JPH0741399A - シリコン単結晶の熱処理方法 - Google Patents
シリコン単結晶の熱処理方法Info
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- JPH0741399A JPH0741399A JP18854093A JP18854093A JPH0741399A JP H0741399 A JPH0741399 A JP H0741399A JP 18854093 A JP18854093 A JP 18854093A JP 18854093 A JP18854093 A JP 18854093A JP H0741399 A JPH0741399 A JP H0741399A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、チョクラルスキー法（以下、ＣＺ
法）により製造されたシリコン単結晶を用いて、該シリ
コン単結晶から切り出されたシリコンウェーハを鏡面加
工し、さらにアンモニア系洗浄を行った際に見られる
０．０７μｍ以上のエッチピットの発生を抑制するシリ
コン単結晶の熱処理方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明においては、先に１２００〜１４００
℃で高温熱処理した後、室温までの冷却過程において１
１００℃〜８５０℃の温度域を０．１℃／分〜１００℃
／分の速度で冷却する。好ましくは１℃／分〜２０℃／
分の速度で冷却する。
法）により製造されたシリコン単結晶を用いて、該シリ
コン単結晶から切り出されたシリコンウェーハを鏡面加
工し、さらにアンモニア系洗浄を行った際に見られる
０．０７μｍ以上のエッチピットの発生を抑制するシリ
コン単結晶の熱処理方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明においては、先に１２００〜１４００
℃で高温熱処理した後、室温までの冷却過程において１
１００℃〜８５０℃の温度域を０．１℃／分〜１００℃
／分の速度で冷却する。好ましくは１℃／分〜２０℃／
分の速度で冷却する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー法
（以下、ＣＺ法）により製造されたシリコン単結晶を用
いて、該シリコン単結晶から切り出されたシリコンウェ
ーハを鏡面加工し、さらにアンモニア系洗浄を行った際
にみられる０．０７μｍ以上のエッチピットの発生を抑
制するシリコン単結晶の熱処理方法に関する。
（以下、ＣＺ法）により製造されたシリコン単結晶を用
いて、該シリコン単結晶から切り出されたシリコンウェ
ーハを鏡面加工し、さらにアンモニア系洗浄を行った際
にみられる０．０７μｍ以上のエッチピットの発生を抑
制するシリコン単結晶の熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＺ法により製造されたシリコン単結晶
中には固溶酸素が含まれている。また、これらの固溶酸
素はシリコン単結晶の製造過程において析出し、微小酸
素析出物となる。さらに、シリコン単結晶の製造過程に
おいてこの微小酸素析出物からごくまれではあるが転位
ループ等の微小二次欠陥が発生することがある。該シリ
コン単結晶から切り出され、鏡面加工を施されたシリコ
ンウェーハの最表面に、この微小二次欠陥が存在する
と、その後のアンモニア系洗浄の際、０．０７μｍ以上
のエッチピットが形成される。エッチピット上にＬＳＩ
等の素子が形成されると、電界集中等が発生し、素子に
とって有害な影響を及ぼす。従って、歩留良くＬＳＩを
製造するにはアンモニア系洗浄の際にエッチピットを形
成する微小二次欠陥を、従来技術においてシリコン単結
晶から消去する技術が重要である。しかし、従来にはそ
のような技術は存在しなかった。
中には固溶酸素が含まれている。また、これらの固溶酸
素はシリコン単結晶の製造過程において析出し、微小酸
素析出物となる。さらに、シリコン単結晶の製造過程に
おいてこの微小酸素析出物からごくまれではあるが転位
ループ等の微小二次欠陥が発生することがある。該シリ
コン単結晶から切り出され、鏡面加工を施されたシリコ
ンウェーハの最表面に、この微小二次欠陥が存在する
と、その後のアンモニア系洗浄の際、０．０７μｍ以上
のエッチピットが形成される。エッチピット上にＬＳＩ
等の素子が形成されると、電界集中等が発生し、素子に
とって有害な影響を及ぼす。従って、歩留良くＬＳＩを
製造するにはアンモニア系洗浄の際にエッチピットを形
成する微小二次欠陥を、従来技術においてシリコン単結
晶から消去する技術が重要である。しかし、従来にはそ
のような技術は存在しなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、Ｃ
Ｚ法により製造されたシリコン単結晶から得られたシリ
コンウェーハを鏡面加工し、さらにアンモニア系洗浄し
た際に発生するエッチピットを抑制する、シリコン単結
晶の熱処理方法を提供することを目的とするものであ
る。
Ｚ法により製造されたシリコン単結晶から得られたシリ
コンウェーハを鏡面加工し、さらにアンモニア系洗浄し
た際に発生するエッチピットを抑制する、シリコン単結
晶の熱処理方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、先に１２００〜１４００℃で高温
熱処理した後、室温までの冷却過程において１１００℃
〜８５０℃の温度域を０．１℃／分〜１００℃／分の速
度で冷却する。好ましくは、１１００℃〜８５０℃の温
度域を１℃／分〜２０℃／分の速度で冷却する。１２０
０℃〜１４００℃の高温処理は１０分以上で効果がみら
れるが、好ましくは３０分以上である。シリコン単結晶
はウェーハであっても、ブロックであってもインゴット
であっても良い。
に本発明においては、先に１２００〜１４００℃で高温
熱処理した後、室温までの冷却過程において１１００℃
〜８５０℃の温度域を０．１℃／分〜１００℃／分の速
度で冷却する。好ましくは、１１００℃〜８５０℃の温
度域を１℃／分〜２０℃／分の速度で冷却する。１２０
０℃〜１４００℃の高温処理は１０分以上で効果がみら
れるが、好ましくは３０分以上である。シリコン単結晶
はウェーハであっても、ブロックであってもインゴット
であっても良い。
【０００５】
【作用】ＣＺ法によるシリコン単結晶の製造過程におい
て、融点から１２００℃までの高温域は、酸素析出の発
生核の導入を行う効果がある。１２００〜１１００℃の
温度域は、発生核の安定化を行う効果がある。１１００
℃以下の温度域では、発生核を中心として酸素析出が進
行し、微小酸素析出物を形成される。特に、１１００℃
〜８５０℃の温度域では、微小酸素析出物からごくまれ
に転位ループなどの微小二次欠陥が発生することがあ
る。
て、融点から１２００℃までの高温域は、酸素析出の発
生核の導入を行う効果がある。１２００〜１１００℃の
温度域は、発生核の安定化を行う効果がある。１１００
℃以下の温度域では、発生核を中心として酸素析出が進
行し、微小酸素析出物を形成される。特に、１１００℃
〜８５０℃の温度域では、微小酸素析出物からごくまれ
に転位ループなどの微小二次欠陥が発生することがあ
る。
【０００６】鏡面研磨されたシリコンウェーハの表面に
微小二次欠陥が存在した場合には、その後のアンモニア
系洗浄の際エッチングされて、０．０７μｍ以上のエッ
チピットを形成する。
微小二次欠陥が存在した場合には、その後のアンモニア
系洗浄の際エッチングされて、０．０７μｍ以上のエッ
チピットを形成する。
【０００７】通常の方法で製造されるＣＺシリコン単結
晶は、１１００℃〜８５０℃の温度域の滞在時間が長い
ため、微小酸素析出物から低密度の微小二次欠陥が発生
し、それがアンモニア系洗浄で見られる０．０７μｍ以
上のエッチピットの原因となっていた。
晶は、１１００℃〜８５０℃の温度域の滞在時間が長い
ため、微小酸素析出物から低密度の微小二次欠陥が発生
し、それがアンモニア系洗浄で見られる０．０７μｍ以
上のエッチピットの原因となっていた。
【０００８】一方、育成したままの状態の通常のシリコ
ン単結晶を、１２００℃以上の高温に保持することによ
り、微小二次欠陥を溶解し、その後、１１００℃〜８５
０℃の温度域を０．１℃／分以上の冷却速度で冷却する
ことにより、微小二次欠陥の発生を完全に抑制すること
ができるため、アンモニア系洗浄後に発生する０．０７
μｍ以上のエッチピットを抑制することができる。ま
た、１℃／分以上の冷却速度で冷却することによりその
効果はより強くなるため、１℃／分以上の冷却速度で冷
却することが好ましい。ただし、１４００℃を越える温
度での熱処理は融点直下であるために危険であり、製造
技術としては不向きである。また、１１００℃〜８５０
℃の温度域の冷却速度が２０℃／分を越えると、急冷凍
結欠陥と呼ばれる非常に安定な異種の欠陥が発生しはじ
め、１００℃／分を越えると著しく高密度に形成される
ため、冷却速度は１００℃／分以下としなければならな
い。また、２０℃／分以下の冷却速度で冷却することが
好ましい。
ン単結晶を、１２００℃以上の高温に保持することによ
り、微小二次欠陥を溶解し、その後、１１００℃〜８５
０℃の温度域を０．１℃／分以上の冷却速度で冷却する
ことにより、微小二次欠陥の発生を完全に抑制すること
ができるため、アンモニア系洗浄後に発生する０．０７
μｍ以上のエッチピットを抑制することができる。ま
た、１℃／分以上の冷却速度で冷却することによりその
効果はより強くなるため、１℃／分以上の冷却速度で冷
却することが好ましい。ただし、１４００℃を越える温
度での熱処理は融点直下であるために危険であり、製造
技術としては不向きである。また、１１００℃〜８５０
℃の温度域の冷却速度が２０℃／分を越えると、急冷凍
結欠陥と呼ばれる非常に安定な異種の欠陥が発生しはじ
め、１００℃／分を越えると著しく高密度に形成される
ため、冷却速度は１００℃／分以下としなければならな
い。また、２０℃／分以下の冷却速度で冷却することが
好ましい。
【０００９】この一連の熱処理の効果は、シリコン単結
晶がウェーハである場合に最も大きいが、インゴットあ
るいはブロックであっても充分な効果を持つ。
晶がウェーハである場合に最も大きいが、インゴットあ
るいはブロックであっても充分な効果を持つ。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて説明するが、
本発明がこれらの実施例の記載によって制限されるもの
でないことは言うまでもない。
本発明がこれらの実施例の記載によって制限されるもの
でないことは言うまでもない。
【００１１】実施例１ 試料として、以下のシリコン単結晶を用意した。 （１）シリコンウェーハ 用いたシリコンウェーハは以下の通りである。 伝導型：ｐ型（ボロンドープ） 結晶径（ウェーハ径）：６インチ（１５０ｍｍ） 抵抗率：１０Ω・ｃｍ 酸素濃度：９．３〜９．５×１０17atoms/cc（日本電子
工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17atoms/cc （日本電子
工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） 熱処理を施すウェーハの厚み：０．６２５（ｍｍ） （２）シリコンブロック 用いたシリコンブロックは以下の通りである。 伝導型：ｐ型（ボロンドープ） 結晶サイズ：１００×１００×１００ｍｍ 抵抗率：１０Ω・ｃｍ 酸素濃度：７．２〜７．５×１０17atoms/cc（日本電子
工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17atoms/cc （日本電子
工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） （３）シリコンインゴット 用いたシリコンインゴットは以下の通りである。 伝導型：ｎ型（Ｐドープ） 結晶径：６インチ用（１６０ｍｍ） 抵抗率：２Ω・ｃｍ 酸素濃度：９．８〜１０．０×１０17atoms/cc（日本電
子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17atoms/cc （日本電子
工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） インゴット直胴部長さ：７００（ｍｍ） これらのウェーハあるいはブロックあるいはインゴット
に対し、それぞれに次の本発明熱処理を行った。 熱処理温度：１３５０℃ 熱処理時間：１２０分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行った後１１００℃まで降温し、続い
て １１００℃〜８５０℃の温度域を 冷却速度：１０℃／分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行った。このウェーハ、あるいはブロ
ックから切り出したウェーハ、あるいはインゴットから
切り出したウェーハの表面を鏡面加工した上でアンモニ
ア系洗浄液ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５
を用いて洗浄し、周知のパーティクル測定装置にて０．
０７μ以上のエッチピット密度を測定し、その結果を表
１に示した。表１に示されるように０．０７μｍ以上の
エッチピット密度は低く、本発明熱処理を施したウェー
ハ、あるいはシリコンブロックないしインゴットから切
り出されたウェーハは、アンモニア系洗浄液で洗浄した
際に発生する０．０７μｍ以上のエッチピットが抑制さ
れていることを示している。
工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17atoms/cc （日本電子
工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） 熱処理を施すウェーハの厚み：０．６２５（ｍｍ） （２）シリコンブロック 用いたシリコンブロックは以下の通りである。 伝導型：ｐ型（ボロンドープ） 結晶サイズ：１００×１００×１００ｍｍ 抵抗率：１０Ω・ｃｍ 酸素濃度：７．２〜７．５×１０17atoms/cc（日本電子
工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17atoms/cc （日本電子
工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） （３）シリコンインゴット 用いたシリコンインゴットは以下の通りである。 伝導型：ｎ型（Ｐドープ） 結晶径：６インチ用（１６０ｍｍ） 抵抗率：２Ω・ｃｍ 酸素濃度：９．８〜１０．０×１０17atoms/cc（日本電
子工業振興協会による酸素濃度換算係数を用いて算出） 炭素濃度：＜１．０×１０17atoms/cc （日本電子
工業振興協会による炭素濃度換算係数を用いて算出） インゴット直胴部長さ：７００（ｍｍ） これらのウェーハあるいはブロックあるいはインゴット
に対し、それぞれに次の本発明熱処理を行った。 熱処理温度：１３５０℃ 熱処理時間：１２０分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行った後１１００℃まで降温し、続い
て １１００℃〜８５０℃の温度域を 冷却速度：１０℃／分 熱処理雰囲気：Ａｒ の条件で熱処理を行った。このウェーハ、あるいはブロ
ックから切り出したウェーハ、あるいはインゴットから
切り出したウェーハの表面を鏡面加工した上でアンモニ
ア系洗浄液ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５
を用いて洗浄し、周知のパーティクル測定装置にて０．
０７μ以上のエッチピット密度を測定し、その結果を表
１に示した。表１に示されるように０．０７μｍ以上の
エッチピット密度は低く、本発明熱処理を施したウェー
ハ、あるいはシリコンブロックないしインゴットから切
り出されたウェーハは、アンモニア系洗浄液で洗浄した
際に発生する０．０７μｍ以上のエッチピットが抑制さ
れていることを示している。
【００１２】実施例２ ＣＺ法で育成されたシリコンインゴットの種結晶側から
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理条件の内、熱処理工程
の冷却速度を１℃／分とした以外は同様の条件で熱処理
を施し、表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗浄液Ｎ
Ｈ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて洗浄
し、周知のパーティクル測定装置にて０．０７μ以上の
エッチピット密度を測定し、その結果を実施例１にあわ
せて表１に示した。表１に示されるように０．０７μｍ
以上のエッチピット密度はいずれも低く、エッチピット
の発生が抑制されていることを示している。
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理条件の内、熱処理工程
の冷却速度を１℃／分とした以外は同様の条件で熱処理
を施し、表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗浄液Ｎ
Ｈ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて洗浄
し、周知のパーティクル測定装置にて０．０７μ以上の
エッチピット密度を測定し、その結果を実施例１にあわ
せて表１に示した。表１に示されるように０．０７μｍ
以上のエッチピット密度はいずれも低く、エッチピット
の発生が抑制されていることを示している。
【００１３】実施例３ ＣＺ法で育成されたシリコンインゴットの種結晶側から
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理条件の内、熱処理工程
の冷却速度を２０℃／分とした以外は同様の条件で熱処
理を施し、表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗浄液
ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて洗
浄し、周知のパーティクル測定装置にて０．０７μ以上
のエッチピット密度を測定し、その結果を実施例１にあ
わせて表１に示した。表１に示されるように０．０７μ
ｍ以上のエッチピット密度はいずれも低く、エッチピッ
トの発生が抑制されていることを示している。
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理条件の内、熱処理工程
の冷却速度を２０℃／分とした以外は同様の条件で熱処
理を施し、表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗浄液
ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて洗
浄し、周知のパーティクル測定装置にて０．０７μ以上
のエッチピット密度を測定し、その結果を実施例１にあ
わせて表１に示した。表１に示されるように０．０７μ
ｍ以上のエッチピット密度はいずれも低く、エッチピッ
トの発生が抑制されていることを示している。
【００１４】実施例４ ＣＺ法で育成されたシリコンインゴットの種結晶側から
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理条件の内、熱処理工程
の冷却速度を０．１℃／分とした以外は同様の条件で熱
処理を施し、表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗浄
液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて
洗浄し、周知のパーティクル測定装置にて０．０７μ以
上のエッチピット密度を測定し、その結果を実施例１に
あわせて表１に示した。表１に示されるように０．０７
μｍ以上のエッチピット密度はいずれも低く、エッチピ
ットの発生が抑制されていることを示している。
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理条件の内、熱処理工程
の冷却速度を０．１℃／分とした以外は同様の条件で熱
処理を施し、表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗浄
液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて
洗浄し、周知のパーティクル測定装置にて０．０７μ以
上のエッチピット密度を測定し、その結果を実施例１に
あわせて表１に示した。表１に示されるように０．０７
μｍ以上のエッチピット密度はいずれも低く、エッチピ
ットの発生が抑制されていることを示している。
【００１５】実施例５ ＣＺ法で育成されたシリコンインゴットの種結晶側から
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理条件の内、熱処理工程
の冷却速度を１００℃／分とした以外は同様の条件で熱
処理を施し、表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗浄
液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて
洗浄し、周知のパーティクル測定装置にて０．０７μ以
上のエッチピット密度を測定し、その結果を実施例１に
あわせて表１に示した。表１に示されるように０．０７
μｍ以上のエッチピット密度はいずれも低く、エッチピ
ットの発生が抑制されていることを示している。
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理条件の内、熱処理工程
の冷却速度を１００℃／分とした以外は同様の条件で熱
処理を施し、表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗浄
液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて
洗浄し、周知のパーティクル測定装置にて０．０７μ以
上のエッチピット密度を測定し、その結果を実施例１に
あわせて表１に示した。表１に示されるように０．０７
μｍ以上のエッチピット密度はいずれも低く、エッチピ
ットの発生が抑制されていることを示している。
【００１６】比較例１ ＣＺ法で育成されたシリコンインゴットの種結晶側から
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理工程および行わず、
表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗浄液ＮＨ4 Ｏ
Ｈ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて洗浄し、周
知のパーティクル測定装置にて０．０７μ以上のエッチ
ピット密度を測定し、その結果を実施例１にあわせて表
１に示した。表１に示されるように０．０７μｍ以上の
エッチピット密度はいずれも高く、エッチピットの発生
が抑制されていないことを示している。
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理工程および行わず、
表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗浄液ＮＨ4 Ｏ
Ｈ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて洗浄し、周
知のパーティクル測定装置にて０．０７μ以上のエッチ
ピット密度を測定し、その結果を実施例１にあわせて表
１に示した。表１に示されるように０．０７μｍ以上の
エッチピット密度はいずれも高く、エッチピットの発生
が抑制されていないことを示している。
【００１７】比較例２ ＣＺ法で育成されたシリコンインゴットの種結晶側から
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理条件の内、熱処理工程
の熱処理温度を１１９０℃とした以外は同様の条件で熱
処理を施し、表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗浄
液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて
洗浄し、周知のパーティクル測定装置にて０．０７μ以
上のエッチピット密度を測定し、その結果を実施例１に
あわせて表１に示した。表１に示されるように０．０７
μｍ以上のエッチピット密度はいずれも高く、エッチピ
ットの発生が抑制されていないことを示している。
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理条件の内、熱処理工程
の熱処理温度を１１９０℃とした以外は同様の条件で熱
処理を施し、表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗浄
液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて
洗浄し、周知のパーティクル測定装置にて０．０７μ以
上のエッチピット密度を測定し、その結果を実施例１に
あわせて表１に示した。表１に示されるように０．０７
μｍ以上のエッチピット密度はいずれも高く、エッチピ
ットの発生が抑制されていないことを示している。
【００１８】比較例３ ＣＺ法で育成されたシリコンインゴットの種結晶側から
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理条件の内、熱処理工程
の冷却速度を１１０℃／分とした以外は同様の条件で熱
処理を施し、表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗浄
液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて
洗浄し、周知のパーティクル測定装置にて０．０７μ以
上のエッチピット密度を測定し、その結果を実施例１に
あわせて表１に示した。表１に示されるように０．０７
μｍ以上のエッチピット密度はいずれも高く、エッチピ
ットの発生が抑制されていないことを示している。
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理条件の内、熱処理工程
の冷却速度を１１０℃／分とした以外は同様の条件で熱
処理を施し、表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗浄
液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用いて
洗浄し、周知のパーティクル測定装置にて０．０７μ以
上のエッチピット密度を測定し、その結果を実施例１に
あわせて表１に示した。表１に示されるように０．０７
μｍ以上のエッチピット密度はいずれも高く、エッチピ
ットの発生が抑制されていないことを示している。
【００１９】比較例４ ＣＺ法で育成されたシリコンインゴットの種結晶側から
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理条件の内、熱処理工程
の冷却速度を０．０５℃／分とする以外は同様の条件で
熱処理を施し、表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗
浄液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用い
て洗浄し、周知のパーティクル測定装置にて０．０７μ
以上のエッチピット密度を測定し、その結果を実施例１
にあわせて表１に示した。表１に示されるように０．０
７μｍ以上のエッチピット密度はいずれも高く、エッチ
ピットの発生が抑制されていないことを示している。
液面側までの任意の部位から切り出されたシリコンウェ
ーハに対し、実施例１の熱処理条件の内、熱処理工程
の冷却速度を０．０５℃／分とする以外は同様の条件で
熱処理を施し、表面を鏡面加工した上でアンモニア系洗
浄液ＮＨ4 ＯＨ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：５を用い
て洗浄し、周知のパーティクル測定装置にて０．０７μ
以上のエッチピット密度を測定し、その結果を実施例１
にあわせて表１に示した。表１に示されるように０．０
７μｍ以上のエッチピット密度はいずれも高く、エッチ
ピットの発生が抑制されていないことを示している。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【発明の効果】本発明の熱処理方法を行なうことによ
り、シリコンウェーハを鏡面加工した後、さらにアンモ
ニア系洗浄を行った際にみられる０．０７μｍ以上のエ
ッチピットの発生を抑制することができるため、表面凹
凸が少なくＭＯＳデバイス用ウェーハに適する。
り、シリコンウェーハを鏡面加工した後、さらにアンモ
ニア系洗浄を行った際にみられる０．０７μｍ以上のエ
ッチピットの発生を抑制することができるため、表面凹
凸が少なくＭＯＳデバイス用ウェーハに適する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内藤 俊太 山口県光市大字島田3434番地 ニッテツ電 子株式会社内 (72)発明者 中靜 恒夫 山口県光市大字島田3434番地 新日本製鐵 株式会社光製鐵所内
Claims (5)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法で製造されたシリコ
ン単結晶を、先に１２００〜１４００℃で高温熱処理し
た後、室温までの冷却過程において１１００℃〜８５０
℃の温度域を０．１℃／分〜１００℃／分の速度で冷却
することを特徴とするシリコン単結晶の熱処理方法。 - 【請求項２】 チョクラルスキー法で製造されたシリコ
ン単結晶を、先に１２００〜１４００℃で高温熱処理し
た後、室温までの冷却過程において１１００℃〜８５０
℃の温度域を１℃／分〜２０℃／分の速度で冷却するこ
とを特徴とするシリコン単結晶の熱処理方法。 - 【請求項３】 シリコン単結晶がシリコンウェーハであ
ることを特徴とする請求項１記載のシリコン単結晶の熱
処理方法。 - 【請求項４】 シリコン単結晶がシリコンインゴットあ
るいはシリコンブロックであることを特徴とする請求項
１記載のシリコン単結晶の熱処理方法。 - 【請求項５】 請求項１の方法で製造されたシリコン単
結晶であって、該シリコン単結晶から切り出されたシリ
コンウェーハを鏡面加工し、加えてアンモニア系洗浄を
行った際に、０．０７μｍ以上のエッチピットの発生が
抑制されていることを特徴とするシリコン単結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18854093A JPH0741399A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | シリコン単結晶の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18854093A JPH0741399A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | シリコン単結晶の熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0741399A true JPH0741399A (ja) | 1995-02-10 |
Family
ID=16225500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18854093A Pending JPH0741399A (ja) | 1993-07-29 | 1993-07-29 | シリコン単結晶の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0741399A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006315950A (ja) * | 1996-09-12 | 2006-11-24 | Siltronic Ag | 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法 |
| JP2009035481A (ja) * | 2008-09-24 | 2009-02-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハ |
| JP2010030856A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sumco Corp | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ |
| JP2015191970A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用電極板及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-07-29 JP JP18854093A patent/JPH0741399A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006315950A (ja) * | 1996-09-12 | 2006-11-24 | Siltronic Ag | 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法 |
| JP2011042576A (ja) * | 1996-09-12 | 2011-03-03 | Siltronic Ag | 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法 |
| JP2010030856A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sumco Corp | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンエピタキシャルウェーハ |
| JP2009035481A (ja) * | 2008-09-24 | 2009-02-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウエーハ |
| JP2015191970A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 三菱マテリアル株式会社 | プラズマ処理装置用電極板及びその製造方法 |
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