JPH0747874Y2 - Contact image sensor - Google Patents

Contact image sensor

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JPH0747874Y2
JPH0747874Y2 JP1987112386U JP11238687U JPH0747874Y2 JP H0747874 Y2 JPH0747874 Y2 JP H0747874Y2 JP 1987112386 U JP1987112386 U JP 1987112386U JP 11238687 U JP11238687 U JP 11238687U JP H0747874 Y2 JPH0747874 Y2 JP H0747874Y2
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image sensor
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弘明 柿沼
勝昭 坂本
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Description

【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この考案はイメージセンサに関するもので、特に、情報
担体である例えば原稿を等倍(1対1)で読み取るため
の密着型イメージセンサに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial field of application) The present invention relates to an image sensor, and more particularly to a contact image sensor for reading an information carrier, for example, a document at a normal size (1: 1). is there.

(従来の技術) 従来から、例えばファクシミリ、イメージスキャナ等の
装置に組み込まれて用いられ、原稿を等倍で読み取るこ
とが出来る種々の構造の密着型イメージセンサが提案さ
れている。このような密着型イメージセンサは縮小光学
系が不要であるため、装置の小型化が図れる等の特徴を
有している。このような密着型イメージセンサは、原稿
からの反射光を受光するため、多数の受光素子を例えば
原稿の幅と同じ寸法となるようにアレイ状に具えてい
る。そして、これら受光素子に低温プロセス(200〜300
℃の温度)で大面積に作製できる水素化アモルファスシ
リコンを用いる研究開発が行われている。
(Prior Art) Conventionally, contact-type image sensors of various structures have been proposed which are used by being incorporated in a device such as a facsimile or an image scanner and which can read a document at the same size. Since such a contact image sensor does not need a reduction optical system, it has a feature that the device can be downsized. Since such a contact image sensor receives light reflected from a document, it has a large number of light receiving elements arranged in an array so as to have the same size as the width of the document. Then, a low temperature process (200 to 300
Research and development is being carried out using hydrogenated amorphous silicon that can be produced in a large area at a temperature of ° C.

このような密着型イメージセンサにおいては、原稿の読
み取りを高解像度で行うため、原稿と、受光部とを密着
させる必要があるが、反面、原稿に光を照射しこの原稿
からの反射光を受光部で受光することによって原稿の読
み取りを行なわねばならず、このため、光源からの光を
原稿に照射(入射)させる方法が重要になる。
In such a contact type image sensor, since the document is read with high resolution, it is necessary to bring the document and the light receiving section into close contact with each other, but on the other hand, the document is irradiated with light and the reflected light from the document is received. The original must be read by receiving light at the section, and therefore, a method of irradiating (incident) the light from the light source onto the original becomes important.

以下、図面を参照してこのような方法につき説明する。Hereinafter, such a method will be described with reference to the drawings.

第3図は例えば文献(「完全密着型アモルファスシリコ
ンイメージセンサ」電子写真学会シンポジウム(アモル
ファスシリコンデバイスはどこまできたか)論文集 昭
和60年5月24日 P.53〜56)に開示されている従来の密
着型イメージセンサの一例を示す説明図である。ガラス
基板11上に設けられた受光素子13は、感光層15であるa
−Si:H膜15を共通電極17と個別電極19とで挟んだサンド
イッチ型構造となっている。感光層15の所望とする領域
(光透過用窓21部分)以外はこの感光層15に接する共通
電極17によって完全に遮光されている。又、ガラス基板
11の受光素子13とは反対側面に原稿23が設置されてい
て、このガラス基板11と、原稿23との間に例えば高さ7
〜8mm程度のロッドレンズアレイ25が設けられている。
又、このロッドレンズアレイ25と、ガラス基板11及び原
稿23との間には光収束のための空隙がそれぞれ設けられ
ており、さらに、このロッドレンズアレイ25の近傍に原
稿に光を照射するための光源27が設けられている。従っ
て、このイメージセンサによれば、原稿23の情報を1対
1で受光素子13を導くことが出来る。
Figure 3 is a conventional example disclosed in the literature ("Completely Adhesive Amorphous Silicon Image Sensor" Symposium of the Electrophotography Society (where amorphous silicon devices have come), May 24, 1985, pp.53-56). It is explanatory drawing which shows an example of the contact image sensor of FIG. The light receiving element 13 provided on the glass substrate 11 is a photosensitive layer 15 a
It has a sandwich type structure in which a —Si: H film 15 is sandwiched between a common electrode 17 and an individual electrode 19. Except for a desired region (light transmitting window 21 portion) of the photosensitive layer 15, the common electrode 17 in contact with the photosensitive layer 15 completely shields light. Also, glass substrate
A manuscript 23 is placed on the side opposite to the light receiving element 13 of 11, and a height of, for example, 7 is provided between the glass substrate 11 and the manuscript 23.
A rod lens array 25 of about 8 mm is provided.
Further, a space for converging light is provided between the rod lens array 25, the glass substrate 11 and the original document 23. Further, in order to irradiate the original document with light in the vicinity of the rod lens array 25. The light source 27 is provided. Therefore, according to this image sensor, it is possible to guide the information of the document 23 to the light receiving element 13 in a one-to-one manner.

又、第4図は同文献に開示されている従来の密着型イメ
ージセンサの他の例の説明図であり、ロッドレンズアレ
イの不要な例を示したものである。このイメージセンサ
の受光素子13の基本的な構造は第3図に示したものと同
様にサンドイッチ型のものであるが、感光層15、共通電
極17及び個別電極19を貫通する光透過用の窓21が設けら
れていて、ガラス基板11の、受光素子13の設けて側とは
反対側に設けられた光源27の光をこの窓21を通して原稿
23に導き原稿を照射するよう構成されている。さらに、
この受光素子13上には、第4図中29で示すような保護層
を兼ねた膜厚が数μm程度の透光性の絶縁膜が設けられ
ている。尚、第4図中29aで示すものは、保護層29に形
成された凹部であり、これは光透過用窓21を形成したた
めに形成されるものである。
FIG. 4 is an explanatory view of another example of the conventional contact type image sensor disclosed in the same document, showing an example in which a rod lens array is unnecessary. The basic structure of the light receiving element 13 of this image sensor is a sandwich type similar to that shown in FIG. 3, but a window for light transmission which penetrates the photosensitive layer 15, the common electrode 17 and the individual electrode 19 is used. 21 is provided, the light of a light source 27 provided on the opposite side of the glass substrate 11 from the side where the light receiving element 13 is provided is passed through this window 21
It is configured to guide the document to 23 and illuminate the document. further,
On the light receiving element 13, a translucent insulating film having a film thickness of about several μm, which also serves as a protective layer, is provided as indicated by 29 in FIG. Incidentally, 29a in FIG. 4 is a recess formed in the protective layer 29, which is formed because the light transmitting window 21 is formed.

第4図に示した密着型イメージセンサにおいては、上述
の透光性絶縁膜29によって受光素子の保護を図ると共
に、原稿23と、受光素子13との間の距離を維持させ、受
光素子で受光する原稿からの反射光量を増加させてい
た。
In the contact type image sensor shown in FIG. 4, the light receiving element is protected by the above-mentioned translucent insulating film 29, and the distance between the original 23 and the light receiving element 13 is maintained so that the light receiving element receives light. The amount of light reflected from the original is increased.

(考案が解決しようとする問題点) しかしながら、第4図を用いて説明した従来の密着型イ
メージセンサでは、原稿と密着イメージセンサとの接触
により生じる摩擦によって、保護層表面に電荷が蓄積さ
れててしまうという問題点があった。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in the conventional contact type image sensor described with reference to FIG. 4, electric charges are accumulated on the surface of the protective layer due to friction generated by contact between the original and the contact image sensor. There was a problem that it would end up.

保護層に電荷が蓄積されると、その電荷がリーク電流と
なり、受光素子を構成しているダイオードの暗電流が増
加し、イメージセンサの特性例えば明暗比特性を損ねる
ことになり、イメージセンサとしては好ましいことでは
ない。
When the charge is accumulated in the protective layer, the charge becomes a leak current, the dark current of the diode forming the light receiving element increases, and the characteristic of the image sensor, for example, the light-dark ratio characteristic is impaired. Not desirable.

この考案はこのような点に鑑みなされたものであり、従
ってこの考案の目的は、上述した問題点を解決し、明暗
比等の特性に優れる密着型イメージセンサを提供するこ
とにある。
The present invention has been made in view of such a point, and therefore an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and provide a contact image sensor having excellent characteristics such as a light-dark ratio.

(問題点を解決するための手段) この目的の達成を図るためこの考案によれば、原稿から
の反射光を受光するための受光素子アレイと、該受光素
子アレイの上側に設けられ前記原稿との接触時に前記受
光素子を保護する保護層とを具え、該保護層に前記原稿
を密着させて該原稿の読取りを行なう密着型イメージセ
ンサにおいて、 前記保護層上の領域であって、前記原稿側から見て前記
受光素子アレイの形成領域に対応する領域をはずした領
域上に、耐摩耗性材料から成る導電層であって接地され
ている導電層を設けたことを特徴とする。
(Means for Solving the Problems) In order to achieve this object, according to the present invention, a light receiving element array for receiving reflected light from an original document, and the original document provided above the light receiving element array are provided. A contact layer type image sensor that protects the light receiving element when the contact is made, and reads the document by bringing the document into close contact with the protective layer. It is characterized in that a conductive layer made of a wear resistant material and grounded is provided on a region excluding a region corresponding to the formation region of the light receiving element array.

(作用) このような構成によれば、導電層を例えば受光素子アレ
イの共通電極に接続するようにして接地することが出来
る。従って、この考案の密着型イメージセンサに原稿を
密着させ、この原稿を送行させて原稿読取りを行なう際
に、原稿と導電層との接触、又は、原稿と導電層を含む
保護層との接触による摩擦によって電荷が発生しても、
この電荷は導電層を介し接地側に流れてしまうから、電
荷が保護層に蓄積されることがなくなる。また、保護層
上に設けた導電層を耐摩耗性材料から成るようにしてい
るため、原稿との摩擦に対して耐久性のよいものとなっ
ている。
(Operation) With such a configuration, the conductive layer can be grounded, for example, by being connected to the common electrode of the light receiving element array. Therefore, when a document is brought into close contact with the contact type image sensor of the present invention and the document is fed to read the document, the contact between the document and the conductive layer, or the contact between the document and the protective layer including the conductive layer. Even if an electric charge is generated by friction,
Since this charge flows to the ground side through the conductive layer, the charge will not be accumulated in the protective layer. Further, since the conductive layer provided on the protective layer is made of a wear resistant material, it has excellent durability against friction with the original.

(実施例) 以下、第1図及び第2図を参照してこの考案の密着型イ
メージセンサの実施例につき説明する。尚、これらの図
はこの考案が理解出来る程度に概略的に示してあるにす
ぎず、各構成成分の寸法、形状及び配置関係は図示例に
限定されるものではない。又、各図において同様な構成
成分については同一の符号を付して示してあると共に、
従来と同様な構成成分については従来図に示した符号と
同一の符号を付して示してある。
(Embodiment) An embodiment of the contact type image sensor of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. It should be noted that these drawings are only schematically shown to the extent that the present invention can be understood, and the dimensions, shapes, and positional relationships of the respective constituent components are not limited to the illustrated examples. In addition, in each drawing, the same reference numerals are given to the same components, and
Constituent components similar to those in the conventional art are indicated by the same reference numerals as those shown in the conventional drawings.

この考案の密着型イメージセンサは、原稿からの反射光
を受光するための受光素子アレイと、この受光素子アレ
イ上側に設けられ前述の原稿との接触時に前記受光素子
アレイを保護する保護層とを具える密着型イメージセン
サにおいて、その保護層に特徴を有するものである。従
って、密着型イメージセンサの保護層以外の構造につい
ては特に限定されるものではなく、この考案は種々の構
造の密着型イメージセンサに適用出来ることは明らかで
ある。従って、以下の実施例を、第4図を用いて説明し
た密着型イメージセンサにこの考案を適用した例で説明
する。
The contact-type image sensor of the present invention comprises a light-receiving element array for receiving reflected light from a document and a protective layer provided on the upper side of the light-receiving element array and protecting the light-receiving element array at the time of contact with the document. The contact image sensor comprises a protective layer. Therefore, the structure of the contact image sensor other than the protective layer is not particularly limited, and it is obvious that the present invention can be applied to contact image sensors having various structures. Therefore, the following embodiments will be described with an example in which the present invention is applied to the contact image sensor described with reference to FIG.

第1図は、この考案の実施例の密着型イメージセンサの
構造を概略的に示す平面図であり、密着型イメージセン
サの一部を示した平面図である。又、第2図は、第1図
に示した密着型イメージセンサを第1図中のI−I線に
沿って切って概略的に示した断面図である。尚、第2図
においては、図面が複雑化することを回避するため、断
面を示すハッチングを一部省略している。
FIG. 1 is a plan view schematically showing the structure of the contact image sensor according to the embodiment of the present invention, and is a plan view showing a part of the contact image sensor. 2 is a sectional view schematically showing the contact type image sensor shown in FIG. 1 taken along the line I-I in FIG. In FIG. 2, hatching showing a cross section is partially omitted in order to avoid complication of the drawing.

第1図及び第2図において、11は透明な絶縁性基板を示
す。この絶縁性基板11は、ガラス等の任意好適な材料で
構成することが出来る。この絶縁性基板11は、17で示さ
れ共通電極及び遮光膜を兼ねる不透明な金属膜から成る
遮光層と、15で示され例えば非晶質シリコンのような光
電変換性を有する薄膜から成る受光層と、19で示され酸
化インジウム・錫(ITO)等の透明導電膜から成り個別
電極になる透明導電層とを、基板11側からこの順に具え
ている。ここで、共通電極17及び個別電極19が交差して
いる部分の積層体が個々の受光素子ということになる。
この受光素子を、第1図及び第2図において、13を付し
て示してある。この受光素子13を、所定のピッチで所定
の個数形成することによって、受光素子アレイを構成す
ることが出来る。
In FIGS. 1 and 2, reference numeral 11 denotes a transparent insulating substrate. The insulating substrate 11 can be made of any suitable material such as glass. The insulating substrate 11 is represented by 17 and is a light-shielding layer made of an opaque metal film which also serves as a common electrode and a light-shielding film, and 15 is a light-receiving layer made of a thin film having a photoelectric conversion property such as amorphous silicon. And a transparent conductive layer denoted by 19 and made of a transparent conductive film of indium oxide / tin (ITO) or the like to be an individual electrode in this order from the substrate 11 side. Here, the laminated body in the portion where the common electrode 17 and the individual electrode 19 intersect is referred to as an individual light receiving element.
This light receiving element is shown with reference numeral 13 in FIGS. 1 and 2. A light receiving element array can be constructed by forming a predetermined number of the light receiving elements 13 at a predetermined pitch.

又、この密着イメージセンサの場合、受光素子13の中央
部分に、21で示される光導入用の窓を具える。この光導
入用の窓21は、遮光層17、受光層15及び透明導電膜層19
の各層の所定部分をそれぞれ除去することで形成してあ
る。又、受光素子13を含む基板11上には、29で示す透明
保護層を設けてあり、この透明保護層29は、例えばスパ
ッタ法等の好適な方法で形成されたSiNxのような高抵抗
絶縁膜で構成することが出来る。
Further, in the case of this contact image sensor, a light introduction window indicated by 21 is provided in the central portion of the light receiving element 13. The window 21 for introducing light includes a light shielding layer 17, a light receiving layer 15, and a transparent conductive film layer 19
Is formed by removing predetermined portions of the respective layers. Further, a transparent protective layer 29 is provided on the substrate 11 including the light receiving element 13, and the transparent protective layer 29 has a high resistance such as SiN x formed by a suitable method such as a sputtering method. It can be composed of an insulating film.

又、この考案の実施例の密着型イメージセンサの場合、
保護層29上に、31で示される導電層を具える。この導電
層31は、保護層29に電荷が蓄積された場合に、この電荷
を保護層29から外部に逃すためのものである。この実施
例の場合、この導電層31を、保護層29上であって受光素
子13が構成されている領域に対応する領域ははずした領
域上に、その平面形状がちょうど窓枠のような形状とな
るように設けてある(第1図参照)。この導電層31は、
保護層29に電荷が蓄積された場合にこの電荷を逃す目的
を有したものであるから、この導電層を何等かの方法で
接地する必要がある。この接地方法は種々のものが考え
られるが、この実施例の場合、この接地を、導電層29を
受光素子の共通電極17に接続することで行なった。この
ようにすれば、密着イメージセンサの製造工程を特に変
更することなく効果的な接地が可能になり、電荷が蓄積
されることによって生じる種々の不具合を防止でき、好
適である。
In the case of the contact type image sensor of the embodiment of the present invention,
On the protective layer 29, a conductive layer designated by 31 is provided. The conductive layer 31 is for releasing the electric charge from the protective layer 29 to the outside when the electric charge is accumulated in the protective layer 29. In the case of this embodiment, the conductive layer 31 is formed on a region excluding the region corresponding to the region where the light receiving element 13 is formed on the protective layer 29, and its planar shape is just like a window frame. (See FIG. 1). This conductive layer 31 is
Since the protective layer 29 has the purpose of releasing the charge when the charge is accumulated, it is necessary to ground the conductive layer by some method. Although various grounding methods are conceivable, in the case of this embodiment, this grounding is performed by connecting the conductive layer 29 to the common electrode 17 of the light receiving element. By doing so, it is possible to effectively ground without changing the manufacturing process of the contact image sensor, and it is possible to prevent various problems caused by the accumulation of electric charges, which is preferable.

尚、導電層31の構成材料としては導電性を有しているこ
とが要件であるが、上述の実施例のように、原稿と直接
接する箇所に導電層を形成する場合導電層は耐摩耗性に
優れ、かつ、表面が平坦なものが好ましい。このような
ものとしては、例えばCr(クロム)、Ta(タンタル)等
の薄膜を挙げることが出来る。又、このような金属薄膜
の導電槽は、従来公知の成膜技術及びフォトエッチング
技術を用いて形成することが出来る。
The conductive layer 31 is required to have conductivity as a constituent material. However, when the conductive layer is formed at a position which is in direct contact with the original as in the above-described embodiment, the conductive layer has abrasion resistance. It is preferable that it has excellent flatness and a flat surface. Examples of such a material include thin films of Cr (chromium), Ta (tantalum) and the like. Further, such a metal thin film conductive tank can be formed by using a conventionally known film forming technique and photoetching technique.

又、上述の実施例の場合、導電層をその平面形状が窓枠
状のものとした例で説明しているが、この形状は、電荷
の排除が効率的に行なわれれば、設計に応じ任意好適な
形状に変更することが出来る。
Further, in the above-mentioned embodiments, the case where the conductive layer has a window frame-like planar shape has been described. However, this shape is arbitrary according to the design as long as charges can be efficiently removed. It can be changed to a suitable shape.

(考案の効果) 上述した説明からも明らかなように、この考案の密着型
イメージセンサによれば、絶縁性を有していて電荷が蓄
積され易い保護層の上に導電層を設け、この導電層を接
地しているため、原稿と保護層との接触による摩擦で生
じる電荷が保護層に蓄積されることがなくなる。
(Effect of the Invention) As is apparent from the above description, according to the contact type image sensor of the present invention, the conductive layer is provided on the protective layer having an insulating property and easily accumulating charges, and the conductive layer is formed. Since the layers are grounded, electric charges generated by friction between the original and the protective layer do not accumulate on the protective layer.

また、保護層上の領域であって、原稿側から見て受光素
子アレイの形成領域に対応する領域をはずした領域上
に、耐摩耗性材料から成る上記導電層を設けるようにし
ているため、この導電層を原稿との摩擦に対して耐久性
の良いものとでき、長期にわたって蓄積電荷の除去機能
を発揮できる。
Further, since the conductive layer made of a wear-resistant material is provided on a region on the protective layer, which is removed from a region corresponding to the formation region of the light receiving element array when viewed from the document side, This conductive layer can be made highly durable against friction with the original, and can exhibit the function of removing accumulated charges for a long period of time.

これがため、蓄積電荷に起因する不具合が解決できると
共の、電気特性及び耐久性が共に優れる完全密着型のイ
メージセンサを提供することが可能になる。
For this reason, it is possible to provide a complete contact type image sensor having excellent electrical characteristics and durability, as well as solving problems caused by accumulated charges.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は、この考案の密着型イメージセンサの一実施例
の構造を概略的に示す平面図、 第2図は、第1図に示した密着型イメージセンサを第1
図に示したI−I線に沿って切ってとって概略的に示す
断面図、 第3図及び第4図は従来の密着型イメージセンサの説明
図である。 11……絶縁性基板、13……受光素子 15……受光層、17……遮光層(共通電極) 19……透明導電層(個別電極) 21……光導入用窓、29……保護層 29a……凹部、31……導電層。
FIG. 1 is a plan view schematically showing the structure of an embodiment of the contact image sensor of the present invention, and FIG. 2 shows the contact image sensor shown in FIG.
FIG. 3 and FIG. 4 are sectional views schematically showing the contact image sensor of the related art taken along the line I-I shown in the figure. 11 ... Insulating substrate, 13 ... Light receiving element 15 ... Light receiving layer, 17 ... Shading layer (common electrode) 19 ... Transparent conductive layer (individual electrode) 21 ... Light introduction window, 29 ... Protective layer 29a: concave portion, 31: conductive layer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 毛利 幹雄 東京都港区虎ノ門1丁目7番12号 沖電気 工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−36961(JP,A) 特開 昭60−37161(JP,A) 特開 昭59−122274(JP,A) 特開 昭64−71173(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Mikio Mohri 1-7-12 Toranomon, Minato-ku, Tokyo Oki Electric Industry Co., Ltd. (56) Reference JP 62-36961 (JP, A) JP Sho 60-37161 (JP, A) JP-A-59-122274 (JP, A) JP-A-64-71173 (JP, A)

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】原稿からの反射光を受光するための受光素
子アレイと、該受光素子アレイの上側に設けられ前記原
稿との接触時に前記受光素子を保持する保護層とを具
え、該保護層に前記原稿を密着させて該原稿の読取りを
行なう密着型イメージセンサにおいて、 前記保護層上の領域であって、前記原稿側から見て前記
受光素子アレイの形成領域に対応する領域をはずした領
域上に、耐摩耗性材料から成る導電層であって接地され
ている導電層を設けたことを特徴とする密着型イメージ
センサ。
1. A protective layer comprising a light-receiving element array for receiving reflected light from a document, and a protective layer which is provided above the light-receiving element array and holds the light-receiving element when contacting the document. In the contact image sensor for reading the original by bringing the original into close contact with the original, an area on the protective layer excluding an area corresponding to the area where the light receiving element array is formed when viewed from the original side. A contact-type image sensor having a conductive layer made of a wear-resistant material and grounded thereon.
JP1987112386U 1987-05-22 1987-07-22 Contact image sensor Expired - Lifetime JPH0747874Y2 (en)

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JP1987112386U JPH0747874Y2 (en) 1987-07-22 1987-07-22 Contact image sensor
DE88304603T DE3881279T2 (en) 1987-05-22 1988-05-20 Direct contact type image sensor.
EP88304603A EP0292318B1 (en) 1987-05-22 1988-05-20 Direct-contact-type image sensor
US07/197,449 US4887166A (en) 1987-05-22 1988-05-20 Direct-contact-type image sensor

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JPS59122274A (en) * 1982-12-28 1984-07-14 Canon Inc Contact type original reader
JPS6037161A (en) * 1983-08-09 1985-02-26 Toshiba Corp Photoelectric conversion element
JPS6236961A (en) * 1985-08-09 1987-02-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd Contact type image sensor
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