JPH0754184A - 高速連続めっきが可能なリフローめっき用の硫酸酸性すずめっき浴 - Google Patents
高速連続めっきが可能なリフローめっき用の硫酸酸性すずめっき浴Info
- Publication number
- JPH0754184A JPH0754184A JP20342293A JP20342293A JPH0754184A JP H0754184 A JPH0754184 A JP H0754184A JP 20342293 A JP20342293 A JP 20342293A JP 20342293 A JP20342293 A JP 20342293A JP H0754184 A JPH0754184 A JP H0754184A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- bath
- tin plating
- tin
- plating bath
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 浴中のＳｎ2+イオンの濃度が高くなっても浴
の安定性に優れ、またこれによって高速連続めっきが可
能であり、しかも安価に得られる様なリフローめっき用
の硫酸酸性すずめっき浴を提供する。 【構成】 ５０〜１５０ｇ／リットルの硫酸第一すずと
０．１〜１０ｇ／リットルの硫酸第一鉄を含んでなる。
の安定性に優れ、またこれによって高速連続めっきが可
能であり、しかも安価に得られる様なリフローめっき用
の硫酸酸性すずめっき浴を提供する。 【構成】 ５０〜１５０ｇ／リットルの硫酸第一すずと
０．１〜１０ｇ／リットルの硫酸第一鉄を含んでなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光沢剤を含まないリフ
ローめっき用の硫酸酸性すずめっき浴に関し、殊に高速
連続めっきが可能であり、且つ浴の安定性に優れ、しか
も安価に得ることのできる硫酸酸性すずめっき浴に関す
るものである。
ローめっき用の硫酸酸性すずめっき浴に関し、殊に高速
連続めっきが可能であり、且つ浴の安定性に優れ、しか
も安価に得ることのできる硫酸酸性すずめっき浴に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】すずめっきは美しい光沢を有し、大気中
においても長期間使用でき、また食品中に含まれる希薄
な酸やアルカリに対して耐食性に優れ、しかもはんだ付
けに適しているという特徴を有している。こうしたこと
から、すずめっきは銅や鉄を素材とする食器等の表面被
覆手段として古くから採用されており、また近年ではす
ずめっき鋼板（ブリキ板）の製造に汎用されている。
においても長期間使用でき、また食品中に含まれる希薄
な酸やアルカリに対して耐食性に優れ、しかもはんだ付
けに適しているという特徴を有している。こうしたこと
から、すずめっきは銅や鉄を素材とする食器等の表面被
覆手段として古くから採用されており、また近年ではす
ずめっき鋼板（ブリキ板）の製造に汎用されている。
【０００３】すずめっきに適用されるすずめっき浴（電
気めっき液）としては、特公昭６２−１４６３９号公報
や同６２−１９５１９号公報等で紹介されている様に、
硫酸酸性すずめっき浴、硼弗酸すずめっき浴、アルカン
スルホン酸やアルカノールスルホン酸等の有機酸浴、ア
ルカリ性すずめっき浴等が知られている。
気めっき液）としては、特公昭６２−１４６３９号公報
や同６２−１９５１９号公報等で紹介されている様に、
硫酸酸性すずめっき浴、硼弗酸すずめっき浴、アルカン
スルホン酸やアルカノールスルホン酸等の有機酸浴、ア
ルカリ性すずめっき浴等が知られている。
【０００４】上記夫々のすずめっき浴は、光沢を付与す
る手段の違いによって、光沢すずめっき浴とリフローす
ずめっき浴の２種類に分けることができる。このうち光
沢すずめっき浴は、光沢剤を添加することによってすず
めっき光沢を得るものであり、他方リフローすずめっき
浴は、めっき処理後にすずを再溶解（リフロー）するこ
とによってすずめっき光沢を得るものである。
る手段の違いによって、光沢すずめっき浴とリフローす
ずめっき浴の２種類に分けることができる。このうち光
沢すずめっき浴は、光沢剤を添加することによってすず
めっき光沢を得るものであり、他方リフローすずめっき
浴は、めっき処理後にすずを再溶解（リフロー）するこ
とによってすずめっき光沢を得るものである。
【０００５】近年、リフローすずめっきの需要拡大やコ
ストダウンの要求が高まってきており、リフローすずめ
っきの連続ラインの高速化やコストダウンが望まれる様
になっている。こうしたことから、浴の安定性に優れ、
安価で、高速連続めっきが可能なリフローめっき用のす
ずめっき浴の開発が急がれている。
ストダウンの要求が高まってきており、リフローすずめ
っきの連続ラインの高速化やコストダウンが望まれる様
になっている。こうしたことから、浴の安定性に優れ、
安価で、高速連続めっきが可能なリフローめっき用のす
ずめっき浴の開発が急がれている。
【０００６】本発明者らは、上記の様なすずめっき浴の
開発を実現すべく、従来の各種すずめっき浴について総
合的な検討を行った。その結果、従来のすずめっき浴に
は夫々下記の様な問題があった。即ち、硼弗酸浴は、腐
食性、毒性が激しく、めっき設備の維持、作業性および
排水処理等で難点を有している。またアルカンスルホン
酸やアルカノールスルホン酸等の有機酸浴では、高速連
続めっきが可能であるが、浴の単価が硫酸酸性すずめっ
き浴の数倍と非常に効果であり、コストアップを招くと
いう問題がある。更に、アルカリ性すずめっき浴は、浴
温が高く、作業性が悪いという問題がある。
開発を実現すべく、従来の各種すずめっき浴について総
合的な検討を行った。その結果、従来のすずめっき浴に
は夫々下記の様な問題があった。即ち、硼弗酸浴は、腐
食性、毒性が激しく、めっき設備の維持、作業性および
排水処理等で難点を有している。またアルカンスルホン
酸やアルカノールスルホン酸等の有機酸浴では、高速連
続めっきが可能であるが、浴の単価が硫酸酸性すずめっ
き浴の数倍と非常に効果であり、コストアップを招くと
いう問題がある。更に、アルカリ性すずめっき浴は、浴
温が高く、作業性が悪いという問題がある。
【０００７】これに対し、硫酸酸性すずめっき浴は、安
価で浴温も低いという利点を有していることから高速連
続めっきが可能になりさえすれば、コストダウンとめっ
きラインの高速連続化が可能になり、その経済的効果は
非常に大きいと期待できる。尚ここで、高速連続めっき
が可能なすずめっき浴とは、限界電流密度が５Ａ／ｄｍ
2 以上のものを指す。
価で浴温も低いという利点を有していることから高速連
続めっきが可能になりさえすれば、コストダウンとめっ
きラインの高速連続化が可能になり、その経済的効果は
非常に大きいと期待できる。尚ここで、高速連続めっき
が可能なすずめっき浴とは、限界電流密度が５Ａ／ｄｍ
2 以上のものを指す。
【０００８】ところで硫酸酸性すずめっき浴は、２価の
すずイオン（Ｓｎ2+イオン）の濃度を高くすることによ
って、高電流密度で電解可能であること自体は知られて
いる。しかしながら、Ｓｎ2+イオンの濃度を高くする
と、下記(1) 式に示す様にすずＳｎ2+イオンの酸化が著
しくなり、すずの酸化物（ＳｎＯ2 ）が多量に発生し、
この酸化物はめっき浴の白濁化やスラッジの発生、更に
はめっき材表面の反射率の低下等の不都合を招くことに
なる。
すずイオン（Ｓｎ2+イオン）の濃度を高くすることによ
って、高電流密度で電解可能であること自体は知られて
いる。しかしながら、Ｓｎ2+イオンの濃度を高くする
と、下記(1) 式に示す様にすずＳｎ2+イオンの酸化が著
しくなり、すずの酸化物（ＳｎＯ2 ）が多量に発生し、
この酸化物はめっき浴の白濁化やスラッジの発生、更に
はめっき材表面の反射率の低下等の不都合を招くことに
なる。
【０００９】 Ｓｎ2+＋Ｏ2 →ＳｎＯ2 ＋２ｅ- （Ｓｎ2+→Ｓｎ4+＋２ｅ- ） …(1)
【００１０】こうした不都合があるので、硫酸酸性すず
めっき浴では、これまでＳｎ2+イオンの濃度を高くして
めっきの高速連続化が図られておらず、従来の硫酸酸性
すずめっき浴では限界電流密度が１〜３Ａ／ｄｍ2 程度
の比較的低い速度でのめっきしか実施されていない。
めっき浴では、これまでＳｎ2+イオンの濃度を高くして
めっきの高速連続化が図られておらず、従来の硫酸酸性
すずめっき浴では限界電流密度が１〜３Ａ／ｄｍ2 程度
の比較的低い速度でのめっきしか実施されていない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】こうしたことから、Ｓ
ｎ2+イオンの酸化を防止しつつ硫酸酸性すずめっき浴の
安定性を図る技術が様々提案されている。例えば特開平
１−２５９１９３号公報には、すずめっき浴中のＳｎ2+
イオンがＣｕイオンと共存するとＳｎ2+イオンは酸化が
著しく進行することに着目し、すずめっき浴へのＣｕイ
オンの混入を防止することによって、すずめっき浴中の
Ｓｎ2+イオンの酸化を防止し、すずめっき浴の安定化を
図る技術が開示されている。しかしながら、この技術で
は、特に銅合金にすずめっきを行なう場合には、銅合金
中のＣｕイオンが浴中に溶解し、浴中へのＣｕイオンの
混入を防止することは困難であり、浴中のＳｎ2+イオン
の酸化を防止することは不可能である。またＳｎ2+イオ
ンの酸化を積極的に達成するものではない。一方、特開
昭６２−２７０７９１号公報には、Ｓｎ2+イオンの酸化
抑制に効果があると期待されるジフェニルアミンやジフ
ェニルアミン誘導体が、Ｓｎ2+イオンの安定剤として提
案されている。しかしながら、上記安定剤の添加は、す
ずの電析に影響を及ぼし、高速連続めっきが達成されな
い。
ｎ2+イオンの酸化を防止しつつ硫酸酸性すずめっき浴の
安定性を図る技術が様々提案されている。例えば特開平
１−２５９１９３号公報には、すずめっき浴中のＳｎ2+
イオンがＣｕイオンと共存するとＳｎ2+イオンは酸化が
著しく進行することに着目し、すずめっき浴へのＣｕイ
オンの混入を防止することによって、すずめっき浴中の
Ｓｎ2+イオンの酸化を防止し、すずめっき浴の安定化を
図る技術が開示されている。しかしながら、この技術で
は、特に銅合金にすずめっきを行なう場合には、銅合金
中のＣｕイオンが浴中に溶解し、浴中へのＣｕイオンの
混入を防止することは困難であり、浴中のＳｎ2+イオン
の酸化を防止することは不可能である。またＳｎ2+イオ
ンの酸化を積極的に達成するものではない。一方、特開
昭６２−２７０７９１号公報には、Ｓｎ2+イオンの酸化
抑制に効果があると期待されるジフェニルアミンやジフ
ェニルアミン誘導体が、Ｓｎ2+イオンの安定剤として提
案されている。しかしながら、上記安定剤の添加は、す
ずの電析に影響を及ぼし、高速連続めっきが達成されな
い。
【００１２】本発明はこうした技術的課題を達成する為
になされたものであって、その目的は、浴中のＳｎ2+イ
オンの濃度が高くなっても浴の安定性に優れ、またこれ
によって高速連続めっきが可能であり、しかも安価に得
られる様なリフローめっき用の硫酸酸性すずめっき浴を
提供することにある。
になされたものであって、その目的は、浴中のＳｎ2+イ
オンの濃度が高くなっても浴の安定性に優れ、またこれ
によって高速連続めっきが可能であり、しかも安価に得
られる様なリフローめっき用の硫酸酸性すずめっき浴を
提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成し得た本
発明とは、５０〜１５０ｇ／リットルの硫酸第一すずと
０．１〜１０ｇ／リットルの硫酸第一鉄を含んでなる点
に要旨を有するリフローめっき用の硫酸酸性すずめっき
浴である。
発明とは、５０〜１５０ｇ／リットルの硫酸第一すずと
０．１〜１０ｇ／リットルの硫酸第一鉄を含んでなる点
に要旨を有するリフローめっき用の硫酸酸性すずめっき
浴である。
【００１４】
【作用】硫酸第一すずを高濃度で含む硫酸酸性すずめっ
き浴は、高速連続めっきの可能性が期待されるが、浴の
安定性が悪く、浴中のＳｎ2+イオンはすぐに酸化されて
すずの酸化物に変化してしまう。そこで本発明者らは、
硫酸第一すずを高濃度に含む硫酸酸性すずめっき浴の安
定性を良好にすれば、高速連続めっきが可能なすずめっ
き浴が実現できるのではないかという観点に立脚し、そ
の様なすずめっき浴を実現すべく様々な角度から検討し
た。その結果、５０ｇ／リットル以上の硫酸第一すずを
含むリフローめっき用すずめっき浴に、０．１ｇ／リッ
トル以上の硫酸第一鉄を共存させれば、リフローめっき
用のすずめっき浴の安定性が著しく改善され、これによ
って高速連続めっきが可能になることを見出し、本発明
を完成した。
き浴は、高速連続めっきの可能性が期待されるが、浴の
安定性が悪く、浴中のＳｎ2+イオンはすぐに酸化されて
すずの酸化物に変化してしまう。そこで本発明者らは、
硫酸第一すずを高濃度に含む硫酸酸性すずめっき浴の安
定性を良好にすれば、高速連続めっきが可能なすずめっ
き浴が実現できるのではないかという観点に立脚し、そ
の様なすずめっき浴を実現すべく様々な角度から検討し
た。その結果、５０ｇ／リットル以上の硫酸第一すずを
含むリフローめっき用すずめっき浴に、０．１ｇ／リッ
トル以上の硫酸第一鉄を共存させれば、リフローめっき
用のすずめっき浴の安定性が著しく改善され、これによ
って高速連続めっきが可能になることを見出し、本発明
を完成した。
【００１５】ところで光沢剤を含んだ光沢めっき用すず
めっき浴においては、硫酸第一鉄（即ちＦｅ2+イオン）
がすずめっき浴に混入すれば、このＦｅ2+イオンが光沢
剤の機能を阻害し、めっき層の反射率が低下するという
めっき不良が発生することが土肥らによって報告されて
いる（「金属表面技術」１４，４８１（１９６３））。
この様に、Ｆｅ2+イオン（その他、Ｃｌ- ，ＮＯ3 -，Ｃ
ｕ2+等のイオン）はすずめっき浴に対して悪影響を及ぼ
し、混入を避けるべき不純物であると考えられていた。
またこの様な考えに基づき、リフローめっき用すずめっ
き浴においても、Ｆｅ2+イオンは悪影響を及ぼすもので
あると考えられ、リフローめっき用すずめっき浴へのＦ
ｅ2+イオンの混入は極力避ける様にしていた。
めっき浴においては、硫酸第一鉄（即ちＦｅ2+イオン）
がすずめっき浴に混入すれば、このＦｅ2+イオンが光沢
剤の機能を阻害し、めっき層の反射率が低下するという
めっき不良が発生することが土肥らによって報告されて
いる（「金属表面技術」１４，４８１（１９６３））。
この様に、Ｆｅ2+イオン（その他、Ｃｌ- ，ＮＯ3 -，Ｃ
ｕ2+等のイオン）はすずめっき浴に対して悪影響を及ぼ
し、混入を避けるべき不純物であると考えられていた。
またこの様な考えに基づき、リフローめっき用すずめっ
き浴においても、Ｆｅ2+イオンは悪影響を及ぼすもので
あると考えられ、リフローめっき用すずめっき浴へのＦ
ｅ2+イオンの混入は極力避ける様にしていた。
【００１６】本発明者らは、上記の様な既成概念に囚わ
れることなく、各種金属イオンの添加によるすずめっき
浴への影響について検討した。その結果、光沢剤を含ま
ないリフローすずめっき浴の場合には、Ｆｅ2+イオンを
添加してもめっき特性に何ら悪影響を及ぼさないばかり
か、むしろすずめっき浴の安定性の向上に多いに寄与す
ることを見出した。
れることなく、各種金属イオンの添加によるすずめっき
浴への影響について検討した。その結果、光沢剤を含ま
ないリフローすずめっき浴の場合には、Ｆｅ2+イオンを
添加してもめっき特性に何ら悪影響を及ぼさないばかり
か、むしろすずめっき浴の安定性の向上に多いに寄与す
ることを見出した。
【００１７】本発明のすずめっき浴は、浴中に硫酸第一
鉄（即ち、Ｆｅ2+イオン）を共存させることによって、
浴の安定性を飛躍的に向上させることを趣旨とするもの
であるが、Ｆｅ2+イオンの共存によってこうした効果が
発揮される理由は次の様に考えることができる。即ち、
Ｆｅ2+イオンはすずめっき浴中のＳｎ2+イオンに対し還
元作用を示し、Ｓｎ2+イオンの酸化によって生じたＳｎ
2+イオンを還元することによってＳｎ2+イオンの酸化を
防止する。つまり下記(2) 式に示す様に、Ｆｅ 2+イオン
がＳｎ4+の生成を防止すると考えられる。
鉄（即ち、Ｆｅ2+イオン）を共存させることによって、
浴の安定性を飛躍的に向上させることを趣旨とするもの
であるが、Ｆｅ2+イオンの共存によってこうした効果が
発揮される理由は次の様に考えることができる。即ち、
Ｆｅ2+イオンはすずめっき浴中のＳｎ2+イオンに対し還
元作用を示し、Ｓｎ2+イオンの酸化によって生じたＳｎ
2+イオンを還元することによってＳｎ2+イオンの酸化を
防止する。つまり下記(2) 式に示す様に、Ｆｅ 2+イオン
がＳｎ4+の生成を防止すると考えられる。
【００１８】 Ｓｎ4+＋２Ｆｅ2+→Ｓｎ2+＋２Ｆｅ3+ …(2)
【００１９】またＦｅ2+イオンは、Ｓｎ2+イオンと析出
電位が異なり、めっき層中に鉄が共析することはなく、
めっき材の特性に悪影響を及ぼすこともない。尚本発明
のすずめっき浴は、高速連続めっきを達成するという観
点から、硫酸第一すずの含有量は５０ｇ／リットル以上
にする必要があるが、あまり過剰になると浴の安定性に
支障を来すので、１５０ｇ／リットル以下とする必要が
ある。また本発明のすずめっき浴中への硫酸第一鉄の添
加量は、０．１ｇ／リットル以上とする必要があり、こ
れ未満であるとＳｎ2+イオンの酸化防止効果が乏しく、
めっき浴中のＳｎ2+イオンの酸化を完全に防止すること
が難しくなる。しかしながらすずめっき浴中への硫酸第
一鉄の添加量をあまり過剰にしても効果に悪影響はない
が、経済面を考慮して、１０ｇ／リットル以下とする必
要がある。
電位が異なり、めっき層中に鉄が共析することはなく、
めっき材の特性に悪影響を及ぼすこともない。尚本発明
のすずめっき浴は、高速連続めっきを達成するという観
点から、硫酸第一すずの含有量は５０ｇ／リットル以上
にする必要があるが、あまり過剰になると浴の安定性に
支障を来すので、１５０ｇ／リットル以下とする必要が
ある。また本発明のすずめっき浴中への硫酸第一鉄の添
加量は、０．１ｇ／リットル以上とする必要があり、こ
れ未満であるとＳｎ2+イオンの酸化防止効果が乏しく、
めっき浴中のＳｎ2+イオンの酸化を完全に防止すること
が難しくなる。しかしながらすずめっき浴中への硫酸第
一鉄の添加量をあまり過剰にしても効果に悪影響はない
が、経済面を考慮して、１０ｇ／リットル以下とする必
要がある。
【００２０】以下本発明を実施例によって更に詳細に説
明するが、下記実施例は本発明を限定する性質のもので
はなく、前・後記の趣旨に徴して設計変更することはい
ずれも本発明の技術的範囲に含まれるものである。
明するが、下記実施例は本発明を限定する性質のもので
はなく、前・後記の趣旨に徴して設計変更することはい
ずれも本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【００２１】
【実施例】硫酸第一すずおよび硫酸第一鉄の含有量の異
なる各種のすずめっき浴を調製し、各すずめっき浴の限
界電流密度（高速めっき性）および浴の安定性について
調査した。尚各めっき浴の他の成分は、いずれも硫酸が
１００ｇ／リットル、クレゾールスルホン酸が３０ｇ／
リットル、界面活性剤が１０ｇ／リットルとした。この
とき浴の高速連続めっき性は、下記条件のハルセル試験
によって、めっき不良が発生しない最大電流密度を限界
電流密度として評価した。
なる各種のすずめっき浴を調製し、各すずめっき浴の限
界電流密度（高速めっき性）および浴の安定性について
調査した。尚各めっき浴の他の成分は、いずれも硫酸が
１００ｇ／リットル、クレゾールスルホン酸が３０ｇ／
リットル、界面活性剤が１０ｇ／リットルとした。この
とき浴の高速連続めっき性は、下記条件のハルセル試験
によって、めっき不良が発生しない最大電流密度を限界
電流密度として評価した。
【００２２】（ハルセル試験条件） 装置：ハルセルテスト装置（山本商品製） めっき浴の温度：２５℃ 全通電量：５Ａ／ｄｍ2 通電時間：１分 アノード：すず板
【００２３】また浴の安定性は、４０℃の恒温槽内にめ
っき浴を１カ月間保持し、浴の濁度をＪＩＳ−Ｋ−０１
０１に準じて測定すると共に、４０℃の恒温槽中に１カ
月間保持しためっき浴を用い、下記に示す条件でめっき
した後、ＪＩＳ−Ｚ−８７４１に準じて反射率を測定し
た。通常硫酸酸性すずめっき浴は常温の２５℃前後で使
用するため、４０℃の酸化促進試験は非常に厳しい試験
といえる。尚濁度の評価は、５０度以下であればめっき
特性、浴の白濁化は生じておらず、良好な状態であるこ
とを示している。
っき浴を１カ月間保持し、浴の濁度をＪＩＳ−Ｋ−０１
０１に準じて測定すると共に、４０℃の恒温槽中に１カ
月間保持しためっき浴を用い、下記に示す条件でめっき
した後、ＪＩＳ−Ｚ−８７４１に準じて反射率を測定し
た。通常硫酸酸性すずめっき浴は常温の２５℃前後で使
用するため、４０℃の酸化促進試験は非常に厳しい試験
といえる。尚濁度の評価は、５０度以下であればめっき
特性、浴の白濁化は生じておらず、良好な状態であるこ
とを示している。
【００２４】（反射率測定用サンプルのめっき条件） 電流密度：５Ａ／ｄｍ2 通電時間：２５秒 アノード：すず板 カソード：りん青銅
【００２５】その結果を各組成と共に下記表１に示す。
この結果から明らかな様に、実施例のものはいずれのも
のも限界電流密度が５Ａ／ｄｍ2 以上で優れた高速連続
めっき性を示した。また、４０℃の酸化促進試験でも浴
の濁りは発生せず、反射率も優れることから浴の安定性
も優れていることが判る。これに対し比較例や従来例の
ものは、浴の安定性や高速連続めっき性のすくなくとも
いずれか一方に問題があり、実用化できない。
この結果から明らかな様に、実施例のものはいずれのも
のも限界電流密度が５Ａ／ｄｍ2 以上で優れた高速連続
めっき性を示した。また、４０℃の酸化促進試験でも浴
の濁りは発生せず、反射率も優れることから浴の安定性
も優れていることが判る。これに対し比較例や従来例の
ものは、浴の安定性や高速連続めっき性のすくなくとも
いずれか一方に問題があり、実用化できない。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されており、高
速度めっきが可能になり、安価でしかも浴の安定性に優
れた浴が実現でき、これによってコストダウンによる経
済効果は非常に大きなものとなった。
速度めっきが可能になり、安価でしかも浴の安定性に優
れた浴が実現でき、これによってコストダウンによる経
済効果は非常に大きなものとなった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 伸 山口県下関市長府港町14番１号 株式会社 神戸製鋼所長府製造所内
Claims (1)
- 【請求項１】 ５０〜１５０ｇ／リットルの硫酸第一す
ずと０．１〜１０ｇ／リットルの硫酸第一鉄を含んでな
ることを特徴とする高速連続めっきが可能なリフローめ
っき用の硫酸酸性すずめっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20342293A JPH0754184A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | 高速連続めっきが可能なリフローめっき用の硫酸酸性すずめっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20342293A JPH0754184A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | 高速連続めっきが可能なリフローめっき用の硫酸酸性すずめっき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0754184A true JPH0754184A (ja) | 1995-02-28 |
Family
ID=16473821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20342293A Withdrawn JPH0754184A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | 高速連続めっきが可能なリフローめっき用の硫酸酸性すずめっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754184A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997023664A1 (fr) * | 1995-12-22 | 1997-07-03 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Bain et procede d'etamage |
| CN106222710A (zh) * | 2016-08-29 | 2016-12-14 | 昆明理工大学 | 一种酸性半光亮镀锡溶液及其制备方法 |
-
1993
- 1993-08-17 JP JP20342293A patent/JPH0754184A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997023664A1 (fr) * | 1995-12-22 | 1997-07-03 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Bain et procede d'etamage |
| CN106222710A (zh) * | 2016-08-29 | 2016-12-14 | 昆明理工大学 | 一种酸性半光亮镀锡溶液及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1179964A (en) | Method of electroplating tin and acidic electroplating bath therefor | |
| CA2525064C (en) | High purity electrolytic sulfonic acid solutions | |
| US3940319A (en) | Electrodeposition of bright tin-nickel alloy | |
| US20030159938A1 (en) | Electroplating solution containing organic acid complexing agent | |
| US20060065538A1 (en) | Alloy composition and plating method | |
| US6998036B2 (en) | Electrolyte and method for depositing tin-silver alloy layers | |
| KR100684818B1 (ko) | 청동의 전해석출 방법 | |
| US4597838A (en) | Additive agent for zinc alloy electrolyte and process | |
| US5006208A (en) | Galvanic gold alloying bath | |
| US4772362A (en) | Zinc alloy electrolyte and process | |
| WO1993018211A1 (en) | Cyanide-free copper plating bath and process | |
| US20020014414A1 (en) | Metal alloy sulfate electroplating baths | |
| JPH0754184A (ja) | 高速連続めっきが可能なリフローめっき用の硫酸酸性すずめっき浴 | |
| JP2005314799A (ja) | 錫めっき方法とこれに用いられる錫めっき浴 | |
| KR100321374B1 (ko) | 도금밀착성 및 표면거칠기와 표면외관이 양호한 아연-철 합금도금강판의 제조방법 | |
| KR0128121B1 (ko) | 염화물계 아연-철합금 전기도금용액의 첨가제 및 이를 함유한 도금용액 | |
| KR0136173B1 (ko) | 염화물계 전기아연 도금액의 첨가제 및 이를 함유한 도금액 | |
| CA1045577A (en) | Electrodeposition of bright tin-nickel alloy | |
| WO2000056952A1 (en) | Electroplating baths | |
| US11643742B2 (en) | Silver/tin electroplating bath and method of using the same | |
| CN114108031B (zh) | 一种环保无氰碱性镀铜细化剂及其制备方法 | |
| JP2001040497A (ja) | 錫−ビスマス合金めっき皮膜で被覆された電子部品 | |
| JPH0359995B2 (ja) | ||
| GB1567235A (en) | Electrodeposition of tin or tin/lead alloys | |
| JPS5952237B2 (ja) | 錫−亜鉛合金めつき浴 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001031 |