JPH0743523A - 光学物品およびその製造方法 - Google Patents
光学物品およびその製造方法Info
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- JPH0743523A JPH0743523A JP20708293A JP20708293A JPH0743523A JP H0743523 A JPH0743523 A JP H0743523A JP 20708293 A JP20708293 A JP 20708293A JP 20708293 A JP20708293 A JP 20708293A JP H0743523 A JPH0743523 A JP H0743523A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】波長選択吸収性を付与するために金属微粒子を
均一に分散含有させた大面積の光学物品および、この光
学的物品を量産するための製造方法を提供する。 【構成】透明基体と、光透過性を有しかつこの透明基体
上に形成された薄膜と、この薄膜にイオン注入法にて注
入された少なくとも１種類の金属元素とによって光学物
品を構成する。また上記透明基体上に上記薄膜を形成
し、次いで上記金属元素を上記薄膜内にイオン注入法に
より打込むことで上記光学物品を製造する。
均一に分散含有させた大面積の光学物品および、この光
学的物品を量産するための製造方法を提供する。 【構成】透明基体と、光透過性を有しかつこの透明基体
上に形成された薄膜と、この薄膜にイオン注入法にて注
入された少なくとも１種類の金属元素とによって光学物
品を構成する。また上記透明基体上に上記薄膜を形成
し、次いで上記金属元素を上記薄膜内にイオン注入法に
より打込むことで上記光学物品を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、波長選択吸収性を備
える光学物品およびこの光学物品の製造方法の改良に関
する。
える光学物品およびこの光学物品の製造方法の改良に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来例としては、金属コロイド微粒子を
溶融法やゾルゲル法によってガラス中に含有させ、その
微粒子の特定波長に対する光吸収を利用して成る光フィ
ルタが公知である。
溶融法やゾルゲル法によってガラス中に含有させ、その
微粒子の特定波長に対する光吸収を利用して成る光フィ
ルタが公知である。
【０００３】あるいは半導体微粒子や金属超微粒子を、
ゾルゲル法やスパッタ法によってガラス質薄膜に含有さ
せたものも報告されている。
ゾルゲル法やスパッタ法によってガラス質薄膜に含有さ
せたものも報告されている。
【０００４】さらに金属元素をガラスの表面近傍にイオ
ン注入法にて含有させたものも報告されているが、この
場合には、上記ガラス内に形成された金属粒子の粒径や
形状が、注入条件に依存して決定されるという報告があ
る。
ン注入法にて含有させたものも報告されているが、この
場合には、上記ガラス内に形成された金属粒子の粒径や
形状が、注入条件に依存して決定されるという報告があ
る。
【０００５】ところでこのようにして製造された金属微
粒子含有ガラスや、半導体／金属超微粒子含有薄膜は、
紫外光や可視光の領域で波長選択的に光の吸収を示した
り、あるいは非線形光学特性を示すことが既に報告され
ている。なおこの現象は、微粒子中における伝導電子の
プラズマ振動や励起子によって生じるものと考えられて
いる。
粒子含有ガラスや、半導体／金属超微粒子含有薄膜は、
紫外光や可視光の領域で波長選択的に光の吸収を示した
り、あるいは非線形光学特性を示すことが既に報告され
ている。なおこの現象は、微粒子中における伝導電子の
プラズマ振動や励起子によって生じるものと考えられて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら金属元素
を溶融状態にあるガラスに添加する従来の方法ではその
含有量に限界があり、また分布の均質性にも問題が生じ
る。
を溶融状態にあるガラスに添加する従来の方法ではその
含有量に限界があり、また分布の均質性にも問題が生じ
る。
【０００７】また上記ゾルゲル法を使用した場合は、生
産性に問題があると共に、製造できる製品の大きさにも
限界がある。このため現在生産されている吸収ガラスフ
ィルタはその面積が小さい。
産性に問題があると共に、製造できる製品の大きさにも
限界がある。このため現在生産されている吸収ガラスフ
ィルタはその面積が小さい。
【０００８】次に上記スパッタ法を使用した場合は、上
記ガラス質薄膜に膜厚寸法の分布が存在すると同様に、
上記含有させた微粒子にも密度分布を生じるため、製品
の均質性を確保しながら大面積の製品を得ることが困難
である。
記ガラス質薄膜に膜厚寸法の分布が存在すると同様に、
上記含有させた微粒子にも密度分布を生じるため、製品
の均質性を確保しながら大面積の製品を得ることが困難
である。
【０００９】次に上記イオン注入法を使用した場合は、
実用的なソーダライムガラスを使用すると、ガラス中の
アルカリ成分と注入イオンとの間に相互作用を生じるお
それがある。このためアルカリ成分の少ないガラス、例
えば石英ガラスの使用が必要になって量産が困難とな
り、また大面積の製品が得難くなる。
実用的なソーダライムガラスを使用すると、ガラス中の
アルカリ成分と注入イオンとの間に相互作用を生じるお
それがある。このためアルカリ成分の少ないガラス、例
えば石英ガラスの使用が必要になって量産が困難とな
り、また大面積の製品が得難くなる。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は透明基体と、光
透過性を有しかつこの透明基体上に形成された薄膜と、
この薄膜にイオン注入法にて注入された少なくとも１種
類の金属元素とから成る光学物品に係るものである。
透過性を有しかつこの透明基体上に形成された薄膜と、
この薄膜にイオン注入法にて注入された少なくとも１種
類の金属元素とから成る光学物品に係るものである。
【００１１】上記金属はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉまたは
Ｆｅであるのがよい。なお貴金属元素を使用した場合
は、酸化しにくいこと並びに、一価イオンは拡散定数が
大きいことなどから、注入量が少なくとも容易に微粒子
が形成されるという利点がある。
Ｆｅであるのがよい。なお貴金属元素を使用した場合
は、酸化しにくいこと並びに、一価イオンは拡散定数が
大きいことなどから、注入量が少なくとも容易に微粒子
が形成されるという利点がある。
【００１２】次に上記薄膜は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｔ
ｉ、ＣｒおよびＺｒのうちの少なくとも１種類の元素の
酸化物または酸窒化物であるのがよい。
ｉ、ＣｒおよびＺｒのうちの少なくとも１種類の元素の
酸化物または酸窒化物であるのがよい。
【００１３】また上記透明基体は、安価であるソーダラ
イムガラス板であるのがよいが、その他のガラスであっ
ても、あるいは透明な合成樹脂板などであってもよい。
なおガラスの場合は、化学的安定性を有する点で有利で
ある。
イムガラス板であるのがよいが、その他のガラスであっ
ても、あるいは透明な合成樹脂板などであってもよい。
なおガラスの場合は、化学的安定性を有する点で有利で
ある。
【００１４】次に本発明は上記光学物品の製造方法に係
り、光透過性を有する薄膜を透明基体上に形成し、その
あと少なくとも１種類の金属元素をこの薄膜にイオン注
入法にて打ち込むことを特徴とする。
り、光透過性を有する薄膜を透明基体上に形成し、その
あと少なくとも１種類の金属元素をこの薄膜にイオン注
入法にて打ち込むことを特徴とする。
【００１５】
【実施例】以下本発明の実施例につき、図１〜４を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１６】実施例１
【００１７】透明基体として厚さ２．０ｍｍ、大きさ１
００ｍｍ×１００ｍｍのソーダライムガラス板を使用
し、予め研磨および洗滌を行なった。
００ｍｍ×１００ｍｍのソーダライムガラス板を使用
し、予め研磨および洗滌を行なった。
【００１８】次にｒｆマグネトロンスパッタ装置を使用
して、このソーダライムガラス板上にＳｉＯ2 薄膜を形
成した。なおその際上記ガラス板は、上記装置に付属す
るキャリアで水平に搬送された。またＳｉＯ2 ターゲッ
トの大きさは１２７ｍｍ×３８１ｍｍ、その厚さは５．
０ｍｍであり、投入されたｒｆ電力は４．５ｋｗであっ
た。
して、このソーダライムガラス板上にＳｉＯ2 薄膜を形
成した。なおその際上記ガラス板は、上記装置に付属す
るキャリアで水平に搬送された。またＳｉＯ2 ターゲッ
トの大きさは１２７ｍｍ×３８１ｍｍ、その厚さは５．
０ｍｍであり、投入されたｒｆ電力は４．５ｋｗであっ
た。
【００１９】スパッタガスはアルゴン、酸素の比が９：
１の混合ガスで、流量は５０ＳＣＣＭ（標準状態でのｃ
ｃ／分）、また導入ガス圧は３．０Ｔｏｒｒとなるよう
に排気速度が調整された。なお背圧は５×１０-6Ｔｏｒ
ｒ以下であった。
１の混合ガスで、流量は５０ＳＣＣＭ（標準状態でのｃ
ｃ／分）、また導入ガス圧は３．０Ｔｏｒｒとなるよう
に排気速度が調整された。なお背圧は５×１０-6Ｔｏｒ
ｒ以下であった。
【００２０】室温に保たれた上記ガラス板は、上記ター
ゲットの上方５０ｍｍの位置を２６ｍｍ／ｍｉｎの速度
で水平に搬送された。またその結果得られたＳｉＯ2 薄
膜は無色透明で、膜厚は３００ｎｍであり、波長６３
２．８ｎｍにおける屈折率は１．４５であった。
ゲットの上方５０ｍｍの位置を２６ｍｍ／ｍｉｎの速度
で水平に搬送された。またその結果得られたＳｉＯ2 薄
膜は無色透明で、膜厚は３００ｎｍであり、波長６３
２．８ｎｍにおける屈折率は１．４５であった。
【００２１】次にイオン注入装置を使用してＡｇイオン
が、上記ＳｉＯ2 薄膜のガラス板側ではない表面に注入
された。その際上記ガラス板は、水冷された銅製ホルダ
で保持された。
が、上記ＳｉＯ2 薄膜のガラス板側ではない表面に注入
された。その際上記ガラス板は、水冷された銅製ホルダ
で保持された。
【００２２】上記イオン注入は室温で行われ、真空圧は
１×１０-6Ｔｏｒｒであった。またビーム電流値と照射
時間との積は、ビーム中央の注入量が加速電圧７０ＫＶ
の下で７．０×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2 になるように調
節された。
１×１０-6Ｔｏｒｒであった。またビーム電流値と照射
時間との積は、ビーム中央の注入量が加速電圧７０ＫＶ
の下で７．０×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2 になるように調
節された。
【００２３】次に上記試料について透過電子顕微鏡（Ｔ
ＥＭ）による表面／断面観察、二次イオン質量分析計
（ＳＩＭＳ）およびラザフォード後方散乱（ＲＢＳ）に
よる深さ方向濃度分布の観察および、誘導コイルプラズ
マ原子発光分析（ＩＣＰ−ＡＥＳ）によるＡｇイオン含
有量の分析が行われた。
ＥＭ）による表面／断面観察、二次イオン質量分析計
（ＳＩＭＳ）およびラザフォード後方散乱（ＲＢＳ）に
よる深さ方向濃度分布の観察および、誘導コイルプラズ
マ原子発光分析（ＩＣＰ−ＡＥＳ）によるＡｇイオン含
有量の分析が行われた。
【００２４】そしてその結果、ビーム中心と対応する部
分における上記薄膜のＡｇイオン含有量が６．６２×１
０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2 と判断され、ほゞ設定値に等しい
ことが確認された。
分における上記薄膜のＡｇイオン含有量が６．６２×１
０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2 と判断され、ほゞ設定値に等しい
ことが確認された。
【００２５】次に上記深さ方向の濃度分布については、
深さ１５ｎｍの付近に急峻なピークが、また深さ５０ｎ
ｍの付近にブロードなピークの存在が確認された。図１
はＳＩＭＳによる薄膜深さとＡｇイオン検出強度との関
係線図で上記深さ方向のＡｇイオン濃度分布を示すが、
図の曲線は、コロイド粒子が形成された際、特徴的に出
現する２ピーク型（ｂｉｍｏｄａｌ）を示している。
深さ１５ｎｍの付近に急峻なピークが、また深さ５０ｎ
ｍの付近にブロードなピークの存在が確認された。図１
はＳＩＭＳによる薄膜深さとＡｇイオン検出強度との関
係線図で上記深さ方向のＡｇイオン濃度分布を示すが、
図の曲線は、コロイド粒子が形成された際、特徴的に出
現する２ピーク型（ｂｉｍｏｄａｌ）を示している。
【００２６】図２および３は、ＴＥＭによる試料の断面
および表面の観察結果を示すが、図２によると深さ１５
ｎｍ付近の上記急峻なピークは、粒径約３０ｎｍの金属
Ａｇから成る結晶質粒子と対応することが明らかであ
る。また深さ５０ｎｍ付近には大きな結晶粒子を認めな
いから、イオンが酸化物のような状態で分散しているも
のと考えられる。なお図３によると、上記粒径約３０ｎ
ｍの金属Ａｇの分散は均一であることがわかる。
および表面の観察結果を示すが、図２によると深さ１５
ｎｍ付近の上記急峻なピークは、粒径約３０ｎｍの金属
Ａｇから成る結晶質粒子と対応することが明らかであ
る。また深さ５０ｎｍ付近には大きな結晶粒子を認めな
いから、イオンが酸化物のような状態で分散しているも
のと考えられる。なお図３によると、上記粒径約３０ｎ
ｍの金属Ａｇの分散は均一であることがわかる。
【００２７】図４には試料の分光透過率測定結果を示
す。図によると波長４５０ｎｍの付近にやゞブロードな
吸収ピークが認められる。これは金属粒子中における伝
導電子のプラズマ振動に起因する。なお赤外線領域で
は、金属Ａｇ薄膜で見られた吸収ピークを認めない。
す。図によると波長４５０ｎｍの付近にやゞブロードな
吸収ピークが認められる。これは金属粒子中における伝
導電子のプラズマ振動に起因する。なお赤外線領域で
は、金属Ａｇ薄膜で見られた吸収ピークを認めない。
【００２８】実施例２
【００２９】実施例１と同様に、膜厚３００ｎｍのＳｉ
Ｏ2 薄膜をソーダライムガラス板上に形成し、Ｃｕイオ
ンをこの薄膜に注入した。なお注入に際しては実施例１
と同様、ビーム電流値と照射時間との積を、ビーム中央
の注入量が加速電圧７０ＫＶの下で７．０×１０16ｉｏ
ｎｓ／ｃｍ2 になるように調節した。
Ｏ2 薄膜をソーダライムガラス板上に形成し、Ｃｕイオ
ンをこの薄膜に注入した。なお注入に際しては実施例１
と同様、ビーム電流値と照射時間との積を、ビーム中央
の注入量が加速電圧７０ＫＶの下で７．０×１０16ｉｏ
ｎｓ／ｃｍ2 になるように調節した。
【００３０】実施例１の場合と同様の各種調査結果によ
れば、ビーム中心と対応する部分における上記薄膜のＣ
ｕイオン含有量は８．０７×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2 と
判断された。また深さ１００ｎｍ付近には、金属Ｃｕか
ら成る粒径約１０ｎｍの結晶質粒子が認められた。
れば、ビーム中心と対応する部分における上記薄膜のＣ
ｕイオン含有量は８．０７×１０16ｉｏｎｓ／ｃｍ2 と
判断された。また深さ１００ｎｍ付近には、金属Ｃｕか
ら成る粒径約１０ｎｍの結晶質粒子が認められた。
【００３１】実施例３
【００３２】ＳｉＯ2 薄膜の形成までは、実施例１、２
の場合と同様である。次いでこの薄膜にＴｉイオンを注
入したが、注入量は１×１０16〜４×１０17ｉｏｎｓ／
ｃｍ2 の範囲で４種類を選んだ。なお前記実施例と同様
の調査を行った結果、注入量が４×１０17ｉｏｎｓ／ｃ
ｍ2 のときに結晶質粒子の形成を認めた。
の場合と同様である。次いでこの薄膜にＴｉイオンを注
入したが、注入量は１×１０16〜４×１０17ｉｏｎｓ／
ｃｍ2 の範囲で４種類を選んだ。なお前記実施例と同様
の調査を行った結果、注入量が４×１０17ｉｏｎｓ／ｃ
ｍ2 のときに結晶質粒子の形成を認めた。
【００３３】実施例４
【００３４】ｒｆマグネトロンスパッタ装置を実施例
１、２、３の場合と同様に使用して、ソーダライムガラ
ス板上に厚さ３００ｎｍのＳｎＯ2 、ＴｉＯ2 およびＺ
ｒＯ2の薄膜をそれぞれ形成した。
１、２、３の場合と同様に使用して、ソーダライムガラ
ス板上に厚さ３００ｎｍのＳｎＯ2 、ＴｉＯ2 およびＺ
ｒＯ2の薄膜をそれぞれ形成した。
【００３５】スパッタガスは酸素であり、流量は１００
ＳＣＣＭ、また導入ガス圧は３．０ｍＴｏｒｒであっ
た。なお投入電力および上記ガラス板の搬送速度につい
ては、膜厚が３００ｎｍとなるように調節された。
ＳＣＣＭ、また導入ガス圧は３．０ｍＴｏｒｒであっ
た。なお投入電力および上記ガラス板の搬送速度につい
ては、膜厚が３００ｎｍとなるように調節された。
【００３６】得られた上記薄膜はほとんどが無色透明
で、吸収はきわめて低い（Ｋ＜０．０１）。また波長６
３２．８ｎｍにおける屈折率ｎは、ＳｎＯ2 、ＴｉＯ2
およびＺｒＯ2 の各薄膜についてそれぞれ２．０、２．
５および２．１であった。
で、吸収はきわめて低い（Ｋ＜０．０１）。また波長６
３２．８ｎｍにおける屈折率ｎは、ＳｎＯ2 、ＴｉＯ2
およびＺｒＯ2 の各薄膜についてそれぞれ２．０、２．
５および２．１であった。
【００３７】次に実施例１と同様にＡｇイオンが各薄膜
に注入されて、得られた試料につき分光透過率が測定さ
れた。
に注入されて、得られた試料につき分光透過率が測定さ
れた。
【００３８】その結果、上記ＳｎＯ2 、ＴｉＯ2 および
ＺｒＯ2 の各薄膜で、吸収ピークがそれぞれ５４０ｎ
ｍ、７２０ｎｍおよび６１０ｎｍの付近に認められた。
ＺｒＯ2 の各薄膜で、吸収ピークがそれぞれ５４０ｎ
ｍ、７２０ｎｍおよび６１０ｎｍの付近に認められた。
【００３９】ところで上記薄膜の形成にはｒｆマグネト
ロンスパッタ装置を使用したが、その他の公知である各
種真空成膜法、たとえば真空蒸着法をスパッタリング法
に代えて使用してもよい。
ロンスパッタ装置を使用したが、その他の公知である各
種真空成膜法、たとえば真空蒸着法をスパッタリング法
に代えて使用してもよい。
【００４０】またかくして形成される薄膜の厚さは、金
属イオンの打込み深さよりも大きくまたイオン注入にと
もなう表面エッチングの深さよりも大きいことが必要で
ある。なお多層膜化して光学特性を調整する場合は、透
明基体であるガラス板に金属イオンが少なくとも侵入し
ないよう、上記薄膜に最低限の厚さを与えることが好ま
しい。また上記薄膜として必要な厚さは、イオン注入時
の加速電圧を適切に選択することによって容易に調整す
ることができる。
属イオンの打込み深さよりも大きくまたイオン注入にと
もなう表面エッチングの深さよりも大きいことが必要で
ある。なお多層膜化して光学特性を調整する場合は、透
明基体であるガラス板に金属イオンが少なくとも侵入し
ないよう、上記薄膜に最低限の厚さを与えることが好ま
しい。また上記薄膜として必要な厚さは、イオン注入時
の加速電圧を適切に選択することによって容易に調整す
ることができる。
【００４１】次に上記イオンの注入に際しては、大口径
イオンビームを使用したり、あるいはイオンビームを走
査させたりすれば、金属微粒子の分散を均質化させるこ
とができる。またその結果大面積の製品も、容易に得る
ことができる。
イオンビームを使用したり、あるいはイオンビームを走
査させたりすれば、金属微粒子の分散を均質化させるこ
とができる。またその結果大面積の製品も、容易に得る
ことができる。
【００４２】次に薄膜における吸収波長域の制御は、適
当な屈折率を持つ膜物質を選択することによって容易に
達成することができる。なおこの考えは、多層光学デバ
イスの構成要素層に対しても容易に適用が可能である。
当な屈折率を持つ膜物質を選択することによって容易に
達成することができる。なおこの考えは、多層光学デバ
イスの構成要素層に対しても容易に適用が可能である。
【００４３】
【発明の効果】本発明では安価でしかも大面積が確保し
易いガラス板をその基体に使用することができる。
易いガラス板をその基体に使用することができる。
【００４４】また本発明では上記基体上に薄膜を形成
し、この薄膜に金属元素をイオン注入法にて注入するよ
うにしたから、そのプロセスを繰り返したり、あるいは
逆にドライエッチングを併用することによって、粒子分
散領域の厚さを容易に制御することができる。しかも上
記薄膜には、所望の屈折率を持った物質を選択できるた
めに、吸収波長域の制御も容易である。
し、この薄膜に金属元素をイオン注入法にて注入するよ
うにしたから、そのプロセスを繰り返したり、あるいは
逆にドライエッチングを併用することによって、粒子分
散領域の厚さを容易に制御することができる。しかも上
記薄膜には、所望の屈折率を持った物質を選択できるた
めに、吸収波長域の制御も容易である。
【図１】薄膜深さとＡｇイオン検出強度との関係線図
【図２】ＴＥＭによる薄膜断面の観察結果（倍率４０万
倍）を示す写真
倍）を示す写真
【図３】ＴＥＭによる薄膜表面の観察結果（倍率４０万
倍）を示す写真
倍）を示す写真
【図４】吸収波長と分光透過率との関係線図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 熊切 正 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 犬石 典之 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内
Claims (10)
- 【請求項１】透明基体と、光透過性を有しかつこの透明
基体上に形成された薄膜と、この薄膜にイオン注入法に
て注入された少なくとも１種類の金属元素とから成る光
学物品。 - 【請求項２】上記金属元素はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉま
たはＦｅである請求項１記載の光学物品。 - 【請求項３】上記薄膜はＳｉ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｃｒ
およびＺｒのうちの少なくとも１種類の元素の酸化物で
ある請求項１記載の光学物品。 - 【請求項４】上記薄膜はＳｉ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｃｒ
およびＺｒのうちの少なくとも１種類の元素の酸窒化物
である請求項１記載の光学物品。 - 【請求項５】上記透明基体はソーダライムガラス板であ
る請求項１記載の光学物品。 - 【請求項６】透明基体上に光透過性を有する薄膜を形成
し、少なくとも１種類の金属元素をこの薄膜にイオン注
入法にて打ち込むことを特徴とする光学物品の製造方
法。 - 【請求項７】Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＴｉおよびＦｅの中か
ら選択された金属元素を上記薄膜に打ち込む請求項６記
載の製造方法。 - 【請求項８】Ｓｉ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｔｉ、ＣｒおよびＺｒ
のうちの少なくとも１種類の元素の酸化物で上記薄膜を
形成する請求項６記載の製造方法。 - 【請求項９】Ｓｉ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｔｉ、ＣｒおよびＺｒ
のうちの少なくとも１種類の元素の酸窒化物で上記薄膜
を形成する請求項６記載の製造方法。 - 【請求項１０】上記透明基体にソーダライムガラス板を
使用する請求項６記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20708293A JPH0743523A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 光学物品およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20708293A JPH0743523A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 光学物品およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0743523A true JPH0743523A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16533905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20708293A Pending JPH0743523A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | 光学物品およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0743523A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658532A (en) * | 1994-09-30 | 1997-08-19 | Toa Medical Electronics Co., Ltd. | Cuvette and cuvette-transporting apparatus |
-
1993
- 1993-07-29 JP JP20708293A patent/JPH0743523A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5658532A (en) * | 1994-09-30 | 1997-08-19 | Toa Medical Electronics Co., Ltd. | Cuvette and cuvette-transporting apparatus |
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