JPH0747207B2 - リフロー装置 - Google Patents
リフロー装置Info
- Publication number
- JPH0747207B2 JPH0747207B2 JP2318495A JP31849590A JPH0747207B2 JP H0747207 B2 JPH0747207 B2 JP H0747207B2 JP 2318495 A JP2318495 A JP 2318495A JP 31849590 A JP31849590 A JP 31849590A JP H0747207 B2 JPH0747207 B2 JP H0747207B2
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- Japan
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- furnace
- catalyst
- oxygen concentration
- oxygen
- gas
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- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、炉内を不活性雰囲気とした、電子部品の表面
実装に用いられるリフロー装置に関するものである。
実装に用いられるリフロー装置に関するものである。
従来の技術 従来、電子部品リフロー装置や厚膜ハイブリッドIC基板
焼成炉等においては、基板に印刷されたCu等の導体が、
炉中での加熱処理中に酸化されることを防ぐ目的で、窒
素ガス（2N），グリーンス（N2,H2）等の不活性ガスを
抽入し、炉内の酸素濃度を低く一定に保持することが試
みられてきた。
焼成炉等においては、基板に印刷されたCu等の導体が、
炉中での加熱処理中に酸化されることを防ぐ目的で、窒
素ガス（2N），グリーンス（N2,H2）等の不活性ガスを
抽入し、炉内の酸素濃度を低く一定に保持することが試
みられてきた。
しかしながら、メッシュベルト，多数のローラ，チェー
ンベルト等により被加熱物を連続搬送する為炉の出入口
に開口部が存在し、炉内の不活性ガスを毎日大量に抽入
しなければならず、ランニングコストが高くついてい
た。このため、炉の出入口に被加熱物が通過するときの
み開口するシャッター部を設けたり、また、実開昭63−
180076号公報に開示されているように炉の出入口にバッ
ファを設け、被加熱物を炉内へ搬入または、炉外へ搬出
する時には、バッファ内に被加熱物を入れ密閉し、バッ
ファ内の気体を真空吸引することで、N2ガスの消費量を
低く押さえる試みがされてきた。
ンベルト等により被加熱物を連続搬送する為炉の出入口
に開口部が存在し、炉内の不活性ガスを毎日大量に抽入
しなければならず、ランニングコストが高くついてい
た。このため、炉の出入口に被加熱物が通過するときの
み開口するシャッター部を設けたり、また、実開昭63−
180076号公報に開示されているように炉の出入口にバッ
ファを設け、被加熱物を炉内へ搬入または、炉外へ搬出
する時には、バッファ内に被加熱物を入れ密閉し、バッ
ファ内の気体を真空吸引することで、N2ガスの消費量を
低く押さえる試みがされてきた。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、前記真空バッファ，シャッター等の利用
においても炉内雰囲気ガスは、被加熱物の搬入搬出に伴
い、徐々に炉外へ拡散消費されていく。このため、炉内
O2濃度を監視するとともに、不活性雰囲気ガスを供給す
る設備を工場内に依然として必要としていた。
においても炉内雰囲気ガスは、被加熱物の搬入搬出に伴
い、徐々に炉外へ拡散消費されていく。このため、炉内
O2濃度を監視するとともに、不活性雰囲気ガスを供給す
る設備を工場内に依然として必要としていた。
課題を解決するための手段 本発明では、上記課題を解決するため、第１に炉壁に開
孔部を設け、炉内雰囲気ガスを循環させる経路と、経路
途中にガス内のO2を除去する触媒を詰めた管路を設け、
かつ炉内に酸素濃度を検出するセンサーを備えたもので
ある。
孔部を設け、炉内雰囲気ガスを循環させる経路と、経路
途中にガス内のO2を除去する触媒を詰めた管路を設け、
かつ炉内に酸素濃度を検出するセンサーを備えたもので
ある。
第２には、複数のO2除去触媒管を円周上または並設し位
置をずらすと、新規のO2除去触媒管に、経路口が接続さ
れるよう保持したものである。
置をずらすと、新規のO2除去触媒管に、経路口が接続さ
れるよう保持したものである。
作用 本発明は上記構成により、炉雰囲気中の酸素濃度を検出
し、所定の酸素濃度から逸脱した場合、炉内ガスを循環
させ、酸素を触媒により除去する。炉内酸素濃度が所定
値となった時に動作を停止するものである。
し、所定の酸素濃度から逸脱した場合、炉内ガスを循環
させ、酸素を触媒により除去する。炉内酸素濃度が所定
値となった時に動作を停止するものである。
かつ、触媒管が使用済となる直前にて、他の触媒管と交
替することで、連続的な炉内酸素濃度維持を行う。
替することで、連続的な炉内酸素濃度維持を行う。
実施例 （実施例１） 次に本発明を図面を用いて説明する。第１図は、入口出
口部にシャッターを備えた不活性ガスリフロー装置の場
合を示す。本加熱または焼成帯１、予備加熱またはバー
ンアウト帯２、炉底部に設けた炉内搬送部３。電子基板
等の被加熱物冷却部４からなる雰囲気炉において、入口
部シャッター５、出口部シャター６、シャッター開閉用
シリンダー7,8、さらに、炉内の酸素濃度を検出するセ
ンサー9a,9b、炉内空気が循環するダクト10、炉内ガス
を送風するポンプ11、ポンプ11を作動，停止させるコン
トロール部12、酸素を除去する触媒（例えばNi触媒）を
つめた管13とからなる。
口部にシャッターを備えた不活性ガスリフロー装置の場
合を示す。本加熱または焼成帯１、予備加熱またはバー
ンアウト帯２、炉底部に設けた炉内搬送部３。電子基板
等の被加熱物冷却部４からなる雰囲気炉において、入口
部シャッター５、出口部シャター６、シャッター開閉用
シリンダー7,8、さらに、炉内の酸素濃度を検出するセ
ンサー9a,9b、炉内空気が循環するダクト10、炉内ガス
を送風するポンプ11、ポンプ11を作動，停止させるコン
トロール部12、酸素を除去する触媒（例えばNi触媒）を
つめた管13とからなる。
尚、14は加熱処理対象（本図はクリーム半田上に電子部
品を載せたリフロー処理前電子基板）、15は装入コンベ
アである。
品を載せたリフロー処理前電子基板）、15は装入コンベ
アである。
以下に前記構成からなる雰囲気炉の動作について説明す
る。
る。
まず前記のように、基板14がコンベア15によって搬送さ
れてくると、入口シャッター５をシリンダー７によって
開口し、搬送ベルト３（チェーン・ローラ等の搬送方式
でもよい）により基板14を炉内へ装入し、予備加熱部2,
本加熱部１により加熱処理した後、冷却部４によって所
定の温度（プリント基板の場合100℃前後）にまで基板
を冷却した後、出口シャッター６を開いて基板14を搬出
する。
れてくると、入口シャッター５をシリンダー７によって
開口し、搬送ベルト３（チェーン・ローラ等の搬送方式
でもよい）により基板14を炉内へ装入し、予備加熱部2,
本加熱部１により加熱処理した後、冷却部４によって所
定の温度（プリント基板の場合100℃前後）にまで基板
を冷却した後、出口シャッター６を開いて基板14を搬出
する。
連続処理中、炉内の酸素濃度は１つないし複数の酸素濃
度センサー９（9a,9b）によって監視しており、所定の
酸素濃度（例えば50ppm）を越えた時、コントロール部1
2よりファン11を始動させる命令が出され、炉内ガス循
環ダクト10を通じ、炉内ガスを循環させる。ダクト10の
途中に設けられた酸素除去触媒13によって、炉内ガス中
の酸素は除去され、炉内の酸素濃度が所定の値になった
時、コントロール部12によりファン11は停止される。以
上により、炉内の酸素濃度は任意の一定の値に保たれ
る。触媒を作用させるのは間欠動作となり、一定量の酸
素除去を行った後、酸素除去触媒は再生するため交換さ
れるが、その頻度は少ない。
度センサー９（9a,9b）によって監視しており、所定の
酸素濃度（例えば50ppm）を越えた時、コントロール部1
2よりファン11を始動させる命令が出され、炉内ガス循
環ダクト10を通じ、炉内ガスを循環させる。ダクト10の
途中に設けられた酸素除去触媒13によって、炉内ガス中
の酸素は除去され、炉内の酸素濃度が所定の値になった
時、コントロール部12によりファン11は停止される。以
上により、炉内の酸素濃度は任意の一定の値に保たれ
る。触媒を作用させるのは間欠動作となり、一定量の酸
素除去を行った後、酸素除去触媒は再生するため交換さ
れるが、その頻度は少ない。
（実施例２） 次に第２図に示すリフロー装置における適用例を示す。
実施例１と異なるのは、入口部シャッター5,出口部シャ
ッター６の代わりに真空バッファ16（入口部）および真
空バッファ17を設けているリフロー装置であり、この前
後の真空バッファ内部から、炉内に設けられた前部ダク
ト10a,後部ダクト10bが備えられている点である。
実施例１と異なるのは、入口部シャッター5,出口部シャ
ッター６の代わりに真空バッファ16（入口部）および真
空バッファ17を設けているリフロー装置であり、この前
後の真空バッファ内部から、炉内に設けられた前部ダク
ト10a,後部ダクト10bが備えられている点である。
前記実施例のように基板14を炉入口部に近づくと、装入
側真空バッファ16のシャッター16aを開け、基板14が装
入側真空バッファ16内に入ると、シャッター16aを閉じ
（シャッター16bは閉じられている。）、ここで真空バ
ッファ16内の空気を排出しダクト10aを通じ、ポンプ11a
によって排気された空気を酸素除去触媒13に通し、炉中
に排気する。そして実施例１の場合と同様に、炉内の酸
素濃度が所定の値になった時、コントロール部12により
ファンは停止される。
側真空バッファ16のシャッター16aを開け、基板14が装
入側真空バッファ16内に入ると、シャッター16aを閉じ
（シャッター16bは閉じられている。）、ここで真空バ
ッファ16内の空気を排出しダクト10aを通じ、ポンプ11a
によって排気された空気を酸素除去触媒13に通し、炉中
に排気する。そして実施例１の場合と同様に、炉内の酸
素濃度が所定の値になった時、コントロール部12により
ファンは停止される。
次に加熱処理の終わった基板14は、後部真空バッファ17
の前部シャッター17bを開け、バッファ17内に搬入され
る。この時、前記のごとくシャッター17a,17bを閉じた
状態でバッファ内の空気をポンプ11bによって排気し、
ダクト10bを通じ、酸素除去触媒13によって酸素を除去
する。以上の動作の後、後部出口シャッター17bを開
け、基板を炉外へ搬出する。以上で一連の加熱処理が終
了するが、炉前後にバッファを設けた雰囲気炉において
は実施例１の場合に比し、炉内部への外気の影響はさら
に僅少なものとなる。
の前部シャッター17bを開け、バッファ17内に搬入され
る。この時、前記のごとくシャッター17a,17bを閉じた
状態でバッファ内の空気をポンプ11bによって排気し、
ダクト10bを通じ、酸素除去触媒13によって酸素を除去
する。以上の動作の後、後部出口シャッター17bを開
け、基板を炉外へ搬出する。以上で一連の加熱処理が終
了するが、炉前後にバッファを設けた雰囲気炉において
は実施例１の場合に比し、炉内部への外気の影響はさら
に僅少なものとなる。
以上1,2の実施例の両方の炉において、第３図（ａ），
（ｂ）にO2除去装置の構成を示す。同図に示すように、
複数の酸素除去触媒管を円周上に配置し、O2除去触媒が
作用のなくなった触媒管18aを次の新規触媒管18bに交替
させる為、矢印方向に取手19によって回転可能な構造を
もつ。第４図（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、こ
こで新規に排気ダクト10の管継部10′に新規触媒管18′
をワンタッチで挿入するように管口部18′を２枚の弾性
板20a,20bで保持する。触媒管18aの取り出し時には、弾
性板20a,20bの間隔をおし広げ、所定の位置に新たな触
媒管18bが来ると、軽い弾性力で触媒管18bを固定するこ
とができる。
（ｂ）にO2除去装置の構成を示す。同図に示すように、
複数の酸素除去触媒管を円周上に配置し、O2除去触媒が
作用のなくなった触媒管18aを次の新規触媒管18bに交替
させる為、矢印方向に取手19によって回転可能な構造を
もつ。第４図（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、こ
こで新規に排気ダクト10の管継部10′に新規触媒管18′
をワンタッチで挿入するように管口部18′を２枚の弾性
板20a,20bで保持する。触媒管18aの取り出し時には、弾
性板20a,20bの間隔をおし広げ、所定の位置に新たな触
媒管18bが来ると、軽い弾性力で触媒管18bを固定するこ
とができる。
第５図に示す炉体は、前述第４図における触媒管群を円
周上の代わりに平面上に配置し、テーブル22とガイド23
によって直線方向に触媒管群を移動し、触媒管の交替を
行う構造である。
周上の代わりに平面上に配置し、テーブル22とガイド23
によって直線方向に触媒管群を移動し、触媒管の交替を
行う構造である。
発明の効果 以上の説明で明らかなように、本発明によれば、従来の
ごとく工場内に大がかりな不活性ガス補充（N2ガス等）
タンク，また配管設備を設ける必要もない。しかも、N2
ガス等のガスを大量に消費することがなくなり、ランニ
ングコストが低減する。
ごとく工場内に大がかりな不活性ガス補充（N2ガス等）
タンク，また配管設備を設ける必要もない。しかも、N2
ガス等のガスを大量に消費することがなくなり、ランニ
ングコストが低減する。
さらに、炉内の酸素濃度をセンサーにて監視し、O2濃度
を任意に設定できるため、良質なリフロー処理を行うこ
とができる。
を任意に設定できるため、良質なリフロー処理を行うこ
とができる。
第１図は第１の実施例の出入口部にシャッターをもつリ
フロー装置の構成図、第２図は第２の実施例の出入口部
に真空バッファを設け、この真空バッファの空気のO2除
去を行うリフロー装置の構成図、第３図は触媒管を円周
上に複数搭載したO2除去装置の構成図、第４図は第３図
の触媒管固定部の拡大図、第５図は触媒管を平面上に並
置した場合の構成図である。 １……本加熱部、２……予熱部、３……搬送部、５……
前部シャッター、６……後部シャッター、７……前部シ
ャッター上下シリンダー、８……後部シャッター上下シ
リンダー、9a,9b……酸素濃度センサー、10……通気ダ
クト、11……ポンプ、12……コントローラ、13……酸素
除去装置、14……プリント基板、16……前記真空バッフ
ァ、16a……前部入口シャッター、16b……前部出口シャ
ッター、17a……後部入口シャッター、17b……後部出口
シャッター、18……酸素除去触媒管、19……レバー、20
a,20b……入口ガイド、22……プレート、23……LMガイ
ド。
フロー装置の構成図、第２図は第２の実施例の出入口部
に真空バッファを設け、この真空バッファの空気のO2除
去を行うリフロー装置の構成図、第３図は触媒管を円周
上に複数搭載したO2除去装置の構成図、第４図は第３図
の触媒管固定部の拡大図、第５図は触媒管を平面上に並
置した場合の構成図である。 １……本加熱部、２……予熱部、３……搬送部、５……
前部シャッター、６……後部シャッター、７……前部シ
ャッター上下シリンダー、８……後部シャッター上下シ
リンダー、9a,9b……酸素濃度センサー、10……通気ダ
クト、11……ポンプ、12……コントローラ、13……酸素
除去装置、14……プリント基板、16……前記真空バッフ
ァ、16a……前部入口シャッター、16b……前部出口シャ
ッター、17a……後部入口シャッター、17b……後部出口
シャッター、18……酸素除去触媒管、19……レバー、20
a,20b……入口ガイド、22……プレート、23……LMガイ
ド。
フロントページの続き (72)発明者 鶴見 浩一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−101372（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−215269（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−144860（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】被加熱物を加熱する加熱手段と、前記被加
熱物を搬送する搬送手段とを有し、炉内雰囲気が不活性
ガスである、電子部品を基板に表面実装するリフロー装
置であって、 炉内のガス体を循環経路に沿って循環させる循環手段
と、前記循環経路中に配され、酸素除去触媒を詰めた触
媒管を有し循環中の前記ガス体から酸素を除去する酸素
除去手段と、前記循環手段を作動若しくは停止させるコ
ントロール手段と、炉内のガス体の酸素濃度を測定する
測定手段とを具備するとともに、 前記コントロール手段は、前記測定手段で測定した炉内
のガス体の酸素濃度が所定の酸素濃度を越えたときに前
記循環手段を作動させ、前記測定手段で測定した炉内の
ガス体の酸素濃度が所定の酸素濃度になったときに前記
循環手段を停止させることを特徴とするリフロー装置。 - 【請求項２】炉の入口部と出口部に配され、被加熱部を
密閉・開放することのできるバッファ部と、前記バッフ
ァ部内の気体を排気する手段を具備したことを特徴とす
る請求項１に記載のリフロー装置。 - 【請求項３】酸素除去手段は、複数の触媒管と、前記複
数の触媒管の中から任意の触媒管を選択する切換部とを
具備することを特徴とする請求項１または請求項２に記
載のリフロー装置。 - 【請求項４】複数の触媒管は、円周状若しくは直線状に
配置されていることを特徴とする請求項３に記載のリフ
ロー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318495A JPH0747207B2 (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | リフロー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318495A JPH0747207B2 (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | リフロー装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04190967A JPH04190967A (ja) | 1992-07-09 |
| JPH0747207B2 true JPH0747207B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=18099762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2318495A Expired - Fee Related JPH0747207B2 (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | リフロー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0747207B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101469859B1 (ko) * | 2014-08-28 | 2014-12-08 | 헬러코리아(주) | 기판 진공가열장치 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005041817A1 (de) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | Behr Gmbh & Co. Kg | Anlage zum Herstellen von gelöteten Bauteilen |
| CN110434432B (zh) * | 2019-08-01 | 2022-04-19 | 东莞市泰丰空调制冷设备有限公司 | 一种带漏点检测的管道三通结构自动焊接流水线 |
| CN117587209B (zh) * | 2024-01-16 | 2024-05-14 | 新江科技(江苏)有限公司 | 一种镁合金铸件热处理设备 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56144860A (en) * | 1980-04-14 | 1981-11-11 | Fuji Electric Co Ltd | Conveyor furnace |
| JPS59215269A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-05 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 真空炉装置 |
| JPS62101372A (ja) * | 1985-10-26 | 1987-05-11 | Tamura Seisakusho Co Ltd | はんだ付け方法およびその装置 |
-
1990
- 1990-11-22 JP JP2318495A patent/JPH0747207B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101469859B1 (ko) * | 2014-08-28 | 2014-12-08 | 헬러코리아(주) | 기판 진공가열장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04190967A (ja) | 1992-07-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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