JPH0744448A - Memory access device - Google Patents

Memory access device

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JPH0744448A
JPH0744448A JP18534993A JP18534993A JPH0744448A JP H0744448 A JPH0744448 A JP H0744448A JP 18534993 A JP18534993 A JP 18534993A JP 18534993 A JP18534993 A JP 18534993A JP H0744448 A JPH0744448 A JP H0744448A
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JP
Japan
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data
write
address
instruction
register
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP18534993A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Odawara
孝一 小田原
Kiyoshi Sudo
清 須藤
Kiminari Ogura
仁成 小椋
Tatsuya Yamaguchi
達也 山口
Yasutomo Sakurai
康智 桜井
Takumi Nonaka
巧 野中
Kenji Hoshi
健二 星
Eiji Kanetani
英治 金谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0744448A publication Critical patent/JPH0744448A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To attain a stable high speed by implementing read/write alternately while dividing one instruction implementation cycle into two stages to avoid simultaneously read/write. CONSTITUTION:Delay circuits 7, 8 generate a fetch stage signal and an implementation stage signal based on a clock of a 1/2 instruction implementation cycle, the implementation instruction cycle is bisected as the fetch stage and the implementation stage, and a fetch register 11, a micro instruction register 12, a write address register 13, a read data buffer 16 and a write data buffer 17 are formed to implement reading in the fetch stage, implementation of the instruction in the succeeding implementation stage, write data address generation and writing in the succeeding implementation stage.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、情報処理装置のメモリ
アクセスの高速化に関する。近年、情報処理装置が高速
化されてくるにつれてメモリアクセスの高速化が要求さ
れているが、ダウンサイジングに伴い、高価な高速記憶
素子を使用しないでメモリアクセスの高速化をはかるこ
とが特に要求されている。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to speeding up memory access of an information processing device. In recent years, as information processing apparatuses have become faster, faster memory access has been demanded. With downsizing, it is particularly required to speed up memory access without using an expensive high-speed storage element. ing.

【0002】[0002]

【従来の技術】図16は従来例の原理ブロック図で、情
報処理装置において一般に用いられているメモリアクセ
ス部分の図である。図17は該メモリアクセス部分の動
作タイムチャートである。コントロールストレージ9に
は情報処理装置で実行される命令が格納されている。
2. Description of the Related Art FIG. 16 is a principle block diagram of a conventional example, and is a diagram of a memory access portion generally used in an information processing apparatus. FIG. 17 is an operation time chart of the memory access part. The control storage 9 stores instructions executed by the information processing device.

【0003】フェッチレジスタ31にはフェッチクロッ
クのタイミングで該コントロールストレージ9からの命
令がセットされる。マイクロ命令レジスタ32には実行
クロックのタイミングで該フェッチレジスタ31の内容
がセットされる。フェッチクロックと実行クロックは交
互に出ており、実行クロックと次の実行クロックの間を
1命令実行サイクルといい、通常の命令においては1命
令実行サイクルの間にメモリのリード、ライトが行われ
る。
An instruction from the control storage 9 is set in the fetch register 31 at the timing of the fetch clock. The contents of the fetch register 31 are set in the micro instruction register 32 at the timing of the execution clock. The fetch clock and the execution clock alternate, and the interval between the execution clock and the next execution clock is called one instruction execution cycle. In a normal instruction, the memory is read or written during one instruction execution cycle.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このようなメモリアク
セスを高速化しようとすると以下の問題点が発生する。
リードアクセスタイム、ライトデータセットアップの大
きい記憶素子を使用すると遅延が大きいために高速化に
限界がある。この解決のために高速な記憶素子を使うと
コストアップになる。
The following problems occur when attempting to speed up such memory access.
If a storage element with a large read access time and a large write data setup is used, the delay is large and there is a limit to the speedup. If a high-speed storage element is used for this solution, the cost will increase.

【0005】メモリ内のデータ転送においては1命令実
行サイクル内にリード、ライトを同時に行う必要があ
り、この要求を満たす限定されたタイプのメモリしか使
用できない。部分ライトを実現しようとする場合、部分
毎にライトイネーブルがある記憶素子を使用するかメモ
リを部分ライトのデータ幅で分けるかの対策が必要でコ
ストアップとなる。
In the data transfer in the memory, it is necessary to read and write at the same time within one instruction execution cycle, and only a limited type of memory satisfying this requirement can be used. In order to realize the partial write, it is necessary to take a measure to use a storage element having a write enable for each part or divide the memory by the data width of the partial write, which increases the cost.

【0006】2つのクロックを使用しているために、高
速動作時にクロック間のスキューが無視できなくなり、
高速化が困難である。本発明の目的は、上記のような問
題点に対処して、比較的アクセスタイムの遅い安価な記
憶素子を使用しても高速にメモリアクセスができるメモ
リを実現し、提供することである。
Since two clocks are used, the skew between the clocks cannot be ignored during high speed operation,
It is difficult to speed up. An object of the present invention is to solve the above problems and realize and provide a memory that can be accessed at high speed even when an inexpensive storage element having a relatively long access time is used.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

〔第1ー第3発明〕図1は本発明の原理ブロック図であ
る。図5は本発明の1命令実行時の動作タイムチャート
である。図6は本発明の命令連続実行時の動作タイムチ
ャートである。
[First to Third Inventions] FIG. 1 is a block diagram showing the principle of the present invention. FIG. 5 is an operation time chart when one instruction is executed according to the present invention. FIG. 6 is an operation time chart during continuous execution of instructions of the present invention.

【0008】図7はリード動作時のタイムチャートであ
る。図8はライト動作時のタイムチャートである。高速
化の阻害要因となっている1命令実行サイクル内の同時
リード、ライトを回避するため、クロックを基にしてフ
ェッチクロックに同期したフェッチステージ信号と該フ
ェッチステージ信号に1/2命令実行サイクル遅れた実
行ステージ信号を作るクロックステージ部10を設け、
情報処理装置において実行される命令が格納されている
コントロールストレージ9からフェッチしてきた命令
を、フェッチステージにおいてセットして格納するフェ
ッチレジスタ11を設け、該フェッチレジスタ11の内
容を、実行ステージにおいてセットして格納するマイク
ロ命令レジスタ12を設け、該マイクロ命令レジスタ1
2の内容のライトデータアドレスを、実行ステージにお
いてセットし、1命令実行サイクル格納しておくライト
アドレスレジスタ13を設け、前記フェッチレジスタ1
1に格納してあるリードアドレスと前記ライトアドレス
レジスタ12に格納してあるライトアドレスを、フェッ
チステージと実行ステージとで1/2命令実行サイクル
ごとに交互に切り換えてメモリに出力するアドレスマル
チプレクサ14を設け、リードデータを、実行ステージ
においてセットして、1命令実行サイクル蓄えるリード
データバッファ16を設け、ライトデータを、実行ステ
ージにおいてセットして、1命令実行サイクル蓄えるラ
イトデータバッファ17を設け、命令実行サイクルを後
半のリードサイクルと前半のライトサイクルに分けて、
後半のリードサイクルでメモリ15からデータをリード
し、次の命令実行サイクルの前半のライトサイクルでメ
モリ15にデータをライトするように構成する。
FIG. 7 is a time chart during the read operation. FIG. 8 is a time chart during the write operation. In order to avoid simultaneous reading and writing within one instruction execution cycle, which is a factor that hinders speedup, a fetch stage signal synchronized with the fetch clock based on the clock and a 1/2 instruction execution cycle delay with respect to the fetch stage signal The clock stage unit 10 for generating the execution stage signal is provided,
A fetch register 11 is provided to set and store an instruction fetched from the control storage 9 in which an instruction to be executed in the information processing device is stored, and the contents of the fetch register 11 are set in the execution stage. And a microinstruction register 12 for storing
The write data address having the content of 2 is set in the execution stage, and the write address register 13 for storing one instruction execution cycle is provided.
An address multiplexer 14 that alternately switches the read address stored in 1 and the write address stored in the write address register 12 to the memory by alternately switching every 1/2 instruction execution cycle between the fetch stage and the execution stage. Provided is a read data buffer 16 for setting read data in the execution stage and storing one instruction execution cycle, and providing a write data buffer 17 for setting write data in the execution stage and storing one instruction execution cycle, and executing the instruction Divide the cycle into a read cycle in the latter half and a write cycle in the first half,
Data is read from the memory 15 in the second half read cycle, and data is written to the memory 15 in the first half write cycle of the next instruction execution cycle.

【0009】また、命令を実行する命令実行サイクルの
直前に命令実行用のリードデータをフェッチするよう
に、フェッチステージでフェッチレジスタ11にリード
データアドレスをセットし、アドレスマルチプレクサ1
4を通じてデータにアクセスしてリードし、続く実行ス
テージでマイクロ命令レジスタ12に命令をセットして
実行するよう各々のレジスタを構成する。
Further, the read data address is set in the fetch register 11 at the fetch stage so that the read data for instruction execution is fetched just before the instruction execution cycle for executing the instruction, and the address multiplexer 1
Each register is configured to access and read data through 4 and set and execute an instruction in the micro instruction register 12 in the subsequent execution stage.

【0010】また、命令を実行する命令実行サイクルの
直後に命令により実行されたライトデータをライトする
ように、実行ステージでマイクロ命令レジツタ12に命
令をセットして実行し、続くクロックでライトアドレス
レジスタ13にライトデータアドレスをセットし、アド
レスマルチプレクサ14を通じてデータにアクセスして
ライトするよう各々のレジスタを構成する。
Further, an instruction is set and executed in the micro instruction register 12 at the execution stage so that the write data executed by the instruction is written immediately after the instruction execution cycle for executing the instruction, and the write address register is executed at the subsequent clock. The write data address is set in 13, and each register is configured to access and write data through the address multiplexer 14.

【0011】〔請求項4〕図2は請求項4の原理ブロッ
ク図である。図6はバイパス動作時のタイムチャートで
ある。請求項1乃至請求項3の構成において、リードア
ドレスとライトアドレスが一致したとき旧いデータをリ
ードするというデータ矛盾を回避するため、リードデー
タアドレスとライトデータアドレスが一致したときに一
致信号を出力する一致判定部18を設け、該一致判定部
18からの一致信号を制御信号とし、ライトデータとメ
モリからのリードデータとのどちらかを選択してリード
データバッファ16に出力するリードデータマルチプレ
クサ19を設け、リードデータアドレスとライトデータ
アドレスが一致したとき、直前のライトデータをリード
データとするように、前記リードデータマルチプレクサ
19がライトデータをリードデータバッファ16にバイ
パスして接続するように構成する。
[Claim 4] FIG. 2 is a principle block diagram of claim 4. FIG. 6 is a time chart during the bypass operation. In order to avoid a data contradiction in which old data is read when the read address and the write address match, a match signal is output when the read data address and the write data address match. A match determination section 18 is provided, and a read data multiplexer 19 that selects either write data or read data from the memory and outputs the read data to the read data buffer 16 is provided with the match signal from the match determination section 18 as a control signal. When the read data address and the write data address match, the read data multiplexer 19 bypasses and connects the write data to the read data buffer 16 so that the immediately preceding write data is used as the read data.

【0012】〔請求項5〕図3は請求項5の原理ブロッ
ク図である。図10は部分ライト動作時のフローチャー
トである。請求項1乃至請求項4の記載において、デー
タの部分書き込みを可能とするため、扱うデータを、上
位データと下位データとの2つに分け、ライトデータバ
ッファ17へのライトデータの上位データとリードデー
タバッファ16からのリードデータの上位データとの2
つを入力とし、上位ライトデータセット信号がオンのと
きのみ該ライトデータの上位データをライトデータバッ
ファ17に出力する上位ライトデータマルチプレクサ
と、ライトデータバッファ17へのライトデータの下位
データとリードデータバッファ16からのリードデータ
の下位データとの2つを入力とし、下位ライトデータセ
ット信号がオンのときのみ該該ライトデータの下位デー
タをライトデータバッファ17に出力する下位ライトデ
ータマルチプレクサとを設け、上位ライトデータセット
信号および下位ライトデータセット信号の制御によって
上位データまたは下位データを書き込むように構成す
る。
[Claim 5] FIG. 3 is a principle block diagram of claim 5. FIG. 10 is a flowchart for the partial write operation. In order to enable partial writing of data, the data to be handled is divided into upper data and lower data, and the upper data and the read of the write data to the write data buffer 17 are read. 2 with the upper data of the read data from the data buffer 16
And an upper write data multiplexer that outputs the upper data of the write data to the write data buffer 17 only when the upper write data set signal is on, and the lower data of the write data to the write data buffer 17 and the read data buffer. And a lower write data multiplexer which outputs lower data of the read data from the write data buffer 17 to the write data buffer 17 only when the lower write data set signal is ON. The upper data or the lower data is written by controlling the write data set signal and the lower write data set signal.

【0013】〔請求項6〕図4は請求項6の原理ブロッ
ク図である。請求項1乃至請求項5の構成においてクロ
ックスキューを回避するため、1クロックの遅延回路7
を基本クロックで制御して、周期が1命令実行サイクル
で1/2命令実行サイクル持続するフェッチステージ信
号を生成する手段を設け、該フェッチステージ信号を入
力とする1クロックの遅延回路8を基本クロックで制御
して、該フェッチステージ信号に命令実行サイクルの1
/2遅れる実行ステージ信号を生成する手段を設け、1
命令実行サイクルを命令実行サイクルの1/2ずつのフ
ェッチステージと実行ステージの2つに分け、各々のス
テージにおいて1つのクロックで各部を制御するように
構成する。
[Claim 6] FIG. 4 is a principle block diagram of claim 6. In order to avoid clock skew in the configurations of claims 1 to 5, a delay circuit 7 for one clock is used.
Means for generating a fetch stage signal whose cycle is one instruction execution cycle and which lasts ½ instruction execution cycle, and a 1-clock delay circuit 8 to which the fetch stage signal is input is used as a basic clock. Control is performed to control the fetch stage signal to 1 in the instruction execution cycle.
A means for generating an execution stage signal delayed by 1/2 is provided, and 1
The instruction execution cycle is divided into two stages, that is, a fetch stage and an execution stage, each of which is ½ of the instruction execution cycle, and each unit is controlled by one clock in each stage.

【0014】[0014]

【作用】このような構成を備えた本発明のメモリアクセ
ス装置によって以下の作用が得られる。 〔請求項1〕図1は本発明の原理ブロック図である。
The following effects can be obtained by the memory access device of the present invention having such a configuration. [Claim 1] FIG. 1 is a block diagram showing the principle of the present invention.

【0015】図5は本発明の1命令実行時のタイムチャ
ートである。図6は本発明の命令連続実行時の動作タイ
ムチャートである。リードデータに関しては、フェッチ
レジスタ11に命令がセットされると同時にフェッチレ
ジスタ11のメモリリードアドレスがアドレスマルチプ
レクサ14を通じてメモリアドレスとなり、メモリリー
ドが行われ、続く実行ステージで、リードデータバッフ
ァ16にリードデータがセットされる。
FIG. 5 is a time chart when one instruction is executed according to the present invention. FIG. 6 is an operation time chart during continuous execution of instructions of the present invention. Regarding the read data, at the same time when the instruction is set in the fetch register 11, the memory read address of the fetch register 11 becomes a memory address through the address multiplexer 14, the memory read is performed, and the read data is stored in the read data buffer 16 in the subsequent execution stage. Is set.

【0016】ライトデータに関しては、命令実行サイク
ルで生成されたライトデータは続く実行ステージでライ
トデータバッファ17にセットされ、同時にマイクロ命
令レジスタ12のライトデータアドレスがライトアドレ
スレジスタ13にセットされる。次の命令実行サイクル
のクロックで、ライトアドレスレジスタ13の内容がア
ドレスマルチプレクサ14を通じてメモリライトアドレ
スとなり、ライトデータバッファ17のライトデータを
メモリ15にライトする。
Regarding write data, the write data generated in the instruction execution cycle is set in the write data buffer 17 in the subsequent execution stage, and at the same time, the write data address of the micro instruction register 12 is set in the write address register 13. At the clock of the next instruction execution cycle, the content of the write address register 13 becomes the memory write address through the address multiplexer 14, and the write data in the write data buffer 17 is written in the memory 15.

【0017】図6のように、命令実行サイクルの前半は
ライト動作、後半はリード動作と分かれており、同時に
リード動作とライト動作が行われることはない。 〔請求項2〕図7はリード動作時のタイムチャートであ
る。フェッチされた命令がフェッチステージでフェッチ
レジスタ11にセットされ、セットされた命令のリード
メモリアドレスが、命令実行サイクル直前の同期信号が
オフになる時点でメモリアドレスとなり、メモリリード
を行う。リードされたデータはリードデータバッファ1
6にセットされる。
As shown in FIG. 6, the first half of the instruction execution cycle is divided into the write operation and the second half is divided into the read operation, and the read operation and the write operation are not performed at the same time. [Claim 2] FIG. 7 is a time chart during a read operation. The fetched instruction is set in the fetch register 11 in the fetch stage, and the read memory address of the set instruction becomes the memory address when the synchronization signal immediately before the instruction execution cycle is turned off, and the memory read is performed. Read data is read data buffer 1
Set to 6.

【0018】このようにして、命令が実行される直前に
リード動作が行われる。 〔請求項3〕図8はライト動作のタイムチャートであ
る。フェッチされた命令がフェッチステージでフェッチ
レジスタ11にセットされ、続く実行ステージでマイク
ロ命令レジスタ12にセットされる。
In this way, the read operation is performed immediately before the instruction is executed. [Claim 3] FIG. 8 is a time chart of a write operation. The fetched instruction is set in the fetch register 11 in the fetch stage, and set in the micro instruction register 12 in the subsequent execution stage.

【0019】マイクロ命令レジスタ12に格納されてい
る命令のレジスタライトアドレスが次のフェッチステー
ジでライトアドレスレジスタ13にセットされ、次の命
令実行サイクルの始めの同期信号がオンになる時点でラ
イトメモリアドレスとなり、このアドレスにライトデー
タバッファ17のライトデータが書き込まれる。このよ
うにして、命令が実行された直後の次の命令実行サイク
ルの始めにライト動作が行われる。
The register write address of the instruction stored in the micro instruction register 12 is set in the write address register 13 in the next fetch stage, and the write memory address is reached at the time when the synchronization signal at the beginning of the next instruction execution cycle is turned on. Then, the write data of the write data buffer 17 is written at this address. In this way, the write operation is performed at the beginning of the next instruction execution cycle immediately after the instruction is executed.

【0020】〔請求項4〕図2は請求項4の原理ブロッ
ク図である。図8はバイパス動作時のタイムチャートで
ある。ライトレジスタアドレスとリードレジスタアドレ
スの一致を検出するために設けた一致判定部18から一
致信号が出力されると、リードデータマルチプレクサは
リードデータバッファ16へライトデータ出力を接続す
る。
[Claim 4] FIG. 2 is a principle block diagram of claim 4. FIG. 8 is a time chart during the bypass operation. When a match signal is output from the match determination unit 18 provided for detecting the match between the write register address and the read register address, the read data multiplexer connects the write data output to the read data buffer 16.

【0021】このバイパス動作により、ライトレジスタ
アドレスと同じリードレジスタアドレスのデータをリー
ドする命令時に旧いデータをリードしてしまうという矛
盾が回避でき、目的とする正しいデータをリードするこ
とができる。 〔請求項5〕図3は請求項5の原理ブロック図である。
By this bypass operation, it is possible to avoid the contradiction that the old data is read at the time of the instruction to read the data of the read register address which is the same as the write register address, and it is possible to read the intended correct data. [Claim 5] FIG. 3 is a principle block diagram of claim 5.

【0022】図10は部分ライト動作時のタイムチャー
トである。ライトデータマルチプレクサは上位データラ
イトデータマルチプレクサ20と下位ライトデータマル
チプレクサ21に別れている。上位ライトデータマルチ
プレクサ20がライトデータを選択して出力し、下位ラ
イトデータマルチプレクサ21がリードデータバッファ
16のデータを選択して出力するように上位ライトデー
タマルチプレクサ20と下位ライトデータマルチプレク
サ21を制御すれば、上位データにはライトデータが書
き込まれるが下位データにはリードデータが書き込まれ
るため実行前と変わらない。
FIG. 10 is a time chart during the partial write operation. The write data multiplexer is divided into an upper data write data multiplexer 20 and a lower write data multiplexer 21. If the upper write data multiplexer 20 and the lower write data multiplexer 21 are controlled so that the upper write data multiplexer 20 selects and outputs the write data, and the lower write data multiplexer 21 selects and outputs the data of the read data buffer 16. The write data is written in the upper data, but the read data is written in the lower data, which is the same as before the execution.

【0023】下位ライトデータマルチプレクサ21がラ
イトデータを選択して出力し、上位ライトデータマルチ
プレクサ20がリードデータバッファ16のデータを選
択して出力するように上位ライトデータマルチプレクサ
20と下位ライトデータマルチプレクサ21を制御すれ
ば、下位データにはライトデータが書き込まれるが上位
データにはリードデータが書き込まれるため実行前と変
わらない。
The upper write data multiplexer 20 and the lower write data multiplexer 21 are selected so that the lower write data multiplexer 21 selects and outputs the write data, and the upper write data multiplexer 20 selects and outputs the data of the read data buffer 16. If controlled, the write data is written in the lower data, but the read data is written in the upper data, which is the same as before the execution.

【0024】このように、ライトデータマルチプレクサ
を制御することにより上位データまたは下位データの部
分書き込みを行うことができる。 〔請求項6〕図4は請求項6の原理ブロック図である。
図15はステージ信号の動作タイムチャートである。
As described above, by controlling the write data multiplexer, the upper data or the lower data can be partially written. [Claim 6] FIG. 4 is a principle block diagram of claim 6.
FIG. 15 is an operation time chart of the stage signal.

【0025】図15の動作タイムチャートのように、命
令実行サイクルの1/2の周期のクロックを基にして作
られたフェッチステージ信号と実行ステージ信号によっ
て1命令実行サイクルを2つのステージに分ける。各部
の制御はフェッチステージまたは実行ステージにおいて
一つのクロックで制御を行う。
As shown in the operation time chart of FIG. 15, one instruction execution cycle is divided into two stages by a fetch stage signal and an execution stage signal which are created based on a clock having a half cycle of the instruction execution cycle. The control of each unit is performed by one clock in the fetch stage or the execution stage.

【0026】このことによって、クロックを速くしても
クロックスキューを回避することができ、装置の高速化
を計ることができる。
As a result, clock skew can be avoided even if the clock speed is increased, and the speed of the device can be increased.

【0027】[0027]

【実施例】【Example】

〔請求項1ー3〕図11は本発明の実施例構成図であ
る。ステージ信号の生成は下記のように行われる。図1
5はステージ信号の動作タイムチャートである。
[Claims 1-3] FIG. 11 is a block diagram of an embodiment of the present invention. Generation of the stage signal is performed as follows. Figure 1
5 is an operation time chart of the stage signal.

【0028】クロックステージ部においては、命令実行
サイクルの1/2周期のクロックと同期信号を基にして
フェッチステージ信号と実行ステージ信号を作る。同期
信号をD─フリップフロップ107で受け、その出力が
オフでフェッチ抑止信号がオフのとき次に接続されたD
─フリップフロップ108がクロックでトリガーされて
フェッチステージ信号がオンとなる。
In the clock stage section, a fetch stage signal and an execution stage signal are created based on a clock and a synchronizing signal of 1/2 cycle of the instruction execution cycle. When the D-flip-flop 107 receives the synchronization signal and its output is off and the fetch inhibition signal is off, the next connected D
—The flip-flop 108 is triggered by the clock and the fetch stage signal is turned on.

【0029】フェッチ抑止信号は命令実行サイクルを延
ばす必要のあるときオンになる外部からの信号である。
フェッチステージ信号をクロックでトリガーされるD─
フリップフロップ108で受けて実行ステージ信号を作
る。従って実行ステージ信号は1クロック即ち1/2命
令サイクルフェッチステージ信号に対して遅れた信号と
なる。
The fetch inhibit signal is an external signal which is turned on when it is necessary to extend the instruction execution cycle.
Fetch stage signal is clock triggered D-
The flip-flop 108 receives it to generate an execution stage signal. Therefore, the execution stage signal becomes a signal delayed by one clock, that is, the 1/2 instruction cycle fetch stage signal.

【0030】アドレスの生成とリード、ライト動作は次
のように行われる。フェッチステージ信号がオンでフェ
ッチステージ信号セット信号がオンのときコントロール
ストレージ109に格納されている命令がフェッチレジ
スタ111にセットされる。フェッチレジスタに命令を
セットする方法には、他にも図14のようにフェッチレ
ジスタ111の制御はクロックのみとし、入力をマルチ
プレクサ141で切り換える方法もあり、方法を限定す
るものではない。
Address generation and read / write operations are performed as follows. When the fetch stage signal is on and the fetch stage signal set signal is on, the instruction stored in the control storage 109 is set in the fetch register 111. As another method of setting an instruction in the fetch register, there is also a method of controlling only the clock of the fetch register 111 as shown in FIG. 14 and switching the input by the multiplexer 141, and the method is not limited.

【0031】セットされた命令のアドレス部分はリード
データアドレスとしてアドレスマルチプレクサ114に
送られる。マイクロ命令レジスタ112には実行ステー
ジ信号がオンでマイクロ命令レジスタセット信号がオン
のときフェッチレジスタ111の内容がセットされる。
同時に命令の実行が開始される。
The address portion of the set instruction is sent to the address multiplexer 114 as a read data address. The contents of the fetch register 111 are set in the micro instruction register 112 when the execution stage signal is on and the micro instruction register set signal is on.
At the same time, the execution of instructions is started.

【0032】ライトアドレスレジスタ113はマイクロ
命令レジスタ112のアドレス部分を保持するレジスタ
で各クロックでセットされる、該ライトアドレスレジス
タ113の出力はアドレスマルチプレクサ114に送ら
れる。アドレスマルチプレクサ114は、フェッチステ
ージ信号がオンのときライトアドレスレジスタ113の
ライトデータアドレスを選択し、ライト動作が行われ
る。フェッチステージ信号がオフのときはフェッチレジ
スタ111のリードデータアドレスを選択し、リード動
作が行われる。メモリアドレスの生成と、リード動作と
ライト動作は、このように、1命令実行サイクルを2つ
のステージに分け、各ステージにおいてライト動作とリ
ード動作が行われ、リード、ライトの2つの動作が同時
に行われることはない。
The write address register 113 is a register that holds the address portion of the micro instruction register 112 and is set at each clock. The output of the write address register 113 is sent to the address multiplexer 114. The address multiplexer 114 selects the write data address of the write address register 113 when the fetch stage signal is on, and the write operation is performed. When the fetch stage signal is off, the read data address of the fetch register 111 is selected and the read operation is performed. In the memory address generation, the read operation and the write operation, one instruction execution cycle is divided into two stages, and the write operation and the read operation are performed in each stage, and the read and write operations are performed simultaneously. I will not be told.

【0033】リード、ライト動作と命令実行の関係は下
記の通りである。フェッチステージ信号オン、フェッチ
レジスタセット信号がオン、でクロックがオンになると
リードデータアドレスが確立し、実行ステージ信号がオ
ンでアドレスマルチプレクサ114を通じてデータリー
ドが行われる。マイクロ命令レジスタ112オンで、実
行ステージオンで、次のクロックがオンになるとマイク
ロ命令レジスタ112にフェッチレジスタ111の内容
がセットされ、命令が実行される。マイクロ命令のライ
トデータアドレス部分は次のクロックでライトアドレス
レジスタ113にセットされ、ライトデータアドレスが
確立し、フェッチステージ信号がオンでアドレスマルチ
プレクサ114を通じてデータライトが行われる。
The relationship between the read / write operation and instruction execution is as follows. When the fetch stage signal is on, the fetch register set signal is on, and the clock is on, the read data address is established, and when the execution stage signal is on, the data is read through the address multiplexer 114. When the micro instruction register 112 is on, the execution stage is on, and the next clock is turned on, the contents of the fetch register 111 are set in the micro instruction register 112 and the instruction is executed. The write data address portion of the micro instruction is set in the write address register 113 at the next clock, the write data address is established, the fetch stage signal is turned on, and the data write is performed through the address multiplexer 114.

【0034】このようにして,命令実行の直前にリード
動作が行われ、命令実行の直後にライト動作が行われ
る。 〔請求項4〕図12は請求項4の実施例構成図である。
リードアドレスとライトアドレスとが一致したとき、一
致を検出する一致判定部118は、リードデータアドレ
スとライトデータアドレスを比較し、一致のときに一致
信号をオンとしてリードデータマルチプレクサ119に
送出する。
In this way, the read operation is performed immediately before the instruction execution, and the write operation is performed immediately after the instruction execution. [Claim 4] FIG. 12 is a block diagram of an embodiment of claim 4.
When the read address and the write address match, the match determination unit 118 that detects the match compares the read data address and the write data address, and when they match, turns on the match signal and sends it to the read data multiplexer 119.

【0035】一致信号がオンで、ライトデータセット信
号がオンのときリードデータマルチプレクサ119は2
つの入力のうちライトデータを選択してリードデータバ
ッファ116にバイパスしてセットする。このようにし
て、まだライトされていない旧いデータをリードすると
いうデータ矛盾を回避することができる。
When the match signal is on and the write data set signal is on, the read data multiplexer 119 outputs 2
Write data is selected from the two inputs and bypassed and set in the read data buffer 116. In this way, it is possible to avoid a data contradiction in which old data that has not yet been written is read.

【0036】リードアドレスとライトアドレスが同一で
ないときは、一致信号はオフで、リードデータマルチプ
レクサ119は2つの入力のうちメモリリードデータを
リードデータバッファ116にセットする。 〔請求項5〕図13は請求項5の実施例構成図である。
When the read address and the write address are not the same, the match signal is off and the read data multiplexer 119 sets the memory read data of the two inputs in the read data buffer 116. [Claim 5] FIG. 13 is a block diagram of an embodiment of claim 5.

【0037】部分ライト命令には、上位ライトデータの
みライトする命令と下位ライトデータのみライトする命
令とがある。上位データのみのライト命令においては、
上位ライトデータセット信号がオンとなり、実行ステー
ジ信号がオンとなったとき上位ライトデータマルチプレ
クサ120は入力データとして上位ライトデータを選択
してライトデータバッファ117にセットする。このと
き、下位ライトデータセット信号はオフとなり、下位ラ
イトデータマルチプレクサ121はリードデータバッフ
ァ116の出力を選択し、ライトデータバッファ117
にセットするが、前にあったデータと同じデータをセッ
トすることになり、実質的に下位データは変わらない。
ライトデータバッファ117のデータは次のクロックで
メモリ115に書き込まれる。このようにして、上位ラ
イトデータのみの部分書き込みができる。
The partial write instruction includes an instruction to write only the upper write data and an instruction to write only the lower write data. In the write command of only upper data,
When the upper write data set signal is turned on and the execution stage signal is turned on, the upper write data multiplexer 120 selects the upper write data as input data and sets it in the write data buffer 117. At this time, the lower write data set signal is turned off, the lower write data multiplexer 121 selects the output of the read data buffer 116, and the write data buffer 117.
However, the same data as the previous data will be set, and the lower data will not be changed.
The data in the write data buffer 117 is written in the memory 115 at the next clock. In this way, partial writing of only upper write data can be performed.

【0038】下位データのみのライト命令においては、
下位ライトデータセット信号がオンとなり、実行ステー
ジ信号がオンとなったとき下位ライトデータマルチプレ
クサ121は入力データとして下位ライトデータを選択
してライトデータバッファ117にセットする。このと
き、上位ライトデータセット信号はオフとなり、上位ラ
イトデータマルチプレクサ120はリードデータバッフ
ァ116の出力を選択し、ライトデータバッファ117
にセットするが、前にあったデータと同じデータをセッ
トすることになる。このようにして、下位ライトデータ
のみの部分書き込みができる。
In the write instruction of only lower data,
When the lower write data set signal is turned on and the execution stage signal is turned on, the lower write data multiplexer 121 selects the lower write data as input data and sets it in the write data buffer 117. At this time, the upper write data set signal is turned off, the upper write data multiplexer 120 selects the output of the read data buffer 116, and the write data buffer 117.
However, the same data as the previous data will be set. In this way, partial writing of only lower write data can be performed.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上の説明のように、命令実行サイクル
をリードサイクルとライトサイクルに分け、メモリへの
同時アクセスを避け、命令実行直前にリード、命令実行
直後にライトを行うことでアクセスタイムの遅いメモリ
を用いてもエラーのない高速化が実現できる。
As described above, the instruction execution cycle is divided into the read cycle and the write cycle, the simultaneous access to the memory is avoided, the read is performed immediately before the instruction is executed, and the write is performed immediately after the instruction is executed. Error-free speedup can be achieved even with a slow memory.

【0040】ライト直後のリード命令による、まだ書き
替え前のデータをリードするというデータ矛盾はデータ
のバイパス制御によって回避できる。部分ライトは、ラ
イトデータをメモリの外部でアライメントして書き込む
のでメモリはレジスタの全データ幅と同じタイプを使用
すればよい。また、部分毎にライトイネーブルのあるメ
モリを使用する必要もない。
The data inconsistency of reading the data before rewriting due to the read instruction immediately after the writing can be avoided by the data bypass control. In partial write, write data is aligned and written outside the memory, so the memory may use the same type as the total data width of the register. Also, it is not necessary to use a memory with write enable for each part.

【0041】実行クロック、フェッチクロックを一つの
クロックでステージ制御するため、クロックスキューを
減らすことができ、安定に高速化が計れる。
Since the execution clock and the fetch clock are stage-controlled by one clock, the clock skew can be reduced and the speed can be stably increased.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明原理ブロック図FIG. 1 is a block diagram of the principle of the present invention.

【図2】請求項4原理ブロック図FIG. 2 is a block diagram of the principle of claim 4.

【図3】請求項5原理ブロック図FIG. 3 is a block diagram of the principle of claim 5.

【図4】請求項6原理ブロック図FIG. 4 is a block diagram of the principle of claim 6.

【図5】本発明の動作タイムチャート(1命令実行時)FIG. 5 is an operation time chart of the present invention (when one instruction is executed)

【図6】本発明の動作タイムチャート(命令連続実行
時)
FIG. 6 is an operation time chart of the present invention (at the time of continuous instruction execution)

【図7】リード動作時のタイムチャートFIG. 7 is a time chart during a read operation

【図8】ライト動作時のタイムチャートFIG. 8 is a time chart during a write operation

【図9】バイパス動作時のタイムチャートFIG. 9 is a time chart during bypass operation.

【図10】部分ライト動作時のタイムチャートFIG. 10 is a time chart during a partial write operation

【図11】本発明の実施例構成図FIG. 11 is a configuration diagram of an embodiment of the present invention.

【図12】請求項4の実施例構成図FIG. 12 is a configuration diagram of an embodiment of claim 4;

【図13】請求項5の実施例構成図FIG. 13 is a configuration diagram of an embodiment of claim 5;

【図14】フェッチレジスタセットの他の実施例FIG. 14 is another embodiment of the fetch register set.

【図15】ステージ信号の動作タイムチャートFIG. 15 is an operation time chart of a stage signal

【図16】従来例の原理ブロック図FIG. 16 is a principle block diagram of a conventional example.

【図17】従来例の動作タイムチャートFIG. 17 is an operation time chart of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

7,8:遅延回路 9:コントロールストレージ 10:クロックステージ部 11:フェッチレジスタ 12:マイクロ命令レジスタ 13:ライトアドレスレジスタ 14:アドレスマルチプレクサ 15:メモリ 16:リードデータバッファ 17:ライトデータバッファ 18:一致判定部 19:リードデータマルチプレクサ 20:上位ライトデータマルチプレクサ 21:下位ライトデータマルチプレクサ 31:従来例のフェッチレジスタ 32:従来例のマイクロ命令レジスタ 34:従来例のアドレスレジスタ 7, 8: Delay circuit 9: Control storage 10: Clock stage unit 11: Fetch register 12: Micro instruction register 13: Write address register 14: Address multiplexer 15: Memory 16: Read data buffer 17: Write data buffer 18: Match determination Part 19: Read data multiplexer 20: Upper write data multiplexer 21: Lower write data multiplexer 31: Fetch register of conventional example 32: Micro instruction register of conventional example 34: Address register of conventional example

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成5年12月10日[Submission date] December 10, 1993

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】図1[Name of item to be corrected] Figure 1

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図1】 ─────────────────────────────────────────────────────
[Figure 1] ─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成5年12月24日[Submission date] December 24, 1993

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】図12[Name of item to be corrected] Fig. 12

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図12】 [Fig. 12]

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 達也 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 桜井 康智 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 野中 巧 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 星 健二 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 金谷 英治 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tatsuya Yamaguchi 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Fujitsu Limited (72) Inventor Yasutoshi Sakurai 1015, Kamedotachu, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Fujitsu Limited ( 72) Inventor Takumi Nonaka 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture, Fujitsu Limited (72) Inventor Kenji Hoshi, 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Fujitsu Limited (72) Inventor, Eiji Kanaya Kanagawa Prefecture 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki City, Fujitsu Limited

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】命令実行サイクルの1/2の周期のクロッ
クを基にして、同期信号を入力とし、フェッチクロック
に同期したフェッチステージ信号を出力する遅延回路
(7)と、該遅延回路(7)の出力を入力とし、該フェ
ッチステージ信号に対して1/2命令実行サイクル遅れ
る実行ステージ信号とを作る遅延回路(8)とから構成
されるクロックステージ部(10)と、 フェッチステージにおいて、実行される命令が格納され
ているコントロールストレージ(9)からフェッチして
きた命令をセットして格納しておくフェッチレジスタ
(11)と、 実行ステージにおいて、該フェッチレジスタ(11)の
内容をセットして格納しておくマイクロ命令レジスタ
(12)と、 実行ステージにおいて、該マイクロ命令レジスタ(1
2)のライトデータアドレスをセットして1命令実行サ
イクル格納しておくライトアドレスレジスタ(13)
と、 前記フェッチレジスタ(11)に格納されているリード
データアドレスと前記ライトアドレスレジスタ(13)
に格納されているライトデータアドレスとを1/2命令
実行サイクル毎に交互に切り換えて、フェッチステージ
においてはリードデータアドレスを、実行ステージにお
いてはライトデータアドレスをメモリに出力するアドレ
スマルチプレクサ(14)と、 実行ステージにおいてリードデータをセットして1命令
実行サイクル蓄えるリードデータバッファ(16)と、 実行ステージにおいてライトデータをセットして1命令
実行サイクル蓄えるライトデータバッファ(17)とを
備えたことを特徴とするメモリアクセス装置。
1. A delay circuit (7) for inputting a synchronizing signal and outputting a fetch stage signal synchronized with a fetch clock, based on a clock having a cycle half of an instruction execution cycle, and the delay circuit (7). ) As an input, and a delay circuit (8) that produces an execution stage signal that is delayed by 1/2 instruction execution cycle with respect to the fetch stage signal, and a clock stage section (10) A fetch register (11) that sets and stores the instruction fetched from the control storage (9) that stores the instruction to be stored, and sets and stores the contents of the fetch register (11) at the execution stage The micro instruction register (12) to be stored, and the micro instruction register (1
Write address register (13) that sets the write data address of 2) and stores it in one instruction execution cycle
And a read data address stored in the fetch register (11) and the write address register (13)
An address multiplexer (14) for alternately switching the write data address stored in the memory for every 1/2 instruction execution cycle, and outputting the read data address in the fetch stage and the write data address in the execution stage to the memory. A read data buffer (16) for setting read data in the execution stage to store one instruction execution cycle, and a write data buffer (17) for setting write data in the execution stage to store one instruction execution cycle And a memory access device.
【請求項2】請求項1記載の構成のメモリアクセス装置
において、 フェッチステージにおいて前記フェッチレジスタ(1
1)の指すリードデータアドレスのデータを前記アドレ
スマルチプレクサ(14)を通じてリードし、続く実行
ステージにおいて前記フェッチレジスタ(11)の内容
の命令を前記マイクロ命令レジスタ(12)にセットし
て実行するように構成したことを特徴とするメモリアク
セス装置。
2. The memory access device according to claim 1, wherein the fetch register (1
1) The data of the read data address pointed to by 1) is read through the address multiplexer (14), and the instruction of the content of the fetch register (11) is set in the micro instruction register (12) and executed in the subsequent execution stage. A memory access device characterized by being configured.
【請求項3】請求項1記載の構成のメモリアクセス装置
において、 実行ステージにおいて前記マイクロ命令レジスタ(1
2)にセットした命令を実行し、次のクロックで前記マ
イクロ命令レジスタ(12)のライトデータアドレスを
前記ライトアドレスレジスタ(13)にセットし、続く
実行ステージにおいて前記ライトアドレスレジスタ(1
3)の指すライトデータアドレスのデータを前記アドレ
スマルチプレクサ(14)を通じてライトするように構
成したことを特徴とするメモリアクセス装置。
3. The memory access device according to claim 1, wherein the micro instruction register (1
The instruction set in 2) is executed, the write data address of the micro instruction register (12) is set in the write address register (13) at the next clock, and the write address register (1) is set in the subsequent execution stage.
A memory access device characterized in that the data of the write data address indicated by 3) is written through the address multiplexer (14).
【請求項4】請求項1乃至3記載のメモリアクセス装置
において、 リードデータアドレスとライトデータアドレスの2つの
入力が一致したときに一致信号を出力する一致判定部
(18)と、 該一致判定部(18)からの一致信号で制御してリード
データとライトデータの2つの入力を選択し、リードデ
ータバッファへ出力するリードデータマルチプレクサ
(19)とを備え、 該一致判定部(18)が一致信号を出力したときに該リ
ードデータマルチプレクサ(19)がライトデータをリ
ードデータバッファにバイパスして出力するように構成
したことを特徴とするメモリアクセス装置。
4. The memory access device according to claim 1, further comprising: a match determining section (18) for outputting a match signal when two inputs of the read data address and the write data address match, and the match determining section. A read data multiplexer (19) for selecting two inputs of read data and write data by controlling with a match signal from (18) and outputting to a read data buffer is provided. The memory access device is characterized in that the read data multiplexer (19) bypasses the write data to the read data buffer and outputs the read data when the data is output.
【請求項5】請求項1乃至4記載のメモリアクセス装置
において、 メモリに書き込むべきデータの上位データと前記リード
データバッファ(16)の上位データとの2つの入力を
選択して前記ライトデータバッファ(17)の上位の部
分に出力する上位ライトデータマルチプレクサ(20)
と、 メモリに書き込むべきデータの下位データと前記リード
データバッファ(16)の下位データとの2つの入力を
選択して前記ライトデータバッファ(17)の下位の部
分に出力する下位ライトデータマルチプレクサ(21)
とを備え、 該上位ライトデータマルチプレクサ(20)に上位ライ
トデータセット信号が加えられているときにはメモリに
書き込むべきデータの上位データを選択し、 該下位ライトデータマルチプレクサ(21)に下位ライ
トデータセット信号が加えられているときにはメモリに
書き込む部木データの下位データを選択して出力するよ
うに構成したことを特徴とするメモリアクセス装置。
5. The memory access device according to any one of claims 1 to 4, wherein two inputs of upper data of data to be written in a memory and upper data of the read data buffer (16) are selected to select the write data buffer ( 17) An upper write data multiplexer (20) for outputting to the upper part of
And a lower write data multiplexer (21) for selecting two inputs of the lower data of the data to be written in the memory and the lower data of the read data buffer (16) and outputting them to the lower portion of the write data buffer (17). )
And selecting the upper data of the data to be written to the memory when the upper write data set signal is applied to the upper write data multiplexer (20), and the lower write data multiplexer outputs the lower write data set signal to the lower write data multiplexer (21). The memory access device is characterized in that it is configured to select and output lower-order data of the tree data to be written to the memory when is added.
【請求項6】請求項1乃至5に記載したメモリアクセス
装置において、 同期信号を入力とし、フェッチステージ信号を出力とす
る遅延回路(7)と、 該遅延回路(7)の出力を入力とし、実行ステージ信号
出力とする遅延回路(8)との両方の遅延回路を、同一
の1/2命令実行サイクル周期のクロックで制御するよ
うに構成したことを特徴とするメモリアクセス装置。
6. The memory access device according to claim 1, wherein a delay circuit (7) having a synchronizing signal as an input and a fetch stage signal as an output, and an output of the delay circuit (7) as an input, A memory access device characterized in that both the delay circuit (8) for outputting an execution stage signal and the delay circuit (8) are controlled by a clock having the same 1/2 instruction execution cycle period.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017182759A (en) * 2016-03-29 2017-10-05 正仁 櫨田 Method of doubling operation speed of cpu of computer

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