JPH0753604A - シクロデキストリン誘導体の製造方法 - Google Patents
シクロデキストリン誘導体の製造方法Info
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- JPH0753604A JPH0753604A JP20322693A JP20322693A JPH0753604A JP H0753604 A JPH0753604 A JP H0753604A JP 20322693 A JP20322693 A JP 20322693A JP 20322693 A JP20322693 A JP 20322693A JP H0753604 A JPH0753604 A JP H0753604A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】シクロデキストリンのメチル化誘導体を短時間
でしかも高収率で得ることができる方法を提供する。 【構成】シクロデキストリンの水酸基の水素原子をメチ
ル基に置換しシクロデキストリンのメチル化誘導体を製
造する方法において、メチル化剤としてトリメチルシリ
ルジアゾメタンを用いる。
でしかも高収率で得ることができる方法を提供する。 【構成】シクロデキストリンの水酸基の水素原子をメチ
ル基に置換しシクロデキストリンのメチル化誘導体を製
造する方法において、メチル化剤としてトリメチルシリ
ルジアゾメタンを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシクロデキストリンのメ
チル化誘導体の製造方法に関する。
チル化誘導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シクロデキストリン（以下場合によりＣ
Ｄと略記する）は分子内に疎水性の空洞を有し、外側は
親水性で水中油型ミセルに似た機能を示す化合物であ
る。このようなＣＤはその空洞径に応じて疎水性のゲス
ト分子を取り込み水溶液中で複合体を形成し、調整法に
よっては固体の包接化合物を単離することもできる。こ
の立体選択的な相互作用によりゲスト分子の物理化学的
性質を微妙に変化させることができるため、製剤への有
効利用が期待でき、各方面で種々に利用され、また利用
が図られている化合物である。
Ｄと略記する）は分子内に疎水性の空洞を有し、外側は
親水性で水中油型ミセルに似た機能を示す化合物であ
る。このようなＣＤはその空洞径に応じて疎水性のゲス
ト分子を取り込み水溶液中で複合体を形成し、調整法に
よっては固体の包接化合物を単離することもできる。こ
の立体選択的な相互作用によりゲスト分子の物理化学的
性質を微妙に変化させることができるため、製剤への有
効利用が期待でき、各方面で種々に利用され、また利用
が図られている化合物である。
【０００３】特にシクロデキストリンの２，３又は６位
の水酸基を部分的に残してなるか又は他の置換基に置換
せしめたシクロデキストリン誘導体の場合は、その水酸
基又は他の置換基との相互作用により包接能が大幅に変
化するため、ゲスト分子の種類、その物性を大きく変化
させうることが期待できる。従ってこのような水酸基を
他の置換基に置換せしめたシクロデキストリン誘導体に
ついて種々の研究がなされてきた。
の水酸基を部分的に残してなるか又は他の置換基に置換
せしめたシクロデキストリン誘導体の場合は、その水酸
基又は他の置換基との相互作用により包接能が大幅に変
化するため、ゲスト分子の種類、その物性を大きく変化
させうることが期待できる。従ってこのような水酸基を
他の置換基に置換せしめたシクロデキストリン誘導体に
ついて種々の研究がなされてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】シクロデキストリンの
メチル化誘導体に関する報告としては、硫酸ジメチルや
ジアゾメタンを用いたHelv.Chim.Acta.,61 p.2190-2218
(1978)や、ヨウ化メチルやトリフルオロメタンスルホン
酸メチルを用いたCarbohydr.Res.,187 p.203-221(1989)
の竹尾らの論文がある。しかしこれらの論文で開示され
ているメチル化剤を用いた合成では、反応時間が長時間
であったり、反応系内を冷却しなければならなかった
り、また、一度塩基で塩を生成してから反応させたり安
全性などの問題があった。
メチル化誘導体に関する報告としては、硫酸ジメチルや
ジアゾメタンを用いたHelv.Chim.Acta.,61 p.2190-2218
(1978)や、ヨウ化メチルやトリフルオロメタンスルホン
酸メチルを用いたCarbohydr.Res.,187 p.203-221(1989)
の竹尾らの論文がある。しかしこれらの論文で開示され
ているメチル化剤を用いた合成では、反応時間が長時間
であったり、反応系内を冷却しなければならなかった
り、また、一度塩基で塩を生成してから反応させたり安
全性などの問題があった。
【０００５】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであって、シクロデキストリンのメチル化誘
導体を短時間でしかも高収率で得ることができる方法を
提供することを目的とする。
されたものであって、シクロデキストリンのメチル化誘
導体を短時間でしかも高収率で得ることができる方法を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
に鑑みて鋭意研究の結果、シクロデキストリンの水酸基
の水素原子をメチル基に置換しシクロデキストリンのメ
チル化誘導体を製造する方法において、メチル化剤とし
てトリメチルシリルジアゾメタンを用いることにより前
記目的が達成されることを見い出し、本発明を完成し
た。
に鑑みて鋭意研究の結果、シクロデキストリンの水酸基
の水素原子をメチル基に置換しシクロデキストリンのメ
チル化誘導体を製造する方法において、メチル化剤とし
てトリメチルシリルジアゾメタンを用いることにより前
記目的が達成されることを見い出し、本発明を完成し
た。
【０００７】
【実施例】以下に本発明を更に具体的に説明する。本発
明においてＣＤはｎが６のものをα−ＣＤ、ｎが７のも
のをβ−ＣＤ、ｎが８のものをγ−ＣＤという。
明においてＣＤはｎが６のものをα−ＣＤ、ｎが７のも
のをβ−ＣＤ、ｎが８のものをγ−ＣＤという。
【０００８】＜実施例１＞２，３−メチル−β−ＣＤの
合成を目的として行った、本発明のＣＤ誘導体の製造方
法の具体的反応例（化１）を示す。
合成を目的として行った、本発明のＣＤ誘導体の製造方
法の具体的反応例（化１）を示す。
【０００９】
【化１】
【００１０】上記反応例は具体的には以下のような反応
により行われる。 反応［１］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ピリジン中に溶解し、窒素雰
囲気下０〜５℃に冷却する。次いで脱水ピリジンに溶解
したターシャルブチルジメチルシリルクロライド（ｔ−
ＢｕＤＭＳｉ・Ｃｌ）を滴下し、滴下終了後０〜５℃で
１時間、室温で１２時間撹拌する。反応終了後大量の水
により再沈殿を行い、沈殿を濾別、よく水洗し乾燥させ
る。その後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製し、得られた［Ａ］はエタノールより３回再結晶を
行う（収率：約８０％）。 反応［２］ ［Ａ］を脱水したジクロルメタン（またはクロロホル
ム）に溶解させ、室温下でその系にトリエチルアミンを
加え、次いでメチル化剤であるトリメチルシリルジアゾ
メタンをすばやく添加する。添加後約１時間撹拌する。
反応終了後、有機層を希硫酸で洗浄、次いで水、ＮａＨ
ＣＯ3 水溶液で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥する。硫酸
ナトリウムを濾別後濾液を減圧下留去する。残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、［Ｂ］を
得る（収率：約９０％）。 反応［３］ ［Ｂ］を脱水ＴＨＦに溶解し、室温下１Ｍ−（ｎ−Ｃ4
Ｈ9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液を滴下し、滴下終了後ゆ
っくり加温し還流下１２時間反応させる。反応終了後放
冷し、減圧下ＴＨＦを留去、残渣をジクロルメタンに溶
解、飽和食塩水で洗浄する。ジクロルメタン層は乾燥後
濾過し、濾液は減圧下濃縮、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにて精製し、［Ｃ］２，３−メチル−
β−ＣＤを得る（収率：約８０％）。
により行われる。 反応［１］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ピリジン中に溶解し、窒素雰
囲気下０〜５℃に冷却する。次いで脱水ピリジンに溶解
したターシャルブチルジメチルシリルクロライド（ｔ−
ＢｕＤＭＳｉ・Ｃｌ）を滴下し、滴下終了後０〜５℃で
１時間、室温で１２時間撹拌する。反応終了後大量の水
により再沈殿を行い、沈殿を濾別、よく水洗し乾燥させ
る。その後シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製し、得られた［Ａ］はエタノールより３回再結晶を
行う（収率：約８０％）。 反応［２］ ［Ａ］を脱水したジクロルメタン（またはクロロホル
ム）に溶解させ、室温下でその系にトリエチルアミンを
加え、次いでメチル化剤であるトリメチルシリルジアゾ
メタンをすばやく添加する。添加後約１時間撹拌する。
反応終了後、有機層を希硫酸で洗浄、次いで水、ＮａＨ
ＣＯ3 水溶液で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥する。硫酸
ナトリウムを濾別後濾液を減圧下留去する。残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、［Ｂ］を
得る（収率：約９０％）。 反応［３］ ［Ｂ］を脱水ＴＨＦに溶解し、室温下１Ｍ−（ｎ−Ｃ4
Ｈ9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液を滴下し、滴下終了後ゆ
っくり加温し還流下１２時間反応させる。反応終了後放
冷し、減圧下ＴＨＦを留去、残渣をジクロルメタンに溶
解、飽和食塩水で洗浄する。ジクロルメタン層は乾燥後
濾過し、濾液は減圧下濃縮、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにて精製し、［Ｃ］２，３−メチル−
β−ＣＤを得る（収率：約８０％）。
【００１１】＜実施例２＞６−メチル−β−ＣＤの合成
を目的として行った、本発明のＣＤ誘導体の製造方法の
具体的反応例（化２）を示す。
を目的として行った、本発明のＣＤ誘導体の製造方法の
具体的反応例（化２）を示す。
【００１２】
【化２】
【００１３】上記反応例は具体的には以下のような反応
により行われる。 反応［４］ 実施例１で得た［Ａ］を脱水ＤＭＦに溶解後、窒素雰囲
気下室温でＮａＨを添加する。次いで系を０〜５℃に冷
却し、臭化ベンジル（Ｒ1 ：Ｃ6 Ｈ5 −ＣＨ2−）をゆ
っくり滴下し、滴下終了後ヨウ化ナトリウムを加え０〜
５℃で６時間室温で４８時間撹拌する。反応終了後メタ
ノールを加え撹拌、次いで不溶物を濾別、濾液に塩化メ
チレンを加え１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ4 、水の順で洗浄し有機相
を乾燥後減圧下４０℃以下で濃縮する。残渣に少量のＤ
ＭＦを加えメタノールより再沈殿を行い析出した沈殿物
はエタノールにより繰り返し再結晶し［Ｄ］を得る（収
率：約６０％）。 反応［５］ ［Ｄ］を脱水ＴＨＦに溶解し、室温下１Ｍ−（ｎ−Ｃ4
Ｈ9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液をゆっくりと滴下、滴下
終了後少しずつ加温し、還流下２４時間反応させる。反
応終了後放冷し、減圧下ＴＨＦを留去する。残渣は少量
のエタノールに溶解し、大量の水より再沈殿を行い、シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し［Ｅ］
を得る（収率：約６５％）。 反応［６］ ［Ｅ］を脱水ジクロルメタン（またはクロロホルム）に
溶解し、室温下でその系にトリエチルアミンを加え、次
いでメチル化剤であるトリメチルシリルジアゾメタンを
すばやく添加する。添加後約１時間撹拌、反応終了後有
機層を希硫酸で洗浄、次いで水、ＮａＨＣＯ3 水溶液で
洗い、硫酸ナトリウムで乾燥する。硫酸ナトリウムを濾
別後、濾液を減圧下留去する。残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し［Ｆ］を得る（収率：
約９０％）。 反応［７］ ［Ｆ］をエタノール／酢酸＝２／１溶液に溶解し、１０
％Ｐｄ／Ｃを触媒として添加後、水素添加を行う（４０
℃、５Ｋｇ／ｃｍ2 ）。水素圧が減少しなくなった時点
で反応を終了させ、Ｐｄ／Ｃを濾別、濾液を減圧下濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製し［Ｇ］６−メチル−β−ＣＤを得る（収率：約９
０％）。
により行われる。 反応［４］ 実施例１で得た［Ａ］を脱水ＤＭＦに溶解後、窒素雰囲
気下室温でＮａＨを添加する。次いで系を０〜５℃に冷
却し、臭化ベンジル（Ｒ1 ：Ｃ6 Ｈ5 −ＣＨ2−）をゆ
っくり滴下し、滴下終了後ヨウ化ナトリウムを加え０〜
５℃で６時間室温で４８時間撹拌する。反応終了後メタ
ノールを加え撹拌、次いで不溶物を濾別、濾液に塩化メ
チレンを加え１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ4 、水の順で洗浄し有機相
を乾燥後減圧下４０℃以下で濃縮する。残渣に少量のＤ
ＭＦを加えメタノールより再沈殿を行い析出した沈殿物
はエタノールにより繰り返し再結晶し［Ｄ］を得る（収
率：約６０％）。 反応［５］ ［Ｄ］を脱水ＴＨＦに溶解し、室温下１Ｍ−（ｎ−Ｃ4
Ｈ9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液をゆっくりと滴下、滴下
終了後少しずつ加温し、還流下２４時間反応させる。反
応終了後放冷し、減圧下ＴＨＦを留去する。残渣は少量
のエタノールに溶解し、大量の水より再沈殿を行い、シ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し［Ｅ］
を得る（収率：約６５％）。 反応［６］ ［Ｅ］を脱水ジクロルメタン（またはクロロホルム）に
溶解し、室温下でその系にトリエチルアミンを加え、次
いでメチル化剤であるトリメチルシリルジアゾメタンを
すばやく添加する。添加後約１時間撹拌、反応終了後有
機層を希硫酸で洗浄、次いで水、ＮａＨＣＯ3 水溶液で
洗い、硫酸ナトリウムで乾燥する。硫酸ナトリウムを濾
別後、濾液を減圧下留去する。残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し［Ｆ］を得る（収率：
約９０％）。 反応［７］ ［Ｆ］をエタノール／酢酸＝２／１溶液に溶解し、１０
％Ｐｄ／Ｃを触媒として添加後、水素添加を行う（４０
℃、５Ｋｇ／ｃｍ2 ）。水素圧が減少しなくなった時点
で反応を終了させ、Ｐｄ／Ｃを濾別、濾液を減圧下濃縮
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより
精製し［Ｇ］６−メチル−β−ＣＤを得る（収率：約９
０％）。
【００１４】＜実施例３＞３，６−メチル−β−ＣＤの
合成を目的として行った、本発明のＣＤ誘導体の製造方
法の具体的反応例（化３）を示す。
合成を目的として行った、本発明のＣＤ誘導体の製造方
法の具体的反応例（化３）を示す。
【００１５】
【化３】
【００１６】上記反応例は具体的には以下のような反応
により行われる。 反応［８］ 実施例１で得られた［Ａ］を脱水ＤＭＦに溶解し、窒素
雰囲気下ＢａＯ、Ｂａ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2 Ｏを加え室温
で１時間反応させる。その系に臭化ベンジル（Ｒ1 ：Ｃ
6 Ｈ5 −ＣＨ2 −）を滴下し、滴下終了後ＮａＩを加え
２４時間反応する。反応終了後メタノールを加え、沈殿
物は濾別し、濾液にＣＨ2 Ｃｌ2 を加えて１Ｍ−Ｈ2 Ｓ
Ｏ4 水の順で洗浄、有機層は乾燥後減圧下濃縮する。残
渣に少量のエタノールを加え、大量の水より再沈殿す
る。沈殿物は乾燥後シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにより精製し［Ｈ］を得る（収率：約７０％）。 反応［９］ ［Ｈ］を脱水ＴＨＦに溶解し、室温下１Ｍ−（ｎ−Ｃ4
Ｈ9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液をゆっくりと滴下し、滴
下終了後少しずつ加温し、還流下２４時間反応させる。
反応終了後放冷し、減圧下ＴＨＦを留去する。残渣はシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し［Ｉ］
を得る（収率：約８０％）。 反応［10］ ［Ｅ］にかえて［Ｉ］を用いた以外は反応［６］と同様
にして［Ｊ］を得る（収率：約８５％）。 反応［11］ ［Ｆ］にかえて［Ｊ］を用いた以外は反応［７］と同様
にして［Ｋ］３，６−メチル−β−ＣＤを得る（収率：
約８５％）。
により行われる。 反応［８］ 実施例１で得られた［Ａ］を脱水ＤＭＦに溶解し、窒素
雰囲気下ＢａＯ、Ｂａ（ＯＨ）2 ・８Ｈ2 Ｏを加え室温
で１時間反応させる。その系に臭化ベンジル（Ｒ1 ：Ｃ
6 Ｈ5 −ＣＨ2 −）を滴下し、滴下終了後ＮａＩを加え
２４時間反応する。反応終了後メタノールを加え、沈殿
物は濾別し、濾液にＣＨ2 Ｃｌ2 を加えて１Ｍ−Ｈ2 Ｓ
Ｏ4 水の順で洗浄、有機層は乾燥後減圧下濃縮する。残
渣に少量のエタノールを加え、大量の水より再沈殿す
る。沈殿物は乾燥後シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーにより精製し［Ｈ］を得る（収率：約７０％）。 反応［９］ ［Ｈ］を脱水ＴＨＦに溶解し、室温下１Ｍ−（ｎ−Ｃ4
Ｈ9 ）4 Ｎ+ Ｆ- のＴＨＦ溶液をゆっくりと滴下し、滴
下終了後少しずつ加温し、還流下２４時間反応させる。
反応終了後放冷し、減圧下ＴＨＦを留去する。残渣はシ
リカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し［Ｉ］
を得る（収率：約８０％）。 反応［10］ ［Ｅ］にかえて［Ｉ］を用いた以外は反応［６］と同様
にして［Ｊ］を得る（収率：約８５％）。 反応［11］ ［Ｆ］にかえて［Ｊ］を用いた以外は反応［７］と同様
にして［Ｋ］３，６−メチル−β−ＣＤを得る（収率：
約８５％）。
【００１７】＜実施例４＞２，６−メチル−β−ＣＤの
合成を目的として行った、本発明のＣＤ誘導体の製造方
法の具体的反応例（化４）を示す。
合成を目的として行った、本発明のＣＤ誘導体の製造方
法の具体的反応例（化４）を示す。
【００１８】
【化４】
【００１９】上記反応例は具体的には以下のような反応
により行われる。 反応［12］ 実施例３で得られた［Ｈ］を脱水ＴＨＦに溶解し、窒素
雰囲気下室温でＮａＨを添加する。次いで系を０〜５℃
に冷却し、臭化アリル（Ｒ2 ：ＣＨ2 ＝ＣＨ−ＣＨ
2 −） をゆっくりと滴下し、滴下終了後ＮａＩを加
え、０〜５℃で２時間、室温で２４時間撹拌する。反応
終了後メタノールを加え撹拌、次いで不溶物を濾別、濾
液を減圧下濃縮する。残渣はＣＨ2 Ｃｌ2 ／水系で抽出
後ＣＨ2 Ｃｌ2層を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにて精製し［Ｌ］を得る（収率：約７
０％）。 反応［13］ ［Ｆ］にかえて［Ｌ］を用いた以外は反応［７］と同様
にして［Ｍ］を得る（収率：約８０％）。 反応［14］ ［Ｈ］にかえて［Ｍ］を用いた以外は反応［９］と同様
にして［Ｎ］を得る（収率：約７５％）。 反応［15］ ［Ｅ］にかえて［Ｎ］を用いた以外は反応［６］と同様
にして［Ｏ］を得る（収率：約８０％）。 反応［16］ 水／エタノール混合溶媒中に過塩素酸と５％Ｐｄ／Ｃを
添加し、その系に室温下エタノールに溶解させた［Ｏ］
を加える。その後系を７０〜８０℃で２４時間反応させ
る。放冷後Ｐｄ／Ｃを濾別、濾液を冷却しながら中和し
濃縮する。残渣にＣＨ2 Ｃｌ2 を加え撹拌し不純物を濾
別、濾液を濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィー
にて精製し［Ｐ］２，６−メチル−β−ＣＤを得る（収
率：約７５％）。
により行われる。 反応［12］ 実施例３で得られた［Ｈ］を脱水ＴＨＦに溶解し、窒素
雰囲気下室温でＮａＨを添加する。次いで系を０〜５℃
に冷却し、臭化アリル（Ｒ2 ：ＣＨ2 ＝ＣＨ−ＣＨ
2 −） をゆっくりと滴下し、滴下終了後ＮａＩを加
え、０〜５℃で２時間、室温で２４時間撹拌する。反応
終了後メタノールを加え撹拌、次いで不溶物を濾別、濾
液を減圧下濃縮する。残渣はＣＨ2 Ｃｌ2 ／水系で抽出
後ＣＨ2 Ｃｌ2層を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにて精製し［Ｌ］を得る（収率：約７
０％）。 反応［13］ ［Ｆ］にかえて［Ｌ］を用いた以外は反応［７］と同様
にして［Ｍ］を得る（収率：約８０％）。 反応［14］ ［Ｈ］にかえて［Ｍ］を用いた以外は反応［９］と同様
にして［Ｎ］を得る（収率：約７５％）。 反応［15］ ［Ｅ］にかえて［Ｎ］を用いた以外は反応［６］と同様
にして［Ｏ］を得る（収率：約８０％）。 反応［16］ 水／エタノール混合溶媒中に過塩素酸と５％Ｐｄ／Ｃを
添加し、その系に室温下エタノールに溶解させた［Ｏ］
を加える。その後系を７０〜８０℃で２４時間反応させ
る。放冷後Ｐｄ／Ｃを濾別、濾液を冷却しながら中和し
濃縮する。残渣にＣＨ2 Ｃｌ2 を加え撹拌し不純物を濾
別、濾液を濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィー
にて精製し［Ｐ］２，６−メチル−β−ＣＤを得る（収
率：約７５％）。
【００２０】＜実施例５＞２−メチル−β−ＣＤの合成
を目的として行った、本発明のＣＤ誘導体の製造方法の
具体的反応例（化５）を示す。
を目的として行った、本発明のＣＤ誘導体の製造方法の
具体的反応例（化５）を示す。
【００２１】
【化５】
【００２２】上記反応例は具体的には以下のような反応
により行われる。 反応［17］ ［Ｅ］にかえて実施例４で得られた［Ｍ］を用いた以外
は反応［６］と同様にして［Ｑ］を得る（収率：約７５
％）。 反応［18］ ［Ｏ］にかえて［Ｑ］を用い、エタノールをＴＨＦに変
更した以外は反応［16］と同様にして［Ｒ］を得る（収
率：約７０％）。 反応［19］ ［Ｈ］にかえて［Ｒ］を用いた以外は反応［９］と同様
にして［Ｓ］２−メチル−β−ＣＤを得る（収率：約７
５％）。
により行われる。 反応［17］ ［Ｅ］にかえて実施例４で得られた［Ｍ］を用いた以外
は反応［６］と同様にして［Ｑ］を得る（収率：約７５
％）。 反応［18］ ［Ｏ］にかえて［Ｑ］を用い、エタノールをＴＨＦに変
更した以外は反応［16］と同様にして［Ｒ］を得る（収
率：約７０％）。 反応［19］ ［Ｈ］にかえて［Ｒ］を用いた以外は反応［９］と同様
にして［Ｓ］２−メチル−β−ＣＤを得る（収率：約７
５％）。
【００２３】＜実施例６＞３−メチル−β−ＣＤの合成
を目的として行った、本発明のＣＤ誘導体の製造方法の
具体的反応例（化６）を示す。
を目的として行った、本発明のＣＤ誘導体の製造方法の
具体的反応例（化６）を示す。
【００２４】
【化６】
【００２５】上記反応例は具体的には以下のような反応
により行われる。 反応［20］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ＤＭＦに溶解し、室温でイミ
ダゾールを添加する。次いでアルゴン雰囲気下ｔ−Ｂｕ
ＤＭＳｉ・Ｃｌを加え溶解させる。その系をゆっくり加
熱し90〜100 ℃で24時間反応する。反応終了後放冷し、
減圧下ＤＭＦを留去し残渣を塩化メチレン／水系より抽
出し、有機層は１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ4 ，水，ＮａＨＣＯ3 飽
和水溶液で洗浄後乾燥する。有機層は減圧下濃縮し、残
渣は塩化メチレン／メタノール系より再結晶し精製する
ことで［Ｔ］を得る（収率：約６５％）。 反応［21］ ［Ａ］にかえて［Ｔ］を用いた以外は反応［２］と同様
にして［Ｕ］を得る（収率：約８５％）。尚、トリエチ
ルアミンの代わりにエチルジイソプロピルアミンを用い
てもよい。 反応［22］ ［Ｂ］にかえて［Ｕ］を用い、反応時間の１２時間を２
４時間に変更する以外は反応［３］と同様にして［Ｖ］
３−メチル−β−ＣＤを得る（収率：約８０％）。
により行われる。 反応［20］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ＤＭＦに溶解し、室温でイミ
ダゾールを添加する。次いでアルゴン雰囲気下ｔ−Ｂｕ
ＤＭＳｉ・Ｃｌを加え溶解させる。その系をゆっくり加
熱し90〜100 ℃で24時間反応する。反応終了後放冷し、
減圧下ＤＭＦを留去し残渣を塩化メチレン／水系より抽
出し、有機層は１Ｍ−Ｈ2 ＳＯ4 ，水，ＮａＨＣＯ3 飽
和水溶液で洗浄後乾燥する。有機層は減圧下濃縮し、残
渣は塩化メチレン／メタノール系より再結晶し精製する
ことで［Ｔ］を得る（収率：約６５％）。 反応［21］ ［Ａ］にかえて［Ｔ］を用いた以外は反応［２］と同様
にして［Ｕ］を得る（収率：約８５％）。尚、トリエチ
ルアミンの代わりにエチルジイソプロピルアミンを用い
てもよい。 反応［22］ ［Ｂ］にかえて［Ｕ］を用い、反応時間の１２時間を２
４時間に変更する以外は反応［３］と同様にして［Ｖ］
３−メチル−β−ＣＤを得る（収率：約８０％）。
【００２６】＜実施例７＞２，３，６−メチル−β−Ｃ
Ｄの合成を目的として行った、本発明のＣＤ誘導体の製
造方法の具体的反応例（化７）を示す。
Ｄの合成を目的として行った、本発明のＣＤ誘導体の製
造方法の具体的反応例（化７）を示す。
【００２７】
【化７】
【００２８】上記反応例は具体的には以下のような反応
により行われる。 反応［23］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ＤＭＦ（またはＤＭＳＯ）中
に溶解し、室温下でトリメチルアミンを加え、次いでト
リメチルシリルジアゾメタンをすばやく添加する。添加
後約２時間撹拌し、反応終了後ＣＨ2 Ｃｌ2 、水を続け
て加え分液し、有機層を希硫酸で洗浄、次いで水、Ｎａ
ＨＣＯ3 水溶液で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥、濾別後
濾液を減圧下留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにて精製し［Ｗ］２，３，６−メチル−β
−ＣＤを得る（収率：約９０％）。
により行われる。 反応［23］ β−ＣＤ（ｎ＝７）を脱水ＤＭＦ（またはＤＭＳＯ）中
に溶解し、室温下でトリメチルアミンを加え、次いでト
リメチルシリルジアゾメタンをすばやく添加する。添加
後約２時間撹拌し、反応終了後ＣＨ2 Ｃｌ2 、水を続け
て加え分液し、有機層を希硫酸で洗浄、次いで水、Ｎａ
ＨＣＯ3 水溶液で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥、濾別後
濾液を減圧下留去する。残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィーにて精製し［Ｗ］２，３，６−メチル−β
−ＣＤを得る（収率：約９０％）。
【００２９】以上、本発明の具体的反応例を示して説明
したが、本発明は上記実施例に限定されるものではな
い。例えば、上記実施例２ないし実施例５において、置
換基Ｒ 1 として導入されるベンジル基の代わりに、アリ
ル基が導入されてもよく、また、置換基Ｒ2 として導入
されるアリル基の代わりに、ベンジル基、アセチル基、
ベンゾイル基、あるいはテトラヒドロピラニル基が導入
されてもよい。なお、化合物Ｌにおいては、Ｒ1 とＲ2
は同一でないことが条件となる。また、これらの基を導
入するには、例えば上記基を有するハロゲン化物を使用
すればよい。
したが、本発明は上記実施例に限定されるものではな
い。例えば、上記実施例２ないし実施例５において、置
換基Ｒ 1 として導入されるベンジル基の代わりに、アリ
ル基が導入されてもよく、また、置換基Ｒ2 として導入
されるアリル基の代わりに、ベンジル基、アセチル基、
ベンゾイル基、あるいはテトラヒドロピラニル基が導入
されてもよい。なお、化合物Ｌにおいては、Ｒ1 とＲ2
は同一でないことが条件となる。また、これらの基を導
入するには、例えば上記基を有するハロゲン化物を使用
すればよい。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、メ
チル化剤としてトリメチルシリルジアゾメタンを用いる
ことで、シクロデキストリンのメチル化誘導体を、短時
間、室温下で、しかも高収率で得ることができた。特に
立体障害の大きい３位の水酸基にも高収率でメチル基を
導入することができた。また、本発明では、爆発性のあ
るジアゾメタンをトリメチルシリル化して用いること
で、該物質が熱的に安定になるため、安全性の面からみ
ても問題のない方法である。
チル化剤としてトリメチルシリルジアゾメタンを用いる
ことで、シクロデキストリンのメチル化誘導体を、短時
間、室温下で、しかも高収率で得ることができた。特に
立体障害の大きい３位の水酸基にも高収率でメチル基を
導入することができた。また、本発明では、爆発性のあ
るジアゾメタンをトリメチルシリル化して用いること
で、該物質が熱的に安定になるため、安全性の面からみ
ても問題のない方法である。
Claims (1)
- 【請求項１】シクロデキストリンの水酸基の水素原子を
メチル基に置換しシクロデキストリンのメチル化誘導体
を製造する方法において、メチル化剤としてトリメチル
シリルジアゾメタンを用いることを特徴とするシクロデ
キストリン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20322693A JPH0753604A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | シクロデキストリン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20322693A JPH0753604A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | シクロデキストリン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0753604A true JPH0753604A (ja) | 1995-02-28 |
Family
ID=16470546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20322693A Pending JPH0753604A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | シクロデキストリン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0753604A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117683154A (zh) * | 2024-01-31 | 2024-03-12 | 淄博千汇生物科技有限公司 | 低取代度甲基-β-环糊精的制备方法 |
-
1993
- 1993-08-17 JP JP20322693A patent/JPH0753604A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117683154A (zh) * | 2024-01-31 | 2024-03-12 | 淄博千汇生物科技有限公司 | 低取代度甲基-β-环糊精的制备方法 |
| CN117683154B (zh) * | 2024-01-31 | 2024-04-05 | 淄博千汇生物科技有限公司 | 低取代度甲基-β-环糊精的制备方法 |
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