JPH0740153B2 - X線受像装置 - Google Patents
X線受像装置Info
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- JPH0740153B2 JPH0740153B2 JP61023933A JP2393386A JPH0740153B2 JP H0740153 B2 JPH0740153 B2 JP H0740153B2 JP 61023933 A JP61023933 A JP 61023933A JP 2393386 A JP2393386 A JP 2393386A JP H0740153 B2 JPH0740153 B2 JP H0740153B2
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Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
- Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はX線受像装置に係り、特にX線像に対応する
電荷像を形成し、それを電気的に読み取ることのできる
X線受像装置に関する。
電荷像を形成し、それを電気的に読み取ることのできる
X線受像装置に関する。
通常のX線受像装置は、医用、産業用を問わず、画像蓄
積媒体として銀ハトゲン系のX線フィルムが多く用いら
れている。しかし、画像処理や画像伝送の要求から、最
近はデジタルラジオグラフィと言われている分野が注目
されはじめており、新しいイメージプレートと画像読取
り装置の開発が活発である。一例として第3図に示すX
線受像装置を説明する。イメージプレートとしてはAl基
盤17上にアモルファスセレン膜18を蒸着したものを使用
している。イメージプレートは最初にコロナ放電により
表面が一様に帯電されているが、X線照射後は図に示す
如く、X線像に対応して電荷が分布している。191〜4
は静電誘導型プローブで、駆動装置4によりイメージプ
レートに約50μm接近した状態でXYスキャンされる。ス
キャン中に各プローブから得られる電位信号は増幅器20
1〜4を経て画像処理装置21に入力される。最終的には
画像メモリ装置22に蓄積され、必要に応じて表示装置23
に表示される。(L.S.Jeromin and L.M.Klynn:″Electr
onic Recording of X-ray Images″,Journal of Applie
d Phtographic Engineering,5,4,pp.183-189 Fall,197
9) 上記で説明した従来例の問題点あるいは改良すべき点を
以下に示す。
積媒体として銀ハトゲン系のX線フィルムが多く用いら
れている。しかし、画像処理や画像伝送の要求から、最
近はデジタルラジオグラフィと言われている分野が注目
されはじめており、新しいイメージプレートと画像読取
り装置の開発が活発である。一例として第3図に示すX
線受像装置を説明する。イメージプレートとしてはAl基
盤17上にアモルファスセレン膜18を蒸着したものを使用
している。イメージプレートは最初にコロナ放電により
表面が一様に帯電されているが、X線照射後は図に示す
如く、X線像に対応して電荷が分布している。191〜4
は静電誘導型プローブで、駆動装置4によりイメージプ
レートに約50μm接近した状態でXYスキャンされる。ス
キャン中に各プローブから得られる電位信号は増幅器20
1〜4を経て画像処理装置21に入力される。最終的には
画像メモリ装置22に蓄積され、必要に応じて表示装置23
に表示される。(L.S.Jeromin and L.M.Klynn:″Electr
onic Recording of X-ray Images″,Journal of Applie
d Phtographic Engineering,5,4,pp.183-189 Fall,197
9) 上記で説明した従来例の問題点あるいは改良すべき点を
以下に示す。
(1)読み取りは、プローブのX−Yスキャンを利用し
ているので、読み取り時間の短縮化に限界がある。現在
のシステムでは約45秒を要している。
ているので、読み取り時間の短縮化に限界がある。現在
のシステムでは約45秒を要している。
(2)アモルファス半導体膜上に形成される電荷分布像
は、転写することなく、保持状態で読み出されるため、
電荷の暗減衰が読み出し中に生じ、画像の劣化が生ず
る。
は、転写することなく、保持状態で読み出されるため、
電荷の暗減衰が読み出し中に生じ、画像の劣化が生ず
る。
この発明は上述した従来のX線受像装置の欠点を改良し
たもので、高速読み取りが可能で、暗減衰による画像劣
化が小さいX線装置を提供することを目的とする。
たもので、高速読み取りが可能で、暗減衰による画像劣
化が小さいX線装置を提供することを目的とする。
本発明はX線強度分布に対応した電荷分布像を形成する
半導体膜上に絶縁膜を接触させて電荷を転写し、次にと
の絶縁膜をドラムに巻きつけ、高速回転させながら、電
荷検出プローブを移動して電荷分布を電気信号に変換
し、X線画像をデジタルメモリに記憶させる点にある。
半導体膜上に絶縁膜を接触させて電荷を転写し、次にと
の絶縁膜をドラムに巻きつけ、高速回転させながら、電
荷検出プローブを移動して電荷分布を電気信号に変換
し、X線画像をデジタルメモリに記憶させる点にある。
本発明により初めて得られる効果は次の点である。
(1)電荷分布の読み取りは、高速回転ドラムを用いる
ので、読み取り時間の短縮化(10秒以下)が容易であ
る。
ので、読み取り時間の短縮化(10秒以下)が容易であ
る。
(2)半導体膜上の電荷分布は絶縁膜へ転写されるた
め、暗減衰による読し出し中の画像劣化が生じにくい。
め、暗減衰による読し出し中の画像劣化が生じにくい。
本発明の実施例を第1図,第2図を用いて説明する。第
1図は動作原理(a)から(g)まで順を追って説明す
るためのもので、第2図は全体のシステム概念図であ
る。
1図は動作原理(a)から(g)まで順を追って説明す
るためのもので、第2図は全体のシステム概念図であ
る。
先ず第1図(a)に示すように、アルミニウム膜1が蒸
着されているポリエステル膜(絶縁膜)2を導体ドラム
3に巻き付けて回転させながらコロナ帯電器4で、ポリ
エステル膜2表面上に正電荷を帯電させる。このときポ
リエステル膜2表面上には全面に正電荷が分布し、裏面
には全面に負電荷が分布する。
着されているポリエステル膜(絶縁膜)2を導体ドラム
3に巻き付けて回転させながらコロナ帯電器4で、ポリ
エステル膜2表面上に正電荷を帯電させる。このときポ
リエステル膜2表面上には全面に正電荷が分布し、裏面
には全面に負電荷が分布する。
次に第1図(b)に示すように、Al基板5、CsI膜(螢
光体膜)6、ITO(Indium Tin Oxide)膜(透明導電
膜)7、アモルファスシリコン膜8からなる四層膜基板
に、表面全体に正電荷が分布しているポリエステル膜2
を密着させる。このとき、導体ドラム3は接地電極9に
よって接地されている。一方、ITO膜7はスイッチ10に
よって接地可能な状態で開放されている。こうして第1
図(c)に示すように四層膜基板に、表面が正電荷、裏
面が負電荷に帯電されたポリエステル膜を設ける。この
状態でX線照射を待つ。
光体膜)6、ITO(Indium Tin Oxide)膜(透明導電
膜)7、アモルファスシリコン膜8からなる四層膜基板
に、表面全体に正電荷が分布しているポリエステル膜2
を密着させる。このとき、導体ドラム3は接地電極9に
よって接地されている。一方、ITO膜7はスイッチ10に
よって接地可能な状態で開放されている。こうして第1
図(c)に示すように四層膜基板に、表面が正電荷、裏
面が負電荷に帯電されたポリエステル膜を設ける。この
状態でX線照射を待つ。
第1図(d)にX線が照査された直後の状態を示す。ス
イッチ10はX線照射直前に短絡され、アモルファスシリ
コン膜8にバイアス電圧が印加される。X線照射によっ
てCsI膜6が発光し、この光がアモルファスシリコン膜
8に入射され光電効果によって電子正孔対を形成する。
この電子正孔対は印加されたバイアスにそれぞれ導かれ
て、電子はポリエステル膜2表面に帯電されている正電
荷除電し、正孔はスイッチ10を介してアースされる。こ
うしてX線分布に対応した電荷分布がポリエステル膜2
に形成される。
イッチ10はX線照射直前に短絡され、アモルファスシリ
コン膜8にバイアス電圧が印加される。X線照射によっ
てCsI膜6が発光し、この光がアモルファスシリコン膜
8に入射され光電効果によって電子正孔対を形成する。
この電子正孔対は印加されたバイアスにそれぞれ導かれ
て、電子はポリエステル膜2表面に帯電されている正電
荷除電し、正孔はスイッチ10を介してアースされる。こ
うしてX線分布に対応した電荷分布がポリエステル膜2
に形成される。
次に第1図(e)に示すようにX線照射後スイッチ10が
直ちに開放され、前述した電荷分布がスイッチ10を介し
て逃げないようにする。次に表面に電荷分布を有してい
るポリエステル膜2を再び導体ドラム3に巻き取る。
直ちに開放され、前述した電荷分布がスイッチ10を介し
て逃げないようにする。次に表面に電荷分布を有してい
るポリエステル膜2を再び導体ドラム3に巻き取る。
第1図(f)に示すようにポリエステル膜2上の電荷分
布は、導体ドラム3を高速回転させながら、電荷検出プ
ローブ11で検出されていく。電荷検出プローブ11からの
電荷信号は増幅器12を経て、画像処理蓄積装置13に入力
され、必要に応じて画像表示装置14でディスプレイされ
る。
布は、導体ドラム3を高速回転させながら、電荷検出プ
ローブ11で検出されていく。電荷検出プローブ11からの
電荷信号は増幅器12を経て、画像処理蓄積装置13に入力
され、必要に応じて画像表示装置14でディスプレイされ
る。
第1図(g)は電荷読み取り時の電荷検出プローブ11の
動きを立体的にとらえたもので、プローブ11は導体ドラ
ムの軸と平行して移動し、ポリエステル膜2の全領域を
カバーする。プローブの数は多いほど読み取りに要する
時間は短くなる。
動きを立体的にとらえたもので、プローブ11は導体ドラ
ムの軸と平行して移動し、ポリエステル膜2の全領域を
カバーする。プローブの数は多いほど読み取りに要する
時間は短くなる。
第2図は第1図(a)から(g)までのプロセスを実現
したシステムの概念図である。図中の矢印からは、
導体ドラムの移動順を示している。プロセス順に説明す
ると以下の通りである。
したシステムの概念図である。図中の矢印からは、
導体ドラムの移動順を示している。プロセス順に説明す
ると以下の通りである。
第2図中、15は導体ドラムのガイド機構、16は筐体であ
る。
る。
第1図と第2図で説明した発明の実施例は、ポリエステ
ル膜2を導体ドラム3へ脱着するプロセスが含まれてい
るが、第4図に示すように導体ドラムへポリエステル膜
を巻きつけたままで同様なシステムを構成することがで
きる。導体ドラムとコロナ帯電器は一体化していて、X
線照射直前に(i)の状態から(ii)の状態へ移る。X
線照射後は、直ちに(ii)の状態から(iii)の状態へ
移り、そのときポリエステル膜表面にX線強度分布に対
応した電荷像が転写される。その他のプロセスに関して
は、前述の発明例と基本的に同一である。
ル膜2を導体ドラム3へ脱着するプロセスが含まれてい
るが、第4図に示すように導体ドラムへポリエステル膜
を巻きつけたままで同様なシステムを構成することがで
きる。導体ドラムとコロナ帯電器は一体化していて、X
線照射直前に(i)の状態から(ii)の状態へ移る。X
線照射後は、直ちに(ii)の状態から(iii)の状態へ
移り、そのときポリエステル膜表面にX線強度分布に対
応した電荷像が転写される。その他のプロセスに関して
は、前述の発明例と基本的に同一である。
第1図及び第2図は本発明の実施例を説明するための
図、第3図は他の実施例を説明するための図、第4図は
従来例を説明するための図である。 1……Al膜、2……ポリエステル膜、3……導体ドラ
ム、4……コロナ帯電器、5……Al基板、6……CsI
膜、7……ITO膜、8……アモルファスSi膜、9……接
地電極、10……スイッチ、11……プローブ、12……増幅
器、13……画像処理蓄積装置、14……画像表示装置、15
……ガイド機構、16……筐体。
図、第3図は他の実施例を説明するための図、第4図は
従来例を説明するための図である。 1……Al膜、2……ポリエステル膜、3……導体ドラ
ム、4……コロナ帯電器、5……Al基板、6……CsI
膜、7……ITO膜、8……アモルファスSi膜、9……接
地電極、10……スイッチ、11……プローブ、12……増幅
器、13……画像処理蓄積装置、14……画像表示装置、15
……ガイド機構、16……筐体。
Claims (2)
- 【請求項1】X線と相互作用し蛍光を発する蛍光体膜
と、 この蛍光体膜からの発光を受けて、電気伝導度が変化す
る半導体膜と、 この半導体膜と接触して電荷の付与もしくは転写をする
ことのできる絶縁膜と、 前記絶縁膜もしくは前記半導体膜に電荷を与えるための
コロナ帯電器と、 前記絶縁膜をその表面に固定して回転するドラムと、 前記絶縁膜上の電荷分布を検出するためのプローブとを
備えて、X線画像を電気信号として再生することを特徴
とするX線受像装置。 - 【請求項2】前記絶縁膜が予め前記回転ドラムの表面に
固定されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のX線受像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61023933A JPH0740153B2 (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | X線受像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61023933A JPH0740153B2 (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | X線受像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62183472A JPS62183472A (ja) | 1987-08-11 |
JPH0740153B2 true JPH0740153B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=12124328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61023933A Expired - Lifetime JPH0740153B2 (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | X線受像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0740153B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3459745B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2003-10-27 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置、放射線撮影装置及び画像処理方法 |
US20020150203A1 (en) * | 2001-04-12 | 2002-10-17 | Muller Markus Robert | X-ray image converter, device and method for recording, processing and illustrating images using X-rays and other rays |
-
1986
- 1986-02-07 JP JP61023933A patent/JPH0740153B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62183472A (ja) | 1987-08-11 |
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