JPH0760266B2 - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPH0760266B2 JPH0760266B2 JP60211060A JP21106085A JPH0760266B2 JP H0760266 B2 JPH0760266 B2 JP H0760266B2 JP 60211060 A JP60211060 A JP 60211060A JP 21106085 A JP21106085 A JP 21106085A JP H0760266 B2 JPH0760266 B2 JP H0760266B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- layer
- pattern
- upper layer
- minutes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はパターン形成方法に関し、更に詳しくは、半導
体素子の集積回路の製造において微細なレジストパター
ンを形成することが可能な方法に関する。
体素子の集積回路の製造において微細なレジストパター
ンを形成することが可能な方法に関する。
従来のパターン形成方法としては、ウエハー上に一層の
レジスト層を形成するだけの所謂単層レジスト法があっ
た。しかし、集積回路の製造においては、年々、加工最
小寸法が縮小されるに至り、この単層レジスト法につい
て各種の問題点が指摘されるようになった。
レジスト層を形成するだけの所謂単層レジスト法があっ
た。しかし、集積回路の製造においては、年々、加工最
小寸法が縮小されるに至り、この単層レジスト法につい
て各種の問題点が指摘されるようになった。
即ち、集積回路の横方向の寸法の縮小に比べてその縦方
向の寸法はあまり縮小されていかないために、レジスト
パターンの幅に対する高さの比は大きくならざるを得な
かった。このため、複雑な段差構造を有するウエハー上
でレジストパターンの寸法変化を押さえていくことは、
パターンの微細化が進むにつれてより困難になってき
た。更に、各種の露光方式においても、最小寸法の縮小
に伴ない問題が生じてきている。例えば、光による露光
では、基板の段差に基づく反射光の干渉作用が、寸法精
度に大きな影響を与えるようになり、一方電子ビーム露
光においては、電子の後方散乱によって生じる近接効果
により、微細なレジストパターンの高さと幅の比を大き
くすることができなくなった。
向の寸法はあまり縮小されていかないために、レジスト
パターンの幅に対する高さの比は大きくならざるを得な
かった。このため、複雑な段差構造を有するウエハー上
でレジストパターンの寸法変化を押さえていくことは、
パターンの微細化が進むにつれてより困難になってき
た。更に、各種の露光方式においても、最小寸法の縮小
に伴ない問題が生じてきている。例えば、光による露光
では、基板の段差に基づく反射光の干渉作用が、寸法精
度に大きな影響を与えるようになり、一方電子ビーム露
光においては、電子の後方散乱によって生じる近接効果
により、微細なレジストパターンの高さと幅の比を大き
くすることができなくなった。
これらの多くの問題は多層レジストシステムを用いるこ
とにより解消されることが見出された。多層レジストシ
ステムについては、ソリッドステート・テクノロジー,7
4（1981）〔Solid State Technology,74（1981）〕に概
説が掲載されているが、この他にもこのシステムに関す
る多くの研究が発表されている。現在、一般的に多く試
みられている方法は、３層構造のレジストシステムで、
基板の段差の平坦化及び基板からの反射防止の役割りを
有する最下層、最下層をエッチングするためのマスクと
して機能する中間層及び感光層としての最上層からなっ
ている。しかしながら、この３層レジストシステムは単
層レジスト法と比べて、微細なパターンニングが行なえ
るという長所を有している反面、パターン形成までの工
程数が増えてしまうという欠点があった。
とにより解消されることが見出された。多層レジストシ
ステムについては、ソリッドステート・テクノロジー,7
4（1981）〔Solid State Technology,74（1981）〕に概
説が掲載されているが、この他にもこのシステムに関す
る多くの研究が発表されている。現在、一般的に多く試
みられている方法は、３層構造のレジストシステムで、
基板の段差の平坦化及び基板からの反射防止の役割りを
有する最下層、最下層をエッチングするためのマスクと
して機能する中間層及び感光層としての最上層からなっ
ている。しかしながら、この３層レジストシステムは単
層レジスト法と比べて、微細なパターンニングが行なえ
るという長所を有している反面、パターン形成までの工
程数が増えてしまうという欠点があった。
本発明は、３層レジストシステムと同等の微細なパター
ンニングが行え、しかも工程数が少ないパターン形成方
法の提供を目的とする。
ンニングが行え、しかも工程数が少ないパターン形成方
法の提供を目的とする。
本発明者らは、上記欠点を解消すべく鋭意検討を重ねた
結果、前記３層レジストシステムにおける中間層と同上
層の機能をあわせ持つ樹脂層の形成を可能にし、これよ
り本発明の２層レジストによるパターン形成方法を開発
するに至った。
結果、前記３層レジストシステムにおける中間層と同上
層の機能をあわせ持つ樹脂層の形成を可能にし、これよ
り本発明の２層レジストによるパターン形成方法を開発
するに至った。
即ち、本発明のパターン形成方法は、基板上に下層用樹
脂を塗布して下層を形成し、次いで該下層上に水酸基を
有した芳香環がケイ素原子に結合したポリシランを含む
感光性樹脂、あるいは−芳香環−Si−Ｏ−Ｏ−結合を含
む重合体よりなる感光性樹脂を塗布して上層を形成し、
しかる後露光・現像することにより上層にパターンを形
成し、次に該パターンをマスクにして下層の樹脂をエッ
チングしてパターンを形成することを特徴とする。
脂を塗布して下層を形成し、次いで該下層上に水酸基を
有した芳香環がケイ素原子に結合したポリシランを含む
感光性樹脂、あるいは−芳香環−Si−Ｏ−Ｏ−結合を含
む重合体よりなる感光性樹脂を塗布して上層を形成し、
しかる後露光・現像することにより上層にパターンを形
成し、次に該パターンをマスクにして下層の樹脂をエッ
チングしてパターンを形成することを特徴とする。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明では、例えば次の如き方法によってパターンを形
成することができる。即ち、まず、下層用樹脂を溶剤に
溶かし、得られた溶液を基板上に塗布する。次いで、樹
脂層を乾燥し、その上に更に上層用樹脂を溶剤に溶かし
た溶液を塗布し、しかる後該層を乾燥する。次に、常法
に従い、露光・現像して露光されなかった部分を残し、
次いで乾燥した後、下層樹脂をエッチングすることによ
り、所定のパターンが形成される。
成することができる。即ち、まず、下層用樹脂を溶剤に
溶かし、得られた溶液を基板上に塗布する。次いで、樹
脂層を乾燥し、その上に更に上層用樹脂を溶剤に溶かし
た溶液を塗布し、しかる後該層を乾燥する。次に、常法
に従い、露光・現像して露光されなかった部分を残し、
次いで乾燥した後、下層樹脂をエッチングすることによ
り、所定のパターンが形成される。
この基板としては、通常シリコーンウエハーが使用され
るが、格別限定はされない。
るが、格別限定はされない。
また、下層用樹脂は、半導体素子の製造において支障を
生じない純度を有するものであれば、いかなるものであ
ってもよい。該樹脂としては、例えば、置換ｏ−キノン
ジアジドとノボラック樹脂からなるポジ型レジスト、ポ
リスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフ
ェノール、ノボラック樹脂、ポリエステル、ポリビニル
アルコール、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタ
ジエン、ポリ酢酸ビニル及びポリビニルブチラール等が
挙げられる。これらの樹脂は単独で又は混合系で用いら
れる。
生じない純度を有するものであれば、いかなるものであ
ってもよい。該樹脂としては、例えば、置換ｏ−キノン
ジアジドとノボラック樹脂からなるポジ型レジスト、ポ
リスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルフ
ェノール、ノボラック樹脂、ポリエステル、ポリビニル
アルコール、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタ
ジエン、ポリ酢酸ビニル及びポリビニルブチラール等が
挙げられる。これらの樹脂は単独で又は混合系で用いら
れる。
一方、上層用樹脂は、従来の３層レジストシステムにお
ける中間層と最上層とを兼ねるべく最下層をエッチング
するためのマスクとして機能し、更に感光性でなければ
ならない。
ける中間層と最上層とを兼ねるべく最下層をエッチング
するためのマスクとして機能し、更に感光性でなければ
ならない。
このために本発明では上層用樹脂として、水酸基を有し
た芳香環がケイ素原子に結合したポリシランを含む感光
性樹脂、または、−芳香環−Si−Ｏ−Ｏ−結合を含む重
合体よりなる感光性樹脂を用いる。
た芳香環がケイ素原子に結合したポリシランを含む感光
性樹脂、または、−芳香環−Si−Ｏ−Ｏ−結合を含む重
合体よりなる感光性樹脂を用いる。
このポリシランとしては、次式： R1〜R14は水酸基，水素，ビニル基，アルキル基，アル
コキシ基または芳香族基の中より選ばれ、かつR1〜R5の
少なくとも１つ、及びR6〜R12の少なくとも１つは水酸
基である。
コキシ基または芳香族基の中より選ばれ、かつR1〜R5の
少なくとも１つ、及びR6〜R12の少なくとも１つは水酸
基である。
で示される繰返し単位（Ｉ）または（II）の単独重合体
もしくは共重合体が挙げられる。この共重合単位として
は例えば、 等が挙げられる。こうして得られた樹脂は有機溶剤の他
に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド，コリン等
のアルカリ水溶液が現像における溶剤として用いられ
る。またこれらの分子量は500〜500000、特に1000〜300
00の範囲が溶解度および感度の点から好ましい。これら
の樹脂は単独で又は混合系で用いられる。
もしくは共重合体が挙げられる。この共重合単位として
は例えば、 等が挙げられる。こうして得られた樹脂は有機溶剤の他
に、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド，コリン等
のアルカリ水溶液が現像における溶剤として用いられ
る。またこれらの分子量は500〜500000、特に1000〜300
00の範囲が溶解度および感度の点から好ましい。これら
の樹脂は単独で又は混合系で用いられる。
一方、感光性物質と−芳香環−Si−Ｏ−Ｏ−結合を有す
る重合体よりなる感光性樹脂としては、例えば次式、 で表示される樹脂が用いられる。こうして得られた樹脂
の溶剤としてはアセトン等の有機溶剤が用いられる。ま
たこれらの樹脂の分子量はおよそ1000〜30000程度の範
囲のものが溶解度および感度の点から好ましい。これら
の樹脂は単独で又は混合系で用いられる。
る重合体よりなる感光性樹脂としては、例えば次式、 で表示される樹脂が用いられる。こうして得られた樹脂
の溶剤としてはアセトン等の有機溶剤が用いられる。ま
たこれらの樹脂の分子量はおよそ1000〜30000程度の範
囲のものが溶解度および感度の点から好ましい。これら
の樹脂は単独で又は混合系で用いられる。
以上に説明した下層用樹脂及び上層用樹脂は溶剤に溶か
してから塗布されるが、かかる溶剤としては格別限定さ
れず、例えばトルエン，キシレン,o−ジクロロベンゼ
ン，クロロホルム，エタノール，イソプロピルアルコー
ル，シクロペンタノン，シクロヘキサノン，酢酸セロソ
ルブ，メチルエチルケトンが挙げられる。また、塗布方
法も従法に従い行われるが、好ましくはスピンコート法
が採用される。
してから塗布されるが、かかる溶剤としては格別限定さ
れず、例えばトルエン，キシレン,o−ジクロロベンゼ
ン，クロロホルム，エタノール，イソプロピルアルコー
ル，シクロペンタノン，シクロヘキサノン，酢酸セロソ
ルブ，メチルエチルケトンが挙げられる。また、塗布方
法も従法に従い行われるが、好ましくはスピンコート法
が採用される。
また上記樹脂を塗布した後、乾燥するが、その乾燥条件
は、下層用樹脂の場合、通常50〜250℃好ましくは80〜2
20℃で、通常0.5〜120分間、好ましくは１〜90分間であ
り、上層用樹脂の場合、通常50〜200℃、好ましくは80
〜120℃で通常0.5〜120分間、好ましくは１〜60分間で
ある。
は、下層用樹脂の場合、通常50〜250℃好ましくは80〜2
20℃で、通常0.5〜120分間、好ましくは１〜90分間であ
り、上層用樹脂の場合、通常50〜200℃、好ましくは80
〜120℃で通常0.5〜120分間、好ましくは１〜60分間で
ある。
次に上層用樹脂層を所定パターンのマスクを通して露光
するが、露光は常法に従い、可視・赤外・紫外光線又は
電子線等のエネルギー線を照射することにより行われ
る。
するが、露光は常法に従い、可視・赤外・紫外光線又は
電子線等のエネルギー線を照射することにより行われ
る。
しかる後、溶剤で現像する。現像時間は通常0.5〜10分
間であり、溶剤としては、上層用樹脂が上述したポリシ
ランを含む感光性樹脂からなる場合はテトラメチルアン
モニウムヒドロキシド，コリン等のアルカリ水溶液また
はアセトン等の有機溶剤を適宜用い、通常50〜200℃で
0.5〜120分間乾燥する。また上層用樹脂が−芳香環−Si
−Ｏ−Ｏ−結合を含む重合体よりなる感光性樹脂の場合
には、溶剤としてアセトン等の有機溶剤を用いて通常50
℃〜150℃の範囲でやはり0.5〜120分間乾燥する。
間であり、溶剤としては、上層用樹脂が上述したポリシ
ランを含む感光性樹脂からなる場合はテトラメチルアン
モニウムヒドロキシド，コリン等のアルカリ水溶液また
はアセトン等の有機溶剤を適宜用い、通常50〜200℃で
0.5〜120分間乾燥する。また上層用樹脂が−芳香環−Si
−Ｏ−Ｏ−結合を含む重合体よりなる感光性樹脂の場合
には、溶剤としてアセトン等の有機溶剤を用いて通常50
℃〜150℃の範囲でやはり0.5〜120分間乾燥する。
最後に下層を酸素ガスプラズマ又は適宜の溶剤を用いて
エッチングすることにより所定のレジストパターンが得
られる。なお、好ましくは酸素ガスプラズマでエッチン
グする。この場合は、通常１×10-4〜１×10-1Torr、0.
01〜10W/cm2で１〜120分間処理する。
エッチングすることにより所定のレジストパターンが得
られる。なお、好ましくは酸素ガスプラズマでエッチン
グする。この場合は、通常１×10-4〜１×10-1Torr、0.
01〜10W/cm2で１〜120分間処理する。
以上の方法によって、半導体素子の集積回路が形成され
る。
る。
本発明によれば、所定のレジストパターンを形成するま
での工程数が少ないにもかかわらず、従来の３層レジス
トシステムと同等の微細なパターンニングが行える。し
たがって、従来よりもレジスト層が１層少ない分だけ層
形成に要する手間を省くことができ、ひいては不良品発
生率も低下する。また、中間層を形成する必要がないた
め、感光層のパターンを例えばCF4プラズマ等で中間層
に転写する手間も省略できる。
での工程数が少ないにもかかわらず、従来の３層レジス
トシステムと同等の微細なパターンニングが行える。し
たがって、従来よりもレジスト層が１層少ない分だけ層
形成に要する手間を省くことができ、ひいては不良品発
生率も低下する。また、中間層を形成する必要がないた
め、感光層のパターンを例えばCF4プラズマ等で中間層
に転写する手間も省略できる。
実施例１ シリコーンウエハー上に、ノボラック樹脂を酢酸セルソ
ルブに溶かした溶液をスピナーで塗布し、220℃で１時
間乾燥させ下層を形成した。その厚さは2.0μｍであっ
た。式［III］で示した構造のポリマー20重量部をシク
ロヘキサノン450重量部に溶解してフォトレジストを作
製した。
ルブに溶かした溶液をスピナーで塗布し、220℃で１時
間乾燥させ下層を形成した。その厚さは2.0μｍであっ
た。式［III］で示した構造のポリマー20重量部をシク
ロヘキサノン450重量部に溶解してフォトレジストを作
製した。
それをシリコンウエハー上にスピナーによって塗布しホ
ットプレート上で90℃２分間乾燥させ、0.4μｍの感光
性塗膜を形成した。その後313nmの単色光で露光し、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（0.5％）
を溶剤として用いて45秒間現像し、200℃で30分間乾燥
することにより上層にレジストパターンを形成した。次
いでこの上層に形成されたパターンを用いて、酸素ガス
プラズマ（2.0×10-2Torr 0.06W/cm2）で下層を30分間
エッチングを行なった結果、0.6μｍの線幅のパターン
が形成された。
ットプレート上で90℃２分間乾燥させ、0.4μｍの感光
性塗膜を形成した。その後313nmの単色光で露光し、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（0.5％）
を溶剤として用いて45秒間現像し、200℃で30分間乾燥
することにより上層にレジストパターンを形成した。次
いでこの上層に形成されたパターンを用いて、酸素ガス
プラズマ（2.0×10-2Torr 0.06W/cm2）で下層を30分間
エッチングを行なった結果、0.6μｍの線幅のパターン
が形成された。
実施例２ シリコーンウエハー上に、ノボラック樹脂を酢酸セルソ
ルブに溶かした溶液をスピナーで塗布し、220℃で１時
間乾燥させ下層を形成した。その厚さは2.0μｍであっ
た。式［IV］で示した構造のポリマー20重量部をシクロ
ヘキサノン450重量部に溶解してフォトレジストを作製
した。
ルブに溶かした溶液をスピナーで塗布し、220℃で１時
間乾燥させ下層を形成した。その厚さは2.0μｍであっ
た。式［IV］で示した構造のポリマー20重量部をシクロ
ヘキサノン450重量部に溶解してフォトレジストを作製
した。
それをシリコンウエハー上にスピナーによって塗布しホ
ットプレート上で90℃２分間乾燥させ、0.3μｍの感光
性塗膜を形成した。その後365nmの単色光で露光し、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液（0.5％）を
溶剤として用いて45秒間現像し、200℃で30分間乾燥す
ることにより上層にレジストパターンを形成した。次い
でこの上層に形成されたパターンを用いて、酸素ガスプ
ラズマ（2.0×10-2Torr 0.06W/cm2）で30分間エッチン
グを行なった結果、0.6μｍの線幅のパターンが形成さ
れた。
ットプレート上で90℃２分間乾燥させ、0.3μｍの感光
性塗膜を形成した。その後365nmの単色光で露光し、テ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド溶液（0.5％）を
溶剤として用いて45秒間現像し、200℃で30分間乾燥す
ることにより上層にレジストパターンを形成した。次い
でこの上層に形成されたパターンを用いて、酸素ガスプ
ラズマ（2.0×10-2Torr 0.06W/cm2）で30分間エッチン
グを行なった結果、0.6μｍの線幅のパターンが形成さ
れた。
実施例３ シリコーンウエハー上に、ノボラック樹脂を酢酸セルソ
ルブに溶かした溶液をスピナーで塗布し、220℃で１時
間乾燥させ下層を形成した。その厚さは2.0μｍであっ
た。式［Ｖ］で示した構造のポリマー20重量部をシクロ
ヘキサノン450重量部に溶解してフォトレジストを作製
した。
ルブに溶かした溶液をスピナーで塗布し、220℃で１時
間乾燥させ下層を形成した。その厚さは2.0μｍであっ
た。式［Ｖ］で示した構造のポリマー20重量部をシクロ
ヘキサノン450重量部に溶解してフォトレジストを作製
した。
それをシリコンウエハー上にスピナーによって塗布しホ
ットプレート上で90℃２分間乾燥させ、0.3μｍの感光
性塗膜を形成した。その後254nmの単色光を用いて露光
し、石油ベンジンを溶剤として用いて45秒間現像し、20
0℃で30分間乾燥することにより上層にレジストパター
ンを形成した。次いでこの上層に形成されたパターンを
用いて、酸素ガスプラズマ（2.0×10-2Torr 0.06W/c
m2）で30分間エッチングを行なった結果、0.6μｍの線
幅のパターンが形成された。
ットプレート上で90℃２分間乾燥させ、0.3μｍの感光
性塗膜を形成した。その後254nmの単色光を用いて露光
し、石油ベンジンを溶剤として用いて45秒間現像し、20
0℃で30分間乾燥することにより上層にレジストパター
ンを形成した。次いでこの上層に形成されたパターンを
用いて、酸素ガスプラズマ（2.0×10-2Torr 0.06W/c
m2）で30分間エッチングを行なった結果、0.6μｍの線
幅のパターンが形成された。
実施例４ シリコーンウエハー上に、ノボラック樹脂を酢酸セルソ
ルブに溶かした溶液をスピナーで塗布し、220℃で１時
間乾燥させ下層を形成した。その厚さは2.0μｍであっ
た。式［VI］で示した構造のポリマー20重量部をシクロ
ヘキサノン450重量部に溶解してフォトレジストを作製
した。
ルブに溶かした溶液をスピナーで塗布し、220℃で１時
間乾燥させ下層を形成した。その厚さは2.0μｍであっ
た。式［VI］で示した構造のポリマー20重量部をシクロ
ヘキサノン450重量部に溶解してフォトレジストを作製
した。
それをシリコンウエハー上にスピナーによって塗布しホ
ットプレート上で90℃２分間乾燥させ、0.3μｍの感光
性塗膜を形成した。その後254nmの単色光で露光し、石
油ベンジンを溶剤として用いて45秒間現像し、200℃で3
0分間乾燥することにより上層にレジストパターンを形
成した。次いでこの上層に形成されたパターンを用い
て、酸素ガスプラズマ（2.0×10-2Torr 0.06W/cm2）で3
0分間エッチングを行なった結果、0.6μｍの線幅のパタ
ーンが形成された。
ットプレート上で90℃２分間乾燥させ、0.3μｍの感光
性塗膜を形成した。その後254nmの単色光で露光し、石
油ベンジンを溶剤として用いて45秒間現像し、200℃で3
0分間乾燥することにより上層にレジストパターンを形
成した。次いでこの上層に形成されたパターンを用い
て、酸素ガスプラズマ（2.0×10-2Torr 0.06W/cm2）で3
0分間エッチングを行なった結果、0.6μｍの線幅のパタ
ーンが形成された。
実施例５ シリコーンウエハー上に、ノボラック樹脂を酢酸セルソ
ルブに溶かした溶液をスピナーで塗布し220℃で１時間
乾燥させ下層を形成した。その厚さは2.0μｍであっ
た。式［Ｖ］で示した構造のポリマー10重量部と式［VI
I］ で示した構造のポリマー10重量部をシクロヘキサノン45
0重量部に溶解してフォトレジストを作製した。
ルブに溶かした溶液をスピナーで塗布し220℃で１時間
乾燥させ下層を形成した。その厚さは2.0μｍであっ
た。式［Ｖ］で示した構造のポリマー10重量部と式［VI
I］ で示した構造のポリマー10重量部をシクロヘキサノン45
0重量部に溶解してフォトレジストを作製した。
それをシリコンウエハー上にスピナーによって塗布しホ
ットプレート上で90℃２分間乾燥させ、0.3μｍの感光
性塗膜を形成した。その後254nmの単色光で露光し、石
油ベンジンを溶剤として用いて45秒間現像し、200℃で3
0分間乾燥することにより上層にレジストパターンを形
成した。次いでこの上層に形成されたパターンを用い
て、酸素ガスプラズマ（2.0×10-2Torr 0.06W/cm2）で3
0分間エッチングを行なった結果、0.6μｍの線幅のパタ
ーンが形成された。
ットプレート上で90℃２分間乾燥させ、0.3μｍの感光
性塗膜を形成した。その後254nmの単色光で露光し、石
油ベンジンを溶剤として用いて45秒間現像し、200℃で3
0分間乾燥することにより上層にレジストパターンを形
成した。次いでこの上層に形成されたパターンを用い
て、酸素ガスプラズマ（2.0×10-2Torr 0.06W/cm2）で3
0分間エッチングを行なった結果、0.6μｍの線幅のパタ
ーンが形成された。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平尾 明子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝総合研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−119550（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−226748（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−8248（ＪＰ，Ａ) 特開 昭47−18993（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に下層用樹脂を塗布して下層を形成
し、次いで前記下層上に上層用樹脂を塗布して上層を形
成し、しかる後露光・現像することにより前記上層にパ
ターンを形成し、次に前記パターンをマスクにして下層
の樹脂をエッチングしてパターンを形成する方法におい
て、 前記上層用樹脂が、水酸基を有した芳香環がケイ素原子
に結合したポリシランを含む感光性樹脂、または、前記
上層用樹脂が、−芳香環−Si−Ｏ−Ｏ−結合を含む重合
体よりなる感光性樹脂であることを特徴とするパターン
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60211060A JPH0760266B2 (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60211060A JPH0760266B2 (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | パタ−ン形成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4083079A Division JPH07111582B2 (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | レジスト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6271945A JPS6271945A (ja) | 1987-04-02 |
| JPH0760266B2 true JPH0760266B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=16599731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60211060A Expired - Fee Related JPH0760266B2 (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760266B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS578248A (en) * | 1980-06-19 | 1982-01-16 | Toray Ind Inc | Production of photosensitive resin |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP60211060A patent/JPH0760266B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6271945A (ja) | 1987-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6887644B1 (en) | Polymer compound for a chemical amplification resist and a fabrication process of a semiconductor device using such a chemical amplification resist | |
| EP0543762B1 (en) | Dry developable photoresist compositions and method for use thereof | |
| KR100658476B1 (ko) | 네가티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법 | |
| JPH0456977B2 (ja) | ||
| JPH0695385A (ja) | 深−ｕｖ、ｉ−線またはｅ−ビームリソグラフ用の新規シリコン含有ネガレジスト | |
| JP3691897B2 (ja) | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 | |
| JP3418184B2 (ja) | ラクトン部分を有する環式オレフィン・ポリマを有するフォトレジスト組成 | |
| CN100432837C (zh) | 光刻蚀法中使用的含噻吩的光酸生成剂 | |
| JP3503622B2 (ja) | ラクトン添加剤を含むレジスト組成物 | |
| JPH07113773B2 (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| US8932796B2 (en) | Hybrid photoresist composition and pattern forming method using thereof | |
| JP3120402B2 (ja) | 不活性化芳香族アミン化合物を含むフォトレジスト組成物 | |
| GB2354247A (en) | Organic polymer for organic anti reflective coating layer and preparation thereof | |
| US6821718B2 (en) | Radiation sensitive silicon-containing negative resists and use thereof | |
| US3669662A (en) | Cyclic polyisoprene photoresist compositions | |
| JPH1195418A (ja) | フォトレジスト膜及びパターン形成方法 | |
| JP2661317B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0760266B2 (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP3118887B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| KR910005031B1 (ko) | 감광성 조성물 | |
| JPH08305028A (ja) | レジスト | |
| JP3766245B2 (ja) | パタン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPH05158235A (ja) | レジスト組成物とレジストパターンの形成方法 | |
| JP3766235B2 (ja) | パタン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPH05216232A (ja) | レジスト組成物とレジストパターンの形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |