JPH07307276A - 反射防止膜の形成方法 - Google Patents
反射防止膜の形成方法Info
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- JPH07307276A JPH07307276A JP10124994A JP10124994A JPH07307276A JP H07307276 A JPH07307276 A JP H07307276A JP 10124994 A JP10124994 A JP 10124994A JP 10124994 A JP10124994 A JP 10124994A JP H07307276 A JPH07307276 A JP H07307276A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細パターンを形成するためにレジストの下
層などに反射防止膜を形成する際に、その膜質および膜
厚などの再現性を向上させること。 【構成】 反射防止膜１０３を形成するに際し、間決プ
ラズマＣＶＤ法を用いる。反射防止膜１０３は、硅素と
窒素と酸素を少なくとも含む化合物であることが好まし
い。間欠プラズマＣＶＤでは、成膜を制限するシャッタ
ー１３を用いることが好ましい。間欠プラズマＣＶＤで
は、プラズマが形成された直後から所定時間のタイミン
グで、繰り返し、反射防止膜１０３の成膜を行うか、ま
たはプラズマが形成された直後から数秒間は、反射防止
膜１０３の成膜を行わず、その後の所定時間のタイミン
グで、繰り返し、反射防止膜１０３の成膜を行うことが
好ましい。
層などに反射防止膜を形成する際に、その膜質および膜
厚などの再現性を向上させること。 【構成】 反射防止膜１０３を形成するに際し、間決プ
ラズマＣＶＤ法を用いる。反射防止膜１０３は、硅素と
窒素と酸素を少なくとも含む化合物であることが好まし
い。間欠プラズマＣＶＤでは、成膜を制限するシャッタ
ー１３を用いることが好ましい。間欠プラズマＣＶＤで
は、プラズマが形成された直後から所定時間のタイミン
グで、繰り返し、反射防止膜１０３の成膜を行うか、ま
たはプラズマが形成された直後から数秒間は、反射防止
膜１０３の成膜を行わず、その後の所定時間のタイミン
グで、繰り返し、反射防止膜１０３の成膜を行うことが
好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路の製法
に係わり、さらに詳しくは、そのリソグラフィー工程で
用いられる反射防止膜の形成方法に関する。
に係わり、さらに詳しくは、そのリソグラフィー工程で
用いられる反射防止膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】デバイスの高密度化に伴
って、配線技術は、ますます微細化および多層化の方向
に進んでいる。しかし、高集積化は、一方ではデバイス
の信頼性を低下させる要因になる場合がある。
って、配線技術は、ますます微細化および多層化の方向
に進んでいる。しかし、高集積化は、一方ではデバイス
の信頼性を低下させる要因になる場合がある。
【０００３】なぜなら、配線の微細化と多層化の進展に
よって層間絶縁膜の段差は大きく且つ急峻となり、その
上に形成される配線の加工精度および信頼性を低下させ
るためである。このため、現状のリソグラフィー技術を
用いて、その延命化を図りつつ、解像度の向上を行うに
は、まず、ひとつには層間絶縁膜の平坦性を向上させる
必要がある。これは、リソグラフィーの短波長化に伴う
焦点深度の低下の点からも重要になりつつある。
よって層間絶縁膜の段差は大きく且つ急峻となり、その
上に形成される配線の加工精度および信頼性を低下させ
るためである。このため、現状のリソグラフィー技術を
用いて、その延命化を図りつつ、解像度の向上を行うに
は、まず、ひとつには層間絶縁膜の平坦性を向上させる
必要がある。これは、リソグラフィーの短波長化に伴う
焦点深度の低下の点からも重要になりつつある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】もうひとつの重要な問
題は、下地からの反射を如何にして抑え、レジストの解
像度を維持するかと言うことである。このため、レジス
トの下に、いわゆる反射防止膜が形成される技術が主流
になりつつある。この反射防止膜の候補のひとつとし
て、本出願人が提案したＳｉＯＮ膜がある（特願平４−
３５９７５０）。ただし、反射防止膜自体は非常に薄い
ため、従来のプラズマＣＶＤ（Ａｌ膜上に成膜すること
もありうるので、低温で成膜できるプラズマＣＶＤが望
ましい）では、成膜時間が非常に短くて、膜厚や膜質の
再現性に問題があった。
題は、下地からの反射を如何にして抑え、レジストの解
像度を維持するかと言うことである。このため、レジス
トの下に、いわゆる反射防止膜が形成される技術が主流
になりつつある。この反射防止膜の候補のひとつとし
て、本出願人が提案したＳｉＯＮ膜がある（特願平４−
３５９７５０）。ただし、反射防止膜自体は非常に薄い
ため、従来のプラズマＣＶＤ（Ａｌ膜上に成膜すること
もありうるので、低温で成膜できるプラズマＣＶＤが望
ましい）では、成膜時間が非常に短くて、膜厚や膜質の
再現性に問題があった。
【０００５】とりわけ、前記ＳｉＯＮ膜で構成される反
射防止膜に対しては、Ｎ，Ｏの含有量で、ｎ，ｋなどの
光学常数をコントロールしているため、膜質の再現性が
キーポイントになるので、問題の解決が急がれていた。
また、反射防止膜の膜厚も、フォトリソグラフィー時の
反射防止効果に大きく影響することから、反射防止膜の
膜厚も高精度で制御する必要がある。
射防止膜に対しては、Ｎ，Ｏの含有量で、ｎ，ｋなどの
光学常数をコントロールしているため、膜質の再現性が
キーポイントになるので、問題の解決が急がれていた。
また、反射防止膜の膜厚も、フォトリソグラフィー時の
反射防止効果に大きく影響することから、反射防止膜の
膜厚も高精度で制御する必要がある。
【０００６】本発明は、上述した実情に鑑みてなされ、
微細パターンを形成するためにレジストの下層などに反
射防止膜を形成する際に、その膜質および膜厚などの再
現性を向上させることを目的とする。
微細パターンを形成するためにレジストの下層などに反
射防止膜を形成する際に、その膜質および膜厚などの再
現性を向上させることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、膜質および
膜厚などの再現性を向上させることができる反射防止膜
の形成方法について鋭意考察した結果、従来の反射防止
膜形成方法では、成膜時間が約１０秒間位と非常に短い
ため、プラズマが不安定な初期状態が成膜時間に占める
割合が多く、このために再現性が悪くなっていたと考え
た。そこで、本発明者は、プラズマが不安定なら不安定
な状態、安定なら安定の状態のみを選択的に用いれば良
いと考え、これらのいずれかの状態を選択的に用いて、
反射防止膜を成膜することで、その膜質および膜厚など
の条件の再現性を高めることを見い出し、本発明を完成
するに至った。
膜厚などの再現性を向上させることができる反射防止膜
の形成方法について鋭意考察した結果、従来の反射防止
膜形成方法では、成膜時間が約１０秒間位と非常に短い
ため、プラズマが不安定な初期状態が成膜時間に占める
割合が多く、このために再現性が悪くなっていたと考え
た。そこで、本発明者は、プラズマが不安定なら不安定
な状態、安定なら安定の状態のみを選択的に用いれば良
いと考え、これらのいずれかの状態を選択的に用いて、
反射防止膜を成膜することで、その膜質および膜厚など
の条件の再現性を高めることを見い出し、本発明を完成
するに至った。
【０００８】すなわち、本発明に係る反射防止膜の形成
方法は、反射防止膜を形成するに際し、間決プラズマＣ
ＶＤ法を用いることを特徴とする。上記反射防止膜は、
硅素と窒素と酸素を少なくとも含む化合物であることが
好ましい。
方法は、反射防止膜を形成するに際し、間決プラズマＣ
ＶＤ法を用いることを特徴とする。上記反射防止膜は、
硅素と窒素と酸素を少なくとも含む化合物であることが
好ましい。
【０００９】上記間欠プラズマＣＶＤでは、成膜を制限
するシャッターを用いることが好ましい。上記間欠プラ
ズマＣＶＤでは、プラズマが形成された直後から所定時
間のタイミングで、繰り返し、上記反射防止膜の成膜を
行うか、またはプラズマが形成された直後から数秒間
は、上記反射防止膜の成膜を行わず、その後の所定時間
のタイミングで、繰り返し、上記反射防止膜の成膜を行
うことが好ましい。成膜を行うタイミングの所定時間
は、好ましくは１〜５秒である。また、成膜工程と次の
成膜工程との間である間欠時間（成膜を行わない）は、
好ましくは１〜５秒である。さらに、成膜の繰り返し数
は、好ましくは２〜１２回、さらに好ましくは３〜６回
である。
するシャッターを用いることが好ましい。上記間欠プラ
ズマＣＶＤでは、プラズマが形成された直後から所定時
間のタイミングで、繰り返し、上記反射防止膜の成膜を
行うか、またはプラズマが形成された直後から数秒間
は、上記反射防止膜の成膜を行わず、その後の所定時間
のタイミングで、繰り返し、上記反射防止膜の成膜を行
うことが好ましい。成膜を行うタイミングの所定時間
は、好ましくは１〜５秒である。また、成膜工程と次の
成膜工程との間である間欠時間（成膜を行わない）は、
好ましくは１〜５秒である。さらに、成膜の繰り返し数
は、好ましくは２〜１２回、さらに好ましくは３〜６回
である。
【００１０】
【作用】プラズマが形成された直後から数秒間は、多少
プラズマの安定性が悪い。しかし、安定性が悪いこと自
体は、再現性があるので、これを逆手にとって、プラズ
マが形成される初期の時間のみで、即ち、数秒間ずつの
間欠プラズマの繰り返しで成膜すれば膜厚や膜質の再現
性は向上する。
プラズマの安定性が悪い。しかし、安定性が悪いこと自
体は、再現性があるので、これを逆手にとって、プラズ
マが形成される初期の時間のみで、即ち、数秒間ずつの
間欠プラズマの繰り返しで成膜すれば膜厚や膜質の再現
性は向上する。
【００１１】また、プラズマが安定するまで、基板をシ
ャッターで覆っておいて、プラズマが安定したら、シャ
ッターを用いて所定の時間だけ成膜すれば、膜厚や膜質
の再現性は向上する。なお、このシャッター付の成膜装
置としては、本出願人が既に出願したシャッター付成膜
装置（特開平５−２４３１８５号）を用いることができ
る。
ャッターで覆っておいて、プラズマが安定したら、シャ
ッターを用いて所定の時間だけ成膜すれば、膜厚や膜質
の再現性は向上する。なお、このシャッター付の成膜装
置としては、本出願人が既に出願したシャッター付成膜
装置（特開平５−２４３１８５号）を用いることができ
る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について説明
する。ここで、実際の成膜プロセスの説明に先立ち、ま
ず、本発明を実施するために使用した有磁場マイクロ波
プラズマＣＶＤ装置について、図１を参照しながら説明
する。
する。ここで、実際の成膜プロセスの説明に先立ち、ま
ず、本発明を実施するために使用した有磁場マイクロ波
プラズマＣＶＤ装置について、図１を参照しながら説明
する。
【００１３】図１は本発明の実施に用いた有磁場マイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置の概略図である。この装置につ
いて略述すると、マクネトロン１で発生されたマイクロ
波２を導波管３を通じて、石英ベルジャー４にて囲まれ
た反応室５に移送し、この反応室５を囲む形で設置され
ているソレノイドコイル６にて、マイクロ波の周波数
（２．４５ＧＨｚ）と、いわゆるＥＣＲ放電をおこす磁
場（８．７５×１０-2Ｔ）を発生させ、それにより、ガ
スプラズマ７を生じせしめる。
ロ波プラズマＣＶＤ装置の概略図である。この装置につ
いて略述すると、マクネトロン１で発生されたマイクロ
波２を導波管３を通じて、石英ベルジャー４にて囲まれ
た反応室５に移送し、この反応室５を囲む形で設置され
ているソレノイドコイル６にて、マイクロ波の周波数
（２．４５ＧＨｚ）と、いわゆるＥＣＲ放電をおこす磁
場（８．７５×１０-2Ｔ）を発生させ、それにより、ガ
スプラズマ７を生じせしめる。
【００１４】反射防止膜が成膜される半導体ウェーハな
どの基板８は、サセプター９上に載置されるように、図
示省力してある搬送手段で搬送され、サセプター９上に
設置される。サセプター９は、ヒーター１０を用いて加
熱され、これにより基板８も加熱される。ガスは、ガス
導入管１１を通じて導入され、排気管１２から、図示省
略してある排気系で排気される。
どの基板８は、サセプター９上に載置されるように、図
示省力してある搬送手段で搬送され、サセプター９上に
設置される。サセプター９は、ヒーター１０を用いて加
熱され、これにより基板８も加熱される。ガスは、ガス
導入管１１を通じて導入され、排気管１２から、図示省
略してある排気系で排気される。
【００１５】また、石英ベルジャー４内には、プラズマ
７が基板８の表面に流れることを適宜制限するシャッタ
ー１３が装着してある。すなわち、シャッター１３は、
石英ベルジャー４内に、開閉移動自在に装着され、基板
８の表面に対する成膜（膜の堆積）を制限する。なお、
シャッター１３は、開閉移動自在であれば、その開閉機
構は特に限定されず、スライド移動機構、回動移動機
構、あるいはカメラなどに用いられるシャッター移動機
構などの種々の手段が採用できる。また、シャッター１
３としては、プラズマイオンを適宜遮蔽することができ
れば、その構造は特に限定されず、金属メッシュなどで
構成することもできる。
７が基板８の表面に流れることを適宜制限するシャッタ
ー１３が装着してある。すなわち、シャッター１３は、
石英ベルジャー４内に、開閉移動自在に装着され、基板
８の表面に対する成膜（膜の堆積）を制限する。なお、
シャッター１３は、開閉移動自在であれば、その開閉機
構は特に限定されず、スライド移動機構、回動移動機
構、あるいはカメラなどに用いられるシャッター移動機
構などの種々の手段が採用できる。また、シャッター１
３としては、プラズマイオンを適宜遮蔽することができ
れば、その構造は特に限定されず、金属メッシュなどで
構成することもできる。
【００１６】〔実施例１〕以下、本発明に係る反射防止
膜の形成方法を用いて、実際の反射防止膜の形成に用い
た例を、図２，３を用いて示す。本実施例では、図１に
示す有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて間欠
プラズマＣＶＤを行い、反射防止膜を成膜した。なお、
本発明の本質と関係のない所の説明を省略し、図２で
は、実際のデバイスに比較して簡略化したデバイスを示
した。
膜の形成方法を用いて、実際の反射防止膜の形成に用い
た例を、図２，３を用いて示す。本実施例では、図１に
示す有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用いて間欠
プラズマＣＶＤを行い、反射防止膜を成膜した。なお、
本発明の本質と関係のない所の説明を省略し、図２で
は、実際のデバイスに比較して簡略化したデバイスを示
した。
【００１７】図２（ａ）に示すように、基板１０１上
に、例えば、ポリサイド膜１０２を、２００ｎｍの膜厚
で、通常の減圧ＣＶＤ法で形成した。ポリサイド膜１０
２としては、ポリシリコン膜上にタングステンシリサイ
ド膜などのシリサイド膜を成膜することにより形成し
た。
に、例えば、ポリサイド膜１０２を、２００ｎｍの膜厚
で、通常の減圧ＣＶＤ法で形成した。ポリサイド膜１０
２としては、ポリシリコン膜上にタングステンシリサイ
ド膜などのシリサイド膜を成膜することにより形成し
た。
【００１８】次に、図２（ｂ）に示すように、ポリサイ
ド膜１０２の上に、反射防止膜１０３を、以下の表１に
示す条件で、図１に示す装置を用いて成膜した。反射防
止膜１０３としては、特に限定されないが、本実施例で
は、ＳｉＯＮ：Ｈ（水素を含む酸化窒素シリコン）であ
った。
ド膜１０２の上に、反射防止膜１０３を、以下の表１に
示す条件で、図１に示す装置を用いて成膜した。反射防
止膜１０３としては、特に限定されないが、本実施例で
は、ＳｉＯＮ：Ｈ（水素を含む酸化窒素シリコン）であ
った。
【００１９】
【表１】 ガス流量 ： ＳｉＨ4 ／Ｎ2 Ｏ＝２０／４０SCCM 圧力 ： １．３３Ｐａ マイクロ波 ： ８５０Ｗ （２．４５ＧＨｚ） ＲＦバイアス： ０Ｗ 成膜時間 ： ３秒×４回 間欠時間 ： ３秒×３回 この時、図３に示すように、成膜条件ａのみを選択する
ように、図１に示すシャッター１３の開閉制御を行い、
それを繰り返す（実施例では４回）ことで、再現性の良
い成膜ができた。成膜条件ａは、プラズマが形成された
直後から数秒間のオーダーの間の条件であり、プラズマ
が安定する前の状態であるが、その状態なりに再現性が
ある。なお、プラズマが形成された直後とは、実質的に
直後であればよく、プラズマ形成後の数秒の間は、本発
明での「直後」である。
ように、図１に示すシャッター１３の開閉制御を行い、
それを繰り返す（実施例では４回）ことで、再現性の良
い成膜ができた。成膜条件ａは、プラズマが形成された
直後から数秒間のオーダーの間の条件であり、プラズマ
が安定する前の状態であるが、その状態なりに再現性が
ある。なお、プラズマが形成された直後とは、実質的に
直後であればよく、プラズマ形成後の数秒の間は、本発
明での「直後」である。
【００２０】〔実施例２〕本発明の別の実施例を、同じ
く図２，３を用いて示す。ここでも、本発明の本質と関
係のない所は説明を省略し、図２では、実際のデバイス
に比較して簡略化したデバイスを示した。
く図２，３を用いて示す。ここでも、本発明の本質と関
係のない所は説明を省略し、図２では、実際のデバイス
に比較して簡略化したデバイスを示した。
【００２１】図２（ａ）に示すように、基板１０１上
に、例えば、ポリサイド膜１０２を、２００ｎｍの膜厚
で、通常の減圧ＣＶＤ法で形成した。ポリサイド膜１０
２としては、ポリシリコン膜上にタングステンシリサイ
ド膜などのシリサイド膜を成膜することにより形成し
た。
に、例えば、ポリサイド膜１０２を、２００ｎｍの膜厚
で、通常の減圧ＣＶＤ法で形成した。ポリサイド膜１０
２としては、ポリシリコン膜上にタングステンシリサイ
ド膜などのシリサイド膜を成膜することにより形成し
た。
【００２２】次に、図２（ｂ）に示すように、ポリサイ
ド膜１０２の上に、反射防止膜１０３を、以下の表１に
示す条件で、図１に示す装置を用いて成膜した。反射防
止膜１０３としては、特に限定されないが、本実施例で
は、ＳｉＯＮ：Ｈ（水素を含む酸化窒素シリコン）であ
った。
ド膜１０２の上に、反射防止膜１０３を、以下の表１に
示す条件で、図１に示す装置を用いて成膜した。反射防
止膜１０３としては、特に限定されないが、本実施例で
は、ＳｉＯＮ：Ｈ（水素を含む酸化窒素シリコン）であ
った。
【００２３】
【表２】 ガス流量 ： ＳｉＨ4 ／Ｎ2 Ｏ＝２０／４０SCCM 圧力 ： １．３３Ｐａ マイクロ波 ： ８５０ｗ （２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ： ０Ｗ 成膜時間 ： ３秒×４回 間欠時間 ： ３秒×３回 この時、図３に示すように、成膜条件ｂのみを選択する
ように、図１に示すシャッター１３の開閉制御を行い、
それを繰り返す（実施例では４回）ことで、再現性の良
い成膜ができた。成膜条件ｂは、プラズマが形成された
直後から、１０秒前後程度経過した後の数秒の条件であ
り、プラズマは安定している。
ように、図１に示すシャッター１３の開閉制御を行い、
それを繰り返す（実施例では４回）ことで、再現性の良
い成膜ができた。成膜条件ｂは、プラズマが形成された
直後から、１０秒前後程度経過した後の数秒の条件であ
り、プラズマは安定している。
【００２４】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない範囲内
で、その構成、条件等は適宜変更可能である。たとえ
ば、本発明の方法で用いるプラズマＣＶＤ装置として
は、有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ装置に限定され
ず、ＩＣＰ（Inductive coupled plasma）ＣＶＤ装置、
ヘリコン波プラズマＣＶＤ装置、ＴＣＰ（Transformer
coupled plasma）ＣＶＤ装置、平行平板電極型ＣＶＤ装
置、あるいはその他のプラズマＣＶＤ法を用いても良
い。また、反射防止膜としては、ＳｉＯＮ：Ｈ（水素を
含む酸化窒素シリコン）に限らず、非晶質ＳｉＣ：Ｈ
（水素を含む炭化シリコン）や非晶質Ｃ：Ｈ（水素を含
むカーボン）を用いても良い。
れるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない範囲内
で、その構成、条件等は適宜変更可能である。たとえ
ば、本発明の方法で用いるプラズマＣＶＤ装置として
は、有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ装置に限定され
ず、ＩＣＰ（Inductive coupled plasma）ＣＶＤ装置、
ヘリコン波プラズマＣＶＤ装置、ＴＣＰ（Transformer
coupled plasma）ＣＶＤ装置、平行平板電極型ＣＶＤ装
置、あるいはその他のプラズマＣＶＤ法を用いても良
い。また、反射防止膜としては、ＳｉＯＮ：Ｈ（水素を
含む酸化窒素シリコン）に限らず、非晶質ＳｉＣ：Ｈ
（水素を含む炭化シリコン）や非晶質Ｃ：Ｈ（水素を含
むカーボン）を用いても良い。
【００２５】また、反射防止膜が成膜される下層側の膜
としては、ポリサイド膜に限定されず、ポリシリコン
膜、アルミ合金膜、アルミニウム膜、タングステン膜、
シリサイド膜、または層間絶縁膜などの絶縁膜など、特
に限定されない。
としては、ポリサイド膜に限定されず、ポリシリコン
膜、アルミ合金膜、アルミニウム膜、タングステン膜、
シリサイド膜、または層間絶縁膜などの絶縁膜など、特
に限定されない。
【００２６】
【発明の効果】以上、説明してきたように、本発明に係
る反射防止膜の形成方法によれば、従来技術では隘路に
なっていた、膜厚および膜質などの再現性の良い反射防
止膜の形成が可能になり、信頼性の良いプロセスで半導
体集積回路を製造することができる。
る反射防止膜の形成方法によれば、従来技術では隘路に
なっていた、膜厚および膜質などの再現性の良い反射防
止膜の形成が可能になり、信頼性の良いプロセスで半導
体集積回路を製造することができる。
【図１】図１は本発明の実施に用いた有磁場マイクロ波
プラズマＣＶＤ装置の概略図である。
プラズマＣＶＤ装置の概略図である。
【図２】図２（ａ），（ｂ）は反射防止膜の形成過程を
示す概略断面図である。
示す概略断面図である。
【図３】図３は本発明の実施例に係る反射防止膜の形成
方法の間欠タイミングを示すタイムチャート図である。
方法の間欠タイミングを示すタイムチャート図である。
１；マグネトロン １０１；基板 ２；マイクロ波 １０２；ポリ
サイド膜 ３；導波管 １０３；反射
防止膜 ４；石英ベルジャー ５；反応室 ６；ソレノイドコイル ７；ガスプラズマ ８；基板 ９；サセプター １０；ヒータ １１；ガス導入管 １２；排気管 １３；シャッター
サイド膜 ３；導波管 １０３；反射
防止膜 ４；石英ベルジャー ５；反応室 ６；ソレノイドコイル ７；ガスプラズマ ８；基板 ９；サセプター １０；ヒータ １１；ガス導入管 １２；排気管 １３；シャッター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/3065
Claims (5)
- 【請求項１】反射防止膜の形成方法であって、間欠プラ
ズマＣＶＤ法を用いて上記反射防止膜を成膜することを
特徴とする反射防止膜の形成方法。 - 【請求項２】上記反射防止膜は、硅素と窒素と酸素を少
なくとも含む化合物であることを特徴とする請求項１に
記載の反射防止膜の形成方法。 - 【請求項３】上記間欠プラズマＣＶＤでは、成膜を制限
するシャッターを用いることを特徴とする請求項１また
は２に記載の反射防止膜の形成方法。 - 【請求項４】上記間欠プラズマＣＶＤでは、プラズマが
形成された直後から所定時間のタイミングで、繰り返
し、上記反射防止膜の成膜を行う請求項１〜３のいずれ
かに記載の反射防止膜の形成方法。 - 【請求項５】上記間欠プラズマＣＶＤでは、プラズマが
形成された直後から数秒間は、上記反射防止膜の成膜を
行わず、その後の所定時間のタイミングで、繰り返し、
上記反射防止膜の成膜を行う請求項１〜３のいずれかに
記載の反射防止膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10124994A JP3395348B2 (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 反射防止膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10124994A JP3395348B2 (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 反射防止膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307276A true JPH07307276A (ja) | 1995-11-21 |
| JP3395348B2 JP3395348B2 (ja) | 2003-04-14 |
Family
ID=14295642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10124994A Expired - Fee Related JP3395348B2 (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 反射防止膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3395348B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010215967A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Fujifilm Corp | ガスバリア膜の製造方法、太陽電池用ガスバリアフィルム、および、ディスプレイ用ガスバリアフィルム |
-
1994
- 1994-05-16 JP JP10124994A patent/JP3395348B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010215967A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Fujifilm Corp | ガスバリア膜の製造方法、太陽電池用ガスバリアフィルム、および、ディスプレイ用ガスバリアフィルム |
| US8455059B2 (en) | 2009-03-17 | 2013-06-04 | Fujifilm Corporation | Method of producing gas barrier layer, gas barrier film for solar batteries and gas barrier film for displays |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3395348B2 (ja) | 2003-04-14 |
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