷凍機配管８の部分には冷凍機熱交換部９が設けられる とともに、貫通孔内のＳＱＵＩＤセンサプローブ３の部分にはＳＱＵＩＤセンサ プローブ熱交換部２４が設けられ、熱交換ステージ５を介して冷凍機熱交換部９ とＳＱＵＩＤセンサプローブ３との間で熱交換が行われ、この部分の温度を液体 窒素温度レベル（絶対温度６０Ｋから１００Ｋの間の温度レベル）に保持するよ うに構成されている。

【００１２】 次に、図２に、上記の極低温冷凍機７の構成を示す。図に示すように、この極 低温冷凍機７は、第１圧縮機１２を有しており、ヘリウムガスは、第１圧縮機１ ２ａにより高圧化されて、膨張機１３へ供給される。

【００１３】 １２ｂは第２圧縮機であり、ここで圧縮された高圧ヘリウムガスは、ジュール ・トムソン回路熱交換器１６ａ，１６ｂ，１６ｃへ供給される。ジュール・トム ソン回路熱交換器１６ａ，１６ｂ，１６ｃは、気体を細い孔に通して圧力を下げ ると温度変化が起きる「ジュール・トムソン効果」を利用してヘリウムガスの冷 却を行う熱交換器である。

【００１４】 また、１５ａは膨張機第１熱交換部、１５ｂは膨張機第２熱交換部であり、中 間段階での冷却を行う。この膨張機第１熱交換部１５ａからは第１ヘリウムガス 配管１８ａ（約６０Ｋレベル）が分岐し、冷凍機第１配管８ａ内を通って上記の 熱交換ステージ５内の冷凍機熱交換部９に到達し、液体窒素温度レベル（絶対温 度６０Ｋから１００Ｋの間の温度状態）の熱交換を行う。

【００１５】 一方、上記ジュール・トムソン回路熱交換器１６ａ，１６ｂ，１６ｃのうちの 最終段のジュール・トムソン回路熱交換器１６ｃを通過し極低温状態（約４Ｋ） にまで冷却されたヘリウムガスは、冷凍機第１配管８ａ内の第２ヘリウムガス配 管１８ｂを通り、上記の熱交換ステージ５の位置では熱交換を行わずに素通りし 、さらに冷凍機第２配管８ｂ内の第２ヘリウムガス配管１８ｂを通って先端部の 再液化熱交換器１０に到達し液体ヘリウムＨの再凝縮（再液化）を行う。ここに 、１７はジュール・トムソン弁である。

【００１６】 次に、図３に、上記の熱交換ステージ５の付近のさらに詳細な構成を示す。図 ３において、２０はクライオスタット４の内壁、２１はクライオスタット４の外 壁である。２２は輻射熱シールド６の高温端部であり、上記のクライオスタット 内壁２０に接続している。５は所定の貫通孔を有する熱交換ステージであり、冷 凍機配管８の中間部分である冷凍機熱交換部９がその第１貫通孔３１内に挿入さ れ、この熱交換ステージ５は冷凍機熱交換部９と第１クリアランス２３を挟んで 設置されている。

【００１７】 熱交換ステージ５は、アルミニウム等の熱伝導度の高い材料からなる略円盤状 部材で構成され、ＦＲＰ（繊維強化プラスチック）等の低熱伝導材料で形成され た管などで上記した常温部フランジ１４からクライオスタット４内部に吊下状に 設置される。この場合、上記のＦＲＰなどで形成された管の数は３本以上が望ま しい。

【００１８】 また、２４はＳＱＵＩＤセンサプローブ３の中間部分であるＳＱＵＩＤセンサ プローブ熱交換部であり、熱交換ステージ５の第２貫通孔３２内に挿入され、こ の熱交換ステージ５と第２クリアランス２５を挟んで設置されている。また、熱 交換ステージ５は、クライオスタット内壁２０と第３クリアランス２６を挟んで 設置されている。

【００１９】 上記の極低温冷却装置１の動作について、以下に説明を行う。 まず、上記の圧縮機１２ａから高圧配管１１によって供給される高圧のヘリウ ムガスは、膨張機１３の膨張機第１熱交換部１５ａにおいてサイモン膨張を行い 、６０Ｋ程度の温度にまで冷却され、さらに、膨張機第２熱交換部１５ｂにおい てもサイモン膨張を行って１５Ｋ以下の温度にまで冷却される。

【００２０】 上記の膨張機第１熱交換部１５ａで６０Ｋ程度の温度にまで冷却された高圧ヘ リウムガスは、冷凍機配管８ａ内の第１ヘリウムガス配管１８ａを通って冷凍機 熱交換部９に供給される。

【００２１】 この冷凍機熱交換部９は、熱伝導度の高い銅等の材料により円筒ブロック状（ 図示せず）に形成されており、この円筒ブロックの内部には、熱伝導度の高い銅 等の材料により形成されたヘリウムガス配管が螺旋形状に巻かれて設けられてい る（図示せず）。約６０Ｋに冷却されたの高圧ヘリウムガスは、冷凍機熱交換部 ９の内部の螺旋状配管内を流れる間に、この冷凍機熱交換部９と熱交換を行い、 冷凍機熱交換部９を約６０Ｋ程度の温度に冷却する。

【００２２】 次に、上記の冷凍機熱交換部９は、熱交換ステージ５との間の第１クリアラン ス２３間に存在するヘリウムガスを介してこの熱交換ステージ５と熱交換する。 そして、熱交換ステージ５は、ＳＱＵＩＤセンサプローブ熱交換部２４との間の 第２クリアランス２５間に存在するヘリウムガスを介してＳＱＵＩＤセンサプロ ーブ熱交換部２４と熱交換する。上記の動作により、熱交換ステージ５において 、液体窒素温度レベル（絶対温度６０Ｋから１００Ｋの間の温度レベル）の冷却 が行われる。

【００２３】 上記において、第１クリアランス２３の値を大きくすると、冷凍機配管８をク ライオスタット４内へ挿入する際の作業性が向上するが、クリアランス内に存在 するヘリウムガス層が厚くなるので、冷凍機熱交換部９と熱交換ステージ５との 間の温度差が大きくなる。このため、冷凍機熱交換部９にかかる熱負荷が増大す ることになる。

【００２４】 上記において、冷凍機熱交換部９にかかる熱負荷をＱ（Ｗ）とし、冷凍機熱交 換部９と熱交換ステージ５との間の伝熱面積をＡ（ｍ2 ）とし、第１クリアラン ス２３の値をδ（ｍ）とし、ヘリウムガスの熱伝導率をλ（Ｗ／ｍ・Ｋ）とする と、温度差ΔＴ（Ｋ）は次式（１）で与えられる。 ΔＴ＝（Ｑ×δ）／（Ａ×λ） ………（１）

【００２５】 上式（１）において、δを５０μｍから１００μｍの間の値とすると、ΔＴは ３．９Ｋから７．８Ｋとなり、１００μｍ以上のクリアランスにすると、温度差 が大きくなりすぎて液体ヘリウム層への浸入熱が大きくなってしまう。従って、 δの値は上記の５０μｍから１００μｍの間の範囲に保つ必要があることがわか る。

【００２６】 また、熱交換ステージ５は、クライオスタット内壁２０との間の第３クリアラ ンス２６内に存在するヘリウムガスを介してクライオスタット内壁２０と熱交換 を行う。この第３クリアランス２６についても、第１クリアランス２３と全く同 様にしてとるべき寸法値が決定される。第３クリアランスの場合は、δを１ｍｍ から２ｍｍの間の値とすると、ΔＴは３．６Ｋから７．２Ｋとなり、δの値を上 記の１ｍｍから２ｍｍの間の範囲に保つ必要があることがわかる。

【００２７】 さらに、クライオスタット内壁２０は、真空層側に接続された輻射熱シールド 高温端部２２と熱交換を行う。すなわち、輻射熱シールド６から浸入する輻射熱 は、クライオスタット内壁２０から熱交換ステージ５へ移り、さらに冷凍機熱交 換部９へ移り、最終的には極低温冷凍機７から供給されるヘリウムガスにより冷 却され吸収される。

【００２８】 同様にして、ＳＱＵＩＤセンサ２の信号線（図示せず）、ＳＱＵＩＤセンサプ ローブ３、及びクライオスタットの内壁２０上を伝導することによって浸入する 熱も、上記第２クリアランス２５内に存在するヘリウムガスを介して熱交換ステ ージ５へ移り、さらに冷凍機熱交換部９へ移り、最終的には極低温冷凍機７から 供給されるヘリウムガスにより冷却され吸収される。クライオスタット４内部の ヘリウムガスを伝導することによって浸入する熱は、直接熱交換ステージ５へ移 り、最終的には極低温冷凍機７から供給されるヘリウムガスにより冷却され吸収 される。

【００２９】 この第２クリアランス２５についても、上記の第１クリアランス２３や第３ク リアランス２６と全く同様にしてとるべき寸法値が決定される。第２クリアラン スの場合は、δを１ｍｍから３ｍｍの間の値とすると、ΔＴは１．８Ｋから５． ９Ｋとなり、δの値を上記の１ｍｍから３ｍｍの間の範囲に保つ必要があること がわかる。

【００３０】 上記のようにして、常温部から浸入する伝導熱及び輻射熱を、冷凍機熱交換部 ９で吸収することにより、液体ヘリウム層に浸入する熱を低減させることができ る。

【００３１】 上記の膨張機の膨張機第２熱交換部１５ｂで１５Ｋ以下の温度にまで冷却され たヘリウムガスは、ジュール・トムソン弁１７においてジュール・トムソン効果 により液体ヘリウム温度にまで冷却され、その一部は液化される。この液体とガ スの混合状態のヘリウムは、上記の６０Ｋ程度のヘリウムガスと同様に冷凍機第 １配管８ａの内部に設けられた別系統のガス配管である第２ヘリウムガス配管１ ８ｂによって再液化熱交換器１０に供給され、液体ヘリウムＨが蒸発して生成さ れたヘリウムガスと熱交換されてそのヘリウムガスを再度液化させる。

【００３２】 上記の熱交換ステージ５をクライオスタット４の中のどの位置、すなわち、上 記の常温部フランジ１４からどの程度の距離の位置に設置するかにより、冷凍機 熱交換部９と再液化熱交換器１０にかかる熱負荷が大きく変ってくる。熱交換ス テージ５と常温部フランジ１４の間の距離Ｌ（ｍ）をパラメータにして、８０Ｋ における冷却に必要な冷凍機動力を算出した。この場合、冷凍機の効率を考慮に 入れるために、「熱力的仕事効率」（「低温工学ハンドブック」，pp 116，内田 老鶴圃新社，参照）を用いた。計算結果のグラフを図４に示す。この図から、効 率よく冷却するためには、熱交換ステージ５と常温部フランジ１４との距離Ｌを １５０ｍｍから３００ｍｍの間の値にすることが必要であることがわかる。

【００３３】 上記実施例において、再液化熱交換器１０は第１冷却手段に相当し、冷凍機熱 交換部９は第２冷却手段に相当している。また、第１貫通孔３１は第１開口部に 相当し、第２貫通孔３２は第２開口部に相当している。

【００３４】 なお、本考案は、上記実施例に限定されるものではない。上記実施例は、例示 であり、本考案の実用新案登録請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同 一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本考 案の技術的範囲に包含される。

【００３５】

【考案の効果】

以上説明したように、上記構成を有する本考案によれば、超伝導量子干渉素子 （ＳＱＵＩＤ）を極低温状態に保持するための液体ヘリウムを貯留する極低温容 器と、この極低温容器の内部に設けられ絶対温度６０Ｋから１００Ｋの間の温度 状態を保持するための熱交換ステージと、極低温容器を液体ヘリウム温度状態で 冷却するための第１冷却手段と熱交換ステージを絶対温度６０Ｋから１００Ｋの 間の温度状態で冷却する第２冷却手段とを有する極低温冷凍機と、を備えたので 、液体窒素温度レベルと液体ヘリウム温度レベルの冷却を同時に行うことができ る。 しかも、従来の装置と比べ冷却効率良く冷却を行うことができる、という利点 を有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例である極低温冷却装置の全体
構成を示す図であり、そのクライオスタット部分を断面
図で示したものである。

【図２】図１における極低温冷凍機のさらに詳細な構成
を示すブロック図である。

【図３】図１における熱交換ステージ付近のさらに詳細
な構成を示す断面図である。

【図４】図１における極低温冷却装置の冷却効率を示す
図である。

【符号の説明】

１ 極低温冷却装置 ２ ＳＱＵＩＤセンサ ３ ＳＱＵＩＤセンサプローブ ４ クライオスタット ５ 熱交換ステージ ６ 輻射熱シールド ７ 極低温冷凍機 ８ａ 冷凍機第１配管 ８ｂ 冷凍機第２配管 ９ 冷凍機熱交換部 １０ 再液化熱交換器 １１ 高圧配管 １２ａ 第１圧縮機 １２ｂ 第２圧縮機 １３ 膨張機 １４ 常温部フランジ １５ａ 膨張機第１熱交換部 １５ｂ 膨張機第２熱交換部 １６ａ〜１６ｃ ジュール・トムソン回路熱交換器 １７ ジュール・トムソン弁 １８ａ 第１ヘリウムガス配管 １８ｂ 第２ヘリウムガス配管 １９ 槽体 ２０ クライオスタット内壁 ２１ クライオスタット外壁 ２２ 輻射熱シールド高温端部 ２３ 第１クリアランス ２４ ＳＱＵＩＤセンサプローブ熱交換部 ２５ 第２クリアランス ２６ 第３クリアランス ３１ 第１貫通孔 ３２ 第２貫通孔 Ｈ 液体ヘリウム Ｌ ステージ距離

Claims (7)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 超伝導量子干渉素子と磁束入力手段を有
   して磁場を計測する磁場計測装置を冷却するための極低
   温冷却装置であって、 当該磁場計測装置を極低温状態に保持するための液体ヘ
   リウムを貯留する極低温容器と、 当該極低温容器の内部に設けられ絶対温度６０Ｋから１
   ００Ｋの間の温度状態を保持するための熱交換ステージ
   と、 前記極低温容器を液体ヘリウム温度状態で冷却するため
   の第１冷却手段と前記熱交換ステージを絶対温度６０Ｋ
   から１００Ｋの間の温度状態で冷却する第２冷却手段と
   を有する極低温冷凍機と、を備えたことを特徴とする極
   低温冷却装置。
2. 【請求項２】 前記第２冷却手段は熱伝導度の高い材料
   からなる円筒ブロック状部材で構成され、当該円筒ブロ
   ック状部材内には熱伝導度の高い材料からなるヘリウム
   ガス配管が螺旋形状に形成配置され当該ヘリウムガス配
   管内部にヘリウムガスを通すように構成したことを特徴
   とする請求項１に記載した極低温冷却装置。
3. 【請求項３】 前記熱交換ステージには、前記第２冷却
   手段を挿入可能な内径を有する第１開口部が設けられ、
   前記第２冷却手段は当該第１開口部内に挿入され、前記
   第２手段と当該第１開口部との離隔を５０μｍから１０
   ０μｍの間の値としたことを特徴とする請求項２に記載
   した極低温冷却装置。
4. 【請求項４】 前記熱交換ステージは、熱伝導度の高い
   材料からなる略円盤状部材で構成されて前記極低温容器
   内に設置され、前記極低温容器の内側壁面と前記熱交換
   ステージの外側壁面との離隔を１ｍｍから２ｍｍの間の
   値としたことを特徴とする請求項１に記載した極低温冷
   却装置。
5. 【請求項５】 前記極低温容器の内壁と外壁との間に
   は、輻射熱遮断手段が設けられ、当該輻射熱遮断手段の
   高温端部は、前記極低温容器外壁のうち、前記熱交換ス
   テージと対向する前記極低温容器内壁位置に対応した位
   置に設けられたことを特徴とする請求項１に記載した極
   低温冷却装置。
6. 【請求項６】 前記磁場計測装置は支持体の先端部に取
   り付けられて前記極低温容器内に挿入され、前記熱交換
   ステージには、前記支持体を挿入可能な内径を有する第
   ２開口部が設けられ、前記支持体は当該第２開口部内に
   挿入され、前記支持体と当該第２開口部との離隔を１ｍ
   ｍから３ｍｍの間の値としたことを特徴とする請求項１
   に記載した極低温冷却装置。
7. 【請求項７】 前記極低温容器は、一端が閉塞し一端が
   開放された有底円筒体を備えて構成され、当該有底円筒
   体の開放端には、当該開放端を閉塞する蓋体が設けら
   れ、かつ、前記熱交換ステージは、当該蓋体から１５０
   ｍｍないし３００ｍｍの距離の位置に設置されたことを
   特徴とする請求項１に記載した極低温冷却装置。