JPH0743668B2 - Access control device - Google Patents

Access control device

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JPH0743668B2
JPH0743668B2 JP60080689A JP8068985A JPH0743668B2 JP H0743668 B2 JPH0743668 B2 JP H0743668B2 JP 60080689 A JP60080689 A JP 60080689A JP 8068985 A JP8068985 A JP 8068985A JP H0743668 B2 JPH0743668 B2 JP H0743668B2
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JP
Japan
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access
memory
busy
memory access
selection circuit
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秀彦 西田
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Fujitsu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 記憶部へのメモリアクセスの送出に応答して制御され、
アクセスする記憶部のビジー管理単位であるメモリバン
クに対応してビジー信号を送出するビジー制御回路と、
複数のポートからのメモリアクセスより1つを選択して
上記記憶部に送出する選択回路とを備えて、上記記憶部
へのメモリアクセスを前記するアクセス制御部におい
て、上記ビジー制御回路は、1タイミングサイクル毎
に、上記メモリアクセスの種別を判別して所定サイクル
の間、上記選択回路への入力を禁止するビジー信号を生
成すると共に、先行する上記メモリアクセスによって生
成されたビジー信号と、後続するメモリアクセスの種別
に基づいて、上記選択回路への入力を許可するようにし
たものである。
DETAILED DESCRIPTION [Outline] Controlled in response to sending a memory access to a storage unit,
A busy control circuit that sends a busy signal corresponding to a memory bank that is a busy management unit of a storage unit to be accessed,
And a selection circuit for selecting one from memory accesses from a plurality of ports and sending it to the storage unit. In the access control unit for the memory access to the storage unit, the busy control circuit has one timing. For each cycle, the type of the memory access is determined and a busy signal for inhibiting the input to the selection circuit is generated for a predetermined cycle, and a busy signal generated by the preceding memory access and a subsequent memory are generated. The input to the selection circuit is permitted based on the type of access.

(産業上の利用分野〕 本発明は、複数の種類のメモリアクセスを処理するメモ
リアクセス制御回路を有するシステムにおけるメモリビ
ジーチェック方式に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory busy check system in a system having a memory access control circuit that processes a plurality of types of memory accesses.

一般に、計算機システムにおける記憶部は、バッファメ
モリを除くと、通常数サイクルを使用して読み出し、書
き込みを行っている。
Generally, the storage unit in a computer system, except for the buffer memory, normally reads and writes using several cycles.

この数サイクルの間は、同一エリア(一般には、バンク
対応)に対するアクセスを禁止する必要がある。
During these several cycles, it is necessary to prohibit access to the same area (generally for banks).

このアクセス禁止制御を行うのに、該当するメモリ領域
にアクセス中の間、その領域が使用中であることを示す
ビジー信号を使用状態と認識する方式が良く使われる。
In order to perform this access prohibition control, a method is often used in which a busy signal indicating that the area is in use is recognized as being in use while the corresponding memory area is being accessed.

この方式では、新たなメモリアクセスは、自アクセス要
求がアクセスしたいメモリ領域に対応する上記ビジー信
号を参照し、未使用状態であればアクセスし、使用状態
なら未使用状態になる迄待ってアクセスするように動作
する。
In this method, new memory access refers to the busy signal corresponding to the memory area that the self access request wants to access, and if it is in the unused state, accesses it, and if it is in the used state, waits until it becomes the unused state before accessing. Works like.

上記メモリアクセスには、通常次の3種類が有る。即
ち、 読み出しアクセス。
There are usually the following three types of memory access. That is, read access.

全書き込みアクセス。 All write access.

部分書き込みアクセス。 Partial write access.

である。Is.

はメモリの内容を読み出すアクセスであり、は該計
算機システムでの処理単位(例えば、8バイト)の総て
を書き替えるアクセスであり、は上記処理単位の一部
を書き替えるアクセスである。
Is an access for reading the contents of the memory, is an access for rewriting all the processing units (for example, 8 bytes) in the computer system, and is an access for rewriting a part of the processing units.

従来から、,は当該アクセス要求がアクセス選択回
路で選択された後、1メモリアクセス処理サイクルを使
用するだけであったので問題はなかったが、では、該
アクセス選択回路で選ばれると、先ずメモリデータを読
み出し、該データの一部を書き込みデータで置き換えた
後、新たなデータに対するチェックビットを生成後、今
度は全書き込みアクセスとして、再度上記選択回路で選
択された後、メモリアクセスする。
Conventionally, since there was no problem because only one memory access processing cycle was used after the access request was selected by the access selection circuit, but when selected by the access selection circuit, After reading the data and replacing a part of the data with the write data, a check bit for the new data is generated, and this time, as the full write access, the memory is accessed after being selected again by the selection circuit.

つまり、メモリは2メモリアクセス処理サイクル間使用
され、メモリアクセス選択回路は2度使用される事とな
る。
That is, the memory is used for two memory access processing cycles, and the memory access selection circuit is used twice.

従って、多くの処理装置からのメモリアクセスを一個の
選択回路で処理しようとするシステムにおいては、上記
のようにメモリアクセス選択回路を2度使用する従来の
方式では、スループットが大きくならなかった。
Therefore, in the system in which the memory access from many processing devices is processed by one selection circuit, the conventional method using the memory access selection circuit twice as described above does not increase the throughput.

そこで、この問題を解決する為に、上記〜の何れの
メモリアクセスにおいても、メモリアクセス選択回路は
一度だけしか使用しない方式がある。
Therefore, in order to solve this problem, there is a method in which the memory access selection circuit is used only once in any of the above-described memory accesses.

この方式は、上記の部分書き込みアクセスが選択回路
で選ばれると、先ず、メモリデータを読み出し、一定サ
イクル後に書き込みアクセスを記憶部に送出するもので
あるので、該書き込みアクセスがメモリに送出されるタ
イミングが、上記選択回路で該部分書き込みアクセスが
選ばれた時点で規定される為、当該メモリ領域に対する
使用時間が長くなる問題があり、効果的なメモリビジー
チェック方式が待たれていた。
According to this method, when the partial write access is selected by the selection circuit, first, the memory data is read and the write access is sent to the storage unit after a certain cycle. Therefore, the timing when the write access is sent to the memory. However, since the partial write access is specified at the time when the partial write access is selected by the selection circuit, there is a problem that the use time for the memory area becomes long, and an effective memory busy check method has been awaited.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第3図は従来のメモリアクセス回路をブロック図で示し
たものであり、第4図はその時のアクセス動作をタイム
チャートで示したものである。以下、全図を通じて同じ
符号は同じ対象物、或いは処理を示しているものとす
る。
FIG. 3 is a block diagram showing a conventional memory access circuit, and FIG. 4 is a time chart showing the access operation at that time. Hereinafter, the same reference numerals denote the same objects or processes throughout the drawings.

先ず、第3図を使用して、従来方式による、上記〜
の各メモリアクセスの動作を説明する。
First, referring to FIG.
The operation of each memory access will be described.

ユニット0からのメモリアクセスが、ポート(UOAC)1
に設定され、このアクセスが選択回路(SEL)2で選ば
れると、パイプインT1と、BUSY制御回路3に入力され
る。以降の動作は、アクセスの種類によって異なるもの
となる。
Memory access from unit 0 is port (UOAC) 1
When this access is selected by the selection circuit (SEL) 2, it is input to the pipe-in T1 and the BUSY control circuit 3. Subsequent operations differ depending on the type of access.

読み出しアクセス(FETCH): 選択回路(SEL)2で選ばれたメモリアクセスのアドレ
ス部がセレクタ(SEL1)4で選ばれ、メモリアドレスレ
ジスタ(MAR)5に設定される。
Read access (FETCH): The address portion of the memory access selected by the selection circuit (SEL) 2 is selected by the selector (SEL1) 4 and set in the memory address register (MAR) 5.

続いて、記憶部(MEM)6に対して読み出しが指示さ
れ、一定時間後に読み出されたデータはリードレジスタ
(MRD)7に設定れ、アクセス元装置へ送出される。
Then, the storage unit (MEM) 6 is instructed to read the data, and after a certain time, the read data is set in the read register (MRD) 7 and sent to the access source device.

この時の動作を、第4図(1)に示してある。本図にお
いて、MEM ACCは実際のメモリ動作(即ち、リード動
作)を示しており、BUSYは当該メモリ領域に対する、次
の新たなアクセスの選択を禁止する期間である。
The operation at this time is shown in FIG. In the figure, MEM ACC indicates an actual memory operation (that is, read operation), and BUSY is a period in which selection of the next new access to the memory area is prohibited.

全書き込みアクセス(FULL STORE): パイプラインT2のタイミングで、セレクタ(SEL2)10に
より、ポート(UOWD)9からの書き込みデータがレジス
タ(WDa)11に設定され、チェックビット作成回路1cで
チェックビットが生成された後、セレクタ(SEL3)12を
通して、書き込みデータレジスタ(MWD)8に設定され
る。
Full write access (FULL STORE): At the timing of pipeline T2, the write data from the port (UOWD) 9 is set in the register (WDa) 11 by the selector (SEL2) 10 and the check bit is generated by the check bit creation circuit 1c. After being generated, it is set in the write data register (MWD) 8 through the selector (SEL3) 12.

この時点にタイミングを合わせて、パイプラインT3よ
り、当該アクセスのアドレス部がセレクタ(SEL1)4を
通して、メモリアドレスレジスタ(MAR)5に設定さ
れ、記憶部(MEM)6に書き込みが指示される。
At the same time, the pipeline T3 sets the address part of the access to the memory address register (MAR) 5 through the selector (SEL1) 4 and instructs the memory part (MEM) 6 to write.

この時の動作が、第4図(2)に示されている。この場
合のMEM ACCはライト動作である。
The operation at this time is shown in FIG. MEM ACC in this case is a write operation.

部分書き込みアクセス(PARTIAL STORE): 選択回路(SEL)2で選ばれたアクセスのアドレス部が
セレクタ(SEL1)4で選ばれ、メモリアドレスレジスタ
(MAR)5に設定される。
Partial write access (PARTIAL STORE): The address part of the access selected by the selection circuit (SEL) 2 is selected by the selector (SEL1) 4 and set in the memory address register (MAR) 5.

続いて、記憶部(MEM)6に対して読み出しが指示さ
れ、一定時間後に読み出されたデータは、リードデータ
レジスタ(MRD)7、及びシフトレジスタを通して、マ
ージ回路(MERGE)13に入力される。
Then, the storage unit (MEM) 6 is instructed to read the data, and the data read after a predetermined time is input to the merge circuit (MERGE) 13 through the read data register (MRD) 7 and the shift register. .

一方、書き込みデータはパイプラインT2のタイミング
で、ポート(UOWD)9よりレジスタ(WDa)11に設定さ
れ、シフトレジスタを通して、上記マージ回路(MERG
E)13に入力される。
On the other hand, the write data is set in the register (WDa) 11 from the port (UOWD) 9 at the timing of the pipeline T2, and passes through the shift register to the merge circuit (MERG).
E) Entered in 13.

マージ回路(MERGE)13においては、上記記憶部(MEM)
6から読み出されたデータの内、書き込みデータが指示
された部分が、該書き込みデータに置き換えられ、チェ
ックビット作成・エラーチェック回路2c、レジスタ(WD
b)14、データ訂正回路3c、及びセレクタ(SEL3)12を
通して、書き込みデータレジスタ(MWD)8に設定され
る。
In the merge circuit (MERGE) 13, the storage unit (MEM)
Of the data read from 6, the portion designated by the write data is replaced with the write data, and the check bit creation / error check circuit 2c and the register (WD
b) It is set in the write data register (MWD) 8 through 14, the data correction circuit 3c, and the selector (SEL3) 12.

これとタイミングを合わせて、パイプラインT8より、該
メモリアクセスのアドレス部がセレクタ(SEL1)4を通
して、メモリアドレスレジスタ(MAR)5に設定され、
記憶部(MEM)6に書き込みが指示される。
At the same timing as this, the pipeline T8 sets the memory access address section in the memory address register (MAR) 5 through the selector (SEL1) 4,
Writing is instructed to the storage unit (MEM) 6.

この時の動作をタイムチャートで示したものが第4図
(3)である。
The operation at this time is shown in a time chart in FIG. 4 (3).

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

このように、従来方式においては、第4図に示したタイ
ムチャートから明らかな如く、それぞれのメモリアクセ
ス〜において、BUSYで示すタイミングで、選択回路
(SEL)2が他のメモリアクセスを選択すると、MEM ACC
で示されている実際のメモリ動作を乱す恐れがある為、
そのタイミングでの該当するメモリへのアクセスを選択
回路(SEL)2において禁止していた。
As described above, in the conventional system, as is clear from the time chart shown in FIG. 4, in each memory access-, when the selection circuit (SEL) 2 selects another memory access at the timing shown by BUSY, MEM ACC
Since it may disturb the actual memory operation indicated by
Access to the corresponding memory at that timing was prohibited in the selection circuit (SEL) 2.

然し、実際に記憶部(MEM)6を使用しているタイミン
グはMEM ACCで示すタイミングであるから、従来方式に
おいては余分なタイミング迄禁止していることになり、
メモリアクセスの効率を著しく悪くしている問題があっ
た。
However, since the timing at which the memory unit (MEM) 6 is actually used is the timing indicated by MEM ACC, in the conventional method, the extra timing is prohibited.
There was a problem that the efficiency of memory access was significantly reduced.

本発明は上記従来の欠点に鑑み、上記〜で示したメ
モリアクセスによって、実際に記憶部(MEM)6を使用
しているタイミング、即ちMEM ACCが、BUSYタイミング
と異なることに着目し、効率良くメモリビジーチェック
を行って、メモリアクセスのスループットの大幅な向上
を図る方法を提供することを目的とするものである。
In view of the above-mentioned conventional drawbacks, the present invention focuses on the fact that the timing at which the memory unit (MEM) 6 is actually used, that is, MEM ACC, is different from the BUSY timing due to the memory access described above, and efficiently. It is an object of the present invention to provide a method for performing a memory busy check to significantly improve the throughput of memory access.

〔問題を解決するための手段〕[Means for solving problems]

第1図は本発明の概念を示す図である。 FIG. 1 is a diagram showing the concept of the present invention.

本発明を実施して、複数のBUSY信号が示すビジー態様
を、各アクセスの種類毎に示したものが、本図の(b)
〜(d)であって、(b)は読み出しアクセス(FETC
H)の場合を示し、(c)は全書き込みアクセス(FULL
STORE)の場合を示し、(d)は部分書き込みアクセス
(PARTIAL STORE)の場合を示している。
The busy mode indicated by a plurality of BUSY signals according to the present invention is shown for each type of access, as shown in FIG.
(D) and (b) read access (FETC
H), and (c) full write access (FULL
STORE), and (d) shows a partial write access (PARTIAL STORE).

(1)〜(3)は本発明による複数本のメモリビジー信
号と、そのビジー(BUSY)信号が示すビジー態様によっ
て、禁止すべきメモリアクセスの種類との関係を示した
ものである。
(1) to (3) show the relationship between a plurality of memory busy signals according to the present invention and the type of memory access to be prohibited by the busy mode indicated by the busy (BUSY) signals.

本図(1)〜(3)から明らかな如く、本発明において
は、前述のBUSYを複数の信号で示すようにし、該複数の
BUSY信号の示す値によって、禁止すべきメモリアクセス
の種類を示すように構成する。
As is clear from the figures (1) to (3), in the present invention, the BUSY described above is indicated by a plurality of signals, and
It is configured to indicate the type of memory access to be prohibited by the value indicated by the BUSY signal.

本発明の原理は、本図から明らかな如く、それぞれのメ
モリアクセスにおいて、前述のMEM ACC{即ち、実際に
記憶部(MEM)6が動作しているタイミング}が重なら
ないように、それぞれのメモリアクセスに対して、許容
できる他のメモリアクセスの種類を定めている所に特徴
がある。
As is clear from this figure, the principle of the present invention is that, in each memory access, the above-mentioned MEM ACC {that is, the timing at which the memory section (MEM) 6 is actually operating} does not overlap each memory. The feature is that other allowable memory access types are defined for the access.

例えば、(b)の読み出しアクセス(FETCH)の場合の
実際に記憶部6を使用するMEM ACCは、選択回路(SEL)
2での選択後3τ目から3τの間であり、BUSY区間の*
で示したタイミングに発生した読み出しアクセス(FETC
H),部分書き込みアクセス(PARTIAL STORE)のみの選
択回路(SEL)2への入力を禁止すれば、最も効率の良
いメモリアクセスができるようになることが分かる。
For example, in the case of (b) read access (FETCH), the MEM ACC that actually uses the storage unit 6 is a selection circuit (SEL).
It is between 3τ and 3τ after selection in 2, and BUSY section *
The read access (FETC
H), if the input to the selection circuit (SEL) 2 only for partial write access (PARTIAL STORE) is prohibited, the most efficient memory access can be performed.

(c)の全書き込みアクセス(FULL STORE)の場合に
は、実際に記憶部6を使用するMEM ACCは選択回路(SE
L)2での選択後6τ目から3τの間であり、BUSY区間
の最初の◎で示したタイミングで発生するアクセスはど
の種類のアクセスでもMEM ACCが重なることとなり全種
類のメモリアクセスが禁止される。次の*で示したタイ
ミングでは、このタイミングで発生した読み出しアクセ
ス(FETCH)及び部分書き込みアクセス(PARTIAL STOR
E)のみの選択回路(SEL)2への入力を禁止すればよ
い。
In the case of the full write access (FULL STORE) in (c), the MEM ACC that actually uses the storage unit 6 is the selection circuit (SE
L) It is between 6τ and 3τ after the selection in 2, and the access that occurs at the timing shown by the first ◎ in the BUSY section will be overlapped by MEM ACC in any type of access, and all types of memory access are prohibited. It At the timing indicated by *, the read access (FETCH) and partial write access (PARTIAL STOR) that occurred at this timing
The input to the selection circuit (SEL) 2 only for E) may be prohibited.

同様にして、(d)の部分書き込みアクセス(PARTIAL
STORE)の場合には、実際に記憶部6を使用するMEM ACC
は選択回路(SEL)2での選択後3τ目から3τの間と1
1τ目から3τの間であり、BUSY区間の最初の*で示し
たタイミングでは(b)読み出しアクセス(FETCH)の
場合と同じく、このタイミングで発生した読み出しアク
セス(FETCH)及び部分書き込みアクセス(PARTIAL STO
RE)のみの選択回路(SEL)2への入力を禁止する。次
の○で示したタイミングでは、6τ目から10τ目迄の間
に、読み出しアクセスが可能であり、14τ以降に部分書
き込みアクセス(PARTIAL STORE)が可能であるため、
全書き込みアクセス(FULL STORE)だけを禁止すればよ
い。その次の◎及び*で示したタイミングでは(c)の
全書き込みアクセス(FULL STORE)の場合と同じく、◎
で示したタイミングでは全アクセス禁止、*で示したタ
イミングでは読み出しアクセス(FETCH)及び部分書き
込みアクセス(PARTIAL STORE)のみを禁止すれば良い
ことになる。
Similarly, (d) partial write access (PARTIAL
In case of STORE), MEM ACC that actually uses the storage unit 6
Is between the 3τ and 3τ after the selection in the selection circuit (SEL) 2 and 1
It is between 1τ and 3τ, and at the timing shown by * at the beginning of BUSY section, as in (b) Read access (FETCH), read access (FETCH) and partial write access (PARTIAL STO) occurred at this timing
Input to the selection circuit (SEL) 2 only for RE) is prohibited. At the timing shown by ○ below, read access is possible from 6τ to 10τ, and partial write access (PARTIAL STORE) is possible after 14τ.
Only full write access (FULL STORE) should be prohibited. At the subsequent timings indicated by ◎ and *, as in the case of full write access (FULL STORE) in (c), ◎
All access is prohibited at the timing shown by, and only read access (FETCH) and partial write access (PARTIAL STORE) are prohibited at the timing shown by *.

〔作用〕[Action]

即ち、本発明によれば、記憶部へのメモリアクセスの送
出に応答して制御され、アクセスする記憶部のビジー管
理単位であるメモリバンクに対応してビジー信号を送出
するビジー制御回路と、複数のポートからのメモリアク
セスより1つを選択して上記記憶部に送出する選択回路
とを備えて、上記記憶部へのメモリアクセスを制御する
アクセス制御部において、上記ビジー制御回路は、1タ
イミングサイクル毎に、上記メモリアクセスの種別を判
別して所定サイクルの間、上記選択回路への入力を禁止
するビジー信号を生成すると共に、先行する上記メモリ
アクセスによって生成されたビジー信号と、後続するメ
モリアクセスの種別に基づいて、上記選択回路への入力
を許可するように制御するするものであるので、従来方
式においては、ビジー期間中となる場合においても、ア
クセスの種類が異なれば、アクセスが可能なメモリアク
セスが存在することになり、メモリアクセスのスループ
ットを大幅に向上させることができる効果がある。
That is, according to the present invention, a busy control circuit which is controlled in response to sending of a memory access to a storage unit and sends a busy signal corresponding to a memory bank which is a busy management unit of the storage unit to be accessed; A selection circuit for selecting one of the memory accesses from the port and sending it to the storage unit, and in the access control unit for controlling the memory access to the storage unit, the busy control circuit has one timing cycle. Each time, the type of the memory access is determined and a busy signal for inhibiting the input to the selection circuit is generated for a predetermined cycle, and a busy signal generated by the preceding memory access and a subsequent memory access are generated. Since the control is performed so that the input to the selection circuit is permitted based on the type of Even when the in over time, different types of access, will be accessed is a memory access exists, the effect of the throughput of memory access can be greatly improved.

〔実施例〕〔Example〕

以下本発明の実施例を図面によって詳述する。 Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第2図は本発明の一実施例をブロック図で示したもの
で、第3図と同じ符号は同じ対象物を示し、デコーダ
(DEC)21,23及びB0(バンク0)用チェック回路24が本
発明を実施するのに必要な機能ブロックである。
FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. The same reference numerals as those in FIG. 3 denote the same objects, and the decoder (DEC) 21, 23 and B0 (bank 0) check circuit 24 are It is a functional block necessary for implementing the present invention.

先ず、ユニット0からポート(UOAC)1にメモリアクセ
ス情報がセットされると、該アクセスの種類を示すOPC
部がデコーダ(DEC)21でデコードされ、ビジー管理用
に使用されるバンクアドレス部分(AD)がデコーダ(DE
C)22によってデコードされる。
First, when memory access information is set from the unit 0 to the port (UOAC) 1, the OPC indicating the type of access is set.
Part is decoded by the decoder (DEC) 21, and the bank address part (AD) used for busy management is the decoder (DEC).
C) Decoded by 22.

デコーダ(DEC)21においては、第1図(a)のBUSYビ
ット(BIT)0,1に対応して定められている、禁止すべき
メモリアクセスの種類をデコードしている。
The decoder (DEC) 21 decodes the type of memory access to be prohibited, which is defined corresponding to the BUSY bits (BIT) 0, 1 in FIG.

即ち、該デコード出力の内、‘F'はFETCHアクセスを示
し、‘PST'はPARTIAL STOREアクセスを示し、‘FST'はF
ULL STOREアクセスを示している。
That is, in the decoded output, 'F' indicates FETCH access, 'PST' indicates PARTIAL STORE access, 'FST' indicates F
Indicates ULL STORE access.

デコーダ(DEC)23においては、バンク対応(即ち、B0
〜B3)に上記BUSYビット(BIT)0,1を出力し、上記B0
(バンク0)用チェック回路24において、図示の論理を
取ることにより、第1図(a)が示すアクセス禁止出力
を選択回路(SEL)2に入力することができる。
In the decoder (DEC) 23, bank correspondence (that is, B0
~ B3) outputs the above BUSY bits (BIT) 0, 1 to the above B0
In the (bank 0) check circuit 24, the access prohibition output shown in FIG. 1A can be input to the selection circuit (SEL) 2 by taking the illustrated logic.

前述のように、一般に、複数個の装置からのメモリアク
セスを集中制御する方式のシステムの場合、同一メモリ
バンクに対するアクセスがぶつかる可能性が多くなる
が、本発明を実施した場合には、該メモリアクセスの種
類が異なればアクセス可能となる場合があり、メモリア
クセスのスループットを大幅に向上させることが期待で
きるという特徴がある。
As described above, in general, in the case of a system of a method of centrally controlling memory access from a plurality of devices, there is a high possibility that access to the same memory bank will collide. It may be possible to access if the type of access is different, and it is expected that the throughput of memory access can be expected to be greatly improved.

〔発明の効果〕 以上、詳細に説明したように、本発明のメモリビジーチ
ェック方式は、記憶部へのメモリアクセスを制御するア
クセス制御回路において、メモリアクセスの種類によ
り、複数ビットからなるメモリビジー信号で表示できる
ビジーパターンを異なったシーケンスで生成する手段を
設けることにより、該メモリビジーパターンに対応し
て、選択的にメモリアクセスの禁止を行うことができる
ようにしたものであるので、従来方式においては、ビジ
ー期間中となる場合においても、アクセスの種類が異な
れば、アクセスが可能なメモリアクセスが存在すること
になり、メモリアクセスのスループットを大幅に向上さ
れることができる効果がある。
[Effects of the Invention] As described above in detail, in the memory busy check method of the present invention, in the access control circuit for controlling the memory access to the storage unit, a memory busy signal composed of a plurality of bits depending on the type of memory access. By providing a means for generating a busy pattern that can be displayed in a different sequence, it is possible to selectively prohibit the memory access corresponding to the memory busy pattern. Even if it is during the busy period, there is an accessible memory access if the type of access is different, and the memory access throughput can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明の概念を説明する図, 第2図は本発明の一実施例をブロック図で示した図, 第3図は従来のメモリアクセス回路をブロック図で示し
た図, 第4図は従来のメモリアクセス動作をタイムチャートで
示した図, である。 図面において、 1はポート(U0AC,U1AC,U2AC) 2は選択回路(SEL) 3はBUSY制御回路 4はセレクタ(SEL1) 5はメモリアドレスレジスタ(MAR) 6は記憶部(MEM) 7はリードデータレジスタ(MRD) 8書き込みデータレジスタ(MWR) 9はポート(U0WD,U1WD,U2WD) 10はセレクタ(SEL2) 11はレジスタ(WDa) 12はセレクタSEL3) 13はマージ回路(MERGE) 14はレジスタ(WDb) 21,22,23はデコーダ(DEC) 24はB0用チェック回路 1C,2C,3Cはチェック,訂正回路 T1,T2,T3〜T8はパイプライン をそれぞれ示す。
FIG. 1 is a diagram illustrating the concept of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram showing a conventional memory access circuit. The figure shows a conventional memory access operation in a time chart. In the drawing, 1 is a port (U0AC, U1AC, U2AC) 2 is a selection circuit (SEL) 3 is a BUSY control circuit 4 is a selector (SEL1) 5 is a memory address register (MAR) 6 is a storage unit (MEM) 7 is read data Register (MRD) 8 Write data register (MWR) 9 is port (U0WD, U1WD, U2WD) 10 is selector (SEL2) 11 is register (WDa) 12 is selector SEL3) 13 is merge circuit (MERGE) 14 is register (WDb ) 21,22,23 are decoders (DEC) 24 are B0 check circuits 1C, 2C, 3C are check circuits, and correction circuits T1, T2, T3 to T8 are pipelines, respectively.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】記憶部へのメモリアクセスの送出に応答し
て制御され、アクセスする記憶部のビジー管理単位であ
るメモリバンクに対応してビジー信号を送出するビジー
制御回路(3)と、複数のポートからのメモリアクセス
より1つを選択して上記記憶部に送出する選択回路
(2)とを備えて、上記記憶部へのメモリアクセスを制
御するアクセス制御装置において、 上記ビジー制御回路(3)は、1タイミングサイクル毎
に、先行するメモリアクセスの種別を判別して上記選択
回路(2)への後続するメモリアクセスの入力を禁止す
るビジー信号を生成すると共に、 先行するメモリアクセスによって生成されたビジー信号
と、後続するメモリアクセスの種別に基づいて、1タイ
ミングサイクル毎に、上記選択回路(2)への後続する
メモリアクセスの入力を許可することを特徴とするアク
セス制御装置。
1. A busy control circuit (3), which is controlled in response to sending of a memory access to a storage unit, and sends a busy signal corresponding to a memory bank, which is a busy management unit of the storage unit to be accessed, and a plurality of bus control circuits. And a selection circuit (2) for selecting one of the memory accesses from the port and sending it to the storage unit, the access control device controlling the memory access to the storage unit, the busy control circuit (3 ) Generates the busy signal for inhibiting the input of the subsequent memory access to the selection circuit (2) by discriminating the type of the preceding memory access for each timing cycle, and is generated by the preceding memory access. The busy signal and the type of the subsequent memory access, and the subsequent memory to the selection circuit (2) every timing cycle. Access control device and permits the input of the access.
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