JP6542385B2 - 微小物検出装置 - Google Patents

微小物検出装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6542385B2
JP6542385B2 JP2017556010A JP2017556010A JP6542385B2 JP 6542385 B2 JP6542385 B2 JP 6542385B2 JP 2017556010 A JP2017556010 A JP 2017556010A JP 2017556010 A JP2017556010 A JP 2017556010A JP 6542385 B2 JP6542385 B2 JP 6542385B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
peak
particle
scattered light
detection device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017556010A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2017104533A1 (ja
Inventor
中井 賢也
賢也 中井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of JPWO2017104533A1 publication Critical patent/JPWO2017104533A1/ja
Priority to JP2019109212A priority Critical patent/JP6932156B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6542385B2 publication Critical patent/JP6542385B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/49Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/02Investigating particle size or size distribution
    • G01N15/0205Investigating particle size or size distribution by optical means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/02Investigating particle size or size distribution
    • G01N15/0205Investigating particle size or size distribution by optical means
    • G01N15/0211Investigating a scatter or diffraction pattern
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/06Investigating concentration of particle suspensions
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/10Investigating individual particles
    • G01N15/14Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
    • G01N15/1434Optical arrangements
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/10Investigating individual particles
    • G01N15/14Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
    • G01N15/1456Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry without spatial resolution of the texture or inner structure of the particle, e.g. processing of pulse signals
    • G01N15/1459Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry without spatial resolution of the texture or inner structure of the particle, e.g. processing of pulse signals the analysis being performed on a sample stream
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21Polarisation-affecting properties
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/49Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid
    • G01N21/53Scattering, i.e. diffuse reflection within a body or fluid within a flowing fluid, e.g. smoke
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/06Investigating concentration of particle suspensions
    • G01N15/075Investigating concentration of particle suspensions by optical means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N2015/0042Investigating dispersion of solids
    • G01N2015/0046Investigating dispersion of solids in gas, e.g. smoke
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N2015/0042Investigating dispersion of solids
    • G01N2015/0053Investigating dispersion of solids in liquids, e.g. trouble
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/06Investigating concentration of particle suspensions
    • G01N2015/0687Investigating concentration of particle suspensions in solutions, e.g. non volatile residue
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/10Investigating individual particles
    • G01N15/14Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
    • G01N15/1434Optical arrangements
    • G01N2015/1452Adjustment of focus; Alignment
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/10Investigating individual particles
    • G01N15/14Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
    • G01N2015/1486Counting the particles
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/10Investigating individual particles
    • G01N15/14Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
    • G01N2015/1488Methods for deciding
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/10Investigating individual particles
    • G01N15/14Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
    • G01N2015/1493Particle size
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N15/00Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
    • G01N15/10Investigating individual particles
    • G01N15/14Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
    • G01N2015/1497Particle shape
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21Polarisation-affecting properties
    • G01N2021/217Measuring depolarisation or comparing polarised and depolarised parts of light
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N2021/4792Polarisation of scatter light
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/01Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
    • G01N21/03Cuvette constructions
    • G01N21/0303Optical path conditioning in cuvettes, e.g. windows; adapted optical elements or systems; path modifying or adjustment
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/01Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
    • G01N21/03Cuvette constructions
    • G01N21/05Flow-through cuvettes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Description

本発明は、大気中に浮遊する粒子又は液中に浮遊する粒子を検出する機能を備えた微小物検出装置に関する。
花粉又は埃などの浮遊する微小な粒子状の物質(以下、「粒子」と言う)が存在する空間に光を照射して、そのときに発生する散乱光を検出し、粒子の量、粒子の大きさ、又は粒子の種類などの検出を行う微小物検出装置が種々提案されている。
例えば、特許文献1は、光源と受光素子と集光ミラーとを備え、光源から放射された光を粒子に照射し、その散乱光を集光ミラーで反射させて、受光素子で散乱光の強度を検出する粒子センサを開示している。
特許文献1に記載の粒子センサでは、対向した2枚の集光ミラーは、それぞれ楕円ミラーと球面ミラーである。そして、散乱光を放射する粒子の通過領域は、楕円ミラーの1つの焦点(第1の焦点という)の位置に配置されている。また、散乱光を受光する受光素子は、楕円ミラーの他方の焦点(第2の焦点という)の位置に配置されている。そして、球面ミラーの焦点(球面ミラー面の曲率半径の中心点)は、楕円ミラーの第1の焦点の位置に配置されている。これによって、球面ミラーの反射光を楕円ミラーでさらに反射させて、受光素子に導くことができる。
WO2007−063862号公報
しかしながら、球面ミラーから反射された光は、粒子に再び集光してしまう。このため、球面ミラーから反射された光は、粒子自身によって遮光され、受光素子に到達しない。それによって、散乱光の検出効率の低下を招く。また、受光素子の出力信号に基づいて粒子の検出を行なう検出回路において、粒子の検出がしづらくなるという問題がある。
そこで、本発明は、上記の従来技術の課題を解決するためになされたものである。その目的は、対向した2枚の集光ミラーを用いた粒子センサにおいて、粒子自身による遮光を低減することで、散乱光の検出効率の低下を抑え、粒子の検出精度を向上できる微小物検出装置を提供することである。
本発明に係る微小物検出装置は、第1の反射領域、第2の反射領域及び受光素子を含む第1の光学系を備え、前記第1の反射領域は、楕円面形状であり、楕円面形状の2つの焦点の位置を利用して、第1の焦点の領域で照射光が粒子に当たって散乱した散乱光を反射して、第2の焦点の位置に設置された前記受光素子に導き、前記第2の反射領域は、6λpv以上の球面収差を有し、前記粒子から到達した散乱光を反射して、前記第1の反射領域に導き、当該第1の反射領域の楕円面形状を利用して前記受光素子に導くことを特徴とする。
このように、本発明によれば、粒子からの散乱光の受光効率と、粒子の検出精度とを向上することができる。
本発明の実施の形態1に係る微小物検出装置の構成を概略的に示す構成図である。 本発明の実施の形態1に係る微小物検出装置の構成を概略的に示す構成図である。 本発明の実施の形態1に係る微小物検出装置の第1の経路の光線を概略的に示す図である。 本発明の実施の形態1に係る微小物検出装置の第2の経路の光線を概略的に示す図である。 本発明の実施の形態1に係る微小物検出装置の第3の経路の光線を概略的に示す図である。 粒子にレーザー光を照射したときに発生する主要な散乱光を模式的に示す図である。 本発明の実施の形態1に係る微小物検出装置の検出回路部を示すブロック図である。 従来の微小物検出装置の第3の経路の光線を概略的に示す図である。 従来の微小物検出装置の検出信号の波形を概略的に示す図である。 本発明の実施の形態1に係る微小物検出装置の検出信号Sの波形を概略的に示す図である。 本発明の実施の形態1に係る微小物検出装置の第3の経路の光線を概略的に示す図である。 本発明の実施の形態1に係る微小物検出装置の第3の経路の光線を概略的に示す図である。 本発明の実施の形態1に係る微小物検出装置の第3の経路の光線を概略的に示す図である。 本発明の実施の形態2に係る微小物検出装置の検出回路部を示すブロック図である。 本発明の実施の形態3に係る微小物検出装置の検出光学系の構成を概略的に示す構成図である。 本発明の実施の形態3に係る微小物検出装置の光学系の構成を概略的に示す構成図である。 本発明の実施の形態3に係る微小物検出装置の光学系の構成を概略的に示す構成図である。 本発明の実施の形態3に係る微小物検出装置の検出回路部を示すブロック図である。
微小粒子状物質ともよばれるPM2.5およびPM10などは、散乱光の光量が少ないため、集光ミラーなどを用いて、散乱光を集めることで光量を増やすことが有効である。一方、花粉または埃などは、粒径が大きいため、微小粒子状物質に比べて、散乱光の集光の有効性は少ない。
特許文献である特開2004−125602号公報には、浮遊粒子からの散乱光のうち、発光部からの照射光と平行な方向の偏光の強度と、発光部からの照射光と垂直な方向の偏光の強度とを測定して、花粉と花粉以外の浮遊粒子との識別を行う花粉センサが記載されている。また、散乱光を受光する受光部は、各々、照射光の入射光軸に対して、60度の散乱光の方向に配置されている。
しかしながら、集光ミラーなどを用いて、散乱光を集める光学系において、散乱光が集光ミラーで斜め方向に反射された場合には、偏光方向の変化と反射率の変化との影響を受けるため、偏光成分の検出精度の低下を招く。そのため、微小粒子状物質と花粉とを1つの光学系で検出することは困難であった。
また、例えば、特許文献1のように、楕円鏡と球面鏡とを用いた光学系の場合には、散乱光を発した粒子は、球面鏡で反射された散乱光にとっての遮光物となる。この散乱光の遮光によって、1つの粒子に対応する検出信号の1つのピークは2つのピークに変形する。このため、粒子の個数を数え間違える誤検出が発生するという問題がある。
説明を容易にするために、各図中にxyz直交座標系の座標軸を示す。以下の説明において、微小物検出装置11の吸気口5aの中心と排気口5bの中心とをむすぶ方向をx軸方向とする。吸気口5a側が+x軸方向である。排気口5b側が−x軸方向である。第1の集光ミラー101の中心と第2の集光ミラー102の中心とをむすぶ方向をy軸方向とする。第1の集光ミラー101側が+y軸方向である。第2の集光ミラー102側が−y軸方向である。照射光3が照射される方向をz軸方向とする。照射光3が進行する方向が+z軸方向である。レーザー発光素子1の配置されている側が−z軸方向である。
例えば、特許文献1の場合には、y軸は、楕円ミラーの第1の焦点と第2の焦点を結んだ線分に平行となる。また、y軸は、z−x平面に垂直な軸である。
実施の形態1.
図1及び図2は、本発明の実施の形態1に係る微小物検出装置11の光学系500の構成を概略的に示す構成図である。図1は、微小物検出装置11の光学系500のy−z断面を示す構成図である。図2は、微小物検出装置11の光学系500のz−x面を示す構成図である。
<微小物検出装置11の光学系500>
図1及び図2に示されるように、微小物検出装置11の光学系500は、主要な構成として、検出光学系50を備える。微小物検出装置11の光学系500は、レーザー発光素子1またはレンズ2を備えることができる。また、微小物検出装置11の光学系500は、ビームトラップ4または照射部フォルダ91を備えることができる。
検出光学系50は、第1の集光ミラー101、第2の集光ミラー102及び受光素子6を備える。
レーザー光照射部10は、レーザー発光素子1を備えている。また、レーザー光照射部10は、レンズ2または照射部フォルダ91を備えることができる。
レーザー発光素子1は、光源である。レンズ2は、レーザー発光素子1から放射された光を、被検出領域Dへ導いている。
実施の形態1では、光源をレーザー光源として説明する。しかし、光源は、例えば、LEDなどであっても良い。この場合には、照射光3は、LED光などである。また、照射光3は、単色光であっても良く、白色光であっても良い。レーザー発光素子1は、照射光3を放射する。
レンズ2は、レーザー発光素子1から放射された光を、被検対象の粒子Rへの照射光として出射する。レンズ2は、レーザー発光素子1から出射された照射光3を、被検出領域Dに照射する。
実施の形態1では、レーザー発光素子1から出射されたレーザー光(照射光3)は、レンズ2に入射する。レンズ2は、例えば、入射されたレーザー光(照射光3)を集光する。または、レンズ2は、例えば、入射されたレーザー光(照射光3)を平行光に変換する。レンズ2は、入射されたレーザー光(照射光3)の発散角を変更する。
レンズ2から出射されたレーザー光(照射光3)は、レンズ2によって、被検出領域Dに導かれる。被検出領域Dに導かれるレーザー光(照射光3)は、例えば、集光された光の状態又は平行化された光の状態である。レンズ2は、例えば、集光機能を備えたシリンドリカルレンズまたはトロイダルレンズであってもよい。
被検出領域D内には、浮遊粒子Rが存在する。照射光3の強度が浮遊粒子Rの検出にとって十分に大きく設定できる場合などでは、集光レンズ3を省略することが可能である。
照射部フォルダ91は、例えば、レーザー発光素子1及びレンズ2を保持している。照射部フォルダ91は、レーザー発光素子1及びレンズ2を一体化している。
照射部フォルダ91は、例えば、第1の集光ミラー101または第2の集光ミラー102に取り付けられている。図1では、照射部フォルダ91は、例えば、第1の集光ミラー101および第2の集光ミラー102に取り付けられている。
粒子Rは、上述のように、浮遊する微小な粒子状の物質である。検出対象となる浮遊粒子Rは、花粉、埃またはタバコの煙などを含む。粒子Rは、例えば、花粉又は埃などである。埃は、ハウスダストと呼ばれる。また、粒子Rは、ダニなどの微小生物の死骸、その破片又は糞などを含む。また、粒子Rは、いわゆる微小粒子状のPM2.5または微小粒子状の物質PM10などを含む。PM2.5は、大気中に浮遊する小さな粒子のうち、粒子の大きさが2.5μm以下の小さな粒子のことである。PM2.5の成分は、炭素、硝酸塩、硫酸塩、アンモニウム塩、ケイ素、ナトリウム又はアルミニウム等の無機元素などが含まれている。PM10は、大気中に浮遊する小さな粒子のうち、粒子の大きさが10μm以下の小さな粒子のことである。
PM2.5およびPM10は、微小粒子状物質ともよばれる。「粒子状物質」とは、マイクロメートルの大きさの固体または液体の微粒子のことをいう。
照射光3は、粒子Rに照射される。このとき、粒子Rから散乱光Lが生じる。
「散乱光」とは、浮遊粒子Rに当たった照射光3が、その伝播状態を変化させて発生する光である。「伝播」とは、波動が媒質の中を広がっていくことである。ここでは、光が空間の中を進行していくことである。空間は、上述のように、空気中、液体中または真空中などである。ただし、「散乱光」は、照射光3の波長によって発生する浮遊粒子Rの蛍光も含む。
検出対象である粒子Rは、照射光3が照射されたときに散乱光Lを発生させる微小物質であれば、特に制限されない。
検出光学系50は、第1の集光ミラー101、第2の集光ミラー102及び受光素子6を備えている。検出光学系50は、散乱光受光部ともよぶ。
第1の集光ミラー101及び第2の集光ミラー102は、散乱光Lの一部を受光素子6に導く。第1の集光ミラー101は、例えば、楕円ミラーである。また、第2の集光ミラー102は、例えば、球面ミラーである。第1の集光ミラー101及び第2の集光ミラー102は、1つの集光ミラーの一部の領域であっても構わない。
ここで、楕円ミラーは、理想的な楕円球の形状をしている必要はない。ここでの楕円ミラーは、ある点から拡散する光を、その反射を介して別の点に光を集める機能を有するミラーであり、広義の意味での楕円ミラーである。なお、光が集められる別の点は、ある範囲を持った領域であってもよい。
楕円の2つある焦点の一方の焦点を通る光線は楕円面で反射されて、もう一方の焦点を通る。楕円面は、3つの座標平面に平行な平面による切口が常に楕円である二次曲面である。
第1の集光ミラー101は、楕円の2つの焦点の位置を利用して、粒子Rから直接入射した散乱光111aを反射して受光素子6に導く。例えば、吸気口5aと排気口5bとは、第1の集光ミラー101の1つの焦点(第1の焦点)の位置に、粒子Rを導く。そして、第1の集光ミラー101の他の焦点(第2の焦点)の位置には、受光素子6が配置されている。
照射光3は、1つの焦点(第1の焦点)の領域で粒子Rに当てられる。通過領域Pと照射光3との交わる領域は、第1の集光ミラー101の第1の焦点を含んでいる。
受光素子6は、散乱光Lの強度を検知する。つまり、受光素子6は、光検知器である。受光素子6は、例えば、フォトダイオード等である。
受光素子6は、光の強度に対応した電流又は電圧を出力する。受光素子6は、光を受光する受光領域を備えている。受光素子6は、散乱光Lを受光する。
受光素子6の出力が電流である場合には、微小物検出装置11は、受光素子6の後段に、電流値を電圧に変換するIV変換回路(電流電圧変換回路)を備えることができる。
一方、受光素子6の出力が電圧である場合には、安定な電圧に変換するために、微小物検出装置11は、受光素子6の後段に、バッファ回路を備えることができる。バッファ回路は、例えば、ボルテージフォロワ等である。
吸気口5aは、例えば、吸入ノズルである。排気口5bは、例えば、排出ノズルである。吸気口5aは、被検対象の粒子Rを含む空気又は液体被検物を、被検出領域Dに導く。また、排気口5bは、被検対象の粒子Rを含む空気又は液体被検物を、被検出領域Dから排出させる。吸気口5aと排気口5bとの間に、粒子Rの通過領域Pが形成される。
なお、レーザー発光素子1から照射される照射光3は、例えば、吸気口5aと排気口5bとを通る直線に対して直交している必要はない。つまり、吸気口5aから排気口5bまでの粒子Rの流れる方向に対して、レーザー発光素子1から照射される照射光3は、直交している必要はない。つまり、レーザー発光素子1から照射される照射光3は、吸気口5aから排気口5bまでの粒子Rの流れる方向に対して、傾斜した角度で粒子Rに照射されることができる。
液体被検物は、被検対象の粒子Rを含む液体のことである。
被検出領域Dは、第1の集光ミラー101と第2の集光ミラー102とで囲まれた領域である。
例えば、被検出領域Dは、空気などの気体中の領域である。または、被検出領域Dは、水などの液体中の領域である。または、被検出領域Dは、真空の領域である。
被検対象の粒子Rは、被検出領域Dを通過する。実施の形態1では、粒子Rは、+x軸側から−x軸側に向けて、被検出領域Dを通過する。例えば、粒子Rは、空気中に浮遊している。または、粒子Rは、液体中に含まれている。
被検出領域Dの粒子Rの通過領域Pは、照射光3を通す壁などで閉ざされた領域であっても良い。または、被検出領域Dの粒子Rの通過領域Pは、開放された領域でもよい。
つまり、照射光3は通過領域Pを囲む壁を透過する。通過領域Pは、被検出領域Dに入った粒子Rが、被検出領域Dを出ていくまでに通過する領域である。実施の形態1では、粒子Rは吸気口5aから被検出領域Dに入る。また、粒子Rは排気口5bから被検出領域Dを出ていく。
ビームトラップ4は、粒子Rの通過領域Pを抜けた照射光3が、再び通過領域Pに反射してこないようにする。ビームトラップ4は、光を閉じ込める、又は光を吸収する、又は光を被検出領域Dの外部へ放出する。
つまり、ビームトラップ4は、光を被検出領域Dの外部へ放つ。ビームトラップ4は、光が再び被検出領域Dに入ることを妨げる。
<散乱光Lと受光素子6との関係>
実施の形態1に係る微小物検出装置11において、被検出領域Dにおける散乱光Lと受光素子6との関係について説明する。
実施の形態1に係る微小物検出装置11の検出光学系50では、粒子Rで発生した散乱光Lが受光素子6に導かれる経路は、3種類ある。
散乱光Lは、粒子Rで発生する。その散乱光Lは、検出光学系50によって、受光素子6に導かれる。受光素子6に導かれる経路は3種類ある。
図3、図4及び図5は、微小物検出装置11の光線の経路を概略的に示す図である。図3は、第1の経路を示している。図4は、第2の経路を示している。図5は、第3の経路を示している。図3、図4及び図5では、図の煩雑さを軽減するために、散乱光Lの代表的な光線のみを示している。
図3では、粒子Rで散乱された散乱光L(光線111a)は、第1の集光ミラー101に到達する。第1の集光ミラー101に到達した散乱光L(光線111a)は、第1の集光ミラー101で反射される。第1の集光ミラー101で反射された散乱光L(光線111b)は、受光素子6に到達する。この経路を、以降において、第1の経路と呼ぶ。第1の経路で示される散乱光Lは、光線111a,111bとして表わされる。
図3では、光線の挙動を、散乱光Lの光線の内の代表的な光線111a,111bで示している。光線111aは、散乱光Lが粒子Rから第1の集光ミラー101に入射する光線である。光線111bは、光線111aが、第1の集光ミラー101で反射された反射光の光線である。反射光111bは、受光素子6に導かれる。
図4では、粒子Rで散乱された散乱光L(光線112)は、直接に受光素子6に到達する。つまり、散乱光L(光線112)は、第1の集光ミラー101又は第2の集光ミラー102で反射されない。この経路を、以降において、第2の経路と呼ぶ。
図4では、光線の挙動を、散乱光Lの光線の内の代表的な光線112で示している。光線112は、散乱光Lが粒子Rから受光素子6に直接到達する光線である。よって、光線112は、第1の集光ミラー101又は第2の集光ミラー102を経由せずに受光素子6に到達する。
図5では、粒子Rで散乱された散乱光L(光線113a)は、第2の集光ミラー102に到達する。第2の集光ミラー102に到達した散乱光L(光線113a)は、第2の集光ミラー102で反射される。第2の集光ミラー102で反射された散乱光L(光線113b)は、第1の集光ミラー101に到達する。第1の集光ミラー101に到達した散乱光L(光線113c)は、第1の集光ミラー101で反射される。なお、光線113cは、光線113bと、同じ光線である。第1の集光ミラー101で反射された散乱光L(光線113d)は、受光素子6に到達する。この経路を、以降において、第3の経路と呼ぶ。
図5では、光線の挙動を、散乱光Lの光線の内の代表的な光線113a,113b,113c,113dで示している。光線113aは、散乱光Lが粒子Rから第2の集光ミラー102に向かう光線である。光線113bは、散乱光Lの光線113aが、第2の集光ミラー102で反射された反射光の光線である。光線113cは、反射光113bが第1の集光ミラー101に入射する際の光線である。すなわち、光線113cと光線113bは、同じ光線である。光線113dは、光線113cが、第1の集光ミラー101で反射された反射光の光線である。光線113dは、受光素子6に導かれる。以下において、光線113b,113dは、反射光とも呼ぶ。
つまり、光線113a、113b、113c、113dは、次のように説明できる。光線113aは、粒子Rから第2の集光ミラー102に到達する光線である。光線113bは、第2の集光ミラー102で反射されて通過領域Pに到達する光線である。つまり、光線113bは、第2の集光ミラー102から元の粒子Rの位置に戻った光線である。光線113cは、通過領域Pから第1の集光ミラー101に到達する光線である。光線113dは、第2の集光ミラー102で反射されて受光素子6に到達する光線である。
実施の形態1に係る微小物検出装置11の検出光学系50の上述の構成は、先行文献1に開示されている構成とは異なる。実施の形態1に係る第2の集光ミラー102の形状は、先行文献1に開示されている球面ミラーの形状とは異なり、焦点位置で積極的に収差を発生させる形状をしている。
第2の集光ミラー102で反射された散乱光の光束径は、当該散乱光を発した粒子Rの位置において、当該粒子Rの粒径よりも大きい。
第2の集光ミラー102で反射された散乱光の光束径は、この散乱光を発した粒子Rの位置において、第2の集光ミラー102が球面形状であった場合の集光ミラーで反射された散乱光の光束径よりも大きい。第2の集光ミラー102は、例えば、この球面形状を基にした非球面ミラーである。球面形状は、例えば、第2の集光ミラー102の非球面形状を近似したものである。第2の集光ミラー102は、例えば、複数の焦点を発生させてそれらの焦点を分散させる。また、第2の集光ミラー102は、例えば、球面収差を発生させる。第2の集光ミラー102は、例えば、球面ミラーとして作製された場合に残留している収差よりも大きな収差を発生させる。
一般的に、集光している状態の光は、例えば、球面収差が0.07λrms未満である。このため、第2の集光ミラー102が集光する光の集光状態は、球面収差が0.07λrms以上である。
また、第2の集光ミラー102の形状は、焦点位置で積極的に収差を発生させる形状である。このため、例えば、第2の集光ミラー102の形状は、非球面形状である。つまり、第2の集光ミラー102の球面形状は、非球面形状に変更される。
そして、第2の集光ミラー102の発生させる収差は、第2の集光ミラー102の非球面形状を近似した球面ミラーが発生させる収差よりも大きい。つまり、第2の集光ミラー102は、元の球面ミラーが発生させる収差よりも大きな収差を発生させる。
この第2の集光ミラーが異なることで、後述するように、散乱光Lの検出効率が向上する。また、粒子Rの個数濃度または重量濃度の検出精度を向上することが可能となる。「個数濃度」とは、単位体積あたりの粒子の個数を表わしている。「重量濃度」とは、単位体積あたりの粒子の重量を表わしている。
<散乱光の種類>
図6は、粒子Rに照射光3を照射したときに発生する主要な散乱光Lを模式的に示す図である。照射光3は、例えば、レーザー光である。
照射光3は、実施の形態1では、レーザー発光素子1から出射された光である。散乱光Lは、照射光3が粒子Rに当たって散乱した光である。
散乱光Lbsは、レーザー発光素子1の方向(−z軸方向)に向かう光である。散乱光Lbsは、レーザー発光素子1の方向(−z軸方向)に戻っていく光(戻り光)である。つまり、散乱光Lbsは、後方に向かう光である。「後方」とは、レーザー発光素子1から出射される光の方向(+z軸方向)と反対側の方向(−z軸方向)を表わす。
散乱光Lfsは、前方(+z軸方向)に向かう光である。「前方」とは、レーザー発光素子1から出射される光の方向(+z軸方向)を表わす。
散乱光Lsは、側方に向かう光である。「側方」とは、レーザー発光素子1から出射される光の方向(+z軸方向)に対して垂直な方向を表わす。つまり、「側方」とは、レーザー発光素子1から出射される光の方向(+z軸方向)に対して垂直な平面(x−y平面)上の方向を表わす。ただし、光線の進行方向は、z軸に対して傾斜していてもよい。図6に示す散乱光Lsは、+z軸方向に傾斜して進行している。
つまり、散乱光Lsは、照射光3の進行方向に対して、傾斜して進行する光である。例えば、円筒の軸に沿って照射光3を進行させたと仮定すると、散乱光Lsは、その円筒の側面を透過する光線である。ここで説明に使用した円筒は仮想の円筒である。側方は、前方と後方以外の方向である。
図3、図4及び図5に示す光線111a,112,113aは、散乱光Lsである。
ここでは、一般的な散乱に関する説明をする。粒子Rのサイズに比較的近い長さの波長を有する照射光3が照射されると、一般的に散乱光Lが発生する。照射光3は、特にレーザー光に限定されない。
散乱光Lは、2種類の光に大別される。1つは、前方散乱光Lfsである。他は、前方散乱光Lfs以外の散乱光である。前方散乱光Lfsは、照射光3の伝播方向(+z軸方向)に発生する。照射光3の伝播方向以外の方向に発生する散乱光Lは、例えば、後方散乱光Lfbまたは側方散乱光Lsである。
粒子Rの形状及び大きさによって、散乱光Lの強度の割合が変化する。そして、粒子Rの形状及び大きさによって、粒子Rから各方向への向かう散乱光の強度分布(散乱強度の分布)が変化する。
例えば、粒子Rの大きさ(例えば、直径)が大きくなるほど、散乱光Lの強度が強くなる。散乱光Lの強度は、照射光3の強度に比べて非常に小さい。また、散乱光Lの一部として、照射光3の進行方向(+z軸方向)の反対方向(−z軸方向)に向かう後方散乱光Lbsも存在する。
<検出回路部60>
次に、検出光学系50以外の構成部分について説明する。図7は、本発明の実施の形態1に係る微小物検出装置11の検出回路部60を示すブロック図である。
実施の形態1に係る微小物検出装置11は、検出回路部60を採用することができる。検出回路部60は、後述する擬似ピークの悪影響を防ぐために有効である。しかし、実施の形態1で説明する検出光学系50によって擬似ピークが抑えられる場合には、微小物検出装置11は検出回路部60を用いなくても良い。一方、従来の検出光学系51に用いると検出回路部60は有効である。
なお、受光素子6の出力電流値を電圧値に変換する電流電圧変換部については、ここでは省略する。
検出回路部60は、ピーク数カウント部63を備える。検出回路部60は、増幅回路61または極大ピーク検出部62を備えることができる。
増幅回路61は、受光素子6の出力信号Sのレベルを増幅又は減衰させる。増幅回路61は、信号Sを出力する。増幅回路61は、例えば、後段の処理において十分な信号レベルを満足している場合は、削除することができる。
信号Sは、出力信号Sのレベルを増幅又は減衰させた信号である。
極大ピーク検出部62は、出力信号Sを受け取る。極大ピーク検出部62は、増幅回路61の出力信号Sの極大ピーク点を検出する。出力信号Sの極大ピーク点は、粒子Rに対応している。極大ピーク検出部62は、出力信号Sの極大ピーク点の検出を逐次処理する。なお、例えば、閾値などを用いることで、極大ピーク点を検出せずに粒子Rの数をカウントできる場合には、極大ピーク検出部62を削除することができる。
極大ピーク検出部62は、信号Sを出力する。信号Sは、出力信号Sの極大ピーク点を示す。
ピーク数カウント部63は、極大ピーク検出部62が出力する極大ピーク点を示す信号Sを受け取る。ピーク数カウント部63は、粒子Rの検出に対応したピークの数をカウントする。ピーク数カウント部63は、信号Sのピークの数をカウントするカウント部である。または、ピーク数カウント部63は、信号Sのピークの数をカウントすることで、粒子の数を数える粒子数カウント部である。
検出回路60のピーク数カウント部63で得られたピーク数のカウント値を用いて、粒子Rの個数濃度または重量濃度を算出することができる。微小物検出装置11は、ピーク数のカウント値を用いて、粒子Rの個数濃度または重量濃度を算出する。
<第2の集光ミラー102の特徴と効果>
つぎに、実施の形態1に係る微小物検出装置11における第2の集光ミラー102の特徴と効果について説明する。
実施の形態1に係る微小物検出装置11における第2の集光ミラーの特徴と、それによる効果について説明するために、従来の微小物検出装置について、図8および図9を用いて説明する。
図8は、従来の微小物検出装置の検出光学系51の第3の経路の光線を概略的に示す図である。図9は、従来の微小物検出装置の検出信号Sの波形を概略的に示す図である。図10は、実施の形態1に係る微小物検出装置11の検出信号Sの波形を概略的に示す図である。
図8は、微小物検出装置11の図5に対応する。そのため、図5と同様の構成要素および光線には同じ符号を付している。そして、それらの説明は、図5の説明で代用する。
図9および図10の縦軸は、検出信号Sの出力値Aであり、横軸は時間[msec]である。
従来の微小物検出装置は、実施の形態1に係る微小物検出装置11と、第2の集光ミラー102の形状およびその機能が異なる。
つまり、従来の微小物検出装置は、第2の集光ミラー102の形状において、実施の形態1に係る微小物検出装置11と異なる。また、従来の微小物検出装置は、第2の集光ミラー102の機能において、実施の形態1に係る微小物検出装置11と異なる。
従来の微小物検出装置に係る第2の集光ミラー104は、反射面が球面形状である。そして、従来の微小物検出装置に係る第2の集光ミラー104の焦点は、第1の集光ミラー103の1つの焦点(第1の焦点)と一致している。上述のように、第1の焦点の位置には、粒子Rが導かれている。
上述のように、第1の集光ミラー103は、楕円ミラーである。例えば、第1の集光ミラー103は、回転楕円体の形状をしている。楕円ミラーは、楕円の特徴である2つの焦点を利用して、一方の焦点(第1の焦点)から出た光を反射して、もう一方の焦点(第2の焦点)に集める面を持つ鏡面のことである。楕円ミラーは、楕円面鏡とも呼ばれる。
粒子Rで散乱された散乱光L(光線113a)は、第2の集光ミラー104に到達する。第2の集光ミラー104に到達した散乱光L(光線113a)は、第2の集光ミラー104で反射される。そして、第2の集光ミラー104で反射された散乱光L(光線113b)は、再び第1の焦点の位置(粒子Rの位置)に戻る。
このため、第2の集光ミラー104の反射光113bは、第1の経路と全く同じ経路をたどる。第1の経路は、粒子Rで発生した散乱光Lが第1の集光ミラー103に入射して受光素子6へ導かれる光線の経路である。粒子Rで発生した散乱光Lが第1の集光ミラー103に入射して受光素子6へ導かれる光線は、図3に示す光線111a,111bである。
これによって、検出光学系51は、第3の経路の散乱光Lと第1の経路の散乱光Lとを共に受光素子6の受光面に集光させることができる。
しかし、粒子Rが第2の集光ミラー104の焦点の位置を通過した場合には、粒子R自身が第3の経路の遮光物となる。つまり、第2の集光ミラー104で反射された光線113bは、粒子Rによって遮光される。そのため、検出光学系51は、粒子Rによって遮光された散乱光Lを、受光素子6に導くことができない。これによって、粒子Rの散乱光Lの検出効率が低下する。また、検出回路部60での粒子Rの検出精度が低下する。
粒子Rによって遮光された散乱光Lは、例えば、第1の集光ミラー103の反射面と第2の集光ミラー104以外の方向に進行する場合がある。例えば、吸気口5aまたは排気口5bの方向である。または、レーザー発光素子またはビームトラップ4の方向である。
図9は、従来の微小物検出装置の場合に、一つの粒子Rが焦点の位置を通過した際の検出信号Sの波形Fを模式的に示した図である。従来の微小物検出装置の場合の検出信号Sの波形Fは、図9中の実線で示されている。理想的な検出信号の波形Fは、図9中の破線で示されている。
粒子R自身が散乱光Lを遮ることによって、検出信号Sの波形Fの中心(t=tc)に信号Sの低下が発生する。
また、図9中の破線で示した波形Fは、粒子Rで発生した散乱光Lを、粒子Rによる遮蔽の影響なく、理想的に検出できた際の検出信号Sである。理想的な検出信号Sの波形Fは、粒子1個に対して一つの極大ピーク点Apが対応している。
一方、図9中の実線で示した検出信号Sの波形Fであった場合には、1個の粒子Rに対して2つの極大ピーク点Ap,Apが存在する。2つの極大ピーク点Ap,Apの間に、出力値の低下した極小ピーク点Apが存在している。この場合には、例えば、図7に示した検出回路部60で、ピーク数のカウントを行なうと、カウント数を誤ってしまうという問題が発生する。
つまり、検出回路部60は、1つの粒子Rを2個の粒子と数えてしまう。検出回路部60は、極大ピーク点Apで、1つの粒子Rと数える。また、検出回路部60は、極大ピーク点Apで、1つの粒子Rと数える。このように、例えば、光が遮られることで、1つの粒子Rに対して、発生する複数のピーク信号を疑似ピークという。
極大ピークAp,Apと極小ピーク点Apとは、粒子(R)に対応した入力信号Sの極値である。極大ピークAp,Apは、粒子(R)に対応した入力信号Sの極大値である。極小ピーク点Apは、粒子(R)に対応した入力信号Sの極小値である。入力信号Sが連続関数のときに、入力信号Sが増加から減少に変わるところを極大という。また、入力信号Sが減少から増加に変わるところを極小という。極大における入力信号Sの値が極大値である。極小における入力信号Sの値が極小値である。
図9において、極大ピーク点Apの出力値はピーク値Pである。また、極大ピーク点Apの出力値はピーク値Pである。また、極小ピーク点Apの出力値はピーク値Pである。ピーク値P,Pとピーク値Pとの差は、値ΔPである。
これに対して、実施の形態1に係る微小物検出装置11における検出Sの波形Fについて説明する。
図10は、実施の形態1に係る微小物検出装置11の場合に、一つの粒子Rが焦点位置を通過した際の検出信号Sの波形Fを模式的に示した図である。微小物検出装置11の場合の検出信号Sの波形Fは、図10中の実線で示されている。また、図9と同様に、理想的な検出信号の波形Fは、図10中の破線で示されている。
図10中の実線で示した検出信号Sの波形Fでは、1個の粒子Rに対して2つの極大ピーク点Ap,Apが存在する。2つの極大ピークAp,Ap点の間に、出力値の低下した極小ピーク点Apが存在している。
図10において、極大ピーク点Apの出力値はピーク値Pである。また、極大ピーク点Apの出力値はピーク値Pである。また、極小ピーク点Apの出力値はピーク値Pである。ピーク値P,Pとピーク値Pとの差は、値ΔPである。
図10に示す波形Fの値ΔPは、図9に示す波形Fの値ΔPよりも小さい。値ΔPは、極大ピーク点Ap,Apと極小ピーク点Apとの差である。値ΔPは、極大ピーク点Ap,Apと極小ピーク点Apとの差である。
このために、ピーク数を数えるための閾値を高く設定することができる。つまり、ノイズによるミスカウントを減らすことができる。
つまり、従来の微小物検出装置に比べて、実施の形態1に係る微小物検出装置11は、ノイズによるピーク数の数え間違いを減らすことができる。
図9において、値ΔPは、例えば、極大ピーク点Apのピーク値Pと極大ピーク点Apのピーク値Pとの平均値から、極小ピーク点Apのピーク値Pを引いた値である。同様に、図10において、値ΔPは、例えば、極大ピーク点Apのピーク値Pと極大ピーク点Apのピーク値Pとの平均値から、極小ピーク点Apのピーク値Pを引いた値である。
実施の形態1に係る微小物検出装置11の第2の集光ミラー102の反射面は、非球面形状である。この非球面形状は、積極的に収差を発生させる機能を備えている。
通常では、球面ミラーの収差を抑えるために反射面を非球面形状とする。微小物検出装置11の第2の集光ミラー102は、収差を発生させるために非球面形状をしている。このため、例えば、微小物検出装置11の第2の集光ミラー102は、非球面形状を近似した球面ミラーよりも大きな収差を発生させている。
非球面形状の近似には、例えば、最小二乗法などが用いられる。
また、第2の集光ミラー102の集光位置において収差を持たせた場合には、受光素子6に到達する光の光束径が大きくなる。このため、第2の集光ミラー102の集光位置における収差は、受光素子6に到達する光が受光面に納まる程度以下であることが望ましい。これによって、受光素子6の受光効率の低下を防ぐことができる。
以下では、例えば、この収差を球面収差とした場合について述べる。
球面収差は、光が近軸光線でない場合には、理想的な焦点位置に結像されない収差である。つまり、設計上の中心軸Oから離れた光線の焦点位置は、第2の集光ミラー102の設計上の中心軸Oの近傍の光線(近軸光線)の焦点位置と異なる位置となる。色の違いによって起る色収差以外のものを広義の球面収差という。なお、以下において、球面収差は狭義の意味で用いる。
近軸光線は、レンズまたは球面鏡などの光学結像系で,光軸の近くを通り,光軸と小さい角度をなす光線である。小さい角度とはsinθを角度θと近似できる程度の微小角をいう(sinθ≒θ)。
ここで、微小物検出装置11の構成上、第2の集光ミラー102の設計上の中心軸O上には、光の通過穴Hが設けられている。図5に示すように、位置Gは、反射面102aの最内周の位置である。また、位置Gは、反射面102aの最外周の位置である。図1、図3、図4および図5においては、仮想的な軸として、中心軸Oを図示している。
第2の集光ミラー102において、最外周の位置Gで反射された光線の焦点位置は、最内周の位置Gでの反射された光線の焦点位置と異なる。
これは、上述のように、第2の集光ミラー102が非球面形状をしているからである。
球面収差を有する第2の集光ミラー102を実現するためには、反射面102aは、最内周の位置Gから最外周Gの位置にかけて曲率半径が変化していく形状となる。つまり、反射面102aは、球面の形状ではない。これによって、反射面102aは、反射光に球面収差を発生させることができる。
上述のように、設計上の中心軸Oから最内周の位置Gまでの反射光の光線について、球面収差は、0.07λrms以上であることが望ましい。
つまり、第2の集光ミラー102に設けられた通過穴Hを通過する反射光の球面収差は、0.07λrms以上であることが望ましい。第2の集光ミラー102に設けられた通過穴Hは、受光素子6用の穴である。この穴を通過した光の一部は、受光素子6に到達する。なお、受光素子6用の穴は、散乱光Lが通過できれば良い。このため、例えば、受光素子6用の穴を、散乱光Lが通過できる材料でふさぐこともできる。
また、上記の説明では、第2の集光ミラー102が発生させる収差を球面収差としている。しかし、これに限ることはない。反射面102aの収差は、同様の効果を示す大きさの非点収差またはコマ収差であってもよい。また、反射面102aの収差は、球面収差、非点収差またはコマ収差の少なくとも2つを合成した収差であってもよい。
なお、広義の球面収差は、非点収差またはコマ収差などを含む。このため、反射面102aの収差は、広義の球面収差であることがわかる。
ただし、反射面102aの収差を球面収差とした場合には、他の収差に比べて、収差の影響による検出信号Sの歪みを低減できる。これは、球面収差が設計上の中心軸Oに対して最も対称性がよいためである。つまり、受光素子6の受光面上において、光量の偏りが対称的になる。
上記の通り、微小物検出装置11では、第2の集光ミラー102で発生する球面収差によって、粒子Rで発生して第2の集光ミラー102で反射された光線113bは、再び粒子Rの位置に集光しない。
光線113bの焦点が、y軸方向に分散することで、従来発生していた粒子R自身による遮蔽を抑制することができる。これによって、経路3の散乱光を効率よく受光素子6の受光面に導くことができる。
図11、図12及び図13は、微小物検出装置11の第3の経路の光線を概略的に示す図である。
図11、図12及び図13を用いて、実施の形態1の微小検出装置11の第2の集光ミラー102に付加する球面収差について説明する。図11、図12及び図13を用いて、例として、第2の集光ミラー102に球面収差を付加する際の設計上の考慮点について説明する。
図11、図12及び図13は、説明を容易にするため、第1の集光ミラー101及び第2の集光ミラー102以外の構成部品を省いた図としている。
図11および図12において、軸外の光線の焦点位置を焦点位置Uで示し、近軸の光線の焦点位置を焦点位置Uで示し、焦点位置Uと焦点位置Uとの距離を距離dsで示す。
一般に、鏡面が球面の場合には、鏡の周辺部に比べて鏡の中央部の焦点距離が長い。このため、球面収差が発生する。このように、球面形状の鏡面で発生する初期の球面収差を「初期球面収差」とする。球面収差を備えると、光軸の方向において、軸外の光線の焦点位置Uと近軸の光線の焦点位置Uとがずれる。
ここで、光軸は、y軸に平行である。そして、光軸は、第2の集光ミラー102の設計中心軸Oに一致している。
また、初期球面収差に対して、さらに球面収差が付加すると、光軸の方向において、軸外の光線の焦点位置Uと近軸の光線の焦点位置Uとの距離dsがさらに変化する。以下において、初期の球面収差にさらに付加された球面収差を「付加球面収差」とする。なお、ここでは、初期の球面収差を非常に小さい値と考えているため、「付加球面収差」は、最終的に発生している球面収差の値と同等である。
例えば、付加球面収差には極性がある。光学系の光軸に沿った光の伝搬方向で見た場合に、この極性には次の2種類がある。第1に、軸外の光線の焦点位置Uが近軸の光線の焦点位置Uよりも遠くにある。第2に、軸外の光線の焦点位置Uが近軸の光線の焦点位置Uよりも近くにある。
ここでは、焦点位置Uまでの距離または焦点位置Uまでの距離は、例えば、第2の集光ミラー102の焦点の位置からの距離である。または、焦点位置Uまでの距離または焦点位置Uまでの距離は、例えば、第1の集光ミラー101の第1の焦点の位置からの距離である。
図11は、第1の場合の一例を示した図である。図12は、第2の場合の一例を示した図である。
距離dsの初期球面収差からの変化の極性は、図11および図12に示したいずれの場合であってもよい。距離dsの初期球面収差からの変化は、実施の形態1に示す微小検出装置11の第2の集光ミラー102の付加球面収差によって生じる。
以下では、実施の形態1に示す微小検出装置11において、設計上、付加球面収差をどの程度の大きさに設定するのかについて説明する。
ここでは、図12に示した付加球面収差の極性を例に説明する。
図13は、図12に示した構成に、疑似的に、平行平板300を光線113d中に挿入した図である。
一般的に、集光する光に、ある厚みの平行平板を挿入すると、軸外の光線の焦点位置Uは、近軸の光線の焦点位置Uに、光学系の光軸に沿った光の伝搬方向において、近づく方向に移動する。この作用によって、平行平板300は、付加球面収差が補正されて、焦点位置Uと焦点位置Uとを、同じ焦点位置Uに移動させることができる。
例えば、光線113dの光線群の開口数NAを0.4226(約25度の光束の広がり角)とし、光の波長を660nmとし、平行平板300の屈折率nを1.5とし、前記平行平板300の厚みを厚さtとする。ここで、「光線群」とは、光束のことである。
例えば、ホコリ又は花粉の粒子の大きさを20μmから100μmまでを想定する。この場合には、付加球面収差を6λpvから30λpvまでとすることが望ましい。また、付加球面収差を50λpvまで大きくすることができる。つまり、付加球面収差を6λpvから50λpvまでとすることで、ホコリ又は花粉を検出する効果が期待できる。
上述のように、一般的に、集光している状態の光の球面収差が0.07λrms未満である。球面収差のPV値は、収差のRMS値に係数6√5(≒13.41641)を乗じることで得られる。よって、0.07λrmsは、約0.939λpvとなる。6λpvは、0.07λrmsに対して、約6.4倍の値である。また、30λpvは、0.07λrmsに対して、約32倍の値である。また、50λpvは、0.07λrmsに対して、約53.2倍の値である。
付加球面収差を30λpvとする場合について説明する。平行平板300の厚さt、屈折率n、光束のNA及び球面収差W40pvの関係は、次の式1で表わされる。
W40pv=(t/8)×((n−1)/n)×NA)・・・(1)
平行平板300を用いない場合の第2の集光ミラー102の付加球面収差を30λpvとする。光の波長を660nmとし、NAを0.4226とし、屈折率nを1.5とする。この条件で、平行平板300を追加して、第2の集光ミラー102の付加球面収差(30λpv)をゼロに補正できる平行平板300の厚さdは13.4mmである。
このように、例えば、図13に示す平行平板300を便宜的に仮定して、第2の集光ミラー102を設計する。平行平板300は、球面収差を発生させる手段である。
つまり、設計する際に、平行平板300を配置して、距離dsがゼロとなるように第2の集光ミラー102を設計する。つまり、第2の集光ミラー102の反射面は非球面になる。平行平板300の厚さdは、設定する球面収差の値によって変更する。
これによって、第2の集光ミラー102の球面収差を、上述の6λpvから50λpvまでの範囲内にすることができる。そして、粒子Rで発生して第2の集光ミラー102で反射された光線113bは、再び粒子Rの位置に集光しない。
また、逆に、平行平板300を用いて、第2の集光ミラー102の球面収差の大きさを確認することができる。つまり、いくつかの厚さtの異なる平行平板300を用意して、どの平行平板300で収差が小さくなるかを確認する。
光線113bの焦点が、y軸方向(第2の集光ミラー102の光軸方向)に分散することで、従来発生していた粒子R自身による散乱光の遮蔽を抑制することができる。これによって、経路3の散乱光を効率よく受光素子6の受光面に導くことができる。
以上の例で説明したように、光が集光している状態では、球面収差が0.07λrms未満である。これを考慮すると、第2の集光ミラー102で発生させる付加球面収差(6λpv〜50λpv)は、第2の集光ミラー102を単に球面に加工した際に生じる製造誤差で発生する程度ではない。設計上で積極的に球面収差を発生させるように考慮されている。
上記の説明で、第2の集光ミラー102の非球面の形状を設計する際に、比較的粒径の大きいホコリまたは花粉の粒子を想定した。しかし、微小検出装置11は、小さい粒子を検出することを目的とする場合がある。小さい粒子は、例えば、粒径が10μm(PM10)または2.5μm(PM2.5)等である。
小さい粒子(例えば、PM10又はPM2.5)を検出する場合でも、実際の大気中にはそれよりも大きい花粉またはホコリなどが含まれる。このため、大きな粒子は、検出対象の小さい粒子(例えば、PM10またはPM2.5)を検出する際に、誤検出の原因となる。ただし、小さい粒子は、PM10またはPM2.5に限るものではない。PM1またはPM0.5などの他の粒子もあり得る。
すなわち、大きい粒子の散乱光の強度は、大きい粒子自身により遮蔽されて小さくなる。光の強度が小さくなった散乱光は、受光素子6に入射する。そして、大きい粒子の散乱光の強度が小さい粒子(PM10又はPM2.5)と同程度の散乱光の強度となった場合には、大きい粒子自身による散乱光の遮光は、誤検出の原因となる。
よって、小さい粒子(PM10またはPM2.5)を検出する微小検出装置11の場合でも、誤検出を防ぐために、大きな粒子を想定して、第2の集光ミラー102の非球面の形状を考慮する必要がある。大きな粒子は、例えば、直径が20μmから100μmまでのホコリまたは花粉の粒子などである。
上記に述べた、実施の形態1に係る微小物検出装置11によれば、粒子Rで発生して第2の集光ミラー102で反射された光線113bは、再び粒子Rの位置に集光しない。そして、従来発生していた粒子R自身による光線113bの遮光を抑制することができる。また、従来発生していた粒子R自身による遮蔽を効果的に抑制することができる。これによって、第3の経路の散乱光(光線113a)を効率よく受光素子6の受光面に導くことができる。
また、微小物検出装置11によれば、図9の極大ピーク点Ap1,Ap2のような、疑似ピークの発生を抑制できる。そして、ピーク数カウント部63での粒子Rの数の数え間違い(ミスカウント)を低減することができる。そして、粒子Rの個数、単位体積当たりの粒子Rの個数又は単位体積当たりの粒子Rの重量などの計測精度を向上することができる。
実施の形態1の構成は、後述の他の実施の形態2,3の構成にも適用できる。
実施の形態2.
図14は、実施の形態2に係る微小物検出装置12の検出回路部70を示すブロック図である。
微小物検出装置12は、実施の形態1に係る微小物検出装置11の検出回路部60の部分のみが異なっている。つまり、微小物検出装置12は、微小物検出装置11の検出光学系50を備えることができる。また、微小物検出装置12は、従来の微小物検出装置の検出光学系51を備えることができる。
よって、微小物検出装置12の検出光学系の構成については、詳細な説明は省略する。
検出光学系51の構成であれば、微小物検出装置12は、1つの粒子Rに対する検出信号Sの波形Fが、2つの極大ピーク点Ap,Apと1つの極小ピーク点Apとを有した場合に、その効果を発揮する。つまり、微小物検出装置12は、検出信号Sが実施の形態1で説明した図9に示す波形Fの場合にその効果を発揮する。
また、検出光学系50の構成であれば、微小物検出装置12は、図10に示す波形Fが2つの極大ピークAp,Apが残った場合に、その効果を発揮する。また、微小物検出装置12は、検出信号Sが疑似ピークを含む場合に、その効果を発揮する。
以下、実施の形態2に係る微小物検出装置12の検出回路部70の構成について、図14のブロック図を用いて説明する。
検出回路部70は、極大ピーク検出部71、極小ピーク検出部72及び粒子判定部80を備える。ピーク検出部76は、極大ピーク検出部71および極小ピーク検出部72を含む。また、検出回路部70は、増幅回路61及びピーク数カウント部63を備えることができる。粒子判定部80は、隣接ピーク判定部73を備える。粒子判定部80は、ピーク差判定部74または疑似ピーク排除部75を備えることができる。
以下の説明では、一例として図9の符号を用いて説明する。
増幅回路61は、出力信号Sのレベルを増幅又は減衰させる。増幅回路61は、信号Sを出力する。
信号Sは、出力信号Sのレベルを増幅又は減衰させた信号である。
増幅回路61は、例えば、後段の処理において十分な信号レベルを満足している場合は、削除することができる。
ピーク検出部76は、信号Sを受け取る。極大ピーク検出部71は、増幅回路61の出力信号Sの極大ピーク点Ap,Apを検出する。極大ピーク検出部71は、出力信号Sの極大ピーク点Ap,Apの検出を逐次処理する。極小ピーク検出部72は、増幅回路61の出力信号Sの極小ピーク点Apを検出する。極小ピーク検出部72は、出力信号Sの極小ピーク点Apの検出を逐次処理する。ピーク検出部76は、信号Sを出力する。
粒子判定部80は、信号Sを受け取る。信号Sは、極大ピーク検出部71が出力する極大ピーク点Ap,Apの情報および極小ピーク検出部72が出力する極小ピーク点Apの情報を含む。粒子判定部80は、極大ピークが疑似的に発生する極大ピークであるか否かを判定する。
粒子判定部80は、隣接ピーク判定部73を備える。粒子判定部80は、ピーク差判定部74または疑似ピーク排除部75を備えることができる。
隣接ピーク判定部73は、信号Sを受け取る。隣接ピーク判定部73は、ピーク値Pとピーク値Pとが、それぞれ時間的に隣接した極大ピーク点Apの値であるか否かを判定する。隣接ピーク判定部73の判定には、極大ピーク検出部71及び極小ピーク検出部72の検出結果(信号S)が用いられる。つまり、隣接ピーク判定部73の判定には、極大ピーク検出部71で検出されたピーク値P,Pと極小ピーク検出部72で検出されたピーク値Pとが用いられる。
隣接ピーク判定部73は、ピーク値Pとピーク値Pとが、極大ピーク点Apの疑似ピークであるか否かを判定する。
隣接ピーク判定部73において、極大ピーク値P、極大ピーク値P及び極小ピーク値Pが、極大ピーク値P、極小ピーク値Pそして極大ピーク値Pの順番で検出されたか否かを判定する。隣接ピーク判定部73は、各ピーク値P,P,Pが、この順番(P→P→P)であったか否かの判定結果(信号S)を、後段のピーク差判定部74に送る。隣接ピーク判定部73は、信号Sを出力する。
隣接ピーク判定部73は、極大ピーク値Pと極大ピーク値Pとの間に、極小ピーク値Pがあるか否かを判別する。
ピーク差判定部74は、信号Sを受け取る。ピーク差判定部74は、隣接ピーク判定部73の判別結果(信号S)に基づき、差分絶対値ΔPと設定された差分値ΔPとの大小関係を判定する。
ピーク差判定部74は、例えば、ピーク値Pとピーク値Pの差分絶対値ΔPが、予め設定された設定された差分値ΔPよりも大きいか否かを判定する。差分絶対値ΔPは、例えば、ピーク値Pとピーク値Pとの平均値からピーク値Pを引いた値の絶対値である。
予め設定された差分値ΔPに対して、差分絶対値ΔPが大きい場合には、ピーク差判定部74は、極大ピーク点Apと極大ピーク点Apとで、おのおの粒子Rが存在したと判定する。極大ピーク点Apの値は極大ピーク値Pである。極大ピーク点Apの値は極大ピーク値Pである。したがって、ピーク数カウント部63は、2個の粒子Rが存在したとして、カウント数に「2」を加算する。
一方、差分絶対値ΔPが予め設定された差分値ΔPよりも小さい場合には、ピーク差判定部74は、検出信号Sに疑似極大ピークが発生したと判定する。疑似極大ピークは、粒子R自身の遮蔽効果によって発生する。ピーク差判定部74は、極大ピーク点Apと極大ピーク点Apとを合わせて1個の粒子Rが存在したと判定する。したがって、ピーク数カウント部63は、1個の粒子Rが存在したとして、カウント数に「1」を加算する。
なお、疑似極大ピークは、上述の疑似ピークと同様の意味である。
また、ピーク差判定部74は、差分絶対値ΔP以外の値を用いて、極大ピーク値P,Pと極小ピーク値Pとを判定することができる。例えば、ピーク差判定部74は、極大ピーク値P,Pと極小ピーク値Pとの比を用いて極大ピーク値P,Pと極小ピーク値Pとを判定することができる。つまり、ピーク差判定部74は、極大ピーク値P,Pと極小ピーク値Pとの差または比などを用いることができる。
ピーク差判定部74は、信号Sを出力する。
疑似ピーク排除部75は、信号Sを受け取る。疑似ピーク排除部75は、ピーク差判定部74の判別結果(信号S)に基づき、疑似極大ピークを排除するか否かを判定する。疑似極大ピークは、粒子R自身の遮蔽効果によって発生する検出信号Sのピークである。
疑似ピーク排除部75は、信号Sを出力する。
ピーク数カウント部63は、粒子判定部80の判定結果(信号S)に基づき、粒子Rの検出に対応したピークの数をカウントする。
検出回路60又は検出回路70のピーク数カウント部63で得られたピーク数のカウント値を用いて、粒子Rの個数濃度または重量濃度を算出することができる。
微小物検出装置11,12は、ピーク数のカウント値を用いて、粒子Rの個数濃度または重量濃度を算出する。
例えば、粒子Rの個数濃度は、予め決められた一定時間のカウント値を気体の体積または液体の体積などで割ることで求められる。
上記に述べた、実施の形態2に係る微小物検出装置12によれば、疑似ピークの発生による検出回路部70での粒子Rの数の数え間違い(ミスカウント)を低減することができる。また、個数濃度または重量濃度などの計測精度を向上することができる。
実施の形態3.
図15は、実施の形態3に係る微小物検出装置11の検出光学系52の構成を概略的に示す構成図である。
実施の形態3に係る微小物検出装置11の検出光学系52は、図8に示した従来の検出光学系51、実施の形態1の検出光学系50及び実施の形態2の検出光学系50に、別の検出光学系(第2の検出光学系52b)を備えたものである。検出光学系50,51は、以下では、第1の検出光学系とよぶ。実施の形態3では、検出光学系50,51に相当する部分を第1の検出光学系52aとよぶ。
第2の検出光学系52bは、主に粒子Rから放射された散乱光のうち、開口APを直接通過した散乱光(経路4の光線114)を取り込む。そして、第2の検出光学系52bは、光線114に基づいて、粒子Rの光学的な特性を検知する。開口APは、第1の集光ミラー103に設けられている。
例えば、第2の検出光学系52bは、例えば、粒子Rの大きさ又は形状を検出する。また、第2の検出光学系52bは、例えば、粒子Rの蛍光特性等から粒子Rの種類を特定する。つまり、第2の検出光学系52bは、粒子Rの特徴を分類できる検出光学系である。
第2の検出光学系52bを備えることにより、微小物検出装置11は、従来よりも多くの種類の粒子Rを判別できる。また、微小物検出装置11は、粒子Rの判別を、従来よりも高精度に行なうことができる。
実施の形態3では、光線113dの散乱光の効率を損なうことなく、第2の検出光学系52bは、粒子Rの特性などを検出することができる。光線113dの散乱光は、第1の集光ミラー103と第2の集光ミラー104とを介して受光素子6へ導かれる散乱光である。
一例として、以下では、第2の検出光学系52bは、粒子Rの散乱光の偏光成分を検知する。第2の検出光学系52bは、散乱光の偏光成分から得られる粒子Rの形状を表わす情報に基づいて、粒子Rの種類を判別する。第2の検出光学系52bは、例えば、花粉の粒子とホコリ(埃)の粒子とを判別する。花粉の粒子は、形状が球形に近い。一方、ホコリの粒子は、形状が非球形である。
図15及び図16は、一例として、実施の形態3に係る微小物検出装置11の光学系52の構成を概略的に示す構成図である。
図15は、微小物検出装置11の検出光学系52のx−y面での断面を示す構成図である。図15では、第2の検出光学系52bは、レンズ160、受光素子161,162及び偏光プリズム163を備えている。ただし、これらの部品を保持する部材は省略している。
図16は、微小物検出装置11の光学系520のz−x面での断面を示す構成図である。ただし、説明し易くするため、図16では、第2の検出光学系52bのレンズ160、偏光プリズム163、受光素子161及び受光素子162を省略している。
検出光学系52は、検出光学系50に第2の検出光学系52bを備えたものである。
検出光学系52において、第2の検出光学系52bは、第1の集光ミラー103側に設けられている。第1の集光ミラー103は、第2の集光ミラー104と対向している。
開口APは、粒子Rからの散乱光(光線114)を第2の検出光学系52bに取り込むための開口である。開口APは、第1の集光ミラー103に設けられている。
開口APは、例えば、第1の集光ミラー103の中心軸O上に配置されている。図15及び図16では、開口APの中心は、中心軸O上に配置されている。
図16に示すように、開口APは、円形形状である。開口APの半径は半径rである。ただし、これに限ることはなく、円形以外の形であってもよい。
第2の集光ミラー104で反射された散乱光113bは、第1の集光ミラー103を介して受光素子6に導かれる。実施の形態3では、例えば、散乱光113bが開口APに到達しないように、開口APを第1の集光ミラー103上に形成している。開口APは、通過穴Hの周縁で反射された散乱光113bが第1の集光ミラー103に到達した点で囲まれた領域の内側に位置している。つまり、散乱光113bによって第1の集光ミラー103上に投影される通過穴Hの周縁の形状の内側に開口APが配置されている。
また、開口APは、通過穴Hの周縁で反射された散乱光113bが第1の集光ミラー103に到達した点で囲まれた領域を含むことができる。つまり、開口APは、散乱光113bによって第1の集光ミラー103上に投影される通過穴Hの周縁の形状で囲まれた領域を含むことができる。
穴DLは、例えば、レンズ160を装着するための穴である。
穴DLは、第1の集光ミラー103に設けられている。
穴DLは、例えば、開口APと同軸上に配置されている。穴DLの−y軸側の端部は、開口APの+y軸側の端部に接続している。例えば、穴DLの直径は、開口APの直径よりも大きい。
レンズ160は、穴DLの+y軸側から、穴DLに挿入される。レンズ160の直径は、穴DLの直径よりも大きい。そして、第1の集光ミラー103に対するレンズ160のy軸方向の位置は、開口APの+y軸側の端部で決められる。レンズ160のz−x面上の位置は、穴DLで決められる。
レンズ160は、粒子Rからの散乱光(光線114)を直接入射する。レンズ160は、例えば、入射した散乱光(光線114)を集光する。レンズ160は、受光素子161,162上に光スポットを形成する。
レンズ160は、粒子Rからの散乱光(光線114)を集光する集光素子の一例である。なお、レンズ160は、必ずしも必要ではない。
偏光プリズム163は、レンズ160の+y軸側に配置されている。
偏光プリズム163は、偏光分離素子の一例である。
レンズ160から出射された散乱光(光線114)は、偏光プリズム163によって分離される。レンズ160から出射された光は、その光の偏光方向に基づいて、偏光プリズム163によって分離される。例えば、P偏光(光線114p)は、偏光プリズム163から受光素子161に対して出射される。また、S偏光(光線114s)は、偏光プリズム163から受光素子162に対して出射される。
P偏光(光線114p)の振動は、S偏光(光線114s)の振動に対して直交している。つまり、P偏光(光線114p)は、S偏光(光線114s)の振動に対して直交して振動している。
受光素子161,162は、偏光プリズム163に対向して配置されている。例えば、受光素子161は、偏光プリズム163のP偏光(光線114p)の出射面163pに対向して配置されている。例えば、受光素子162は、偏光プリズム163のS偏光(光線114s)の出射面163sに対向して配置されている。
受光素子161で検出される散乱光は、偏光プリズム163を透過したP偏光(光線114p)である。一方、受光素子162で検出される散乱光は、偏光プリズム163の反射面164で反射されたS偏光(光線114s)である。S偏光成分は、P偏光成分に対して垂直方向の成分である。
ここで、受光素子161で検出される光の強度をIpとし、受光素子162で検出される光の強度をIsとする。
例えば、次式2で表わされた偏光度を指標として、粒子Rの形状を検知することができる。「粒子Rの形状」とは、例えば、真球形状を基準とした扁平の度合いである。この扁平の度合いを、「球形度」とよぶ。
偏光度(球形度)=(Ip−Is)/(Ip+Is)・・・(2)
式2を用いて演算することで、粒子Rの種類を識別できる。ただし、球形度を算出する演算式は、これに限るものではない。同様に粒子Rの形状に応じて、値が変化する別の演算式であってよい。
上述のように、微小物検出装置11は、第1の検出光学系52aと第2の検出光学系52bとを備えている。第1の検出光学系52aは、集光ミラー103,104を用いて散乱光を集めて、微粒子を検出する。一方、第2の検出光学系52bは、散乱光(光線114)を直接入射して、微粒子を検出する。
上記で説明したような、散乱光に含まれるP偏光とS偏光とを検出する偏光光学系が必要となる場合には、第2の検出光学系52bとして、偏光光学系を配置することが有効である。なぜなら、粒子Rからの散乱光が、例えば、第1の集光ミラー103または第2の集光ミラー104などで反射されると、P偏光とS偏光との比率が変化してしまうからである。そのため、偏光度を指標として求めた粒子Rの形状(球形度)に誤差が生じて、粒子Rの種類の識別精度が低下してしまう。
また、第1の検出光学系52aが第1の集光ミラー103および第2の集光ミラー104を用いて散乱光を検出する場合には、第1の検出光学系52aの検出方向は、広い範囲となる。つまり、第1の検出光学系52aは、側方散乱光Ls、前方散乱光Lfsおよび後方散乱光Lbsを取り込む。第1の検出光学系52aの検出は、例えば、広い範囲の側方散乱光Lsを取り込む。
しかし、側方散乱光Ls、前方散乱光Lfsまたは後方散乱光Lbsのいずれかのみを検出して、粒子Rの特徴を検出できる場合には、粒子Rからの直接の散乱光を検出することが有効である。この場合には、受光素子が受光する光を、ある一定の方向の散乱光に限定することができる。このような検出対象の場合には、第2の検出光学系52bを用いることが有効となる。
図16に示す位置DI,DOは、第2の集光ミラー104で反射されて、第1の集光ミラー103に到達する散乱光(光線113c)の位置である。位置DIは、中心軸Oに最も近い側の位置を示している。位置DOは、中心軸Oに最も遠い側の位置を示している。図16において、位置DIは、一点鎖線で表わされている。位置DOは、一点鎖線で表わされている。
ここでは、説明しやすくするために、位置DIと位置DOとは、それぞれ円形としている。位置DIの半径は、半径RIである。位置DOの半径は、半径ROである。
つまり、散乱光の光線113cは、第1の集光ミラー103の位置DIと位置DOとの間に到達する。
2つの対向する集光ミラー103,104で、散乱光を検出する微小物検出装置11においては、第2の集光ミラー104側に、散乱光を取り込むための通過穴Hを設ける。この通過穴Hと通して取りこんだ散乱光を受光素子6で受光する。
このような光学系の場合には、第1の集光ミラー103上の中心軸Oの付近に、第2の集光ミラー104で反射した光線113cが到達しない領域ができる。光線113cが到達しない領域は、位置DIの内側である。
この第1の集光ミラー103上の光線113cが到達しない領域に、開口APを設ける。
これによって、粒子Rから直接到達する散乱光(光線114)を開口APで取り込むことができる。また、第1の集光ミラー103と第2の集光ミラー104とを介して受光素子6に導かれる散乱光(光線113c)の効率が損なわれることはない。第1の検出光学系52aは、散乱光の光線113cを効率よく、受光素子6に導くことができる。
ここで、第1の集光ミラー103での散乱光の反射効率に影響が少ない範囲であれば、開口APの中心が中心軸Oからオフセットしてもよい。また、開口APの半径rが大きくて、開口AP内に散乱光の光線113cが入射してもよい。
また、第2の検出光学系52bでの検出精度への影響が少ない場合には、開口APの中心が中心軸Oから移動させてもよい。つまり、開口APは、第1の集光ミラー103の反射面上に配置されることができる。
図16では、半径rは、半径RIよりも小さく設定されている。この条件を満足するように開口APを設定すれば、第1の集光ミラー103と第2の集光ミラー104とを介して受光素子6へ導かれる散乱光の効率は損なわれない。そして、第1の検出光学系52aは、散乱光の光線113cを効率よく、受光素子6に導くことができる。
なお、図15及び図16の検出光学系52では、レンズ160を備えている。しかし、散乱光の検出効率が十分である場合には、必要に応じて、レンズ160を省くことができる。その場合には、第1の集光ミラー103に設けられた穴DLは不要である。つまり、第1の集光ミラー103に、貫通した開口APを設ける。
また、実施の形態3に係る微小物検出装置11の別の形態として、第1の集光ミラー103は、レンズ160の機能を備えることができる。つまり、実施の形態3では、レンズ160は第1の集光ミラー103と一体になっている。第1の集光ミラー103に備えたレンズ機能を有する領域(レンズ部165)は、第2の検出光学系53b側に光を透過する。
図17は、本発明の実施の形態3に係る微小物検出装置11の別の形態の検出光学系53の構成を概略的に示す構成図である。
検出光学系53は、第1の検出光学系53a及び第2の検出光学系53bを備えている。
第1の集光ミラー103には、レンズ部165が設けられている。レンズ部165は、例えば、第1の集光ミラー103の中心軸O上に配置されている。
レンズ部165は、粒子Rからの散乱光(光線114)を第2の検出光学系53bに導くことができる。図17では、レンズ部165の半径は、半径rである。図17では、レンズ部165は、入射した散乱光を集光している。レンズ部165で集光された散乱光は、偏光プリズム163に入射する。
図18は、検出光学系53を備えた微小物検出装置13の検出回路部65を示すブロック図である。なお、図18に示す微小物検出装置13は、検出光学系52を備えることができる。
検出回路部65は、極大ピーク検出部62a,62b,62c、ピーク数カウント部63および粒子種類判別部64を備える。検出回路部65は、増幅回路61a,61b,61cまたは極大ピーク検出部62aを備えることができる。
図7の検出回路部60と同様に、受光素子6,161,162は、信号S11,S12,S13を出力する。
増幅回路61a,61b,61cは、信号S11,S12,S13を受け取る。増幅回路61a,61b,61cは、信号S11,S12,S13を増幅又は減衰させる。増幅回路61a,61b,61cは、信号S21,S22,S23を出力する。増幅回路61a,61b,61cは、例えば、後段の処理において十分な信号レベルを満足している場合は、削除することができる。
極大ピーク検出部62a,62b,62cは、信号S21,S22,S23を受け取る。極大ピーク検出部62a,62b,62cは、増幅回路61a,61b,61cの出力信号S21,S22,S23の極大ピーク点を検出する。出力信号S21,S22,S23の極大ピーク点は、粒子Rに対応している。極大ピーク検出部62a,62b,62cは、出力信号S21,S22,S23の極大ピーク点の検出を逐次処理する。なお、例えば、閾値などを用いることで、極大ピーク点を検出せずに粒子Rの数をカウントできる場合には、極大ピーク検出部62aを削除することができる。
ピーク数カウント部63は、極大ピーク検出部62a,62b,62cが出力する極大ピーク点を示す信号S31,S32,S33を受け取る。ピーク数カウント部63は、粒子Rの検出に対応したピークの数をカウントする。ピーク数カウント部63は、信号S31,S32,S33のピークの数をカウントするカウント部である。
粒子種類判別部64は、極大ピーク検出部62a,62b,62cが出力する極大ピーク点を示す信号S31,S32,S33を受け取る。粒子種類判別部64は、信号S31,S32,S33を基に、粒子Rの種類を判別する。粒子種類判別部64は、信号S31,S32,S33を基に、粒子Rの種類を判別する判別部である。
粒子種類判別部64は、例えば、信号S32の値と信号S33の値とが同じ値であると検知すれば、粒子Rを花粉であると判別する。粒子種類判別部64は、例えば、信号S32の値と信号S33の値とが同じ値であると判別すれば、粒子Rを花粉であると判別する。また、粒子種類判別部64は、例えば、信号S32の値と信号S33の値とが異なる値あると検知すれば、粒子Rを埃であると判別する。粒子種類判別部64は、例えば、信号S32の値と信号S33の値とが異なる値あると判別すれば、粒子Rを埃であると判別する。信号S32は、受光素子161の出力信号S12の極大ピーク値を示している。信号S33は、受光素子162の出力信号S13の極大ピーク値を示している。
粒子種類判別部64は、例えば、信号S31を検出して、信号S32と信号S33とを検出しない場合には、粒子RをPM2.5またはPM10であると判別する。信号S31は、受光素子6の出力信号S11の極大ピーク値を示している。受光素子161,162は、主に、直接入射される散乱光を受光する。このため、粒子RがPM2.5などの場合には、信号S12,S13の値が小さくなる。
粒子種類判別部64は、検出光学系50,51を備えた微小物検出装置11,12でも採用される。微小物検出装置11,12は、散乱光の光強度を基に、粒子種類判別部64で粒子Rの種類を判別する。
実施の形態3に係る微小物検出装置11は、第1の検出光学系52aと第2の検出光学系52bとを備えている。
第1の検出光学系52aは、受光素子6によって散乱光の光量が比較的小さな粒子を検出する。散乱光の光量が比較的小さな粒子は、例えば、PM2.5などである。
一方、第2の検出光学系52bは、受光素子161,162によって散乱光の光量が比較的大きな粒子を検出する。散乱光の光量が比較的大きな粒子は、PM2.5よりも粒子の大きさが大きな粒子である。散乱光の光量が比較的大きな粒子は、例えば、花粉または埃の粒子などである。
しかし、これらは、微小物検出装置11を説明する上での一例である。第1の検出光学系52aと第2の検出光学系52bとで検出対象とする粒子Rの種類はこれらに限られない。
検出対象の粒子Rがもつ蛍光を検出する場合であれば、例えば、第1の検出光学系52aは、蛍光を検出する検出光学系であってもよい。受光素子6は、検出対象の粒子Rが蛍光を有するか否かを検出する。
また、第2の検出光学系52bは、粒子Rからの散乱光を受けて、粒子の大きさ又は形状を検出する検出光学系とすることができる。
蛍光は、粒子Rへの照射光が励起光として作用して放射される。蛍光は、照射光の波長λeとは異なる波長λfを有する。一般的には、蛍光の波長λfは、励起光の波長λeよりも長波長となることが多い。つまり、波長λf>波長λeの関係である。
一般的に、蛍光は微弱である。そして、第1の検出光学系52aは、散乱光をより多く集光できる。このため、第1の検出光学系52aは、蛍光の検出に適している。
粒子Rが蛍光を発する蛍光物質であるか否かを判別するために、粒子Rからの散乱光に含まれる蛍光を分光して受光素子6に導く。分光の方法としては、例えば、光学フィルタを受光素子6の前段に設けることができる。光学フィルタは、例えば、ダイクロイックフィルターなどである。光学フィルタは、蛍光波長λfの光を透過する。そして、光学フィルタは、照射光の波長λeの光を遮る。受光素子6から出力される検出波形を基にして、蛍光の光量に応じて、粒子Rが蛍光物質であるか否かを判別することができる。
粒子Rが蛍光物質であった場合には、第1の検出光学系52aで蛍光が検出される。また、第2の検出光学系52bで散乱光が検出される。第2の検出光学系52bが検出する散乱光は、例えば、照射光の波長λeと同じ波長のである。これによって、粒子Rが蛍光物質であると判別できる。
一方、粒子Rが蛍光物質ではなかった場合には、第1の検出光学系52aで蛍光は検出されない。また、第2の検出光学系52bで散乱光が検出される。第2の検出光学系52bが検出する散乱光は、例えば、照射光の波長λeと同じ波長のである。これによって、粒子Rが蛍光物質ではないと判別できる。
上述のように、第1の検出光学系52aと第2の検出光学系52bとは、検出対象の粒子Rに応じて、検出方法を選択することができる。検出方法は、例えば、散乱光の光量、散乱光の偏光、または散乱光の波長などである。
上述のように、検出光学系52において、第2の検出光学系52bは、第1の集光ミラー103側に設けられている。これによって、第2の集光ミラー104での散乱光の反射角を小さく抑えることができる。そして、散乱光の偏光成分の検出精度の低下を抑えることができる。
また、上述のように、第1の集光ミラー103上の光線113cが到達しない領域に、開口APを設けている。開口APは、散乱光が通過穴Hで反射された場合に当該散乱光が到達する第1の集光ミラー103上に位置している。開口APは、通過穴Hの周縁で反射された散乱光が第1の集光ミラー103に到達した点で囲まれた領域を含んでいる。または、開口APは、通過穴Hの周縁で反射された散乱光が第1の集光ミラー103に到達した点で囲まれた領域の内側に位置している。開口APは、通過穴Hと対向する位置に配置されている。通過穴Hと対向する位置に、第2の集光ミラー104で反射されずに直接入射する散乱光を取り込む第2の検出光学系52bを備えている。
これによって、第2の検出光学系52bは、第2の集光ミラー104で反射された散乱光の受光量を低減することができる。そして、散乱光の偏光成分の検出精度の低下を抑えることができる。
通過穴Hと開口APとは、通過領域の一例である。通過領域は、光を通過させる領域である。通過領域は、例えば、穴である、また、通過領域は、例えば、透明な部材が配置された領域などである。
散乱光は、例えば、通過穴Hを通過することで受光素子6に到達することができる。前記第2の集光ミラー104は、受光素子6に導かれる散乱光を通過させる通過領域(通過穴H)を備えている。散乱光は、例えば、開口APを通過することで第2の検出光学系52b,53bに到達することができる。第1の集光ミラー103は、第2の検出光学系52b,53bに導かれる散乱光を通過させる通過領域(開口AP)を備えている。
また、例えば、受光素子6は、通過穴Hの位置に配置されることができる。また、例えば、第2の検出光学系52b,53bは、開口APの位置に配置されることができる。
以上のように、実施の形態3に係る微小物検出装置11の検出光学系52,53は、PM2.5などの微小粒子状物質と花粉などとを1つの光学系で検出することができる。
なお、上述の各実施の形態においては、「平行」、「垂直」、または「中心」などの部品間の位置関係もしくは部品の形状を示す用語を用いた場合でも、これらは、製造上の公差や組立て上のばらつきなどを考慮した範囲を含むものである。このため、請求の範囲に例え「略」を記載しない場合であっても製造上の公差や組立て上のばらつきなどを考慮した範囲を含むものである。
なお、以上のように本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限るものではない。
以上の各実施の形態を基にして、以下に発明の内容を付記(1)から付記(4)として記載する。付記(1)から付記(4)は、各々独立して符号を付している。そのため、例えば、付記(1)と付記(2)との両方に、「付記1」が存在する。
なお、付記(1)の装置の特徴を付記(2)から付記(4)の装置に付与することができる。また、付記(2)の装置の特徴を付記(3)または付記(4)の装置に付与することができる。また、付記(3)の装置の特徴を付記(4)の装置に付与することができる。また、付記(1)、付記(2)または付記(3)の装置は、付記(3)の方法を採用することができる。また、付記(1)の装置の特徴と、付記(2)の装置の特徴と、付記(3)の装置の特徴と、付記(4)の装置の特徴とを組み合わせることができる。そして、それらの特徴が組み合わされた装置は、付記(3)の方法を採用することができる。
<付記(1)>
<付記1>
気体中又は液体中の粒子に照射光を照射する光照射部と、
前記照射光が前記粒子に当たって散乱した散乱光を取り込み、前記散乱光の強度を検出する第1の光学系と、
前記第1の光学系で検出された前記散乱光の強度に基づいて、前記粒子の個数を数えるカウント部と
を備え、
前記第1の光学系は、集光ミラー及び受光素子を備え、
前記集光ミラーは、第1の反射領域及び第2の反射領域を含み、前記散乱光を前記受光素子に導き、
前記受光素子は、前記散乱光を受光して、前記散乱光の強度を検出し、
前記第1の反射領域は、楕円ミラー形状であり、楕円の2つの焦点の位置を利用して、前記粒子から直接入射した散乱光を反射して前記受光素子に導き、
前記第2の反射領域は、前記粒子から直接入射した散乱光を反射して、前記第1の反射領域に導き、当該散乱光は、前記第1の領域で反射されて前記受光素子に導かれ、
前記第2の反射領域は、非球面形状であることで、前記第2の反射領域の焦点位置において、前記第2の反射領域で反射された散乱光に収差を持たせる微小物検出装置。
<付記2>
前記収差は、前記第2の反射領域の非球面形状を近似した球面ミラーが発生させる収差よりも大きい付記1に記載の微小物検出装置。
<付記3>
前記第2の反射領域が発生させる前記収差は、球面収差であることを特徴とする付記1または2に記載の微小物検出装置。
<付記4>
前記第2の反射領域が発生させる前記球面収差は、0.07λrms以上であることを特徴とする付記3に記載の微小物検出装置。
<付記5>
前記第2の反射領域は、前記受光素子に導かれる散乱光を通過させる穴を備え、
前記穴と対向する位置に、前記第1の反射領域で反射されずに直接入射する前記散乱光を取り込む第2の光学系を備え、
当該散乱光の強度を検出する付記1から4のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記6>
前記第2の光学系は、前記第2の光学系に取り込まれた散乱光を偏光成分に分離して、当該分離された散乱光の強度を検出する付記5に記載の微小物検出装置。
<付記7>
前記カウント部は、前記第2の光学系が検出した散乱光の強度に基づいて、前記粒子の個数を数える付記5または6に記載の微小物検出装置。
<付記8>
前記第1の光学系または前記第2の光学系が検出した散乱光の強度に基づいて、前記粒子の種類を判別する粒子種類判別部を備える付記1から7のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記(2)>
<付記1>
第1の反射領域、第2の反射領域及び受光素子を含む第1の光学系を備え、
前記第1の反射領域は、楕円面形状であり、楕円面形状の2つの焦点の位置を利用して、照射光が粒子に当たって散乱した散乱光を反射して前記受光素子に導き、
前記第2の反射領域は、前記粒子から到達した散乱光を反射して、前記第1の反射領域に導き、当該第1の反射領域の楕円面形状を利用して前記受光素子に導き、
前記第2の反射領域で反射された散乱光の光束径は、当該散乱光を発した粒子の位置において、当該粒子よりも大きい微小物検出装置。
<付記2>
前記第1の反射領域は、楕円鏡である付記1に記載の微小物検出装置。
<付記3>
前記第2の反射領域は、光の反射する位置によって異なる複数の焦点を発生させて、当該複数の焦点を分散させる付記1または2に記載の微小物検出装置。
<付記4>
前記第2の反射領域は、球面形状を基にした非球面形状をしており、
前記第2の反射領域で反射された散乱光の光束径は、当該散乱光を発した粒子の位置において、前記非球面形状の基とした前記球面形状の反射領域で反射された場合の散乱光の光束径よりも大きい付記1から3のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記5>
前記第2の反射領域は、非球面鏡である付記4に記載の微小物検出装置。
<付記6>
前記第2の反射領域は、前記非球面形状であることで、前記第2の反射領域の焦点の位置において、前記第2の反射領域で反射された散乱光に収差を持たせる付記4または5に記載の微小物検出装置。
<付記7>
前記収差は、前記第2の反射領域の非球面形状を近似した球面鏡が発生させる収差よりも大きい付記6に記載の微小物検出装置。
<付記8>
前記収差は、球面収差である付記6または7に記載の微小物検出装置。
<付記9>
前記球面収差は、0.07λrms以上である付記8に記載の微小物検出装置。
<付記10>
前記球面収差は、6λpv以上である付記8に記載の微小物検出装置。
<付記11>
前記球面収差は、30λpv以下である付記8から10のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記12>
前記球面収差は、50λpv以下である付記8から10のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記13>
前記粒子に前記照射光を照射する光照射部を備える付記1から12のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記(3)>
<付記1>
気体中又は液体中の各々の粒子に対応した入力信号のピークを検出して、前記粒子の数を検出する微小物検出方法において、
前記入力信号の2つの極大値の間に極小値が存在する場合に、前記2つの極大値は、1つの前記粒子に対応する疑似ピークであると判別する微小物検出方法。
<付記2>
前記粒子に対応した入力信号の極大ピークを検出し、
前記入力信号の極小ピークを検出し、
前記入力信号における2つの前記極大ピークを第1の極大ピークおよび第2の極大ピークとすると、前記第1の極大ピーク、前記第2の極大ピークおよび前記極小ピークの位置を検出し、
前記極大ピークおよび前記極小ピークの位置を基に前記極大ピークが1つの前記粒子に対応する疑似ピークであるか否かを判別する付記1に記載の微小物検出方法。
<付記3>
前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとの間に、前記極小ピークが存在するか否かを検出する付記2に記載の微小物検出方法。
<付記4>
前記第1の極大ピーク、前記極小ピークそして第2の極大ピークの順番に検出されたか否かを検出する付記2に記載の微小物検出方法。
<付記5>
前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとが1つの粒子に対応する疑似ピークであるか否かを判別する付記2から4のいずれか1つに記載の微小物検出方法。
<付記6>
前記第1の極大ピークと前記極小ピークとの比較、または、前記第2の極大ピークと前記極小ピークとの比較を基に、前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとが前記疑似ピークであるか否かを判別する付記5に記載の微小物検出方法。
<付記7>
前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとを基に求めた値と前記極小ピークとの比較を基に、前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとが前記疑似ピークであるか否かを判別する付記5に記載の微小物検出方法。
<付記8>
前記比較は、2つの値の差である付記6または7に記載の微小物検出方法。
<付記9>
前記比較は、2つの値の比である付記6または7に記載の微小物検出方法。
<付記10>
前記疑似ピークであると判別した場合には、前記粒子は1個であると判別し、疑似ピークでないと判別した場合には、前記粒子は2個であると判別する付記1から9のいずれか1つに記載の微小物検出方法。
<付記11>
前記粒子の個数を数える付記1から10のいずれか1つに記載の微小物検出方法。
<付記12>
前記粒子の個数を基に、前記粒子の個数濃度または重量濃度を求める付記1から11のいずれか1つに記載の微小物検出方法。
<付記13>
気体中又は液体中の各々の前記粒子に対応した入力信号のピークを検出して、前記粒子の数を検出する微小物検出装置において、
前記入力信号の2つの極大値の間に極小値が存在する場合に、前記2つの極大値は、1つの粒子に対応する疑似ピークであると判別する微小物検出装置。
<付記14>
前記粒子に対応した入力信号の極大ピークを検出する極大ピーク検出部と、
前記入力信号の極小ピークを検出する極小ピーク検出部と、
前記入力信号における2つの前記極大ピークを第1の極大ピークおよび第2の極大ピークとすると、前記第1の極大ピーク、第2の極大ピークおよび前記極小ピークの位置を検出する隣接ピーク検出部と
を備え
前記極大ピークおよび前記極小ピークの位置を基に前記極大ピークが1つの粒子に対応する疑似ピークであるか否かを判別する付記13に記載の微小物検出装置。
<付記15>
前記極大ピーク検出部および前記極小ピーク検出部における検出の順番において、前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとの間に、前記極小ピークが存在するか否かを検出する隣接ピーク検出部を備える付記14に記載の微小物検出装置。
<付記16>
前記極大ピーク検出部および前記極小ピーク検出部において、前記第1の極大ピーク、前記極小ピークそして第2の極大ピークの順番に検出されたか否かを検出する隣接ピーク検出部を備える付記14に記載の微小物検出装置。
<付記17>
前記極大ピーク検出部が検出した前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとが1つの粒子に対応する疑似ピークであるか否かを判別するピーク差判別部を備える付記14から16のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記18>
前記ピーク差判別部は、前記第1の極大ピークと前記極小ピークとの比較、または、前記第2の極大ピークと前記極小ピークとの比較を基に、前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとが前記疑似ピークであるか否かを判別する付記17に記載の微小物検出装置。
<付記19>
前記ピーク差判別部は、前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとを基に求めた値と前記極小ピークとの比較を基に、前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとが前記疑似ピークであるか否かを判別する付記17に記載の微小物検出装置。
<付記20>
前記比較は、2つの値の差である付記18または19に記載の微小物検出装置。
<付記21>
前記比較は、2つの値の比である付記18または19に記載の微小物検出装置。
<付記22>
前記疑似ピークであると判別した場合には、前記粒子は1個であるとの結果を出力し、前記ピーク差判別部が疑似ピークでないと判別した場合には、前記粒子は2個であるとの結果を出力する疑似ピーク排除部を備える付記13から21のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記23>
前記粒子の個数を数えるカウント部を備える付記13から22のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記24>
前記粒子の個数を基に、前記粒子の個数濃度または重量濃度を求める付記13から23のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記(4)>
<付記1>
第1の反射領域、第2の反射領域及び第1の受光素子を含み、照射光が粒子に当たって散乱した散乱光を、前記第1の反射領域および前記第2の反射領域で反射することで、前記第1の受光素子に導く第1の光学系と、
前記散乱光を取り込む第2の光学系と
を備え、
前記散乱光は、前記第2の反射領域に第1の通過領域を設けることで前記第1の受光素子に導かれ、
前記散乱光は、前記第1の反射領域に第2の通過領域を設けることで前記第2の光学系に導かれる微小物検出装置。
<付記2>
前記第2の通過領域は、前記散乱光によって前記第1の反射領域上に投影される前記第1の通過領域の周縁の形状で囲まれた領域を含む付記1に記載の微小物検出装置。
<付記3>
前記第2の通過領域は、前記第1の通過領域と対向する位置に配置される付記1または2に記載の微小物検出装置。
<付記4>
前記第1の通過領域は、前記第2の反射領域に設けられた穴である付記1から3のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記5>
前記第2の通過領域は、前記第1の反射領域に設けられた穴である付記1から4のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記6>
第2の通過領域は、前記散乱光によって前記第1の反射領域上に投影される前記第1の通過領域の周縁の形状で囲まれた領域の内側に位置する付記1から7のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記7>
前記第1の受光素子が検出した散乱光の強度に基づいて、前記粒子の種類を判別する付記1から6のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記8>
前記第1の受光素子が検出した散乱光の強度に基づいて、前記粒子を粒子状物質であるか否かを判別する付記1から7のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記9>
前記第1の受光素子が検出した散乱光の強度に基づいて、前記粒子を微小粒子状物質であるか否かを判別する付記1から8のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記10>
前記粒子の種類を判別する粒子種類判別部を備える付記1から9のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記11>
前記第1の反射領域は、楕円面形状であり、楕円面形状の2つの焦点の位置を利用して、前記粒子から到達した散乱光を反射して前記第1の受光素子に導く付記1から10のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記12>
前記粒子は、前記第1の反射領域の第1の焦点の領域に位置する付記11に記載の微小物検出装置。
<付記13>
前記第1の受光素子は、前記第1の反射領域の第2の焦点の領域に位置する付記11または12に記載の微小物検出装置。
<付記14>
前記第2の反射領域は、前記粒子から到達した散乱光を反射して、前記第1の反射領域に導き、当該散乱光は、前記第1の反射領域で反射されて前記第1の受光素子に導かれる付記1から13のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記15>
前記第2の反射領域は、球面形状である付記1から14のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記16>
前記第2の反射領域は、球面鏡である付記1から15のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記17>
前記第2の反射領域の第3の焦点は、前記第1の焦点の位置に位置する付記15または16に記載の微小物検出装置。
<付記18>
前記第2の反射領域は、球面形状を基にした非球面形状である付記1から14のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記19>
前記第2の反射領域は、球面形状を基にした非球面鏡である付記1から14まで、および18のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記20>
前記第2の反射領域の第3の焦点は、前記第1の焦点の位置に位置する付記18または19に記載の微小物検出装置。
<付記21>
前記第2の反射領域で反射された散乱光の光束径は、当該散乱光を発した粒子の位置において、前記非球面形状の基とした前記球面形状の反射領域で反射された場合の散乱光の光束径よりも大きい付記18から20のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記22>
前記第2の反射領域は、複数の焦点を発生させて当該焦点を分散させる付記1から14および18から21のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記23>
前記第2の反射領域は、球面収差を発生させることを特徴とする付記1から14および18から22のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記24>
前記第2の反射領域が発生させる前記球面収差は、0.07λrms以上である付記23に記載の微小物検出装置。
<付記25>
前記第2の反射領域が発生させる前記球面収差は、6λpv以上である付記23に記載の微小物検出装置。
<付記26>
前記第2の反射領域が発生させる前記球面収差は、30λpv以下である付記23から25のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記27>
前記第2の反射領域が発生させる前記球面収差は、50λpv以下である付記23から25のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記28>
前記第1の光学系は、前記散乱光のうち、前記照射光の波長とは異なる波長の光を検出する付記1から27のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記29>
前記第1の光学系は、前記散乱光に含まれる蛍光を検出する付記1から28のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記30>
前記第2の光学系は、前記第2の光学系に導かれた散乱光を異なる偏光成分に分離して、当該分離された散乱光の強度を検出する付記1から29のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記31>
前記第2の光学系は、前記散乱光を偏光成分に分離する偏光分離素子を備える付記30に記載の微小物検出装置。
<付記32>
前記偏光分離素子は、偏光プリズムである付記31に記載の微小物検出装置。
<付記33>
前記第2の光学系は、前記偏光成分に分離された散乱光を受光する第2の受光素子および第3の受光素子を備える付記30から32のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記34>
前記第2の受光素子は、第1の偏光成分の散乱光を受光し、
前記第3の受光素子は、第1の偏光成分の散乱光に対して直交している第2の偏光成分の散乱光を受光する付記33に記載の微小物検出装置。
<付記35>
前記第2の光学系は、前記第2の受光素子および前記第3の受光素子に向けて前記散乱光を集光する第1の集光素子を備える付記33または34に記載の微小物検出装置。
<付記36>
前記第1の集光素子は、第1の集光レンズである付記35に記載の微小物検出装置。
<付記37>
前記第2の光学系が検出した散乱光の強度に基づいて、前記粒子の種類を判別する付記30から36のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記38>
前記偏光成分に分離された散乱光の強度を基に、前記粒子が球形形状であるか、または前記粒子が球形形状以外であるかを判別する付記30から37のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記39>
前記偏光成分に分離された散乱光の強度が同じ値であると検知されると、前記粒子の形状が球形形状であると判別する付記30から38のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記40>
前記偏光成分に分離された散乱光の強度が異なる値であると検知されると、前記粒子の形状が球形形状以外であると判別する付記30から39のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記41>
前記粒子種類判別部は、前記第2の光学系によって分離された散乱光の強度が同じ値であると検知すれば、前記粒子を花粉であると判別する付記30から40のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記42>
前記粒子種類判別部は、前記第2の光学系によって分離された散乱光の強度が異なる値であると検知すれば、前記粒子を埃であると判別する付記30から41のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記43>
前記粒子の種類を判別する粒子種類判別部を備える付記30から42のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記44>
前記第1の光学系から出力された散乱光の強度の極大ピークを検出する付記1から43のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記45>
前記第2の光学系から出力された散乱光の強度の極大ピークを検出する付記1から44のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記46>
前記散乱光の強度の極大ピークを検出する極大ピーク検出部を備える付記1から45のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記47>
前記第1の光学系出力された散乱光の強度の極小ピークを検出する付記44に記載の微小物検出装置。
<付記48>
前記第2の光学系出力された散乱光の強度の極小ピークを検出する付記45に記載の微小物検出装置。
<付記49>
前記散乱光の強度の極小ピークを検出する極小ピーク検出部を備える付記1から48のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記50>
前記第1の光学系から検出された2つの前記極大ピークを第1の極大ピークと第2の極大ピークとすると、
前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとが1つの前記粒子に対応する疑似ピークであるか否かを判別する付記47に記載の微小物検出装置。
<付記51>
前記第2の光学系から検出された2つの前記極大ピークを第1の極大ピークと第2の極大ピークとすると、
前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとが1つの前記粒子に対応する疑似ピークであるか否かを判別する付記48に記載の微小物検出装置。
<付記52>
前記疑似ピークが存在するか否かを判別するピーク差判定部を備える付記50または51に記載の微小物検出装置。
<付記53>
疑似ピークが存在するか否かを判別するピーク差判定部を備える付記1から49のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記54>
前記第1の極大ピークと前記極小ピークとの比較、または、前記第2の極大ピークと前記極小ピークとの比較を基に、前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとが前記疑似ピークであるか否かを判別する付記50から52のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記55>
前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとを基に求めた値と前記極小ピークとの比較を基に、前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとが前記疑似ピークであるか否かを判別する付記50から52のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記56>
前記比較は、2つの値の差である付記54または55に記載の微小物検出装置。
<付記57>
前記比較は、2つの値の比である付記54または55に記載の微小物検出装置。
<付記58>
前記極大ピークおよび前記極小ピークの検出される順番に基づいて、前記疑似ピークが存在するか否かを判別する付記50から52および付記54から57のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記59>
前記第1の極大ピーク、前記極小ピークそして第2の極大ピークの順番に検出された場合に前記疑似ピークが存在すると判別する付記50から52および付記54から58のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記60>
前記第1の極大ピークと前記第2の極大ピークとの間に、前記極小ピークが存在するか否かを判別する隣接ピーク判定部を備える付記50から52および付記54から59のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記61>
第1の極大ピークと第2の極大ピークとの間に、極小ピークが存在するか否かを判別する隣接ピーク判定部を備える付記1から49および付記53のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記62>
前記疑似ピークであると判別した場合には、前記粒子は1個であるとし、前記疑似ピークでないと判別した場合には、前記粒子は2個であるとする付記58から60のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記63>
前記疑似ピークであると判別した場合には、前記粒子は1個であるとの結果を出力し、前記疑似ピークでないと判別した場合には、前記粒子は2個であるとの結果を出力する疑似ピーク排除部を備える付記58から60のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記64>
疑似ピークであると判別した場合には、前記粒子は1個であるとの結果を出力し、前記疑似ピークでないと判別した場合には、前記粒子は2個であるとの結果を出力する疑似ピーク排除部を備える付記1から57のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記65>
前記疑似ピークの判別結果を基に、前記粒子の個数を数える付記62に記載の微小物検出装置。
<付記66>
前記疑似ピーク排除部が出力した前記粒子の個数を数える付記63または64に記載の微小物検出装置。
<付記67>
前記第1の光学系および前記第2の光学系で検出された前記散乱光の強度に基づいて、前記粒子の個数を数える付記1から66のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記68>
前記粒子の個数を数えるカウント部を備える付記1から67のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記69>
求められた前記粒子の個数を基に、前記粒子の個数濃度または重量濃度を求める付記1から68のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記70>
前記粒子に前記照射光を照射する光照射部を備える付記1から69のいずれか1つに記載の微小物検出装置。
<付記71>
前記光照射部は、前記照射光を発する光源を備える付記70に記載の微小物検出装置。
<付記72>
前記光照射部は、前記照射光を集光する第2の集光素子を備える付記70または71に記載の微小物検出装置。
<付記73>
前記第2の集光素子は、第2の集光レンズである付記72に記載の微小物検出装置。
<付記74>
前記光照射部は、前記光源および前記第2の集光素子の少なくともいずれか1つを保持する保持部を備える付記72または73に記載の微小物検出装置。
<付記75>
前記保持部は、前記第1の光学系に接続されている付記74に記載の微小物検出装置。
11,12,13 微小物検出装置、 500,520 微小物検出装置の光学系、 50,51,52,53 検出光学系、 52a,53a 第1の検出光学系、 52b,53b 第2の検出光学系、 10 レーザー光照射部、 20 散乱光受光部、 1 レーザー発光素子、 2 レンズ、 3 照射光、 4 ビームトラップ、 5a 吸気口、 5b 排気口、 6 受光素子、 60,65,70 検出回路部、 61,61a,61b,61c 増幅回路、 62,62a,62b,62c,71 極大ピーク検出部、 63 ピーク数カウント部、 64 粒子種類判別部、 72 極小ピーク検出部、 73 隣接ピーク判定部、 74 ピーク差判定部、 75 疑似ピーク排除部、 76 ピーク検出部、 80 粒子判定部、 91 照射部フォルダ、 101,103 第1の集光ミラー、 102,104 第2の集光ミラー、 101a,102a,103a,104a 反射面、 111a、111b 経路1の光線、 112 経路2の光線、 113a、113b、113c、113d、113e 経路3の光線、 114,114p,114s 経路4の光線、 160 レンズ、 161,162 受光素子、 163 偏光プリズム、 163p,163s 出射面、 164 反射面、 165 レンズ部、 200 散乱光、 300 平行平板、 A 信号Sの出力値、 Ap,Ap,Ap,Ap,Ap,Ap,Ap ピーク点、 AP 開口、 D 被検出領域、 DL 穴、 ds 距離、 Ip,Is 光の強度、 P 通過領域、 P,P,P,P,P,P ピーク値、 ΔP,Δp,ΔP 値、 F,F,F 波形、 G,G 位置、 R 粒子、 D 被検出領域、 P 粒子の通過領域、 L 散乱光、 Ls 側方散乱光、 Lfs 前方散乱光、 Lbs 後方散乱光、 r,r,r 半径、 S,S11,S12,S13,S,S21,S22,S23,S,S31,S32,S33,S,S,S,S 信号、 tc 波形の中心、 O 第2の集光ミラー102の設計上の中心軸、 H 通過穴 U,U,U 焦点位置、 λe, λf 波長。

Claims (3)

  1. 第1の反射領域、第2の反射領域及び受光素子を含む第1の光学系を備え、
    前記第1の反射領域は、楕円面形状であり、楕円面形状の2つの焦点の位置を利用して、第1の焦点の領域で照射光が粒子に当たって散乱した散乱光を反射して、第2の焦点の位置に設置された前記受光素子に導き、
    前記第2の反射領域は、6λpv以上の球面収差を有し、前記粒子から到達した散乱光を反射して、前記第1の反射領域に導き、当該第1の反射領域の楕円面形状を利用して前記受光素子に導く微小物検出装置。
  2. 前記第2の反射領域は、光の反射する位置によって異なる複数の焦点を発生させて、当該複数の焦点を分散させる請求項1に記載の微小物検出装置。
  3. 前記第2の反射領域は、非球面形状をしており、反射面に沿って曲率半径が変化していく形状である請求項1または2に記載の微小物検出装置。
JP2017556010A 2015-12-14 2016-12-08 微小物検出装置 Active JP6542385B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019109212A JP6932156B2 (ja) 2015-12-14 2019-06-12 微小物検出装置

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015243250 2015-12-14
JP2015243250 2015-12-14
JP2016017780 2016-02-02
JP2016017780 2016-02-02
PCT/JP2016/086550 WO2017104533A1 (ja) 2015-12-14 2016-12-08 微小物検出装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019109212A Division JP6932156B2 (ja) 2015-12-14 2019-06-12 微小物検出装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2017104533A1 JPWO2017104533A1 (ja) 2018-05-24
JP6542385B2 true JP6542385B2 (ja) 2019-07-10

Family

ID=59056415

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017556010A Active JP6542385B2 (ja) 2015-12-14 2016-12-08 微小物検出装置
JP2019109212A Active JP6932156B2 (ja) 2015-12-14 2019-06-12 微小物検出装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019109212A Active JP6932156B2 (ja) 2015-12-14 2019-06-12 微小物検出装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10241043B2 (ja)
EP (2) EP3761008B1 (ja)
JP (2) JP6542385B2 (ja)
CN (2) CN108369171B (ja)
WO (1) WO2017104533A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023204452A1 (ko) * 2022-04-22 2023-10-26 삼성전자주식회사 공기조화기 및 그 제어 방법

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2902406T3 (es) * 2016-03-30 2022-03-28 Sintrol Oy Método para medir las propiedades de partículas en un medio y dispositivo para medir las propiedades de partículas en un gas de combustión
KR102644216B1 (ko) * 2017-01-10 2024-03-05 엘지이노텍 주식회사 입자 센싱 장치
KR102065755B1 (ko) * 2018-04-25 2020-01-13 (주)파이버피아 오염인자 농도 측정 장치 및 방법
US11719615B2 (en) * 2018-06-22 2023-08-08 Mitsubishi Electric Corporation Particle detection device
CN109342300A (zh) * 2018-11-29 2019-02-15 苏州苏信环境科技有限公司 一种光纤型空气粒子计数传感器系统
CN110849817B (zh) * 2019-10-21 2020-11-24 中国科学院大气物理研究所 一种单颗粒物偏振光学性质和光学粒径谱测量系统
US11828696B2 (en) 2020-12-16 2023-11-28 Caterpillar Inc. System and method for processing data from a particle monitoring sensor
CN112630127B (zh) * 2021-03-10 2021-05-28 中国科学院上海高等研究院 一种真空微粒计数器
RU2763682C1 (ru) * 2021-06-09 2021-12-30 Геннадий Евгеньевич Котковский Оптическая система для определения составов аэрозолей на основе люминесцентного анализа аэрозольных частиц
CN113720750B (zh) * 2021-08-31 2023-07-28 北京航空航天大学 一种光学颗粒计数器
KR102388703B1 (ko) * 2021-09-23 2022-04-20 (주)엔아이디에스 생물 입자 및 비생물 입자를 검출하는 센서 장치

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3946239A (en) * 1975-01-24 1976-03-23 The United States Of America As Represented By The United Energy Research And Development Administration Ellipsoidal cell flow system
US4188543A (en) * 1978-03-20 1980-02-12 Coulter Electronics, Inc. Ellipsoid radiation collector apparatus and method
US4273443A (en) * 1979-11-21 1981-06-16 Coulter Electronics, Inc. Method and apparatus for measurement of reradiation in particle flow cell systems
JPS6335395Y2 (ja) * 1980-02-29 1988-09-20
US4601576A (en) * 1983-12-09 1986-07-22 Tencor Instruments Light collector for optical contaminant and flaw detector
JPS61160048A (ja) * 1985-01-08 1986-07-19 Dan Sangyo Kk 点光源強度検出光学系
JPS60190835A (ja) * 1985-02-22 1985-09-28 Hitachi Ltd 微粒子検出器
JPH0737937B2 (ja) * 1987-10-07 1995-04-26 日本科学工業株式会社 光散乱方式による微粒子検出装置
JPH0739990B2 (ja) * 1991-03-12 1995-05-01 工業技術院長 気体中繊維状粒子特性測定方法
EP0627073A1 (en) 1992-02-21 1994-12-07 The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Analysis of particle characteristics
EP0723654B1 (en) 1993-09-27 2007-11-07 Venturedyne Ltd. Improved particle sensor and method for assaying a particle
US5767967A (en) * 1997-01-02 1998-06-16 Yufa; Aleksandr L. Method and device for precise counting and measuring the particulates and small bodies
DE19741853A1 (de) * 1997-09-23 1999-03-25 Bosch Gmbh Robert Rauchmelder
GB9721861D0 (en) * 1997-10-15 1997-12-17 Kidde Fire Protection Ltd High sensitivity particle detection
US7126687B2 (en) * 1999-08-09 2006-10-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method and instrumentation for determining absorption and morphology of individual airborne particles
US6239873B1 (en) * 2000-11-13 2001-05-29 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Apparatus for simultaneous measurement of two polarization states of scattered light
JP4130938B2 (ja) * 2001-09-28 2008-08-13 Hoya株式会社 光ピックアップ用対物光学系
JP3720799B2 (ja) 2002-10-02 2005-11-30 神栄株式会社 花粉センサ
US9441244B2 (en) 2003-06-30 2016-09-13 The Regents Of The University Of California Mutant adeno-associated virus virions and methods of use thereof
US7119899B2 (en) * 2003-07-23 2006-10-10 Lighthouse Worldwide Solutions, Inc Particle sensor system
US7502110B2 (en) * 2004-07-21 2009-03-10 Lighthouse Worldwide Solutions, Inc Design for particle sensor system
CN1985160A (zh) * 2004-07-22 2007-06-20 光屋环球解决方案有限公司 针对颗粒传感器系统的改进设计
CN2729694Y (zh) * 2004-07-30 2005-09-28 中国科学院上海光学精密机械研究所 光散射式尘埃粒子测量仪的光学装置
JP2007199012A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Nidec Sankyo Corp 光散乱式粒子計数装置
US20100045982A1 (en) * 2005-11-29 2010-02-25 Nidec Sankyo Corporation Particle counter and particle counting device having particle counter, and particle counting system and its use method
WO2009076678A1 (en) 2007-12-13 2009-06-18 Biovigilant Systems, Inc. Pathogen detection by simultaneous size/fluorescence measurement
GB0801375D0 (en) * 2008-01-25 2008-03-05 Secr Defence Fluid-borne particle detector
CN202092931U (zh) * 2011-05-18 2011-12-28 北京汇丰隆经济技术开发有限公司 一种单光源生物气溶胶粒子检测装置
US9429508B2 (en) * 2012-10-15 2016-08-30 Sony Corporation Microparticle measuring apparatus
WO2015073911A1 (en) * 2013-11-14 2015-05-21 Beckman Coulter, Inc. Flow cytometry optics
DE102013226668A1 (de) * 2013-12-19 2015-06-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Kalibrieren einer Wellenfronterzeugungseinrichtung
JP6688966B2 (ja) * 2015-07-27 2020-04-28 パナソニックIpマネジメント株式会社 粒子検出センサ
CN205844139U (zh) * 2016-04-20 2016-12-28 夏普株式会社 颗粒物浓度检测设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023204452A1 (ko) * 2022-04-22 2023-10-26 삼성전자주식회사 공기조화기 및 그 제어 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP3761008B1 (en) 2023-06-14
EP3392648B1 (en) 2020-10-07
JP2019203897A (ja) 2019-11-28
CN113188964B (zh) 2024-06-28
CN108369171A (zh) 2018-08-03
US20190162661A1 (en) 2019-05-30
CN108369171B (zh) 2021-06-01
EP3761008A1 (en) 2021-01-06
US20180321147A1 (en) 2018-11-08
US10241043B2 (en) 2019-03-26
EP3392648A1 (en) 2018-10-24
EP3392648A4 (en) 2018-10-24
US10670522B2 (en) 2020-06-02
CN113188964A (zh) 2021-07-30
WO2017104533A1 (ja) 2017-06-22
JPWO2017104533A1 (ja) 2018-05-24
JP6932156B2 (ja) 2021-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6542385B2 (ja) 微小物検出装置
US8427641B2 (en) Compact detector for simultaneous particle size and fluorescence detection
JP4817442B2 (ja) 粒子分析装置用光学系、及びそれを用いた粒子分析装置
JP5787390B2 (ja) 微生物検出装置及び方法
JP5533055B2 (ja) 光学的測定装置及び光学的測定方法
EP2472248A2 (en) Microparticle detection apparatus
JPWO2014061368A1 (ja) 微小粒子測定装置
JP2017138223A (ja) 微小物検出装置
US9086377B2 (en) Optical system for fluorescence detection and fine particle analyzing apparatus
US9176055B2 (en) System and method for measuring narrow and wide angle light scatter on a high-speed cell sorting device
KR101919103B1 (ko) 반사경을 구비하지 않는 광학식 미생물 검출 장치
CN112334755A (zh) 粒子检测装置
JP3436539B2 (ja) 粒子分析のための改良型粒子センサ及び方法
CN112730180A (zh) 一种具有双探测器的高灵敏度尘埃粒子计数传感器
JPS6335395Y2 (ja)
CN113588499A (zh) 一种气溶胶粒子探测光学系统
JPH05240769A (ja) 粒子計数装置
JP2007147476A (ja) 光散乱式粒子計数装置
JP2017044679A (ja) パーティクルカウンタ

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180117

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190315

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190514

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190612

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6542385

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250