JPH0756540A - マトリックス型表示装置の駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】高速応答のＳＴＮ液晶の駆動方法において駆動
回路の小型化、低消費電力化をはかる。 【構成】アクティブアドレッシング方式の液晶表示装置
において、同時に駆動される行単位で分割された電極の
うち、１、−１の値を持つ直交関数に従った電圧波形を
印加する行電極手段にのみ、直交関数の情報を与えるよ
うにする。 【効果】必要最小限のデータ転送のみで駆動可能となる
ので、装置の小型化。低消費電極化が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶駆動方法及びその表
示装置に係り、特に高速応答のＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ Ｔ
ｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を高コントラスト
表示する駆動方法及びその表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、マトリックス構造を持つ液晶表示
装置の駆動方法としてはアイトリプルイー トランジャ
クションズ オン エレクトロン デバイス（ＩＥＥＥ
Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｄｅｖｉｃｅｓ Ｖｏｌ．ＥＤ−２６，Ｎｏ．５，Ｍ
ａｙ１９７９（ＰＰ７９５〜）のＵｌｔｉｍａｔｅＬｉ
ｍｉｔｓ ｆｏｒ Ｍａｔｒｉｘ Ａｄｄｒｅｓｓｉｎ
ｇ ｏｆ ＲＭＳ−Ｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ Ｌｉｑｕｉ
ｄ−Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ及びＳＩＤ９２’
Ｄｉｇｅｓｔ Ａｃｔｉｖｅ Ａｄｄｒｅｓｓｉｎｇ
Ｍｅｔｈｏｄｆｏｒ Ｈｉｇｈ−Ｃｏｎｔｒａｓｔ Ｖ
ｉｄｅｏ−Ｒａｔｅ ＳＴＮ Ｄｉｓｐｌａｙ）に記載
のように行電極に直交性を持つ関数に従った電圧を与
え、列電極にはその列のすべての表示情報と走査側の関
数との積和の関数を与える表示方法が提案されている。
以下、図２〜図５を用いその駆動方法を詳細に説明す
る。

【０００３】図２はＮ行、Ｍ列のマトリックス構造の液
晶表示部の構造を示す図であり、行電極と列電極の交点
が表示ドットを構成している。Ｎ個の行電極にはそれぞ
れｆ（１）〜ｆ（Ｎ）の関数で示される電圧が印加さ
れ、Ｍ個の列電極にはｇ（１）〜ｇ（Ｍ）の関数で示さ
れる電圧が印加される。Ｕ（ｉ，ｊ）はｉ行、ｊ列の交
点のドットに印加される電圧を示し、これは、ｆ（ｉ）
とｇ（ｊ）の差電圧である。図３は現在ＳＴＮ液晶の駆
動波形として一般的に使用されている行電極に印加され
る直交関数の１例を示す図である。図２、図３を用い現
在ＳＴＮ液晶の駆動方法として一般的に用いられている
駆動方法について説明する。今ｆ（ｉ）が図３の関数で
示されるとするとｆ（ｉ），ｇ（ｊ）はそれぞれ、式
（１）、式（２）で表すことがでる。

【０００４】

【数３】

【０００５】ここで、δ（ｉ，ｔ）はｉ＝ｔで１、ｉ≠
ｊで０であり、ＦＰは式（３）で与えられる定数で、

【０００６】

【数４】

【０００７】Ｐ（ｉ，ｊ）はｉ行、ｊ列の交点のドット
の表示情報を示し、表示オンの時に−１、表示オフの時
に１となる。この時ｉ行、ｊ列の交点に印加される電圧
の実行値Ｕｒｍｓ（ｉ，ｊ）は式（１）（２）（３）を
用い次の様に計算できる。

【０００８】

【数５】

【０００９】ここでＴ＝Ｎと置いて変形する。

【００１０】

【数６】

【００１１】

【数７】

【００１２】以上より、Ｕｒｍｓ（ｉ，ｊ）は式（４）
となる。この時、Ｐ（ｉ，ｊ）が表示オンとすると、Ｐ
（ｉ，ｊ）＝−１となり式（４）は式（５）となり、表
示オフとすると、Ｐ（ｉ，ｊ）＝１となり式（６）とな
る。

【００１３】

【数８】

【００１４】以上より、ｉ行、ｊ列の交点に印加される
電圧実効値はそのドットのオン、オフの情報Ｐ（ｉ，
ｊ）により式（５）（６）となる。ｉ行、ｊ列の交点に
印加される電圧波形は（ｆ（ｉ）−ｇ（ｊ））であり式
（１）（２）から図４に示す波形となる。図４において
ｉ行走査時にｉ行、ｊ列の交点に印加される電圧Ｓ１お
よびｉ行以外の走査時にｉ行、ｊ列の交点に印加される
電圧Ｓ２，Ｓ３は次式で表される。

【００１５】

【数９】

【００１６】ここでＮ＝２４０とするとＳ１＝１２．１
（Ｕ（ｉ，ｊ）＝表示オン）、１０．６（Ｕ（ｉ，ｊ）
＝表示オフ）Ｓ２＝０．７３，Ｓ３＝−０．７３となり
１フレーム（ｔ＝１〜Ｎの期間）に１度（ｉ＝ｔ）大き
な電圧が印加され、残りは低い電圧が印加される。この
ため高速応答のＳＴＮ液晶ではこの低い電圧を印加して
いる期間で表示輝度が低下することが考えられる。そこ
でこれを解決する駆動方法について次の方法が提案され
ている。この駆動方法について説明する。図５はウォル
シュ関数と呼ばれている直交関数で、分割＝８の例を示
している。今、図２の液晶表示部の行電極の関数として
分割＝Ｔのウォルシュ関数を用いｆ（ｉ）にＴ個のウォ
ルシュ関数のうちＮ個を選び適用（Ｔ≧Ｎ）した場合の
ｉ行、ｊ列の交点の電圧実効値Ｕｒｍｓ（ｉ，ｊ）は次
の様になる。

【００１７】

【数１０】

【００１８】

【数１１】

【００１９】ここで、ｆ（ｉ），Ｇ（ｊ）は式（７）、
式（８）で与えられるものとする。

【００２０】

【数１２】

【００２１】ここで、Ｗ（ｉ，ｔ）はウォルシュ関数で
１または−１の値をとり、ＦＰは式（９）で示される定
数である。

【００２２】

【数１３】

【００２３】以上よりｉ行、ｊ列の交点の電圧実効値は
次式となり、

【００２４】

【数１４】

【００２５】式（４）と同一になり、表示オンのときは
式（５）、表示オフの時は式（６）の値となる。すなわ
ち、行電極に与える電圧の関数を図５に示すウォルシュ
関数としてもｉ行、ｊ列の交点に印加される電圧実効値
はそのドットの表示オン、表示オフにより式（５）、式
（６）で示されることになる。

【００２６】この場合、式（８）のｇ（ｊ）を次式に示
す形に変形して考えると

【００２７】

【数１５】

【００２８】ここで、Ｄはｊ列のｉ＝１〜ＮのＰ（ｉ，
ｊ）とｗ（ｉ，ｊ）の値の一致数（Ｐ（ｉ，ｊ）は±
１、Ｗ（ｉ，ｊ）は±１の値をとる）である。

【００２９】この時Ｄの値は次式で示す正規分布で示さ
れる。

【００３０】

【数１６】

【００３１】式（１１）より、ＤはＮ／２を中心とした
正規分布に従うため、式（１０）の値も同様に正規分布
に従う。このことより、ｉ行、ｊ列の交点に印加される
電圧波形（ｆ（ｉ）−ｇ（ｊ））は図４に比べ、ｔ＝１
〜Ｔの間平均した電圧が印加される。

【００３２】上記の処理を実現する回路としては、ジャ
パンディスプレイ’９２（Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ
’９２のＰ５０３〜５０６のＨａｒｄｗａｒｅ Ａｒ
ｃｈｉｔｅｃｕｔｕｒｅｓ ｆｏｒ Ｖｉｄｅｏ−Ｒａ
ｔｅ，Ａｃｔｉｖｅ Ａｄｄｒｅｓｓｅｄ ＳＴＮ Ｄ
ｉｓｐｌａｙｓ）に記載されている方法がある。その方
法では行ドライバとしてＳＴＮ用ドライバを使用してい
る。

【００３３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の駆動方法は
行電極に与える電圧関数をウォルシュ関数とした場合、
式（７）（８）より列電極に印加されえる電圧関数ｇ
（ｊ）は式（１２）となり、ある時刻ｔの１つのドット
に対する印加電圧を決定するにはｉ＝１〜Ｎの表示情報
Ｐ（ｉ，ｊ）とウォルシュ関数Ｗ（ｉ、ｔ）の積和を計
算する必要があり実現が困難であり、具体的駆動回路は
明示されていない。これにたいして行電極に与える電圧
関数を図３に示す関数とすると列電極に印加される電圧
関数ｇ（ｊ）は式（１３）であり、

【００３４】

【数１７】

【００３５】積和は必要なく回路構成は簡単となる。し
かし、この場合は図４に示すようにｉ行、ｊ列の交点に
印加される電圧波形はＮ回に１度のみ高い電圧となり、
残りのＮ−１回は低い電圧となるため高速応答のＳＴＮ
液晶を表示する場合コントラストを低下させることが考
えられる。

【００３６】また上記従来方式で、部分直交関数駆動を
行なう場合、大半の行電極へは“０”が出力されるが、
ＳＴＮ用ドライバを使用した場合これらの電極に対して
もデータ転送が必要になる。

【００３７】本発明の目的は回路構成が簡単で、高速応
答のＳＴＮ液晶に対してもコントラストを低下すること
のない駆動方式と、それを低コスト低消費電力で実現可
能な回路構成を示すことである。

【００３８】

【課題を解決するための手段】同時に駆動される行単位
で分割された電極のうち、１、−１の値をもつ直交関数
に従った電圧波形を印加する行電極駆動手段にのみ、該
直交関数の情報を与えるようにする。

【００３９】

【作用】行電極駆動に必要な直交関数データの転送のみ
で行電極を駆動できる。これにより制御回路の小型化、
低消費電力化が可能となる。

【００４０】

【実施例】本発明の１実施例を以下に図面を用いて説明
する。図１は本発明の一実施例の液晶表示装置のブロッ
ク図である。図１の液晶表示の動作の説明の前に液晶に
印加される電圧波形について説明する。図６はＮ個の行
電極に印加する電圧関数を８行のみウォルシュ関数と
し、１フレーム周期Ｔを２Ｎ（Ｎは表示行数）とし上記
８行のウォルシュ関数を分割＝１６で駆動する場合の行
電極の電圧関数を示す図である。なお液晶表示部は従来
例と同様にＮ行、Ｍ列の表示とする。この場合、行電極
に印加される電圧関数、および列電極に印加される電圧
関数はそれぞれ式（２０）（２１）となる。

【００４１】

【数１８】

【００４２】ここで、ＦＰは式（２２）で示される定数
であり、Ｂ（ｉ，ｔ）は図６に示す関数である。

【００４３】

【数１９】

【００４４】またＰ（ｉ，ｊ）は従来例と同様に、ｉ
行、ｊ列のドットが表示オンの時−１、表示オフの時１
となる。式（２０）〜（２２）を用いｉ行，ｊ列の交点
の電圧実効値Ｕｒｍｓ（ｉ，ｊ）を計算すると次のよう
になる。

【００４５】

【数２０】

【００４６】

【数２１】

【００４７】

【数２２】

【００４８】

【数２３】

【００４９】これよりＵ（ｉ，ｊ）の電圧実効値は式
（２３）となり、ｉ行，ｊ列の交点が表示オンの時はＰ
（ｉ，ｊ）は−１となるためその電圧実効値は式（２
４）となり、表示オフのときはＰ（ｉ，ｊ）は１となる
ため式（２５）となる。

【００５０】

【数２４】

【００５１】以上より行電極に印加する電圧関数を図１
のようにしても表示オン、オフの電圧実効値は従来例で
示した時と変わらないことが式（２４）（２５）と式
（５）（６）を比較することでわかる。

【００５２】以上Ｎ行のうち８行をウォルシュ関数と
し、この８行のウォルシュ関数を１６分割で駆動すると
して説明してきたがこれに限られる訳ではなく、一般的
にＮ行のうちＲ行をウォルシュ関数とし、このウォルシ
ュ関数をＫ分割で駆動することも可能である。この時Ｒ
＜Ｎ，Ｋ≧Ｒの関係が成立するものとする。

【００５３】以下、一般化した場合のｆ（ｉ）、ｇ
（ｊ）を式（２６）（２７）に示し、この場合の定数Ｆ
Ｐを式（２８）に示す。また、この時のｉ行，ｊ列の交
点の電圧実効値Ｕｒｍｓ（ｉ，ｊ）を計算する。

【００５４】

【数２５】

【００５５】

【数２６】

【００５６】

【数２７】

【００５７】これは式（２３）と一致する。以上より一
般的に上記のように置いても式（２９）が成立すればｉ
行，ｊ列の交点の電圧実効値Ｕｒｍｓ（ｉ，ｊ）は従来
例と同様になる。また、本実施例ではウォルシュ関数を
用いて説明したがこれに限られる訳ではなく、実効値の
計算の経過より１と−１の値を持つ直交関数であれば良
い。以下、この駆動方法を部分直交関数駆動方式と呼び
説明する。

【００５８】

【数２８】

【００５９】次に、上記で説明した液晶駆動回路の１実
施例を図１、図７〜図１４を用いて説明する。図７は部
分直交関数駆動方式を実現する列信号発生手段の１実施
例のブロック図で、１は表示データで、表示オンを”
１”、表示オフを”０”で表す。２は書き込み手段、３
はＡデータ、４はＢデータ、５はＸ行分のデータを格納
するラインメモリＡ、６はＸ行分のデータを格納するラ
インメモリＢで書き込み手段２はＡデータ３、Ｂデータ
４を介してラインメモリＡ５，Ｂ６に表示データ１を書
き込む。尚、この時、書き込み手段２はＸ行ずつ交互に
ラインメモリＡ５、ラインメモリＢ６に書き込みを行
う。７は読みだしデータＡ、８は読みだしデータＢ、９
は読みだし手段で、読みだし手段９はラインメモリＡ
５、ラインメモリＢ６のうち書き込みを行っていない方
から読みだしデータＡ７、読みだしデータＢ８を介して
格納されたデータを読みだす。なおこの読みだし動作は
Ｘ行分のデータを同時に読みだすものとする。１０は読
みだし手段９によりラインメモリから読みだされた表示
情報でＸ行表示データである。１１は演算手段、１２は
関数発生手段、１３はＸ行関数データで、演算手段１１
は表示情報であるＸ行表示データ１０とＸ行関数データ
１３の積和演算を行う。なお、この演算の演算順序につ
いては図１を用いた実施例の説明の箇所で詳述する。１
４は演算データ、１５は電圧変換手段、１６はアナログ
表示データであり、演算手段１１の演算結果である演算
データ１４を電圧変換手段により電圧に変換しアナログ
表示データとする。図１は図７の列信号発生手段を用い
た液晶表示装置の１実施例のブロック図で、１７は列信
号発生手段で図７で説明したものであり、次の１分割時
間に列電極駆手段より出力される１行分の表示データを
演算する。１８は列電極駆動手段でアナログ表示データ
を１行分取り込み、その後一斉に１行分のデータを出力
する。尚、この１行分のデータ取り込みは１分割期間で
行われる。これらの一連の動作手順については図４０に
示す。１９〜２１は列電極信号でそれぞれ１列列電極信
号、２列列電極信号、Ｍ列列電極信号である。２２は行
関数発生手段で、図６で示したように行関数を発生す
る。２３は行関数データ、２４は行電極駆動手段で行関
数発生手段２２は１分割時間の行分の関数を行関数デー
タ２３を介して行電極駆動手段２４に書き込み、行電極
駆動手段２４は書き込み終了後に行電極にその値に従っ
た電圧を出力する。尚、この行関数データ２３の書き込
みも１分割期間で行われ、列電極駆動手段１８のアナロ
グ表示データ１６の書き込みの１分割期間の周期と同期
している。２５〜２７は行電極信号でそれぞれ１行電極
信号、２行電極信号、Ｎ行電極信号である。２８はＮ
行、Ｍ列の表示を行う液晶パネルである。図８は本実施
例において液晶パネル２８を４行、４列とした時の液晶
パネルのドット情報を表す図、図９は関数発生手段１２
のＸ行関数データ１３の各ｔにおける値を示す図、図１
０はＸ行読みだしデータ１０とＸ行関数データ１３のタ
イミング関係を説明する図、図１１は演算手段１１の１
実施例のブロック図で、２９、３０は論理反転を行う反
転回路、３１、３２は排他的論理和をとるＥＸＯＲ回
路、３３はデコード手段である。図１２は、デコード手
段３３の動作を説明する図であり、図１３は行関数発生
手段１２の出力する関数データ２３の各ｔの値を示す
図、図１４は列電極駆動手段１８、行駆動手段２４の動
作を説明するタイミング図である。

【００６０】また、本実施例では説明の都合上液晶パネ
ル２８は４行、４列で、Ｘ＝２、この２行を４分割で駆
動するとして説明する。すなわち、１フレームは８分割
で駆動することになる（式（２９）参照）。まず最初に
図７の動作を説明する。

【００６１】表示データ１は図８に示す液晶パネル２８
の各ドットに対してＵ（１，１），Ｕ（１，２）………
Ｕ（２，１），Ｕ（２，２）………Ｕ（４，１），Ｕ
（４，２）……Ｕ（４，４）とシリアルに送られて来
る。この表示データ１は書き込み手段２によりラインメ
モリＡ５，ラインメモリＢ６に２行づつ交互に書き込ま
れる。すなわち、１、２行目のデータはラインメモリＡ
５に、３、４行目のデータはラインメモリＢ６に書き込
まれることになる。今、１、２行目のデータのラインメ
モリＡ５への書き込みが終了し、３行目のデータがライ
ンメモリＢ６に書き込まれているとすると、読みだし手
段９はラインメモリＡ５より書き込まれたデータをライ
ンメモリＡ５より読みだす。この時、読みだしデータＡ
７はＵ（１，１）とＵ（２，１）を同時に、Ｕ（１，
２）とＵ（２，２）を同時にと行方向のデータを同時に
読みだし、Ｘ行読みだしデータ１０として出力する。関
数発生手段は各時刻ｔ（２行を４分割で駆動しているた
めｔ＝１〜４を繰り返す）に従い、図９に示すｈ
（１），ｈ（２）のＸ行関数データを発生する。ここ
で、関数データｈ（１），ｈ（２）は１ビットで、−１
を”０”、＋１を”１”で示している。ここで、関数発
生手段１２の動作と読みだし手段９の動作のタイミング
を図１０で説明する。Ｘ行関数データ１３がｔ＝１のｈ
（１），ｈ（２）となっているとき読みだし手段９は図
１０に示すように１列目から４列目の２行のデータを順
次読みだす。これをｔ＝４まで繰返し、終了後関数発生
手段は再びｔ＝１からＸ行関数データ１３を発生する。
これに対して、読みだし手段９はラインメモリＢ６から
ラインメモリＡ５からの読みだしと同様な動作でデータ
を読みだす。次に、演算手段１１の動作を図１１、１２
を用いて説明する。今、Ｘ行読みだしデータがＵ（１，
１），Ｕ（２，１）で、Ｘ行関数データがｈ（１），ｈ
（２）とすると表示データは表示オンを”１”、表示オ
フを”０”で表しているため、式（２１）のＰ（ｉ，
ｊ）の表現に合わせるため反転回路２９、３０でＵ
（１，１），Ｕ（２，１）を反転する。この反転された
データはそれぞれｈ（１），ｈ（２）と排他的論理和回
路をＥＸＯＲ３１，３２でとり、その出力をデーコード
手段３３で図１２に従いデコードする。これは次式の演
算を行っていることになり、式（２１）の積和を演算す
ることになる。

【００６２】

【数２９】

【００６３】従って、演算データ１４は図１２に示すい
ずれかの値をとり、電圧変換手段により式（２６）、
（２７）（２８）より次式の電圧値となる様に変換さ
れ、アナログ表示データ１６として出力される。

【００６４】

【数３０】

【００６５】本実施例ではＮ＝４，Ｒ＝２である。ま
た、Ｖｏｆｆは式（２５）で示すように表示オフ電圧
を”１”としているため実際の駆動電圧に変換するため
の係数である。以上、説明したように図７の列信号発生
手段は式（２０）〜（２９）で説明した部分直交関数駆
動を実現している。次に、図７に示すこの列信号発生手
段を用いた液晶表示装置の実施例を図１を用い説明す
る。

【００６６】表示データ１は列信号発生手段１７により
式（２７）に従った信号に変換され式（３０）に従った
電圧に変換される。このアナログ表示データ１６は順次
列電極駆動手段１８に取り込まれ、このデータは１行分
の取り込み終了時に一斉に列電極信号に出力される。行
関数発生手段２２は図１３に示す関数で行関数データ２
３をｆ（１），ｆ（２），ｆ（３），ｆ（４）と順次出
力する。行電極駆動手段２４はこの行関数データ２３を
受取、１列分のデータを全て受け取った後、行電極信号
として出力する。以上、列電極手段１８、行電極手段２
４の動作タイミングを図１４に示す。

【００６７】以上説明したＳＴＮ液晶の駆動方法によれ
ば、式（２７）に示される列信号の演算は従来例ではＮ
行分を行うのに対して、Ｒ行（Ｒ＜Ｎ）分でよく、回路
的にも実現が容易である。ここで、２４０行、６４０列
の１演算時間（図１０のｔａ）を求める。ここで、フレ
ーム周波数は６０Ｈｚ，Ｒ＝８，Ｋ＝１６とする。

【００６８】

【数３１】

【００６９】すなわち、約５４ｎｓの間に８行（Ｒ＝
８）分のデータを読みだし演算を行えば良い。これは、
実施例で示したように８行分のデータを同時に読みだ
し、演算することは容易である。これに対して、従来の
駆動方法ではｔａは次のようになる。

【００７０】

【数３２】

【００７１】ｔａそのものは部分直交関数駆動に比較し
て長くなる。しかし、この約１００ｎｓの間に２４０行
分のデータを読みだし演算することは論理回路上困難で
ある。すなわち、１行のデータ分の処理速度は０．４ｎ
ｓとなり、パラレル駆動を行い論理回路上実現可能な速
度に落すとしても、そのパラレル数が多くなり、大きな
論理規模となる。これに比較して、部分直交関数駆動で
は演算の行数が少なく、小さな論理規模で実現可能とな
る。

【００７２】次に、本発明の他の実施例を以下図面を用
いて説明する。図１５は本実施例の液晶表示装置のブロ
ック図である。図１５の液晶表示の動作の説明の前に液
晶に印加される電圧波形について説明する。図１６はＮ
個の行電極に印加する電圧関数を８行のみウォルシュ関
数とし、１フレーム周期Ｔを２Ｎ（Ｎは表示行数）と
し、上記８行のウォルシュ関数を分割＝１６で駆動する
場合の行電極の電圧関数を示す図である。また液晶表示
部は従来例と同様にＮ行、Ｍ列の表示とする。一般的
に、Ｎ個の行電極に印加する電圧関数をｍ行のみウォル
シュ関数とし、１フレームの周期をＴとし、上記ｍ行の
ウォルシュ関数の分割数をｓとすると、各行電極に印加
される電圧関数Ｆｈと、各列電極に印加される電圧関数
Ｇｊと、ｉ行ｊ列の画素に印加される電圧の実行値Ｕｒ
ｍｓは次のようになる。

【００７３】

【数３３】

【００７４】

【数３４】

【００７５】

【数３５】

【００７６】

【数３６】

【００７７】以上よりｉ行ｊ列の画素に印加される電圧
の実行値Ｕｒｍｓは、式（３６）となる。又、表示オン
のときＩｉｊは−１、表示オフのときＩｉｊは＋１とな
るので、それぞれの電圧実行値は式（３７）、式（３
８）となる。

【００７８】

【数３７】

【００７９】ここで、動作マージンＲを定義すると式
（３９）となる。

【００８０】

【数３８】

【００８１】式（３９）において、動作マージンＲが最
大となるｃを求めると、式（４０）となる。

【００８２】

【数３９】

【００８３】式（４０）を式（３７）、式（３８）に代
入すると、Ｕｒｍｓ（ｏｎ）とＵｒｍｓ（ｏｆｆ）は式
（４１）、式（４２）となる。

【００８４】

【数４０】

【００８５】又、式（４０）をしき（３９）に代入する
と、動作マージンＲは式（４３）となる。

【００８６】

【数４１】

【００８７】ここで、Ｕｒｍｓ（ｏｆｆ）を１と置く
と、式（４２）からＦは式（４４）となる。

【００８８】

【数４２】

【００８９】式（４４）をしき（４１）、式（４２）に
代入すると、Ｕｒｍｓ（ｏｎ）とＵｒｍｓ（ｏｆｆ）は
式（４５）、式（４６）となる。

【００９０】

【数４３】

【００９１】以上のように、行電極に印加する電圧関数
を図１６のようにした場合、表示オン、オフの電圧実行
値は、従来例のＮをｎＮとしたときと同じであることが
式（４５）式（４６）と、式（６）、式（６）を比較す
ることで分かる。また、本実施例ではウォルシュ関数を
用いて説明したがこれに限られる訳ではなく、実効値の
計算の経過より１と−１の値を持つ直交関数であれば良
い。以下、この駆動方法を第一の実施例と同様に部分直
交関数駆動方式と呼ぶこととする。

【００９２】次に、上記で説明した液晶駆動回路の第二
の実施例を図１５、図１６、及び図７〜図１４を用いて
説明する。図７は部分直交関数駆動方式を実現する列信
号発生手段のブロック図で、第一の実施例と同じ構成で
あり、各部分の説明は省略する。又、同様に図８〜図１
４は、第一の実施例と同じ構成であるので、各部分の説
明は省略する。図１５は図７の列信号発生手段を用いた
液晶表示装置の第二の実施例のブロック図で、１７は列
信号発生手段で図７で説明したものであり、１８は列電
極駆動手段でアナログ表示データを１行分取り込み、そ
の後一斉に１行分のデータを出力する。尚、この１行分
のデータ取り込みは１分割期間で行われる。１９〜２１
は列電極信号でそれぞれ１列列電極信号、２列列電極信
号、Ｍ列列電極信号である。３４は行関数発生手段で、
図６で示した行関数を発生する。２３は行関数データ、
２４は行電極駆動手段で行関数発生手段３４は１分割時
間の行分の関数を行関数データ２３を介して行電極駆動
手段２４に書き込み、行電極駆動手段２４は書き込み終
了後に行電極にその値に従った電圧を出力する。尚、こ
の行関数データ２３の書き込みも１分割期間で行われ、
列電極駆動手段１８のアナログ表示データ１６の書き込
みの１分割期間の周期と同期している。２５〜２７は行
電極信号でそれぞれ１行電極信号、２行電極信号、Ｎ行
電極信号である。２８はＮ行、Ｍ列の表示を行う液晶パ
ネルである。尚、本実施例では説明の都合上液晶パネル
２８は４行、４列で、Ｘ＝２、この２行を４分割で駆動
するとして説明する。すなわち、１フレームは８分割で
駆動することになる（式（２９）参照）。まず最初に図
７の動作を説明する。表示データ１は図８に示す液晶パ
ネル２８の各ドットに対してＵ（１，１），Ｕ（１，
２）………Ｕ（２，１），Ｕ（２，２）………Ｕ（４，
１），Ｕ（４，２）……Ｕ（４，４）とシリアルに送ら
れて来る。この表示データ１は書き込み手段２によりラ
インメモリＡ５，ラインメモリＢ６に２行づつ交互に書
き込まれる。すなわち、１、２行目のデータはラインメ
モリＡ５に、３、４行目のデータはラインメモリＢ６に
書き込まれることになる。今、１、２行目のデータのラ
インメモリＡ５への書き込みが終了し、３行目のデータ
がラインメモリＢ６に書き込まれているとすると、読み
だし手段９はラインメモリＡ５より書き込まれたデータ
をラインメモリＡ５より読みだす。この時、読みだしデ
ータＡはＵ（１，１）とＵ（２，１）を同時に、Ｕ
（１，２）とＵ（２，２）を同時にと行方向のデータを
同時に読みだし、Ｘ行読みだしデータ１０として出力す
る。関数発生手段は各時刻ｔ（２行を４分割で駆動して
いるためｔ＝１〜４を繰り返す）に従い、図９に示すｈ
（１），ｈ（２）のＸ行関数データを発生する。ここ
で、関数データｈ（１），ｈ（２）は１ビットで、−１
を”０”、＋１を”１”で示している。ここで、関数発
生手段１２の動作と読みだし手段９の動作のタイミング
を図１０で説明する。Ｘ行関数データ１３がｔ＝１のｈ
（１），ｈ（２）となっているとき読みだし手段９は図
１０に示すように１列目から４列目の２行のデータを順
次読みだす。これをｔ＝４まで繰返し、終了後関数発生
手段は再びｔ＝１からＸ行関数データ１３を発生する。
これに対して、読みだし手段９はラインメモリＢ６から
ラインメモリＡ５からの読みだしと同様な動作でデータ
を読みだす。次に、演算手段１１の動作を図１１、１２
を用いて説明する。今、Ｘ行読みだしデータがＵ（１，
１），Ｕ（２，１）で、Ｘ行関数データがｈ（１），ｈ
（２）とすると表示データは表示オンを”１”、表示オ
フを”０”で表しているため、式（２１）のＰ（ｉ，
ｊ）の表現に合わせるため反転回路２９、３０でＵ
（１，１），Ｕ（２，１）を反転する。この反転された
データはそれぞれｈ（１），ｈ（２）と排他的論理和回
路をＥＸＯＲ３１，３２でとり、その出力をデーコード
手段３３で図１２に従いデコードする。これは式（３
４）の積和演算を行っていることになる。従って、演算
データ１４は図１２に示すいずれかの値をとり、電圧変
換手段により式（３１）、（３２）（３４）（４０）
（４４）に示す電圧値となる様に変換され、アナログ表
示データ１６として出力される。本実施例ではＮ＝４，
Ｒ＝２である。また、Ｖｏｆｆは表示オフ電圧を”１”
としているため実際の駆動電圧に変換するための係数で
ある。以上、説明したように図７の列信号発生手段は式
（３１）〜（４６）で説明した部分直交関数駆動を実現
している。

【００９３】次に、図７に示すこの列信号発生手段を用
いた液晶表示装置の実施例を図１５を用い説明する。表
示データ１は、列信号発生手段１７により式（３４）に
従った信号に変換される。このアナログ表示データ１６
は順次列電極駆動手段１８に取り込まれ、このデータは
１行分の取り込み終了時に一斉に列電極信号に出力され
る。行関数発生手段２２は、図１６に示す関数で行関数
データ２３をｆ（１），ｆ（２），ｆ（３），ｆ（４）
と順次出力する。行電極駆動手段２４はこの行関数デー
タ２３を受け取り、１列分のデータを全て受け取った
後、行電極信号として出力する。以上、列電極手段１
８、行電極手段２４の動作タイミングを図１４に示す。

【００９４】以上説明したＳＴＮ液晶の駆動方法によれ
ば、式（３４）に示される列信号の演算はｍ行（ｍ＜
Ｎ）分でよく、回路的にも実現が容易である。ここで、
２４０行、６４０列の１演算時間（図１０のｔａ）を求
める。ここで、フレーム周波数は６０Ｈｚ，ｍ＝８，ｓ
＝１６とすると、第一の実施例と同様に約５４ｎｓの間
に８行（ｍ＝８）分のデータを読みだし演算を行えば良
い。これは、実施例で示したように８行分のデータを同
時に読みだし、演算することは容易である。これに対し
て、従来の駆動方法ではｔａも第一の実施例と同様に約
１００ｎｓとなる。しかし、この約１００ｎｓの間に２
４０行分のデータを読みだし演算することは論理回路上
困難である。すなわち、１行のデータ分の処理速度は
０．４ｎｓとなり、パラレル駆動を行い論理回路上実現
可能な速度に落すとしても、そのパラレル数が多くな
り、大きな論理規模となる。これに比較して、部分直交
関数駆動では演算の行数が少なく、小さな論理規模で実
現可能となる。

【００９５】以上説明した実施例では、Ｎ行の表示装置
をＲ行単位にＫ分割の直交関数を電圧関数として駆動す
る場合、図６、図１６に示したように、Ｋ分割を連続し
て行なっていた。又、第１の実施例と第２の実施例か
ら、図１７に示す直交関数を用いても実現可能である。
図１７の直交関数は、第１の実施例では０を、第２の実
施例ではＷ₀となる期間にＯとＷ₀を交互に組み合わせ与
えるものである。この場合の実施例の詳細の説明は行わ
ないが、第１の実施例、第２の実施例の説明から同様に
実現可能であることは自明である。さらに、図１７では
ＯとＷ₀を交互としたが、これに限られる訳ではなく、
それらの数、与え方を変えても実現可能である。

【００９６】次に、本発明の第３の実施例を示す。第３
の実施例は、例えばＮ行の表示装置を８行ずつ、１６分
割で駆動する場合において、１６分割をＷ１からＷ４の
各４分割（ｋ１からｋ１６で示される１６分割のうちｋ
１からｋ４をＷ１、ｋ５からｋ８をＷ２、ｋ９からｋ１
２をＷ３、ｋ１３からｋ１６をＷ４とする）を分散させ
て駆動する方法の具体的回路について示すものである。
この場合、１６分割を分散させただけであり、その分散
された時間に、当該の８行の演算を行ない列電極の印加
電圧を計算することにより、第１の実施例と同じ表示オ
ンと表示オフの電圧で駆動できることは自明である。
尚、この考え方に近い公知例としては、Ｊａｐａｎ Ｄ
ｉｓｐｌａｙ ’９２ダイジェストの５０３頁から５０
５頁に記載されているが、その動作、具体的回路に関し
ては記載されていない。以下、図面を用いて第３の実施
例の詳細を説明する。図１８は本第３の実施例の液晶表
示装置のブロック図であり、３５は表示データ、３６は
水平同期信号であるＨ信号、３７は垂直同期信号である
Ｖ信号、３８は表示データ３５に同期したＤＣＬＫ、３
９は表示データ３５のうち表示装置上で表示すべきデー
タを”ハイ”で示す表示信号であり、表示データ３５と
してはＨ信号３６の１周期の１水平時間に１ライン分の
６４０ドット、Ｖ信号３７の１周期の１フレーム時間に
２４０ライン分のデータが送られてくるものとする。４
０はフレームメモリ制御手段、４１はフレームライトデ
ータ、４２はフレームメモリに対し入力されるデータの
書き込み及び読みだしを制御するフレームメモリ制御バ
ス、４３はデータ信号制御バスであり、フレームメモリ
制御手段４０は表示データ３５をシリアルパラレル変換
し４ドットのパラレルデータのフレームメモリライトデ
ータ４１を生成し、さらに、Ｈ信号３６、Ｖ信号３７、
ＤＣＬＫ３８、表示信号３９よりフレーム制御信号バス
４２、データ信号制御バス４３を生成する。これら生成
する信号の詳細は後で説明する。４４はフレームメモリ
手段、４５はフレームメモリリードデータである。４６
は列信号発生手段であり、第１の実施例と同様に、フレ
ームリードデータ４５の８ライン分に対し演算を行い液
晶データ４７を生成する。４８は列信号制御バス、４９
は関数信号バスでそれぞれ列信号発生手段４６で生成さ
れる。５０は行関数発生手段であり、５１は行データ、
５２は行信号バスであり、行関数発生手段５０は関数信
号バス４９を用い、行データ５１、行データ制御信号バ
ス５２を生成する。５３は列電極駆動手段、５４から５
６は第１列、第２列及び第６４０列の列電極信号で、液
晶データ４７を列信号制御バス４８により列電極駆動手
段５３へ書き込み、列電極駆動手段５３は液晶データ４
７の情報により、９種類の電圧から１つを選択し、対応
する列電極信号に出力する。尚、図１８では、９種類の
電圧は図示していないが、１例としては外部で、抵抗手
段による分圧回路で生成し、列電極駆動手段に入力し、
実現することが出来る。５７は行電極駆動手段、５８か
ら６０はそれぞれ１行目、２行目、２４０行目の行電極
信号で、行データ５１は行データ制御バス５２により行
電極駆動手段５７に書き込まれ、行電極駆動手段５７は
書き込まれた行データ５１の情報に従い、３種類の電圧
から１電圧を選択し対応する行電極信号に出力する。
尚、図１８では３種類の電圧は図示していないが、列電
極駆動手段５３の場合と同様に外部で抵抗手段による分
圧回路で生成し、行電極駆動手段５７に入力する実施例
がある。また、列電極駆動手段５３、行電極駆動手段５
７の動作は、選択する電圧数を除けば、日立製ＴＦＴ液
晶ドライバ”ＨＤ６６３１０”と同じ動作であり実現が
容易であることは自明である。６１は横６４０ドット、
縦２４０ラインの表示部を持つ液晶表示装置で、列電極
と行電極の交点が１ドットの表示であり、この交点の電
位差の電圧実効値で表示オン、表示オフを表示する。図
１９は本液晶表示装置に入力される表示データ３５のタ
イミング図、図２０はフレームメモリ手段４４から読み
だされるフレームメモリリードデータ４５及び、データ
制御バス４３のタイミングを示すタイミング図である。
図２０において、リードＶ信号８１、リードＨ信号８
２、リード表示データ４５はデータ制御バス４３の信号
である。図２１はフレームメモリ手段４４の１実施例の
ブロック図であり、６２は１フレーム分の６４０ドット
×２４０ラインの表示情報を格納するフレームメモリ手
段Ａ、６３は同様に１フレーム分の表示情報を格納する
フレームメモリ手段Ｂであり、６４はフレームメモリ手
段Ａ６２に書き込みアドレスのリセットを指示するＡＷ
リセット、６５はフレームメモリ手段Ａ６２に書き込み
動作をを行うＡＷクロック、６６はフレームメモリ手段
Ａ６２に読みだしアドレスのリセットを指示するＡＲリ
セット、６７はフレームメモリ手段Ａ６２に読みだし動
作を行うＡＲクロック、６８はフレームメモリ手段Ｂ６
３に書き込みアドレスのリセットを指示するＢＷリセッ
ト、６９はフレームメモリ手段Ｂ６３に書き込み動作を
を行うＢＷクロック、７０はフレームメモリ手段Ｂ６３
に読みだしアドレスのリセットを指示するＢＲリセッ
ト、７１はフレームメモリ手段Ｂ６３に読みだし動作を
行うＢＲクロックである。７２はフレームメモリＲ／Ｗ
信号で、”ハイ”の時フレームメモリ手段Ａ６２への書
き込み、フレムメモリ手段Ｂ６３からの読みだしを示
し、”ロー”の時フレームメモリ手段Ａ６２からの読み
だし、フレムメモリ手段Ｂ６３への書き込みを示す。７
３はセレクト手段Ａ、７４はセレクト手段Ｂで、それぞ
れフレームメモリＲ／Ｗ信号７２に従い選択動作を行
う。７５はメモリＡリセット、７６はメモリＡクロッ
ク、７７はメモリＡＲ／Ｗ信号、７８はメモリＢリセッ
ト、７９はメモリＢクロック、８０はメモリＢＲ／Ｗ信
号で、メモリＡ手段６２、メモリＢ手段６３はそれぞれ
のＲ／Ｗ信号７７、８０に従い、リード、ライトの動作
を行う（Ｒ／Ｗ信号が”ハイ”の時ライト動作、”ロ
ー”の時リード動作とする）。又、メモリＡ手段６２、
メモリＢ手段６３のリード、ライトのアドレスは各リセ
ット信号７５、７８により”０”にリセットされ、その
後各クロック７６、７９の書き込み、読みだし動作の後
にインクリメントされる。図２２はフレームメモリ手段
４４の動作を説明するタイミング図、図２３は図１８の
列信号発生手段４６の１実施例のブロック図である。図
２３において、８５は書き込み手段、８６はＡデータ、
８７はＡ制御バス、８８はラインアドレス、８９はＢ制
御バス、９０はＢデータ、９１はＡＷ信号で、９２はラ
インメモリＡ、９３はラインメモリＢである。書き込み
手段８５は４ビットパラレルのフレームメモリリードデ
ータ４５をＡデータ８６、Ｂデータ９０として出力する
と共に、データ制御信号バス４３によりＡ制御バス８
７、ラインアドレス８８、Ｂ制御バス８９、ＡＷ信号９
１を生成する。尚、書き込み動作はフレームメモリリー
ドデータ４５の８ライン毎にラインメモリＡ９２、ライ
ンメモリＢ９３に対し交互に行い、これをＡＷ信号９１
で”ハイ”の時ラインメモリＡ９２への書き込み、”ロ
ー”の時にラインメモリＢ９３への書き込みを示すもの
とする。９５はＡリード制御バス、９６はＢリード制御
バス、９４は読みだし手段、９７はＡリードデータ、９
８はＢリードデータであり、読みだし手段９４はデータ
制御バス４３を用い、Ａリード制御バス９５、Ｂリード
制御バス９６を生成し、Ａリードデータ９７、Ｂリード
データ９８としてラインメモリＡ９２、ラインメモリＢ
９３より読みだし動作を行う。尚、この読みだし動作は
ＡＷ信号９１を用い、書き込み動作を行っていないライ
ンメモリからの読みだしを行うように動作する。９９は
読みだしデータである８ラインデータ、１００はリード
カウントであり、それぞれ読みだし手段９４で生成され
る。１０１は関数発生手段、１０２は直交関数データで
あり、関数発生手段１０１はリードカウント１００、デ
ータ制御バス４３により分割１６の８つの直交関数を生
成し、直交関数データ１０２として出力する。１０３は
演算手段であり、８ラインデータ９９と直交関数データ
１０２とを演算し、液晶データ４７を出力する。尚、具
体的な演算方法、手段は後述する。図２４は、図２３の
ラインメモリＡ９２の書き込み動作に着目した１実施例
のブロック図で、１０４はＡＷリセット、１０５はＡＷ
クロックでそれぞれＡ制御バス８７の信号である。１０
６から１０８はそれぞれ１ライン分の表示情報を格納す
るラインメモリで、それぞれライン１メモリ、ライン２
メモリ、ライン８メモリである。尚、図中３から７ライ
ンのメモリは省略してある。１０９はライトアドレスデ
コード手段でラインアドレス８８をデコードし、どのラ
インメモリにデータを書き込むか指示する。１１０はラ
インメモリ１ライト信号、１１１はラインメモリ２ライ
ト信号、１１２はラインメモリ８ライト信号でそれぞ
れ”ハイ”となっているメモリに対して書き込み動作を
行う。又、各ラインメモリはＡＷリセット１０４によ
り、書き込みアドレスを”０”とし、その後ＡＷクロッ
ク１０５により順次書き込み動作、アドレスのインクリ
メントを行う。図２５、図２６はラインメモリＡ９２へ
の書き込み動作を説明する図、図２７はラインメモリＡ
９２の読みだしに着目した１実施例のブロック図であ
り、ＡＲリセット１１６、ＡＲクロック１１７はＡリー
ド制御バス９５の信号である。１１３から１１５はそれ
ぞれ、ライン１メモリ１０６、ライン２メモリ１０７、
ライン８メモリ１０８のリードデータでラインメモリＡ
１データ、ラインメモリＡ２データ、ラインメモリＡ８
データである。リード動作はＡＲリセット１１６によ
り、リードアドレスを”０”とし、その後ＡＲクロック
１１７により、順次ライン１メモリ１０６からライン８
メモリ１０８の８ライン分のメモリから同時に１ドット
ずつ６４０ドット分読みだす。図２８はラインメモリＡ
９２からの読みだし動作を説明するタイミング図、図２
９は図２３の演算手段１０３の１実施例のブロック図で
ある。１１９はＥＸＯＲであり、８ライン分の１ビット
のデータ情報の８ラインデータ９９、及び８つの直交関
数である直交関数データ１０２の各データの排他的論理
和を演算する。１２０はＥＸＯＲ１１９の出力の演算デ
ータ、１２１はデコード手段で演算データ１２０の”ハ
イ”の数をデコードし、デコード結果は液晶データ４７
として出力される。図３０は関数発生手段１０１の１実
施例のブロック図で、１２２は８種類の直交関数データ
を１６分割分記憶する直交関数記憶手段で、フィールド
信号８４、リードカウント１００に従い８種類の直交関
数の値である直交関数データ１０２を出力する。１２３
はラインブロックカウンタ、１２４はラインブロック信
号であり、ラインブロックかうんた１２３はリードＶ信
号８１を基準として、リードＨ信号８２で８ライン単位
にカウント動作を行い、そのカウント値をラインブロッ
ク信号１２４として出力する。図３１は関数値記憶手段
１２２の動作を説明する図であり、図３２はラインブロ
ックカウンタ１２３の動作を説明するタイミング図、図
３３は列電極駆動手段５３の動作を説明するタイミング
図である。図３４は行関数発生手段５０の１実施例のブ
ロック図で、１２５は水平クロック、１２６は液晶クロ
ック、１２８は部分カウント値、１２９部分クロック
で、各々列信号発生手段４６で生成される。１２７は部
分カウンタで、ここでは水平クロック１２５でリセット
され、液晶クロック１２６で８カウントを繰り返すカウ
ンタであり、そのカウント値を部分カウント値１２８と
して出力すると共に８カウント同期の部分クロック１２
９を生成する。１３０はブロックカウンタ、１３１はブ
ロック値で、水平クロック１２５でリセットされ、部分
クロック１２９でカウントし、そのカウント値をブロッ
ク値１３１として出力する。１３２は比較手段、１３３
は比較出力で、ラインブロック出力１２４とブロック値
１３１を比較し、一致した時に比較出力１３３を“ハ
イ”とする。１３４はＰ→Ｓ手段で、入力である８種の
直交関数の直交関数データ１０２を部分カント値１２８
に従い１種ずつ出力する。１３５はＰ→Ｓ手段１３４の
出力のシリアル直交データで、１３６は比較出力１３３
が“ハイ”の時シリアル直交データを出力し、それ以外
では“０”を出力するセレクト手段である。

【００９７】まず図１８を用いて第３の実施例の概略動
作を説明し、その後図１９から図３５を用いて、図１８
の液晶表示装置のブロック図の各ブロックの詳細の動作
説明を行う。

【００９８】入力される表示データ３５は、１フレーム
期間に表示すべき１画面分のデータがシリアルに送られ
てくる。フレームメモリ制御手段４０はこの表示データ
３５を４ビットパラレルに変換し、フレームメモリ手段
４４に順次書き込みを行う。又、フレームメモリ制御手
段４０は１フレーム前に格納した４ビットパラレルの表
示データ３５の情報をフレームメモリ手段４４から入力
のフレーム周期の１／４の周期で４回読みだし動作を行
う。フレームメモリ制御手段４０は上記読みだしのタイ
ミングに合わせ入力のＨ信号３６、Ｖ信号３７、ＤＣＬ
Ｋ３８、表示信号３９からリードＶ信号８１、リードＨ
信号８２、リード表示信号８３、フィールド信号８４、
及びＤＣＬＫと同じ周期の基準クロックを合わせてデー
タ制御バス４３として列発生手段４６に出力する。フィ
ールド信号８４は４回の読みだしの回数を示すもので”
１”から”４”の値を持ち、ここではそれぞれ第１フィ
ールドから第４フィールドと呼ぶ。列信号発生手段４６
はデータ信号制御バス４３、フレームメモリリードデー
タ４５から列電極駆動手段５３へ出力する液晶データ４
７、列信号制御バス４８を生成する。列信号発生手段４
６はフレームリードデータ４５を８ライン分取り込み、
取り込んだ８ライン分のデータを同時に１ドットずつ読
みだし、この読みだした８ライン分のデータと直交関数
のデータとの演算を行い液晶データ４７を生成する。こ
の演算では図１７に示すように第１フィールドはＷ１の
直交関数での演算、第２フィールドではＷ２、第３フィ
ールドでＷ３、第４フィールドでＷ４の直交関数との演
算を行う。行関数発生手段５０は、図１７の直交関数及
び”０”の駆動電圧が各行電極信号に与えられるよう
に、行電極駆動手段５７を制御する。尚、上記列信号発
生手段４６内の演算の直交関数と同期をとるため、行関
数発生手段５０は関数信号バス４９を用いて行データ５
１を生成する。

【００９９】以下、各ブロックの動作の詳細を説明す
る。

【０１００】図１８に入力される表示データ３５のタイ
ミングを図１９に示す。表示データ３５は縦２４０ライ
ンあり、Ｖ信号３７の１周期の１フレーム期間（ここで
は１６ｍｓ）に２４０ラインのデータが送られてくる。
１ラインは、Ｈ信号３６の１周期で示され、この期間で
表示信号３９の”ハイ”で示される有効期間で６４０ド
ットのデータがシリアルに順次送られてくる。従って、
この表示データ３５は１画面を横６４０ドット、縦２４
０ラインで構成している。この表示データは、４ビット
パラレルに変換され、フレームメモリ手段４４に書き込
まれると共に、図２０に示すように１／４の周期で読み
だされる。次に、フレームメモリ手段４４の読みだし、
書き込み動作について説明する。フレームメモリ手段４
４は、図２１に示す構成で実現でき、セレクト手段Ａは
フレームＲ／Ｗ信号７２が”ハイ”の時は図２２に示す
ように、メモリ手段Ａ７９への書き込みを行わせるた
め、ＡＷリセット６４、ＡＷクロック６５を選択し、メ
モリＡリセット７５、メモリＡクロック７６として出力
し、メモリＡＲ／Ｗ信号を”ハイ”にする。これによ
り、メモリ手段ＡはＶ信号３７と同一のタイミングであ
るＡＷリセット６４によりアドレスをリセットし、その
後ＡＷクロック６５により、表示信号３９の”ハイ”の
期間のフレームライトデータ４１の書き込みを行う。こ
こで、ＡＷクロック６３はフレームライトデータ４１に
同期した、すなわちＤＣＬＫ３８の４倍の周期のクロッ
クで、表示信号３９が”ハイ”の期間のデータのみにク
ロック出力となるクロック信号である。この書き込み動
作を行っている時は、セレクト手段Ｂ７４は、メモリＢ
リセット７８、メモリＢクロック７９として、ＢＲリセ
ット７０、ＢＲクロック７１を選択し、メモリＢＲ／Ｗ
信号を”ロー”にしているため、メモリＢ手段８０は図
２２に示すように、Ｖ信号３７の４倍の周波数のリード
Ｖ信号に同期して、読みだし動作を行うことになる。
尚、ＢＲクロック７１は書き込みに対して４倍の速度で
読みだしを行うため書き込みのクロックの１／４の周期
のクロック、すなわちＤＣＬＫ３８と同一の周期のクロ
ックとなる。また、フレームＲ／Ｗ信号７２が”ロー”
の時は、セレクト手段Ａ７３、セレクト手段Ｂ７４はそ
れぞれ、ＡＲリセット６６、ＡＲクロック６７、ＢＷリ
セット６８、ＢＷクロック６９を選択し、メモリＡＲ／
Ｗ信号７７を”ロー”、メモリＢＲ／Ｗ信号８０を”ハ
イ”にし、メモリＡ手段６２に対しては読みだし動作、
メモリＢ手段６３に対しては書き込み動作を行わせる。

【０１０１】以上説明したように、フレームメモリ制御
手段４０、フレームメモリ手段４４の動作により、図１
９に示される表示データ３５はフレームメモリ手段４４
に書き込まれ、そのデータは１フレーム期間遅れて、図
２０に示すように１／４の周期で４回読みだされる。
尚、図２０には図示していないが、フレームリードデー
タ４５は入力のＤＣＬＫ３８と同じ周期のリードクロッ
クに同期し、このリードクロックはデータ制御信号バス
４３に含まれている。

【０１０２】次に列信号４６の動作の詳細を説明する。

【０１０３】フレームリードデータ４５は４ビットのパ
ラレルデータであり、書き込み手段８５により、ライン
メモリＡ９２又はラインメモリＢ９３へ書き込まれる。
書き込み手段８５は図２４に示すように、リードＶ信号
８１を基準にしリードＨ信号８２によりカウントされ、
１〜８の値を繰り返すラインアドレス８８を生成すると
共に８ライン毎にＡＷ信号９１を“ハイ”、“ロー”と
繰り返させる。ＡＷ信号９１はフレームリードデータ４
５の書き込みを行なうラインメモリを指示する信号であ
り、“ハイ”の時ラインメモリＡ９２への書き込みを指
示し、“ロー”の時ラインメモリＢへの書き込みを指示
する。

【０１０４】今、ＡＷ信号９１を“ハイ”とし、ライン
メモリＡ９２への書き込み動作を図２５、図２６を用い
て説明する。図２５においてライトアドレスデコード手
段１０９は、ＡＷ信号９１が“ハイ”の時、図２４に示
したライトアドレス８８の値により、ライン１メモリ１
０６からライン８メモリ１０９の８ヶのラインメモリに
対して、順次書き込み動作をイネーブルとする。すなわ
ち、各ラインメモリに対してはへは、図２６に示すよう
にリードＨ信号８２と同一のＡＷリセット１１３により
ライトアドレスをリセットし、リード表示信号８３が
“ハイ”の期間のデータに同期したクロック、ＡＷクロ
ック１１４で、順次ラインメモリにＡデータ８６を１ラ
インずつ書き込むことになる。ラインメモリＢ９３も図
２５と同一の構成で実現できる。但し、ラインメモリＢ
９３内のライトアドレスデコード手段は、ＡＷ信号９１
が“ロー”の時にライトアドレス８８に従い各ライト信
号をイネーブルにする。ラインメモリＡ９２はＡＷ信号
９１が“ロー”の時（ラインメモリＢ９３へ書き込みを
行なっている時）読み出し手段９４により読み出し動作
を行なう。以下、この読み出し動作を図２７、図２８を
用いて説明する。ライン１メモリ１０６からライン８メ
モリ１０８は、ＡＲリセット１１６によりリードアドレ
スをリセットし、その後ＡＲクロック１１７により順次
１ドットずつ読み出される。この時、読み出し手段９４
はＡＲリセット１１６を図２８に示すように、ＡＷ信号
９１が“ロー”の期間に４回、すなわちリードＨ信号８
２の２周期毎に生成し、又、その時リードカウント１１
８を１から４にカウントアップする。ＡＲリセット１１
６の１周期では、ＡＲクロック１１７により６４０ドッ
トのデータが順次読みだされ、８ラインのデータのＡリ
ードデータ９７として出力されえる。この動作は、フレ
ームメモリＢも同様であり、ＡＷ信号が”ハイ”の時、
ＢＲクロック、ＢＲリセットを読みだし手段９４がＢリ
ード制御バスとして出力し、読みだしを行う。図２６で
わかるように、ＡＷリセット１１３、ＡＷクロック１１
４はラインメモリＡ９２が書き込み動作時のみに出力さ
れる。ＢＷリセット、ＢＷクロックも同様にラインメモ
リＢ９３が書き込み時のみに出力される。又、リード用
のリセット、クロックも同様である。読みだされたデー
タの８ラインデータ９９は演算手段１０３に入力され、
図２９に示すようにＥＸＯＲ１１９で直交関数データ１
０２と演算を行い、その出力結果の”１”の数をデコー
ドし、液晶データ４７として出力する。この時、演算さ
れる直交関数データ１０２は、図３０に示す関数発生手
段１０１で生成される。図３０において、関数記憶手段
１２２は、フィールド信号８４、リードカウント１００
に従い、図３１に示す関係で直交関数データ１０２を生
成する。すなわち、フィールド信号８４が”１”の時は
図１７のＷ１に相当する分割時間Ｋ１からＫ４の直交関
数データを、”２”の時はＷ２に相当する分割時間Ｋ５
からＫ８の直交関数データを、”３”の時はＷ３に相当
する分割時間Ｋ９からＫ１２の直交関数データを、”
４”の時はＷ４に相当する分割時間Ｋ１３からＫ１６の
直交関数データを生成する。

【０１０５】ラインブロックカウンタ１２３は図３２に
示すように、フレームリードデータ４５が一旦、ライン
メモリに書き込まれれその後、読みだされることより８
ライン分遅れる。従って、リードＶ信号８１に対し、８
ライン遅れたタイミングで、１から３０（２４０ライン
を８ラインずつ３０分割）カウントする。すなわち、こ
のラインブロックカウンタ１２３の出力であるラインブ
ロック信号１２４は、現在、ラインメモリより読みださ
れ演算手段１０３で演算されているラインのブロック
（８ラインずつ１から３０のブロック）を示しているこ
とになる。

【０１０６】列信号制御バス４８は水平クロック１２
５、液晶クロック１２６を含んでおり、それぞれの信号
は読みだし手段９４により生成され、水平クロック１２
５はＡＲリセット１１６と同一周期の、リードＨ信号８
２の２周期の周期であり、液晶クロック１２６は、リー
ドクロックと同一の周期であり、それぞれ、ＡＲリセッ
ト１１６とＢＲリセットのＯＲ演算、ＡＲクロック１１
７とＢＲクロックのＯＲ演算で表すことができる。

【０１０７】列信号駆動手段５３は、液晶クロック１２
６により順次液晶データ４７をラッチし、６４０ドット
分のデータラッチ後の水平クロック１２５により、列電
極信号として、９種類の電圧から１種類を各ドットの液
晶データ４７の情報により、選択し出力する。すなわ
ち、図３３に示すように、液晶データ４７は水平クロッ
ク１２５の１周期遅れで電圧に変換され、液晶パネル６
１に与えられる。尚、図中１−ｋ１、１−ｋ２………は
第１ブロック（１行目から８行目）の表示データに対し
ての直交関数の分割時間ｋ１、ｋ２………の演算結果で
あることを示している。

【０１０８】次に、行関数発生手段５０の動作を説明す
る。行関数発生手段５０は、列信号発生手段４６で演算
を行っているラインに対して直交関数を出力するように
行電極駆動手段５７を制御する手段であり、図３４に示
す構成で実現できる。部分カウンタ１２７は、図３５に
示すように、水平クロック１２５でリセットされ、液晶
クロック１２６により、１から８のカウント動作を繰り
返し部分カウント値１２８として出力すると共に、この
８カウント周期の液晶クロック１２９でブロックカウン
タ１３０をカウントアップする。すなわち、行電極駆動
手段５７の制御信号である、行データ制御バスは、水平
クロック１３５、液晶クロック１２６であるため、ライ
ンブロック信号１２４と同一のブロック値１３１以外の
行データ５１を”０”とするため、比較手段１３２、セ
レクト手段１３６が動作し、ラインブロック信号１２４
とブロック値１３１が一致した時は、Ｐ→Ｓ手段１７４
を介して、列信号発生手段４６の演算に用いられた直交
関数データ１０２を１ビットずつ行データ５１として出
力する。これにより、演算されたブロックの行のみに直
交関数データを与え、それ以外の行を”０”とすること
が可能となる。

【０１０９】以上説明した動作により、図１７に示すよ
うに、列電極用の演算、及び行電極への電圧印加を制御
でき、分割時間を分散させた形での液晶の駆動が可能と
なる。又、本実施例ではフレームメモリの読みだしを書
き込みの周期で４回としたが、これに限られる分けでは
なくｘ回の読みだしとすることも可能である。

【０１１０】さらに、１ブロックのライン数も８ライン
としたが、第１の実施例と同様にｙラインとすることも
可能である。

【０１１１】次に第３の実施例において、行関数発生手
段や行電極駆動手段を改良した実施例を以下に述べる。

【０１１２】図３５は第３の実施例において図３４とは
異なる行関数発生手段を用いたときの行電極手段のブロ
ック図であり、図３６はその動作タイミング図である。
なお本実施例においても２４０行の表示装置を８行ず
つ、計１６分割で駆動する場合に各４分割を分散させて
駆動する方法について示している。本実施例では行関数
発生手段５０は、１または−１の値をもつ直交関数デー
タのみ行データ５０として行電極駆動手段５７へ出力す
る。これを受け取る行電極駆動手段は、転送先切替え手
段１３７と部分カウンタ１２７と８行分ずつの行電極信
号を出力する電圧変換手段（１）〜（３０）１３８で構
成される。部分カウンタ１２７は、行データ制御バス信
号５２に基き、行関数発生手段５０から送られる行デー
タ数をカウントし、ある分割期間内で０以外の行電極信
号を信号を出力する電圧変換手段に転送すべき行データ
数を転送し終わった時点で、部分クロック１２９を転送
先切替え手段１３７に出力する。転送先切替え手段１３
７は、部分クロック１２９が入力されるたびに行データ
を転送すべき電圧変換手段を選択し、データを転送す
る。電圧変換手段１３８は、データが転送された電圧変
換手段のみそれに従った電圧を行電極信号１４０〜１４
４から出力し、それ以外の電圧変換手段は関数データ０
に対応する電圧を出力する。

【０１１３】これにより図３４に示した行関数発生手段
を用いた場合よりも、行関数発生手段と行電極駆動手段
間のデータ転送を簡略化でき、より少ない信号で且つ低
速転送で対応可能となる。

【０１１４】図３７は図３５の実施例をさらに改良した
実施例の行電極駆動手段のブロック図である。以下この
動作を説明する。図３８は本実施例で使用する行関数デ
ータである。ある期間ｔについて８行分の行関数データ
は、８ビットの情報量であり図３５の例はこの情報をそ
のまま転送するものであった。しかし本駆動方式に用い
る行関数データはある規則に従った数列であり、本実施
例の場合、８行分の行関数の組合せはｔ＝１からｔ＝１
６までの１６通りの組合せしかなく、これらは４ビット
のデータで表現可能である。この点を利用したのが図３
７に示す実施例である。本実施例では各ｔごとの行デー
タを４ビットの符号に変換した後、行関数発生手段５０
から行電極駆動手段５７に転送し、行電極駆動手段５７
でこれをデコードして各電圧変換手段に転送し、所望の
行電極信号を得る。

【０１１５】これにより図３５に示した実施例よりも、
行関数発生手段と行電極駆動手段間のデータ転送を簡略
化でき、より少ない信号で対応可能となる。

【０１１６】図３９は図３５、図３７とは別の行電極手
段改良の実施例である。第３の実施例や図３５、図３７
に示す実施例では行電極信号が変化するたびに行関数発
生手段から行電極駆動手段へ行関数データを転送してい
たが、本実施例は動作開始時点で行関数データを行電極
駆動手段に取り込み、後は行電極駆動手段で必要な行関
数データを演算していく方式である。以下に本実施例を
詳述する。行電極駆動手段５７は行関数データ取り込み
手段１４９、演算手段１５０及び電圧変換手段１３８か
ら成る。動作開始時点で電源投入信号などから生成され
る動作開始信号１４８が入力されると行関数データ取り
込み手段１４９は行関数データ５１を取り込む。演算手
段１５０はこのデータをもとに次に行電極信号から出力
すべき行関数データを演算し、電圧変換手段１３８に出
力する。このとき分割駆動期間を分散して駆動する場合
は、分散モード指定信号１５１によりその分散のさせ方
を指定する。本発明の第１または第３の実施例に示すよ
うに部分駆動をすることにより行関数データは数十バイ
ト程度と比較的小規模であるとともに、演算手段もシフ
トレジスタ等比較的簡単な回路で構成できるので行電極
駆動手段に容易に取り込むことが可能である。これによ
り種々の行関数に対応できる汎用製をもたせたまま、行
関数発生手段と行電極駆動手段間のデータ転送を簡略化
でき、さらに行電極駆動手段を集積回路化すれば低消費
電力の効果も得られる。

【０１１７】

【発明の効果】以上説明したＳＴＮ液晶の駆動方法によ
れば、式（２７）に示される列信号の演算は従来例では
Ｎ行分を行うのに対して、Ｒ行（Ｒ＜Ｎ）分でよく、回
路的にも実現が容易である。ここで、２４０行、６４０
列の１演算時間（図１０のｔａ）を求める。ここで、フ
レーム周波数は６０Ｈｚ，Ｒ＝８，Ｋ＝１６とする。

【０１１８】

【数３１】

【０１１９】すなわち、約５４ｎｓの間に８行（Ｒ＝
８）分のデータを読みだし演算を行えば良い。これは、
実施例で示したように８行分のデータを同時に読みだ
し、演算することは容易である。これに対して、従来の
駆動方法ではｔａは次のようになる。

【０１２０】

【数３２】

【０１２１】ｔａそのものは部分直交関数駆動に比較し
て長くなる。しかし、この約１００ｎｓの間に２４０行
分のデータを読みだし演算することは論理回路上困難で
ある。すなわち、１行のデータ分の処理速度は０．４ｎ
ｓとなり、パラレル駆動を行い論理回路上実現可能な速
度に落すとしても、そのパラレル数が多くなり、大きな
論理規模となる。これに比較して、部分直交関数駆動で
は演算の行数が少なく、小さな論理規模で実現可能とな
る。また演算速度を低減する方法として直交関数をシフ
トレジスタでシフトさせ、１列分のデータと順次比較し
ながら該１列分の１フレーム間の列信号を発生させた
後、次の列に対しこの動作を順次繰り返して全列の１フ
レーム分の列信号を得る方法が考えられる。しかしこの
方式では、ある走査期間に列電極を駆動するのに必要な
列信号を１度に得られないため、列信号発生手段と列電
極駆動手段の間にフレームメモリを設け、時間方向と列
方向のデータの並び換えを行う必要がある。これに比較
して、本発明によれば列信号発生手段と列電極駆動手段
の間にフレームメモリを設けることなく、ある走査期間
に列電極を駆動するのに必要な列信号を順次得ることが
でき、回路規模を低減できる。

【０１２２】さらに、部分直交駆動の分割を時間方向に
分散させることにより、選択期間（部分直交駆動用の直
交関数で示される電圧が行電極に印加される期間）の電
圧を印加する周期を短くでき、非選択期間（部分直交駆
動用の直交関数で示される電圧が行電極に印加されない
期間）の表示輝度の低下を防止することができる。

【０１２３】また行電極駆動手段を従来方式に捕らわれ
ず、行関数データの特長を活かした簡略化を行なうこと
により、種々の行関数に対応できる汎用性を保持したま
ま、信号数の低減、低速動作が可能となり、低消費電力
化が実現できる。

【０１２４】

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の液晶表示装置の１実施例のブロック
図。

【図２】 Ｎ列、Ｍ行のマトリックス構造の液晶表示
部。

【図３】 現在ＳＴＮ液晶の駆動波形として一般的に使
用されている行電極に印加される直交関数の１例を示す
図。

【図４】 ドットＵ（ｉ，ｊ）に印加される液晶駆動電
圧波形を示す図。

【図５】 ウォルシュ関数と呼ばれている直交関数で、
分割＝８の例を示す図。

【図６】 Ｎ個の行電極に印加する電圧関数を８行のみ
ウォルシュ関数とし、１フレーム周期Ｔを２Ｎ（Ｎは表
示行数）とし上記８行のウォルシュ関数を分割＝１６で
駆動する場合の行電極の電圧関数を示す図。

【図７】 列信号発生手段の１実施例のブロック図。

【図８】 本実施例において液晶パネル２８を４行、４
列とした時の液晶パネルのドット情報を表す図。

【図９】 関数発生手段１２のＸ行関数データ１３の各
ｔにおける値を示す図。

【図１０】 Ｘ行読みだしデータ１０とＸ行関数データ
１３のタイミング関係を説明する図。

【図１１】 演算手段１１の１実施例のブロック図。

【図１２】 デコード回路３３の動作を説明する図。

【図１３】 行関数発生手段１２の出力する関数データ
２３の各ｔの値を示す図。

【図１４】 列電極駆動手段１８、行駆動手段２４の動
作を説明するタイミング図。

【図１５】 本発明の液晶表示装置の第二の実施例のブ
ロック図。

【図１６】 第二の実施例において、Ｎ個の行電極に印
加する電圧関数を８行のみウォルシュ関数とし、１フレ
ーム周期Ｔを２Ｎ（Ｎは表示行数）とし、上記８行のウ
ォルシュ関数を分割＝１６で駆動する場合の行電極の電
圧関数を示す図。

【図１７】 図１６の第２の実施例に対して、Ｗ₀をＷ₀
とＯとした行電極の電圧関数を示す図。

【図１８】 第三の実施例の液晶表示装置のブロック
図。

【図１９】 液晶表示装置に入力される表示データ３５
のタイミング図。

【図２０】 フレームメモリ手段４４から読みだされる
フレームメモリリードデータ４５及びデータ制御バス４
３のタイミングを示す図。

【図２１】 フレームメモリ手段４４の一実施例を示す
ブロック図。

【図２２】 フレームメモリ手段４４の動作を説明する
タイミング図。

【図２３】 列信号発生手段４６のブロック図。

【図２４】 ラインメモリＡ９２の書き込み動作に着目
したブロック図。

【図２５】 ラインメモリＡ９２の書き込み動作を説明
する図。

【図２６】 ラインメモリＡ９２の書き込み動作を説明
する図。

【図２７】 ラインメモリＡ９２の読みだし動作にに着
目したブロック図。

【図２８】 ラインメモリＡ９２の読みだし動作を説明
する図。

【図２９】 演算手段１０３のブロック図。

【図３０】 関数発生手段１０１のブロック図。

【図３１】 関数値記憶手段１２２の動作を説明する
図。

【図３２】 ラインブロックカウンタ１２３の動作を説
明するタイミング図。

【図３３】 列電極駆動手段５３の動作を説明するタイ
ミング図。

【図３４】 行関数発生手段５０のブロック図である。

【図３５】 第三の実施例における行電極駆動手段の改
良例のブロック図。

【図３６】 図３５の動作を説明するタイミング図。

【図３７】 第三の実施例における行電極駆動手段の改
良例のブロック図。

【図３８】 第三の実施例で使用する行関数値の例を示
す図。

【図３９】 第三の実施例における行電極駆動手段の改
良例のブロック図である。

【符号の説明】

１…表示データ、２…書き込み手段、３…Ａデータ、４
…Ｂデータ、５…ラインメモリＡ、６…ラインメモリ
Ｂ、７…読みだしデータＡ、８…読みだしデータＢ、９
…読みだし手段、１０…Ｘ行表示データ、１１…演算手
段、１２…関数発生手段、１３…Ｘ行関数データ、１４
…演算データ、１５…電圧変換手段、１６…アナログ表
示データ、１７…列信号発生手段、１８…列電極駆動手
段、１９〜２１…列電極信号でそれぞれ１列列電極信
号、２列列電極信号、Ｍ列列電極信号、２２…行関数発
生手段、２３…行関数データ、２４…行電極駆動手段、
２５〜２７…行電極信号でそれぞれ１行電極信号、２行
電極信号、Ｎ行電極信号、２８…Ｎ行、Ｍ列の表示を行
う液晶パネル、２９、３０…反転回路、３１、３２…Ｅ
ＸＯＲ回路、３３…デコード回路、３４…行関数発生手
段３５…表示データ、３６…Ｈ信号、３７…Ｖ信号、３
８…ＤＣＬＫ、３９…表示信号、４０…フレームメモリ
制御手段、４１…フレームライトデータ、４２…フレー
ムメモリ制御バス、４３…データ信号制御バス、４４…
フレームメモリ手段、４５…フレームメモリリードデー
タ、４６…列信号発生手段、４７…液晶データ、４８…
列信号制御バス、４９…関数信号バス、５０…行関数発
生手段、５１…行データ、５２…行信号バス、５３…列
電極駆動手段、５４…第１列列電極信号、５５…第２列
列電極信号、５６…第６４０列列電極信号、５７…行電
極駆動手段、５８…１行目行電極信号、５９…２行目行
電極信号、６０…２４０行目行電極信号、６１…液晶表
示装置、６２…フレームメモリ手段Ａ、６３…フレーム
メモリ手段Ｂ、６４…ＡＷリセット、６５…ＡＷクロッ
ク、６６…ＡＲリセット、６７…ＡＲクロック、６８…
ＢＷリセット、６９…ＢＷクロック、７０…ＢＲリセッ
ト、７１…ＢＲクロック、７２…フレームメモリＲ／Ｗ
信号、７３…セレクト手段Ａ、７４…セレクト手段Ｂ、
７５…メモリＡリセット、７６…メモリＡクロック、７
７…メモリＡＲ／Ｗ信号、７８…メモリＢリセット、７
９…メモリＢクロック、８０…メモリＢＲ／Ｗ信号、８
１…リードＶ信号、８２…リードＨ信号、８３…リード
表示信号、８４…フィールド信号８５…書き込み手段、
８６…Ａデータ、８７…Ａ制御バス、８８…ラインアド
レス、８９…Ｂ制御バス、９０…Ｂデータ、９１…ＡＷ
信号、９２…ラインメモリＡ、９３…ラインメモリＢ、
９４…読みだし手段、９５…Ａリード制御バス、９６…
Ｂリード制御バス、９７…Ａリードデータ、９８…Ｂリ
ードデータ、９９…８ラインデータ、１００…リードカ
ウント、１０１…関数発生手段、１０２…直交関数デー
タ、１０３…演算手段、１０４…ＡＷリセット、１０５
…ＡＷクロック、１０６…ライン１メモリ、１０７…ラ
イン２メモリ、１０８…ライン８メモリ、１０９…ライ
トアドレスデコード手段、１１０…ラインメモリ１ライ
ト信号、１１１…ラインメモリ２ライト信号、１１２…
ラインメモリ８ライト信号、１１３…ラインメモリ１リ
ードデータ、１１４…ラインメモリ２リードデータ、１
１５…ラインメモリ８リードデータ、１１６…ＡＲリセ
ット、１１７…ＡＲクロック、１１８…リードカウン
ト、１１９…ＥＸＯＲ、１２０…演算データ、１２１…
デコード手段、１２２…直交関数記憶手段、１２３…ラ
インブロックカウンタ、１２４…ラインブロック信号、
１２５…水平クロック、１２６…液晶クロック、１２７
…部分カウンタ、１２８…部分カウント値、１２９…部
分クロック、１３０…ブロックカウンタ、１３１…ブロ
ック値、１３２…比較手段、１３３…比較出力、１３４
…Ｐ→Ｓ手段、１３５…シリアル直交データ、１３６…
セレクト手段、１３７…転送先切替え手段、１３８…電
圧変換手段、１３９…転送データ、１４０…行電極信号
（１〜８行）、１４１…行電極信号（９〜１６行）、１
４２…行電極信号（１７行〜２４行）、１４３…行電極
信号（２５〜３２行）、１４４…行電極信号（２３３行
〜２４０行）、１４５…デコーダ、１４６…行関数符
号、１４７…行関数符号デコード結果、１４８…動作開
始信号、１４９…行関数データ取込み手段、１５０…演
算手段、１５１…分散モード指定信号。

フロントページの続き (72)発明者 ▲真▼野 宏之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所マイクロエレクトロニク ス機器開発研究所内 (72)発明者 西谷 茂之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所マイクロエレクトロニク ス機器開発研究所内 (72)発明者 五十嵐 陽一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】Ｎ行の行電極とＭ列の列電極とで構成さ
   れ、該行電極と該列電極の交点のドットを該行電極と該
   列電極に印加されるそれぞれの電圧波形の電圧差の実効
   値に基づいて表示をオン又は、オフするマトリックス型
   表示装置において、 Ｎ行の行電極をＬ分割し、該Ｌ分割された行電極はそれ
   ぞれ１フレームをＴ分割したうちのＫ期間のみ１，−１
   の値を持つ直交関数に従った電圧波形を印加し、それ以
   外の期間は、０となる関数に従った電圧波形を印加し、
   かつ、 Ｌ分割された電極のうち、１、−１の値をもつ直交関数
   に従った電圧波形を印加する行電極駆動手段にのみ、該
   直交関数の情報を与えることを特徴とするマトリックス
   型表示装置の駆動方法。
2. 【請求項２】請求項１の液晶表示装置において、ｉ行目
   の行電極の電圧波形を示す関数が、 【数１】 で与えられる時、ｊ列目の列電極波形が、 【数２】 で与えられることを特徴とするマトリックス型表示装置
   の駆動方法。
3. 【請求項３】請求項１の駆動方法において、Ｔ分割した
   期間を１フレーム内に分散して与えることを特徴とする
   マトリックス型表示装置の駆動方法。