JPH0743698Y2 - 空間光変調器 - Google Patents
空間光変調器Info
- Publication number
- JPH0743698Y2 JPH0743698Y2 JP1991082131U JP8213191U JPH0743698Y2 JP H0743698 Y2 JPH0743698 Y2 JP H0743698Y2 JP 1991082131 U JP1991082131 U JP 1991082131U JP 8213191 U JP8213191 U JP 8213191U JP H0743698 Y2 JPH0743698 Y2 JP H0743698Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- erasing
- light source
- side end
- electro
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、ポッケルス読み出し光
変調素子(PROM 素子) を用いた空間光変調器に関するも
のである。
変調素子(PROM 素子) を用いた空間光変調器に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】空間光変調素子のうち、BSO 単結晶等の
電気光学効果と光伝導効果を有する単結晶を使用したPR
OM素子は、前記単結晶の光伝導効果を利用して、書き込
み画像情報の光強度分布を単結晶内の電荷分布に変換し
て記憶し、次いでこの電荷分布がつくる電界によって生
ずる電気光学効果を利用し、読み出し光の強度分布に変
換するものである。従って、この型の空間光変調素子
は、前記単結晶の層とこれをはさむ絶縁層及び透明電極
によって構成される。
電気光学効果と光伝導効果を有する単結晶を使用したPR
OM素子は、前記単結晶の光伝導効果を利用して、書き込
み画像情報の光強度分布を単結晶内の電荷分布に変換し
て記憶し、次いでこの電荷分布がつくる電界によって生
ずる電気光学効果を利用し、読み出し光の強度分布に変
換するものである。従って、この型の空間光変調素子
は、前記単結晶の層とこれをはさむ絶縁層及び透明電極
によって構成される。
【0003】更に述べると、まず一対の透明電極間に電
圧をかけながら、書き込み光をPROM素子に照射する。こ
れにより、電気光学単結晶層内で電子−正孔対が発生
し、このうち電子が正極の方向へと加速される。こうし
て、書き込み光の強度分布が、電気光学単結晶層の内部
の電荷分布に変換されて記憶される。次いで、PROM素子
に読み出し光を照射する。電子正孔対が分離されている
部分では、電気光学単結晶層の電圧が降下する。この電
気光学効果を利用して再生像を得る。
圧をかけながら、書き込み光をPROM素子に照射する。こ
れにより、電気光学単結晶層内で電子−正孔対が発生
し、このうち電子が正極の方向へと加速される。こうし
て、書き込み光の強度分布が、電気光学単結晶層の内部
の電荷分布に変換されて記憶される。次いで、PROM素子
に読み出し光を照射する。電子正孔対が分離されている
部分では、電気光学単結晶層の電圧が降下する。この電
気光学効果を利用して再生像を得る。
【0004】上記電気光学単結晶層を一対の絶縁層で挟
み、この層から電荷が失われるのを防ぐ。そして、PROM
素子に新たな画像を書き込む前には、電気光学単結晶層
内の電荷分布を消去しなければならない。このため、PR
OM素子にかけていた電圧を切り、電気光学単結晶層を一
様露光する必要がある。
み、この層から電荷が失われるのを防ぐ。そして、PROM
素子に新たな画像を書き込む前には、電気光学単結晶層
内の電荷分布を消去しなければならない。このため、PR
OM素子にかけていた電圧を切り、電気光学単結晶層を一
様露光する必要がある。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】図6はPROM素子を収容
したパッケージ11を示す斜視図、図7はパッケージ11に
消去光学系を組み合わせた空間光変調器を示す斜視図で
ある。
したパッケージ11を示す斜視図、図7はパッケージ11に
消去光学系を組み合わせた空間光変調器を示す斜視図で
ある。
【0006】パッケージ11の本体2は、平面長方形の平
板状をなし、プラスチック等からなっている。本体2の
主面には、平面略長方形状の素子収容孔2cが設けられ、
素子収容孔2c内にPROM素子3が収容されている。本体2
の側端面2a, 2bのうち狭い方の側端面2bに、一対の円筒
状のソケット5が取り付けられ、各ソケット5にリード
線6が連結されている。各リード線6は本体2内に入
り、PROM素子3の一対の透明電極にそれぞれ接続されて
いる。
板状をなし、プラスチック等からなっている。本体2の
主面には、平面略長方形状の素子収容孔2cが設けられ、
素子収容孔2c内にPROM素子3が収容されている。本体2
の側端面2a, 2bのうち狭い方の側端面2bに、一対の円筒
状のソケット5が取り付けられ、各ソケット5にリード
線6が連結されている。各リード線6は本体2内に入
り、PROM素子3の一対の透明電極にそれぞれ接続されて
いる。
【0007】四角筒状の胴12内には、4角柱形状をした
空間12a が設けられている。胴12の一方の端部に、パッ
ケージ11が固定される。PROM素子3は、内部空間12a に
面する。胴12の他方の端部では、内部空間12a が開口し
ている。胴12の側壁に消去用光源の取付部13が突設され
ている。取付部13の外形は四角柱状であり、胴12と公差
する方向へと延びている。取付部13の端面13a にソケッ
ト4が取り付けられ、ソケット4内にリード線6が通っ
ている。ソケット4には、図示しない消去用光源が取り
付けられており、消去用光源が取付部13内に固定され
る。電気光学単結晶層内部の電荷分布を消去する際に
は、消去用光源を発光させ、この光をPROM素子3の全面
に照射する。
空間12a が設けられている。胴12の一方の端部に、パッ
ケージ11が固定される。PROM素子3は、内部空間12a に
面する。胴12の他方の端部では、内部空間12a が開口し
ている。胴12の側壁に消去用光源の取付部13が突設され
ている。取付部13の外形は四角柱状であり、胴12と公差
する方向へと延びている。取付部13の端面13a にソケッ
ト4が取り付けられ、ソケット4内にリード線6が通っ
ている。ソケット4には、図示しない消去用光源が取り
付けられており、消去用光源が取付部13内に固定され
る。電気光学単結晶層内部の電荷分布を消去する際に
は、消去用光源を発光させ、この光をPROM素子3の全面
に照射する。
【0008】しかし、こうした構成の空間光変調器にお
いては、胴12や取付部13が大きく張り出すので、装置全
体が嵩張り、場所をとる。また、PROM素子3を光が透過
するのであるが、かなり強い光を照射しないと、上記の
電荷分布を確実に消去できないので、相当大電力を食う
大型の消去用光源が必要である。しかも、消去用光源に
よって照射される範囲が広くなってしまい、他の光学関
係部品、特に感光板やフィルムに光の一部が当たること
があった。
いては、胴12や取付部13が大きく張り出すので、装置全
体が嵩張り、場所をとる。また、PROM素子3を光が透過
するのであるが、かなり強い光を照射しないと、上記の
電荷分布を確実に消去できないので、相当大電力を食う
大型の消去用光源が必要である。しかも、消去用光源に
よって照射される範囲が広くなってしまい、他の光学関
係部品、特に感光板やフィルムに光の一部が当たること
があった。
【0009】本考案の課題は、消去光学系を小型化で
き、小型の光源で充分に電気光学単結晶体の内部の電荷
分布を消去できるようにすることである。
き、小型の光源で充分に電気光学単結晶体の内部の電荷
分布を消去できるようにすることである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本考案は、電気光学効果
と光伝導効果とを有する電気光学単結晶体を備え、書き
込み光の強度分布をこの電気光学単結晶体の内部の電荷
分布に変換する平板状のポッケルス読み出し光変調素子
と、このポッケルス読み出し光変調素子を一様露光して
前記の電荷分布を消去するための消去用光源とを備えた
空間光変調器において、消去用光源からの光がポッケル
ス読み出し光変調素子の側端面に入射するようにポッケ
ルス読み出し光変調素子とほぼ同一平面上に消去用光源
が設置されていることを特徴とする、空間光変調器に係
るものである。
と光伝導効果とを有する電気光学単結晶体を備え、書き
込み光の強度分布をこの電気光学単結晶体の内部の電荷
分布に変換する平板状のポッケルス読み出し光変調素子
と、このポッケルス読み出し光変調素子を一様露光して
前記の電荷分布を消去するための消去用光源とを備えた
空間光変調器において、消去用光源からの光がポッケル
ス読み出し光変調素子の側端面に入射するようにポッケ
ルス読み出し光変調素子とほぼ同一平面上に消去用光源
が設置されていることを特徴とする、空間光変調器に係
るものである。
【0011】
【実施例】図1は、本発明の実施例に係る空間光変調器
1にPROM素子3を組み込む前の状態を示す斜視図、図2
は空間光変調器1を示す斜視図である。また、図3、図
4はそれぞれ、消去用光源7とPROM素子3との位置関係
を示す模式図である。
1にPROM素子3を組み込む前の状態を示す斜視図、図2
は空間光変調器1を示す斜視図である。また、図3、図
4はそれぞれ、消去用光源7とPROM素子3との位置関係
を示す模式図である。
【0012】本体2は、平面長方形の平板状をなし、プ
ラスチック等からなっている。本体2の主面には、略長
方形の素子収容孔2cが設けられる。PROM素子3を矢印A
のように素子収容孔2c内に入れ、図2に示す状態とす
る。本体2の側端面のうち狭い方の側端面2bに、一対の
円筒状のソケット5が取り付けられ、各ソケット5にリ
ード線6が連結されている。各リード線6は本体2内に
入り、PROM素子3の一対の透明電極にそれぞれ接続され
ている。そして、本実施例においては、狭い方の側端面
2bに円筒状のソケット4が取り付けられ、このソケット
4に消去用光源7が取り付けられている。消去用光源7
は、本体2に内蔵され、側端面2bとPROM素子3との間に
位置する。
ラスチック等からなっている。本体2の主面には、略長
方形の素子収容孔2cが設けられる。PROM素子3を矢印A
のように素子収容孔2c内に入れ、図2に示す状態とす
る。本体2の側端面のうち狭い方の側端面2bに、一対の
円筒状のソケット5が取り付けられ、各ソケット5にリ
ード線6が連結されている。各リード線6は本体2内に
入り、PROM素子3の一対の透明電極にそれぞれ接続され
ている。そして、本実施例においては、狭い方の側端面
2bに円筒状のソケット4が取り付けられ、このソケット
4に消去用光源7が取り付けられている。消去用光源7
は、本体2に内蔵され、側端面2bとPROM素子3との間に
位置する。
【0013】PROM素子3は平板状であり、かつ平面四辺
形状である。特に図3、図4に示すように、PROM素子3
とほぼ同一平面上に消去用光源7が設置される。また、
平面的にみると、消去用光源7が側端面3aに対向してい
る。
形状である。特に図3、図4に示すように、PROM素子3
とほぼ同一平面上に消去用光源7が設置される。また、
平面的にみると、消去用光源7が側端面3aに対向してい
る。
【0014】本実施例によれば、従来にくらべて非常に
小型で小電力の消去用光源によって、電気光学単結晶層
15内の電荷分布を充分に消去できる。この理由を説明す
る。PROM素子3においては、一対の主面3cには、ガラス
基板が露出している。ガラスの屈折率は1.5 近辺であ
り、空気の屈折率は約1である。従って、主面3cにおい
て、ガラス側から空気側へと光が向うとき、その全反射
条件は、入射角43゜以上である。
小型で小電力の消去用光源によって、電気光学単結晶層
15内の電荷分布を充分に消去できる。この理由を説明す
る。PROM素子3においては、一対の主面3cには、ガラス
基板が露出している。ガラスの屈折率は1.5 近辺であ
り、空気の屈折率は約1である。従って、主面3cにおい
て、ガラス側から空気側へと光が向うとき、その全反射
条件は、入射角43゜以上である。
【0015】消去用光源7から光8が発光されると、こ
の光8は、側端面3aから素子3内に入る。ここで重要な
のは、側端面3aから素子3内に入射した光束が、主面3c
に対し、43゜以上の入射角を有していることである。従
って、図4に示すように、光8は、主面3cで何度も全反
射を繰り返しながら素子3内を進み、側端面3dから出射
する。全反射の回数が何回になるかは、素子3の厚さ、
寸法、素子3と消去用光源7との距離に依存する。この
ように、光8が素子3内を何回も全反射しながら進むの
で、比較的小電力で小型の消去用光源を用いても、電気
光学単結晶層15内の電荷分布を充分に消去できる。
の光8は、側端面3aから素子3内に入る。ここで重要な
のは、側端面3aから素子3内に入射した光束が、主面3c
に対し、43゜以上の入射角を有していることである。従
って、図4に示すように、光8は、主面3cで何度も全反
射を繰り返しながら素子3内を進み、側端面3dから出射
する。全反射の回数が何回になるかは、素子3の厚さ、
寸法、素子3と消去用光源7との距離に依存する。この
ように、光8が素子3内を何回も全反射しながら進むの
で、比較的小電力で小型の消去用光源を用いても、電気
光学単結晶層15内の電荷分布を充分に消去できる。
【0016】これに対し、図7に示すような空間光変調
器によると、消去用の光が主面3cから入射し、素子3を
斜めに通過して出射する。この際、消去用の光は、電気
光学単結晶層15を斜めに横切るだけであり、光のエネル
ギーの利用率が低い。このため、比較的大電力で、大型
の消去用光源が必要である。本実施例では、電気光学単
結晶層15をこの層と平行に、あるいは平行に近い角度で
光が伝播していくので、光のエネルギーの利用率が高
い。
器によると、消去用の光が主面3cから入射し、素子3を
斜めに通過して出射する。この際、消去用の光は、電気
光学単結晶層15を斜めに横切るだけであり、光のエネル
ギーの利用率が低い。このため、比較的大電力で、大型
の消去用光源が必要である。本実施例では、電気光学単
結晶層15をこの層と平行に、あるいは平行に近い角度で
光が伝播していくので、光のエネルギーの利用率が高
い。
【0017】また、PROM素子3の主面3cに対して斜め方
向から光を照射する従来の変調器では、胴12や取付部13
等の部品を、PROM素子3の主面3cから垂直方向又は斜め
方向に張り出すように設けなければならない。本実施例
では、側端面3a側に消去用光源7を設けるスペースさえ
確保すればよく、上記のような部品は不要である。従っ
て、この意味でも、空間光変調器を小型化できる。
向から光を照射する従来の変調器では、胴12や取付部13
等の部品を、PROM素子3の主面3cから垂直方向又は斜め
方向に張り出すように設けなければならない。本実施例
では、側端面3a側に消去用光源7を設けるスペースさえ
確保すればよく、上記のような部品は不要である。従っ
て、この意味でも、空間光変調器を小型化できる。
【0018】上記の例において、更に、図3、図4に示
すように、側端面3d側に反射鏡14を設けることができ
る。これにより、側端面3dを出射した光を反射させる。
反射光のほとんどは、再び素子3内に入射し、主面3c間
で全反射を繰り返す。このようにすれば、光の利用率は
一層高まるので有利である。
すように、側端面3d側に反射鏡14を設けることができ
る。これにより、側端面3dを出射した光を反射させる。
反射光のほとんどは、再び素子3内に入射し、主面3c間
で全反射を繰り返す。このようにすれば、光の利用率は
一層高まるので有利である。
【0019】上記の例では、消去用光源7を、側端面3c
と対向させて設けたが、他の側端面3b、3dと対向させて
設けてもよい。この場合に、光エネルギーの利用率が最
も高くなる。
と対向させて設けたが、他の側端面3b、3dと対向させて
設けてもよい。この場合に、光エネルギーの利用率が最
も高くなる。
【0020】図5に示すように、側端面3a及び3bに対し
て、平面的にみて斜めの位置に消去用光源7を設けるこ
ともできる。ただし、この場合には、一部の光8Aが側端
面3a、3bで全反射されるので、図3,図4の例にくらべ
ると、光エネルギーの利用率が落ちる。
て、平面的にみて斜めの位置に消去用光源7を設けるこ
ともできる。ただし、この場合には、一部の光8Aが側端
面3a、3bで全反射されるので、図3,図4の例にくらべ
ると、光エネルギーの利用率が落ちる。
【0021】図1〜図4に示す空間光変調器を作製し、
その動作を確認した。消去用光源7として、6V、6Wのハ
ロゲンランプを用いた。このハロゲンランプの点灯と消
灯とは、電磁リレースイッチで行った。電磁リレースイ
ッチの動作スケジュールは、予めマイクロコンピュータ
に入力した。電気光学単結晶層15の材料として、Bi12Si
O20 単結晶を用いた。素子3への印加電圧は、5000Vと
した。この結果、電気光学単結晶層15の内部の電荷分布
を素子全面にわたり消去できることを確認した。消去動
作に要した時間は0.15秒であった。
その動作を確認した。消去用光源7として、6V、6Wのハ
ロゲンランプを用いた。このハロゲンランプの点灯と消
灯とは、電磁リレースイッチで行った。電磁リレースイ
ッチの動作スケジュールは、予めマイクロコンピュータ
に入力した。電気光学単結晶層15の材料として、Bi12Si
O20 単結晶を用いた。素子3への印加電圧は、5000Vと
した。この結果、電気光学単結晶層15の内部の電荷分布
を素子全面にわたり消去できることを確認した。消去動
作に要した時間は0.15秒であった。
【0022】また、図6、図7に示す空間光変調器にお
いては、消去用光源として、5OWのハロゲンランプが必
要であった。また、このハロゲンランプを点灯する際に
は、光が空間光変調器の外に強く漏れるので、フィルム
や測定用機器に覆いをかけ、消去用光源の光を遮光する
必要があった。また、電荷分布の消去に要した時間は2
秒であった。
いては、消去用光源として、5OWのハロゲンランプが必
要であった。また、このハロゲンランプを点灯する際に
は、光が空間光変調器の外に強く漏れるので、フィルム
や測定用機器に覆いをかけ、消去用光源の光を遮光する
必要があった。また、電荷分布の消去に要した時間は2
秒であった。
【0023】
【考案の効果】本考案によれば、平板状のポッケルス読
み出し光変調素子とほぼ同一平面上に消去用光源が設置
されており、この素子の一方の側端面から光が入射す
る。そして、側端面から入射した光は、素子の一対の主
面の間で、何度も全反射を繰り返しながら素子内を進
む。この過程で、一対の主面間で全反射を繰り返すたび
に、光が電気光学単結晶体を横切り、電気光学単結晶体
内に電子−正孔対を発生させ、電荷分布の消去に寄与す
る。従って、光エネルギーの利用率が高いので、比較的
小電力で小型の消去用光源を用いても、電気光学単結晶
体内の電荷分布を充分に消去できる。
み出し光変調素子とほぼ同一平面上に消去用光源が設置
されており、この素子の一方の側端面から光が入射す
る。そして、側端面から入射した光は、素子の一対の主
面の間で、何度も全反射を繰り返しながら素子内を進
む。この過程で、一対の主面間で全反射を繰り返すたび
に、光が電気光学単結晶体を横切り、電気光学単結晶体
内に電子−正孔対を発生させ、電荷分布の消去に寄与す
る。従って、光エネルギーの利用率が高いので、比較的
小電力で小型の消去用光源を用いても、電気光学単結晶
体内の電荷分布を充分に消去できる。
【図1】空間光変調器1の本体2内にPROM素子3を収容
する前の状態を示す斜視図である。
する前の状態を示す斜視図である。
【図2】空間光変調器1を示す斜視図である。
【図3】PROM素子3と消去用光源7との位置関係を示す
模式図である(主面3c側から見たもの) 。
模式図である(主面3c側から見たもの) 。
【図4】PROM素子3と消去用光源7との位置関係を示す
模式図である(側端面側から見たもの)。
模式図である(側端面側から見たもの)。
【図5】PROM素子3と消去用光源7との位置関係を変更
した例を示す模式図である(主面3c側から見たもの) 。
した例を示す模式図である(主面3c側から見たもの) 。
【図6】パッケージ11を示す斜視図である。
【図7】パッケージ11を胴12に取り付けた空間光変調器
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
1 空間光変調器 2 本体 2c 素子収容孔 3 PROM素子 3a, 3b, 3d 側端面 3c 一対の主面 7 消去用光源 8 消去用の光 8A 側端面で全反射される光
Claims (3)
- 【請求項1】 電気光学効果と光伝導効果とを有する電
気光学単結晶体を備え、書き込み光の強度分布をこの電
気光学単結晶体の内部の電荷分布に変換する平板状のポ
ッケルス読み出し光変調素子と、このポッケルス読み出
し光変調素子を一様露光して前記の電荷分布を消去する
ための消去用光源とを備えた空間光変調器において、前
記消去用光源からの光が前記ポッケルス読み出し光変調
素子の側端面に入射するように前記ポッケルス読み出し
光変調素子とほぼ同一平面上に前記消去用光源が設置さ
れていることを特徴とする、空間光変調器。 - 【請求項2】 前記消去用光源が、前記ポッケルス読み
出し光変調素子の側端面に対向して設置されている、請
求項1記載の空間光変調器。 - 【請求項3】 前記側端面と反対側の側端面側に反射鏡
が設けられている、請求項2記載の空間光変調器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1991082131U JPH0743698Y2 (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 空間光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1991082131U JPH0743698Y2 (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 空間光変調器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0533123U JPH0533123U (ja) | 1993-04-30 |
JPH0743698Y2 true JPH0743698Y2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=13765861
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1991082131U Expired - Lifetime JPH0743698Y2 (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 空間光変調器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0743698Y2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE43123E1 (en) | 1997-06-12 | 2012-01-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vertically-aligned (VA) liquid crystal display device |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5754917A (en) * | 1980-09-20 | 1982-04-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Processing equipment of image fiber transmission image |
-
1991
- 1991-10-09 JP JP1991082131U patent/JPH0743698Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE43123E1 (en) | 1997-06-12 | 2012-01-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vertically-aligned (VA) liquid crystal display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0533123U (ja) | 1993-04-30 |
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