JPH0762545A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
配線基板およびその製造方法Info
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- JPH0762545A JPH0762545A JP21446893A JP21446893A JPH0762545A JP H0762545 A JPH0762545 A JP H0762545A JP 21446893 A JP21446893 A JP 21446893A JP 21446893 A JP21446893 A JP 21446893A JP H0762545 A JPH0762545 A JP H0762545A
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- polymer
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/14—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
- H05K3/146—By vapour deposition
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
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- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリマー基材上に所望の導電体からなる配線
パターン層を形成してなる配線基板を提供することであ
り、光ＣＶＤ法、特にレーザーＣＶＤ法による成膜をポ
リマー基材上に対しても可能とすることで、少ない熱的
ダメージで、所望の導電体層が形成されてなる配線基板
の製造方法を提供することである。 【構成】 ポリマー基材１上に設けられた該ポリマー上
に光化学気相堆積法にて膜形成可能な金属（パラジウム
等）からなる層２と、該層上に設けられた該層上にメッ
キにて積層可能な導電体（ニッケル等）の層３とからな
る配線基板であって、レーザーＣＶＤ法によってポリマ
ー基材上にパラジウム等の下地用金属からなる下地パタ
ーンを形成し、無電解メッキ法によって該下地パターン
上に所望の特性の金属を析出させ配線パターンとする該
配線基板の製造方法である。
パターン層を形成してなる配線基板を提供することであ
り、光ＣＶＤ法、特にレーザーＣＶＤ法による成膜をポ
リマー基材上に対しても可能とすることで、少ない熱的
ダメージで、所望の導電体層が形成されてなる配線基板
の製造方法を提供することである。 【構成】 ポリマー基材１上に設けられた該ポリマー上
に光化学気相堆積法にて膜形成可能な金属（パラジウム
等）からなる層２と、該層上に設けられた該層上にメッ
キにて積層可能な導電体（ニッケル等）の層３とからな
る配線基板であって、レーザーＣＶＤ法によってポリマ
ー基材上にパラジウム等の下地用金属からなる下地パタ
ーンを形成し、無電解メッキ法によって該下地パターン
上に所望の特性の金属を析出させ配線パターンとする該
配線基板の製造方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポリマー基材上に導電
体層が形成されてなる配線基板の構造とその製造方法に
関し、特に、該導電体層がストレインゲージを構成する
ことによってなるポリマー上の触覚センサの製造方法に
関する。
体層が形成されてなる配線基板の構造とその製造方法に
関し、特に、該導電体層がストレインゲージを構成する
ことによってなるポリマー上の触覚センサの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板上に金属層を堆積させる方法
として、光エネルギーを用いる化学気相堆積法（以下、
「光ＣＶＤ法」という）が広く用いられている。光ＣＶ
Ｄ法は、原料ガスを光分解または熱分解させることでな
されるものであり、特に、レーザーの光エネルギーを用
いるレーザーＣＶＤ法による金属層の堆積は、ガラスや
Ｓｉ基板に広く適用されている。しかしながら、上記レ
ーザーＣＶＤ法による金属層の堆積をポリウレタン等の
ポリマー基材上に適用すると次のような問題が生じる。
即ち、レーザーＣＶＤ法が光分解によるものでは、高熱
が作用しないのでポリマー基材がダメージを受けること
は避けられるが、堆積される金属層中に不純物が混入し
て金属層が導電性に劣るという問題が生じる。また、レ
ーザーを基材加熱に用いる熱分解の場合、原料ガスが効
率よく分解されて金属層への不純物の混入が少なくなる
が、ポリマー基材が熱で損傷するという問題が生じる。
即ち、レーザーＣＶＤ法では、ポリマー基材上には、通
常の配線に好適な金属の成膜はできないのである。
として、光エネルギーを用いる化学気相堆積法（以下、
「光ＣＶＤ法」という）が広く用いられている。光ＣＶ
Ｄ法は、原料ガスを光分解または熱分解させることでな
されるものであり、特に、レーザーの光エネルギーを用
いるレーザーＣＶＤ法による金属層の堆積は、ガラスや
Ｓｉ基板に広く適用されている。しかしながら、上記レ
ーザーＣＶＤ法による金属層の堆積をポリウレタン等の
ポリマー基材上に適用すると次のような問題が生じる。
即ち、レーザーＣＶＤ法が光分解によるものでは、高熱
が作用しないのでポリマー基材がダメージを受けること
は避けられるが、堆積される金属層中に不純物が混入し
て金属層が導電性に劣るという問題が生じる。また、レ
ーザーを基材加熱に用いる熱分解の場合、原料ガスが効
率よく分解されて金属層への不純物の混入が少なくなる
が、ポリマー基材が熱で損傷するという問題が生じる。
即ち、レーザーＣＶＤ法では、ポリマー基材上には、通
常の配線に好適な金属の成膜はできないのである。
【０００３】一方、近年、カテーテルの先端部に触覚セ
ンサ用の微小配線体からなるストレインゲージを設ける
ことが提案されている。このような管状物の曲面上に微
細な金属配線を形成するためには、上記レーザーＣＶＤ
法のようにレーザーを用いた直接描画法が最も好ましい
方法である。
ンサ用の微小配線体からなるストレインゲージを設ける
ことが提案されている。このような管状物の曲面上に微
細な金属配線を形成するためには、上記レーザーＣＶＤ
法のようにレーザーを用いた直接描画法が最も好ましい
方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、カテーテル
の胴体は主としてポリウレタンチューブ等のポリマー基
材からなるものが一般的であるため、レーザーＣＶＤ法
によって金属導電体層を形成することは、上記の問題の
ために未だ実現されていないのが現状である。
の胴体は主としてポリウレタンチューブ等のポリマー基
材からなるものが一般的であるため、レーザーＣＶＤ法
によって金属導電体層を形成することは、上記の問題の
ために未だ実現されていないのが現状である。
【０００５】本発明の目的は、ポリマー基材上に所望の
導電体からなる配線パターン層を形成してなる配線基板
を提供することである。また、本発明の他の目的は、光
ＣＶＤ法、特にレーザーＣＶＤ法による成膜をポリマー
基材上に対しても可能とすることで、少ない熱的ダメー
ジで、所望の導電体層が形成されてなる配線基板の製造
方法を提供することである。
導電体からなる配線パターン層を形成してなる配線基板
を提供することである。また、本発明の他の目的は、光
ＣＶＤ法、特にレーザーＣＶＤ法による成膜をポリマー
基材上に対しても可能とすることで、少ない熱的ダメー
ジで、所望の導電体層が形成されてなる配線基板の製造
方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、ポリマー
上に光ＣＶＤ法にて膜形成可能な金属を用いて下地パタ
ーンを形成することによって、該金属上に所望の特性を
有する金属をメッキによって自由に析出させ得ることを
見いだし本発明を完成した。即ち、本発明の配線基板
は、ポリマー基材上に設けられた該ポリマー上に光ＣＶ
Ｄ法にて膜形成可能な金属からなる層と、該層上に設け
られた該層上にメッキにて積層可能な導電体層とからな
るものである。また、本発明の配線基板の製造方法は、
光ＣＶＤ法によってポリマー基材上に下地金属からなる
下地パターンを形成し、メッキ法によって該下地パター
ン上に所望の特性の金属を析出させ配線パターンとする
ものである。
上に光ＣＶＤ法にて膜形成可能な金属を用いて下地パタ
ーンを形成することによって、該金属上に所望の特性を
有する金属をメッキによって自由に析出させ得ることを
見いだし本発明を完成した。即ち、本発明の配線基板
は、ポリマー基材上に設けられた該ポリマー上に光ＣＶ
Ｄ法にて膜形成可能な金属からなる層と、該層上に設け
られた該層上にメッキにて積層可能な導電体層とからな
るものである。また、本発明の配線基板の製造方法は、
光ＣＶＤ法によってポリマー基材上に下地金属からなる
下地パターンを形成し、メッキ法によって該下地パター
ン上に所望の特性の金属を析出させ配線パターンとする
ものである。
【０００７】上記ポリマー基材の材料としては特に制限
はなく、合成樹脂や天然素材等とのようなものであって
もよい。その中でも、該ポリマーがカテーテルの胴体等
に使用されるのであれば、ポリウレタン、ポリイミド、
シリコンゴム等が特に好ましい材質となる。
はなく、合成樹脂や天然素材等とのようなものであって
もよい。その中でも、該ポリマーがカテーテルの胴体等
に使用されるのであれば、ポリウレタン、ポリイミド、
シリコンゴム等が特に好ましい材質となる。
【０００８】ポリマー上に光ＣＶＤ法にて膜形成可能な
金属としては、一般の良導体金属が上記理由によって膜
形成不可能な中で、パラジウムが特に好ましい膜形成可
能な金属として例示される。光ＣＶＤ法によるパラジウ
ムの成膜は、Ｐｄ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 、Ｐｄ（Ｃ3 Ｈ
5 )（Ｃ5 Ｈ5 )などを原料ガスとして用い、該原料ガス
の雰囲気中においてレーザ光をポリマー基材に照射し、
光分解反応によってパラジウムを該ポリマー基材表面に
堆積させて膜とするものである。また、パラジウムの他
にイリジウムやプラチナ等、成膜技術の改善によってポ
リマー上への成膜がさらに容易なものとなれば、これら
を用いてもよい。
金属としては、一般の良導体金属が上記理由によって膜
形成不可能な中で、パラジウムが特に好ましい膜形成可
能な金属として例示される。光ＣＶＤ法によるパラジウ
ムの成膜は、Ｐｄ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 、Ｐｄ（Ｃ3 Ｈ
5 )（Ｃ5 Ｈ5 )などを原料ガスとして用い、該原料ガス
の雰囲気中においてレーザ光をポリマー基材に照射し、
光分解反応によってパラジウムを該ポリマー基材表面に
堆積させて膜とするものである。また、パラジウムの他
にイリジウムやプラチナ等、成膜技術の改善によってポ
リマー上への成膜がさらに容易なものとなれば、これら
を用いてもよい。
【０００９】光ＣＶＤ法にてポリマー上に成膜した金属
層上にメッキにて積層可能な導電体層とは、通常配線に
使用可能な全ての金属の層を意味するが、本発明におい
ては、該導電体層が用いられる配線パターンの目的に最
も適した抵抗値，磁気特性，熱伝導性等の物理的諸特性
を有する金属が好ましい。例えば、該導電体層が信号用
に用いられるものであれば、金，銀，銅など一般の良導
体金属が全て挙げられ、また、該配線パターンがストレ
インゲージを構成するものであれば、アドバンス（銅・
ニッケル合金），ニクロム系の合金，あるいはニッケル
など、抵抗値が弾性ひずみに応じてよく変化する金属が
好ましいものとして挙げられる。
層上にメッキにて積層可能な導電体層とは、通常配線に
使用可能な全ての金属の層を意味するが、本発明におい
ては、該導電体層が用いられる配線パターンの目的に最
も適した抵抗値，磁気特性，熱伝導性等の物理的諸特性
を有する金属が好ましい。例えば、該導電体層が信号用
に用いられるものであれば、金，銀，銅など一般の良導
体金属が全て挙げられ、また、該配線パターンがストレ
インゲージを構成するものであれば、アドバンス（銅・
ニッケル合金），ニクロム系の合金，あるいはニッケル
など、抵抗値が弾性ひずみに応じてよく変化する金属が
好ましいものとして挙げられる。
【００１０】上記ポリマー上に光ＣＶＤ法にて膜形成可
能な金属、即ち、パラジウム等を、該ポリマー基材上に
形成する方法としては特に限定されないが、光ＣＶＤ法
が好ましく、特にレーザーＣＶＤ法が最も好ましい。レ
ーザーＣＶＤ法をポリマー上に応用する場合、使用する
レーザー光としては、紫外線レーザー（例えば、エキシ
マレーザー；波長２５７ｎｍ、Ａｒレーザーの第２高調
波；波長３５１ｎｍ等）が好ましい。また、Ａｒレーザ
ーを用いた場合、レーザー出力は５〜２５ｍＷ，特に１
０〜２０ｍＷ、描画速度は１〜１０ｍｍ／ｓ，特に２〜
８ｍｍ／ｓ程度が好ましい。この場合、パラジウム原料
としては、 Ｐｄ（Ｃ5 ＨＦ6 Ｏ2 ) 2 ；Bis hexa fluo
ro acetyl acetonate Palladium；等が好適である。こ
れらの条件によって、上記パラジウム等による微小パタ
ーンの好ましい描画，成膜が可能となる。
能な金属、即ち、パラジウム等を、該ポリマー基材上に
形成する方法としては特に限定されないが、光ＣＶＤ法
が好ましく、特にレーザーＣＶＤ法が最も好ましい。レ
ーザーＣＶＤ法をポリマー上に応用する場合、使用する
レーザー光としては、紫外線レーザー（例えば、エキシ
マレーザー；波長２５７ｎｍ、Ａｒレーザーの第２高調
波；波長３５１ｎｍ等）が好ましい。また、Ａｒレーザ
ーを用いた場合、レーザー出力は５〜２５ｍＷ，特に１
０〜２０ｍＷ、描画速度は１〜１０ｍｍ／ｓ，特に２〜
８ｍｍ／ｓ程度が好ましい。この場合、パラジウム原料
としては、 Ｐｄ（Ｃ5 ＨＦ6 Ｏ2 ) 2 ；Bis hexa fluo
ro acetyl acetonate Palladium；等が好適である。こ
れらの条件によって、上記パラジウム等による微小パタ
ーンの好ましい描画，成膜が可能となる。
【００１１】メッキ法としては、通電による一般的なメ
ッキ法なども使用可能であり限定されるものではない
が、無電解メッキが目的の金属層を均一に形成しうる好
ましい方法である。無電解メッキによってストレインゲ
ージを構成しうる金属を析出させるには、一般的な無電
解メッキ液を用いたメッキ法が採用できる。例えば、ニ
ッケルを析出させる場合、通常のアルカリ性無電解メッ
キ液を使用し、メッキ浴温は２５〜４０℃，特に３０〜
３５℃、メッキ液のｐＨは９．０〜９．８，特に９．５
前後に調整し、メッキ時間を５〜１５分，特に７〜１０
分程度とする条件でメッキを行なうことが好ましい。
ッキ法なども使用可能であり限定されるものではない
が、無電解メッキが目的の金属層を均一に形成しうる好
ましい方法である。無電解メッキによってストレインゲ
ージを構成しうる金属を析出させるには、一般的な無電
解メッキ液を用いたメッキ法が採用できる。例えば、ニ
ッケルを析出させる場合、通常のアルカリ性無電解メッ
キ液を使用し、メッキ浴温は２５〜４０℃，特に３０〜
３５℃、メッキ液のｐＨは９．０〜９．８，特に９．５
前後に調整し、メッキ時間を５〜１５分，特に７〜１０
分程度とする条件でメッキを行なうことが好ましい。
【００１２】本発明の配線基板は、ポリマー基材よりな
るプリント基板として一般的に用いることができるが、
特に、カテーテルを構成するポリマー胴体に対しては好
ましく応用でき、目的の導電体層がストレインゲージを
構成するものであれば、接触センサ機能を有するカテー
テルを容易に得ることができる。
るプリント基板として一般的に用いることができるが、
特に、カテーテルを構成するポリマー胴体に対しては好
ましく応用でき、目的の導電体層がストレインゲージを
構成するものであれば、接触センサ機能を有するカテー
テルを容易に得ることができる。
【００１３】
【作用】パラジウムに代表されるポリマー上に光ＣＶＤ
法にて膜形成可能な金属を、該ポリマー基材上に下地と
して形成することによって、メッキ処理、特に無電解メ
ッキでは、目的の金属が該下地金属上に集中して析出す
るようになる。
法にて膜形成可能な金属を、該ポリマー基材上に下地と
して形成することによって、メッキ処理、特に無電解メ
ッキでは、目的の金属が該下地金属上に集中して析出す
るようになる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき具体的に説明
する。なお、本発明がこれに限定されるものでないこと
は言うまでもない。本実施例では、本発明による配線基
板の具体的な応用例として、カテーテルの胴体を構成す
るポリウレタンチューブの先端部側面上に触覚センサ用
のストレインゲージを直接形成した。図１は、本発明の
一実施例による配線基板の製造工程を示す模式図であ
る。同図（ａ）に示すように、加工対象のポリマー基材
１であるカテーテル胴体のポリウレタンチューブの先端
部をチャンバー内にセットし、下地用金属の原料ガスで
あるＰｄ（Ｃ5 ＨＦ6 Ｏ2 ) 2 によって形成された雰囲
気Ｘの中において、Ａｒレーザー４をカテーテル先端部
１の所定の位置に照射してストレインゲージのミアンダ
リングパターン形状を描画し、パラジウムからなる下地
パターン２を形成した。次いで、同図（ｂ）に示すよう
に、上記加工部位をアルカリ性無電解メッキ液Ｙに浸漬
して無電解メッキを施し、下地パターン２上にニッケル
を析出させて導電体層３を形成し、目的のストレインゲ
ージを得た。
する。なお、本発明がこれに限定されるものでないこと
は言うまでもない。本実施例では、本発明による配線基
板の具体的な応用例として、カテーテルの胴体を構成す
るポリウレタンチューブの先端部側面上に触覚センサ用
のストレインゲージを直接形成した。図１は、本発明の
一実施例による配線基板の製造工程を示す模式図であ
る。同図（ａ）に示すように、加工対象のポリマー基材
１であるカテーテル胴体のポリウレタンチューブの先端
部をチャンバー内にセットし、下地用金属の原料ガスで
あるＰｄ（Ｃ5 ＨＦ6 Ｏ2 ) 2 によって形成された雰囲
気Ｘの中において、Ａｒレーザー４をカテーテル先端部
１の所定の位置に照射してストレインゲージのミアンダ
リングパターン形状を描画し、パラジウムからなる下地
パターン２を形成した。次いで、同図（ｂ）に示すよう
に、上記加工部位をアルカリ性無電解メッキ液Ｙに浸漬
して無電解メッキを施し、下地パターン２上にニッケル
を析出させて導電体層３を形成し、目的のストレインゲ
ージを得た。
【００１５】上記実施例によって、ポリウレタンチュー
ブ１上のストレインゲージ以外の表面上には、実質的な
析出はみられず、良質のストレインゲージであることが
確認できた。
ブ１上のストレインゲージ以外の表面上には、実質的な
析出はみられず、良質のストレインゲージであることが
確認できた。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の配線基板
およびその製造方法によれば、光レーザーＣＶＤ法の特
長をポリマー基材上に応用することが可能となり、該ポ
リマー基材に与える熱的ダメージが少なく、電気的，磁
気的，熱的な特性など所望の特性を有する金属を用いて
微小導電体層を形成することができる。従って、胴体表
層がポリマー基材からなるカテーテルなどの表面に対し
て、触覚センサや信号用の配線回路を直接描画し、形成
することができる。
およびその製造方法によれば、光レーザーＣＶＤ法の特
長をポリマー基材上に応用することが可能となり、該ポ
リマー基材に与える熱的ダメージが少なく、電気的，磁
気的，熱的な特性など所望の特性を有する金属を用いて
微小導電体層を形成することができる。従って、胴体表
層がポリマー基材からなるカテーテルなどの表面に対し
て、触覚センサや信号用の配線回路を直接描画し、形成
することができる。
【図１】本発明の一実施例による配線基板の製造工程を
示す模式図である。
示す模式図である。
Ｘ 材料ガス雰囲気 Ｙ メッキ液 １ ポリマー基材（ポリウレタンチューブ） ２ 下地パターン ３ 導電体層（ストレインゲージ） ４ 光（レーザー光）
Claims (6)
- 【請求項１】 ポリマー基材上に設けられた該ポリマー
上に光化学気相堆積法にて膜形成可能な金属からなる層
と、該層上に設けられた該層上にメッキにて積層可能な
導電体層とからなる配線基板。 - 【請求項２】 導電体層がストレインゲージを構成する
ものであって、配線基板が触覚センサである請求項１記
載の配線基板。 - 【請求項３】 ポリマー上に光化学気相堆積法にて膜形
成可能な金属がパラジウムである請求項１記載の配線基
板。 - 【請求項４】 光化学気相堆積法によってポリマー基材
上に下地金属からなる下地パターンを形成し、メッキ法
によって該下地パターン上に所望の特性の金属を析出さ
せ配線パターンとする配線基板の製造方法。 - 【請求項５】 配線パターンがストレインゲージを構成
するものであって、配線基板が触覚センサである請求項
４記載の配線基板の製造方法。 - 【請求項６】 下地金属がパラジウムである請求項４記
載の配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21446893A JPH0762545A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 配線基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21446893A JPH0762545A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 配線基板およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0762545A true JPH0762545A (ja) | 1995-03-07 |
Family
ID=16656227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21446893A Pending JPH0762545A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 配線基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0762545A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006513325A (ja) * | 2003-01-23 | 2006-04-20 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 触媒を用いた無電解めっきによりパターン化された絶縁体上に金属層を形成する方法 |
| KR101109193B1 (ko) * | 2009-03-06 | 2012-01-30 | 삼성전기주식회사 | 촉각 센서 어레이 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP21446893A patent/JPH0762545A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006513325A (ja) * | 2003-01-23 | 2006-04-20 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 触媒を用いた無電解めっきによりパターン化された絶縁体上に金属層を形成する方法 |
| KR101109193B1 (ko) * | 2009-03-06 | 2012-01-30 | 삼성전기주식회사 | 촉각 센서 어레이 및 그 제조방법 |
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