JPH07326312A - 電界放射平板パネル表示装置に用いられる陽極板とその製造法 - Google Patents
電界放射平板パネル表示装置に用いられる陽極板とその製造法Info
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 コントラスト比が大きく、かつ加速電圧を大
きくすることができ、そして消費電力の小さい、電界放
射平板パネル表示装置を提供する。 【構成】 この表示装置に用いられる陽極板５０は、複
数個の導電体の平行なストリップ体５２を備えた透明で
平坦な基板５８を有する。これらのストリップ体は蛍光
体により被覆され、そしてこれらがこの表示装置の陽極
電極を構成する。事実上不透明でかつ電気的に絶縁体で
ある材料体５６が、導電体の間の隙間の基板の上に取り
付けられる。この不透明材料体は、その中に分散された
不純物を有するガラスで構成されることが好ましい。こ
れらの不純物は、電磁波スペクトルの可視光線領域にわ
たって比較的均一に不透明であるように選定された１種
類または多種類の有機物染料であることができる。
きくすることができ、そして消費電力の小さい、電界放
射平板パネル表示装置を提供する。 【構成】 この表示装置に用いられる陽極板５０は、複
数個の導電体の平行なストリップ体５２を備えた透明で
平坦な基板５８を有する。これらのストリップ体は蛍光
体により被覆され、そしてこれらがこの表示装置の陽極
電極を構成する。事実上不透明でかつ電気的に絶縁体で
ある材料体５６が、導電体の間の隙間の基板の上に取り
付けられる。この不透明材料体は、その中に分散された
不純物を有するガラスで構成されることが好ましい。こ
れらの不純物は、電磁波スペクトルの可視光線領域にわ
たって比較的均一に不透明であるように選定された１種
類または多種類の有機物染料であることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、全体的にいえば、平板
パネル表示装置に関する。さらに詳細にいえば、本発明
は、表示のコントラスト比が優れている平板パネル表示
装置の陽極板に用いられる不透明な絶縁体と、この不透
明絶縁体材料を作成する方法と、この材料体を陽極板に
応用する方法とに関する。
パネル表示装置に関する。さらに詳細にいえば、本発明
は、表示のコントラスト比が優れている平板パネル表示
装置の陽極板に用いられる不透明な絶縁体と、この不透
明絶縁体材料を作成する方法と、この材料体を陽極板に
応用する方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】半世紀以上の間、陰極
線管（ＣＲＴ）は可視情報を表示するための主要な電子
装置であった。ＣＲＴが広く用いられるのは、カラー
と、明るさと、コントラストと、分解能との領域におい
て、表示特性の品質が著しく優れているからである。こ
れらの品質が実現するのを可能にしているＣＲＴの１つ
の主要な特徴は、透明な面板の上に蛍光を発生する蛍光
被覆体を用いるからである。
線管（ＣＲＴ）は可視情報を表示するための主要な電子
装置であった。ＣＲＴが広く用いられるのは、カラー
と、明るさと、コントラストと、分解能との領域におい
て、表示特性の品質が著しく優れているからである。こ
れらの品質が実現するのを可能にしているＣＲＴの１つ
の主要な特徴は、透明な面板の上に蛍光を発生する蛍光
被覆体を用いるからである。
【０００３】けれども、従来のＣＲＴは、それらは物理
的に大幅な奥行きを必要とするという欠点を有してい
る。すなわち、実際の表示表面の背後に大幅な空間を必
要とするというのが欠点である。このために、従来のＣ
ＲＴはその容積が大きく、そして扱いにくい装置であっ
た。従来のＣＲＴは壊れやすい装置である。その理由の
一部分は、真空部分の容積が大きいことであり、もし壊
れたならば大きな危険が生ずる。さらに、これらの装置
は大量の電力を消費する。
的に大幅な奥行きを必要とするという欠点を有してい
る。すなわち、実際の表示表面の背後に大幅な空間を必
要とするというのが欠点である。このために、従来のＣ
ＲＴはその容積が大きく、そして扱いにくい装置であっ
た。従来のＣＲＴは壊れやすい装置である。その理由の
一部分は、真空部分の容積が大きいことであり、もし壊
れたならば大きな危険が生ずる。さらに、これらの装置
は大量の電力を消費する。
【０００４】携帯用コンピュータが出現して、軽量でか
つ小型でありそして電力消費の少ない表示装置が強く要
請されるようになった。これらの装置の表示機能に使え
る容積が小さいために従来のＣＲＴを使うことはできな
い。そのために、例えば、明るさ、分解能、表示の多用
途性、電力消費、などの表示特性が同等であるかまたは
さらに優れてさえいる、いわゆる満足できる「平板パネ
ル表示装置」または「準平板パネル表示装置」を得るこ
とに、大きな努力が払われてきた。これらの努力は、応
用によっては役に立つ平板パネル表示装置ができている
が、従来のＣＲＴに匹敵する表示装置はまだ得られてい
ない。
つ小型でありそして電力消費の少ない表示装置が強く要
請されるようになった。これらの装置の表示機能に使え
る容積が小さいために従来のＣＲＴを使うことはできな
い。そのために、例えば、明るさ、分解能、表示の多用
途性、電力消費、などの表示特性が同等であるかまたは
さらに優れてさえいる、いわゆる満足できる「平板パネ
ル表示装置」または「準平板パネル表示装置」を得るこ
とに、大きな努力が払われてきた。これらの努力は、応
用によっては役に立つ平板パネル表示装置ができている
が、従来のＣＲＴに匹敵する表示装置はまだ得られてい
ない。
【０００５】最近、ラップトップ・コンピュータやノー
トブック・コンピュータに対して、液晶表示装置が広く
用いられている。ＣＲＴに比べて、これらの表示装置の
コントラストの品質は悪く、表示を見る角度も限定され
ており、カラーの種類も限定されている。そして電力の
消費も大きく、電池で長時間動作させることができな
い。さらに、カラー液晶表示装置スクリーンは、ＣＲＴ
の同等なスクリーン寸法のものよりも、コストが遥かに
高い傾向がある。
トブック・コンピュータに対して、液晶表示装置が広く
用いられている。ＣＲＴに比べて、これらの表示装置の
コントラストの品質は悪く、表示を見る角度も限定され
ており、カラーの種類も限定されている。そして電力の
消費も大きく、電池で長時間動作させることができな
い。さらに、カラー液晶表示装置スクリーンは、ＣＲＴ
の同等なスクリーン寸法のものよりも、コストが遥かに
高い傾向がある。
【０００６】液晶表示装置技術にはこれらの欠点がある
ので、電界放射表示装置技術は産業界からますます注目
されてきている。このような技術を用いた平板パネル表
示装置は、蛍光発光スクリーンを備えた陽極と組み合わ
せて、点状でかつ薄膜であり、そして常温で動作する、
電界放射陰極のアドレス指定可能なアレイのマトリック
スを用いる。電界放射の現象は１９５０年代に発見さ
れ、そしてＳＲＩインターナショナルのチャールス
Ａ．スピンディット（Ｃｈａｒｌｅｓ Ａ．Ｓｐｉｎｄ
ｔ）のような多くの研究者による広範な研究により、廉
価でかつ消費電力が小さく、そして分解能が高くかつコ
ントラストが大きく、かつ完全カラーである平板表示装
置の製造に利用する際に大いに有望であるという程度
に、技術が進歩してきている。
ので、電界放射表示装置技術は産業界からますます注目
されてきている。このような技術を用いた平板パネル表
示装置は、蛍光発光スクリーンを備えた陽極と組み合わ
せて、点状でかつ薄膜であり、そして常温で動作する、
電界放射陰極のアドレス指定可能なアレイのマトリック
スを用いる。電界放射の現象は１９５０年代に発見さ
れ、そしてＳＲＩインターナショナルのチャールス
Ａ．スピンディット（Ｃｈａｒｌｅｓ Ａ．Ｓｐｉｎｄ
ｔ）のような多くの研究者による広範な研究により、廉
価でかつ消費電力が小さく、そして分解能が高くかつコ
ントラストが大きく、かつ完全カラーである平板表示装
置の製造に利用する際に大いに有望であるという程度
に、技術が進歩してきている。
【０００７】電界放射表示装置技術の進歩は、１９７３
年８月２８日発行の名称「電界放射陰極構造体とこのよ
うな構造体を利用した装置」のＣ．Ａ．スピンディット
ほかに付与された米国特許第３，７５５，７０４号と、
１９９０年７月１０日発行の名称「マイクロポイント放
射陰極を有する電子源および前記電子源を用いた電界放
射により励起される陰極ルミネセンスによる表示装置」
のミッチェル・ボレルに付与された米国特許第４，９４
０，９１６号と、１９９３年３月１６日発行の名称「マ
イクロチップ放射陰極を有する電子源」のロバート・メ
イヤに付与された米国特許第５，１９４，７８０号と、
１９９３年７月６日発行の名称「マイクロチップ３色蛍
光スクリーン」のジーン・フレデリック・クレックに付
与された米国特許第５，２２５，８２０号に開示されて
いる。これらの特許の内容は、本出願の中に参考として
取り込まれている。
年８月２８日発行の名称「電界放射陰極構造体とこのよ
うな構造体を利用した装置」のＣ．Ａ．スピンディット
ほかに付与された米国特許第３，７５５，７０４号と、
１９９０年７月１０日発行の名称「マイクロポイント放
射陰極を有する電子源および前記電子源を用いた電界放
射により励起される陰極ルミネセンスによる表示装置」
のミッチェル・ボレルに付与された米国特許第４，９４
０，９１６号と、１９９３年３月１６日発行の名称「マ
イクロチップ放射陰極を有する電子源」のロバート・メ
イヤに付与された米国特許第５，１９４，７８０号と、
１９９３年７月６日発行の名称「マイクロチップ３色蛍
光スクリーン」のジーン・フレデリック・クレックに付
与された米国特許第５，２２５，８２０号に開示されて
いる。これらの特許の内容は、本出願の中に参考として
取り込まれている。
【０００８】クレック（’８２０）名の特許は、その上
に導電体のマトリックスが配列されている第１基板を備
えた、３色電界放射平板パネル表示装置を開示してい
る。このマトリックスの中の１つの方向では、陰極を構
成する導電体の列がマイクロチップを保持する。このマ
トリックスの中の他の方向では、前記導電体の列は穴の
あいた導電体の行であって、グリッド電極を構成する。
これらの行導電体と列導電体は絶縁体層で分離される。
この絶縁体層は、マイクロチップが入ることができる開
口部を有する。行導電体と列導電体の交点のおのおの
は、１つの画素に対応する。
に導電体のマトリックスが配列されている第１基板を備
えた、３色電界放射平板パネル表示装置を開示してい
る。このマトリックスの中の１つの方向では、陰極を構
成する導電体の列がマイクロチップを保持する。このマ
トリックスの中の他の方向では、前記導電体の列は穴の
あいた導電体の行であって、グリッド電極を構成する。
これらの行導電体と列導電体は絶縁体層で分離される。
この絶縁体層は、マイクロチップが入ることができる開
口部を有する。行導電体と列導電体の交点のおのおの
は、１つの画素に対応する。
【０００９】この第１基板に対向する第２基板の上に、
この表示装置は規則正しい間隔で配列した平行な導電体
ストリップを有する。これらの導電体ストリップが陽極
を構成する。これらの導電体ストリップは、赤色光を発
光する第１蛍光材料体と、緑色光を発光する第２蛍光材
料体と、青色光を発光する第３蛍光材料体とにより、交
替して被覆される。同じ蛍光材料体で被覆された導電体
ストリップは、電気的に相互に接続される。
この表示装置は規則正しい間隔で配列した平行な導電体
ストリップを有する。これらの導電体ストリップが陽極
を構成する。これらの導電体ストリップは、赤色光を発
光する第１蛍光材料体と、緑色光を発光する第２蛍光材
料体と、青色光を発光する第３蛍光材料体とにより、交
替して被覆される。同じ蛍光材料体で被覆された導電体
ストリップは、電気的に相互に接続される。
【００１０】クレック名の特許は、３色電界放射平板パ
ネル表示装置のアドレス指定のための処理工程を開示し
ている。この処理工程は、相互接続された陽極ストリッ
プの組のおのおのを周期的に第１電位に逐次に引き上げ
ることから成る。この第１電位は、発光されるべき画
素、すなわち、選定された陽極ストリップのカラーに
「スイッチ・オン」されるべき画素、に対応する陰極導
電体のマイクロチップから放射される電子を吸引するの
に十分な電位である。選定されない陽極ストリップは、
マイクロチップにより放射される電子を跳ね返す電位に
設定される、すなわち、選定されてない陽極を被覆する
蛍光材料体の陰極ルミネセンス閾値エネルギ準位以下の
エネルギ準位を有するような電位に設定される。
ネル表示装置のアドレス指定のための処理工程を開示し
ている。この処理工程は、相互接続された陽極ストリッ
プの組のおのおのを周期的に第１電位に逐次に引き上げ
ることから成る。この第１電位は、発光されるべき画
素、すなわち、選定された陽極ストリップのカラーに
「スイッチ・オン」されるべき画素、に対応する陰極導
電体のマイクロチップから放射される電子を吸引するの
に十分な電位である。選定されない陽極ストリップは、
マイクロチップにより放射される電子を跳ね返す電位に
設定される、すなわち、選定されてない陽極を被覆する
蛍光材料体の陰極ルミネセンス閾値エネルギ準位以下の
エネルギ準位を有するような電位に設定される。
【００１１】現在の技術による電界放射表示装置の欠点
は２つある。第１の欠点は、表示装置スクリーンに蛍光
材料体として典型的に用いられる低電圧蛍光体の放射強
度が小さいことであり、そして第２の欠点は、この表示
装置のコントラスト比が小さいことである。コントラス
ト比が小さい理由の一部分は、表示装置の正面を通って
雰囲気光が入ってくることである。このために、入って
きた雰囲気光がエミッタ板の平坦な表面で反射され、そ
してサンドイッチされた陽極カラー表示装置の上の蛍光
ストリップ体の間で再放射されて、コントラスト比が小
さくなる。
は２つある。第１の欠点は、表示装置スクリーンに蛍光
材料体として典型的に用いられる低電圧蛍光体の放射強
度が小さいことであり、そして第２の欠点は、この表示
装置のコントラスト比が小さいことである。コントラス
ト比が小さい理由の一部分は、表示装置の正面を通って
雰囲気光が入ってくることである。このために、入って
きた雰囲気光がエミッタ板の平坦な表面で反射され、そ
してサンドイッチされた陽極カラー表示装置の上の蛍光
ストリップ体の間で再放射されて、コントラスト比が小
さくなる。
【００１２】蛍光体の放射強度が小さいことの原因はい
くつかある。その１つは、自由電子を陽極に向けて励起
するのに用いられる加速電圧が低いことである。現在、
この加速電圧は、蛍光ストリップ体の下にある透明なス
トリップ陽極導電体に加えることができる電位により制
限される。加速電圧が増大する時、導電体である陽極ス
トリップ体の間の漏洩電流もまた増大する。この漏洩電
流が過大になる時、最終的には、ブレークダウンが起こ
る。
くつかある。その１つは、自由電子を陽極に向けて励起
するのに用いられる加速電圧が低いことである。現在、
この加速電圧は、蛍光ストリップ体の下にある透明なス
トリップ陽極導電体に加えることができる電位により制
限される。加速電圧が増大する時、導電体である陽極ス
トリップ体の間の漏洩電流もまた増大する。この漏洩電
流が過大になる時、最終的には、ブレークダウンが起こ
る。
【００１３】前記の現状を考えれば、用いられる蛍光材
料体に対してさらに高い効率を得るために、コントラス
ト比が大きくそして加速電圧を大きくすることができる
電界放射平板パネル表示装置に対し、優れた特性の陽極
構造体が必要とされていることは明らかである。
料体に対してさらに高い効率を得るために、コントラス
ト比が大きくそして加速電圧を大きくすることができる
電界放射平板パネル表示装置に対し、優れた特性の陽極
構造体が必要とされていることは明らかである。
【００１４】
【問題点を解決するための手段】本発明の原理に従い、
電界放射表示装置に用いることができる陽極構造体が開
示される。この陽極構造体は事実上透明な基板を有す
る。この基板は、その上に間隔を有して配置されかつ電
気的に導電体である領域を有する。これらの導電体領域
の上には、蛍光材料体が配置される。この陽極構造体は
さらに、これらの導電体領域の間の隙間の基板の上に、
事実上不透明でかつ電気的に絶縁体である材料体を有す
る。
電界放射表示装置に用いることができる陽極構造体が開
示される。この陽極構造体は事実上透明な基板を有す
る。この基板は、その上に間隔を有して配置されかつ電
気的に導電体である領域を有する。これらの導電体領域
の上には、蛍光材料体が配置される。この陽極構造体は
さらに、これらの導電体領域の間の隙間の基板の上に、
事実上不透明でかつ電気的に絶縁体である材料体を有す
る。
【００１５】本発明の１つの好ましい実施例では、この
不透明材料体はその中に不純物を分散して含有するガラ
スであることができる。これらの不純物は、１種類また
は多種類の有機物染料であることができる。または、こ
れらの不純物は、１種類または多種類の遷移金属の酸化
物であることができる。
不透明材料体はその中に不純物を分散して含有するガラ
スであることができる。これらの不純物は、１種類また
は多種類の有機物染料であることができる。または、こ
れらの不純物は、１種類または多種類の遷移金属の酸化
物であることができる。
【００１６】さらに本発明の原理に従い、電界放射表示
装置に用いることができる陽極板を製造する方法が開示
される。この方法は、間隔を有して配置されかつ電気的
に導電体である領域をその表面上に有する事実上透明な
基板を備える段階と、この表面を事実上不透明な材料体
で被覆する段階と、これらの導電体領域の上の面積領域
からこれらの不透明材料体を除去する段階と、これらの
導電体領域の上に蛍光材料体を付ける段階とを有する。
装置に用いることができる陽極板を製造する方法が開示
される。この方法は、間隔を有して配置されかつ電気的
に導電体である領域をその表面上に有する事実上透明な
基板を備える段階と、この表面を事実上不透明な材料体
で被覆する段階と、これらの導電体領域の上の面積領域
からこれらの不透明材料体を除去する段階と、これらの
導電体領域の上に蛍光材料体を付ける段階とを有する。
【００１７】
【実施例】本発明の前記特徴は、添付図面を参照しての
下記説明によりさらによく理解することができる。
下記説明によりさらによく理解することができる。
【００１８】図１は、先行技術による電界放射平板パネ
ル表示装置の一部分の横断面を例示的に示した図であ
る。この実施例では、電界放射装置は、エミッタ板に対
向する陽極板を有する。この陽極板は、エレクトロルミ
ネセンス蛍光被覆体を備えている。この蛍光被覆体は、
その励起面と反対側の側面から見ることができる。
ル表示装置の一部分の横断面を例示的に示した図であ
る。この実施例では、電界放射装置は、エミッタ板に対
向する陽極板を有する。この陽極板は、エレクトロルミ
ネセンス蛍光被覆体を備えている。この蛍光被覆体は、
その励起面と反対側の側面から見ることができる。
【００１９】さらに詳細にいえば、図１に例示的に示さ
れた電界放射装置は、カソードルミネセンス陽極板１０
と、電子エミッタ板（すなわち、陰極板）１２とを有す
る。エミッタ板１２の陰極部分は、絶縁体基板１８の上
に作成された導電体１３と、基板１８の上にまた作成さ
れおよび導電体１３の上に配置された抵抗体層１６と、
抵抗体層１６の上に作成された導電性の多数個のマイク
ロチップ１４とを有する。この実施例では、導電体１３
はメッシュ構造を有し、そしてマイクロチップ・エミッ
タ１４は、このメッシュ間隔の中にマトリックスとして
構成される。
れた電界放射装置は、カソードルミネセンス陽極板１０
と、電子エミッタ板（すなわち、陰極板）１２とを有す
る。エミッタ板１２の陰極部分は、絶縁体基板１８の上
に作成された導電体１３と、基板１８の上にまた作成さ
れおよび導電体１３の上に配置された抵抗体層１６と、
抵抗体層１６の上に作成された導電性の多数個のマイク
ロチップ１４とを有する。この実施例では、導電体１３
はメッシュ構造を有し、そしてマイクロチップ・エミッ
タ１４は、このメッシュ間隔の中にマトリックスとして
構成される。
【００２０】ゲート電極は、導電性材料の層２２で構成
される。層２２は絶縁体層２０の上に沈着され、そして
絶縁体層２０は抵抗体層１６の上に配置される。マイク
ロチップ・エミッタ１４は円錐の形状を有し、そしてこ
の円錐形状のマイクロチップ・エミッタ１４は、導電体
層２２と絶縁体層２０を貫通する開口部の中に作成され
る。ゲート電極層２２と絶縁体層２０との厚さは、マイ
クロチップ１４のおのおのの頂点が導電体ゲート電極層
２２と事実上同じ高さにあるように選定される。導電体
層２２は、基板１８の表面を横断する複数個の行の導電
体の帯として配列され、そしてメッシュ構造の導電体１
３が基板１８の表面を横断する複数個の列の導電体帯と
して配列される。このことにより、１つの画素に対応し
て行と列の交点の位置において、マイクロチップ１４を
選定することができる。
される。層２２は絶縁体層２０の上に沈着され、そして
絶縁体層２０は抵抗体層１６の上に配置される。マイク
ロチップ・エミッタ１４は円錐の形状を有し、そしてこ
の円錐形状のマイクロチップ・エミッタ１４は、導電体
層２２と絶縁体層２０を貫通する開口部の中に作成され
る。ゲート電極層２２と絶縁体層２０との厚さは、マイ
クロチップ１４のおのおのの頂点が導電体ゲート電極層
２２と事実上同じ高さにあるように選定される。導電体
層２２は、基板１８の表面を横断する複数個の行の導電
体の帯として配列され、そしてメッシュ構造の導電体１
３が基板１８の表面を横断する複数個の列の導電体帯と
して配列される。このことにより、１つの画素に対応し
て行と列の交点の位置において、マイクロチップ１４を
選定することができる。
【００２１】陽極板１０は、透明な平板支持体２６の上
に沈着された、透明でかつ導電性の材料２８の領域で構
成される。平板支持体２６は、ゲート電極２２に対向し
かつゲート電極２２に平行であるように配置される。導
電体材料層２８は、ゲート電極２２に直接に対置するよ
うに、支持体２６の表面上に沈着される。この実施例で
は、陽極電極を構成する導電体材料２８の領域は、クレ
ック名の特許（’８２０）に開示されているように、支
持体２６の表面を横断する２種類の平行な導電体の帯で
構成される、電気的に分離されたストリップの形状を有
する。（陽極板１０の各素子とエミッタ板１２の各素子
との相対的寸法および相対的配置は、図１に正しく示さ
れているわけではないことに注意されたい。）陽極板１
０はまた、導電体領域２８の上に沈着されたカソードル
ミネセンス蛍光被覆体２４を有する。カソードルミネセ
ンス蛍光被覆体２４は、ゲート電極２２に直接に対面し
かつゲート電極２２にすぐ隣接するように、配置され
る。
に沈着された、透明でかつ導電性の材料２８の領域で構
成される。平板支持体２６は、ゲート電極２２に対向し
かつゲート電極２２に平行であるように配置される。導
電体材料層２８は、ゲート電極２２に直接に対置するよ
うに、支持体２６の表面上に沈着される。この実施例で
は、陽極電極を構成する導電体材料２８の領域は、クレ
ック名の特許（’８２０）に開示されているように、支
持体２６の表面を横断する２種類の平行な導電体の帯で
構成される、電気的に分離されたストリップの形状を有
する。（陽極板１０の各素子とエミッタ板１２の各素子
との相対的寸法および相対的配置は、図１に正しく示さ
れているわけではないことに注意されたい。）陽極板１
０はまた、導電体領域２８の上に沈着されたカソードル
ミネセンス蛍光被覆体２４を有する。カソードルミネセ
ンス蛍光被覆体２４は、ゲート電極２２に直接に対面し
かつゲート電極２２にすぐ隣接するように、配置され
る。
【００２２】前記構造体の１個または複数個のマイクロ
チップ・エミッタ１４は、陰極として機能する導電体１
３に、電圧電源３０を通して、ゲート電極２２に対し負
の電位を加えることにより、付勢される。このことによ
り、マイクロチップ１４の先端から電子を引き出すため
の電界が発生する。引き出されて自由になったこれらの
電子は、陽極板１０に向って加速される。陽極として機
能する導電体２８と、ゲート電極２２と、の間に接続さ
れた電源３２から大幅に大きな正電圧を加えることによ
り、陽極板１０は正にバイアスされる。陽極導電体２８
に向かって加速された電子が得るエネルギは、蛍光体の
被覆体２４に転送され、その結果、蛍光が発生する。電
子の電荷は蛍光被覆体２４から導電体領域２８に送ら
れ、それにより、電源３２に戻る電気回路が完成する。
チップ・エミッタ１４は、陰極として機能する導電体１
３に、電圧電源３０を通して、ゲート電極２２に対し負
の電位を加えることにより、付勢される。このことによ
り、マイクロチップ１４の先端から電子を引き出すため
の電界が発生する。引き出されて自由になったこれらの
電子は、陽極板１０に向って加速される。陽極として機
能する導電体２８と、ゲート電極２２と、の間に接続さ
れた電源３２から大幅に大きな正電圧を加えることによ
り、陽極板１０は正にバイアスされる。陽極導電体２８
に向かって加速された電子が得るエネルギは、蛍光体の
被覆体２４に転送され、その結果、蛍光が発生する。電
子の電荷は蛍光被覆体２４から導電体領域２８に送ら
れ、それにより、電源３２に戻る電気回路が完成する。
【００２３】図２は、本発明による電界放射平板パネル
表示装置に用いられる陽極板５０の横断面図である。陽
極板５０は、絶縁体材料の層６０を備えた透明な平板基
板５８を有する。この絶縁体材料の典型的な例は、二酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）である。絶縁体層６０の上に、
複数個の導電体領域５２がパターンに作成される。導電
体領域５２は全体として、本発明の電界放射平板パネル
表示装置の陽極を構成する。蛍光材料体５４R 、５４G
および５４B が、導電体５２の上に配置される。蛍光材
料体５４R 、５４G および５４B の全体が、蛍光材料体
５４としてまとめて呼ばれる。最後に、導電体５２の間
の基板５８の上に、事実上不透明でかつ電気的に絶縁体
である材料体５６が取り付けられる。図に示されている
ように、不透明材料体５６が導電体５２の間の隙間を満
たし、それにより、雰囲気光が装置の中に入らないよう
にする障壁の役割を不透明材料体５６が果たし、そして
さらに、（図１の）エミッタ板１２の活性表面から反射
された雰囲気光が再び現れることが防止される。さら
に、不透明材料体５６が電気的に絶縁体であるために、
不透明材料体５６は導電体領域５２相互間の電気的分離
を増強する役割を果たし、それにより、漏洩電流が増大
することによるブレークダウンの危険を生ずることな
く、さらに高い陽極電位を用いることができる。
表示装置に用いられる陽極板５０の横断面図である。陽
極板５０は、絶縁体材料の層６０を備えた透明な平板基
板５８を有する。この絶縁体材料の典型的な例は、二酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）である。絶縁体層６０の上に、
複数個の導電体領域５２がパターンに作成される。導電
体領域５２は全体として、本発明の電界放射平板パネル
表示装置の陽極を構成する。蛍光材料体５４R 、５４G
および５４B が、導電体５２の上に配置される。蛍光材
料体５４R 、５４G および５４B の全体が、蛍光材料体
５４としてまとめて呼ばれる。最後に、導電体５２の間
の基板５８の上に、事実上不透明でかつ電気的に絶縁体
である材料体５６が取り付けられる。図に示されている
ように、不透明材料体５６が導電体５２の間の隙間を満
たし、それにより、雰囲気光が装置の中に入らないよう
にする障壁の役割を不透明材料体５６が果たし、そして
さらに、（図１の）エミッタ板１２の活性表面から反射
された雰囲気光が再び現れることが防止される。さら
に、不透明材料体５６が電気的に絶縁体であるために、
不透明材料体５６は導電体領域５２相互間の電気的分離
を増強する役割を果たし、それにより、漏洩電流が増大
することによるブレークダウンの危険を生ずることな
く、さらに高い陽極電位を用いることができる。
【００２４】この明細書において、「不透明」という用
語は、可視領域において、すなわち、約４００ナノメー
トル〜８００ナノメートルの間の電磁波スペクトル領域
において、光透過率が非常に小さいことを意味するとし
て用いられる。
語は、可視領域において、すなわち、約４００ナノメー
トル〜８００ナノメートルの間の電磁波スペクトル領域
において、光透過率が非常に小さいことを意味するとし
て用いられる。
【００２５】この実施例では、基板５８はガラスで構成
される。またこの実施例では、導電体領域５２は、図面
の面に垂直な方向に延長された複数個の平行なストリッ
プ導電体で構成される。ストリップ導電体５２として用
いるのに適切である材料は、酸化インジウム・スズ（Ｉ
ＴＯ）である。酸化インジウム・スズは、光学的には透
明体であり、そして電気的には導電体である。この実施
例では、蛍光材料体５４は、赤（５４R ）、緑（５
４G ）および青（５４B ）の３原色の中の１つの色を発
光する、粒状の蛍光材料被覆体で構成される。蛍光材料
被覆体をストリップ導電体５２に付着させるための１つ
の好ましい処理工程は、電気泳動沈着法である。
される。またこの実施例では、導電体領域５２は、図面
の面に垂直な方向に延長された複数個の平行なストリッ
プ導電体で構成される。ストリップ導電体５２として用
いるのに適切である材料は、酸化インジウム・スズ（Ｉ
ＴＯ）である。酸化インジウム・スズは、光学的には透
明体であり、そして電気的には導電体である。この実施
例では、蛍光材料体５４は、赤（５４R ）、緑（５
４G ）および青（５４B ）の３原色の中の１つの色を発
光する、粒状の蛍光材料被覆体で構成される。蛍光材料
被覆体をストリップ導電体５２に付着させるための１つ
の好ましい処理工程は、電気泳動沈着法である。
【００２６】ストリップ導電体５２の１つの例を示すな
らば、その幅は８０マイクロメートルであることがで
き、そして相互の間隔は３０マイクロメートルであるこ
とができる。導電体５２の厚さは約１５０ナノメートル
であることができ、そして蛍光材料被覆体５４の厚さは
約１５マイクロメートルであることができる。
らば、その幅は８０マイクロメートルであることがで
き、そして相互の間隔は３０マイクロメートルであるこ
とができる。導電体５２の厚さは約１５０ナノメートル
であることができ、そして蛍光材料被覆体５４の厚さは
約１５マイクロメートルであることができる。
【００２７】本発明により、事実上不透明で、かつ電気
的に絶縁体である材料体５６は、不純物がその中に分散
されたガラスで構成されることが好ましい。これらの不
純物は、１種類または多種類の有機物染料であることが
でき、そしてこれらの染料の組み合わせは、電磁波スペ
クトルの可視領域にわたって比較的均一な不透明度が得
られるように選定される。または、これらの不純物は遷
移金属の酸化物であることができる。この遷移金属は、
黒色の酸化物を形成するような遷移金属の中から選定さ
れる。後者の場合には、材料体５６が電気的に高度に絶
縁体である性質を保持するように、金属酸化物の粒子が
ガラスの中に十分に分散していなければならない。材料
体５６の平均の厚さの１つの例を示すならば、５００ナ
ノメートル〜１０００ナノメートルの程度である。
的に絶縁体である材料体５６は、不純物がその中に分散
されたガラスで構成されることが好ましい。これらの不
純物は、１種類または多種類の有機物染料であることが
でき、そしてこれらの染料の組み合わせは、電磁波スペ
クトルの可視領域にわたって比較的均一な不透明度が得
られるように選定される。または、これらの不純物は遷
移金属の酸化物であることができる。この遷移金属は、
黒色の酸化物を形成するような遷移金属の中から選定さ
れる。後者の場合には、材料体５６が電気的に高度に絶
縁体である性質を保持するように、金属酸化物の粒子が
ガラスの中に十分に分散していなければならない。材料
体５６の平均の厚さの１つの例を示すならば、５００ナ
ノメートル〜１０００ナノメートルの程度である。
【００２８】不透明でかつ電気的に絶縁体である材料体
５６は、テトラエチルオルソケイ酸塩（ＴＥＯＳ）の溶
液から作成されることが好ましい。ＴＥＯＳは、例え
ば、ニュー・ジャジー州モリスタウンのアライド・シグ
ナル・コーポレーションから市販されている。エチル・
アルコール、アセトン、Ｎブチル・アルコールおよび水
で構成することができる溶媒を有するＴＥＯＳの溶液
は、通常、スピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）と呼ばれ
る。ＴＥＯＳと溶媒は、スピン・オン・ガラス溶液に要
求される粘性に応じた比率で組み合わせられる。ＴＥＯ
Ｓにより、それが比較的低い温度で硬化するという利点
が得られ、そして完全に硬化した時、溶媒の全部と有機
物材料の大部分が排除されて、後にガラス（ＳｉＯ2 ）
が残るという利点が得られる。ＴＥＯＳ溶液は、例え
ば、液晶表示装置の製造業者によく知られている技術を
用いて、陽極板５０の表面上に張ることができる、また
は表面上に広げることができる
５６は、テトラエチルオルソケイ酸塩（ＴＥＯＳ）の溶
液から作成されることが好ましい。ＴＥＯＳは、例え
ば、ニュー・ジャジー州モリスタウンのアライド・シグ
ナル・コーポレーションから市販されている。エチル・
アルコール、アセトン、Ｎブチル・アルコールおよび水
で構成することができる溶媒を有するＴＥＯＳの溶液
は、通常、スピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）と呼ばれ
る。ＴＥＯＳと溶媒は、スピン・オン・ガラス溶液に要
求される粘性に応じた比率で組み合わせられる。ＴＥＯ
Ｓにより、それが比較的低い温度で硬化するという利点
が得られ、そして完全に硬化した時、溶媒の全部と有機
物材料の大部分が排除されて、後にガラス（ＳｉＯ2 ）
が残るという利点が得られる。ＴＥＯＳ溶液は、例え
ば、液晶表示装置の製造業者によく知られている技術を
用いて、陽極板５０の表面上に張ることができる、また
は表面上に広げることができる
【００２９】材料体５６を不透明にする不純物は、大き
く２つの種類に分けることが出来る。すなわち、有機物
染料と金属酸化物である。有機物染料は、ＴＥＯＳ溶液
の絶縁性と不透明性とを損なうことなく、ＴＥＯＳ溶液
の中の全体に容易にかつ均一に分散するという利点を有
するが、しかしＴＥＯＳ溶液が受けることが出来る温度
範囲が限定され、典型的には、２００℃以下の温度範囲
の限定される。
く２つの種類に分けることが出来る。すなわち、有機物
染料と金属酸化物である。有機物染料は、ＴＥＯＳ溶液
の絶縁性と不透明性とを損なうことなく、ＴＥＯＳ溶液
の中の全体に容易にかつ均一に分散するという利点を有
するが、しかしＴＥＯＳ溶液が受けることが出来る温度
範囲が限定され、典型的には、２００℃以下の温度範囲
の限定される。
【００３０】下記の実施例は、有機物染料を含む材料体
５６の作成の１つの例を示したものである。サダン・ブ
ラックのような１種類の染料、または染料の混合体が、
ＴＥＯＳと溶媒の溶液の１ｍｌ当たり、１３ｍｇの染料
という典型的な濃度で加えられる。図３に示された光透
過率と波長との関係を示した曲線７０は、前記の混合体
の厚さが２０００ナノメートルである膜の特性を示して
いる。
５６の作成の１つの例を示したものである。サダン・ブ
ラックのような１種類の染料、または染料の混合体が、
ＴＥＯＳと溶媒の溶液の１ｍｌ当たり、１３ｍｇの染料
という典型的な濃度で加えられる。図３に示された光透
過率と波長との関係を示した曲線７０は、前記の混合体
の厚さが２０００ナノメートルである膜の特性を示して
いる。
【００３１】材料体５６を不透明にする第２種類の不純
物は、金属酸化物である。ＴＥＯＳ溶液の中に溶解可能
である遷移金属の化合物により、ＴＥＯＳ硬化処理の期
間中に暗色の酸化物を形成する金属イオン源を提供す
る。この暗色の酸化物は、黒色の酸化物であることがさ
らに好ましい。このような化合物は、しかしこれらに限
定されるわけではないが、遷移金属の窒化物、硫化物、
水酸化物、酢酸塩およびその他の金属有機化合物を含む
ことができる。黒色の酸化物を形成する遷移金属は、し
かしこれらに限定されるわけではないが、コバルトおよ
び銅を含むことができる。大部分の場合、硬化サイクル
の期間中、遷移金属イオンは金属酸化物に変換される。
物は、金属酸化物である。ＴＥＯＳ溶液の中に溶解可能
である遷移金属の化合物により、ＴＥＯＳ硬化処理の期
間中に暗色の酸化物を形成する金属イオン源を提供す
る。この暗色の酸化物は、黒色の酸化物であることがさ
らに好ましい。このような化合物は、しかしこれらに限
定されるわけではないが、遷移金属の窒化物、硫化物、
水酸化物、酢酸塩およびその他の金属有機化合物を含む
ことができる。黒色の酸化物を形成する遷移金属は、し
かしこれらに限定されるわけではないが、コバルトおよ
び銅を含むことができる。大部分の場合、硬化サイクル
の期間中、遷移金属イオンは金属酸化物に変換される。
【００３２】下記の実施例は、遷移金属の化合物を含む
材料体５６の作成を示す。窒化コバルト（Ｃｏ（Ｎ
Ｏ3 ）2 ）が、アルコールおよびアセトンで構成される
溶媒とＴＥＯＳとの溶液に、３７５ｍｇ／ｍｌの分量で
加えられる。混合体の均一性をよくするために、この組
合せ体はまた、ＴＥＯＳの１ｍｌ当たり０．５ｍｌの1-
ブタノールを含む。図３の光透過率と波長との関係を示
す曲線７２は、前記混合体の厚さが３０００ナノメート
ルである膜の特性を示す。有機物染料の場合と同じよう
に、可視領域の一部分にわたって不透明である種々の金
属イオン溶液を複数個組合わせることにより、４００ナ
ノメートル〜８００ナノメートルの全範囲にわたって光
透過率を最小にすることができる。
材料体５６の作成を示す。窒化コバルト（Ｃｏ（Ｎ
Ｏ3 ）2 ）が、アルコールおよびアセトンで構成される
溶媒とＴＥＯＳとの溶液に、３７５ｍｇ／ｍｌの分量で
加えられる。混合体の均一性をよくするために、この組
合せ体はまた、ＴＥＯＳの１ｍｌ当たり０．５ｍｌの1-
ブタノールを含む。図３の光透過率と波長との関係を示
す曲線７２は、前記混合体の厚さが３０００ナノメート
ルである膜の特性を示す。有機物染料の場合と同じよう
に、可視領域の一部分にわたって不透明である種々の金
属イオン溶液を複数個組合わせることにより、４００ナ
ノメートル〜８００ナノメートルの全範囲にわたって光
透過率を最小にすることができる。
【００３３】本発明の原理を取り込んだ第１実施例に従
い、電界効果平板パネル表示装置に用いられる陽極板を
製造する１つの方法は、図４Ａ〜図４Ｈに関連して説明
される下記の段階を有する。図４Ａに示されているよう
に、ガラス基板８０が絶縁体層８２で被覆される。絶縁
体層８２は、典型的には、ＳｉＯ2 である。絶縁体層８
２の被覆は、約５０ｎｍの厚さにまでスパッタ沈着で行
うことができる。層８２の上に、透明でかつ電気的に導
電性を有する材料の層８４が、例えばスパッタリングに
より、約１５０ｎｍの厚さに沈着される。層８４の材料
は、典型的には、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）であ
る。層８４の上が、フォトレジストの層８６で約１００
０ｎｍの厚さに被覆される。このフォトレジストは、例
えば、ニュー・ジャジー州サマビルのホーシュト・セラ
ニーズ（Ｈｏｅｓｃｈｔ−Ｃｅｌａｎｅｓｅ）から市販
されているタイプＡＺ−１３５０Ｊであることができ
る。
い、電界効果平板パネル表示装置に用いられる陽極板を
製造する１つの方法は、図４Ａ〜図４Ｈに関連して説明
される下記の段階を有する。図４Ａに示されているよう
に、ガラス基板８０が絶縁体層８２で被覆される。絶縁
体層８２は、典型的には、ＳｉＯ2 である。絶縁体層８
２の被覆は、約５０ｎｍの厚さにまでスパッタ沈着で行
うことができる。層８２の上に、透明でかつ電気的に導
電性を有する材料の層８４が、例えばスパッタリングに
より、約１５０ｎｍの厚さに沈着される。層８４の材料
は、典型的には、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）であ
る。層８４の上が、フォトレジストの層８６で約１００
０ｎｍの厚さに被覆される。このフォトレジストは、例
えば、ニュー・ジャジー州サマビルのホーシュト・セラ
ニーズ（Ｈｏｅｓｃｈｔ−Ｃｅｌａｎｅｓｅ）から市販
されているタイプＡＺ−１３５０Ｊであることができ
る。
【００３４】パターンに作成されたマスク（図示されて
いない）が層８６の上に沈着され、フォトレジストの一
定の領域が露出される。この例示されたポジティブ・フ
ォトレジストの場合、これらの露出された領域が現像段
階の期間中に除去される。この現像段階は、ホーシュト
・セラニーズＡＺ現像剤の中に、この組立体を浸すこと
により行うことができる。この現像剤は不必要なフォト
レジストを除去し、そして図４Ｂに示されたようにパタ
ーンに作成されたフォトレジスト層８６が後に残る。そ
の後、例えば６Ｍの塩化水素酸（ＨＣｌ）と０．３Ｍの
塩化第２鉄（ＦｅＣｌ3 ）の溶液をエッチング剤として
用いた、典型的には湿式エッチング処理工程により、Ｉ
ＴＯ層８４の露出された領域が除去され、そして図４Ｃ
に示されたような構造体が後に残る。この処理工程の一
部分として示されてはいないが、ＩＴＯ層８４のエッチ
ングにより除去された領域の下にあるＳｉＯ2 層８２
を、また除去することが要求されることがある。この実
施例では、これらのパターンに作成する工程と、現像す
る工程と、エッチングする工程とにより、陽極板の表面
を横断する事実上平行なストリップ体を形成するＩＴＯ
層８４の領域が残る。残っているフォトレジスト層８６
は、アセトンをエッチング剤として用いた湿式エッチン
グ工程により除去することができる。または、乾式の酸
素プラズマ・アッシュ・オフ工程を用いて、層８６を除
去することができる。図４Ｄは、製造工程の現在の段階
におけるパターンに作成されたＩＴＯ領域８４を有する
陽極構造体を示す。
いない）が層８６の上に沈着され、フォトレジストの一
定の領域が露出される。この例示されたポジティブ・フ
ォトレジストの場合、これらの露出された領域が現像段
階の期間中に除去される。この現像段階は、ホーシュト
・セラニーズＡＺ現像剤の中に、この組立体を浸すこと
により行うことができる。この現像剤は不必要なフォト
レジストを除去し、そして図４Ｂに示されたようにパタ
ーンに作成されたフォトレジスト層８６が後に残る。そ
の後、例えば６Ｍの塩化水素酸（ＨＣｌ）と０．３Ｍの
塩化第２鉄（ＦｅＣｌ3 ）の溶液をエッチング剤として
用いた、典型的には湿式エッチング処理工程により、Ｉ
ＴＯ層８４の露出された領域が除去され、そして図４Ｃ
に示されたような構造体が後に残る。この処理工程の一
部分として示されてはいないが、ＩＴＯ層８４のエッチ
ングにより除去された領域の下にあるＳｉＯ2 層８２
を、また除去することが要求されることがある。この実
施例では、これらのパターンに作成する工程と、現像す
る工程と、エッチングする工程とにより、陽極板の表面
を横断する事実上平行なストリップ体を形成するＩＴＯ
層８４の領域が残る。残っているフォトレジスト層８６
は、アセトンをエッチング剤として用いた湿式エッチン
グ工程により除去することができる。または、乾式の酸
素プラズマ・アッシュ・オフ工程を用いて、層８６を除
去することができる。図４Ｄは、製造工程の現在の段階
におけるパターンに作成されたＩＴＯ領域８４を有する
陽極構造体を示す。
【００３５】層８２の露出した部分と層８４のストリッ
プ領域の上に、不透明性を与えそして前記で説明した種
類であることができる不純物を有するスピン・オン・ガ
ラス（ＳＯＧ）の被覆体８８が付けられる。絶縁体層８
２の表面の上のその平均の厚さは、典型的には約１００
０ｎｍである。この付ける方法は、基板８０が回転して
いる間にこの組立体の上にＳＯＧ混合体を分配する段階
と、それによりＳＯＧ被覆体８８を表面の上に比較的均
一に分散する段階と、ＳＯＧ溶媒の乾燥を加速する段階
とで構成することができる。または、表面の上にＳＯＧ
混合体を均一に広げることができる。その後、ＳＯＧが
１００℃で約１５分間事前硬化され、そして次に、溶媒
と有機物の事実上全部が追い出されるまで、典型的には
３００℃の温度で約４時間、それを加熱することにより
完全に硬化される。図４Ｅに示されているように、フォ
トレジストの第２被覆体９０が、硬化されたＳＯＧの上
に、典型的には１０００ｎｍの厚さに沈着される。フォ
トレジストの第２被覆体９０は、層８６に対して用いら
れたのと同じ種類のフォトレジストであることができ
る。
プ領域の上に、不透明性を与えそして前記で説明した種
類であることができる不純物を有するスピン・オン・ガ
ラス（ＳＯＧ）の被覆体８８が付けられる。絶縁体層８
２の表面の上のその平均の厚さは、典型的には約１００
０ｎｍである。この付ける方法は、基板８０が回転して
いる間にこの組立体の上にＳＯＧ混合体を分配する段階
と、それによりＳＯＧ被覆体８８を表面の上に比較的均
一に分散する段階と、ＳＯＧ溶媒の乾燥を加速する段階
とで構成することができる。または、表面の上にＳＯＧ
混合体を均一に広げることができる。その後、ＳＯＧが
１００℃で約１５分間事前硬化され、そして次に、溶媒
と有機物の事実上全部が追い出されるまで、典型的には
３００℃の温度で約４時間、それを加熱することにより
完全に硬化される。図４Ｅに示されているように、フォ
トレジストの第２被覆体９０が、硬化されたＳＯＧの上
に、典型的には１０００ｎｍの厚さに沈着される。フォ
トレジストの第２被覆体９０は、層８６に対して用いら
れたのと同じ種類のフォトレジストであることができ
る。
【００３６】この例示された実施例のポジティブ・フォ
トレジストの場合、現像段階の期間中に除去されるべき
であるフォトレジストの領域の層９０の上に、パターン
に作成された第２マスク（図示されていない）が配置さ
れる。詳細にいえば、これらの領域は、層８４のストリ
ップの間の隙間の直ぐ上にある。フォトレジストがＡＺ
現像剤を用いて現像される。そして図４Ｆに示されてい
るように、パターンに作成されたフォトレジスト層９０
が後に残る。その後、ＳＯＧ層８８の露出された領域
が、例示として示されるエッチング剤として、フッ化ア
ンモニウム（ＮＨ 4 Ｆ）で緩衝されたフッ化水素酸（Ｈ
Ｆ）を用いた、典型的には湿式エッチング処理工程によ
り、除去される。そして後に残る構造体が、図４Ｇに示
された構造体である。または、酸化物（プラズマ）エッ
チング処理工程を用いて、ＳＯＧ層８８の露出された領
域を除去することができる。
トレジストの場合、現像段階の期間中に除去されるべき
であるフォトレジストの領域の層９０の上に、パターン
に作成された第２マスク（図示されていない）が配置さ
れる。詳細にいえば、これらの領域は、層８４のストリ
ップの間の隙間の直ぐ上にある。フォトレジストがＡＺ
現像剤を用いて現像される。そして図４Ｆに示されてい
るように、パターンに作成されたフォトレジスト層９０
が後に残る。その後、ＳＯＧ層８８の露出された領域
が、例示として示されるエッチング剤として、フッ化ア
ンモニウム（ＮＨ 4 Ｆ）で緩衝されたフッ化水素酸（Ｈ
Ｆ）を用いた、典型的には湿式エッチング処理工程によ
り、除去される。そして後に残る構造体が、図４Ｇに示
された構造体である。または、酸化物（プラズマ）エッ
チング処理工程を用いて、ＳＯＧ層８８の露出された領
域を除去することができる。
【００３７】残っているフォトレジスト層９０は、アセ
トンをエッチング剤として用いた湿式エッチング処理工
程により除去することができる。または、酸素プラズマ
・エッチング処理工程を用いて、層９０を除去すること
ができる。図４Ｈは、製造工程のこの段階において、パ
ターンに作成されたＩＴＯストリップ体８４の間にガラ
ス絶縁体領域８８を有する陽極構造体の図面である。こ
の陽極構造体の製造工程の最終段階は、（図２の）カソ
ードルミネセンス蛍光被覆体５４を提供することであ
る。このカソードルミネセンス蛍光被覆体５４は、典型
的には電気泳動沈着により、ＩＴＯ導電体領域８４の上
に沈着される。
トンをエッチング剤として用いた湿式エッチング処理工
程により除去することができる。または、酸素プラズマ
・エッチング処理工程を用いて、層９０を除去すること
ができる。図４Ｈは、製造工程のこの段階において、パ
ターンに作成されたＩＴＯストリップ体８４の間にガラ
ス絶縁体領域８８を有する陽極構造体の図面である。こ
の陽極構造体の製造工程の最終段階は、（図２の）カソ
ードルミネセンス蛍光被覆体５４を提供することであ
る。このカソードルミネセンス蛍光被覆体５４は、典型
的には電気泳動沈着により、ＩＴＯ導電体領域８４の上
に沈着される。
【００３８】本発明の原理を取り込んだ第２実施例に従
い、電界放射平板パネル表示装置に用いられる陽極板を
製造する１つの方法は、図５Ａ〜図５Ｅで説明される下
記の段階を有する。図５Ａに示されているように、ガラ
ス基板１００が絶縁体層１０２で被覆される。絶縁体層
１０２は、典型的にはＳｉＯ2 であることができ、そし
てスパッタ沈着法により約５０ｎｍの厚さに沈着するこ
とができる。層１０２の上に、透明でかつ電気的に導電
性である材料の層１０４が、例えばスパッタリングによ
り約１５０ｎｍの厚さに沈着される。層１０４の材料
は、典型的には酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）である
ことができる。層１０４の上が、フォトレジストの層１
０６が約１０００ｎｍの厚さで被覆される。このフォト
レジストは、ニュー・ジャージ州ウエスト・パターソン
のＯＧＣマイクロエレクトロニック・マテリアル・イン
コーポレーションから市販されているタイプＳＣ−１０
０のネガティブ・フォトレジストであることができる。
い、電界放射平板パネル表示装置に用いられる陽極板を
製造する１つの方法は、図５Ａ〜図５Ｅで説明される下
記の段階を有する。図５Ａに示されているように、ガラ
ス基板１００が絶縁体層１０２で被覆される。絶縁体層
１０２は、典型的にはＳｉＯ2 であることができ、そし
てスパッタ沈着法により約５０ｎｍの厚さに沈着するこ
とができる。層１０２の上に、透明でかつ電気的に導電
性である材料の層１０４が、例えばスパッタリングによ
り約１５０ｎｍの厚さに沈着される。層１０４の材料
は、典型的には酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）である
ことができる。層１０４の上が、フォトレジストの層１
０６が約１０００ｎｍの厚さで被覆される。このフォト
レジストは、ニュー・ジャージ州ウエスト・パターソン
のＯＧＣマイクロエレクトロニック・マテリアル・イン
コーポレーションから市販されているタイプＳＣ−１０
０のネガティブ・フォトレジストであることができる。
【００３９】層１０６の上にパターンに作成されたマス
ク（図示されていない）が配置され、それによりフォト
レジストの一定の領域が露出される。この例示されたネ
ガティブ・フォトレジストの場合には、現像段階の後に
フォトレジストの一定の領域が残るようにされる。この
段階は、この組立体にまずストダード（Ｓｔｏｄｄａｒ
ｄ）・エッチング剤を噴霧し、その後ブチル・アルコー
ルの噴霧を行うことで構成することができる。フォトレ
ジストの露出されない領域が現像段階の期間中に除去さ
れ、その後に、図５Ｂに示されているようなフォトレジ
スト層１０６が残る。その後、ＩＴＯ層１０４の露出さ
れた領域が、典型的には湿式エッチング処理工程により
除去される。この湿式エッチング処理工程では、例え
ば、６Ｍの塩化水素酸（ＨＣｌ）と０．３Ｍの塩化第２
鉄（ＦｅＣｌ3 ）との溶液がエッチング剤として用いら
れる。この除去段階の後、図５Ｃに示されたような構造
体が残る。この実施例では、これらのパターンに作成す
る工程と、現像する工程と、エッチングする工程とによ
り、陽極板の表面を横断する事実上平行なストリップ体
を形成するＩＴＯ層１０４が得られる。この第２実施例
では、残っているフォトレジスト層１０６が保持され
る。そして、前記で説明した種類であることができる不
透明性を与える不純物を含有するスピン・オン・ガラス
（ＳＯＧ）の被覆体１０８が、フォトレジスト層１０６
と絶縁体層１０２の露出した部分の上に付けられる。こ
の被覆体１０８を付ける段階は、典型的には、絶縁体層
１０２の上の平均の厚さが約１０００ｎｍになるように
行われる。被覆体１０８を付ける方法は、基板１００が
回転している間にこの組立体の上にＳＯＧ混合体を分配
する段階と、それによりＳＯＧ被覆体１０８を表面の上
に比較的均一に分散させる段階と、ＳＯＧ溶媒の乾燥を
加速する段階とで構成することができる。または、この
ＳＯＧ混合体を表面の上に均一に広げることができる。
図５Ｄは、製造のこの段階におけるパターンに作成され
たＩＴＯ領域１０４と、パターンに作成されたフォトレ
ジスト領域１０６と、ＳＯＧの被覆体１０８とを有す
る、陽極構造体の図である。その後、溶媒の大部分を除
去するために、この組立体は１００℃で約１５分間加熱
される。
ク（図示されていない）が配置され、それによりフォト
レジストの一定の領域が露出される。この例示されたネ
ガティブ・フォトレジストの場合には、現像段階の後に
フォトレジストの一定の領域が残るようにされる。この
段階は、この組立体にまずストダード（Ｓｔｏｄｄａｒ
ｄ）・エッチング剤を噴霧し、その後ブチル・アルコー
ルの噴霧を行うことで構成することができる。フォトレ
ジストの露出されない領域が現像段階の期間中に除去さ
れ、その後に、図５Ｂに示されているようなフォトレジ
スト層１０６が残る。その後、ＩＴＯ層１０４の露出さ
れた領域が、典型的には湿式エッチング処理工程により
除去される。この湿式エッチング処理工程では、例え
ば、６Ｍの塩化水素酸（ＨＣｌ）と０．３Ｍの塩化第２
鉄（ＦｅＣｌ3 ）との溶液がエッチング剤として用いら
れる。この除去段階の後、図５Ｃに示されたような構造
体が残る。この実施例では、これらのパターンに作成す
る工程と、現像する工程と、エッチングする工程とによ
り、陽極板の表面を横断する事実上平行なストリップ体
を形成するＩＴＯ層１０４が得られる。この第２実施例
では、残っているフォトレジスト層１０６が保持され
る。そして、前記で説明した種類であることができる不
透明性を与える不純物を含有するスピン・オン・ガラス
（ＳＯＧ）の被覆体１０８が、フォトレジスト層１０６
と絶縁体層１０２の露出した部分の上に付けられる。こ
の被覆体１０８を付ける段階は、典型的には、絶縁体層
１０２の上の平均の厚さが約１０００ｎｍになるように
行われる。被覆体１０８を付ける方法は、基板１００が
回転している間にこの組立体の上にＳＯＧ混合体を分配
する段階と、それによりＳＯＧ被覆体１０８を表面の上
に比較的均一に分散させる段階と、ＳＯＧ溶媒の乾燥を
加速する段階とで構成することができる。または、この
ＳＯＧ混合体を表面の上に均一に広げることができる。
図５Ｄは、製造のこの段階におけるパターンに作成され
たＩＴＯ領域１０４と、パターンに作成されたフォトレ
ジスト領域１０６と、ＳＯＧの被覆体１０８とを有す
る、陽極構造体の図である。その後、溶媒の大部分を除
去するために、この組立体は１００℃で約１５分間加熱
される。
【００４０】次に、フォトレジスト層１０６が除去さ
れ、それと一緒に、上にあるＳＯＧ層１０８部分が取り
去られ、その結果、図５Ｅに示された構造体が得られ
る。この除去工程は、半導体製造工程では普通の工程で
ある。この実施例のネガティブ・フォトレジスト層１０
６とその上にあるＳＯＧ層とを除去するために、熱いキ
シレンと、過塩化エチレン、テトラクロロエチレン、オ
ルソ・ジクロロベンゼン、フェノール、アルキラール・
スルホン酸を含む溶媒とを、順次にこの組立体の上に噴
霧することができる。その後、溶媒と有機物の事実上全
部が除去されるまで加熱されることにより、典型的には
３００℃の温度で約４時間加熱されることにより、残っ
ているＳＯＧが完全に硬化される。この陽極構造体の製
造工程の最後の段階は、（図２の）カソードルミネセン
ス蛍光被覆体５４を提供することである。このカソード
ルミネセンス蛍光被覆体５４は、典型的には電気泳動沈
着により、導電性ＩＴＯ領域１０４の上に沈着される。
これは、ＩＴＯストリップ体１０４をエッチングするた
めと、およびストリップ体１０４の間の隙間にＳＯＧ絶
縁体１０８を作成するためとに、ただ１つのマスク段階
を必要とするので、この工程は自己整合であることが分
かるであろう。
れ、それと一緒に、上にあるＳＯＧ層１０８部分が取り
去られ、その結果、図５Ｅに示された構造体が得られ
る。この除去工程は、半導体製造工程では普通の工程で
ある。この実施例のネガティブ・フォトレジスト層１０
６とその上にあるＳＯＧ層とを除去するために、熱いキ
シレンと、過塩化エチレン、テトラクロロエチレン、オ
ルソ・ジクロロベンゼン、フェノール、アルキラール・
スルホン酸を含む溶媒とを、順次にこの組立体の上に噴
霧することができる。その後、溶媒と有機物の事実上全
部が除去されるまで加熱されることにより、典型的には
３００℃の温度で約４時間加熱されることにより、残っ
ているＳＯＧが完全に硬化される。この陽極構造体の製
造工程の最後の段階は、（図２の）カソードルミネセン
ス蛍光被覆体５４を提供することである。このカソード
ルミネセンス蛍光被覆体５４は、典型的には電気泳動沈
着により、導電性ＩＴＯ領域１０４の上に沈着される。
これは、ＩＴＯストリップ体１０４をエッチングするた
めと、およびストリップ体１０４の間の隙間にＳＯＧ絶
縁体１０８を作成するためとに、ただ１つのマスク段階
を必要とするので、この工程は自己整合であることが分
かるであろう。
【００４１】当業者にはすぐに分かるように、前記工程
を種々に変更した工程を考案することは、本発明の範囲
内において可能である。このような変更実施例の例を挙
げれば、ガラス層８８または１０８は前記で説明した技
術以外の技術で沈着することができる。例えば、化学蒸
気沈着技術またはスパッタ沈着技術により、沈着を行う
ことができる。また別の実施例により、ＳＯＧ層８８ま
たは１０８に対し、例えばプラズマ反応器の中で乾式エ
ッチングを行うことができる。前記工程のフォトレジス
ト層８６、９０および１０６は、アルミニウムまたは金
のような硬質マスクで置き換え可能であることがまた分
かるであろう。最後に、感光性のガラス材料が知られて
おり、そしてフォトレジストを用いないで、絶縁体層８
８および１０８をパターンに作成することが可能であ
る。
を種々に変更した工程を考案することは、本発明の範囲
内において可能である。このような変更実施例の例を挙
げれば、ガラス層８８または１０８は前記で説明した技
術以外の技術で沈着することができる。例えば、化学蒸
気沈着技術またはスパッタ沈着技術により、沈着を行う
ことができる。また別の実施例により、ＳＯＧ層８８ま
たは１０８に対し、例えばプラズマ反応器の中で乾式エ
ッチングを行うことができる。前記工程のフォトレジス
ト層８６、９０および１０６は、アルミニウムまたは金
のような硬質マスクで置き換え可能であることがまた分
かるであろう。最後に、感光性のガラス材料が知られて
おり、そしてフォトレジストを用いないで、絶縁体層８
８および１０８をパターンに作成することが可能であ
る。
【００４２】陽極板の上に不透明な絶縁体を備えた前記
で開示された電界放射平板パネル表示装置と、この不透
明な絶縁体材料を作成しかつこの絶縁体材料を陽極板に
付ける前記で開示された方法とにより、先行技術による
表示装置およびその製造法の種々の限界および欠点が解
決される。本発明の不透明でかつ電気的に絶縁体である
材料が、陽極のストリップ導電体の間の隙間を埋め、そ
れにより雰囲気光が装置の中に入るのを防止する障壁体
が得られ、さらに、エミッタ板の活性表面から反射され
た光が再び出現することが防止される。さらに、その電
気的絶縁性能のためにストリップ導電体相互間の電気的
分離を増加させる役割を果たし、それにより、増大した
漏洩電流によるブレークダウンの危険を生ずることな
く、さらに高い陽極電位を用いることが可能になる。
で開示された電界放射平板パネル表示装置と、この不透
明な絶縁体材料を作成しかつこの絶縁体材料を陽極板に
付ける前記で開示された方法とにより、先行技術による
表示装置およびその製造法の種々の限界および欠点が解
決される。本発明の不透明でかつ電気的に絶縁体である
材料が、陽極のストリップ導電体の間の隙間を埋め、そ
れにより雰囲気光が装置の中に入るのを防止する障壁体
が得られ、さらに、エミッタ板の活性表面から反射され
た光が再び出現することが防止される。さらに、その電
気的絶縁性能のためにストリップ導電体相互間の電気的
分離を増加させる役割を果たし、それにより、増大した
漏洩電流によるブレークダウンの危険を生ずることな
く、さらに高い陽極電位を用いることが可能になる。
【００４３】陽極のストリップ導電体を分離するのに絶
縁体材料を用いることにより、蛍光体沈着の明確度がよ
くなるという利点がまた得られる。最後に、本発明の構
造体の絶縁性能が優れていることにより、陽極のストリ
ップ導電体の間の間隔をさらに小さくすることができ、
それにより陽極のストリップの幅を大きくすることがで
き、そして蛍光体で被覆される面積領域を大きくするこ
とができる。このように蛍光体の面積領域が大きくなる
と、この蛍光体に衝突する電子密度を小さくすることが
でき、それにより蛍光効率が改善される。したがって、
ここで考えられている平板パネル表示装置の応用に対し
て、本発明による方式により大きな利点が得られる。
縁体材料を用いることにより、蛍光体沈着の明確度がよ
くなるという利点がまた得られる。最後に、本発明の構
造体の絶縁性能が優れていることにより、陽極のストリ
ップ導電体の間の間隔をさらに小さくすることができ、
それにより陽極のストリップの幅を大きくすることがで
き、そして蛍光体で被覆される面積領域を大きくするこ
とができる。このように蛍光体の面積領域が大きくなる
と、この蛍光体に衝突する電子密度を小さくすることが
でき、それにより蛍光効率が改善される。したがって、
ここで考えられている平板パネル表示装置の応用に対し
て、本発明による方式により大きな利点が得られる。
【００４４】本発明の原理が、前記で開示された構造体
および方法に関して具体的に説明されたが、本発明を実
施する際には種々の変更を行うことが可能であることは
理解されるであろう。本発明の範囲は前記で開示された
特定の構造体および方法に限定されるのではなく、請求
項によってのみ定められるべきである。
および方法に関して具体的に説明されたが、本発明を実
施する際には種々の変更を行うことが可能であることは
理解されるであろう。本発明の範囲は前記で開示された
特定の構造体および方法に限定されるのではなく、請求
項によってのみ定められるべきである。
【００４５】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１） 事実上透明な基板と、前記基板の上に間隔を有
して配置された電気的に導電体の領域と、前記導電体領
域の上に配置された蛍光材料体と、前記導電体領域の間
の隙間の前記基板の上に配置された事実上不透明でかつ
電気的に絶縁体である材料体と、を有する、電界放射装
置に用いられる陽極板。 （２） 第１項記載の陽極板において、事実上不透明で
かつ電気的に絶縁体である前記材料体が可視光線に対す
るその透過率を５０パーセント以下に小さくする不純物
を含有するガラスで構成される、前記陽極板。 （３） 第２項記載の陽極板において、前記不純物が遷
移金属の酸化物で構成される、前記陽極板。 （４） 第２項記載の陽極板において、前記不純物が２
種類以上の遷移金属の酸化物で構成され、かつ可視光線
のスペクトルにわたって事実上不透明であるように前記
金属酸化物が選定される、前記陽極板。 （５） 第２項記載の陽極板において、前記不純物が有
機物染料で構成される、前記陽極板。 （６） 第２項記載の陽極板において、前記不純物が２
種類以上の有機物染料で構成され、かつ可視光線のスペ
クトルにわたって事実上不透明であるように前記染料が
選定される、前記陽極板。
る。 （１） 事実上透明な基板と、前記基板の上に間隔を有
して配置された電気的に導電体の領域と、前記導電体領
域の上に配置された蛍光材料体と、前記導電体領域の間
の隙間の前記基板の上に配置された事実上不透明でかつ
電気的に絶縁体である材料体と、を有する、電界放射装
置に用いられる陽極板。 （２） 第１項記載の陽極板において、事実上不透明で
かつ電気的に絶縁体である前記材料体が可視光線に対す
るその透過率を５０パーセント以下に小さくする不純物
を含有するガラスで構成される、前記陽極板。 （３） 第２項記載の陽極板において、前記不純物が遷
移金属の酸化物で構成される、前記陽極板。 （４） 第２項記載の陽極板において、前記不純物が２
種類以上の遷移金属の酸化物で構成され、かつ可視光線
のスペクトルにわたって事実上不透明であるように前記
金属酸化物が選定される、前記陽極板。 （５） 第２項記載の陽極板において、前記不純物が有
機物染料で構成される、前記陽極板。 （６） 第２項記載の陽極板において、前記不純物が２
種類以上の有機物染料で構成され、かつ可視光線のスペ
クトルにわたって事実上不透明であるように前記染料が
選定される、前記陽極板。
【００４６】（７） 電子を放射する装置を備えたエミ
ッタ構造体と、前記エミッタ構造体に対向する事実上平
坦な表面を有する表示装置パネルと、を有し、かつ前記
表示装置パネルが事実上透明な基板と、前記基板の上で
間隔を有して配置された電気的に導電体である領域と、
前記導電体領域の上に配置された蛍光材料体と、前記導
電体領域の間の隙間の前記基板の上に配置された事実上
不透明でかつ電気的に絶縁体である材料体と、前記導電
体領域に向けて前記エミッタ構造体により放射された電
子を加速するために、前記エミッタ構造体と前記表示装
置パネルとの間に電圧を加えるための装置と、を有す
る、電界放射装置に用いられる電子放射表示装置。 （８） 第７項記載の電子放射表示装置において、前記
事実上不透明でかつ電気的に絶縁体である前記材料体が
可視光線に対するその透過率を５０パーセント以下に小
さくする不純物を含有するガラスで構成される、前記電
子放射表示装置。 （９） 第８項記載の電子放射表示装置において、前記
不純物が遷移金属の酸化物で構成される、前記電子放射
表示装置。 （１０） 第８項記載の電子放射表示装置において、前
記不純物が２種類以上の遷移金属の酸化物で構成され、
かつ可視光線のスペクトルにわたって事実上不透明であ
るように前記金属酸化物が選定される、前記電子放射表
示装置。 （１１） 第８項記載の電子放射表示装置において、前
記不純物が有機物染料で構成される、前記電子放射表示
装置。 （１２） 第８項記載の電子放射表示装置において、前
記不純物が２種類以上の有機物染料で構成され、かつ可
視光線のスペクトルにわたって事実上不透明であるよう
に前記染料が選定される、前記電子放射表示装置。
ッタ構造体と、前記エミッタ構造体に対向する事実上平
坦な表面を有する表示装置パネルと、を有し、かつ前記
表示装置パネルが事実上透明な基板と、前記基板の上で
間隔を有して配置された電気的に導電体である領域と、
前記導電体領域の上に配置された蛍光材料体と、前記導
電体領域の間の隙間の前記基板の上に配置された事実上
不透明でかつ電気的に絶縁体である材料体と、前記導電
体領域に向けて前記エミッタ構造体により放射された電
子を加速するために、前記エミッタ構造体と前記表示装
置パネルとの間に電圧を加えるための装置と、を有す
る、電界放射装置に用いられる電子放射表示装置。 （８） 第７項記載の電子放射表示装置において、前記
事実上不透明でかつ電気的に絶縁体である前記材料体が
可視光線に対するその透過率を５０パーセント以下に小
さくする不純物を含有するガラスで構成される、前記電
子放射表示装置。 （９） 第８項記載の電子放射表示装置において、前記
不純物が遷移金属の酸化物で構成される、前記電子放射
表示装置。 （１０） 第８項記載の電子放射表示装置において、前
記不純物が２種類以上の遷移金属の酸化物で構成され、
かつ可視光線のスペクトルにわたって事実上不透明であ
るように前記金属酸化物が選定される、前記電子放射表
示装置。 （１１） 第８項記載の電子放射表示装置において、前
記不純物が有機物染料で構成される、前記電子放射表示
装置。 （１２） 第８項記載の電子放射表示装置において、前
記不純物が２種類以上の有機物染料で構成され、かつ可
視光線のスペクトルにわたって事実上不透明であるよう
に前記染料が選定される、前記電子放射表示装置。
【００４７】（１３） その表面上に間隔を有して配置
されかつ電気的に導電体である領域を有する事実上透明
な基板を備える段階と、事実上不透明でかつ電気的に絶
縁体である材料の溶液を備える段階と、事実上不透明な
前記材料体でもって前記表面を被覆する段階と、前記導
電体領域の上の面積領域から前記不透明材料体を除去す
る段階と、前記導電体領域の上に蛍光材料体を付ける段
階と、を有する、電界放射装置に用いられる陽極板を製
造する方法。 （１４） 第１３項記載の方法において、事実上不透明
でかつ電気的に絶縁体である材料の溶液を備える前記段
階がテトラエチルオルソケイ酸塩（ＴＥＯＳ）と溶媒と
の溶液を備える段階と、可視光線に対するその透過率を
小さくするために前記ＴＥＯＳ溶液に不純物を添加する
段階と、の部分段階を有する、前記方法。 （１５） 第１４項記載の方法において、不純物を添加
する前記段階が前記ＴＥＯＳ溶液に遷移金属の化合物を
添加する段階を有する、前記方法。 （１６） 第１５項記載の方法において、前記遷移金属
がコバルトおよび銅を含む群から選定される、前記方
法。 （１７） 第１５項記載の方法において、前記化合物が
窒化コバルト（Ｃｏ（ＮＯ3 ）2 ）で構成される、前記
方法。 （１８） 第１７項記載の方法において、前記溶液にブ
タノールを添加する部分段階をさらに有する、前記方
法。 （１９） 第１４項記載の方法において、不純物を添加
する前記段階が前記ＴＥＯＳ溶液に有機物染料を添加す
る段階を有する、前記方法。 （２０） 第１４項記載の方法において、不純物を添加
する前記段階が２種類以上の有機物染料を添加する段階
を有し、かつ可視光線のスペクトルにわたって事実上不
透明であるように前記染料が選定される、前記方法。 （２１） 第１３項記載の方法において、事実上不透明
な前記材料体で前記表面を被覆する前記段階が前記基板
を回転する段階と、前記表面の上にわたって前記溶液を
分散するために前記表面の上に前記溶液を分配する段階
と、を有する、前記方法。 （２２） 第１３項記載の方法において、事実上不透明
な前記材料体で前記表面を被覆する前記段階が前記表面
の上に前記溶液を広げる段階を有する、前記方法。
されかつ電気的に導電体である領域を有する事実上透明
な基板を備える段階と、事実上不透明でかつ電気的に絶
縁体である材料の溶液を備える段階と、事実上不透明な
前記材料体でもって前記表面を被覆する段階と、前記導
電体領域の上の面積領域から前記不透明材料体を除去す
る段階と、前記導電体領域の上に蛍光材料体を付ける段
階と、を有する、電界放射装置に用いられる陽極板を製
造する方法。 （１４） 第１３項記載の方法において、事実上不透明
でかつ電気的に絶縁体である材料の溶液を備える前記段
階がテトラエチルオルソケイ酸塩（ＴＥＯＳ）と溶媒と
の溶液を備える段階と、可視光線に対するその透過率を
小さくするために前記ＴＥＯＳ溶液に不純物を添加する
段階と、の部分段階を有する、前記方法。 （１５） 第１４項記載の方法において、不純物を添加
する前記段階が前記ＴＥＯＳ溶液に遷移金属の化合物を
添加する段階を有する、前記方法。 （１６） 第１５項記載の方法において、前記遷移金属
がコバルトおよび銅を含む群から選定される、前記方
法。 （１７） 第１５項記載の方法において、前記化合物が
窒化コバルト（Ｃｏ（ＮＯ3 ）2 ）で構成される、前記
方法。 （１８） 第１７項記載の方法において、前記溶液にブ
タノールを添加する部分段階をさらに有する、前記方
法。 （１９） 第１４項記載の方法において、不純物を添加
する前記段階が前記ＴＥＯＳ溶液に有機物染料を添加す
る段階を有する、前記方法。 （２０） 第１４項記載の方法において、不純物を添加
する前記段階が２種類以上の有機物染料を添加する段階
を有し、かつ可視光線のスペクトルにわたって事実上不
透明であるように前記染料が選定される、前記方法。 （２１） 第１３項記載の方法において、事実上不透明
な前記材料体で前記表面を被覆する前記段階が前記基板
を回転する段階と、前記表面の上にわたって前記溶液を
分散するために前記表面の上に前記溶液を分配する段階
と、を有する、前記方法。 （２２） 第１３項記載の方法において、事実上不透明
な前記材料体で前記表面を被覆する前記段階が前記表面
の上に前記溶液を広げる段階を有する、前記方法。
【００４８】（２３） 事実上透明な基板を備える段階
と、前記基板の表面上に透明でかつ電気的に導電体であ
る材料の層を沈着する段階と、前記導電体材料の事実上
平行なストリップ体が残るように導電体材料の前記層の
一部分を除去する段階と、事実上不透明で電気的に絶縁
体である材料の溶液で前記表面を被覆する段階と、前記
不透明材料体を硬化するように前記基板を加熱する段階
と、硬化した前記不透明材料体を前記導電体領域の上の
面積領域から除去する段階と、前記導電体領域の上に蛍
光材料体を付ける段階と、を有する、電界放射装置に用
いられる陽極板を製造する方法。 （２４） 第２３項記載の方法において、導電体材料の
前記層の一部分を除去する前記段階が前記表面をフォト
レジストの層で被覆する段階と、事実上平行な前記スト
リップ体に対応する領域を露出するために前記フォトレ
ジスト層をマスクする段階と、前記フォトレジスト層の
前記露出した領域を現像する段階と、導電体材料の前記
層の領域を露出するために前記フォトレジスト層の前記
現像された領域を除去する段階と、導電体材料の前記層
の前記露出した領域を除去する段階と、前記フォトレジ
スト層の残りの領域を除去する段階と、の部分段階を有
する、前記方法。 （２５） 第２４項記載の方法において、導電体材料の
前記層の前記露出した領域を除去する前記段階が塩化水
素酸と塩化第２鉄との溶液で前記導電体材料体を湿式エ
ッチングする段階を有する、前記方法。 （２６） 第２３項記載の方法において、前記導電体領
域の上の面積領域から硬化した前記不透明材料体を除去
する前記段階が硬化した前記不透明材料体をフォトレジ
ストの層で被覆する段階と、事実上平行な前記ストリッ
プ体の間の隙間に対応する領域を露出するために前記フ
ォトレジスト層をマスクする段階と、前記フォトレジス
ト層の前記露出した領域を現像する段階と、硬化した不
透明材料体の前記層の領域を露出するために前記フォト
レジスト層の前記現像された領域を除去する段階と、硬
化した不透明材料体の前記層の前記露出した領域を除去
する段階と、前記フォトレジスト層の残りの領域を除去
する段階と、の部分段階を有する、前記方法。 （２７） 第２６項記載の方法において、硬化した不透
明材料体の前記層の前記露出した領域を除去する前記段
階が緩衝されたフッ化水素酸の溶液で前記導電材料体を
エッチングする段階を有する、前記方法。
と、前記基板の表面上に透明でかつ電気的に導電体であ
る材料の層を沈着する段階と、前記導電体材料の事実上
平行なストリップ体が残るように導電体材料の前記層の
一部分を除去する段階と、事実上不透明で電気的に絶縁
体である材料の溶液で前記表面を被覆する段階と、前記
不透明材料体を硬化するように前記基板を加熱する段階
と、硬化した前記不透明材料体を前記導電体領域の上の
面積領域から除去する段階と、前記導電体領域の上に蛍
光材料体を付ける段階と、を有する、電界放射装置に用
いられる陽極板を製造する方法。 （２４） 第２３項記載の方法において、導電体材料の
前記層の一部分を除去する前記段階が前記表面をフォト
レジストの層で被覆する段階と、事実上平行な前記スト
リップ体に対応する領域を露出するために前記フォトレ
ジスト層をマスクする段階と、前記フォトレジスト層の
前記露出した領域を現像する段階と、導電体材料の前記
層の領域を露出するために前記フォトレジスト層の前記
現像された領域を除去する段階と、導電体材料の前記層
の前記露出した領域を除去する段階と、前記フォトレジ
スト層の残りの領域を除去する段階と、の部分段階を有
する、前記方法。 （２５） 第２４項記載の方法において、導電体材料の
前記層の前記露出した領域を除去する前記段階が塩化水
素酸と塩化第２鉄との溶液で前記導電体材料体を湿式エ
ッチングする段階を有する、前記方法。 （２６） 第２３項記載の方法において、前記導電体領
域の上の面積領域から硬化した前記不透明材料体を除去
する前記段階が硬化した前記不透明材料体をフォトレジ
ストの層で被覆する段階と、事実上平行な前記ストリッ
プ体の間の隙間に対応する領域を露出するために前記フ
ォトレジスト層をマスクする段階と、前記フォトレジス
ト層の前記露出した領域を現像する段階と、硬化した不
透明材料体の前記層の領域を露出するために前記フォト
レジスト層の前記現像された領域を除去する段階と、硬
化した不透明材料体の前記層の前記露出した領域を除去
する段階と、前記フォトレジスト層の残りの領域を除去
する段階と、の部分段階を有する、前記方法。 （２７） 第２６項記載の方法において、硬化した不透
明材料体の前記層の前記露出した領域を除去する前記段
階が緩衝されたフッ化水素酸の溶液で前記導電材料体を
エッチングする段階を有する、前記方法。
【００４９】（２８） 事実上透明な基板を備える段階
と、前記基板の表面上に透明でかつ電気的に導電体であ
る材料の層を沈着する段階と、前記導電体材料の事実上
平行なストリップ体が残るように導電体材料の前記層の
一部分を除去する段階と、電気的に絶縁体でかつ事実上
不透明である材料の溶液を備える段階と、前記溶液で前
記表面を被覆する段階と、前記不透明材料体を前記導電
体領域の上の面積領域から除去する段階と、前記不透明
材料体を硬化するように前記基板を加熱する段階と、前
記導電体領域の上に蛍光材料体を付ける段階と、を有す
る、電界放射装置に用いられる陽極板を製造する方法。 （２９） 第２８項記載の方法において、導電体材料の
前記層の一部分を除去する前記段階が前記表面をフォト
レジストの層で被覆する段階と、事実上平行な前記スト
リップ体に対応する領域を露出するために前記フォトレ
ジスト層をマスクする段階と、前記フォトレジスト層の
前記露出した領域を現像する段階と、導電体材料の前記
層の領域を露出するために前記フォトレジスト層の現像
されていない領域を除去する段階と、導電体材料の前記
層の前記露出した領域を除去する段階と、の部分段階を
有する、前記方法。 （３０） 第２９項記載の方法において、導電体材料の
前記層の前記露出した領域を除去する前記段階が塩化水
素酸と塩化第２鉄との溶液で前記導電材料体を湿式エッ
チングする段階を有する、前記方法。 （３１） 第２９項記載の方法において、前記導電体領
域の上の面積領域から前記不透明材料体を除去する前記
段階が、前記フォトレジスト層の残っている領域と、前
記フォトレジスト層の前記残っている領域の上の前記不
透明材料体の領域と、を除去する段階を有する、前記方
法。 （３２） 第３１項記載の方法において、前記フォトレ
ジストがネガティブ・フォトレジストであり、かつ前記
フォトレジスト層の前記残っている領域がキシレンおよ
びフォトレジスト溶媒で除去される、前記方法。
と、前記基板の表面上に透明でかつ電気的に導電体であ
る材料の層を沈着する段階と、前記導電体材料の事実上
平行なストリップ体が残るように導電体材料の前記層の
一部分を除去する段階と、電気的に絶縁体でかつ事実上
不透明である材料の溶液を備える段階と、前記溶液で前
記表面を被覆する段階と、前記不透明材料体を前記導電
体領域の上の面積領域から除去する段階と、前記不透明
材料体を硬化するように前記基板を加熱する段階と、前
記導電体領域の上に蛍光材料体を付ける段階と、を有す
る、電界放射装置に用いられる陽極板を製造する方法。 （２９） 第２８項記載の方法において、導電体材料の
前記層の一部分を除去する前記段階が前記表面をフォト
レジストの層で被覆する段階と、事実上平行な前記スト
リップ体に対応する領域を露出するために前記フォトレ
ジスト層をマスクする段階と、前記フォトレジスト層の
前記露出した領域を現像する段階と、導電体材料の前記
層の領域を露出するために前記フォトレジスト層の現像
されていない領域を除去する段階と、導電体材料の前記
層の前記露出した領域を除去する段階と、の部分段階を
有する、前記方法。 （３０） 第２９項記載の方法において、導電体材料の
前記層の前記露出した領域を除去する前記段階が塩化水
素酸と塩化第２鉄との溶液で前記導電材料体を湿式エッ
チングする段階を有する、前記方法。 （３１） 第２９項記載の方法において、前記導電体領
域の上の面積領域から前記不透明材料体を除去する前記
段階が、前記フォトレジスト層の残っている領域と、前
記フォトレジスト層の前記残っている領域の上の前記不
透明材料体の領域と、を除去する段階を有する、前記方
法。 （３２） 第３１項記載の方法において、前記フォトレ
ジストがネガティブ・フォトレジストであり、かつ前記
フォトレジスト層の前記残っている領域がキシレンおよ
びフォトレジスト溶媒で除去される、前記方法。
【００５０】（３３） 電界放射平板パネル表示装置に
用いられる陽極板５０は、透明で平坦な基板５８を有す
る。透明で平坦な基板５８は、複数個の電気的に導電体
である平行なストリップ体５２を有する。これらのスト
リップ体５２は、この装置の陽極電極を構成する。これ
らのストリップ体５２は、蛍光体５４R 、５４G および
５４B により被覆される。事実上不透明でかつ電気的に
絶縁体である材料体５６が、導電体５２の間の隙間の基
板５８の上に取り付けられる。この材料体５６は、雰囲
気光が装置の中に入るおよび出るのを防止する障壁体の
働きをする。不透明材料体５６が電気的に絶縁体である
ことにより、導電性ストリップ体５２の相互間の電気的
分離が増大し、そして漏洩電流が増大することによるブ
レークダウンの危険が小さくなる。不透明材料体５６
は、その中に分散された不純物を有するガラスで構成さ
れることが好ましい。これらの不純物は、電磁波スペク
トルの可視光線領域にわたって比較的均一に不透明であ
るように選定された、１種類または多種類の有機物染料
であることができる。または、これらの不純物は、コバ
ルトのような遷移金属の黒色酸化物であることができ
る。不透明材料体５６は、ＴＥＯＳ溶液を染料または金
属イオン源と混合し、そしてこの混合体をガラス基板５
８の上に広げるまたは回転し、そして有機物および溶媒
を排出するようにこの混合体を硬化させることにより、
作成される。陽極板５０を製造する２つの方法が開示さ
れる。
用いられる陽極板５０は、透明で平坦な基板５８を有す
る。透明で平坦な基板５８は、複数個の電気的に導電体
である平行なストリップ体５２を有する。これらのスト
リップ体５２は、この装置の陽極電極を構成する。これ
らのストリップ体５２は、蛍光体５４R 、５４G および
５４B により被覆される。事実上不透明でかつ電気的に
絶縁体である材料体５６が、導電体５２の間の隙間の基
板５８の上に取り付けられる。この材料体５６は、雰囲
気光が装置の中に入るおよび出るのを防止する障壁体の
働きをする。不透明材料体５６が電気的に絶縁体である
ことにより、導電性ストリップ体５２の相互間の電気的
分離が増大し、そして漏洩電流が増大することによるブ
レークダウンの危険が小さくなる。不透明材料体５６
は、その中に分散された不純物を有するガラスで構成さ
れることが好ましい。これらの不純物は、電磁波スペク
トルの可視光線領域にわたって比較的均一に不透明であ
るように選定された、１種類または多種類の有機物染料
であることができる。または、これらの不純物は、コバ
ルトのような遷移金属の黒色酸化物であることができ
る。不透明材料体５６は、ＴＥＯＳ溶液を染料または金
属イオン源と混合し、そしてこの混合体をガラス基板５
８の上に広げるまたは回転し、そして有機物および溶媒
を排出するようにこの混合体を硬化させることにより、
作成される。陽極板５０を製造する２つの方法が開示さ
れる。
【図１】先行技術による電界放射平板パネル表示装置の
一部分の横断面図。
一部分の横断面図。
【図２】本発明による電界放射平板パネル表示装置に用
いられる陽極板の横断面図。
いられる陽極板の横断面図。
【図３】本発明に用いられるとして説明された材料体の
可視光線のスペクトルの範囲内における透過率の特性曲
線。
可視光線のスペクトルの範囲内における透過率の特性曲
線。
【図４】本発明の第１実施例に従い図２の陽極板を製造
する工程の図であって、Ａ〜Ｈは製造工程の順次の段階
の図。
する工程の図であって、Ａ〜Ｈは製造工程の順次の段階
の図。
【図５】本発明の第２実施例に従い図２の陽極板を製造
する工程の図であって、Ａ〜Ｅは製造工程の順次の段階
の図。
する工程の図であって、Ａ〜Ｅは製造工程の順次の段階
の図。
５０ 陽極板 ５２ ストリップ導電体 ５６ 不透明な絶縁体材料体 ５８ 透明な基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スコット アール．サマーフェルト アメリカ合衆国テキサス州ダラス，スキル マン ロード 9350，アパートメント ナ ンバー 2911 (72)発明者 ジュレス ディー．レバイン アメリカ合衆国テキサス州ダラス，フリン トコウブ 6931
Claims (2)
- 【請求項１】 事実上透明な基板と、 前記基板の上に間隔を有して配置された電気的に導電体
である領域と、 前記導電体領域の上に配置された蛍光材料体と、 前記導電体領域の間の隙間の前記基板の上に配置された
事実上不透明でかつ電気的に絶縁体である材料体と、を
有する、電界放射装置に用いられる陽極板。 - 【請求項２】 その表面上に間隔を有して配置されかつ
電気的に導電体である領域を有する事実上透明な基板を
備える段階と、 事実上不透明でかつ電気的に絶縁体である材料の溶液を
備える段階と、 事実上不透明な前記材料体でもって前記表面を被覆する
段階と、 前記導電体領域の上の面積領域から前記不透明材料体を
除去する段階と、 前記導電体領域の上に蛍光材料体を付ける段階と、を有
する、電界放射装置に用いられる陽極板を製造する方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US24795194A | 1994-05-24 | 1994-05-24 | |
| US247951 | 1994-05-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326312A true JPH07326312A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=22937027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7125367A Pending JPH07326312A (ja) | 1994-05-24 | 1995-05-24 | 電界放射平板パネル表示装置に用いられる陽極板とその製造法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5643033A (ja) |
| EP (1) | EP0684627A1 (ja) |
| JP (1) | JPH07326312A (ja) |
| KR (1) | KR950034365A (ja) |
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| KR100932991B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2009-12-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 방출 표시 장치 및 그의 제조방법 |
| CN100386275C (zh) * | 2004-12-06 | 2008-05-07 | 山西大学 | 一种有色玻璃及其制备方法 |
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| KR20070046662A (ko) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 표시 디바이스 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100425838B1 (ko) * | 1999-10-15 | 2004-04-03 | 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤 | 도전성 박막 패턴 기판의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| EP0684627A1 (en) | 1995-11-29 |
| KR950034365A (ko) | 1995-12-28 |
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