JPH0738368A - 180× phase shifter - Google Patents

180× phase shifter

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JPH0738368A
JPH0738368A JP17902793A JP17902793A JPH0738368A JP H0738368 A JPH0738368 A JP H0738368A JP 17902793 A JP17902793 A JP 17902793A JP 17902793 A JP17902793 A JP 17902793A JP H0738368 A JPH0738368 A JP H0738368A
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JP
Japan
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phase shifter
capacitor
coil
layer
pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP17902793A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsuhiko Hayashi
克彦 林
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To make a 180 deg. phase shifter into miniaturization and SMD and to improve mass-productivity. CONSTITUTION:The 180 deg. phase shifter is provided with one primary side coil 2 and two secondary side coils 3, 4 and the primary and secondary coils are comprised setting a transformer in which a connection point is grounded by connecting the secondary side coils in series as a transformer part set with plural coil patterns on a multi-layer substrate, and also, a capacitor part set with a GND electrode pattern 14 and plural capacitor electrode patterns is provided, and it is unified with the transformer part, and capacitors C1, C2, and C3 ground-connected to the capacitor part are connected to the primary side coil 2 and the secondary side coils 3, 4, respectively. Also, the capacitor part is divided into two parts, and a first capacitor part and a second capacitor part are symmetrically arranged at both sides of the trnasformer part.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、携帯電話等の
無線機器や、その他の各種通信機器等に使用される18
0°移相器に関し、特に、多層基板を使用し、SMD
(表面実装部品)化した180°移相器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is used, for example, in wireless devices such as mobile phones and various other communication devices.
Regarding 0 ° phase shifter, especially when using a multilayer substrate, SMD
(Surface mount component) 180 ° phase shifter

【0002】[0002]

【従来の技術】図10、図11は、従来例を示した図で
あり、図10、図11中、1はトロイダルコア(フェラ
イト)、2は1次側コイル(1次巻線)、3、4は2次
側コイル(2次巻線)、INは入力端子、OUT1、O
UT2は出力端子を示す。
2. Description of the Related Art FIGS. 10 and 11 are views showing conventional examples. In FIGS. 10 and 11, 1 is a toroidal core (ferrite), 2 is a primary coil (primary winding), 3 4 is a secondary coil (secondary winding), IN is an input terminal, OUT1, O
UT2 indicates an output terminal.

【0003】§1:180°移相器の説明・・・図10
参照 図10は、従来の180°移相器説明図であり、Aは1
80°移相器の斜視図、Bはその等価回路である。
§1: Description of 180 ° phase shifter ... FIG. 10
Reference FIG. 10 is an explanatory view of a conventional 180 ° phase shifter, where A is 1
A perspective view of the 80 ° phase shifter, and B is its equivalent circuit.

【0004】従来、180°移相器には各種のものが知
られていた。その内の1例を図10に示す。この例は、
トランスを使用した180°移相器の例である。図示の
ように、トロイダルコア(フェライト)1に、ワイヤに
より1個の1次側コイル(1次巻線)2と、2個の2次
側コイル(2次巻線)3、4を巻きトランスとする。
Various types of 180 ° phase shifters have heretofore been known. One of them is shown in FIG. This example
It is an example of a 180 ° phase shifter using a transformer. As shown in the figure, a toroidal core (ferrite) 1 is wound around a transformer with a primary coil (primary winding) 2 and two secondary coils (secondary windings) 3 and 4 wound around it. And

【0005】そして、図10Bにその等価回路を示した
ように、1次側コイル2の一端部を接地し、非接地側を
入力端子INとする。また、2次側コイル3、4を直列
接続し、その接続点を接地し、非接地側をそれぞれ出力
端子OUT1、OUT2(2つの出力端子)としてい
る。
Then, as shown in the equivalent circuit of FIG. 10B, one end of the primary coil 2 is grounded and the non-grounded side is the input terminal IN. Further, the secondary coils 3 and 4 are connected in series, the connection point is grounded, and the non-grounded sides are output terminals OUT1 and OUT2 (two output terminals), respectively.

【0006】このような構成の180°移相器において
は、入力端子INに信号を入力すると、2つの出力端子
OUT1、OUT2から、180°位相の異なった信号
が出力する。
In the 180 ° phase shifter having such a configuration, when a signal is input to the input terminal IN, signals having different phases of 180 ° are output from the two output terminals OUT1 and OUT2.

【0007】§2:180°移相器の特性の説明・・・
図11参照 図11は、前記180°移相器の特性例を示した図であ
る。図11において、横軸は1次側コイル2と2次側コ
イル3との結合係数Kを示し、縦軸は信号の透過量(d
B)、及び反射量(dB)を示す。
§2: Description of characteristics of 180 ° phase shifter
See FIG. 11. FIG. 11 is a diagram showing a characteristic example of the 180 ° phase shifter. In FIG. 11, the horizontal axis represents the coupling coefficient K between the primary side coil 2 and the secondary side coil 3, and the vertical axis represents the signal transmission amount (d
B) and the amount of reflection (dB) are shown.

【0008】なお、反射量は180°移相器の入力側で
反射される信号量であり、透過量は180°移相器の入
力側から出力側へ透過する量である。この場合、透過量
が多いと内部での挿入損失量が少なく、逆に、透過量が
少ないと挿入損失量が多いことになる。
The reflection amount is a signal amount reflected on the input side of the 180 ° phase shifter, and the transmission amount is an amount transmitted from the input side to the output side of the 180 ° phase shifter. In this case, if the transmission amount is large, the insertion loss amount inside is small, and conversely, if the transmission amount is small, the insertion loss amount is large.

【0009】例えば、図11の特性例は、1.6GHZ
帯の180°移相器についてであるが、Kが約1.0の
場合、反射量が最小の値(−8dB〜−9dB程度)で
あり、透過量は最大の値(−3dB〜−4dB程度)で
ある。この場合、透過量が最大であるから、挿入損失量
は最小の値となる。
[0009] For example, characteristic example of FIG. 11, 1.6GH Z
Regarding the 180 ° phase shifter in the band, when K is about 1.0, the reflection amount is the minimum value (about −8 dB to −9 dB) and the transmission amount is the maximum value (−3 dB to −4 dB). Degree). In this case, since the transmission amount is the maximum, the insertion loss amount has the minimum value.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。 :近年、機器の小型化に伴って、180°移相器も小
型化が要求されてきている。しかし、トランスを使用し
た従来の180°移相器では、小型化には限度がある。
SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned conventional devices have the following problems. : In recent years, along with downsizing of equipment, downsizing of 180 ° phase shifter has been required. However, the conventional 180 ° phase shifter using a transformer has a limit to miniaturization.

【0011】:180°移相器を小型化すると共に、
その実装を容易にするため、SMD(表面実装部品)化
の要求もあるが、トランスを使用した従来の180°移
相器では、SMD化は困難である。
[0011]: The 180 ° phase shifter is downsized and
In order to facilitate the mounting, there is also a demand for SMD (surface mount component), but it is difficult to realize SMD in a conventional 180 ° phase shifter using a transformer.

【0012】:180°移相器を製造する際、トラン
スを使用した従来の180°移相器では、巻線作業が必
要であり、量産性が悪い。 :高周波帯では、フェライトのトロイダルコアを小さ
く加工する必要があるが、フェライトの加工は困難であ
る。また、この場合、小さなトロイダルコアに巻線作業
を行うため、製造が困難である。
When manufacturing a 180 ° phase shifter, a conventional 180 ° phase shifter using a transformer requires winding work, and mass productivity is poor. : In the high frequency band, it is necessary to process the toroidal core of ferrite small, but it is difficult to process ferrite. Further, in this case, since the winding work is performed on the small toroidal core, the manufacturing is difficult.

【0013】本発明は、このような従来の課題を解決
し、180°移相器を小型化、SMD化し、かつ量産性
を向上できるようにすることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve such a conventional problem and to make a 180 ° phase shifter compact, SMD, and improve mass productivity.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図であり、Aは等価回路、Bは180°移相器の断面図
(その1)、Cは180°移相器の断面図(その2)で
ある。図1中、図10、図11と同じものは、同一符号
で示してある。また、14、31はGND電極パター
ン、C1、C2、C3はコンデンサを示す。
FIG. 1 is a diagram for explaining the principle of the present invention. A is an equivalent circuit, B is a sectional view of a 180 ° phase shifter (No. 1), and C is a sectional view of a 180 ° phase shifter. It is a figure (the 2). In FIG. 1, the same components as those in FIGS. 10 and 11 are designated by the same reference numerals. Further, 14 and 31 are GND electrode patterns, and C1, C2 and C3 are capacitors.

【0015】本発明は上記の課題を解決するため、次の
ように構成した。 :1個の1次側コイル2と、2個の2次側コイル3、
4を有し、この2次側コイル3、4を直列接続して、そ
の接続点を接地したトランスを用いた180°移相器で
あって、該180°移相器を多層基板で構成し、この多
層基板に、複数のコイルパターンを設定してトランス部
とし、このトランス部で、前記1次側、2次側コイル2
〜4を構成すると共に、前記多層基板に、GND電極パ
ターン、及び複数のコンデンサ電極パターンを設定して
コンデンサ部とし、このコンデンサ部を、前記トランス
部と一体化し、前記1次側コイル2及び2次側コイル
3、4のそれぞれに、一方の電極を接地した前記コンデ
ンサ部のコンデンサC1、C2、C3を接続した180
°移相器。
In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration. : 1 primary coil 2 and 2 secondary coils 3,
4 is a 180 ° phase shifter using a transformer in which the secondary side coils 3 and 4 are connected in series and the connection point is grounded, and the 180 ° phase shifter is composed of a multilayer substrate. , A plurality of coil patterns are set on this multilayer substrate to form a transformer unit, and the transformer unit uses the primary side and secondary side coils 2
4 to 4, the GND electrode pattern and a plurality of capacitor electrode patterns are set on the multilayer substrate to form a capacitor part, and the capacitor part is integrated with the transformer part to form the primary side coils 2 and 2 180 connected to each of the secondary coils 3 and 4 are the capacitors C1, C2, and C3 of the capacitor unit with one electrode grounded.
° Phase shifter.

【0016】:構成において、コンデンサ部のGN
D電極パターン14を、多層基板の最も下側(部品取り
付け面側)のパターンとなる位置に、ベタパターン(基
板面の略全面に形成したパターン)として設定した18
0°移相器。
: In the configuration, the GN of the capacitor section
The D electrode pattern 14 was set as a solid pattern (a pattern formed on substantially the entire surface of the substrate) at the position which is the lowermost pattern (component mounting surface side) of the multilayer substrate 18
0 ° phase shifter.

【0017】:構成において、コンデンサ部を2つ
に分割して、第1コンデンサ部、及び第2コンデンサ部
とし、多層基板の積層方向に対し、前記トランス部の両
側に、第1コンデンサ部と第2コンデンサ部を対称的に
配置した180°移相器。
In the structure, the capacitor section is divided into two to form a first capacitor section and a second capacitor section, and the first capacitor section and the second capacitor section are provided on both sides of the transformer section in the stacking direction of the multilayer substrate. A 180 ° phase shifter with two capacitor sections arranged symmetrically.

【0018】:構成において、第1、第2コンデン
サ部のGND電極パターン14、31を、多層基板の最
も上側(部品取り付け面と反対側)と、最も下側(部品
取り付け面側)のパターンとなる位置に、ベタパターン
(基板面の略全面に形成したパターン)として設定し、
前記トランス部、及びコンデンサ部の積層方向の両側
を、前記2つのGND電極パターン14、31で挟んだ
180°移相器。
In the configuration, the GND electrode patterns 14 and 31 of the first and second capacitor portions are formed on the uppermost side (opposite side of the component mounting surface) and the lowermost side (component mounting surface side) of the multilayer substrate. Set as a solid pattern (pattern formed on almost the entire surface of the substrate) at
A 180 ° phase shifter in which both sides of the transformer section and the capacitor section in the stacking direction are sandwiched between the two GND electrode patterns 14 and 31.

【0019】[0019]

【作用】上記構成に基づく本発明の作用を、図1に基づ
いて説明する。多層基板に設定したトランス部、及びコ
ンデンサ部を有する180°移相器の入力端子INに信
号を入力すると、1次側コイル2(トランス部のコイル
パターン)に電流が流れる。
The operation of the present invention based on the above configuration will be described with reference to FIG. When a signal is input to the input terminal IN of the 180 ° phase shifter having the transformer section and the capacitor section set on the multilayer substrate, a current flows through the primary coil 2 (coil pattern of the transformer section).

【0020】そして、トランスとしての機能により、2
次側コイル3、4(トランス部のコイルパターン)に電
圧が発生し、2つの出力端子OUT1、OUT2から、
180°位相差のある信号が出力する。
The function as a transformer causes 2
A voltage is generated in the secondary coils 3 and 4 (coil pattern of the transformer section), and the two output terminals OUT1 and OUT2
A signal with a 180 ° phase difference is output.

【0021】この場合、トランス部の1次側、2次側コ
イル(コイルパターン)双方に、一方の電極を接地した
コンデンサC1、C2、C3(コンデンサ部の各コンデ
ンサ)を付加している。このような構成にすると、共振
現象が発生するため、結合係数を低くしても、特性の良
好な180°移相器が実現することができる。
In this case, capacitors C1, C2, C3 (each capacitor of the capacitor section) whose one electrode is grounded are added to both the primary side coil and the secondary side coil (coil pattern) of the transformer section. With such a configuration, a resonance phenomenon occurs, so that a 180 ° phase shifter with excellent characteristics can be realized even if the coupling coefficient is lowered.

【0022】また、多層基板を使用して、前記のように
構成することにより、180°移相器を小型化、SMD
化し、かつ量産性を向上できる。更に、1次側コイルを
構成するコイルパターンを中心に、第1コンデンサ部と
第2コンデンサ部の各コンデンサを、基板の上下方向に
対称配置すれば、各パターンの微調整をしなくても、出
力端子OUT1、OUT2間のレベル偏差を少なくする
ことができる。従って、製品の開発期間を短縮すること
ができる。
Further, by using the multi-layer substrate as described above, the 180 ° phase shifter can be downsized and SMD
In addition, mass productivity can be improved. Further, if the capacitors of the first capacitor section and the second capacitor section are symmetrically arranged in the up-down direction of the substrate around the coil pattern forming the primary coil, it is possible to perform fine adjustment of each pattern. It is possible to reduce the level deviation between the output terminals OUT1 and OUT2. Therefore, the product development period can be shortened.

【0023】[0023]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。 (第1実施例の説明)図2〜図7は、本発明の第1実施
例を示した図であり、図2〜図7中、図1、図10、図
11と同じものは、同一符号で示してある。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. (Description of First Embodiment) FIGS. 2 to 7 are views showing a first embodiment of the present invention. In FIGS. 2 to 7, the same parts as those in FIGS. 1, 10 and 11 are the same. It is indicated by a symbol.

【0024】また、7−1〜7−7は多層基板の第1層
〜第7層(誘電体層)、8、10はコイルパターン(2
次側コイル)、9はコイルパターン(1次側コイル)、
11〜13はコンデンサ電極パターン、14はGND電
極パターン、16は中継用パッド、17〜22は外部電
極(外部端子)を示す。
7-1 to 7-7 are first to seventh layers (dielectric layers) of the multilayer substrate, and 8 and 10 are coil patterns (2
Secondary coil), 9 is a coil pattern (primary coil),
11 to 13 are capacitor electrode patterns, 14 is a GND electrode pattern, 16 is a relay pad, and 17 to 22 are external electrodes (external terminals).

【0025】§1:等価回路による説明・・・図2参照 図2は180°移相器等価回路である。先ず、図2の等
価回路に基づいて、本実施例の180°移相器の基本的
な説明をする。
§1: Description by equivalent circuit--see FIG. 2 FIG. 2 is an equivalent circuit of a 180 ° phase shifter. First, a basic description of the 180 ° phase shifter of the present embodiment will be given based on the equivalent circuit of FIG.

【0026】180°移相器は、一般的には、前記従来
例のように、トランスを使用したものが使用されてい
た。180°移相器では、高周波用の場合は1次側、2
次側共、コイルの自己インダクタンス自体はそれほど大
きなものではないが、1次側と2次側の間の結合係数K
については、ある程度必要とする。
As the 180 ° phase shifter, the one using a transformer is generally used as in the conventional example. 180 ° phase shifter, primary side for high frequency, 2
On the secondary side, the self-inductance of the coil itself is not so large, but the coupling coefficient K between the primary side and the secondary side is
About, you need to some extent.

【0027】そこで、従来は、フェライトをトロイダル
状にして、トランスとして仕上げる必要があった。従っ
て、前記従来例のトランスを構成するコイルを、多層基
板の各層に厚膜パターンで形成しても、必要とする結合
係数Kは得られず、目的とする特性の180°移相器を
実現することは困難であった。
Therefore, conventionally, it has been necessary to make ferrite into a toroidal shape and finish it as a transformer. Therefore, even if the coil forming the transformer of the conventional example is formed in a thick film pattern on each layer of the multi-layer substrate, the required coupling coefficient K cannot be obtained, and a 180 ° phase shifter with desired characteristics is realized. It was difficult to do.

【0028】この場合、1次側、2次側共、個々のコイ
ルの自己インダクタンスにもよるが、単に、前記コイル
を多層基板に重ねても、結合係数Kは、K=0.5程度
しか得られない。そのため、2次側では、180°位相
差の2つの出力が得られるが、その挿入損失は、大きな
ものになる。
In this case, both the primary side and the secondary side depend on the self-inductance of each coil, but even if the coils are simply stacked on the multilayer substrate, the coupling coefficient K is only about K = 0.5. I can't get it. Therefore, on the secondary side, two outputs with a 180 ° phase difference can be obtained, but the insertion loss becomes large.

【0029】そこで、2次側に信号を伝達させるため
に、共振現象の利用を考えた。すなわち、図2にその等
価回路を示したように、トランスを構成する1次側コイ
ル2、2次側コイル3、4のコイル双方に、一方の電極
接地したコンデンサC1、C2、C3(接地用コンデン
サ)を付加した。
Therefore, the use of the resonance phenomenon was considered in order to transmit the signal to the secondary side. That is, as shown in the equivalent circuit of FIG. 2, capacitors C1, C2, C3 (for grounding) are grounded at one electrode of both of the primary side coil 2, the secondary side coils 3 and 4 which compose the transformer. Capacitor) was added.

【0030】このようにすると、前記結合係数Kを低く
しても、特性の良好な180°移相器を実現することが
できる。なお、前記従来例の180°移相器では、比較
的広帯域に設計できる利点がある。これに対し本実施例
の180°移相器では、広帯域の180°移相器として
はあまり適当でないが、特定周波数に対しては、1次側
入力の反射特性を改善し、挿入損失を低減した特性の良
好な180°移相器が実現できる特徴がある。
In this way, a 180 ° phase shifter with good characteristics can be realized even if the coupling coefficient K is lowered. The conventional 180 ° phase shifter has an advantage that it can be designed in a relatively wide band. On the other hand, the 180 ° phase shifter of this embodiment is not very suitable as a wideband 180 ° phase shifter, but for a specific frequency, the reflection characteristic of the primary side input is improved and the insertion loss is reduced. The characteristic is that a 180 ° phase shifter with excellent characteristics can be realized.

【0031】§2:180°移相器の説明・・・図3、
図4、図5参照 図3は第1実施例の180°移相器分解斜視図、図4は
図3の各部説明図、図5は第1実施例の180°移相器
完成図(Aは斜視図、BはX−Y線断面図)である。以
下、図3、図4、図5に基づいて、第1実施例の180
°移相器を説明する。
§2: Description of 180 ° phase shifter ... FIG.
4 and 5, FIG. 3 is an exploded perspective view of the 180 ° phase shifter of the first embodiment, FIG. 4 is an explanatory view of each part of FIG. 3, and FIG. 5 is a completed 180 ° phase shifter of the first embodiment (A Is a perspective view and B is a cross-sectional view taken along line XY). Hereinafter, based on FIG. 3, FIG. 4, and FIG.
° Describe the phase shifter.

【0032】第1実施例は、複数の誘電体層を積層した
多層基板により180°移相器を実現した例であり、図
3に示したように、多層基板は、第1層7−1〜第7層
7−7(誘電体層)で構成している。
The first embodiment is an example in which a 180 ° phase shifter is realized by a multi-layer substrate in which a plurality of dielectric layers are laminated. As shown in FIG. 3, the multi-layer substrate is the first layer 7-1. ~ The seventh layer 7-7 (dielectric layer).

【0033】多層基板を構成する第1層7−1には、何
もパターニングしない。この層は、保護層として使用す
る。第2層7−2、第3層7−3、及び第4層7−4
は、トランス部を構成する層であり、それぞれの層に、
導体ペーストの印刷等によりコイルパターン(厚膜パタ
ーン)を形成する。
No patterning is performed on the first layer 7-1 constituting the multilayer substrate. This layer is used as a protective layer. Second layer 7-2, third layer 7-3, and fourth layer 7-4
Are the layers that make up the transformer section.
A coil pattern (thick film pattern) is formed by printing a conductor paste or the like.

【0034】すなわち、第2層7−2には、コイルパタ
ーン8を形成し、第3層7−3には、コイルパターン9
を形成し、第4層7−4には、コイルパターン10を形
成する。また、第3層7−3には、中継用パッド16も
形成する。
That is, the coil pattern 8 is formed on the second layer 7-2, and the coil pattern 9 is formed on the third layer 7-3.
And the coil pattern 10 is formed on the fourth layer 7-4. The relay pad 16 is also formed on the third layer 7-3.

【0035】第5層7−5は、スペーサ層(ダミー層)
であり、なにもパターニングしない。第6層7−6と、
第7層7−7は、コンデンサ部を構成する層であり、各
層に、導体ペーストの印刷等により、コンデンサ電極パ
ターン(厚膜パターン)、及びGND電極パターン(厚
膜パターン)を形成する。
The fifth layer 7-5 is a spacer layer (dummy layer).
And no patterning is done. A sixth layer 7-6,
The seventh layer 7-7 is a layer forming a capacitor portion, and a capacitor electrode pattern (thick film pattern) and a GND electrode pattern (thick film pattern) are formed on each layer by printing a conductor paste or the like.

【0036】この場合、第6層7−6には、ホット側の
コンデンサ電極を構成するコンデンサ電極パターン1
1、12、13を形成し、第7層7−7には、GND側
のコンデンサ電極を構成するGND電極パターン14
を、ベタパターン(基板面の略全面にパターニングした
パターン)として形成する。
In this case, the sixth layer 7-6 has the capacitor electrode pattern 1 forming the hot-side capacitor electrode.
1, 12, 13 are formed, and a GND electrode pattern 14 that constitutes a GND-side capacitor electrode is formed on the seventh layer 7-7.
Is formed as a solid pattern (a pattern obtained by patterning substantially the entire surface of the substrate).

【0037】以下、前記各パターンについて、図4を参
照しながら詳細に説明する。 :第2層7−2に形成したコイルパターン8は、トラ
ンス部の2次側コイル3を構成するパターンである。こ
のコイルパターン8の一端のP1点は、出力端子OUT
1に接続し、他端のP2点はGNDに接続する。
Hereinafter, each of the patterns will be described in detail with reference to FIG. : The coil pattern 8 formed on the second layer 7-2 is a pattern forming the secondary coil 3 of the transformer section. The point P1 at one end of the coil pattern 8 is the output terminal OUT.
1 and the P2 point at the other end is connected to GND.

【0038】:第3層7−3に形成したコイルパター
ン9は、トランス部の1次側コイル2を構成する。この
コイルパターン9の一端のP3点は、入力端子INに接
続し、他端のP4点はGNDに接続する。
The coil pattern 9 formed on the third layer 7-3 constitutes the primary coil 2 of the transformer section. A point P3 at one end of the coil pattern 9 is connected to the input terminal IN, and a point P4 at the other end is connected to GND.

【0039】:第4層7−4に形成したコイルパター
ン10は、トランス部の2次側コイル4を構成する。こ
のコイルパターン10の一端のP5点は、出力端子OU
T2に接続し、他端のP6点はGNDに接続する。
The coil pattern 10 formed on the fourth layer 7-4 constitutes the secondary coil 4 of the transformer section. The point P5 at one end of the coil pattern 10 is the output terminal OU.
It is connected to T2, and the P6 point at the other end is connected to GND.

【0040】そして、図示のように、第2層7−2のコ
イルパターン8と、第4層7−4のコイルパターン10
との間を、第3層7−3に形成した中継用パッド16を
介して、図示点線の位置でビア(ビアホール)により接
続する(2つの2次側コイルの接続点を接地する)。
Then, as shown, the coil pattern 8 of the second layer 7-2 and the coil pattern 10 of the fourth layer 7-4.
Are connected to each other by a via (via hole) at a position indicated by a dotted line in the drawing through the relay pad 16 formed on the third layer 7-3 (the connection point of the two secondary coils is grounded).

【0041】:コンデンサ部の第6層7−6、第7層
7−7では次の通りである。第6層7−6に形成したコ
ンデンサ電極パターン11、12、13と、第7層7−
7に形成したGND電極パターン14の間で、コンデン
サC1、C2、C3を構成する。
The sixth layer 7-6 and the seventh layer 7-7 of the capacitor section are as follows. The capacitor electrode patterns 11, 12, 13 formed on the sixth layer 7-6 and the seventh layer 7-
Capacitors C1, C2, and C3 are formed between the GND electrode patterns 14 formed in 7.

【0042】この場合、コンデンサ電極パターン11と
GND電極パターン14との間で、コンデンサC1を構
成し、コンデンサ電極パターン12とGND電極パター
ン14との間で、コンデンサC2を構成し、コンデンサ
電極パターン13とGND電極パターン14との間で、
コンデンサC3を構成している。
In this case, the capacitor C1 is formed between the capacitor electrode pattern 11 and the GND electrode pattern 14, the capacitor C2 is formed between the capacitor electrode pattern 12 and the GND electrode pattern 14, and the capacitor electrode pattern 13 is formed. Between the GND electrode pattern 14 and
It constitutes a capacitor C3.

【0043】前記コンデンサ部においては、コンデンサ
電極パターン11の一端に形成したP7点は、P3点
(IN)と接続し、コンデンサ電極パターン12の一端
に形成したP8点はP1点(OUT1)と接続し、コン
デンサ電極パターン13一端に形成したP9点はP5点
(OUT2)と接続する。
In the capacitor section, the point P7 formed at one end of the capacitor electrode pattern 11 is connected to the point P3 (IN), and the point P8 formed at one end of the capacitor electrode pattern 12 is connected to the point P1 (OUT1). The point P9 formed at one end of the capacitor electrode pattern 13 is connected to the point P5 (OUT2).

【0044】また、GND電極パターン14の端部に形
成したP10、P11、P12の各点は、全てGND側
であり、P11点は、P4点と接続し、P12点はP6
点と接続する。
All the points P10, P11, P12 formed at the end of the GND electrode pattern 14 are on the GND side, the point P11 is connected to the point P4, and the point P12 is P6.
Connect with dots.

【0045】前記の第1層7−1〜第7層7−7からな
る誘電体層を積層した多層基板(積層体)の側面に、外
部電極を形成して完成した180°移相器は、図5に示
したような構成となる。
A 180 ° phase shifter completed by forming external electrodes on the side surface of a multilayer substrate (laminate) on which dielectric layers consisting of the first layer 7-1 to the seventh layer 7-7 are laminated is The configuration is as shown in FIG.

【0046】この例では、前記多層基板の側面に、外部
電極(外部端子)17〜22を形成する。この場合、外
部電極21は入力端子IN、外部電極17は出力端子O
UT1、外部電極19は出力端子OUT2、外部電極1
8、20、22はGND電極である。
In this example, external electrodes (external terminals) 17 to 22 are formed on the side surface of the multilayer substrate. In this case, the external electrode 21 is the input terminal IN and the external electrode 17 is the output terminal O.
UT1, the external electrode 19 is an output terminal OUT2, the external electrode 1
Reference numerals 8, 20, and 22 are GND electrodes.

【0047】§3:180°移相器の特性の説明・・・
図6参照 図6は180°移相器特性図である。この特性図は、
1.6GHZ 帯用の180°移相器の特性図である。
§3: Description of characteristics of 180 ° phase shifter ...
See FIG. 6. FIG. 6 is a 180 ° phase shifter characteristic diagram. This characteristic diagram is
It is a characteristic diagram of 180 ° phase shifter for 1.6GH Z bands.

【0048】図6において、横軸は1次側コイル2と、
2次側コイル3との結合係数Kを示し、縦軸は透過量
(dB)、及び反射量(dB)を示す。なお、反射量
は、180°移相器の入力側で反射される信号量であ
り、透過量は、180°移相器の入力側から出力側へ透
過する量である。この場合、透過量が多いと内部での挿
入損失量が少なく、逆に、透過量が少ないと挿入損失量
が多いことになる。
In FIG. 6, the horizontal axis represents the primary coil 2 and
The coupling coefficient K with the secondary coil 3 is shown, and the vertical axis shows the amount of transmission (dB) and the amount of reflection (dB). The reflection amount is a signal amount reflected on the input side of the 180 ° phase shifter, and the transmission amount is an amount transmitted from the input side to the output side of the 180 ° phase shifter. In this case, if the transmission amount is large, the insertion loss amount inside is small, and conversely, if the transmission amount is small, the insertion loss amount is large.

【0049】従来例の180°移相器(図11参照)で
は、結合係数Kが約1.0の場合、反射量が最小の値で
あり、挿入損失量も最小の値となっていた。しかし、本
実施例では、結合係数KがK=0.3付近で反射量が最
小となり、透過量は最大となる。従って、K=0.3付
近で、反射量と挿入損失量が最小となっている。
In the conventional 180 ° phase shifter (see FIG. 11), when the coupling coefficient K was about 1.0, the reflection amount was the minimum value and the insertion loss amount was also the minimum value. However, in this embodiment, the amount of reflection is minimum and the amount of transmission is maximum when the coupling coefficient K is around K = 0.3. Therefore, the reflection amount and the insertion loss amount are minimum near K = 0.3.

【0050】§4:180°移相器の各種説明 前記180°移相器では、最下層(部品取り付け面側)
である第7層7−7のパターンをGND電極パターン
(ベタパターン)とし、その上側にホット側のコンデン
サ電極パターン11〜13を設定している。
§4: Various explanations of 180 ° phase shifter In the 180 ° phase shifter, the lowermost layer (component mounting surface side)
The pattern of the seventh layer 7-7 is a GND electrode pattern (solid pattern), and the hot-side capacitor electrode patterns 11 to 13 are set on the upper side thereof.

【0051】また、トランス部と、コンデンサ部の間に
は、スペーサ層7−5を設定している。更にトランス部
は、2個の2次側コイル8、10が、1次側コイル9を
挟むように形成されている。
A spacer layer 7-5 is set between the transformer section and the capacitor section. Further, the transformer portion is formed such that the two secondary coils 8 and 10 sandwich the primary coil 9.

【0052】前記トランス部の配置は、必要とする結合
係数を得るために設定されるが、例えば、コイル層間距
離により決定される。この場合、目標とする結合係数が
得られれば、上下に配置しなくても、横方向にパターニ
ングしても良い。
The disposition of the transformer section is set to obtain a required coupling coefficient, but is determined by, for example, the distance between coil layers. In this case, if the target coupling coefficient is obtained, the patterning may be performed in the lateral direction without arranging the coupling coefficients vertically.

【0053】また、トランス部の上下方向は、自由空間
であるが、下方向は、コンデンサ部があるため、2次側
で出力レベルに差が出やすい。そのため、コンデンサの
ホット側だけでも、トランス部のコイルパターンと向か
い合った位置にあるパターンを無くしている。
Further, although the transformer section is free space in the up and down direction, the output level is likely to be different on the secondary side due to the capacitor section in the down direction. Therefore, even on the hot side of the capacitor, the pattern at the position facing the coil pattern of the transformer is eliminated.

【0054】すなわち、図5Bに示したように、トラン
ス部の各コイルパターンの下側(多層基板の積層方向の
下側)に、ホット側のコンデンサ電極パターンが無いよ
うにパターニングする。
That is, as shown in FIG. 5B, patterning is performed so that there is no hot-side capacitor electrode pattern on the lower side of each coil pattern in the transformer section (lower side in the stacking direction of the multilayer substrate).

【0055】更に、出力レベル差を低減させるために
は、トランス部のコイルパターンの形状を若干変える
(2次側コイルを構成するコイルパターン8、10を若
干大きくしたり、小さくしたりする)ことにより、対策
することができる。
Further, in order to reduce the output level difference, the shape of the coil pattern of the transformer is slightly changed (the coil patterns 8 and 10 forming the secondary coil are slightly increased or decreased). Can be taken by

【0056】前記180°移相器の設計例としては、例
えば、1.6GHZ 帯用の180°移相器の場合、トラ
ンス部のコイルのインダクタンスLは、1次側、2次側
共通にしている。
As a design example of the 180 ° phase shifter, for example, in the case of a 180 ° phase shifter for 1.6 GHz Z band, the inductance L of the coil of the transformer section is common to the primary side and the secondary side. ing.

【0057】この設計例では、コイルのインダクタンス
Lは、L=1.5nH、結合係数KはK=0.3であ
る。また、1次側コンデンサの容量は、8.8pF、2
次側コンデンサの容量は、7.2pFである。
In this design example, the coil inductance L is L = 1.5 nH and the coupling coefficient K is K = 0.3. The capacitance of the primary side capacitor is 8.8 pF, 2
The capacitance of the secondary side capacitor is 7.2 pF.

【0058】この場合、従来例の180°移相器では、
コイルのインダクタンスLは、L=9nH、結合係数K
は約1に近い値(出来るだけ蜜結合にした場合)であ
る。このように、本実施例では、従来例に比べて、結合
係数が小さくなっていることが分かる。
In this case, in the conventional 180 ° phase shifter,
The inductance L of the coil is L = 9 nH, the coupling coefficient K
Is a value close to about 1 (when the bond is as close as possible). Thus, it can be seen that the coupling coefficient is smaller in the present embodiment than in the conventional example.

【0059】この程度の周波数帯では、フェライトコア
を使用する必要も無くなり、空芯のコイルにより設計が
可能である。§5:180°移相器の変形例の説明・・
・図7参照図7はトランス部の変形例を示した図であ
る。前記180°移相器のトランス部を次のように変形
しても実施可能である。
In this frequency band, it is not necessary to use a ferrite core, and an air core coil can be used for design. §5: Description of a modification of the 180 ° phase shifter
-Refer to FIG. 7 FIG. 7 is a diagram showing a modified example of the transformer unit. It is also possible to modify the transformer part of the 180 ° phase shifter as follows.

【0060】図7に示した変形例は、2次側コイルを構
成するコイルパターン10と、1次側コイルを構成する
コイルパターン9を、多層基板の積層方向で逆にした例
である。
The modified example shown in FIG. 7 is an example in which the coil pattern 10 forming the secondary coil and the coil pattern 9 forming the primary coil are reversed in the stacking direction of the multilayer substrate.

【0061】すなわち、第2層7−2に、コイルパター
ン8を形成し、第3層7−3にコイルパターン10を形
成し、第4層7−4に、コイルパターン9を形成する。
なお、トランス部以外の構成は、前記構成と同じなので
説明は省略する。
That is, the coil pattern 8 is formed on the second layer 7-2, the coil pattern 10 is formed on the third layer 7-3, and the coil pattern 9 is formed on the fourth layer 7-4.
Note that the configuration other than the transformer section is the same as the above-described configuration, and therefore description thereof is omitted.

【0062】また、第1実施例において、第2層7−2
に、コイルパターン9を形成し、第3層7−3にコイル
パターン8を形成し、第4層7−4に、コイルパターン
10を形成しても良い。
In addition, in the first embodiment, the second layer 7-2
Alternatively, the coil pattern 9 may be formed on the third layer 7-3, the coil pattern 8 may be formed on the third layer 7-3, and the coil pattern 10 may be formed on the fourth layer 7-4.

【0063】(第2実施例の説明)図8、図9は、本発
明の第2実施例を示した図であり、図8、図9中、図
1、図10、図11と同じものは、同一符号で示してあ
る。また、30−1〜30−10は多層基板の第1層〜
第10層(誘電体層)、31はGND電極パターン、3
2、33、34はコンデンサ電極パターンを示す。
(Description of Second Embodiment) FIGS. 8 and 9 are views showing a second embodiment of the present invention, which are the same as FIGS. 1, 10 and 11 in FIGS. Are denoted by the same reference numerals. Also, 30-1 to 30-10 are the first layer of the multilayer substrate to
10th layer (dielectric layer), 31 is a GND electrode pattern, 3
2, 33 and 34 show capacitor electrode patterns.

【0064】第2実施例は、前記第1実施例のコンデン
サ部を2つに分割し、第1コンデンサ部と、第2コンデ
ンサ部に分け、この2つのコンデンサ部を、トランス部
を挟んで積層方向の両側に、対称的に配置した例でる。
なお、180°移相器の等価回路は図2と同じである。
In the second embodiment, the capacitor section of the first embodiment is divided into two parts, a first capacitor section and a second capacitor section, and these two capacitor sections are laminated with a transformer section interposed therebetween. In this example, they are symmetrically arranged on both sides of the direction.
The equivalent circuit of the 180 ° phase shifter is the same as in FIG.

【0065】§1:180°移相器の説明・・・図8、
図9参照 図8は第2実施例の180°移相器分解斜視図、図9は
第2実施例の180°移相器完成図(Aは斜視図、Bは
X−Y線断面図)である。以下、図8、図9に基づい
て、第2実施例の180°移相器を説明する。
§1: Description of 180 ° phase shifter ... FIG.
See FIG. 9. FIG. 8 is an exploded perspective view of the 180 ° phase shifter of the second embodiment, and FIG. 9 is a completed view of the 180 ° phase shifter of the second embodiment (A is a perspective view, B is a sectional view taken along line XY). Is. The 180 ° phase shifter of the second embodiment will be described below with reference to FIGS. 8 and 9.

【0066】第2実施例では、180°移相器を構成す
る多層基板を、第1層30−1〜第10層30−10か
らなる10層(誘電体層)で構成する。前記多層基板を
構成する第1層30−1には、何もパターニングしな
い。この層は保護層として使用する。第2層30−2
と、第3層30−3は、第1コンデンサ部を構成する層
であり、各層に、導体ペーストの印刷等によりコンデン
サ電極パターン(厚膜パターン)を形成する。
In the second embodiment, the multilayer substrate constituting the 180 ° phase shifter is composed of 10 layers (dielectric layers) consisting of the first layer 30-1 to the tenth layer 30-10. No patterning is performed on the first layer 30-1 constituting the multilayer substrate. This layer is used as a protective layer. Second layer 30-2
The third layer 30-3 is a layer forming the first capacitor section, and a capacitor electrode pattern (thick film pattern) is formed on each layer by printing a conductor paste or the like.

【0067】この場合、第2層30−2には、GND側
のコンデンサ電極を構成するGND電極パターン(ベタ
パターン)31を形成する。第3層30−3には、ホッ
ト側のコンデンサ電極を構成するコンデンサ電極パター
ン32、33、34を形成する。
In this case, a GND electrode pattern (solid pattern) 31 forming a GND-side capacitor electrode is formed on the second layer 30-2. On the third layer 30-3, capacitor electrode patterns 32, 33 and 34 that form the capacitor electrodes on the hot side are formed.

【0068】第4層30−4はスペーサ層(ダミー層)
であり、何もパターニングしない。第5層30−5、第
6層30−6、及び第7層30−7は、トランス部を構
成する層であり、それぞれの層に、導体ペーストの印刷
等によりコイルパターン(厚膜パターン)を形成する。
The fourth layer 30-4 is a spacer layer (dummy layer).
And does not pattern anything. The fifth layer 30-5, the sixth layer 30-6, and the seventh layer 30-7 are layers that configure the transformer portion, and a coil pattern (thick film pattern) is formed on each layer by printing a conductor paste or the like. To form.

【0069】すなわち、第5層30−5には、コイルパ
ターン8を形成し、第6層30−6には、コイルパター
ン9を形成し、第7層30−7には、コイルパターン1
0を形成する。第8層30−8は、スペーサ層(ダミー
層)であり、なにもパターニングしない。
That is, the coil pattern 8 is formed on the fifth layer 30-5, the coil pattern 9 is formed on the sixth layer 30-6, and the coil pattern 1 is formed on the seventh layer 30-7.
Form 0. The eighth layer 30-8 is a spacer layer (dummy layer) and is not patterned.

【0070】第9層30−9と、第10層30−10
は、コンデンサ部を構成する層であり、各層に、導体ペ
ーストの印刷等によりコンデンサ電極パターン(厚膜パ
ターン)を形成する。
The ninth layer 30-9 and the tenth layer 30-10
Is a layer constituting a capacitor portion, and a capacitor electrode pattern (thick film pattern) is formed on each layer by printing a conductor paste or the like.

【0071】この場合、第9層30−9には、ホット側
のコンデンサ電極を構成するコンデンサ電極パターン1
1、12、13を形成し、第10層30−10には、G
ND側のコンデンサ電極を構成するGND電極パターン
(ベタパターン)14を形成する。
In this case, on the ninth layer 30-9, the capacitor electrode pattern 1 constituting the hot side capacitor electrode is formed.
1, 12 and 13 are formed, and G is formed on the tenth layer 30-10.
A GND electrode pattern (solid pattern) 14 forming a capacitor electrode on the ND side is formed.

【0072】以上の各層を積層して多層基板とし、その
側面に外部電極を形成して完成した180°移相器は、
図9に示したようになる。すなわち、前記多層基板の側
面には、外部電極17〜22を形成し、SMD(表面実
装部品)化する。
A 180 ° phase shifter completed by laminating the above layers to form a multilayer substrate and forming external electrodes on the side surfaces thereof is
It becomes as shown in FIG. That is, the external electrodes 17 to 22 are formed on the side surfaces of the multi-layer substrate to be SMDs (surface mount components).

【0073】図9Bに断面を示したように、第2実施例
の180°移相器は、多層基板の積層方向に対し、トラ
ンス部を挟んで、その両側に、第1コンデンサ部と第2
コンデンサ部を対称的に配置している。
As shown in the sectional view of FIG. 9B, in the 180 ° phase shifter of the second embodiment, the transformer portion is sandwiched between the first capacitor portion and the second capacitor portion on both sides of the multilayer substrate in the stacking direction.
The capacitors are arranged symmetrically.

【0074】以上の第2実施例において、第1コンデン
サ部と第2コンデンサ部の構成は、同じ構成とし、両コ
ンデンサ部の容量を合わせて、第1実施例のコンデンサ
部と同じ容量に設定する。
In the second embodiment described above, the first capacitor section and the second capacitor section have the same structure, and the capacities of both capacitor sections are combined to set the same capacity as the capacitor section of the first embodiment. .

【0075】なお、前記第4層30−4〜第10層30
−10の構成は、第1実施例と同じ(第1実施例の第1
層7−1〜第7層7−7と同じ)であり、また外部電極
17〜22の構成は、第1実施例と同じなので、説明は
省略する。
The fourth layer 30-4 to the tenth layer 30
The configuration of -10 is the same as that of the first embodiment (first embodiment of the first embodiment).
Layers 7-1 to 7-7) and the external electrodes 17 to 22 have the same structure as that of the first embodiment, and therefore the description thereof will be omitted.

【0076】§2:第1実施例の180°移相器との比
較の説明 前記第1実施例の場合は、多層基板の積層方向の上下方
向で、パターンが対称的に構成されていない(下側に
は、GND電極パターンが設定されているが、上側に
は、GND電極パターンが設定されていない)。
§2: Explanation of Comparison with 180 ° Phase Shifter of First Embodiment In the case of the first embodiment, the patterns are not symmetrically arranged in the vertical direction of the stacking direction of the multilayer substrate ( On the lower side, the GND electrode pattern is set, but on the upper side, the GND electrode pattern is not set).

【0077】このため、単にトランス部のコイルを積み
重ねた場合、出力端子間のレベル偏差が生じてしまう。
その対策としては、前記のように、2次側コイルを構成
するコイルパターン8、10の形状を多少変化させてや
れば、レベル偏差を最小にすることは可能である。
Therefore, when the coils of the transformer section are simply stacked, a level deviation occurs between the output terminals.
As a countermeasure against this, the level deviation can be minimized by changing the shapes of the coil patterns 8 and 10 forming the secondary side coil to some extent as described above.

【0078】しかし、コイルパターンの形状を変化させ
るためには、パターン形成時に使用するスクリーンのパ
ターン調整が必要である。第2実施例では、1次側コイ
ルを構成するコイルパターン9を中心に、2次側コイ
ル、及び各コンデンサを、基板の上下方向に対称配置す
るため、特性を得る各素子の定数の追い込みさえ行え
ば、前記のような各パターンの微調整は不必要となる。
このため、製品の開発期間を短縮することができる特徴
がある。
However, in order to change the shape of the coil pattern, it is necessary to adjust the pattern of the screen used when forming the pattern. In the second embodiment, the secondary coil and each capacitor are symmetrically arranged in the up-down direction of the substrate around the coil pattern 9 forming the primary coil. If done, fine adjustment of each pattern as described above becomes unnecessary.
Therefore, the product development period can be shortened.

【0079】なお、図6に示した特性は、第2実施例で
も同じである。 (他の実施例)以上実施例について説明したが、本発明
は次のようにしても実施可能である。
The characteristics shown in FIG. 6 are the same in the second embodiment. (Other Embodiments) Although the embodiments have been described above, the present invention can be implemented as follows.

【0080】:前記トランス部、及びスペーサ層(ダ
ミー層)は、絶縁層を使用してもよい。 :前記スペーサ層(ダミー層)は省略しても実施可能
である。
An insulating layer may be used for the transformer section and the spacer layer (dummy layer). : It is possible to omit the spacer layer (dummy layer).

【0081】[0081]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 :多層基板を使用し、トランス部とコンデンサ部を厚
膜パターンで構成したので、180°移相器をSMD化
し、小型化することが容易にできる。特に、従来例に比
べて、高さを低くすることができる。
As described above, the present invention has the following effects. : Since the multi-layer substrate is used and the transformer section and the capacitor section are constituted by the thick film pattern, the 180 ° phase shifter can be easily SMD and downsized. In particular, the height can be reduced as compared with the conventional example.

【0082】:巻線作業(従来例参照)が不要になる
ので、量産性を向上できる。また、コスト的にも有利で
ある。 :トランス部とコンデンサ部との間にスペーサ層(ダ
ミー層)を設けたので、トランス部とコンデンサ部間の
浮遊容量を少なくすることができる。その結果、トラン
ス部のコイルの高Q化がはかれるため、挿入損失が低下
し、所定の減衰特性が確保できる。
Since winding work (see the conventional example) is unnecessary, mass productivity can be improved. It is also advantageous in terms of cost. : Since the spacer layer (dummy layer) is provided between the transformer section and the capacitor section, the stray capacitance between the transformer section and the capacitor section can be reduced. As a result, the Q of the coil of the transformer section is increased, so that the insertion loss is reduced and a predetermined attenuation characteristic can be secured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の原理説明図である。FIG. 1 is a diagram illustrating the principle of the present invention.

【図2】第1実施例の180°移相器等価回路である。FIG. 2 is a 180 ° phase shifter equivalent circuit of the first embodiment.

【図3】第1実施例の180°移相器分解斜視図であ
る。
FIG. 3 is an exploded perspective view of a 180 ° phase shifter according to the first embodiment.

【図4】図3の各部説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of each part of FIG.

【図5】第1実施例の180°移相器完成図(Aは斜視
図、BはX−Y線断面図)である。
FIG. 5 is a completed 180 ° phase shifter of the first embodiment (A is a perspective view and B is a sectional view taken along line XY).

【図6】第1実施例の180°移相器特性図である。FIG. 6 is a 180 ° phase shifter characteristic diagram of the first embodiment.

【図7】第1実施例のトランス部変形例である。FIG. 7 is a modification of the transformer section of the first embodiment.

【図8】第2実施例の180°移相器分解斜視図であ
る。
FIG. 8 is an exploded perspective view of a 180 ° phase shifter according to a second embodiment.

【図9】第2実施例の180°移相器完成図(Aは斜視
図、BはX−Y線断面図)である。
FIG. 9 is a completed 180 ° phase shifter of the second embodiment (A is a perspective view and B is a sectional view taken along line XY).

【図10】従来の180°移相器説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a conventional 180 ° phase shifter.

【図11】従来の180°移相器特性図である。FIG. 11 is a characteristic diagram of a conventional 180 ° phase shifter.

【符号の説明】 1 トロイダルコア(フェライト) 2 1次側コイル(1次巻線) 3、4 2次側コイル(2次巻線) IN 入力端子 OUT1、OUT2 出力端子 14、31 GND電極パターン[Explanation of symbols] 1 toroidal core (ferrite) 2 primary coil (primary winding) 3, 4 secondary coil (secondary winding) IN input terminal OUT1, OUT2 output terminal 14, 31 GND electrode pattern

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 1個の1次側コイル(2)と、2個の2
次側コイル(3、4)を有し、この2次側コイル(3、
4)を直列接続して、その接続点を接地したトランスを
用いた180°移相器であって、 該180°移相器を多層基板で構成し、 この多層基板に、複数のコイルパターン(8、9、1
0)を設定してトランス部とし、このトランス部で、前
記1次側、2次側コイル(2〜4)を構成すると共に、 前記多層基板に、GND電極パターン(14)、及び複
数のコンデンサ電極パターン(11〜13)を設定して
コンデンサ部とし、このコンデンサ部を、前記トランス
部と一体化し、 前記1次側コイル(2)及び2次側コイル(3、4)の
それぞれに、一方の電極を接地した前記コンデンサ部の
コンデンサ(C1、C2、C3)を接続したことを特徴
とする180°移相器。
1. A primary coil (2) and two coils (2)
It has a secondary coil (3, 4), and this secondary coil (3, 4)
4) is a 180 ° phase shifter using a transformer in which the connection point is grounded and the connection point is grounded. The 180 ° phase shifter is composed of a multilayer substrate, and a plurality of coil patterns ( 8, 9, 1
0) is set as a transformer section, and the primary side and secondary side coils (2 to 4) are configured by this transformer section, and the GND electrode pattern (14) and a plurality of capacitors are provided on the multilayer substrate. An electrode pattern (11 to 13) is set to form a capacitor part, and the capacitor part is integrated with the transformer part, and one of the primary side coil (2) and the secondary side coil (3, 4) is A 180 ° phase shifter, to which capacitors (C1, C2, C3) of the capacitor section whose electrodes are grounded are connected.
【請求項2】 前記コンデンサ部のGND電極パターン
(14)を、 多層基板の最も下側(部品取り付け面側)のパターンと
なる位置に、ベタパターン(基板面の略全面に形成した
パターン)として設定したことを特徴とする請求項1記
載の180°移相器。
2. The GND electrode pattern (14) of the capacitor portion is formed as a solid pattern (a pattern formed on substantially the entire surface of the board) at a position which becomes the lowermost pattern (component mounting surface side) of the multilayer board. The 180 ° phase shifter according to claim 1, wherein the 180 ° phase shifter is set.
【請求項3】 前記コンデンサ部を2つに分割して、第
1コンデンサ部、及び第2コンデンサ部とし、 多層基板の積層方向に対し、前記トランス部の両側に、
第1コンデンサ部と、第2コンデンサ部を対称的に配置
したことを特徴とする請求項1記載の180°移相器。
3. The first capacitor part and the second capacitor part are formed by dividing the capacitor part into two parts, on both sides of the transformer part in the stacking direction of the multilayer substrate.
The 180 ° phase shifter according to claim 1, wherein the first capacitor section and the second capacitor section are symmetrically arranged.
【請求項4】 前記第1、第2コンデンサ部のGND電
極パターン(14、31)を、 多層基板の最も上側(部品取り付け面と反対側)と、最
も下側(部品取り付け面側)のパターンとなる位置に、
ベタパターン(基板面の略全面に形成したパターン)と
して設定し、 前記トランス部、及びコンデンサ部の積層方向の両側
を、前記2つのGND電極パターン(14、31)で挟
んだことを特徴とする請求項3記載の180°移相器。
4. The GND electrode patterns (14, 31) of the first and second capacitor portions are arranged on the uppermost side (opposite side to the component mounting surface) and the lowermost side (component mounting surface side) of the multilayer substrate. At the position
It is set as a solid pattern (a pattern formed on substantially the entire surface of the substrate), and both sides of the transformer part and the capacitor part in the stacking direction are sandwiched by the two GND electrode patterns (14, 31). The 180 ° phase shifter according to claim 3.
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