JPH0765585B2 - 半導体製造装置に用いるドライスクリュ真空ポンプ - Google Patents

半導体製造装置に用いるドライスクリュ真空ポンプ

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JPH0765585B2 JP63241117A JP24111788A JPH0765585B2 JP H0765585 B2 JPH0765585 B2 JP H0765585B2 JP 63241117 A JP63241117 A JP 63241117A JP 24111788 A JP24111788 A JP 24111788A JP H0765585 B2 JPH0765585 B2 JP H0765585B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、スクリュ式ドライ真空ポンプに係り、特に、
半導体製造装置の排気系に用いられる粗引用真空ポンプ
に好適なドライ真空ポンプに関する。
〔従来の技術〕
従来のスクリュ式ドライ真空ポンプは、排気側軸封部に
N2ガスを導入する構造にはなっていない。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は、空気や窒素ガスなどの一般的なガスに
対する真空ポンプとして用いるときには何ら問題はない
が、これらを半導体製造用の低圧CVD装置で窒化膜を生
成すプロセスなどに用いると、ロータがロックしてポン
プが運転不能になることがある。これは、スクリューロ
ータの吐出側、特に圧縮・吐出作用をする歯溝面と、こ
れに相当するケーシング壁面に多量の反応生成物が堆積
するためである。
本発明の目的はポンプ内部に反応生成物が堆積すること
を防止し、ポンプの信頼性を向上させ、メンテナンスを
軽減することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、圧縮行程中の作動室に不活性ガスを導入す
るための不活性ガス導入手段を備え、この不活性ガス導
入手段から不活性ガスを導入し、ポンプ内のプロセスガ
スを希釈させ、希釈用の不活性ガスを2個のオイルセパ
レータ、により油分を分離した後、本配管に戻すことに
より達成できる。
〔作用〕
低圧CVD装置の代表的なシリコン窒化膜生成プロセスで
の反応は以下の通りであり、副反応生成物として塩化ア
ンモニュウムを発生する。
3SiH2Cl2+10NH3→SiN4+6NH4Cl+6H2 この塩化アンモニュウムはその蒸気圧特性から、圧力が
高くなるほど析出しやすい。このため、スクリュー真空
ポンプでは、圧縮・吐出行程をなすロータやケーシング
壁面に塩化アンモニユウムが堆積する。これらの作動室
に窒素ガスなどの不活性ガスを導入すると、導入ガスと
塩化アンモニユウムの混合ガスにおける塩化アンモニユ
ウムの分圧が低くなるので、塩化アンモニユウムが析出
しにくくなり、ポンプの信頼を向上させることができ
る。
又、この導入した不活性ガスの一部は駆動側ギヤケーシ
ングからオイルセパレータを介して本配管に戻される。
その際、オイルセパレータに分離された油は、入口側と
出口側に各々バルブを有する油タンクを介して定期的に
戻すことによりメンテナンスの軽減を計ることができ
る。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第2図〜第6図により説明す
る。
ケーシング1は主ケーシング11、吐出側ケーシング12及
びエンドカバ13により構成されている。主ケーシング11
内には、複数の螺旋状の陸部と溝部とを有し、互いに噛
合う雄,雌一対のスクリューロータ4,5が収められてお
り、これら雄,雌一対のロータ4,5は、主ケーシング14
と吐出側ケーシング12との間に作動室6を形成してい
る。主ケーシング11には、作動室6に連通する吸入口14
と不活性ガス導入手段としてのガスパージ孔16が形成さ
れており、吐出側ケーシング12には作動室6に通す吐出
口15が形成されている。また、ケーシング1には、ウオ
ータジャケット2が形成されており、作動中の雄,雌ロ
ータ4,5やケーシング1の冷却が行われる。
雄ロータ4、雌ロータ5は、それぞれ吸入側及び吐出側
の各ロータ軸4A,5A及び4B,5Bをそれぞれ軸7,8で支持さ
れ、雄ロータ4の吐出側ロータ軸4Bに取付けた雄タイミ
ングギヤ9、雄ロータ5の吐出側ロータ軸5Bに取付けら
れ、雄タイミングギヤ9と噛合う雌タイミングギヤ10で
微少間隙を保持して、互いに噛合い、同期して回転する
ようになっている。また、前述の軸受8及びタイミング
ギヤ9,10の部分には、図示はされていないが、外部に設
置されているオイルポンプにより潤滑油が供給される。
これら雄ロータ4と雌ロータ5の吸入側軸支部及び吐出
側軸支部には軸封手段に係る軸封部17及び18が設けられ
ている。これら軸封部17,18は、前記転がり軸受7,8やタ
イミングギヤ9,10などに供給した潤滑油が、作動室6側
へ漏れ込まないようにシールを行うものである。
油掻き用のスリング19は、この実施例では雌ロータ5の
ロータ軸先端に取付けられている。このスリンガ12は、
主ケーシング1の一部とエンドカバ3とで形成された油
溜り20の潤滑油を跳び飛ばして転がり軸受7に供給する
ものである。
第4図は第3図の主ケーシング1の雄,雌ボア交線aを
中心としたロータ歯溝の展開図である。
第4図において、二点鎖線,一点鎖線及び破線は、それ
ぞれ主ケーシング11に形成された吸入ポート24、吐出ポ
ート25、ガスパージ孔16の相当位置を表わす。作動室6
は吸入口16側から吸入作動室6a、移送作動室6b、圧縮作
動室6c、吐出作動室6dとなる。
このスクリュー真空ポンプは、吸入口側に、例えば、半
導体製造装置の容器を連結し、この容器内を真空にする
ように作動するものである。
このように構成された実施例の動作について、ジクロー
ルシラン(SiH2Cl2)とアンモニア(NH3)をプロセスガ
スとしたシリコン窒化膜の生成プロセスにスクリュー真
空ポンプを使用した例で、次に説明する。スクリュー真
空ポンプが外部駆動機構(図示せず)によって駆動され
ると、雄,雌ロータ4,5の回転に伴い、吸入口14から吸
入ポート24を介してプロセスガスが吸入作動室6aに吸入
される。さらに移送作動室6b,圧縮作動室6cとガスが搬
送され、最後に吐出作動室6d内のガスが吐出ポート25を
介して吐出口15に吐出される。すなわち、プロセスガス
は、吸入行程、移送行程、圧縮行程、吐出行程を順次行
い、吸入口14から吐出口15に流れる。
プロセスガスが流れているときの各作動室の圧力レベル
を見ると、第5図のようなP−V線図となる図において
e−h間は吸入行程、f−g間は移送行程、g−h間は
圧縮行程、h−i間は吐出行程である。排気速度1000l/
minクラスの真空ポンプを必要とするプロセスにおいて
は、通常数10cc/minのジクロールシランと数100cc/min
のアンモニアをプロセスガスとして流す。第5図からわ
かるように、圧縮行程、吐出行程におけるこれらのガス
による圧力は著しく大きくなるが、ガスパージ孔16から
窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスを数l/minから
数10l/min噴射することによって、従来の1/10〜1/100の
分圧とすることができる。
本実施例によれば、ポンプ内のプロセスガスの分圧を著
しく低減させ、塩化アンモニユウム(NH4C)が雄,雌ロ
ータ4,5ケーシング1に堆積するのを防止する効果があ
る。
第7図,第8図は本発明の他の実施例である。
この実施例においては、不活性ガス導入手段としてのガ
スパージ孔16が、吐出側の軸封部18に対向するように吐
出側ケーシング12に設けられている。
そして、ポンプ作動時は、ガスパージ孔16から窒素ガス
あるいはアルゴンガス等の不活性ガスを軸封部18の適当
な個所より導入する。すると不活性ガスの一部は、軸受
8の方向へ、他は作動室6側へと分れて各々流れてい
く。
作動室6側へは、第7図に示す排気側端面すきま50が負
圧の為、この不活性ガスが吸引され、そのまま雄,雌ロ
ータ4,5とケーシング1により構成される作動室6によ
り断熱圧縮される。その熱により、雄,雌ロータ4,5と
ケーシング1の壁面は加熱され、熱くなる。その為、半
導体製造過程により生成される異物がポンプ内に付着す
ることなく排気されることになる。
又、反応ガスそのものも、このパージガスにより薄めら
れる為、生成物も生成しにくくなる。
また、軸受8の方向へ流れるガスにより、軸受8から軸
封部18を経て作動室6方向への油もれがしにくくなる。
前述の吐出側の軸封部18の詳細を第8図に示す。
軸受8側の潤滑油侵入を防止する軸封部18には、シール
リング51、スペーサ52、カーボンリング53、ねじシール
54(雄ロータの吸入側、雌ロータの吐出側)あるいはね
じシール55(雄ロータの吐出側、雌ロータの吸入側)、
シール押え56、および油切りとして作用するラビリンズ
57が装着されており、シュパンリング58、なみばね59
は、前記の各シール部材を挾持するように、軸封部を軸
方向に固定する役割を果たしている。また、前述のカー
ボンリング54には、吐出側ケーシング12に設けられたガ
スパージ孔16に対向する部分にガス案内溝54aが形成さ
れている。これにより、ガスパージ孔16から導入される
不活性ガスはスムーズに軸封部18に流入される。
また、本実施例では、軸封部18における前記各シール部
材に加えて、雄,雌ロータ4,5の噛み合う作動室6側に
フェルトシール50を装置している。このフェルトシール
50は、ケーシング1に取付け用の溝を形設して装着した
ので、フエルトシール5は、雄,雌ロータ4,5の吐出側
の各ロータ軸4B,5Bの外周面に接触しているものであ
る。そして、これによって、作動室6から吐出口15にか
けて発生するダスト、例えば半導体製造過程で用いられ
る各種ガスから発生し析出する生成物が、軸封部18から
軸受7,8へ混入することを防止するとともに、作動室6
の負圧部のシール制を向上して、吸入側(真空とすべき
容器側)の到達圧力を改善することができる。
不活性ガス導入手段であるガスパージ孔16から導入され
た不活性ガスは、一部は、雄,雌ロータ4,5とケーシン
グ1により構成される作動室6へ吸引される。そのガス
は、そこで圧縮され、それに伴い熱を発生させ、ロータ
とケーシング表面を熱する。一般に、半導体製造プロセ
スに伴う生成物は、熱せられると、ガスのまま排気され
ていき、固形物として析出されてくるようなことはな
く、したがって、ポンプを詰まらせることもなく、ガス
を吐出口15から排気することができる。
なお、第7図は、軸封部18の詳細構造について示してい
るが、軸封部17もパージガス孔16を除いて同様の構造と
なっている。
また、この軸封部17も、第8図に示す構造と同様にし、
両方の軸封部17,18から不活性ガスを導入するようにし
てもよい。
この実施例によれば、軸封部18に適当な量、例えば雄,
雌ロータ4,5とケーシング1に構成される作動室6壁面
か、生成物が付着しなくなる温度迄熱させられる断熱圧
縮仕事が得られる量の不活性ガスを導入することによ
り、半導体製造装置の多量に生成物が発生するラインの
粗引用としてスクリュ式ドライ真空ポンプが提供するこ
とができる。
又、通常、CVD装置の場合、安全上の対策から真空ポン
プの吐出口直後に、窒素ガスによりプロセスガスを希釈
してからスクラバー等へ排気している。この希釈ガスを
軸封部に導入させれば、吐出口直後の窒素ガスは不要と
なる。さらにガス自身をポンプ内部で希釈してしまう
為、より安全なポンプを提供できる。
また、軸受8及びタイミング9,10の潤滑油が軸封部18を
経て作動室6側へ流れ込む油もれを防止できる。
前述したように、吐出側の軸封部18の適当な箇所に窒素
ガスやアルゴンガス等の不活性ガスを導入する。すると
一部は、作動室6側へ、他は、軸受8の方向へと流れて
いく。
軸受8の方向へと流れていくガスは、前述の潤滑油をタ
イミングギヤ9,10が収められたギヤケース側へ押し流す
働きをする。その作用により、油が作動室6へ混入せ
ず、油に汚染されていないクリーンな真空が得られる。
ギヤケースにもれていく不活性ガスにより、ギヤケース
内は圧力が高くなるため、ガス抽出手段によりガス抜き
をする必要がある。一方、この不活性ガスには、前述の
油分を多量に含んでいるため、この油をガスより分離さ
せ、ギヤケース内の油だまりに戻した方がよい。
第1図に示す実施例は、上記の点を考慮し、ガス抽出手
段を備えたものである。
ケーシング1に連結するギヤケース60は、その内部にタ
イミングギヤ9,10、タイミングギヤ9に噛合いモータ61
の回転軸に嵌合する増速ギヤ62が収納されている。
このギヤケース60内には、ギヤケース60に設けた給油ノ
ズル(図示せず)から、図示はされていないオイルポン
プによって供給されてくる潤滑油が所定量貯留されてい
る。
ギヤケース60の頂部にはその一端部が連設された第一の
圧力バランス配管63、大きな油滴をとるオイルセパレー
タ64が設けられており、オイルセパレータ64の下部には
油戻り配管66が設けられており、油は自動的にギヤケー
ス内に落下する。理由はセパレータ64は、ただ遠心作用
で油分をとる程度であるため圧損がなく、セパレータ64
とギヤケース60内には圧力差がなく、油は自然落下でき
る。さらにオイルセパレータ64には、細かい油分をとる
オイルセパレータ65がついており、これには圧損がある
のでセパレータされた油はそのままでは自然落下できな
い。そこで、オイルセパレータ65の下に戻り配管80、油
タンク83、戻り配管84、および、油タンク83の入口,出
口にバルブ81,82を設ける。そして、オイルセパレータ6
5内に油がたまったならば、82のバルブを閉め、81のバ
ルブを開けてオイルセパレータ65内の油を油タンク83へ
の自然落下させ、しかる後、バルブ81を閉め、バルブ82
を開けて油タンク83内の油を時間をかけて自然落下させ
る。
第2の圧力バランス配管67は、その一端部が油留り20の
頂部に他端部が吸入口14に連設されており、フオアライ
トラップ68を有している。
前述の第1の圧力バランス配管63には、セパレータ65と
吐出管側端部との間に例えば3方電磁弁などの切換弁69
が配設されている。
そして、この切換弁69は、ポンプ起動時には、一定時
間、ギヤケース60を吸入口側に連通し、一定時間後は、
吐出口側と連通するように作動するものてあり、これら
は不活性ガス抽出時におけるギヤケース60の圧力バラン
ス機構として機能するものである。
真空とすべき容器内のガスは、矢印に示すように吸入口
14から真空ポンプ本体のケーシング1内の作動室6を経
て、吐出口15、図示はされていない吐出管およびサイレ
ンサを介して矢印に示すように大気側に排出される。
潤滑油は、ギヤケース60内の底部に貯溜され、図示はさ
れていないオイルポンプ,オイルクーラ及び給油配管を
経由して各部に供給される。
以上述べたように、この実施例によれば、排気側軸封装
置に不活性ガスを導入し、ギヤケース側に流入する油分
を含んだ不活性ガスを、作業者の手を油分にふれたりす
ることなく処理することができ、メンテナンスの軽減さ
れたスクリュー式ドライ真空ポンプを提供することがで
きる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、反応生成物の堆
積防止用に導入した不活性ガスを簡便に処理することが
でき、メンテナンス作業が軽減され、さらにクリーンル
ームをメンテナンスにより油分で汚染することがない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す真空ポンプの全体構成
図、第2図は本発明のスクリュー真空ポンプの要部の縦
断面図、第3図は第2図のロータ中心III−III線におけ
る横断面図、第4図は第2図のIV−IV線断面図、第5図
は第4図のケーシングの雄,雌ボア交線aを中心とした
ロータ歯溝の展開図、第6図はスクリュー真空ポンプの
P−V線図、第7図は本発明の実施例の要部の縦断面
図、第8図は第7図における軸封部の拡大断面図であ
る。 1……ケーシング、4……雄ロータ、5……雌ロータ、
6……作動室、7,8……軸受、9,10……タイミングギ
ヤ、14……吸入口、15……吐出口、16……ガスパージ
孔、17,18……軸封部、31……反応室、60……ギヤケー
ス、63……第1の圧力バランス配管、64……第1のセパ
レータ、65……第2のセパレータ、67……第2の圧力バ
ランス配管、68…フオアライントラップ、69……切換
弁。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】吸入ポート及び吐出ポートを有するポンプ
    ケーシングと、このケーシング内に両端部が軸支され互
    いに噛合いながら同期して回転するように配置された対
    の雄ロータ及び雌ロータと、それぞれの軸支部に設けら
    れた軸封手段と、前記対の雄ロータ及び雌ロータに回転
    力を伝えるギヤを収納するギヤケースと、前記軸封手段
    のうち吐出ポート側に設けた軸封手段に不活性ガスを導
    入する不活性ガス導入手段と、前記ギヤケース内の不活
    性ガスを抽出する不活性ガス抽出手段を備え、前記不活
    性ガス抽出手段は、ガスと油とを分離するセパレータ
    と、このセパレータにより分離された油をギヤケースに
    戻す管路と、さらに細かい油分をとるセパレータと、分
    離された油をギヤケースに戻す2個のバルブとタンクを
    介在した管路を有することを特徴とするスクリュー真空
    ポンプ。
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