JPH0754140A - スパッタリング装置 - Google Patents

スパッタリング装置

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Publication number
JPH0754140A
JPH0754140A JP20501493A JP20501493A JPH0754140A JP H0754140 A JPH0754140 A JP H0754140A JP 20501493 A JP20501493 A JP 20501493A JP 20501493 A JP20501493 A JP 20501493A JP H0754140 A JPH0754140 A JP H0754140A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
inert gas
sputtering
filling
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20501493A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsuhiro Yamanaka
光浩 山中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP20501493A priority Critical patent/JPH0754140A/ja
Publication of JPH0754140A publication Critical patent/JPH0754140A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ターゲットに形成した孔に充填ガスを詰め、
そのリークを検知してターゲットの寿命管理をする。 【構成】 ターゲット9にターゲット支持基板10と水
平方向にターゲットの半径以上の長さの不活性ガス等充
填孔11を開け、不活性ガス等充填孔11に不活性ガス
等を加圧封入し、加圧封入した不活性圧力の圧力変化を
マノメータ13によりモニターして、ターゲット残量管
理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング装置に
おいて、特にターゲットの寿命管理に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来のスパッタリング装置のターゲット
付近の断面構造を図3に示す。ターゲット1はターゲッ
ト支持板2に接着され配置されている。
【0003】従来のスパッタリング装置では、電界によ
り加速されたアルゴンイオン等をターゲット1に衝突さ
せて、原子や分子をターゲット1表面から叩き出し、そ
れを被処理基板上に付着させて成膜が行われる。
【0004】現在、工業用に使用されているスパッタリ
ング装置のほとんどは、スパッタ速度を速くするため
に、磁石3を配置し、磁界によりプラズマを収束させて
いる。このようにしてスパッタリング効率を高めたスパ
ッタリング装置をマグネトロンスパッタ装置と呼ぶ。こ
のため、ターゲット1の、磁界の強い部分が局所的にス
パッタエッチングされる。
【0005】図4にターゲットの使用限界まで使用した
ときのターゲット断面状態を示す。図4で示されるよう
に、ターゲット4は、ターゲット中央5に関して線対称
なスパッタエッチング形状になっている。そのターゲッ
トの使用限界は、ターゲット面内における最小ターゲッ
ト厚部分6により決定される。つまりターゲットの寿命
は、ターゲット面内の半径上に存在する最小ターゲット
厚部分6により決定され、新しいターゲットと交換しな
ければならない。
【0006】従来のマグネトロンスパッタ装置における
ターゲット寿命の管理は、新品のターゲットの使用開始
時からのスパッタ電力を積算しておき、その積算電力値
をあらかじめ調べておいたターゲット使用限界時におけ
る積算電力値と比較することにより、ターゲットの寿命
判定を行っている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマグネ
トロンスパッタ装置では、ターゲット1を一度寿命にな
るまで使い切るか、または、スパッタ積算電力値とター
ゲットの最小厚さとの相関関係を調べ、使用限界をあら
かじめ設定しなければならない。
【0008】しかし、ターゲット1はその材料、スパッ
タリング条件によりスパッタエッチングされる速度が異
なる。このため、スパッタ積算電力とターゲット1の最
小厚さとの関係が未知のターゲット1やさまざまなスパ
ッタリング条件で使用する場合には、積算電力値のモニ
ターによる寿命判定ができなくなる。このためターゲッ
ト1の寿命を判定するためには、たびたび真空処理室を
大気開放しノギス等を用いてターゲット1の最小ターゲ
ット厚部分6の厚さを測定しなければならない。このた
め、測定再現性、工数、時間を費やし、さらに稼働率の
低下を招くという欠点があった。
【0009】また逆にターゲットの最小ターゲット厚部
分6の厚さをチェックせずに、スパッタを続けると、寿
命が超過して、ターゲット1に孔があき、ターゲット支
持板2までスパッタされてしまう。このため、被処理基
板を汚染したり、あるいはターゲット割れが発生すると
いう問題もあった。
【0010】一方、スパッタ積算電力値とターゲット最
小厚さ部分の厚さとの関係が既知のターゲットを用いた
場合についても、初期のターゲットの厚さのばらつき、
再現性、スパッタ時の圧力等スパッタリング条件の変
動、スパッタ積算電力値誤差を考慮して、ターゲット最
小部分の厚さに余裕を残した時点を寿命としている。こ
のためターゲットを最大限に効率よく使用されていな
い。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明のスパッタリング装置は、スパッタ室に取り付
けられたターゲットと、前記ターゲットを固定している
ターゲット支持板との境界に近い位置に前記ターゲット
に水平に孔が設けられ、前記孔の圧力が少なくとも前記
スパッタ室内の圧力より高くなっている。
【0012】
【作用】前記のような構造を有するターゲットが過剰ス
パッタされると、加圧封入された不活性ガス等がスパッ
タ室内にもれる。このため不活性ガス等の供給側に配置
されたマノメータ等の圧力計の変動あるいはスパッタ室
内に配置された真空計の変動のいずれかまたは両方を検
出することによりスパッタを停止させたり、ターゲット
残量が少ないことを警告させることができる。
【0013】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【0014】図1は、本発明の一実施例におけるターゲ
ット付近の断面図である。ターゲット9は、ターゲット
支持基板10に接着されており、ターゲット支持基板1
0の水平方向に不活性ガス等充填孔11が形成されてい
る。不活性ガス等充填孔11に、不活性ガス等充填供給
用の管である不活性ガス等供給管12と、不活性ガス等
の充填圧力観察用のマノメータ13と、不活性ガス等の
ボンベ14とが接続されている。ボンベ14は10kg
/cm2以上の圧力で加圧充填されている。
【0015】磁石室壁15内には、マグネトロンスパッ
タ用の磁石16が磁石支持棒17により固定されてい
る。スパッタ室壁18により大気側19とスパッタ室側
20に隔離されている。また不活性ガス等充填孔11
は、ターゲット中心21を横切ってそれよりも先まで延
びて形成されている。
【0016】図2は図1のA−B線に沿った断面図であ
る。ターゲット22は、スパッタ室側の部分22から始
まり、不活性ガス等充填孔部分11、予備ターゲット部
分23と順番にスパッタエッチングされていく。
【0017】不活性ガス等充填孔部分11までスパッタ
エッチングが進行すると、加圧充填された不活性ガス等
がスパッタ室内にリークする。このリークをマノメータ
13により検出をし、ターゲット厚さ残量が一定量とな
ったことがわかる。これによって、ターゲットの管理が
できる。その後、ターゲット交換を実施する。
【0018】本実施例では、不活性ガス等の充填圧力測
定としてマノメータを用いたが、不活性ガス等の充填ガ
ス圧力を測定できるものならなんでもよい。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、ターゲットの水平方向
にターゲットの半径以上の長さの孔を開け、不活性ガス
等を加圧封入することにより、ターゲット寿命管理を容
易にし、ターゲットの有効活用や過剰スパッタを防止す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すスパッタリング装置の
要部の断面図
【図2】図1のA−B線に沿ったターゲット支持板およ
びターゲット部分の断面図
【図3】従来のスパッタリング装置断面図
【図4】使用済みターゲットの断面図
【符号の説明】
9 ターゲット 10 ターゲット支持基板 11 不活性ガス等充填孔 12 不活性ガス等供給管 13 不活性ガス等の充填圧力観察用のマノメータ 14 不活性ガス等のボンベ 15 磁石室壁 16 マグネトロンスパッタ用の磁石 17 磁石支持棒 18 スパッタ室壁 22 ターゲット 23 予備ターゲット部分

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スパッタ室と、前記スパッタ室に取り付
    けられたターゲットと、前記ターゲットを固定している
    ターゲット支持板との境界に近い位置に前記ターゲット
    に水平に孔が設けられ、前記孔の圧力が少なくとも前記
    スパッタ室内の圧力より高くなっていることを特徴とす
    るスパッタリング装置。
  2. 【請求項2】 前記孔は配管を通して不活性ガスが接続
    されていることを特徴とする請求項1記載のスパッタリ
    ング装置。
JP20501493A 1993-08-19 1993-08-19 スパッタリング装置 Pending JPH0754140A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20501493A JPH0754140A (ja) 1993-08-19 1993-08-19 スパッタリング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20501493A JPH0754140A (ja) 1993-08-19 1993-08-19 スパッタリング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0754140A true JPH0754140A (ja) 1995-02-28

Family

ID=16500023

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20501493A Pending JPH0754140A (ja) 1993-08-19 1993-08-19 スパッタリング装置

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JP (1) JPH0754140A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7891536B2 (en) 2005-09-26 2011-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. PVD target with end of service life detection capability
JP2013185230A (ja) * 2012-03-09 2013-09-19 Solar Applied Materials Technology Corp アラーム機能を有するスパッタリングターゲット
US8795486B2 (en) 2005-09-26 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. PVD target with end of service life detection capability

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7891536B2 (en) 2005-09-26 2011-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. PVD target with end of service life detection capability
US8276648B2 (en) 2005-09-26 2012-10-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. PVD target with end of service life detection capability
US8795486B2 (en) 2005-09-26 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. PVD target with end of service life detection capability
JP2013185230A (ja) * 2012-03-09 2013-09-19 Solar Applied Materials Technology Corp アラーム機能を有するスパッタリングターゲット

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