JPH0763100B2 - ジヨセフソン接合素子及びその製法 - Google Patents
ジヨセフソン接合素子及びその製法Info
- Publication number
- JPH0763100B2 JPH0763100B2 JP61116736A JP11673686A JPH0763100B2 JP H0763100 B2 JPH0763100 B2 JP H0763100B2 JP 61116736 A JP61116736 A JP 61116736A JP 11673686 A JP11673686 A JP 11673686A JP H0763100 B2 JPH0763100 B2 JP H0763100B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- josephson junction
- single crystal
- thin film
- slit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910016063 BaPb Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジヨセフソン接合素子及びその製法に関する
ものであり、特に、マイクロ液から赤外光にわたる電磁
波の検出・発振および論理回路素子などに使用されるジ
ヨセフソン接合素子およびその製法に関するものであ
る。
ものであり、特に、マイクロ液から赤外光にわたる電磁
波の検出・発振および論理回路素子などに使用されるジ
ヨセフソン接合素子およびその製法に関するものであ
る。
鉛ビスマス酸バリウム（BaPb1-xBixO3以下BPBと略す）
はｘ＜0.35で超伝導を示し、ｘ＝0.25〜0.3で超伝導転
移温度は最高13Kに達する。この物質は普通の金属超伝
導体に比較してキヤリア濃度が約１桁以上小さいという
特徴を有する。この低キヤリア濃度性のためにPBP多結
晶薄膜の粒界のポテンシヤルバリアが有限の厚さをも
ち、それが都合よくジヨセフソン接合となる（特願昭56
-11821）。しかし、この場合のジヨセフソン接合は各微
結晶の粒界に自然に生じたものであるため接合の位置と
大きさを決めかつ希望通りに決めることはできない。さ
らに直列・並列に多数の接合が並ぶので接合の数を少数
個に絞ることが難しい。
はｘ＜0.35で超伝導を示し、ｘ＝0.25〜0.3で超伝導転
移温度は最高13Kに達する。この物質は普通の金属超伝
導体に比較してキヤリア濃度が約１桁以上小さいという
特徴を有する。この低キヤリア濃度性のためにPBP多結
晶薄膜の粒界のポテンシヤルバリアが有限の厚さをも
ち、それが都合よくジヨセフソン接合となる（特願昭56
-11821）。しかし、この場合のジヨセフソン接合は各微
結晶の粒界に自然に生じたものであるため接合の位置と
大きさを決めかつ希望通りに決めることはできない。さ
らに直列・並列に多数の接合が並ぶので接合の数を少数
個に絞ることが難しい。
これを改善するため既に本発明者等は、先に提案した特
願昭61-31653において、第８図に示すように（100）軸
に沿つた２個のSrTiO3基板を（010）軸または（001）軸
が接触面と角度θ（０°＜θ＜45°）をなすように接合
させ、これを（100）面に垂直面にスライスして適当な
厚さ（0.3〜0.5mm）の板とし、これらの板の光学的研磨
を行つて第９図のような複合基板とする。このSrTiO3複
合基板の上にBPBをエピタキシヤル成長させることによ
り、この複合基板の境界線に沿つて基板に垂直な面をも
つジヨセフソン接合が形成できることを提案した。
願昭61-31653において、第８図に示すように（100）軸
に沿つた２個のSrTiO3基板を（010）軸または（001）軸
が接触面と角度θ（０°＜θ＜45°）をなすように接合
させ、これを（100）面に垂直面にスライスして適当な
厚さ（0.3〜0.5mm）の板とし、これらの板の光学的研磨
を行つて第９図のような複合基板とする。このSrTiO3複
合基板の上にBPBをエピタキシヤル成長させることによ
り、この複合基板の境界線に沿つて基板に垂直な面をも
つジヨセフソン接合が形成できることを提案した。
即ち、前記基板を500〜800℃の温度に保持し、アルゴン
酸素混合雰囲気中において、基板上に単結晶ビスマス酸
バリウム単結晶薄膜を成長させる。この方法も既に本件
発明者等が既に提案した（特願昭58-146702号参照）。
酸素混合雰囲気中において、基板上に単結晶ビスマス酸
バリウム単結晶薄膜を成長させる。この方法も既に本件
発明者等が既に提案した（特願昭58-146702号参照）。
しかし、この方法ではジヨセフソン接合を形成する部分
にSrTiO3の接合の境界線をつくる必要があり、ジヨセフ
ソン接合の回路作製においてジヨセフソン接合を多数接
近して任意の位置と大きさに形成することが困難であ
る。
にSrTiO3の接合の境界線をつくる必要があり、ジヨセフ
ソン接合の回路作製においてジヨセフソン接合を多数接
近して任意の位置と大きさに形成することが困難であ
る。
本発明は、前述の欠点を除去した新規の発明であつて、
その目的とする所は、前述の提案例におけるジヨセフソ
ン接合を結晶の接合部に沿つてしか形成できない欠点を
解決し得るジヨセフソン接合素子およびその製法を提供
することである。
その目的とする所は、前述の提案例におけるジヨセフソ
ン接合を結晶の接合部に沿つてしか形成できない欠点を
解決し得るジヨセフソン接合素子およびその製法を提供
することである。
本発明はBaPb1-xBixO3をヘテロエピタキシヤル成長させ
る際に、基板結晶表面に段差を設けるかまたは基板表面
にアモルフアスまたは結晶構造が基板材料とは異なる材
料によるスリット状薄膜パターンを設けた後、その上に
BPBをエピタキシヤル成長させることにより、境界部に
接合面をもつジヨセフソン接合を形成することを主な特
徴としている。この製法は、前述した先行技術（本願発
明者等による提案）のジヨセフソン接合の製法と異なり
SrTiO3単結晶を２つ接合させた複合基板を用いる必要が
ない。
る際に、基板結晶表面に段差を設けるかまたは基板表面
にアモルフアスまたは結晶構造が基板材料とは異なる材
料によるスリット状薄膜パターンを設けた後、その上に
BPBをエピタキシヤル成長させることにより、境界部に
接合面をもつジヨセフソン接合を形成することを主な特
徴としている。この製法は、前述した先行技術（本願発
明者等による提案）のジヨセフソン接合の製法と異なり
SrTiO3単結晶を２つ接合させた複合基板を用いる必要が
ない。
本発明のジヨセフソン素子は、第３図又は第６図に図示
される構成であるが、そのジヨセフソン接合４′,4″が
形成される理由は次のように説明できる。図示例第１
図，第２図（Ａ），（Ｂ）及び第３図は、基板１に段差
を有する例を図示したものであり、図示例第４図，第５
図（ａ），（ｂ）及び第６図は、基板１にスリツト状薄
膜パターンを有する例を図示したものである。それぞれ
の製法については実施例に基いて後述する。
される構成であるが、そのジヨセフソン接合４′,4″が
形成される理由は次のように説明できる。図示例第１
図，第２図（Ａ），（Ｂ）及び第３図は、基板１に段差
を有する例を図示したものであり、図示例第４図，第５
図（ａ），（ｂ）及び第６図は、基板１にスリツト状薄
膜パターンを有する例を図示したものである。それぞれ
の製法については実施例に基いて後述する。
先づ、基板に段差を有する場合について説明する。第２
図（Ａ），（Ｂ）において、段差８の両側では単結晶表
面にBPBの単結晶薄膜が成長するが、８の部分では段差
のため基板に垂直にデイスローケーシヨン（面のすべ
り）が生じる。このデイスローケーシヨンに沿つて表面
準位が生じ、この表面準位に捕獲された電子によりポテ
ンシヤ・バリアが生ずる。このポテンシヤルバリアの厚
さは約20Åで、BPBが超伝導状態になるとジヨセフソン
電流が流れ得る。つまり、境界４′がジヨセフソン接合
となる。
図（Ａ），（Ｂ）において、段差８の両側では単結晶表
面にBPBの単結晶薄膜が成長するが、８の部分では段差
のため基板に垂直にデイスローケーシヨン（面のすべ
り）が生じる。このデイスローケーシヨンに沿つて表面
準位が生じ、この表面準位に捕獲された電子によりポテ
ンシヤ・バリアが生ずる。このポテンシヤルバリアの厚
さは約20Åで、BPBが超伝導状態になるとジヨセフソン
電流が流れ得る。つまり、境界４′がジヨセフソン接合
となる。
次に、基板にスリツト状薄膜パターンを有する例につい
て説明する。第４図，第５図（ａ），（ｂ）及び第６図
においては、薄膜９（後述の実施例ではCr）により、こ
の部分のみ最初BPBがエピタキシヤル成長することが阻
害され、結晶成長の初期ではこの部分には他結晶相が成
長する。しかし、薄膜全体の厚さが増加するにつれて両
側のエピタキシヤル成長による結晶相の影響を受け、多
結晶相の領域が減少して行く。この領域の幅がある一定
値以下のとき薄膜成長の過程で多結晶の部分は消失し、
この境界４″がジヨセフソン接合となる。
て説明する。第４図，第５図（ａ），（ｂ）及び第６図
においては、薄膜９（後述の実施例ではCr）により、こ
の部分のみ最初BPBがエピタキシヤル成長することが阻
害され、結晶成長の初期ではこの部分には他結晶相が成
長する。しかし、薄膜全体の厚さが増加するにつれて両
側のエピタキシヤル成長による結晶相の影響を受け、多
結晶相の領域が減少して行く。この領域の幅がある一定
値以下のとき薄膜成長の過程で多結晶の部分は消失し、
この境界４″がジヨセフソン接合となる。
次に、本発明の実施例について説明する。
〔実施例１〕 （100）面のSRTiO3基板上にレジスト５を約1.5μｍ塗布
し、その上にCr6を、厚さ約1000Å蒸着した後、通常の
リソグラフ工程により第１図のように基板面の半分から
Cr膜とレジストを除去する。この構造にした後、アルゴ
ンガス（３×10-2Torr）で高周波（13MHz、電力200W）
によりSrTiO3基板表面を約400Åエツチングを行つた
（第１図点線はエツチング後の基板面を示す）。第１図
からレジストとCrを除去すると第２図（Ａ），（Ｂ）の
ような段差の付いた基板となる。
し、その上にCr6を、厚さ約1000Å蒸着した後、通常の
リソグラフ工程により第１図のように基板面の半分から
Cr膜とレジストを除去する。この構造にした後、アルゴ
ンガス（３×10-2Torr）で高周波（13MHz、電力200W）
によりSrTiO3基板表面を約400Åエツチングを行つた
（第１図点線はエツチング後の基板面を示す）。第１図
からレジストとCrを除去すると第２図（Ａ），（Ｂ）の
ような段差の付いた基板となる。
この段差８の付いた（100）面のSrTiO3基板上にBaPb0.7
Bi0.3O3をエピタキシヤル成長させた。組成Ba(Pb0.7Bi
0.3)1.5O4のターゲットを用い、550℃〜650℃に基板を
加熱しておき、その上にマグネトロンスパツタ法により
印加高周波電圧1.8KV、アルゴン酸素混合ガス（各50
％）の圧力８×10-2Torrの下で10分間にわたつてスパツ
タを行つた。その結果得られた膜の厚さは約3000Åであ
り、Ｘ線回析および電子回析の結果は（100）面のBPB膜
がエピタキシヤル成長していることを示した。
Bi0.3O3をエピタキシヤル成長させた。組成Ba(Pb0.7Bi
0.3)1.5O4のターゲットを用い、550℃〜650℃に基板を
加熱しておき、その上にマグネトロンスパツタ法により
印加高周波電圧1.8KV、アルゴン酸素混合ガス（各50
％）の圧力８×10-2Torrの下で10分間にわたつてスパツ
タを行つた。その結果得られた膜の厚さは約3000Åであ
り、Ｘ線回析および電子回析の結果は（100）面のBPB膜
がエピタキシヤル成長していることを示した。
このようにして得られたBPB薄膜は７〜9Kの温度で超伝
導状態に転移し、接合部４′を通る電流は第７図のよう
なジヨセフソン接合の電流・電圧特性を示した。同図に
おいて、最大ジヨセフソン電流10は５×103Å／cm2で、
エネルギー・ギヤツプ電圧11は2.6mVであつた。
導状態に転移し、接合部４′を通る電流は第７図のよう
なジヨセフソン接合の電流・電圧特性を示した。同図に
おいて、最大ジヨセフソン電流10は５×103Å／cm2で、
エネルギー・ギヤツプ電圧11は2.6mVであつた。
上述の実施例において結晶面は（100）面のほか（110）
面（111）面について試み同じくジヨセフソン接合がで
きることを確認したが、（100）面において最も良好な
結果を得た。また段差の深さについては理想的なステツ
プ状になつていれば数10Åで充分な筈であるが、実施例
において基板の段差の各部の曲率を200Å以下におさえ
ることができなかつたので、深さ200Å以下ではジヨセ
フソン接合の良好な特性を得る割合が少なくなつた。さ
らにBPBの組成についてはBaPb1-xBiO3のｘが0.3で最も
良好なジヨセフソン接合の電流・電圧特性となるが、他
の0.05＜ｘ＜0.35の組成でもジヨセフソン接合になりう
る。
面（111）面について試み同じくジヨセフソン接合がで
きることを確認したが、（100）面において最も良好な
結果を得た。また段差の深さについては理想的なステツ
プ状になつていれば数10Åで充分な筈であるが、実施例
において基板の段差の各部の曲率を200Å以下におさえ
ることができなかつたので、深さ200Å以下ではジヨセ
フソン接合の良好な特性を得る割合が少なくなつた。さ
らにBPBの組成についてはBaPb1-xBiO3のｘが0.3で最も
良好なジヨセフソン接合の電流・電圧特性となるが、他
の0.05＜ｘ＜0.35の組成でもジヨセフソン接合になりう
る。
〔実施例２〕 第４図に示すように（100）面のSrTiO3基板上にレジス
ト（５）を厚さ約４μｍ塗布し80℃で30分ベークした
後、リソグラフ技術により幅２〜15μｍのスリツト状の
パターンをつくる。この上にCrを厚さ100〜500Å蒸着し
た後、レジストを除去すると第５図（ａ），（ｂ）に示
すようなCrのスリツト状パターンをもつ基板となる。
ト（５）を厚さ約４μｍ塗布し80℃で30分ベークした
後、リソグラフ技術により幅２〜15μｍのスリツト状の
パターンをつくる。この上にCrを厚さ100〜500Å蒸着し
た後、レジストを除去すると第５図（ａ），（ｂ）に示
すようなCrのスリツト状パターンをもつ基板となる。
この第５図（ａ），（ｂ）のような基板の上に〔実施例
１〕と同じ組成のターゲツトを用い、同じスパツタ条件
でBPB薄膜を同じく3000Åエピタキシヤル成長させた。
第６図の４″の両側にはBPB単結晶膜が得られ、やはり
転移温度は７〜9.5Kであつた。超伝導状態での４″を通
しての電流・電圧特性はスリツト幅２〜12μｍ、厚さ15
0〜500Åで良好なジヨセフソン接合の特性を示したが、
スリツト幅12μｍ以上のときは接合が直列に２つ重つた
特性になり、またCrの厚さが150Å以下では接合できな
い場合も生じた。
１〕と同じ組成のターゲツトを用い、同じスパツタ条件
でBPB薄膜を同じく3000Åエピタキシヤル成長させた。
第６図の４″の両側にはBPB単結晶膜が得られ、やはり
転移温度は７〜9.5Kであつた。超伝導状態での４″を通
しての電流・電圧特性はスリツト幅２〜12μｍ、厚さ15
0〜500Åで良好なジヨセフソン接合の特性を示したが、
スリツト幅12μｍ以上のときは接合が直列に２つ重つた
特性になり、またCrの厚さが150Å以下では接合できな
い場合も生じた。
上記実施例のスリツトの材料はCr以外においても、SrTi
O3と結晶形が異なり、高温でBPB,SrTiO3と反応しない材
料であれば充分である。
O3と結晶形が異なり、高温でBPB,SrTiO3と反応しない材
料であれば充分である。
以上の説明から判るように本発明による基板上の任意の
位置に任意の方向、長さに段差８を設けたり、スリツト
状薄膜パターン９を形成することによりジヨセフソン接
合の位置、方向、大きさを指定して作製できる。このた
めBPBによりジヨセフソン接合回路を作製することを容
易にする利点をもつている。
位置に任意の方向、長さに段差８を設けたり、スリツト
状薄膜パターン９を形成することによりジヨセフソン接
合の位置、方向、大きさを指定して作製できる。このた
めBPBによりジヨセフソン接合回路を作製することを容
易にする利点をもつている。
第１図，第２図（Ａ），（Ｂ）及び第３図は、本発明の
１実施例の製造法を説明する工程図を示す。 第４図，第５図（ａ），（ｂ）及び第６図は、本発明の
他の実施例の製造法を説明する工程図を示す。 第７図は、本発明の実施例によるジヨセフソン電流・電
圧特性を示す。 第８図は、先行技術による複合基板の製法説明図を示
す。 第９図は、第１図の構造からスライスして得たSrTiO3複
合基板とその上にBaPb1-xBixO3薄膜３を形成しジヨセフ
ソン接合４を形成ジヨセフソン素子を示す。 図において、 １…SrTiO3単結晶、２…貼合わせ面、３…BPB、4,4′,
4″…ジヨセフソン接合、５…レジスト、６…クロム薄
膜、７…エツチチング表面、８…段差、９…薄膜パター
ン、10…最大ジヨセフソン電流、11…エネルギー・ギヤ
ツプ電圧
１実施例の製造法を説明する工程図を示す。 第４図，第５図（ａ），（ｂ）及び第６図は、本発明の
他の実施例の製造法を説明する工程図を示す。 第７図は、本発明の実施例によるジヨセフソン電流・電
圧特性を示す。 第８図は、先行技術による複合基板の製法説明図を示
す。 第９図は、第１図の構造からスライスして得たSrTiO3複
合基板とその上にBaPb1-xBixO3薄膜３を形成しジヨセフ
ソン接合４を形成ジヨセフソン素子を示す。 図において、 １…SrTiO3単結晶、２…貼合わせ面、３…BPB、4,4′,
4″…ジヨセフソン接合、５…レジスト、６…クロム薄
膜、７…エツチチング表面、８…段差、９…薄膜パター
ン、10…最大ジヨセフソン電流、11…エネルギー・ギヤ
ツプ電圧
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 実 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根162番 地 日本電信電話株式会社茨城電気通信研 究所内 (72)発明者 小田 研 茨城県那珂郡東海村大字白方字白根162番 地 日本電信電話株式会社茨城電気通信研 究所内 (56)参考文献 特開 昭60−65583（ＪＰ，Ａ) Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．22 〔３〕（1983）Ｐ．544
Claims (5)
- 【請求項１】段差もしくはスリット状薄膜パターンを有
する単結晶基板上に、 該段差もしくはスリット状薄膜パターンの高さを超える
厚さの単結晶酸化物超伝導体を成長させ、 前記段差またはスリット状薄膜パターン上にジョセフソ
ン接合を形成したことを特徴とするジョセフソン接合素
子。 - 【請求項２】前記単結晶基板は、SrTiO3である特許請求
の範囲第１項記載のジョセフソン接合素子。 - 【請求項３】前記単結晶酸化物超伝導体は、BaPb1-xBix
O3（0.05＜ｘ＜0.35）の単結晶である特許請求の範囲第
１項記載のジョセフソン接合素子。 - 【請求項４】単結晶基板上にレジストを塗布し、その上
にCr膜を蒸着する工程、 前記基板面の半分からCr膜とレジストを除去する工程、 前記基板表面をエッチングし、前記基板の半分からレジ
ストとCrを除去し、基板表面に段差を付ける工程、 前記基板上に酸化物超伝導材料の単結晶薄膜をエピタキ
シャル成長させる工程、を具備するジョセフソン接合素
子の製法。 - 【請求項５】単結晶基板上にレジストを塗布した後、ス
リット状のパターンをつくる工程、 前記基板上にCrを蒸着し、レジストを除去してスリット
状パターンを形成する工程、 前記基板上に酸化物超伝導材料の単結晶薄膜をエピタキ
シャル成長させる工程、を具備するジョセフソン接合素
子の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61116736A JPH0763100B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | ジヨセフソン接合素子及びその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61116736A JPH0763100B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | ジヨセフソン接合素子及びその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62273782A JPS62273782A (ja) | 1987-11-27 |
| JPH0763100B2 true JPH0763100B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=14694514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61116736A Expired - Fee Related JPH0763100B2 (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | ジヨセフソン接合素子及びその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0763100B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0783144B2 (ja) * | 1987-07-06 | 1995-09-06 | 株式会社日立製作所 | 酸化物超伝導体を用いたジヨセフソン素子 |
| US5162298A (en) * | 1988-02-16 | 1992-11-10 | International Business Machines Corporation | Grain boundary junction devices using high tc superconductors |
| JPH01283884A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ジョセフソン素子アレイおよびその製造方法 |
| US5612545A (en) * | 1991-12-23 | 1997-03-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting quantum interference device formed of oxide superconductor thin film |
| USRE37587E1 (en) * | 1990-12-28 | 2002-03-19 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | Superconducting quantum interference device formed of oxide superconductor thin film |
| US5157466A (en) * | 1991-03-19 | 1992-10-20 | Conductus, Inc. | Grain boundary junctions in high temperature superconductor films |
| JPH05251771A (ja) * | 1991-12-02 | 1993-09-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 人工粒界型ジョセフソン接合素子およびその作製方法 |
| US5358928A (en) * | 1992-09-22 | 1994-10-25 | Sandia Corporation | High temperature superconductor step-edge Josephson junctions using Ti-Ca-Ba-Cu-O |
| JP3026482B2 (ja) * | 1995-06-01 | 2000-03-27 | 株式会社日立製作所 | 超電導素子とその製法および動作方法 |
| DE19808778C2 (de) * | 1998-03-03 | 1999-12-09 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines ABO¶3¶-Substrates mit einer Stufe |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS579710A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-19 | Kiichiro Sarui | Aerosol generating mat for remedy of athlete's foot |
| JPS6065583A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ジヨセフソン接合素子及びその製法 |
-
1986
- 1986-05-21 JP JP61116736A patent/JPH0763100B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２２〔３〕（１９８３）Ｐ．５４４ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62273782A (ja) | 1987-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03133176A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0763100B2 (ja) | ジヨセフソン接合素子及びその製法 | |
| US20020073918A1 (en) | Particle beam biaxial orientation of a substrate for epitaxial crystal growth | |
| JPH05251771A (ja) | 人工粒界型ジョセフソン接合素子およびその作製方法 | |
| JPH0577347B2 (ja) | ||
| US20030019668A1 (en) | Particle beam biaxial orientation of a substrate for epitaxial crystal growth | |
| JPH05335638A (ja) | ジョセフソン接合構造体およびその作製方法 | |
| JP3189403B2 (ja) | 超電導接合を有する素子およびその作製方法 | |
| JPS6096599A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JPS6260831B2 (ja) | ||
| JPH11330569A (ja) | 熱電変換素子およびその製造方法 | |
| CA2083760A1 (en) | Epitaxial magnesium oxide as a buffer layer for formation of subsequent layers on tetrahedral semiconductors | |
| JPH01117376A (ja) | エッジ接合型単結晶薄膜超伝導体トンネル接合素子およびその製造方法 | |
| JP2723952B2 (ja) | ジョセフソン接合素子の形成方法 | |
| JPH0376596B2 (ja) | ||
| JP2774576B2 (ja) | 超伝導体装置及びその製造方法 | |
| JP2831918B2 (ja) | 超電導素子の製造方法 | |
| JPH06112504A (ja) | 結晶性薄膜製造方法 | |
| JPS63258082A (ja) | 酸化物超電導材料 | |
| JP2650483B2 (ja) | ＬｉＮｂＯ▲下３▼光変調器 | |
| JP3323278B2 (ja) | 超電導デバイスの製造方法 | |
| JP2690588B2 (ja) | ジョセフソン接合素子 | |
| JP2798958B2 (ja) | ジョセフソン接合素子の形成方法 | |
| JPH01211983A (ja) | ジョセフソン素子 | |
| JPH1084141A (ja) | 酸化物超電導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |