JPH0765162B2 - Ｐｖｄ装置 - Google Patents
Ｐｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0765162B2 JPH0765162B2 JP3100965A JP10096591A JPH0765162B2 JP H0765162 B2 JPH0765162 B2 JP H0765162B2 JP 3100965 A JP3100965 A JP 3100965A JP 10096591 A JP10096591 A JP 10096591A JP H0765162 B2 JPH0765162 B2 JP H0765162B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- permanent magnets
- raw material
- permanent magnet
- plasma
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマガンからのプ
ラズマ流を磁場によって蒸発原料るつぼ上に導いて蒸発
原料を蒸発させ、該蒸発原料の上方に置かれた基体表面
に薄膜を形成するＰＶＤ装置に関するものである。
ラズマ流を磁場によって蒸発原料るつぼ上に導いて蒸発
原料を蒸発させ、該蒸発原料の上方に置かれた基体表面
に薄膜を形成するＰＶＤ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、イオンプレーティング処理あるい
は真空蒸着処理を行なう前記ＰＶＤ（ｐｈｙｓｉｃａｌ
ｖａｐｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置として、図
１２に示すように、真空室１の側部に、たとえば圧力勾
配型プラズマガン２を取付け、前記プラズマガン２から
のプラズマ流３を空芯コイル９によって、１０-2〜１０
-4Ｔｏｒｒの圧力状態とされた真空室１に引き出し、こ
のプラズマ流３を蒸発原料るつぼ５の下方に設置された
１個の固定永久磁石６の作る磁場によってるつぼ５に集
束させて、蒸発原料４を蒸発させるとともに、該蒸発原
料４の上方に置かれた基体１０の表面に薄膜を形成する
ものがある。なお、反応ガス導入口１２よりＮ2、Ｏ2等
の反応ガスを導入してもよい。
は真空蒸着処理を行なう前記ＰＶＤ（ｐｈｙｓｉｃａｌ
ｖａｐｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置として、図
１２に示すように、真空室１の側部に、たとえば圧力勾
配型プラズマガン２を取付け、前記プラズマガン２から
のプラズマ流３を空芯コイル９によって、１０-2〜１０
-4Ｔｏｒｒの圧力状態とされた真空室１に引き出し、こ
のプラズマ流３を蒸発原料るつぼ５の下方に設置された
１個の固定永久磁石６の作る磁場によってるつぼ５に集
束させて、蒸発原料４を蒸発させるとともに、該蒸発原
料４の上方に置かれた基体１０の表面に薄膜を形成する
ものがある。なお、反応ガス導入口１２よりＮ2、Ｏ2等
の反応ガスを導入してもよい。
【０００３】また、図１４に示すように、プラズマガン
２からのプラズマ流３を一対の永久磁石１５の磁場によ
ってシート状に変形し、該シート状プラズマ流３を、そ
の幅方向に設けた細長いるつぼ５の下方に設置された１
個の細長い固定永久磁石６によって蒸発原料４上に導
き、蒸発原料４を蒸発させ、該蒸発原料４の上方に置か
れた基体１０の表面に薄膜を形成するものがある。
２からのプラズマ流３を一対の永久磁石１５の磁場によ
ってシート状に変形し、該シート状プラズマ流３を、そ
の幅方向に設けた細長いるつぼ５の下方に設置された１
個の細長い固定永久磁石６によって蒸発原料４上に導
き、蒸発原料４を蒸発させ、該蒸発原料４の上方に置か
れた基体１０の表面に薄膜を形成するものがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記構
成では、るつぼ５の下方に設置される永久磁石６によっ
て形成される磁束密度分布は、該永久磁石６の設置位置
および形状によって一定状態となっているので、前記磁
束密度分布と相関関係にあるプラズマ流の密度分布も一
定状態である。すなわち、蒸着面積あるいは蒸発原料４
の溶融状態は一定状態であるため、蒸着面積を変更する
には、薄膜が形成される基体１０とるつぼ５との間の距
離を変更するか、プラズマガン２の出力を変更するか、
または、るつぼ５の下方に設置された１個の固定永久磁
石６を形状の異なるものに取り替えることが不可欠であ
り、非常に操作が面倒であるという問題を有する。一
方、一般に、ＰＶＤ装置においては、基体１０の表面に
形成される薄膜の膜厚分布は、図１３，図１５に示すよ
うに、永久磁石６の中心上で最大値をとり、中心から外
れるにしたがって下降する傾向にあり、膜厚が不均一と
なるという問題を有する。特に、基体１０が連続的に移
動するストリップである場合、ストリップの幅方向にお
ける膜厚の均一性を確保することができないという問題
を有する。したがって、本発明は前記従来の問題を、簡
単な手段で解決することのできるＰＶＤ装置を提供する
ことを目的とする。
成では、るつぼ５の下方に設置される永久磁石６によっ
て形成される磁束密度分布は、該永久磁石６の設置位置
および形状によって一定状態となっているので、前記磁
束密度分布と相関関係にあるプラズマ流の密度分布も一
定状態である。すなわち、蒸着面積あるいは蒸発原料４
の溶融状態は一定状態であるため、蒸着面積を変更する
には、薄膜が形成される基体１０とるつぼ５との間の距
離を変更するか、プラズマガン２の出力を変更するか、
または、るつぼ５の下方に設置された１個の固定永久磁
石６を形状の異なるものに取り替えることが不可欠であ
り、非常に操作が面倒であるという問題を有する。一
方、一般に、ＰＶＤ装置においては、基体１０の表面に
形成される薄膜の膜厚分布は、図１３，図１５に示すよ
うに、永久磁石６の中心上で最大値をとり、中心から外
れるにしたがって下降する傾向にあり、膜厚が不均一と
なるという問題を有する。特に、基体１０が連続的に移
動するストリップである場合、ストリップの幅方向にお
ける膜厚の均一性を確保することができないという問題
を有する。したがって、本発明は前記従来の問題を、簡
単な手段で解決することのできるＰＶＤ装置を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、プラズマガンからのプラズマ流を磁場に
よって蒸発原料るつぼ上に導いて蒸発原料を蒸発させ、
該蒸発原料の上方に置かれた基体表面に薄膜を形成する
ＰＶＤ装置において、前記蒸発原料るつぼの下方に複数
個の永久磁石を個々に上下方向に移動可能に配設したも
のである。
成するために、プラズマガンからのプラズマ流を磁場に
よって蒸発原料るつぼ上に導いて蒸発原料を蒸発させ、
該蒸発原料の上方に置かれた基体表面に薄膜を形成する
ＰＶＤ装置において、前記蒸発原料るつぼの下方に複数
個の永久磁石を個々に上下方向に移動可能に配設したも
のである。
【０００６】
【作用】前記のように、本発明においては、蒸発原料る
つぼの下方に複数の永久磁石を設け、この複数の永久磁
石を個々に上下方向に移動可能としたため、るつぼ部に
任意の磁束密度分布が形成できてプラズマ流が蒸発原料
上に集束する密度を容易に変更することができる。すな
わち、蒸発原料に集束するプラズマの密度分布は各永久
磁石の上下方向の位置関係に依存する。したがって蒸発
原料の溶融の度合いは各永久磁石の上下方向の位置関係
に依存するため、基体上に形成される薄膜の膜厚分布お
よび蒸発原料の溶融範囲も各永久磁石の上下方向の位置
関係に依存する。このことにより、膜厚の薄くなる基体
部位に対応するるつぼにプラズマを密に集束させる一
方、膜厚の厚くなる基体部位に対応するるつぼにプラズ
マを粗に集束させることによって膜厚の均一性の向上が
図れる。また、るつぼの所定部位にプラズマを集束させ
ないようにすることによって溶融範囲（蒸着範囲）を変
更することができる。
つぼの下方に複数の永久磁石を設け、この複数の永久磁
石を個々に上下方向に移動可能としたため、るつぼ部に
任意の磁束密度分布が形成できてプラズマ流が蒸発原料
上に集束する密度を容易に変更することができる。すな
わち、蒸発原料に集束するプラズマの密度分布は各永久
磁石の上下方向の位置関係に依存する。したがって蒸発
原料の溶融の度合いは各永久磁石の上下方向の位置関係
に依存するため、基体上に形成される薄膜の膜厚分布お
よび蒸発原料の溶融範囲も各永久磁石の上下方向の位置
関係に依存する。このことにより、膜厚の薄くなる基体
部位に対応するるつぼにプラズマを密に集束させる一
方、膜厚の厚くなる基体部位に対応するるつぼにプラズ
マを粗に集束させることによって膜厚の均一性の向上が
図れる。また、るつぼの所定部位にプラズマを集束させ
ないようにすることによって溶融範囲（蒸着範囲）を変
更することができる。
【０００７】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を図面にしたがって
説明する。本発明は、前記従来のＰＶＤ装置におけるる
つぼ５の下方に配置する永久磁石６を複数の永久磁石６
ａ，６ｂ，…で構成し、これら永久磁石６ａ，６ｂ，…
を各々駆動装置により上下動可能としたものである。そ
の他は従来と同様であるため同一部分に同一符号を付し
て説明を省略する。図１は、本発明にかかるＰＶＤ装置
の第１実施例を示し、永久磁石６は図２に示すように、
円形状のるつぼ５の中心部に１個の円柱状永久磁石６ａ
を、その周囲に１／４円柱状の８個の永久磁石６ｂ〜６
ｅ，６ｆ〜６ｉを二つの円周上に４個ずつ配設したもの
である。
説明する。本発明は、前記従来のＰＶＤ装置におけるる
つぼ５の下方に配置する永久磁石６を複数の永久磁石６
ａ，６ｂ，…で構成し、これら永久磁石６ａ，６ｂ，…
を各々駆動装置により上下動可能としたものである。そ
の他は従来と同様であるため同一部分に同一符号を付し
て説明を省略する。図１は、本発明にかかるＰＶＤ装置
の第１実施例を示し、永久磁石６は図２に示すように、
円形状のるつぼ５の中心部に１個の円柱状永久磁石６ａ
を、その周囲に１／４円柱状の８個の永久磁石６ｂ〜６
ｅ，６ｆ〜６ｉを二つの円周上に４個ずつ配設したもの
である。
【０００８】そして、前記永久磁石６ａ〜６ｉは、各々
別個のモータ７にリンケージ１３により支持され、各モ
ータ７を駆動することにより、各永久磁石６ａ〜６ｉは
るつぼ５の下方で上下方向に昇降可能となっている。な
お、８は永久磁石６ａ〜６ｉの位置検出装置である。
別個のモータ７にリンケージ１３により支持され、各モ
ータ７を駆動することにより、各永久磁石６ａ〜６ｉは
るつぼ５の下方で上下方向に昇降可能となっている。な
お、８は永久磁石６ａ〜６ｉの位置検出装置である。
【０００９】前記実施例では、永久磁石６を９個の永久
磁石６ａ〜６ｉで構成したがこれに限らず、また、永久
磁石６ａ〜６ｉの形状も実施例のものに限らない。さら
に、永久磁石６を処理室１内に配置したが、処理室１外
のるつぼ５の下方に設置してもよい。
磁石６ａ〜６ｉで構成したがこれに限らず、また、永久
磁石６ａ〜６ｉの形状も実施例のものに限らない。さら
に、永久磁石６を処理室１内に配置したが、処理室１外
のるつぼ５の下方に設置してもよい。
【００１０】そして、前記各モータ７を駆動して、図３
に示すように、永久磁石６ａ〜６ｉのうち、その中心部
の永久磁石６ａを最も低く、最外周の永久磁石６ｆ〜６
ｉを最も高く設定すると、るつぼ５上の磁束密度は各永
久磁石６ａ〜６ｉの上下方向の位置に依存するため、図
４に示すように、最外周の１／４円柱状の永久磁石６ｆ
〜６ｉの近傍は高く、これよりも下方向（モータ７方
向）にある内側の１／４円柱状の永久磁石６ｂ〜６ｅの
近傍はこれよりも低く、そして最も下方向（モータ７方
向）の円柱状の永久磁石６ａの近傍はさらに低くなる。
したがって、プラズマ流３はるつぼ５の外周方向で密
に、また基体の中央付近に対応するるつぼ５の中央付近
で粗に集束することになり、膜厚の均一性の向上が図れ
る。また、図５に示すように、最外周の永久磁石６ｆ〜
６ｉを最も低く、永久磁石６ｂ〜６ｅを最も高く、か
つ、永久磁石６ａを６ｂ〜６ｅよりも少し低く設定する
と、図６のような磁束密度を示す。したがって、プラズ
マ流３は上方向（基体１０方向）にあり磁束密度の高い
るつぼ５中央の円柱状の永久磁石６ａとその周囲にある
１／４円柱状の永久磁石６ｂ〜６ｅ近傍には密に集束す
るが、これよりもかなり下方向（モータ７方向）にあり
磁束密度の極めて低い最外周の１／４円柱状の永久磁石
６ｆ〜６ｉの近傍にはほとんど集束しないことになり、
基体１０上の蒸着範囲が狭くなる。
に示すように、永久磁石６ａ〜６ｉのうち、その中心部
の永久磁石６ａを最も低く、最外周の永久磁石６ｆ〜６
ｉを最も高く設定すると、るつぼ５上の磁束密度は各永
久磁石６ａ〜６ｉの上下方向の位置に依存するため、図
４に示すように、最外周の１／４円柱状の永久磁石６ｆ
〜６ｉの近傍は高く、これよりも下方向（モータ７方
向）にある内側の１／４円柱状の永久磁石６ｂ〜６ｅの
近傍はこれよりも低く、そして最も下方向（モータ７方
向）の円柱状の永久磁石６ａの近傍はさらに低くなる。
したがって、プラズマ流３はるつぼ５の外周方向で密
に、また基体の中央付近に対応するるつぼ５の中央付近
で粗に集束することになり、膜厚の均一性の向上が図れ
る。また、図５に示すように、最外周の永久磁石６ｆ〜
６ｉを最も低く、永久磁石６ｂ〜６ｅを最も高く、か
つ、永久磁石６ａを６ｂ〜６ｅよりも少し低く設定する
と、図６のような磁束密度を示す。したがって、プラズ
マ流３は上方向（基体１０方向）にあり磁束密度の高い
るつぼ５中央の円柱状の永久磁石６ａとその周囲にある
１／４円柱状の永久磁石６ｂ〜６ｅ近傍には密に集束す
るが、これよりもかなり下方向（モータ７方向）にあり
磁束密度の極めて低い最外周の１／４円柱状の永久磁石
６ｆ〜６ｉの近傍にはほとんど集束しないことになり、
基体１０上の蒸着範囲が狭くなる。
【００１１】つまり、真空室１に引出されたプラズマ流
３は、各永久磁石６ａ〜６ｉの上下方向の位置に基づく
磁束密度分布に応じて蒸着原料るつぼ５に集束すること
になるため、前記各永久磁石６ａ〜６ｉの上下方向の位
置を変更することにより、蒸着原料４の溶融範囲あるい
は溶融度合が調節できて膜厚の均一性が図れるととも
に、蒸着面積の変更を容易に行うことができる。
３は、各永久磁石６ａ〜６ｉの上下方向の位置に基づく
磁束密度分布に応じて蒸着原料るつぼ５に集束すること
になるため、前記各永久磁石６ａ〜６ｉの上下方向の位
置を変更することにより、蒸着原料４の溶融範囲あるい
は溶融度合が調節できて膜厚の均一性が図れるととも
に、蒸着面積の変更を容易に行うことができる。
【００１２】図７は本発明の第２実施例を示し、図１１
に示す従来のシートプラズマ式ＰＶＤ装置に適用したも
ので、細長いるつぼ５の下方に複数の永久磁石６ａ〜６
ｉを一列に配設し、各永久磁石６ａ〜６ｉを上下動可能
としたものである。なお、前記永久磁石６ａ〜６ｉの上
下動は、複数個を同時に行うようにしてもよい。図８に
示すように、永久磁石６ａ〜６ｉのうち、そのるつぼ５
中央部の永久磁石６ｅを最も低く、両側の永久磁石６ｄ
〜６ａ，６ｆ〜６ｉを順次高く設定すると、図９に示す
ように、磁束密度はるつぼ５に近い永久磁石６ａ，６ｉ
の近傍は高く、るつぼ５から離れた永久磁石６ｅの近傍
は低くなる。したがってシート状プラズマ流３はるつぼ
５に近い永久磁石６ａ，６ｉの近傍は密に、そしてるつ
ぼ５から離れた永久磁石６ｅの近傍は粗に集束すること
になり膜厚の均一性の向上が図れる。
に示す従来のシートプラズマ式ＰＶＤ装置に適用したも
ので、細長いるつぼ５の下方に複数の永久磁石６ａ〜６
ｉを一列に配設し、各永久磁石６ａ〜６ｉを上下動可能
としたものである。なお、前記永久磁石６ａ〜６ｉの上
下動は、複数個を同時に行うようにしてもよい。図８に
示すように、永久磁石６ａ〜６ｉのうち、そのるつぼ５
中央部の永久磁石６ｅを最も低く、両側の永久磁石６ｄ
〜６ａ，６ｆ〜６ｉを順次高く設定すると、図９に示す
ように、磁束密度はるつぼ５に近い永久磁石６ａ，６ｉ
の近傍は高く、るつぼ５から離れた永久磁石６ｅの近傍
は低くなる。したがってシート状プラズマ流３はるつぼ
５に近い永久磁石６ａ，６ｉの近傍は密に、そしてるつ
ぼ５から離れた永久磁石６ｅの近傍は粗に集束すること
になり膜厚の均一性の向上が図れる。
【００１３】また、図１０に示すように、るつぼ５の両
端の各２個の永久磁石６ａ，６ｂ、６ｈ，６ｉをるつぼ
５のかなり下方に、それ以外の永久磁石６ｃ〜６ｇをる
つぼ５の下方近傍に設定すると、図１１に示すように、
るつぼ５直上の上方向（基体１０方向）の磁束密度分布
は、るつぼ５の両端の各２個の永久磁石６ａ，６ｂ，６
ｈ，６ｉの近傍は極めて低く、るつぼ５の両端の各２個
を除く永久磁石６ｃ〜６ｇの近傍は高くなる。したがっ
て、シート状プラズマ３はるつぼ５の両端の各２個を除
く永久磁石６の近傍には密に集束し、磁束密度の極めて
低いるつぼ５の両端の各２個の永久磁石６の近傍にはほ
とんど集束しないことになり、基体１０における蒸着範
囲は狭くなる。なお、中央部の永久磁石６ｃ〜６ｇは、
図８に示すように、中央部の永久磁石６ｅを最も低く、
両側を順次高く設定してもよい。つまり、第１実施例と
同様、各永久磁石６ａ〜６ｉを上下することにより、蒸
発原料４の溶融の度合あるいは範囲の変更と、薄膜の膜
厚分布を均一にすることができる。
端の各２個の永久磁石６ａ，６ｂ、６ｈ，６ｉをるつぼ
５のかなり下方に、それ以外の永久磁石６ｃ〜６ｇをる
つぼ５の下方近傍に設定すると、図１１に示すように、
るつぼ５直上の上方向（基体１０方向）の磁束密度分布
は、るつぼ５の両端の各２個の永久磁石６ａ，６ｂ，６
ｈ，６ｉの近傍は極めて低く、るつぼ５の両端の各２個
を除く永久磁石６ｃ〜６ｇの近傍は高くなる。したがっ
て、シート状プラズマ３はるつぼ５の両端の各２個を除
く永久磁石６の近傍には密に集束し、磁束密度の極めて
低いるつぼ５の両端の各２個の永久磁石６の近傍にはほ
とんど集束しないことになり、基体１０における蒸着範
囲は狭くなる。なお、中央部の永久磁石６ｃ〜６ｇは、
図８に示すように、中央部の永久磁石６ｅを最も低く、
両側を順次高く設定してもよい。つまり、第１実施例と
同様、各永久磁石６ａ〜６ｉを上下することにより、蒸
発原料４の溶融の度合あるいは範囲の変更と、薄膜の膜
厚分布を均一にすることができる。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、るつぼの下方に設置する永久磁石を複数の永久
磁石で構成し、これらを個々に上下動可能としたから、
るつぼ部に所望の磁束密度分布を形成させることができ
る。すなわち、蒸発原料に集束するプラズマの密度分布
を基板の膜厚状態によって最適な分布にすることがで
き、均一な厚みの薄膜を得ることができるばかりか、基
体の大きさに応じて最適な蒸着面積を確保することがで
き、成膜の効率向上を図ることができる。
よれば、るつぼの下方に設置する永久磁石を複数の永久
磁石で構成し、これらを個々に上下動可能としたから、
るつぼ部に所望の磁束密度分布を形成させることができ
る。すなわち、蒸発原料に集束するプラズマの密度分布
を基板の膜厚状態によって最適な分布にすることがで
き、均一な厚みの薄膜を得ることができるばかりか、基
体の大きさに応じて最適な蒸着面積を確保することがで
き、成膜の効率向上を図ることができる。
【図１】 本発明の第１実施例を示すＰＶＤ装置の概略
図である。
図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ線の詳細拡大断面図である。
【図３】 図２の永久磁石を上下動させた断面図であ
る。
る。
【図４】 図３の状態における磁束密度を示すグラフで
ある。
ある。
【図５】 図２の永久磁石を上下動させた断面図であ
る。
る。
【図６】 図５の状態における磁束密度を示すグラフで
ある。
ある。
【図７】 本発明の第２実施例を示すＰＶＤ装置の概略
図である。
図である。
【図８】 図７のＢ−Ｂ線の拡大断面図である。
【図９】 図８の状態における磁束密度を示すグラフで
ある。
ある。
【図１０】 図７の永久磁石を上下動させた断面図であ
る。
る。
【図１１】 図１０の状態における磁束密度を示すグラ
フである。
フである。
【図１２】 従来のＰＶＤ装置の概略図である。
【図１３】 図１２の磁束密度および膜厚を示すグラフ
である。
である。
【図１４】 従来の他のＰＶＤ装置の概略図である。
【図１５】 図１４の磁束密度と膜厚を示すグラフであ
る。
る。
１…真空室、２…プラズマガン、３…プラズマ流、４…
蒸発原料、５…るつぼ、６，６ａ〜６ｉ…永久磁石、７
…モータ、１０…基体。
蒸発原料、５…るつぼ、６，６ａ〜６ｉ…永久磁石、７
…モータ、１０…基体。
Claims (1)
- 【請求項１】 プラズマガンからのプラズマ流を磁場に
よって蒸発原料るつぼ上に導いて蒸発原料を蒸発させ、
該蒸発原料の上方に置かれた基体表面に薄膜を形成する
ＰＶＤ装置において、前記蒸発原料るつぼの下方に複数
個の永久磁石を個々に上下方向に昇降可能に配設したこ
とを特徴とするＰＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3100965A JPH0765162B2 (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | Ｐｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3100965A JPH0765162B2 (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | Ｐｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04329868A JPH04329868A (ja) | 1992-11-18 |
| JPH0765162B2 true JPH0765162B2 (ja) | 1995-07-12 |
Family
ID=14288067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3100965A Expired - Lifetime JPH0765162B2 (ja) | 1991-05-02 | 1991-05-02 | Ｐｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0765162B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01119666A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マグネトロンスパッタリング装置 |
| JP2769572B2 (ja) * | 1989-05-02 | 1998-06-25 | 日本電信電話株式会社 | マグネトロンスパッタリング用カソード |
| JPH0361364A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-18 | Asahi Glass Co Ltd | シートプラズマを利用した薄膜形成方法 |
-
1991
- 1991-05-02 JP JP3100965A patent/JPH0765162B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04329868A (ja) | 1992-11-18 |
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