JPH07335628A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH07335628A JPH07335628A JP12916894A JP12916894A JPH07335628A JP H07335628 A JPH07335628 A JP H07335628A JP 12916894 A JP12916894 A JP 12916894A JP 12916894 A JP12916894 A JP 12916894A JP H07335628 A JPH07335628 A JP H07335628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clamp ring
- ring member
- electrode
- plasma
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】被処理物をそのホルダを兼ねる電極上に押圧固
定するクランプリング部材を有するドライエッチング装
置であって、電極への電力印加によりプラズマが発生す
る際、クランプリング部材表面に十分なイオン衝撃が得
られ、これによりクランプリング部材表面にパーティク
ルが付着するのが抑制でき、その結果エッチングの歩留
りを向上させることができるドライエッチング装置を提
供する。 【構成】被処理物Ｓ１を電力印加電極を兼ねるホルダ２
に押圧固定するための、プラズマに曝される面が導電性
材料からなるクランプリング部材８と、前記クランプリ
ング部材８を被処理物固定位置又は被処理物Ｓ１の搬入
搬出に支障のない位置へ移動させるクランプリング部材
駆動手段９と、クランプリング部材８の前記プラズマに
曝される面をホルダ２とを電気的に接触させる手段４と
を備えているドライエッチング装置。
定するクランプリング部材を有するドライエッチング装
置であって、電極への電力印加によりプラズマが発生す
る際、クランプリング部材表面に十分なイオン衝撃が得
られ、これによりクランプリング部材表面にパーティク
ルが付着するのが抑制でき、その結果エッチングの歩留
りを向上させることができるドライエッチング装置を提
供する。 【構成】被処理物Ｓ１を電力印加電極を兼ねるホルダ２
に押圧固定するための、プラズマに曝される面が導電性
材料からなるクランプリング部材８と、前記クランプリ
ング部材８を被処理物固定位置又は被処理物Ｓ１の搬入
搬出に支障のない位置へ移動させるクランプリング部材
駆動手段９と、クランプリング部材８の前記プラズマに
曝される面をホルダ２とを電気的に接触させる手段４と
を備えているドライエッチング装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エッチング用ガスを電
力印加によりプラズマ化させ、該プラズマの下で、例え
ば半導体デバイス基板のような被処理物をドライエッチ
ングするドライエッチング装置に関する。
力印加によりプラズマ化させ、該プラズマの下で、例え
ば半導体デバイス基板のような被処理物をドライエッチ
ングするドライエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】エッチング用ガスを電力印加によりプラ
ズマ化させ、該プラズマの下で被処理物をエッチングす
るドライエッチング処理は、例えば半導体を利用した薄
膜トランジスタ、ＬＳＩ、太陽電池等の各種デバイスを
製造するにあたり、基体上に形成された金属膜を配線パ
ターン、電極パターン等を残してエッチングしたり、基
体上に形成された半導体膜を所定パターンを残してエッ
チングしたりすること等に広く利用されている。
ズマ化させ、該プラズマの下で被処理物をエッチングす
るドライエッチング処理は、例えば半導体を利用した薄
膜トランジスタ、ＬＳＩ、太陽電池等の各種デバイスを
製造するにあたり、基体上に形成された金属膜を配線パ
ターン、電極パターン等を残してエッチングしたり、基
体上に形成された半導体膜を所定パターンを残してエッ
チングしたりすること等に広く利用されている。
【０００３】前記のドライエッチング処理は、例えば図
２に示す反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）に用いる平
行平板型のエッチング装置を用いて行われる。このエッ
チング装置は、真空容器１を備え、その中には、エッチ
ング対象膜を形成した基体Ｓ２を設置する基体ホルダを
兼ねる電極２及び電極２に対向配置された電極３を備え
ている。
２に示す反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）に用いる平
行平板型のエッチング装置を用いて行われる。このエッ
チング装置は、真空容器１を備え、その中には、エッチ
ング対象膜を形成した基体Ｓ２を設置する基体ホルダを
兼ねる電極２及び電極２に対向配置された電極３を備え
ている。
【０００４】電極２は、電極３との間に導入されるエッ
チング用ガスに高周波電力や直流電力を印加してプラズ
マ化させるための電力印加電極として使用され、図示の
例ではマッチングボックス２１を介して高周波電源２２
に接続されている。電極３は接地電極であり、電極の一
部を構成するガスノズル３１の開口部に多孔電極板３２
を設けたもので、電極板３２には直径０．５ｍｍ程度の
ガス供給孔を多数形成してあり、ガスノズル３１から供
給されるガスが該孔から両電極間に全体的に放出される
ようになっている。
チング用ガスに高周波電力や直流電力を印加してプラズ
マ化させるための電力印加電極として使用され、図示の
例ではマッチングボックス２１を介して高周波電源２２
に接続されている。電極３は接地電極であり、電極の一
部を構成するガスノズル３１の開口部に多孔電極板３２
を設けたもので、電極板３２には直径０．５ｍｍ程度の
ガス供給孔を多数形成してあり、ガスノズル３１から供
給されるガスが該孔から両電極間に全体的に放出される
ようになっている。
【０００５】真空容器１はまた、電極２上に基体Ｓ２を
保持するために、電極２上に載置される基体Ｓ２の周縁
部を電極２に押圧固定するためのリング形状のクランプ
リング部材８と、該クランプリング部材８を基体Ｓ２固
定位置又は基体Ｓ２の搬入搬出に支障のない位置へ選択
的に移動させる駆動装置９を備えている。装置９はこの
例ではピストンシリンダ装置からなっている。ピストン
シリンダ装置９は通常、一台設けられ、そのピストンロ
ッド９１がクランプリング部材８の一部に連結され、シ
リンダ９２は真空容器１に固定されている。
保持するために、電極２上に載置される基体Ｓ２の周縁
部を電極２に押圧固定するためのリング形状のクランプ
リング部材８と、該クランプリング部材８を基体Ｓ２固
定位置又は基体Ｓ２の搬入搬出に支障のない位置へ選択
的に移動させる駆動装置９を備えている。装置９はこの
例ではピストンシリンダ装置からなっている。ピストン
シリンダ装置９は通常、一台設けられ、そのピストンロ
ッド９１がクランプリング部材８の一部に連結され、シ
リンダ９２は真空容器１に固定されている。
【０００６】真空容器１には、さらに、開閉弁を介して
排気ポンプを接続してなる排気装置７が接続されている
とともに、前記ガスノズル３１にはガス供給部６を配管
接続してある。ガス供給部６には、１又は２以上のマス
フローコントローラ６１１、６１２・・・・及び開閉弁
６２１、６２２・・・・を介して所要量のエッチング用
ガスを供給するガス源６３１、６３２・・・・が含まれ
ている。
排気ポンプを接続してなる排気装置７が接続されている
とともに、前記ガスノズル３１にはガス供給部６を配管
接続してある。ガス供給部６には、１又は２以上のマス
フローコントローラ６１１、６１２・・・・及び開閉弁
６２１、６２２・・・・を介して所要量のエッチング用
ガスを供給するガス源６３１、６３２・・・・が含まれ
ている。
【０００７】このエッチング装置によると、クランプリ
ング部材８がピストンシリンダ装置９にて電極２から上
昇後退せしめられた状態で、エッチング対象基体Ｓ２が
容器１内の高周波電極２上に設置され、その後、クラン
プリング部材８がピストンシリンダ装置９により下降せ
しめられて基体Ｓ２の周縁部が電極２に押圧固定され
る。次いで、ガス供給部６からエッチング用ガスがノズ
ル３１及び電極板３２のガス供給孔を介して導入され、
容器１内が排気装置７の運転にて所定エッチング真空度
とされる。また、電極２に高周波電源２２から高周波電
圧が印加され、それによって導入されたガスがプラズマ
化され、このプラズマの下に基体Ｓ２上の膜がエッチン
グされる。なお、電極２は、必要に応じ、水冷装置２０
等の温度制御装置で温度制御されることもある。
ング部材８がピストンシリンダ装置９にて電極２から上
昇後退せしめられた状態で、エッチング対象基体Ｓ２が
容器１内の高周波電極２上に設置され、その後、クラン
プリング部材８がピストンシリンダ装置９により下降せ
しめられて基体Ｓ２の周縁部が電極２に押圧固定され
る。次いで、ガス供給部６からエッチング用ガスがノズ
ル３１及び電極板３２のガス供給孔を介して導入され、
容器１内が排気装置７の運転にて所定エッチング真空度
とされる。また、電極２に高周波電源２２から高周波電
圧が印加され、それによって導入されたガスがプラズマ
化され、このプラズマの下に基体Ｓ２上の膜がエッチン
グされる。なお、電極２は、必要に応じ、水冷装置２０
等の温度制御装置で温度制御されることもある。
【０００８】このように基体をクランプ機構により基体
ホルダに固定する構造を持つドライエッチング装置にお
いては、一般にクランプリング部材８の駆動装置９部分
は接地電位の真空容器等に取り付けられる。しかし、基
体ホルダを兼ねる電極２には高周波電力や直流電力が印
加されるため、電極２とクランプリング部材８とは互い
に絶縁しておく必要がある。このため、クランプリング
部材８の材質をアルミナ等のセラミックや樹脂等の電気
絶縁性材料で形成したり、クランプリング部材８の材質
が金属等の導電性のものであるときには、電極２とクラ
ンプリング部材８との間及び駆動装置９とクランプリン
グ部材８との間に絶縁体を介在させる等してクランプリ
ング部材８を電気的にフローテイング状態としておく。
ホルダに固定する構造を持つドライエッチング装置にお
いては、一般にクランプリング部材８の駆動装置９部分
は接地電位の真空容器等に取り付けられる。しかし、基
体ホルダを兼ねる電極２には高周波電力や直流電力が印
加されるため、電極２とクランプリング部材８とは互い
に絶縁しておく必要がある。このため、クランプリング
部材８の材質をアルミナ等のセラミックや樹脂等の電気
絶縁性材料で形成したり、クランプリング部材８の材質
が金属等の導電性のものであるときには、電極２とクラ
ンプリング部材８との間及び駆動装置９とクランプリン
グ部材８との間に絶縁体を介在させる等してクランプリ
ング部材８を電気的にフローテイング状態としておく。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにクランプリング部材８が電気絶縁性材料からなる、
又は電気的にフローテイングされている場合、クランプ
リング部材８表面に強いプラズマが発生せず、また、電
極２に印加される高周波電力がクランプリング部材８に
伝わらないため、クランプリング部材８に十分なイオン
衝撃が得られず、プラズマ中で生成されるエッチング用
ガスの重合物がクランプリング部材８表面に付着しやす
い。そしてクランプリング部材８表面に付着した前記重
合物が被処理基体上に飛散する等して付着しやすく、エ
ッチングの再現性ひいてはエッチングの歩留りを低下さ
せる。特に、エッチング用ガスとしてメタン（ＣＨ4 ）
ガス等を用いる場合には、ＣＨ4 等及びその分解物がプ
ラズマにより励起されてラジカル化し、これらのラジカ
ルにより重合物が生成し、クランプリング部材８表面に
付着し、やがてこれが剥がれてパーティクルとなり、被
処理物へ飛散してエッチング不良を招き易い。
うにクランプリング部材８が電気絶縁性材料からなる、
又は電気的にフローテイングされている場合、クランプ
リング部材８表面に強いプラズマが発生せず、また、電
極２に印加される高周波電力がクランプリング部材８に
伝わらないため、クランプリング部材８に十分なイオン
衝撃が得られず、プラズマ中で生成されるエッチング用
ガスの重合物がクランプリング部材８表面に付着しやす
い。そしてクランプリング部材８表面に付着した前記重
合物が被処理基体上に飛散する等して付着しやすく、エ
ッチングの再現性ひいてはエッチングの歩留りを低下さ
せる。特に、エッチング用ガスとしてメタン（ＣＨ4 ）
ガス等を用いる場合には、ＣＨ4 等及びその分解物がプ
ラズマにより励起されてラジカル化し、これらのラジカ
ルにより重合物が生成し、クランプリング部材８表面に
付着し、やがてこれが剥がれてパーティクルとなり、被
処理物へ飛散してエッチング不良を招き易い。
【００１０】そこで本発明は、被処理物をそのホルダを
兼ねる電極上に押圧固定するクランプリング部材を有す
るドライエッチング装置であって、前記電極への電力印
加によりプラズマが発生する際、該クランプリング部材
表面に十分なイオン衝撃が得られ、これにより該クラン
プリング部材表面にエッチング用ガスの重合物等が付着
するのが抑制でき、その結果エッチングの歩留りを向上
させることができるドライエッチング装置を提供するこ
とを課題とする。
兼ねる電極上に押圧固定するクランプリング部材を有す
るドライエッチング装置であって、前記電極への電力印
加によりプラズマが発生する際、該クランプリング部材
表面に十分なイオン衝撃が得られ、これにより該クラン
プリング部材表面にエッチング用ガスの重合物等が付着
するのが抑制でき、その結果エッチングの歩留りを向上
させることができるドライエッチング装置を提供するこ
とを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明者は研究を重ね、クランプリング部材を導電性
材料から形成し、かつ、電力が印加される基体ホルダを
兼ねる電極とクランプリング部材とを電気的に接触させ
ることにより、前記電極への電力印加によりプラズマが
発生する際、該クランプリング部材に十分なイオン衝撃
が得られ、これにより該クランプリング部材表面にエッ
チング用ガスの重合物等が付着するのが抑制されること
を見出した。
に本発明者は研究を重ね、クランプリング部材を導電性
材料から形成し、かつ、電力が印加される基体ホルダを
兼ねる電極とクランプリング部材とを電気的に接触させ
ることにより、前記電極への電力印加によりプラズマが
発生する際、該クランプリング部材に十分なイオン衝撃
が得られ、これにより該クランプリング部材表面にエッ
チング用ガスの重合物等が付着するのが抑制されること
を見出した。
【００１２】前記知見に基づき本発明のドライエッチン
グ装置は、エッチング用ガスを電力印加によりプラズマ
化させ、該プラズマの下で被処理物をエッチングするド
ライエッチング装置において、被処理物を電力印加電極
を兼ねるホルダに押圧固定するための、前記プラズマに
曝される面が導電性材料からなるクランプリング部材
と、前記クランプリング部材を被処理物固定位置又は被
処理物の搬入搬出に支障のない位置へ移動させるクラン
プリング部材駆動手段と、少なくともクランプリング部
材が被処理物固定位置に置かれるとき、前記クランプリ
ング部材のプラズマに曝される面を前記電力印加電極を
兼ねるホルダとを電気的に接触させる手段とを備えてい
ることを特徴とする。
グ装置は、エッチング用ガスを電力印加によりプラズマ
化させ、該プラズマの下で被処理物をエッチングするド
ライエッチング装置において、被処理物を電力印加電極
を兼ねるホルダに押圧固定するための、前記プラズマに
曝される面が導電性材料からなるクランプリング部材
と、前記クランプリング部材を被処理物固定位置又は被
処理物の搬入搬出に支障のない位置へ移動させるクラン
プリング部材駆動手段と、少なくともクランプリング部
材が被処理物固定位置に置かれるとき、前記クランプリ
ング部材のプラズマに曝される面を前記電力印加電極を
兼ねるホルダとを電気的に接触させる手段とを備えてい
ることを特徴とする。
【００１３】前記クランプリング部材はその全体が金属
等の導電性材料からなっている場合の他、主としてプラ
ズマに曝される面が導電性材料から形成され、他の全部
又は一部が絶縁性材料から形成される場合も考えられ
る。また、前記クランプリング部材のプラズマに曝され
る面と前記電力印加電極を兼ねるホルダとを電気的に接
触させる手段としては、例えばクランプリング部材全体
が導電性材料からなる場合、被処理物と同じ厚みを有す
る非弾性の導電性部材を該両者の間に介在させるように
したものの他、少なくとも前記ホルダ上面に垂直な方向
に弾性を有する導電性部材を該両者の間に介在させるよ
うにしたもの等が考えられる。
等の導電性材料からなっている場合の他、主としてプラ
ズマに曝される面が導電性材料から形成され、他の全部
又は一部が絶縁性材料から形成される場合も考えられ
る。また、前記クランプリング部材のプラズマに曝され
る面と前記電力印加電極を兼ねるホルダとを電気的に接
触させる手段としては、例えばクランプリング部材全体
が導電性材料からなる場合、被処理物と同じ厚みを有す
る非弾性の導電性部材を該両者の間に介在させるように
したものの他、少なくとも前記ホルダ上面に垂直な方向
に弾性を有する導電性部材を該両者の間に介在させるよ
うにしたもの等が考えられる。
【００１４】前記の弾性を有する導電性部材は、前記ホ
ルダ上に押圧固定される被処理物より大きな厚みを有
し、前記クランプリング部材が後退位置から被処理物固
定位置へ下降するのに伴って収縮し、前記クランプリン
グ部材と前記ホルダとを確実に電気的に接触させる。こ
のような弾性を有する導電性部材としては、例えば、伸
縮性を有する芯に細い金属線を縒り巻いたものや、金属
製のバネ等を例示することができる。
ルダ上に押圧固定される被処理物より大きな厚みを有
し、前記クランプリング部材が後退位置から被処理物固
定位置へ下降するのに伴って収縮し、前記クランプリン
グ部材と前記ホルダとを確実に電気的に接触させる。こ
のような弾性を有する導電性部材としては、例えば、伸
縮性を有する芯に細い金属線を縒り巻いたものや、金属
製のバネ等を例示することができる。
【００１５】なお、クランプリング部材の一部が絶縁性
材料からなるときは、該部材のプラズマに曝される導電
性面を前記電気的接触手段に接触させ得るように、該プ
ラズマに曝される面に接続された導電性膜等を該電気的
接触手段の側へ回し設ける等のことが考えられる。ま
た、前記クランプリング部材と前記クランプリング部材
駆動手段とは絶縁物を介して連結される等して絶縁され
る。
材料からなるときは、該部材のプラズマに曝される導電
性面を前記電気的接触手段に接触させ得るように、該プ
ラズマに曝される面に接続された導電性膜等を該電気的
接触手段の側へ回し設ける等のことが考えられる。ま
た、前記クランプリング部材と前記クランプリング部材
駆動手段とは絶縁物を介して連結される等して絶縁され
る。
【００１６】
【作用】本発明のドライエッチング装置によると、クラ
ンプリング部材のプラズマに曝される導電性面を前記電
力印加電極に電気的に接触させる手段を備えていること
により、前記電極への電力印加によりプラズマが発生す
る際に、該クランプリング部材の導電性面にも強いプラ
ズマが発生し、且つ、該面にも電力印加されるため、該
クランプリング部材に対する十分なイオン衝撃が得られ
る。このイオン衝撃により、該クランプリング部材表面
にエッチング用ガスの重合物等が付着するのが抑制され
る。
ンプリング部材のプラズマに曝される導電性面を前記電
力印加電極に電気的に接触させる手段を備えていること
により、前記電極への電力印加によりプラズマが発生す
る際に、該クランプリング部材の導電性面にも強いプラ
ズマが発生し、且つ、該面にも電力印加されるため、該
クランプリング部材に対する十分なイオン衝撃が得られ
る。このイオン衝撃により、該クランプリング部材表面
にエッチング用ガスの重合物等が付着するのが抑制され
る。
【００１７】
【実施例】図１は本発明の１実施例であるＲＩＥ（反応
性イオンエッチング）に用いるドライエッチング装置で
ある。この装置は図２に示す従来のＲＩＥ装置において
クランプリング部材８が導電性材料からなり、クランプ
リング部材８と電極２との間にはリング状の電気接触体
４を有している。電気接触体４は、ここではリング状の
クッション性を有する綿芯に細いワイヤを縒り巻いたも
のであり、電極２の周縁部に形成した凹段部２ａに配置
され、クランプリング部材８と電極２との間に挟まれて
縮むことができる。また、クランプリング部材８のピス
トンロッド９１連結部分には絶縁性の樹脂からなるブッ
シング５が埋め込まれて、クランプリング部材８とピス
トンシリンダ装置９とは絶縁されている。その他の構成
は図２に示す従来装置と同様であり、エッチング動作も
同様である。同じ部品については同じ参照符号を付して
ある。
性イオンエッチング）に用いるドライエッチング装置で
ある。この装置は図２に示す従来のＲＩＥ装置において
クランプリング部材８が導電性材料からなり、クランプ
リング部材８と電極２との間にはリング状の電気接触体
４を有している。電気接触体４は、ここではリング状の
クッション性を有する綿芯に細いワイヤを縒り巻いたも
のであり、電極２の周縁部に形成した凹段部２ａに配置
され、クランプリング部材８と電極２との間に挟まれて
縮むことができる。また、クランプリング部材８のピス
トンロッド９１連結部分には絶縁性の樹脂からなるブッ
シング５が埋め込まれて、クランプリング部材８とピス
トンシリンダ装置９とは絶縁されている。その他の構成
は図２に示す従来装置と同様であり、エッチング動作も
同様である。同じ部品については同じ参照符号を付して
ある。
【００１８】このエッチング装置によると、クランプリ
ング部材８が導電性材料からなるため、電力印加により
エッチング用ガスが分解してプラズマが発生する際、ク
ランプリング部材表面にも強いプラズマが発生し、ま
た、クランプリング部材８と電極２とが電気接触体４に
より電気的に接続されているため、電極２に印加される
高周波電力がクランプリング部材８にも印加される。こ
れらによりクランプリング部材８に十分なイオン衝撃が
得られるため、クランプリング部材８表面にエッチング
用ガスの重合物等が付着するのが抑制され、ひいてはこ
の付着した重合物が飛散する等して基体Ｓ１表面に付着
するのが抑制されてエッチングの歩留りが向上する。
ング部材８が導電性材料からなるため、電力印加により
エッチング用ガスが分解してプラズマが発生する際、ク
ランプリング部材表面にも強いプラズマが発生し、ま
た、クランプリング部材８と電極２とが電気接触体４に
より電気的に接続されているため、電極２に印加される
高周波電力がクランプリング部材８にも印加される。こ
れらによりクランプリング部材８に十分なイオン衝撃が
得られるため、クランプリング部材８表面にエッチング
用ガスの重合物等が付着するのが抑制され、ひいてはこ
の付着した重合物が飛散する等して基体Ｓ１表面に付着
するのが抑制されてエッチングの歩留りが向上する。
【００１９】次に、図１に示すＲＩＥ装置を用いた反応
性ドライエッチングの具体例について説明する。クラン
プリング部材８の材質としてアルミニウムを採用し、電
気接触体４を電極２上の所定の位置に載置した。先ず、
表面に厚さ０．１μｍのＩＴＯ膜を形成し、その上にレ
ジストにてエッチングパターンを描いた直径６インチの
石英基体Ｓ１を容器１内に搬入し、電極２上に載置した
のち、クランプリング部材８により基体Ｓ１の周縁部を
電極２に押圧固定した。また、それによって接触体４を
クランプリング部材８と電極２の双方に確実に接触させ
た。その後、容器１内の圧力を２０ｍＴｏｒｒに保ちつ
つ、容器１内にメタン（ＣＨ4 ）ガス及び水素（Ｈ 2 ）
ガスを各々２５ｓｃｃｍ及び６０ｓｃｃｍの流量で導入
すると同時に、高周波電極２に周波数１３．５６ＭＨｚ
の高周波電力を電力２００Ｗで印可して前記ガスをプラ
ズマ化させ、該プラズマの下で基体Ｓ１上のＩＴＯ膜を
エッチングした。
性ドライエッチングの具体例について説明する。クラン
プリング部材８の材質としてアルミニウムを採用し、電
気接触体４を電極２上の所定の位置に載置した。先ず、
表面に厚さ０．１μｍのＩＴＯ膜を形成し、その上にレ
ジストにてエッチングパターンを描いた直径６インチの
石英基体Ｓ１を容器１内に搬入し、電極２上に載置した
のち、クランプリング部材８により基体Ｓ１の周縁部を
電極２に押圧固定した。また、それによって接触体４を
クランプリング部材８と電極２の双方に確実に接触させ
た。その後、容器１内の圧力を２０ｍＴｏｒｒに保ちつ
つ、容器１内にメタン（ＣＨ4 ）ガス及び水素（Ｈ 2 ）
ガスを各々２５ｓｃｃｍ及び６０ｓｃｃｍの流量で導入
すると同時に、高周波電極２に周波数１３．５６ＭＨｚ
の高周波電力を電力２００Ｗで印可して前記ガスをプラ
ズマ化させ、該プラズマの下で基体Ｓ１上のＩＴＯ膜を
エッチングした。
【００２０】この結果、クランプリング部材８表面には
エッチング用ガスの重合物は観察されなかった。基体Ｓ
１上に付着した、直径が０．２６μｍより大きいパーテ
ィクルの個数は約３０個であった。一方、比較例として
アルミナからなるクランプリング部材を採用した図２に
示すＲＩＥ装置を用い、その他の条件は前記本発明例と
同様にして同じ基体Ｓ１のエッチングを行ったところ、
このクランプリング部材上にはエッチング用ガスの重合
物が観察された。基体Ｓ１に付着した、直径が０．２６
μｍより大きいパーティクルの個数は約５０個であっ
た。
エッチング用ガスの重合物は観察されなかった。基体Ｓ
１上に付着した、直径が０．２６μｍより大きいパーテ
ィクルの個数は約３０個であった。一方、比較例として
アルミナからなるクランプリング部材を採用した図２に
示すＲＩＥ装置を用い、その他の条件は前記本発明例と
同様にして同じ基体Ｓ１のエッチングを行ったところ、
このクランプリング部材上にはエッチング用ガスの重合
物が観察された。基体Ｓ１に付着した、直径が０．２６
μｍより大きいパーティクルの個数は約５０個であっ
た。
【００２１】また、本発明例及び比較例について各々基
体Ｓ１を替えて同様のエッチングを繰り返し、電極２に
発生するＤＣバイアス電圧を測定したところ、次表に示
すように、比較例によるエッチングでは基体Ｓ１の処理
枚数を重ねるのに伴い電極２に発生するＤＣバイアス電
圧が低下したが、本発明例によるエッチングではＤＣバ
イアス電圧は変化しなかった。本発明例によるエッチン
グでは高い再現性が得られたことが分かるが、これはク
ランプリング部材８への重合物等の付着が低減したこと
によるものと考えられる。 処理枚数 １枚目 ２枚目 ５枚目 １０枚目 本発明例 ５８０Ｖ ５８１Ｖ ５８１Ｖ ５８０Ｖ 比較例 ５８０Ｖ ５６０Ｖ ５４８Ｖ ５４１Ｖ
体Ｓ１を替えて同様のエッチングを繰り返し、電極２に
発生するＤＣバイアス電圧を測定したところ、次表に示
すように、比較例によるエッチングでは基体Ｓ１の処理
枚数を重ねるのに伴い電極２に発生するＤＣバイアス電
圧が低下したが、本発明例によるエッチングではＤＣバ
イアス電圧は変化しなかった。本発明例によるエッチン
グでは高い再現性が得られたことが分かるが、これはク
ランプリング部材８への重合物等の付着が低減したこと
によるものと考えられる。 処理枚数 １枚目 ２枚目 ５枚目 １０枚目 本発明例 ５８０Ｖ ５８１Ｖ ５８１Ｖ ５８０Ｖ 比較例 ５８０Ｖ ５６０Ｖ ５４８Ｖ ５４１Ｖ
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、被
処理物をそのホルダを兼ねる電極上に押圧固定するクラ
ンプリング部材を有するドライエッチング装置であっ
て、前記電極への電力印加によりプラズマが発生する
際、該クランプリング部材のプラズマに曝される面に十
分なイオン衝撃が得られ、これにより該クランプリング
部材表面にエッチング用ガスの重合物等が付着するのが
抑制でき、その結果エッチングの再現性ひいてはエッチ
ングの歩留りを向上させることができるドライエッチン
グ装置を提供することができる。
処理物をそのホルダを兼ねる電極上に押圧固定するクラ
ンプリング部材を有するドライエッチング装置であっ
て、前記電極への電力印加によりプラズマが発生する
際、該クランプリング部材のプラズマに曝される面に十
分なイオン衝撃が得られ、これにより該クランプリング
部材表面にエッチング用ガスの重合物等が付着するのが
抑制でき、その結果エッチングの再現性ひいてはエッチ
ングの歩留りを向上させることができるドライエッチン
グ装置を提供することができる。
【図１】本発明の１実施例である反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）装置の概略構成を示す図である。
グ（ＲＩＥ）装置の概略構成を示す図である。
【図２】従来のドライエッチング装置例の概略構成を示
す図である。
す図である。
【符号の説明】 １ 真空容器 ２ 基体ホルダ兼高周波電極 ２０ 水冷装置 ２１ マッチングボックス ２２ 高周波電源 ３ 接地電極 ３１ ガスノズル ３２ 多孔電極板 ４ 電気接触体 ５ 絶縁体 ６ エッチング用ガス供給部 ７ 排気装置 ８ クランプリング ９ ピストンシリンダ装置 ９１ ピストンロッド ９２ シリンダ Ｓ１、Ｓ２ 基体
Claims (1)
- 【請求項１】 エッチング用ガスを電力印加によりプラ
ズマ化させ、該プラズマの下で被処理物をエッチングす
るドライエッチング装置において、被処理物を電力印加
電極を兼ねるホルダに押圧固定するための、前記プラズ
マに曝される面が導電性材料からなるクランプリング部
材と、前記クランプリング部材を被処理物固定位置又は
被処理物の搬入搬出に支障のない位置へ移動させるクラ
ンプリング部材駆動手段と、少なくとも前記クランプリ
ング部材が被処理物固定位置におかれるとき、前記クラ
ンプリング部材のプラズマに曝される面を前記電力印加
電極を兼ねるホルダに電気的に接触させる手段とを備え
ていることを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12916894A JPH07335628A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12916894A JPH07335628A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07335628A true JPH07335628A (ja) | 1995-12-22 |
Family
ID=15002828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12916894A Withdrawn JPH07335628A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07335628A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335766B1 (ko) * | 1999-10-26 | 2002-05-09 | 박종섭 | 웨이퍼 로딩용 플랜지 애노드 |
-
1994
- 1994-06-10 JP JP12916894A patent/JPH07335628A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335766B1 (ko) * | 1999-10-26 | 2002-05-09 | 박종섭 | 웨이퍼 로딩용 플랜지 애노드 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4013753B2 (ja) | 半導体ウェハの切断方法 | |
| TWI233153B (en) | Method of manufacturing semiconductor device, plasma processing apparatus and plasma processing method | |
| US20040072426A1 (en) | Process chamber for manufacturing a smiconductor device | |
| US7375946B2 (en) | Method and apparatus for dechucking a substrate | |
| TWI387996B (zh) | A plasma processing method and a plasma processing apparatus | |
| WO2002007212A1 (fr) | Dispositif de maintien pour corps traite | |
| JPH0119253B2 (ja) | ||
| KR102114500B1 (ko) | 전열 시트 부착 방법 | |
| US6239036B1 (en) | Apparatus and method for plasma etching | |
| US20030037882A1 (en) | Plasma treating apparatus and plasma treating method | |
| JP4868649B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH0774231A (ja) | 処理装置及びその使用方法 | |
| CN101504927B (zh) | 等离子体处理装置用基板放置台、等离子体处理装置 | |
| JPH05160076A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| US6628500B1 (en) | Method and apparatus for dechucking a substrate from an electrostatic chuck | |
| JP2000049143A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH10303286A (ja) | 静電チャック及び半導体製造装置 | |
| JPH07335628A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH01200625A (ja) | 半導体ウェーハ処理装置 | |
| JP3078506B2 (ja) | 静電チャック装置及び載置台 | |
| JP3118497B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPH07312362A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPS63136525A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JP3814431B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0624187B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |