JPH0748412B2 - Laser trimming method for thick film resistor - Google Patents
Laser trimming method for thick film resistorInfo
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- JPH0748412B2 JPH0748412B2 JP63109907A JP10990788A JPH0748412B2 JP H0748412 B2 JPH0748412 B2 JP H0748412B2 JP 63109907 A JP63109907 A JP 63109907A JP 10990788 A JP10990788 A JP 10990788A JP H0748412 B2 JPH0748412 B2 JP H0748412B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は，厚膜抵抗体の抵抗値を所望に調整するために
レーザパルスを用いて厚膜抵抗体にトリミング溝を形成
する厚膜抵抗体のレーザトリミング方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a thick film resistor in which a trimming groove is formed in a thick film resistor by using a laser pulse in order to adjust a resistance value of the thick film resistor as desired. A laser trimming method for a body.
従来，厚膜抵抗体のレーザトリミングにおいては，レー
ザパルスと抵抗値測定のサンプリングの同期をとりなが
らカッティングし，設定値に達したらレーザパルスを瞬
時に止めることによってトリミング溝を形成している。
第３図（ａ），（ｂ）はレーザトリミングを行う場合の
従来装置の要部構成を例示したものである。ここでは，
厚膜抵抗体２がセラミック基板５上に設けられ，更に一
対の電極１上に載置された状態で所定の設定値になるま
でレーザパルスが出射されることによりトリミング溝３
が形成されることを示している。Conventionally, in the laser trimming of a thick film resistor, cutting is performed while synchronizing the sampling of the laser pulse and the resistance value measurement, and when the set value is reached, the laser pulse is stopped instantaneously to form the trimming groove.
FIGS. 3 (a) and 3 (b) exemplify the configuration of the main part of a conventional apparatus when laser trimming is performed. here,
The thick film resistor 2 is provided on the ceramic substrate 5, and the trimming groove 3 is formed by emitting a laser pulse until it reaches a predetermined set value while being placed on the pair of electrodes 1.
Are formed.
〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来の方法では，終端でのレーザパルスは１パ
ルスとなり，第３図（ｂ）に示すようにトリミング溝３
の端部４がシャープな加工にならないという欠点があ
る。これはレーザパルスのパワー分布がガウス型分布と
なっていて，レーザパルスの周辺部が中央部分より加工
しにくいためである。[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional method described above, the laser pulse at the end is one pulse, and the trimming groove 3 is formed as shown in FIG. 3 (b).
There is a drawback that the end portion 4 of is not sharpened. This is because the laser pulse power distribution has a Gaussian distribution and it is more difficult to process the peripheral portion of the laser pulse than the central portion.
第３図は上記の状態を示す図であり，特に（ｂ）がよく
その状態を示している。これはマイクロクラックの要因
となり，最終的にはトリミング後の抵抗値ドリフトとな
り，トリミング精度向上の障壁となっていた。FIG. 3 is a view showing the above-mentioned state, and particularly (b) shows the state well. This causes microcracks, and eventually causes resistance drift after trimming, which is a barrier to improving trimming accuracy.
本発明は，このような問題点を解決すべくなされたもの
で，本発明によれば，厚膜抵抗体にレーザパルスを出射
してトリミングを行うことで該厚膜抵抗体にトリミング
溝を形成する厚膜抵抗体のレーザトリミング方法におい
て，レーザパルスを厚膜抵抗体に第１の設定値となるま
で連続的に出射して仮トリミング溝を形成する粗調段階
と，仮トリミング溝の端部にレーザパルスを一定時間出
射して第１のトリミング溝を形成する補間段階と，第１
のトリミング溝の端部にレーザパルスを第２の設定値と
なるまで微小ピッチで一定量ずつ断続的に出射すること
でトリミング溝としての第２のトリミング溝を形成する
微調段階とを含む厚膜抵抗体のレーザトリミング方法が
得られる。The present invention has been made to solve such a problem. According to the present invention, a trimming groove is formed in a thick film resistor by emitting a laser pulse to the thick film resistor for trimming. In the laser trimming method for a thick film resistor, a laser trimming step of continuously emitting a laser pulse to the thick film resistor until a first set value is formed to form a temporary trimming groove and an end portion of the temporary trimming groove. An interpolating step of forming a first trimming groove by emitting a laser pulse for a certain period of time,
And a fine adjustment step of forming a second trimming groove as a trimming groove by intermittently emitting a laser pulse to the end of the trimming groove at a fine pitch until the second set value is reached. A method of laser trimming a resistor is obtained.
次に，本発明について実施例を図面を参照して説明す
る。最初に，本発明の厚膜抵抗体のレーザトリミング方
法の概要について簡単に説明する。このレーザトリミン
グ方法も，厚膜抵抗体にレーザパルスを出射してトリミ
ングを行うことで厚膜抵抗体にトリミング溝を形成する
ものであるが，本発明のレーザトリミング方法では，先
ず粗調段階としてレーザパルスを厚膜抵抗体に第１の設
定値となるまで連続的に出射して仮トリミング溝を形成
し，引き続き，補間段階として仮トリミング溝の端部に
レーザパルスを一定時間出射して第１のトリミング溝を
形成する。この後，微調段階として第１のトリミング溝
の端部にレーザパルスを第２の設定値となるまで微小ピ
ッチで一定量ずつ断続的に出射することでトリミング溝
としての第２のトリミング溝を形成する。このようなレ
ーザトリミング方法によれば，トリミング溝の端部がシ
ャープに加工される。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. First, the outline of the laser trimming method for a thick film resistor according to the present invention will be briefly described. Also in this laser trimming method, a trimming groove is formed in the thick film resistor by emitting a laser pulse to the thick film resistor to perform trimming. However, in the laser trimming method of the present invention, first, a rough adjustment step is performed. A laser pulse is continuously emitted to the thick film resistor until the first set value is reached to form a temporary trimming groove, and then, as an interpolation step, a laser pulse is emitted to the end of the temporary trimming groove for a certain period of time. 1 to form a trimming groove. After that, as a fine adjustment step, a second trimming groove is formed as a trimming groove by intermittently emitting a laser pulse to the end of the first trimming groove at a fine pitch until the second set value is reached. To do. According to such a laser trimming method, the end portion of the trimming groove is sharply processed.
第１図は本発明の一実施例を示す図であり，（ａ）は第
１回目のトリミングの様子，（ｂ）はその時の厚膜抵抗
体の断面図，（ｃ）は第２回目のトリミングの様子，
（ｄ）はその時の厚膜抵抗体の断面図を示す。図におい
て１は電極,2は厚膜抵抗体,3は第１回目のトリミング
溝,4はその終端部分,5はセラミック基板である。更に６
は第２回目のトリミング溝を示す。l1,l2はそれぞれ第
１回目，第２回目のトリミング長を示す。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, in which (a) is a state of the first trimming, (b) is a sectional view of the thick film resistor at that time, and (c) is the second trimming. Trimming,
(D) shows a sectional view of the thick film resistor at that time. In the figure, 1 is an electrode, 2 is a thick film resistor, 3 is the first trimming groove, 4 is its end portion, and 5 is a ceramic substrate. 6 more
Indicates the second trimming groove. l 1 and l 2 indicate the trimming lengths of the first and second trimming, respectively.
即ち，本発明のレーザトリミング方法の場合，最初に粗
調段階によって厚膜抵抗体にレーザパルスが第１の設定
値となるまで出射されて従来の場合と同様な仮トリミン
グ溝が形成される（その端部４を点線で示す）が，この
仮トリミング溝は引き続く補間段階でレーザパルスによ
り一定時間出射されてその端部４′が第１図（ａ），
（ｂ）に示すようにシャープに加工されたトリミング長
l1の第１回目のトリミング溝３として形成される。又，
第１回目のトリミング溝３の端部４′には，更に微調段
階によってレーザパルスが第２の設定値となるまで微小
ヒッチで一定量ずつ断続的に出射さされて目的とするト
リミング溝となるトリミング長l1＋l2の第２回目のトリ
ミング溝６が形成される。この第２回目のトリミング溝
６の端部７も第１図（ｃ），（ｄ）に示すようにシャー
プに加工される。尚，ここで第１回目のトリミング溝３
は第１のトリミング溝，第２回目のトリミング溝６は第
２のトリミング溝と呼ばれても良い。That is, in the case of the laser trimming method of the present invention, the laser pulse is first emitted to the thick film resistor by the rough adjustment step until the first set value is reached, and the temporary trimming groove similar to the conventional case is formed ( The end 4 is indicated by a dotted line), but this temporary trimming groove is emitted for a certain period of time by a laser pulse in the subsequent interpolation step, and the end 4'is shown in FIG.
Trimming length sharpened as shown in (b)
It is formed as the first trimming groove 3 of l 1 . or,
At the end 4'of the first trimming groove 3, the laser pulse is intermittently emitted at a constant amount by a minute hitch until it reaches the second set value by the fine adjustment step, and the target trimming groove is obtained. The second trimming groove 6 having the trimming length l 1 + l 2 is formed. The end 7 of the second trimming groove 6 is also sharpened as shown in FIGS. 1 (c) and 1 (d). In addition, here, the first trimming groove 3
May be called a first trimming groove, and the second trimming groove 6 may be called a second trimming groove.
第２図は本発明のトリミングの流れを示すフローチャー
トである。第１回目のトリミングにおいて，フロー中の
S7からS11までは従来のレーザパルスと抵抗値測定のサ
ンプリングとを同期しながらトリミングするフローと同
一であり，通常トラッキングトリミングと呼ばれる。従
来はS12の段階のビーム停止の処理の時点でレーザオフ
とするが，本発明ではこの段階で一旦ビームを止めた
後，補間段階として一定時間レーザパルスを出射した後
レーザオフとする。最終トリミング精度を上げるため
に，続けて第２回目のトリミングを行う。S15からS20ま
でのフローは通常インディックストリミングと呼ばれる
もので，この結果として形成されるトリミング溝の端部
７は第１回目のトリミングにより形成されたトリミング
溝の端部４′と同様に加工がシャープになっており，か
つピッチの量を小さくすることにより，精度を向上させ
ることができる。FIG. 2 is a flowchart showing the flow of trimming according to the present invention. During the first trimming, during the flow
The flow from S7 to S11 is the same as the conventional flow for trimming while synchronizing the laser pulse and sampling for resistance measurement, and is usually called tracking trimming. Conventionally, the laser is turned off at the time of the beam stop processing in the step of S12, but in the present invention, the beam is stopped at this stage, and then the laser is emitted after the laser pulse is emitted for a certain time as an interpolation step. To improve the final trimming accuracy, the second trimming is continuously performed. The flow from S15 to S20 is usually called index trimming, and the end portion 7 of the trimming groove formed as a result is processed in the same manner as the end portion 4'of the trimming groove formed by the first trimming. It is sharp and the accuracy can be improved by reducing the pitch amount.
第４図は，本発明の別の実施例を示したのである。ここ
では，ダブルカットにより一対のトリミング溝が形成さ
れているが，一方のものは粗調段階及び補間段階を経て
シャープに加工された端部４′を有する第１回目のトリ
ミング溝３として形成され，他方のものは粗調段階及び
補間段階を経てシャープに加工された端部を有する第１
回目のトリミング溝３′が形成された後，更に微調段階
を経てシャープに加工された端部７を有する第２回目の
トリミング溝６として形成されている。これにより，通
常のダブルカットよりも一層高精度のトリミングが可能
となる。FIG. 4 shows another embodiment of the present invention. Here, a pair of trimming grooves are formed by double cutting, but one of them is formed as a first trimming groove 3 having a sharpened end 4'through a rough adjustment step and an interpolation step. , The other one having a sharpened end through a rough adjustment step and an interpolation step 1
After the third trimming groove 3'is formed, it is formed as a second trimming groove 6 having a sharply processed end portion 7 through a fine adjustment step. As a result, it is possible to perform trimming with higher precision than with ordinary double cut.
以上説明したように本発明による厚膜抵抗体のトリミン
グ方法をとれば、終端部の加工がシャープであり，又，
トリミング後のドリフトを小さくできると共に，トリミ
ング精度も向上できる。特に，ダブルカットに本トリミ
ング方法を採用すれば，より効果的であり，厚膜抵抗体
での±0.1％の高精度トリミングも容易に可能となる。As described above, when the thick film resistor trimming method according to the present invention is used, the processing of the end portion is sharp, and
The drift after trimming can be reduced and the trimming accuracy can be improved. In particular, if this trimming method is adopted for double-cutting, it will be more effective, and high-precision trimming of ± 0.1% with a thick film resistor will be possible easily.
第１図（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）は本発明の厚膜
抵抗体のトリミング方法によってトリミングされた厚膜
抵抗体と電極を示す平面図及び断面図，第２図は本発明
の厚膜抵抗体のトリミング方法におけるトリミングフロ
ーを示す図，第３図（ａ），（ｂ）は従来の方法によっ
てトリミングされた厚膜抵抗体と電極を示す平面図及び
断面図，第４図は本発明の別の実施例を示す図である。 記号の説明:1……電極,2……厚膜抵抗体,3……第１回目
のトリミング溝,5……セラミック基板,6……第２回目の
トリミング溝。1 (a), (b), (c), and (d) are a plan view and a cross-sectional view showing a thick film resistor and electrodes trimmed by the method for trimming a thick film resistor of the present invention, and FIG. Is a diagram showing a trimming flow in the thick film resistor trimming method of the present invention, and FIGS. 3 (a) and 3 (b) are a plan view and a sectional view showing a thick film resistor and electrodes trimmed by a conventional method, FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the present invention. Explanation of symbols: 1 ... Electrode, 2 ... Thick film resistor, 3 ... First trimming groove, 5 ... Ceramic substrate, 6 ... Second trimming groove.
Claims (1)
ミングを行うことで該厚膜抵抗体にトリミング溝を形成
する厚膜抵抗体のレーザトリミング方法において，前記
レーザパルスを前記厚膜抵抗体に第１の設定値となるま
で連続的に出射して仮トリミング溝を形成する粗調段階
と，前記仮トリミング溝の端部に前記レーザパルスを一
定時間出射して第１のトリミング溝を形成する補間段階
と，前記第１のトリミング溝の端部に前記レーザパルス
を第２の設定値となるまで微小ピッチで一定量ずつ断続
的に出射することで前記トリミング溝としての第２のト
リミング溝を形成する微調段階とを含むことを特徴とす
る厚膜抵抗体のレーザトリミング方法。1. A laser trimming method for a thick film resistor, wherein a trimming groove is formed in the thick film resistor by emitting a laser pulse to the thick film resistor for trimming. The rough trimming step of forming a temporary trimming groove by continuously emitting light to the body until the first set value is reached, and the laser pulse is emitted for a certain period of time at the end of the temporary trimming groove to form the first trimming groove. The second trimming as the trimming groove by forming the interpolation step and intermittently emitting the laser pulse to the end of the first trimming groove at a fine pitch until the second set value is reached. A method of laser trimming a thick film resistor, comprising: a fine adjustment step of forming a groove.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63109907A JPH0748412B2 (en) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | Laser trimming method for thick film resistor |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS4989841A (en) * | 1972-12-29 | 1974-08-28 |
-
1988
- 1988-05-07 JP JP63109907A patent/JPH0748412B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH01281703A (en) | 1989-11-13 |
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