JPH0732265B2 - ホウケイ酸ガラスを有する半導体装置の製造方法 - Google Patents

ホウケイ酸ガラスを有する半導体装置の製造方法

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JPH0732265B2
JPH0732265B2 JP32305287A JP32305287A JPH0732265B2 JP H0732265 B2 JPH0732265 B2 JP H0732265B2 JP 32305287 A JP32305287 A JP 32305287A JP 32305287 A JP32305287 A JP 32305287A JP H0732265 B2 JPH0732265 B2 JP H0732265B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は製造工程中において特定のガラスを使用する半
導体装置の製造方法およびこのような方法により製造さ
れた装置に関する。
半導体装置を製造する場合、表面保護およびパターン形
成用のキャッピング層またはいろいろなドーピング工程
のアニーリングにおけるバリヤとしてのキャッピング層
が要求されることがしばしばある。そのような表面層は
製造工程中においておよび完成装置にとって有用なもの
である。そのような層の要件は特定の製造工程、原料等
によりかなり異なる。通常、拡散バリヤとしての接着
性、安定性（特に湿気に対して）、および有効性が主と
して重要である。また、装置の製造中に、または装置の
その後の使用の際、高い温度を用いる場合、高温におけ
る安定性、接着性等も考慮すべきである。さらに、いく
つかの用途および製造工程によっては、保護層が赤外
線、可視光線、紫外線、Ｘ線およびガンマ線のような放
射線を少なくとも部分的に透過させることが有益であ
る。また、ガラス層によって加えられる応力条件は、特
に不純物を含む半導体化合物の熱処理を伴う場合、種々
のガラス層の用途を制限する。
主に光通信システムおよび特定の表示システムの開発の
ために、光学装置は次第に重要なものとなってきてい
る。これらの開発のために、半導体光学装置を含めた様
々な光学装置が次第に重要なものとなってきており、こ
のためこのような装置を製造する経済的且つ有効な技術
が強く望まれている。半導体光学装置を含めた光学装置
上で好適に使用できる被膜は大変望ましいものである。
そのような被膜は安定で、湿度、化学物質等のような通
常の大気物質によって影響されず、接着性があり、且つ
装置を製造するのに用いる温度または装置の使用中に用
いる温度に耐えることができなければならない。多くの
装置において、被膜はまた種々のスペクトル部分で透過
性でなければならない。光学装置をカプセル化するため
に被膜を用いる場合、この被膜はこれら装置を作動させ
る放射スペクトル部分を透過させなければならない。例
示的な光学装置としては発光ダイオード、レーザおよび
光学検出器がある。これら被膜はアニール工程および他
の様々な加熱工程において拡散マスクまたはキャッピン
グ装置として、並びに不活性化するために使用すること
がしばしばある。この場合、上記層は半導体材料がガラ
ス層を通過して拡散することを防止するものでなければ
ならず、またはドーピング材がガラス層を通過して拡散
することを防止するものでなければならない。また、ガ
ラス層の熱膨張特性が熱処理工程において重要な役割を
演じることもしばしばある。
ここで注意すべきことは、「光」という用語は広い意味
で用いられ可視放射線に限定されない、ということであ
る。光放射という用語はあらゆる放射のことであり、光
放射としては赤外線放射、紫外線放射、Ｘ線およびガン
マ線放射等がある。
装置を製造する場合、放射線を透過させる保護層を用い
ることは有益である。例えば、装置の製造中または装置
製造中の様々な段階において保護層の下面を監視するの
に都合のよいことがある。
代表的な半導体光学装置は次のようないろいろな参考文
献に述べられている： エイ・エイ・バーフ（A.A.Bergh）およびピー・ジェー
・ディーン（P.J.Dean）、ライト・エミッティング・ダ
イオーズ（Light Emitting Diodes）、クラレンデン・
プレス（Clarenden Press）、1976;シー・エッチ・ゴー
フ（C.H.Gooch）、ジョン・ウィレイ（John Wiley）お
よび息子たち、インジェクション・エレクトロルミネセ
ント・ディバイス（Injection Electroluminescent Dev
ices）、ニューヨーク、1973、およびアール・ケイ・ウ
ィラードソン（R.K.Willardson）およびエー・シー・ビ
ール（A.C.Beer）、セミコンダクターズ・アンド・セミ
メタルズ（Semiconductors and Semimetals）、アカデ
ミック・プレス（Academic Press）、２巻、フィジック
ス・オブ・III-Vコンパウンズ（Physics of III-V Comp
ounds）、1966。このような装置としては半導体レー
ザ、オプトアイソレーター、発光ダイオード、光検出
器、太陽電池等がある。
半導体光学装置は、ここ数年間で特に急速に発達した。
その殆どは、半導体レーザの寿命性能の改善、アバラン
シェ光検出器およびこれに関連する半導体光学装置の性
能の改善に向けられている。他の開発内容は低光学周波
数（主に赤外領域）の周辺技術に関係しており、なお上
記低光学周波数の場合には光学システム（即ち光通信シ
ステム）が優れた性能を現す。また性能を改善するよう
に、これらの装置に対して実に様々な原料が考えられて
いる。これらの原料には、装置の製造中または完成装置
を使用している時に表面の保護を要求することがしばし
ばある。また、他の（非光学的）III〜Ｖ半導体装置並
びにあらゆる種類のII-VI半導体装置の製造も次第に重
要になってきている。これらの装置をより効率的に、よ
り安く且つ迅速に製造することがまた大変望ましい。
粒子衝撃堆積法においてターゲットとして使用するガラ
スの製造例は多数の刊行物に述べられている。例えば、
1983年２月15日に発行されたアイ・カムリベル（I.Caml
ibil）等の米国特許第4,374,391号参照。
本発明は半導体装置を製造する方法に関するものであ
り、この方法は粒子ビーム堆積工程によりホウケイ酸ガ
ラス層を堆積させる。なお上記粒子ビーム堆積工程にお
いて、この粒子ビーム堆積に用いられるホウケイ酸ガラ
スは1500℃未満の温度で作られた層分離状（時には再組
織化と呼ばれる）ホウケイ酸ガラスである。好ましく
は、この製造は1400℃未満の温度または1300℃でも行わ
れなければならない。ガラス製造工程は、SiO2、B2O3、
Na2Oおよび任意に他の酸化物（酸化物の先駆物質）を一
緒に混合し、混合物を融解する温度まで加熱し、冷却
し、得られた材料を次に熱処理してホウ酸ナトリウム相
をシリカリッチ相から分離することを含む。ホウ酸ナト
リウム相は、通常水性HClのような酸で浸出することに
よりシリカリッチ相から分離される。これにより、あと
には90重量％を超える量でSiO2を含む多孔質のシリカリ
ッチガラス相が残される。圧力を利用する他の加熱方法
もしばしば利用され、この場合気孔が除去され充分に緊
密な物質が生成される。Al2O3はしばしばSiO2、B2O3お
よびNa2Oと一緒に最初の組成物中に含まれ、相分離を容
易にし、最終生成物のナトリウム含有量を減少させ、且
つ最終的なシリカリッチ生成物の諸性質を改善する。こ
のガラス製造方法は大変有益である。なぜならばこの製
造工程においては1500℃を超える温度が要求されず、こ
のようなガラスは市販されているからである（商品名VY
CORとして）。
このガラス製造工程は、半導体装置、特にIII〜Ｖ族半
導体化合物から成る装置の製造におけるガラス層用の特
に有用なガラスを生成する。これらのガラス層は、製造
工程において熱処理を実施する場合に特に有益である。
このような熱処理工程はイオン注入法の一部としてしば
しば用いられ、イオン注入によって引起される損傷に耐
えるようにアニールし且つイオン注入した物質を活性化
させる。また本発明には前記方法に従って製造された装
置も含まれる。このような装置は独特な不動態化層、独
特なドーピング性等を含む多数の独特な特徴を有する。
そのような装置は暗電流が少ないこと、イオン注入によ
る損傷がわずかであること等の特に有益な特性を示す。
FET用のピンチオフ電圧が低いこと等のいろいろな装置
に対して多数の利点を付与する敏感で浅いドーピング性
は特に有益なものである。
本発明は、相分離した再生ガラスは、粒子ビーム堆積法
（例えば電子ビーム沈積法）によって層の形に堆積され
ると、処理中のバリヤまたはカプセル化層として、また
はシリコン、III〜Ｖ族半導体化合物（例えばGaAs、InP
等）およびCdTe、HgSeおよびHgTeのようなII-VI族半導
体化合物から成る装置の不動態化層として特に良好な性
質を有しているとの発見にもとづいている。また、InGa
As、InGaAsP、AllnAsP等のようなInPまたはGaAsに調和
した格子を有するIII〜Ｖ化合物も特に有益なものであ
る。これらの堆積工程において、ホウ素含有ガラスター
ゲートは特別な工程により作られ、またこのターゲット
は粒子堆積工程中で用いられる。代表的な粒子堆積工程
は電子ビーム堆積およびスパッタリングである。
この特殊な方法はホウケイ素ナトリウムガラスを形成
し、ホウケイ酸ナトリウムガラスをナトリウムリッチ相
（例えばホウ酸ナトリウム）およびシリカリッチ相に相
分離し、次にナトリウムリッチ相を（例えば浸出または
他の化学的手段によって）除去してシリカリッチ相を残
すことを含む。
電子ビーム堆積については、フィジカル・ベイパー・デ
ポジション（Physical Vapor Deposition）、発行元エ
アコ・テメスカル（Airco Temescal）［エアコ・インコ
ーポレイテッド（Airco Inc.）の子会社］、94710カリ
フォルニア州、バークレイ（Berkeley）、セブンス・ス
トリート（Seventh Street）2850をはじめとして多くの
参考文献に述べられている。スパッタリングについて
も、ディー・ディー・ダビィッズ（D.D.Davidse）およ
びエル・アイ・マイセル（L.I.Maissel）、ジャーナル
・オブ・アプライド・フィジックス（Journal of Appli
ed Physics）、37号、574〜579ページ、1966年をはじめ
として多くの参考文献に述べられている。電子ビーム法
は好ましい。なぜならばガラスが堆積されている半導体
表面が損傷を受けにくく、且つ電子ビームを伴う堆積工
程において半導体表面が汚染されにくいからである。
上述したように、ガラスターゲットの製造およびその組
成は本発明の実施において最も重要なことである。ガラ
スターゲットのシリカ含有量は高く、通常90重量％を越
えており、好ましくは95または96若しくは97重量％さえ
も越える含有量である。またガラスターゲット物質は通
常１〜15重量％、好ましくは１〜６重量％の範囲内の濃
度で酸化ホウ素を含んでいる。シリカ含有量が高いこと
は、化学的安定性および化学的純度のために、且つ処理
中に有害な不純物が半導体に混入しないという事実のた
めに望ましい。またホウ素が存在することも大変望まし
い。なぜならばホウ素はおそらくガラス層の熱膨張を増
大させ、半導体表面におけるガラス層の歪を減少させる
からである。さらにガラス中に存在するホウ素により焼
きもどし段階中の拡散がずっと少なくなることが観察さ
れ、このためより望ましいドーピング性が得られる。
また少量のアルミナ（Al2O3）のような他の物質も存在
することがあり、このような物質は通常１重量％未満で
ある。代表的な組成は、シリカ96〜97重量％、Al2O30.1
〜0.9重量％およびB2O32.0〜4.0重量％から成る。
ガラスターゲットの製造方法は相分離工程を含む。この
相分離工程のためにガラス製造工程でははるかに低い温
度を使用することが可能となり、それにもかかわらず上
記相分離工程では三次元構造を形成する。このようなガ
ラスターゲットは三次元構造を有するがゆえに良好なバ
リヤガラス層の製造に有用なのである。
まず初めに、Na2O、B2O3およびSiO2の混合物をこの混合
物の溶解温度と1500℃の間の温度（通常1100〜1300℃）
で数分〜数日間加熱する。１〜24時間が便宜上好まし
い。他の酸化物質または酸化物質の先駆物質、主にAl2O
3を通常0.1〜3.0重量％の範囲内の濃度で加えることが
でき、これにより良好な相分離が促進され、最終生成物
の諸性質が改善され、且つ最終生成物からより多くのナ
トリウムが除去される。初期混合物の代表的組成はSiO2
50〜70重量％、Na2O10〜30重量％、B2O310〜30重量％お
よび0.2〜2.5重量％の他の酸化物、通常Al2O3から成
る。冷却すると、ホウケイ酸ナトリウムガラスが得られ
る。
ホウケイ酸ナトリウムガラスは室温で所定の形（例えば
電子ビームターゲットにふさわしい形）に任意に成形す
ることができる。次にホウケイ酸ナトリウムガラスを加
熱処理して相分離する。この加熱処理は通常600〜900℃
で１時間乃至１日行われる。この結果、大ざっぱに分離
されている２つの相、即ちホウ酸ナトリウムガラス相お
よびシリカリッチガラス相を有する物体が得られる。
次に慣用の手段、通常水性HClのような酸で酸浸出する
ことによりホウ酸ナトリウム相をシリカリッチ相から分
離する。その後に残されるシリカリッチ相は通常96重量
％以上のSiO2含有量を有する。この物質はそのまま使用
することもできるが、それよりも通常約1000〜1200℃で
１時間〜１日加熱処理して、気孔を除去しこの物質を濃
密化する。この工程は強化工程と呼ばれることがしばし
ばあり、時には圧力を加えることもある。実際の操作に
おいてはVYCOR（特に製品番号7913のもの）のような市
販品が粒子堆積工程においてガラスターゲット物質とて
しばしば使用される。実際、この工程の大きな利点は比
較的安い価格で上記市販のガラスを入手できることであ
る。
半導体表面上にガラス相を堆積させるために、粒子衝撃
を伴ういろいろな方法が用いられ、このような方法とし
ては電子ビーム堆積およびスパッタリングがある。
通常、スパッタリングの場合、マグネトロンスパッタリ
ングが用いられ、基質は表面の損傷を避けるためにプラ
ズマから離れた位置に配置される。スパッタリングの操
作においては、気体としてアルゴンが一般的に用いられ
る。好ましい堆積工程は電子ビーム堆積工程である。こ
の工程の利点は汚染が少ないこと、堆積速度がおだやか
でガラスの構造を殆どそのまま保存すること、且つ堆積
が行われている表面の温度の管理が容易であることであ
る。さらに、ガラスが堆積している半導体表面は通常電
子ビーム工程によって損傷や悪影響を受けない。
電子ビーム堆積法は慣用的なものである。通常、ガラス
の表面をHF水溶液に短時間（例えば約30秒）さらし、脱
イオン水で洗浄し、堆積前に乾燥する。表面の温度は室
温〜350℃、好ましくは250〜300℃である。代表的な電
子ビーム蒸発装置の圧力は５×10-6トル以下である。ガ
ラスフィルムの厚さは約50〜5000オングストロームの広
い範囲内にあるが、多くの用途の場合、（イオン注入し
た試料をアニールする場合）300〜1500オングストロー
ムの厚さが優れた結果をもたらす。300オングストロー
ム未満の場合、アニール工程では好ましくない結果を生
ずることが時々ある。厚いフィルムの場合、完全に良好
な結果を生ずるが、時間および原料のむだとなることが
しばしばある。再生ガラスの特に良好な適用性はイオン
注入工程の活性化段階にみられる。ここでは不純物イオ
ンが半導体化合物にイオン注入される。試料をアニール
し、または加熱処理して、イオン注入によって引起され
る損傷を取除くと共に不純物イオンを活性化させる。こ
のガラスは熱処理においてキャッピング層として用いら
れる。イオン注入はガラス層の堆積前に、またはガラス
層堆積後にガラス層を介して行われる。これらガラス層
は装置の表面に永久的に取付けられる封入剤として、ま
たは保護層としても使用することができる。
イオン注入工程においては実に様々なイオンを使用する
ことができる。これらのイオンにはｎ型（ドナー）イオ
ンおよびＰ型（アクセプター）イオンがある。III〜Ｖ
族化合物用のドナーイオンの代表的な例はケイ素、ゲル
マニウム、スズ、硫黄、セレンおよびテルルである。II
I〜Ｖ族化合物用のアクセプターイオンの代表的な例は
亜鉛、カドミウム、水銀、ベリリウム、マグネシウムお
よびマンガンである。ケイ素またはケイ素−ゲルマニウ
ム合金の場合、代表的なｎ型不純物はリンおよびヒ素で
あり、代表的なＰ型不純物はホウ素である。
第１図は本発明に従って形成したプレーナ型InP/InGaAs
-APD（アバランシェ光検出器）構造を示している。光検
出器10は基質11（ドーピング水準約５×1017硫黄原子／
cm3）並びに通常エピタキシャル気相成長法によって積
層された多数のエピタキシャル層から形成されている。
基質11のすぐ上にはn-InP層12（ドーピング水準約１〜
２×1016硫黄原子／cm3）があり、この上には吸収層13
（InPに調和した組成格子を有し、ドープしていないｎ
型InGaAs、キャリア濃度１〜10×1014／cm3）があり、
さらにその上にはInGaAsよりも低いバンドギャップを有
するn-InGaAsPの薄層14があり、応答を高速化してい
る。さらにこの薄層14の上にはn+‐InP層15があり、こ
の層15は１〜２×1016原子／cm3の濃度範囲で硫黄をド
ープしたリン化インジウムから成る増倍層としばしば呼
ばれるものであり、さらにこの上にはn-InP（ドープし
ていないリン酸インジウム、キャリア濃度約１〜10×10
14キャリア／cm3）の層16がある。保護環はイオン注入
法および上記再生ガラスを用いてこの層内に配置されて
いる。電子ビーム堆積により堆積したガラス層がこの工
程において用いられ、イオン注入−アニール工程におけ
るアニール中の拡散を防止する。
またガラス層はアニール中において表面の無傷な状態を
維持すると共にアニール中におけるドーパントイオンの
拡散を最小限に抑える。通常、ガラス層はn-InP層の全
面に渡って堆積させ、ベリリウムがガラス層を通してn-
InP層16に注入され保護環17を形成し、上記層は急速熱
アニール（通常800〜850℃で５〜15秒間）または従来の
アニール（通常700〜750℃で５〜15分間）に付される。
もう１つの方法は、本発明に従って急速熱アニールの前
に基質の背面にガラス層を堆積し、次にこの背面にさら
に処理を加える前にこのガラス層を除去することであ
る。n-InP層のダイオード部分18（層16におけるP+‐In
P）はガラス層に開口した穴を通してカドミウムまたは
亜鉛を拡散させることにより、またはガラス層を通して
イオンを注入し次に急速熱アニールを行うことにより形
成することもできる。電極19は通常クロムを被覆した金
である。誘電層は窒化ケイ素、または好ましくはイオン
注入工程のために最初に積層した再生ガラスである。ダ
イオード領域18および保護環領域17をイオン注入によっ
て形成する場合、両方の領域に対して１回のアニール段
階（例えば急速熱アニール）を利用する。放射線を導入
する場合、電極21は装置並びに反射防止被膜22（例えば
窒化ケイ素）の底部にも配置する。
上記の方法において、ガラス層は従来の電子ビーム法に
よって積層され、このガラス層の厚さは通常約1000〜20
00オングストロームであり且つガラスが堆積されている
半導体表面の表面温度は200〜300℃である。
本発明の製造方法に従って製造したアバランシェ光検出
器は著しく良好な特性を有し、特に暗電流が低い。暗電
流はノイズの原因であるので、暗電流が低いということ
は有益である。第２図は再生ガラス層を用いて作られた
光検出器およびリンケイ酸ガラスの使用により作られた
光検出器に関する逆方向バイアス電圧に対する暗電流の
グラフを示している。これらのグラフから理解されるよ
うに、本発明に従って製造された装置の場合、低バイア
ス電圧における暗電流は少なくとも10分の１に改善され
ている。このような改善は装置の性能、ノイズ特性およ
び応答時間について重要な効果をもたらす。さらに、改
善された装置の性能は光通信システムの設計においてか
なりの経済的効果をもたらし、このような効果として
は、各中継器間の間隔を広く取ることができること、誤
り率を低下させること、データ伝送速度を高めること等
がある。
GaAs基質を用いて多くの実験を行った。本発明に関する
研究において用いたGaAs基質は直径5cmの液体カプセル
化チョクラルスキー（LEC）成長アンドープ（100）ウェ
ーハであった。この方法はGaAsの磨きウェーハ上で行わ
れた。臭素−メタノールを使用する化学的機械的研摩法
を用いウェーハの表面の約50μｍを除去した。次にこの
ウェーハを沸騰しているトリクロロエチレン、アセトン
およびメタノール中で脱脂し、さらに脱イオン水でリン
スした。最後に、これらウェーハを5H2SO4：1H2Oの新し
く調整した溶液中で70℃で３分間エッチング処理し、続
いて脱イオン水で充分にリンスし、さらに濾過乾燥窒素
で乾燥した。
高いビーム分解能を供給する熱フィラメント源を備えた
ベーコ（Veeco）MPH-400注入装置を用い、約60keVのエ
ネルギーで約３×1012cm-2の線量を有する29Si+イオン
を注入した。
注入した試料はすべて1HF:1H2O溶液中に30秒間浸漬し、
脱イオン水でリンスし、誘電堆積前に濾過窒素中で乾燥
した。約1000Åの厚さを有する再生ガラス膜をウェーハ
を放射加熱する２つの1kwのタングステンランプを備え
た電子ビーム蒸発装置中で堆積させた。被膜の堆積は約
５×10-6トルの圧力中で行った。
電子ビーム堆積用ガラスターゲットは上記の相分離法に
より得られる。ガラスターゲットは、VYCOR（特に製品
番号7913）のような市販製品として得られ、粒子堆積工
程中においてガラスターゲット原料として使用される。
注入後のアニール方法として、急速熱アニール法が用い
られた。この方法は熱源としてタングステンランプを用
いる電子ビーム蒸発装置内で行われる。代表的な急速熱
アニール方法は900〜1000℃の温度で３〜10秒間行われ
る。
被膜は1HF:IH2O溶液で約２分間で、またはCF4プラズマ
エッチング装置内で約10分間で容易に取除かれた。950
℃を越える温度のアニール後、被膜の剥離もふくれも観
察されなかった。６ケ月間以上保存した被膜について、
その有効なカプセル化剤としての品質は低下しなかっ
た。
深さに対するキャリア濃度の関係を10KHzの周波数でＣ
−Ｖ描写法により測定した。Ｃ−Ｖ測定は水銀プローブ
を用いて行い、ショットキーバリヤ接点を形成した。平
均移動度をファンデルパウ（Van der Pauw）技術を用い
るホール効果測定法により得た。
第３図および第４図は上記のように注入しさらにアニー
ルした２つのGaAs試料のドーピングプロフィールを示し
ている。第３図において、注入後の急速熱アニールは約
955℃で６秒間で行い、ガラスは室温で堆積した。第４
図において、注入後の急速熱アニールは約955℃で６秒
間行い、ガラスは室温で堆積した。第４図の場合、急速
熱アニールは殆ど同じ条件990℃で５秒間）の下で行
い、ガラス層は230℃で堆積した。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に従って積層されたガラスカプセル化層
を有利に有するアバランシェフォトダイオードの側面図
である； 第２図はフォトダイオードの暗電流を示しており、一方
のダイオードは本発明に従って再生ガラスで作られたも
のであり、他方のダイオードはリンケイ酸ガラスで作ら
れたものである； 第３図は室温におけるガラス堆積用基質表面からの深さ
に対するドーピング濃度のグラフの形でSi注入GaAsのド
ーピング状態を示している； 第４図は約230℃に加熱した基質上にガラスを堆積する
場合におけるSi注入GaAsのドーピング状態を示してい
る。 11……基質、12……n-InP層 13……吸収層、14……薄層 15……n+‐InP層、16……n-InP層 18……ダイオード領域 17……保護環領域 19、21……電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ａ (72)発明者 レグランド ジェラルド ヴァン ウイタ ート アメリカ合衆国 07960 ニュージャーシ イ，モリスタウン，テリー ドライヴ ２ (72)発明者 ジョージ ジョン ヅィドヅィック アメリカ合衆国 07832 ニュージャーシ イ，コロンビア，ピー．オー．ボックス 1762，アール．デー．ナンバー１ (56)参考文献 特開 昭59−150429（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−144183（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−275136（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−236127（ＪＰ，Ａ)

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】III-V族半導体本体からなり、かつ低い暗
    電流特性を有する半導体装置の製造方法であって、該方
    法が 粒子ビーム手段によって該半導体本体の表面の少なくと
    も一部分上にガラスターゲット物質を堆積して該表面の
    該少なくとも一部分と接触するガラス物質の領域を形成
    する工程であって、該ガラス物質が少なくとも１重量パ
    ーセントのB2O3と少なくとも90重量パーセントのSiO2と
    を含む再組織化ホウケイ酸ガラスである工程、 少なくとも一種の適切なドーパントを該III-V族半導体
    表面の少なくとも１つの予め選ばれた領域にイオン注入
    する工程であって、該イオン注入は該ガラス物質堆積工
    程の前又は後に行われる工程、 該ガラス領域を含む該本体を熱アニールする工程、およ
    び 該装置の製造を完了する工程からなり、 該ガラスターゲット物質が、 a.ホウケイ酸ナトリウムを含むホウケイ酸ナトリウムガ
    ラスを形成する工程、 b.該ホウケイ酸ナトリウムガラスをナトリウムリッチ相
    およびシリカリッチ相に相分離する工程、 c.該シリカリッチ相から該ナトリウムリッチ相を分離す
    る工程、および d.該シリカリッチ相を圧密化する工程からなる手段によ
    り1500℃未満の温度で製造されることを特徴とする方
    法。
  2. 【請求項２】粒子ビーム手段が電子ビーム堆積である特
    許請求の範囲第１項記載の方法。
  3. 【請求項３】半導体表面がケイ素の表面である特許請求
    の範囲第１項記載の方法。
  4. 【請求項４】半導体がIII-V族半導体化合物から成る特
    許請求の範囲第１項記載の方法。
  5. 【請求項５】III-V族半導体化合物がInPおよびGaAs並び
    にInPおよびGaAsに調和した格子を形成する化合物から
    成る群より選ばれる特許請求の範囲第４項記載の方法。
  6. 【請求項６】ガラス物質領域が少なくとも95重量パーセ
    ントのシリカおよび１〜５重量パーセントの酸化ホウ素
    を含む特許請求の範囲第１項記載の方法。
  7. 【請求項７】ガラス物質領域が実質的に96〜97重量パー
    セントのシリカ、0.1〜0.9重量パーセントのAl2O3およ
    び2.0〜4.0重量パーセントのB2O3から成る特許請求の範
    囲第６項記載の方法。
  8. 【請求項８】ホウケイ酸ナトリウムを含むホウケイ酸ナ
    トリウムガラスが、Na2O、B2O3およびSiO2を含む混合物
    を該混合物の融解温度と1500℃との間の温度まで加熱す
    ることにより製造される特許請求の範囲第１項記載の方
    法。
  9. 【請求項９】工程ａにおいて、混合物を1100℃と1300℃
    の間の温度に加熱する特許請求の範囲第８項記載の方
    法。
  10. 【請求項１０】混合物がNa2O、B2O3およびSiO2の他に、
    0.1〜3.0重量パーセントのAl2O3を含む特許請求の範囲
    第８項記載の方法。
  11. 【請求項１１】混合物が実質的に50〜70重量パーセント
    のSiO2、10〜30重量パーセントのNa2O、10〜30重量パー
    セントのB2O3および0.2〜2.5重量パーセントのAl2O3か
    ら成る特許請求の範囲第８項記載の方法。
  12. 【請求項１２】相分離が600〜900℃の範囲内の温度で加
    熱処理することにより行われる特許請求の範囲第１項記
    載の方法。
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