JPH0756545Y2 - X線保護回路 - Google Patents

X線保護回路

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JPH0756545Y2
JPH0756545Y2 JP7995190U JP7995190U JPH0756545Y2 JP H0756545 Y2 JPH0756545 Y2 JP H0756545Y2 JP 7995190 U JP7995190 U JP 7995190U JP 7995190 U JP7995190 U JP 7995190U JP H0756545 Y2 JPH0756545 Y2 JP H0756545Y2
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JP
Japan
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voltage
ray
circuit
anode
anode voltage
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JP7995190U
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JPH0438181U (ja
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健治 木村
浩子 林
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、テレビジョン受像機の受像管のアノード電
極電圧のレギュレータを備えたX線保護回路に関するも
のである。
〔従来の技術〕
第3図は従来のX線保護回路のブロック図である。この
第3図において、1は水平発振回路、2は水平駆動回
路、3は受像管にアノード電圧を供給する高圧発生回
路、4は検波された映像信号を処理する映像信号処理回
路、5は受像管である。
また、6はアノード電圧の変動を検知し、制御するレギ
ュレータ回路、7,8はそれぞれアノード電圧を分割して
得られた電圧を後述する比較回路に適切な入力電圧を設
定する分割抵抗、9はアノード電圧の上昇を検知し、X
線プロテクタの動作を決定する上記比較回路である。
11はこの比較回路9の基準電圧を決定するツエナーダイ
オード、12はマイクロコンピュータ、13は電源スイッ
チ、14は商用電源、15は整流ダイオードである。
16はビーム電流を検出する抵抗であり、a点の検出電圧
を映像信号処理回路4に帰還し、ビーム電流がある一定
値以上流れないようにしている。
次に、動作について説明する。受像管5のアノード電圧
が高圧発生回路3から受像管5に供給される。
一方、高圧発生回路3で発生したアノード電圧を分割抵
抗7,8により分割し、レギュレータ6により検知し、高
圧発生回路3により帰還をかけアノード電圧を制御す
る。
アノード電圧が何らかの原因で上昇した場合、レギュレ
ータ回路6は検知電圧を分割抵抗7,8により適当に分割
し、比較回路9に入力する。
この比較回路9において、ツエナーダイオード11で設定
した基準電圧と分割抵抗7,8で分割した分圧電圧とを比
較し、基準電圧より分圧電圧が高い場合には、比較回路
9から出力される。
この出力はX線プロテクタとしてのマイクロコンピュー
タ12に入力され、マイクロコンピュータ12は受像管5の
ビーム電流が正常になるように高圧発生回路3を制御し
て、X線発生量を抑制するようにする。
第4図は上記比較回路9からX線プロテクタとしてのマ
イクロコンピュータ12に出力する状態の場合のグラフで
ある。この第4図に示すG1は0.5mR/h X線量率リミット
カーブ、G2はX線プロテクタ動作レベル、G3は通常動作
時のアノード電圧である。
〔考案が解決しようとする課題〕
従来のX線保護回路は以上のように構成されているの
で、受像管5のアノード電圧と、X線プロテクタ機能を
有するテレビジョン受像機において、ビーム電流Ibはテ
レビジョン受像機が異常動作状態となった時(以下、異
常動作領域という)は所定値以上のビーム電流が流れ、
X線プロテクタの動作するアノード電圧(以下、X線プ
ロテクタ動作レベルと称す)と、0.5mR/h X線量率リミ
ットカーブとの裕度が少なくなるという課題があった。
この考案は上記のような課題を解消するためになされた
もので、異常動作領域において、X線プロテクタ動作と
0.5mR/h X線量率リミットカーブとの裕度が充分確保で
きる安全なテレビジョン受像機とすることができるX線
保護回路を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この考案に係るX線保護回路は、ビーム電流の変化に追
従してX線プロテクタの動作レベルを変化させる比較回
路を設けたものである。
〔作用〕
この考案における比較回路は、テレビジョン受像機が異
常動作領域になった場合に、X線プロテクタの動作レベ
ルを下げ、0.5mR/h X線量率リミットカーブとの裕度が
充分とれるように作用する。
〔実施例〕
以下、この考案のX線保護回路の実施例について、図面
に基づき説明する。第1図はその一実施例の構成を示す
ブロック図である。この第1図において、構成の説明に
際し、第3図と同一部分には同一符号を付してその重複
説明を避け、第3図とは異なる部分を主体に述べる。
この第1図を第3図と比較しても明らかなように、第1
図では、符号1〜9、11〜16で示す部分は第3図と同様
であり、この第1図では、第3図の構成に新たに検出抵
抗10を追加し、比較回路9にビーム電流の変化に追従し
て、X線プロテクタの動作レベルを変化させるようにし
ている。
すなわち、検出抵抗10は比較回路9の基準電圧を決定す
るツエナーダイオード10のカソードと比較回路9との間
に挿入されている。
また、この検出抵抗10の一端はa点に接続されている。
その他の構成は第3図と同様である。
次に動作について説明する。受像管5のアノード電圧の
供給からレギュレータ回路6によるこのアノード電圧の
制御までは、第3図の従来例と同様であるため、ここで
の再度の説明を省略する。
次に、アノード電圧が何等かの原因で上昇した場合、レ
ギュレータ回路6の検知電圧を分割抵抗7,8により分割
し、比較回路9に入力する。
この比較回路9において、ツエナーダイオード11と検出
抵抗10によって設定される基準電圧と比較し、この基準
電圧より高い電圧が入力されると、比較回路9から出力
され、X線プロテクタとしてのマイクロコンピュータ12
にこの出力が入力され、X線プロテクタが動作する。
一方、テレビジョン受像機が異常動作となった場合に
は、ビーム電流Ibの検出点(a点)の電圧はビーム電流
が増加すると下がり、逆に減少すると上昇するように変
化するので、ビーム電流が増加すると、検出抵抗10に流
れる電流が減少し、比較回路9の基準電圧が降下する。
これにより、X線プロテクタ回路の基準電圧が下がり、
その動作レベルが下がり、X線プロテクタ動作レベルが
下がることにより、このX線プロテクタ動作レベルと0.
5mR/h X線量率リミットカーブとの間に正常動作領域と
同等の裕度が保持される。
以上の動作は第2図に示されている。この第2図におい
て、G1は0.5mR/h X線量率リミットカーブ、G2はX線プ
ロテクタ動作レベル、G3は通常動作時の受像管5のアノ
ード電圧である。
〔考案の効果〕
以上のように、この考案によれば、テレビジョン受像機
が異常動作領域になった場合には、X線プロテクタ動作
レベルを下げ、0.5mR/h X線量率リミットカーブとの間
に、正常動作領域と同等の裕度が保持されるという効果
を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例によるX線保護回路のブロ
ック図、第2図は同上実施例の動作状態を示すグラフ、
第3図は従来のX線保護回路のブロック図、第4図は従
来のX線保護回路の動作状態を示すグラフである。 3…高圧発生回路、5…受像管、6…レギュレータ回
路、7,8…分割抵抗、9…比較回路、10…検出抵抗、11
…ツエナーダイオード。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】テレビジョン受像機の受像管のアノードに
    アノード電圧を供給する高圧発生回路と、上記アノード
    電圧の変動を検知して上記アノード電圧が所定電圧にな
    るように上記高圧発生回路を制御するレギュレータ回路
    と、上記アノード電圧を分圧する分割抵抗と、上記分圧
    されたアノード電圧と基準電圧と比較して上記分圧され
    たアノード電圧が基準電圧以上になると上記受像管のビ
    ーム電流の増加にともなうX線の発生を抑制するための
    X線プロテクタを作動させ、かつ上記テレビジョン受像
    機が異常作動状態になると上記ビーム電流の増加にとも
    なって上記基準電圧を低下させて上記X線プロテクタの
    動作レベルを低下させる比較回路を備えたX線保護回
    路。
JP7995190U 1990-07-25 1990-07-25 X線保護回路 Expired - Lifetime JPH0756545Y2 (ja)

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JP7995190U JPH0756545Y2 (ja) 1990-07-25 1990-07-25 X線保護回路

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JP7995190U JPH0756545Y2 (ja) 1990-07-25 1990-07-25 X線保護回路

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Publication Number Publication Date
JPH0438181U JPH0438181U (ja) 1992-03-31
JPH0756545Y2 true JPH0756545Y2 (ja) 1995-12-25

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JP (1) JPH0756545Y2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8896639B2 (en) 1999-03-26 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8896639B2 (en) 1999-03-26 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device

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JPH0438181U (ja) 1992-03-31

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