JPH0735678A - パーティクルセンサーヘッド - Google Patents
パーティクルセンサーヘッドInfo
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- JPH0735678A JPH0735678A JP5199889A JP19988993A JPH0735678A JP H0735678 A JPH0735678 A JP H0735678A JP 5199889 A JP5199889 A JP 5199889A JP 19988993 A JP19988993 A JP 19988993A JP H0735678 A JPH0735678 A JP H0735678A
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Links
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Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 散乱光方式の粒子検出手段において、散乱光
を捕捉する効率が変化することなくセンサー自身の高性
能化、光検出器自身が発生するパルス性ノイズに起因す
る粒子検出時のバックグラウンドカウントの低減、また
製造コストの低減を実現可能にしたセンサーヘッドを提
供することにある。 【構成】軸線方向に長くてパーティクルが進入する取入
口を側部に有する筒状のケーシング内に、光源と、この
光源から放射された光をビーム形状に成形する光学系
と、このビーム光の進む方向とパーティクルが進入する
方向で形成される仮想面と対面する２面のうちの１面に
配置されビーム光が取入口から進入したパーティクルに
衝突して発生する散乱光が検出される光検出器と、該光
検出器の対面に配置され散乱光を反射して該光検出器に
集光するシリンドリカルミラーと、ビーム光を受け止め
るビームストッパーとを配置することによって構成され
る。
を捕捉する効率が変化することなくセンサー自身の高性
能化、光検出器自身が発生するパルス性ノイズに起因す
る粒子検出時のバックグラウンドカウントの低減、また
製造コストの低減を実現可能にしたセンサーヘッドを提
供することにある。 【構成】軸線方向に長くてパーティクルが進入する取入
口を側部に有する筒状のケーシング内に、光源と、この
光源から放射された光をビーム形状に成形する光学系
と、このビーム光の進む方向とパーティクルが進入する
方向で形成される仮想面と対面する２面のうちの１面に
配置されビーム光が取入口から進入したパーティクルに
衝突して発生する散乱光が検出される光検出器と、該光
検出器の対面に配置され散乱光を反射して該光検出器に
集光するシリンドリカルミラーと、ビーム光を受け止め
るビームストッパーとを配置することによって構成され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、真空処理装置中の粒
子を検出する粒子検出装置用のセンサーヘッドに関する
ものである。
子を検出する粒子検出装置用のセンサーヘッドに関する
ものである。
【０００２】
【従来技術】近来ＬＳＩに代表される半導体装置は高集
積化が進み、例えば４ＭＤＲＡＭにおいてはパターン線
幅は０．８μｍとすでにサブミクロンに達している。こ
ういった現状において、半導体装置の不良原因の８０％
以上は粒子（パーティクル）に起因するものとされてい
る。半導体装置の製造に係わる真空処理装置の粒子計測
方法として、実際の製造工程における実プロセス中に発
生する粒子の“ｉｎ−ｓｉｔｕ”測定が可能である光散
乱方式の粒子検出装置が使用されている。この粒子検出
装置として、例えば特開平３−３１１６０４号公報に開
示された粒子測定システム、具体的にはウシオ電機
（株）製のパーティクルトレンドモニターＰＭ−１５０
ＸＳ及びそのセンサーＭ−２０，Ｍ−２５，Ｍ−２０
Ｓ，Ｍ−２５Ｓ等が知られている。
積化が進み、例えば４ＭＤＲＡＭにおいてはパターン線
幅は０．８μｍとすでにサブミクロンに達している。こ
ういった現状において、半導体装置の不良原因の８０％
以上は粒子（パーティクル）に起因するものとされてい
る。半導体装置の製造に係わる真空処理装置の粒子計測
方法として、実際の製造工程における実プロセス中に発
生する粒子の“ｉｎ−ｓｉｔｕ”測定が可能である光散
乱方式の粒子検出装置が使用されている。この粒子検出
装置として、例えば特開平３−３１１６０４号公報に開
示された粒子測定システム、具体的にはウシオ電機
（株）製のパーティクルトレンドモニターＰＭ−１５０
ＸＳ及びそのセンサーＭ−２０，Ｍ−２５，Ｍ−２０
Ｓ，Ｍ−２５Ｓ等が知られている。
【０００３】光散乱方式の粒子検出装置に使用される従
来のセンサーヘッドについて図３に基づいて説明する。
図３に示すように、センサーヘッドは、軸線方向に長く
てパーティクルが進入する取入口１０を側部に有する筒
状のケーシング２０内に、光源１と、この光源１から放
射された光をビーム形状に成形するレンズ２，５、プリ
ズム３，４および絞り６で構成される光学系と、このビ
ーム光Ｌの進む方向とパーティクルが進入する方向で形
成される仮想面と対面するフィルター７と、ビーム光Ｌ
が取入口１０から進入したパーティクルに衝突して発生
する散乱光がフィルター７を透過して検出される光検出
器８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄと、ビーム光Ｌを受け止める
ビームストッパー９より構成される。
来のセンサーヘッドについて図３に基づいて説明する。
図３に示すように、センサーヘッドは、軸線方向に長く
てパーティクルが進入する取入口１０を側部に有する筒
状のケーシング２０内に、光源１と、この光源１から放
射された光をビーム形状に成形するレンズ２，５、プリ
ズム３，４および絞り６で構成される光学系と、このビ
ーム光Ｌの進む方向とパーティクルが進入する方向で形
成される仮想面と対面するフィルター７と、ビーム光Ｌ
が取入口１０から進入したパーティクルに衝突して発生
する散乱光がフィルター７を透過して検出される光検出
器８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄと、ビーム光Ｌを受け止める
ビームストッパー９より構成される。
【０００４】粒子情報は以下のようにして得られる。取
入口１０に進入したパーティクルにビーム光Ｌが衝突す
ることによって発生した散乱光は、粒子が存在する時間
だけ存在し、またその強度は粒子が大きいほど強い。従
って散乱光はパルス信号として処理される。このパルス
の個数によって粒子の個数が計測され、パルスの大きさ
によって粒子の大小が識別される。このような粒子によ
る散乱はＭｉｅ散乱と呼ばれ、散乱角によって散乱光強
度が異なる。よって粒子を感度良く検出するには、より
多くの散乱光を検出すること、すなわち散乱光を捕捉す
る効率が大きいほど有利であり、従って大面積の光検出
器が広い立体角の散乱光を検出するため使用される。先
に図３で示した例では８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄの大面積
Ｓｉフォトダイオードが、ビーム光Ｌの進む方向とパー
ティクルが進入する方向で形成される仮想面と対面する
両側に２個ずつ配置されている。各々の大面積Ｓｉフォ
トダイオードは並列接続されており、トータルの信号が
プリアンプで増幅される。
入口１０に進入したパーティクルにビーム光Ｌが衝突す
ることによって発生した散乱光は、粒子が存在する時間
だけ存在し、またその強度は粒子が大きいほど強い。従
って散乱光はパルス信号として処理される。このパルス
の個数によって粒子の個数が計測され、パルスの大きさ
によって粒子の大小が識別される。このような粒子によ
る散乱はＭｉｅ散乱と呼ばれ、散乱角によって散乱光強
度が異なる。よって粒子を感度良く検出するには、より
多くの散乱光を検出すること、すなわち散乱光を捕捉す
る効率が大きいほど有利であり、従って大面積の光検出
器が広い立体角の散乱光を検出するため使用される。先
に図３で示した例では８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄの大面積
Ｓｉフォトダイオードが、ビーム光Ｌの進む方向とパー
ティクルが進入する方向で形成される仮想面と対面する
両側に２個ずつ配置されている。各々の大面積Ｓｉフォ
トダイオードは並列接続されており、トータルの信号が
プリアンプで増幅される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような構成の光
検出器においては、先述の如くより多くの散乱光を検出
するという点では有利であるが、反面接合容量の大きな
大面積Ｓｉフォトダイオードが複数並列接続されている
ので、接合容量がより大きくなるという欠点があった。
その結果ノイズレベルが高くなり、また応答速度が遅く
なるので、センサー自身の高性能化に限界があった。ま
た光検出器自身が発生するパルス性ノイズの原因として
はアルファ線等の宇宙線や光検出器のパッケージ内の放
射性不純物などがあるが、その発生頻度は光検出器の面
積に正の相関を持っているので、粒子検出時におけるバ
ックグラウンド・カウントが増大するという欠点があっ
た。さらには高価な光検出器を多数使用しているので、
センサーヘッドの製造コストが増大するという欠点があ
った。
検出器においては、先述の如くより多くの散乱光を検出
するという点では有利であるが、反面接合容量の大きな
大面積Ｓｉフォトダイオードが複数並列接続されている
ので、接合容量がより大きくなるという欠点があった。
その結果ノイズレベルが高くなり、また応答速度が遅く
なるので、センサー自身の高性能化に限界があった。ま
た光検出器自身が発生するパルス性ノイズの原因として
はアルファ線等の宇宙線や光検出器のパッケージ内の放
射性不純物などがあるが、その発生頻度は光検出器の面
積に正の相関を持っているので、粒子検出時におけるバ
ックグラウンド・カウントが増大するという欠点があっ
た。さらには高価な光検出器を多数使用しているので、
センサーヘッドの製造コストが増大するという欠点があ
った。
【０００６】そこで本発明はかかる事情に鑑みてなされ
たものであり、散乱光を捕捉する効率が大幅に変化する
ことなくセンサー自身の高性能化を実現し、光検出器自
身が発生するパルス性ノイズに起因する粒子検出時のバ
ックグラウンドカウントを低減し、なおかつ製造コスト
が低減できるセンサーヘッドを提供することにある。
たものであり、散乱光を捕捉する効率が大幅に変化する
ことなくセンサー自身の高性能化を実現し、光検出器自
身が発生するパルス性ノイズに起因する粒子検出時のバ
ックグラウンドカウントを低減し、なおかつ製造コスト
が低減できるセンサーヘッドを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は、軸線方向に長くてパーティクルが進入
する取入口を側部に有する筒状のケーシング内に、光源
と、この光源から放射された光をビーム形状に成形する
光学系と、このビーム光の進む方向とパーティクルが進
入する方向で形成される仮想面と対面する２面のうちの
１面に配置されビーム光が取入口から進入したパーティ
クルに衝突して発生する散乱光が検出される光検出器
と、該光検出器の対面に配置され散乱光を反射して該光
検出器に集光するシリンドリカルミラーと、ビームを受
け止めるビームストッパーによって、パーティクルセン
サーヘッドを構成する。
めに、本発明は、軸線方向に長くてパーティクルが進入
する取入口を側部に有する筒状のケーシング内に、光源
と、この光源から放射された光をビーム形状に成形する
光学系と、このビーム光の進む方向とパーティクルが進
入する方向で形成される仮想面と対面する２面のうちの
１面に配置されビーム光が取入口から進入したパーティ
クルに衝突して発生する散乱光が検出される光検出器
と、該光検出器の対面に配置され散乱光を反射して該光
検出器に集光するシリンドリカルミラーと、ビームを受
け止めるビームストッパーによって、パーティクルセン
サーヘッドを構成する。
【０００８】
【作用】光検出器と対面に配置されたシリンドリカルミ
ラーは、シリンドリカルミラー側に散乱する散乱光を対
面の光検出器に入射するよう反射するので、散乱光を捕
捉する効率は従来の構造と比較してあまり低下しない。
また光検出器の個数がシリンドリカルミラーの設置によ
り半分に削減できるので、光検出器の接合容量減少によ
るセンサー自身の高性能化、光検出器自身が発生するパ
ルス性ノイズに起因するバックグラウンドカウントの減
少、センサーヘッドの製造コストの低減を実現する。
ラーは、シリンドリカルミラー側に散乱する散乱光を対
面の光検出器に入射するよう反射するので、散乱光を捕
捉する効率は従来の構造と比較してあまり低下しない。
また光検出器の個数がシリンドリカルミラーの設置によ
り半分に削減できるので、光検出器の接合容量減少によ
るセンサー自身の高性能化、光検出器自身が発生するパ
ルス性ノイズに起因するバックグラウンドカウントの減
少、センサーヘッドの製造コストの低減を実現する。
【０００９】また、ビーム光の幅をｗ、ビーム光の中心
から検出器までの距離をｌ、ビーム光の中心からシリン
ドリカルミラーまでの距離をｍとすると、使用するシリ
ンドリカルミラーの曲率Ｒは、ｍ＋ｌ＞Ｒ＞ｍの範囲に
選択されることが望ましい。
から検出器までの距離をｌ、ビーム光の中心からシリン
ドリカルミラーまでの距離をｍとすると、使用するシリ
ンドリカルミラーの曲率Ｒは、ｍ＋ｌ＞Ｒ＞ｍの範囲に
選択されることが望ましい。
【００１０】
【実施例】以下に図面に示す実施例に基づいて本発明を
具体的に説明する。図１に示すように、ケーシング２０
は筒状体であり、その側部にケーシング２０の軸線方向
に長い長孔である取入口１０が形成されている。ケーシ
ング２０内の一端側には、光源１として、波長が７８０
ｎｍの光を放射する半導体レーザーが配置されている。
光源１の前方にはレンズ２，５と、プリズム３，４と、
絞り６からなる光学系が配置され、光源１からのレーザ
ー光を光学系でビーム光Ｌにするが、ビーム光Ｌはケー
シング２０の軸線に沿って進行する。
具体的に説明する。図１に示すように、ケーシング２０
は筒状体であり、その側部にケーシング２０の軸線方向
に長い長孔である取入口１０が形成されている。ケーシ
ング２０内の一端側には、光源１として、波長が７８０
ｎｍの光を放射する半導体レーザーが配置されている。
光源１の前方にはレンズ２，５と、プリズム３，４と、
絞り６からなる光学系が配置され、光源１からのレーザ
ー光を光学系でビーム光Ｌにするが、ビーム光Ｌはケー
シング２０の軸線に沿って進行する。
【００１１】また取入口１０に対応して一対のフィルタ
ー７と大面積Ｓｉフォトダイオードである光検出器８
ａ，８ｂとシリンドリカルミラー１１が配置されている
が、前出のように、ビーム光Ｌの進む方向とパーティク
ルが進入する方向で形成される仮想面に対面するように
フィルター７が配置され、またその仮想面に対面する片
側に光検出器８ａ，８ｂが、他の片側にシリンドリカル
レンズ１１が配置されている。このフィルター７，７の
間が検出領域である。そしてフィルター７および光検出
器８ａ，８ｂ、シリンドリカルミラー１１の下流側に検
出領域を通過したビーム光Ｌを受け止めるビームストッ
パー９が配置されている。尚、フィルター７は必ずしも
必要ではないが、使用するほうが望ましい。それは、フ
ィルター７は半導体装置の製造に係わる真空処理装置で
の実プロセス中に放射される光が検出器に入射するのを
低減し、バックグラウンドレベルを低減するからであ
る。またフィルター７は光検出器８ａ，８ｂおよびシリ
ンドリカルレンズ１１の前方に配置されているので、こ
れらに粒子が付着して劣化するのを低減する。
ー７と大面積Ｓｉフォトダイオードである光検出器８
ａ，８ｂとシリンドリカルミラー１１が配置されている
が、前出のように、ビーム光Ｌの進む方向とパーティク
ルが進入する方向で形成される仮想面に対面するように
フィルター７が配置され、またその仮想面に対面する片
側に光検出器８ａ，８ｂが、他の片側にシリンドリカル
レンズ１１が配置されている。このフィルター７，７の
間が検出領域である。そしてフィルター７および光検出
器８ａ，８ｂ、シリンドリカルミラー１１の下流側に検
出領域を通過したビーム光Ｌを受け止めるビームストッ
パー９が配置されている。尚、フィルター７は必ずしも
必要ではないが、使用するほうが望ましい。それは、フ
ィルター７は半導体装置の製造に係わる真空処理装置で
の実プロセス中に放射される光が検出器に入射するのを
低減し、バックグラウンドレベルを低減するからであ
る。またフィルター７は光検出器８ａ，８ｂおよびシリ
ンドリカルレンズ１１の前方に配置されているので、こ
れらに粒子が付着して劣化するのを低減する。
【００１２】本実施例が示すように、一般的に光源１か
らの光は、多数の粒子が通過して散乱光が検出できるよ
うに薄く幅広のビーム形状に光学系によって成形され
る。一方、シリンドリカルミラー１１の曲率Ｒは、粒子
が検出領域を通過した時にビームＬと衝突して発生する
散乱光が効率よく対向する面に配置されている光検出器
８ａ，８ｂに集光されるように選択する必要がある。よ
ってビームの任意の位置で発生する散乱光がすべて反射
して光検出器に入射光するように、シリンドリカルミラ
ー１１の曲率Ｒを選択すれば良いことになる。
らの光は、多数の粒子が通過して散乱光が検出できるよ
うに薄く幅広のビーム形状に光学系によって成形され
る。一方、シリンドリカルミラー１１の曲率Ｒは、粒子
が検出領域を通過した時にビームＬと衝突して発生する
散乱光が効率よく対向する面に配置されている光検出器
８ａ，８ｂに集光されるように選択する必要がある。よ
ってビームの任意の位置で発生する散乱光がすべて反射
して光検出器に入射光するように、シリンドリカルミラ
ー１１の曲率Ｒを選択すれば良いことになる。
【００１３】図２は、ビーム光の幅をｗ、ビーム光Ｌの
中心から検出器８ａまでの距離をｌ、ビーム光Ｌの中心
からシリンドリカルミラー１１の最凹部１２までの距離
をｍとしたとき、曲率ＲをＲ＝ｍ＋ｗ／２となるように
選択した例である。図２中のａ，ｃ，ｂは各々ビーム光
Ｌの両端および中央部から発生した散乱光の光線軌跡例
であり、ａ’，ｃ’，ｂ’は各々ａ，ｃ，ｂがシリンド
リカルミラー１１によって反射された後の光線軌跡例で
ある。各光線ともすべて大面積Ｓｉフォトダイオードで
ある光検出器に入射している。尚、図２はシリンドリカ
ルミラー１１の曲率Ｒの選択をＲ＝ｍ＋ｗ／２とした例
であるが、曲率Ｒの選択は特にこの条件に限るものでは
なく、ｍ＋ｌ＞Ｒ＞ｍの範囲に選択しても構わない。ま
たシリンドリカルミラーは、アルミニウム、金、銀等の
一般的に使用される材料を採用することが可能であり、
更に例えばＭｇＦ2 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3よりなる保
護膜を設けることにより、真空処理装置からの反応生成
物に起因する付着物を洗浄する際に、シリンドリカルミ
ラーが損傷することを防止することができる。
中心から検出器８ａまでの距離をｌ、ビーム光Ｌの中心
からシリンドリカルミラー１１の最凹部１２までの距離
をｍとしたとき、曲率ＲをＲ＝ｍ＋ｗ／２となるように
選択した例である。図２中のａ，ｃ，ｂは各々ビーム光
Ｌの両端および中央部から発生した散乱光の光線軌跡例
であり、ａ’，ｃ’，ｂ’は各々ａ，ｃ，ｂがシリンド
リカルミラー１１によって反射された後の光線軌跡例で
ある。各光線ともすべて大面積Ｓｉフォトダイオードで
ある光検出器に入射している。尚、図２はシリンドリカ
ルミラー１１の曲率Ｒの選択をＲ＝ｍ＋ｗ／２とした例
であるが、曲率Ｒの選択は特にこの条件に限るものでは
なく、ｍ＋ｌ＞Ｒ＞ｍの範囲に選択しても構わない。ま
たシリンドリカルミラーは、アルミニウム、金、銀等の
一般的に使用される材料を採用することが可能であり、
更に例えばＭｇＦ2 ，ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3よりなる保
護膜を設けることにより、真空処理装置からの反応生成
物に起因する付着物を洗浄する際に、シリンドリカルミ
ラーが損傷することを防止することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のパーティ
クルセンサーヘッドは、光検出器の対面にシリンドリカ
ルミラーが配置され、配置されたシリンドリカルミラー
はシリンドリカルミラー側に散乱する散乱光を対面の光
検出器に反射するので、散乱光を捕捉する効率は従来の
光検出器が対向する構造と比較してほとんど低下せず、
また光検出器の個数がシリンドリカルミラーの設置によ
り従来の半分に削減できるので、光検出器の接合容量が
減少しそれに伴って光検出器の応答速度の高速化、ノイ
ズ検出の減少等によるセンサー自身の高性能化が実現で
き、また光検出器の有効面積も半分になるので、光検出
器自身が発生するパルス性ノイズの頻度がおよそ半分程
度となりそれに起因するバックグラウンドカウントを低
減でき、さらに光検出器のコストが半分になるのでセン
サーヘッドの製造コストの低減が実現できる。
クルセンサーヘッドは、光検出器の対面にシリンドリカ
ルミラーが配置され、配置されたシリンドリカルミラー
はシリンドリカルミラー側に散乱する散乱光を対面の光
検出器に反射するので、散乱光を捕捉する効率は従来の
光検出器が対向する構造と比較してほとんど低下せず、
また光検出器の個数がシリンドリカルミラーの設置によ
り従来の半分に削減できるので、光検出器の接合容量が
減少しそれに伴って光検出器の応答速度の高速化、ノイ
ズ検出の減少等によるセンサー自身の高性能化が実現で
き、また光検出器の有効面積も半分になるので、光検出
器自身が発生するパルス性ノイズの頻度がおよそ半分程
度となりそれに起因するバックグラウンドカウントを低
減でき、さらに光検出器のコストが半分になるのでセン
サーヘッドの製造コストの低減が実現できる。
【図１】本発明の実施例の説明図である。
【図２】図１におけるシリンドリカルミラーの構成例で
ある。
ある。
【図３】従来のパーティクルセンサーヘッドの説明図で
ある。
ある。
１ 光源 ２ レンズ ３ プリズム ４ プリズム ５ レンズ ６ 絞り ７ フィルター ８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ 光検出器 ９ ビームストッパー １０ 取入口 １１ シリンドリカルミラー １２ シリンドリカルミラーの最凹部１２ ２０ ケーシング Ｌ ビーム光 ｗ ビーム光Ｌの幅 ｌ ビーム光Ｌの中心から検出器８ａまでの距離 ｍ ビーム光Ｌの中心からシリンドリカルミラー１１の
最凹部１２までの距離 ａ，ｂ，ｃ 散乱光の光線軌跡 ａ’，ｂ’，ｃ’ 反射光の光線軌跡例
最凹部１２までの距離 ａ，ｂ，ｃ 散乱光の光線軌跡 ａ’，ｂ’，ｃ’ 反射光の光線軌跡例
Claims (2)
- 【請求項１】 軸線方向に長くてパーティクルが進入す
る取入口を側部に有する筒状のケーシング内に、 光源と、 この光源から放射された光をビーム形状に成形する光学
系と、 このビーム光の進む方向とパーティクルが進入する方向
で形成される仮想面と対面する２面のうちの１面に配置
されビーム光が取入口から進入したパーティクルに衝突
して発生する散乱光が検出される光検出器と、 該光検出器の対面に配置され散乱光を反射して該光検出
器に集光するシリンドリカルミラーと、 ビームを受け止めるビームストッパーによって構成され
るパーティクルセンサーヘッド。 - 【請求項２】 ビーム光の幅をｗ、 ビーム光の中心から検出器までの距離をｌ、 ビーム光の中心からシリンドリカルミラーまでの距離を
ｍとするとき、 シリンドリカルミラーの曲率Ｒが、ｍ＋ｌ＞Ｒ＞ｍの範
囲の値であることを特徴とする前記第１項記載のパーテ
ィクルセンサーヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5199889A JPH0735678A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | パーティクルセンサーヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5199889A JPH0735678A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | パーティクルセンサーヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0735678A true JPH0735678A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16415298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5199889A Pending JPH0735678A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | パーティクルセンサーヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0735678A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009002733A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Toshiba Corp | 浮遊パーティクル検出装置及び浮遊パーティクル検出方法 |
| JP2012117882A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Rion Co Ltd | 粒子計数方法 |
| JP2016223887A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 株式会社島津製作所 | パーティクル計数装置 |
-
1993
- 1993-07-20 JP JP5199889A patent/JPH0735678A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009002733A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Toshiba Corp | 浮遊パーティクル検出装置及び浮遊パーティクル検出方法 |
| JP2012117882A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Rion Co Ltd | 粒子計数方法 |
| JP2016223887A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 株式会社島津製作所 | パーティクル計数装置 |
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