JPH07306724A - 熱媒装置の温度制御方法および装置 - Google Patents
熱媒装置の温度制御方法および装置Info
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- JPH07306724A JPH07306724A JP6100031A JP10003194A JPH07306724A JP H07306724 A JPH07306724 A JP H07306724A JP 6100031 A JP6100031 A JP 6100031A JP 10003194 A JP10003194 A JP 10003194A JP H07306724 A JPH07306724 A JP H07306724A
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- heater
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- temperature control
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
- B29C48/25—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C48/78—Thermal treatment of the extrusion moulding material or of preformed parts or layers, e.g. by heating or cooling
- B29C48/80—Thermal treatment of the extrusion moulding material or of preformed parts or layers, e.g. by heating or cooling at the plasticising zone, e.g. by heating cylinders
- B29C48/83—Heating or cooling the cylinders
- B29C48/832—Heating
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- B29C48/00—Extrusion moulding, i.e. expressing the moulding material through a die or nozzle which imparts the desired form; Apparatus therefor
- B29C48/25—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C48/92—Measuring, controlling or regulating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C2948/00—Indexing scheme relating to extrusion moulding
- B29C2948/92—Measuring, controlling or regulating
- B29C2948/92504—Controlled parameter
- B29C2948/92704—Temperature
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- Mechanical Engineering (AREA)
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- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Extrusion Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
- Control Of Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 長寿命化，発熱抑制，装置の小型化，温度制
御性の向上を図る。 【構成】 ４個のヒータ（６ａ〜６ｄ）のうち３個のヒ
ータを粗調整用ヒータ（６ｂ〜６ｄ）とし、１個のヒー
タを精調整用ヒータ（６ａ）とする。粗調整用ヒータ
（６ｂ〜６ｄ）の制御は、電磁接触器（ＭＣ２〜ＭＣ
４）の開閉制御により行い、精調整用ヒータ（６ａ）の
制御は、電力用半導体（ＳＣＲ１）のＰＷＭ制御により
行う。 【効果】 粗調整の制御と精調整の制御に例えば電磁接
触器と電力用半導体の使い分けが可能となるから、長寿
命化を図れると共に発熱を抑制できる。また、装置を小
型化でき、さらに、優れた温度の制御性を得られる。
御性の向上を図る。 【構成】 ４個のヒータ（６ａ〜６ｄ）のうち３個のヒ
ータを粗調整用ヒータ（６ｂ〜６ｄ）とし、１個のヒー
タを精調整用ヒータ（６ａ）とする。粗調整用ヒータ
（６ｂ〜６ｄ）の制御は、電磁接触器（ＭＣ２〜ＭＣ
４）の開閉制御により行い、精調整用ヒータ（６ａ）の
制御は、電力用半導体（ＳＣＲ１）のＰＷＭ制御により
行う。 【効果】 粗調整の制御と精調整の制御に例えば電磁接
触器と電力用半導体の使い分けが可能となるから、長寿
命化を図れると共に発熱を抑制できる。また、装置を小
型化でき、さらに、優れた温度の制御性を得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱媒装置の温度制御方
法および装置に関し、さらに詳しくは、装置を小型化で
きると共に優れた温度の制御性を得ることが出来る熱媒
装置の温度制御方法および装置に関する。
法および装置に関し、さらに詳しくは、装置を小型化で
きると共に優れた温度の制御性を得ることが出来る熱媒
装置の温度制御方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来の温度制御装置の一例を含
む押出機システムを示す説明図である。この押出機シス
テム５００は、温度制御装置５１と、熱媒装置２と、押
出機Ｋとを具備して構成されている。前記温度制御装置
５１は、電源ラインＬから給電されて作動し、温度セン
サＴにより検出された熱媒油Ｑの温度信号Ｓｐに応じて
熱媒装置２のヒータ部２１を制御する。熱媒装置２のポ
ンプＰは、前記ヒータ部２１で加熱された熱媒油Ｑを押
出機Ｋに送り出し、前記押出機Ｋのシリンダ（図示せ
ず）を加熱する。
む押出機システムを示す説明図である。この押出機シス
テム５００は、温度制御装置５１と、熱媒装置２と、押
出機Ｋとを具備して構成されている。前記温度制御装置
５１は、電源ラインＬから給電されて作動し、温度セン
サＴにより検出された熱媒油Ｑの温度信号Ｓｐに応じて
熱媒装置２のヒータ部２１を制御する。熱媒装置２のポ
ンプＰは、前記ヒータ部２１で加熱された熱媒油Ｑを押
出機Ｋに送り出し、前記押出機Ｋのシリンダ（図示せ
ず）を加熱する。
【０００３】図８は、温度制御装置５１とヒータ部２１
を示す構成図である。温度制御装置５１は、温度センサ
Ｔからの温度信号Ｓｐを入力される温度コントローラ６
１と、その温度コントローラ６１により制御される電磁
接触器ＭＣとを具備して構成されている。ヒータ部２１
は、前記電磁接触器ＭＣの接点からヒータ用動力線５
ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄに結ばれたヒータ６ａ，６ｂ，６
ｃ，６ｄから構成されている。
を示す構成図である。温度制御装置５１は、温度センサ
Ｔからの温度信号Ｓｐを入力される温度コントローラ６
１と、その温度コントローラ６１により制御される電磁
接触器ＭＣとを具備して構成されている。ヒータ部２１
は、前記電磁接触器ＭＣの接点からヒータ用動力線５
ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄに結ばれたヒータ６ａ，６ｂ，６
ｃ，６ｄから構成されている。
【０００４】図９は、上記温度コントローラ６１による
温度制御処理の動作手順を示す流れ図である。温度コン
トローラ６１は、温度センサＴから温度信号Ｓｐが入力
される（ステップＵ１）と、ＰＩＤ（Proportional Int
egral and Differential）演算を行なって（ステップＵ
２）、操作出力Ｍ［％］を算出する（ステップＵ３）。
次に、温度コントローラ６１は、操作出力Ｍ［％］に応
じたデューティ比で電磁接触器ＭＣを開閉し、ヒータ６
ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄをオン／オフする。なお、電磁接
触器ＭＣの開閉周期は、一般に、数十秒〜１分間程度で
ある。
温度制御処理の動作手順を示す流れ図である。温度コン
トローラ６１は、温度センサＴから温度信号Ｓｐが入力
される（ステップＵ１）と、ＰＩＤ（Proportional Int
egral and Differential）演算を行なって（ステップＵ
２）、操作出力Ｍ［％］を算出する（ステップＵ３）。
次に、温度コントローラ６１は、操作出力Ｍ［％］に応
じたデューティ比で電磁接触器ＭＣを開閉し、ヒータ６
ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄをオン／オフする。なお、電磁接
触器ＭＣの開閉周期は、一般に、数十秒〜１分間程度で
ある。
【０００５】図１０は、従来の温度制御装置の他の一例
を示す構成図である。この温度制御装置７１は、上記温
度制御装置６１の電磁接触器ＭＣの代りに電力用半導体
（例えばソリッドステートリレーやサイリスタモジュー
ル）ＳＣＲを用いたものであり、温度コントローラ６２
は、操作出力Ｍ［％］に応じて電力用半導体ＳＣＲをＰ
ＷＭ（Pulse Width Modulation）制御する。
を示す構成図である。この温度制御装置７１は、上記温
度制御装置６１の電磁接触器ＭＣの代りに電力用半導体
（例えばソリッドステートリレーやサイリスタモジュー
ル）ＳＣＲを用いたものであり、温度コントローラ６２
は、操作出力Ｍ［％］に応じて電力用半導体ＳＣＲをＰ
ＷＭ（Pulse Width Modulation）制御する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の温度制御装
置５１では、電磁接触器ＭＣでの発熱が小さい利点や，
電磁接触器ＭＣのサイズが小さい利点がある。しかし、
接点の摩耗が激しく寿命が短い問題点や，開閉速度に限
界があるので温度の制御性が悪いなどの問題点がある。
一方、上記従来の温度制御装置７１では、電力用半導体
ＳＣＲが接点を持たないため寿命が長い利点や，電力用
半導体ＳＣＲの応答速度が速いため温度制御をきめ細か
く行なえる利点がある。しかし、発熱が大きい問題点
や，放熱器などを考慮するとサイズが大きくなってしま
う問題点がある。そこで、本発明の目的は、発熱を小さ
くでき、装置を小型化でき、寿命を長くでき、さらに、
優れた温度の制御性を得ることが出来る熱媒装置の温度
制御方法および装置を提供することにある。
置５１では、電磁接触器ＭＣでの発熱が小さい利点や，
電磁接触器ＭＣのサイズが小さい利点がある。しかし、
接点の摩耗が激しく寿命が短い問題点や，開閉速度に限
界があるので温度の制御性が悪いなどの問題点がある。
一方、上記従来の温度制御装置７１では、電力用半導体
ＳＣＲが接点を持たないため寿命が長い利点や，電力用
半導体ＳＣＲの応答速度が速いため温度制御をきめ細か
く行なえる利点がある。しかし、発熱が大きい問題点
や，放熱器などを考慮するとサイズが大きくなってしま
う問題点がある。そこで、本発明の目的は、発熱を小さ
くでき、装置を小型化でき、寿命を長くでき、さらに、
優れた温度の制御性を得ることが出来る熱媒装置の温度
制御方法および装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、Ｎ個（Ｎ≧２）のヒータからなるヒータ群により熱
媒を加熱し前記熱媒の温度を制御する熱媒装置の温度制
御方法において、ｉ（１≦ｉ≦Ｎ−１）個のヒータを制
御出力の粗調整用ヒータとして制御し、残り（Ｎ−ｉ）
個のヒータを制御出力の精調整用ヒータとして制御する
ことを特徴とする熱媒装置の温度制御方法を提供する。
は、Ｎ個（Ｎ≧２）のヒータからなるヒータ群により熱
媒を加熱し前記熱媒の温度を制御する熱媒装置の温度制
御方法において、ｉ（１≦ｉ≦Ｎ−１）個のヒータを制
御出力の粗調整用ヒータとして制御し、残り（Ｎ−ｉ）
個のヒータを制御出力の精調整用ヒータとして制御する
ことを特徴とする熱媒装置の温度制御方法を提供する。
【０００８】第２の観点では、本発明は、Ｎ個（Ｎ≧
２）のヒータからなるヒータ群により熱媒を加熱し前記
熱媒の温度を制御する熱媒装置の温度制御装置におい
て、ｉ（１≦ｉ≦Ｎ−１）個のヒータを粗調整用ヒータ
として制御出力の粗調整を行なうよう制御する粗調整用
ヒータ制御手段と、（Ｎ−ｉ）個のヒータを精調整用ヒ
ータとして制御出力の精調整を行なうよう制御する精調
整用ヒータ制御手段とを具備したこと特徴とする熱媒装
置の温度制御装置を提供する。
２）のヒータからなるヒータ群により熱媒を加熱し前記
熱媒の温度を制御する熱媒装置の温度制御装置におい
て、ｉ（１≦ｉ≦Ｎ−１）個のヒータを粗調整用ヒータ
として制御出力の粗調整を行なうよう制御する粗調整用
ヒータ制御手段と、（Ｎ−ｉ）個のヒータを精調整用ヒ
ータとして制御出力の精調整を行なうよう制御する精調
整用ヒータ制御手段とを具備したこと特徴とする熱媒装
置の温度制御装置を提供する。
【０００９】上記構成において、粗調整用ヒータの数ｉ
を（Ｎ−１）個とし、精調整用ヒータの数を１個とする
ことが好ましい。また、上記構成において、制御出力範
囲を０〜１００［％］とし、Ｎ個のヒータにそれぞれＰ
＝１００／Ｎ［％］ずつ制御出力範囲を分担させ、操作
出力Ｍ［％］がＭ≦ＰのときはＩを“０”とし、操作出
力Ｍ［％］がＭ＞ＰのときはＭ／Ｐ−１≦Ｉ＜Ｍ／Ｐな
る自然数をＩとし、Ｉ個の粗調整用ヒータをオンし且つ
（Ｎ−１−Ｉ）個の粗調整用ヒータをオフしてＩ個の粗
調整用ヒータでＰ・Ｉ［％］の制御出力を受け持たせる
と共に、１個の精調整用ヒータで（Ｍ−Ｐ・Ｉ）［％］
の制御出力を受け持たせることが好ましい。また、上記
構成において、粗調整用ヒータの電流を機械的な接点を
有する接点スイッチによりオン／オフすることで制御出
力の粗調整を行ない、精調整用ヒータの電流を電力用半
導体により制御することで制御出力の精調整を行なうこ
とが好ましい。
を（Ｎ−１）個とし、精調整用ヒータの数を１個とする
ことが好ましい。また、上記構成において、制御出力範
囲を０〜１００［％］とし、Ｎ個のヒータにそれぞれＰ
＝１００／Ｎ［％］ずつ制御出力範囲を分担させ、操作
出力Ｍ［％］がＭ≦ＰのときはＩを“０”とし、操作出
力Ｍ［％］がＭ＞ＰのときはＭ／Ｐ−１≦Ｉ＜Ｍ／Ｐな
る自然数をＩとし、Ｉ個の粗調整用ヒータをオンし且つ
（Ｎ−１−Ｉ）個の粗調整用ヒータをオフしてＩ個の粗
調整用ヒータでＰ・Ｉ［％］の制御出力を受け持たせる
と共に、１個の精調整用ヒータで（Ｍ−Ｐ・Ｉ）［％］
の制御出力を受け持たせることが好ましい。また、上記
構成において、粗調整用ヒータの電流を機械的な接点を
有する接点スイッチによりオン／オフすることで制御出
力の粗調整を行ない、精調整用ヒータの電流を電力用半
導体により制御することで制御出力の精調整を行なうこ
とが好ましい。
【００１０】
【作用】本発明の熱媒装置の温度制御方法および装置で
は、Ｎ個のヒータ（６ａ〜６ｄ）のうちｉ（１≦ｉ≦Ｎ
−１）個のヒータを粗調整用ヒータとして制御して制御
出力の粗調整を行ない、残りの（Ｎ−ｉ）個のヒータを
精調整用ヒータとして制御して制御出力の精調整を行な
う。このように、粗調整用ヒータと精調整用ヒータとに
分けて温度制御を行うから、粗調整用ヒータの制御に例
えば電磁接触器（ＭＣ２〜ＭＣ４）を用い，精調整用ヒ
ータの制御に例えば電力用半導体（ＳＣＲ１）を用いる
ような使い分けが可能となる。この使い分けが出来る結
果、電磁接触器（ＭＣ２〜ＭＣ４）での接点の開閉回数
を減らして長寿命化を図ることが出来ると共に、電力用
半導体（ＳＣＲ１）での制御出力範囲を限定できて発熱
を抑制できるようになる。そして、装置を小型化でき、
さらに、優れた温度の制御性を得られるようになる。
は、Ｎ個のヒータ（６ａ〜６ｄ）のうちｉ（１≦ｉ≦Ｎ
−１）個のヒータを粗調整用ヒータとして制御して制御
出力の粗調整を行ない、残りの（Ｎ−ｉ）個のヒータを
精調整用ヒータとして制御して制御出力の精調整を行な
う。このように、粗調整用ヒータと精調整用ヒータとに
分けて温度制御を行うから、粗調整用ヒータの制御に例
えば電磁接触器（ＭＣ２〜ＭＣ４）を用い，精調整用ヒ
ータの制御に例えば電力用半導体（ＳＣＲ１）を用いる
ような使い分けが可能となる。この使い分けが出来る結
果、電磁接触器（ＭＣ２〜ＭＣ４）での接点の開閉回数
を減らして長寿命化を図ることが出来ると共に、電力用
半導体（ＳＣＲ１）での制御出力範囲を限定できて発熱
を抑制できるようになる。そして、装置を小型化でき、
さらに、優れた温度の制御性を得られるようになる。
【００１１】なお、粗調整用ヒータの数ｉを（Ｎ−１）
個とし，精調整用ヒータの数を１個とすれば、装置を最
も小型化できる。また、制御出力範囲を０〜１００
［％］とし，Ｎ個のヒータにそれぞれＰ＝１００／Ｎ
［％］ずつ制御出力範囲を分担させ、操作出力Ｍ［％］
がＭ≦ＰのときはＩを“０”とし、操作出力Ｍ［％］が
Ｍ＞ＰのときはＭ／Ｐ−１≦Ｉ＜Ｍ／Ｐなる自然数をＩ
とし、Ｉ個の粗調整用ヒータをオンし且つ（Ｎ−１−
Ｉ）個の粗調整用ヒータをオフしてＩ個の粗調整用ヒー
タでＰ・Ｉ［％］の制御出力を受け持たせると共に、１
個の精調整用ヒータで（Ｍ−Ｐ・Ｉ）［％］の制御出力
を受け持たせれば、制御を最も簡単化できる。また、機
械的な接点を有する接点スイッチにより制御出力の粗調
整を行ない、電力用半導体により制御出力の精調整を行
なえば、接点スイッチと電力用半導体のそれぞれの利点
を最大限に活用できる。
個とし，精調整用ヒータの数を１個とすれば、装置を最
も小型化できる。また、制御出力範囲を０〜１００
［％］とし，Ｎ個のヒータにそれぞれＰ＝１００／Ｎ
［％］ずつ制御出力範囲を分担させ、操作出力Ｍ［％］
がＭ≦ＰのときはＩを“０”とし、操作出力Ｍ［％］が
Ｍ＞ＰのときはＭ／Ｐ−１≦Ｉ＜Ｍ／Ｐなる自然数をＩ
とし、Ｉ個の粗調整用ヒータをオンし且つ（Ｎ−１−
Ｉ）個の粗調整用ヒータをオフしてＩ個の粗調整用ヒー
タでＰ・Ｉ［％］の制御出力を受け持たせると共に、１
個の精調整用ヒータで（Ｍ−Ｐ・Ｉ）［％］の制御出力
を受け持たせれば、制御を最も簡単化できる。また、機
械的な接点を有する接点スイッチにより制御出力の粗調
整を行ない、電力用半導体により制御出力の精調整を行
なえば、接点スイッチと電力用半導体のそれぞれの利点
を最大限に活用できる。
【００１２】
【実施例】以下、図に示す実施例により本発明をさらに
詳細に説明する。なお、これにより本発明が限定される
ものではない。
詳細に説明する。なお、これにより本発明が限定される
ものではない。
【００１３】−第１実施例− 図１は、本発明の第１実施例の温度制御装置を含む押出
機システムの説明図である。この押出機システム１００
は、温度制御装置１と、熱媒装置２と、押出機Ｋとを具
備して構成されている。前記温度制御装置１は、電源ラ
インＬから給電されて作動し、温度センサＴにより検出
された熱媒油Ｑの温度信号Ｓｐに応じて熱媒装置２のヒ
ータ部２１を制御する。なお、前記熱媒油Ｑとしては、
例えば、ＮｅｏＳＫ−ＯＩＬ＃１４００（綜研化学製）
が挙げられる。熱媒装置２のポンプＰは、前記ヒータ部
２１で加熱された熱媒油Ｑを押出機Ｋに送り出し、前記
押出機Ｋのシリンダ（図示せず）を加熱する。なお、押
出機Ｋにおける成形材料としては、例えば、高密度ポリ
エチレンや，硬質塩化ビニル樹脂コンパウンドが挙げら
れる。
機システムの説明図である。この押出機システム１００
は、温度制御装置１と、熱媒装置２と、押出機Ｋとを具
備して構成されている。前記温度制御装置１は、電源ラ
インＬから給電されて作動し、温度センサＴにより検出
された熱媒油Ｑの温度信号Ｓｐに応じて熱媒装置２のヒ
ータ部２１を制御する。なお、前記熱媒油Ｑとしては、
例えば、ＮｅｏＳＫ−ＯＩＬ＃１４００（綜研化学製）
が挙げられる。熱媒装置２のポンプＰは、前記ヒータ部
２１で加熱された熱媒油Ｑを押出機Ｋに送り出し、前記
押出機Ｋのシリンダ（図示せず）を加熱する。なお、押
出機Ｋにおける成形材料としては、例えば、高密度ポリ
エチレンや，硬質塩化ビニル樹脂コンパウンドが挙げら
れる。
【００１４】図２は、温度制御装置１とヒータ部２１を
示す構成図である。温度制御装置１は、温度センサＴか
らの温度信号Ｓｐを入力される温度コントローラ３０
と、その温度コントローラ３０によりＰＷＭ制御される
電力用半導体ＳＣＲ１（例えばソリッドステートリレー
やサイリスタモジュール）と、前記温度コントローラ３
０により開閉される電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ４
とを具備して構成されている。ヒータ部２１は、前記電
力用半導体ＳＣＲ１からのヒータ用動力線５ａと結ばれ
たヒータ６ａと、前記電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ
４の接点からのヒータ用動力線５ｂ，５ｃ，５ｄにそれ
ぞれ結ばれたヒータ６ｂ，６ｃ，６ｄとを具備して構成
されている。これらヒータ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄは、
３本のヒータ素子をΔ接続した構成であり、それぞれ同
一の容量である。従って、制御出力範囲を０〜１００
［％］とすると、４個のヒータ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ
はそれぞれＰ＝２５［％］ずつ制御出力範囲を分担す
る。
示す構成図である。温度制御装置１は、温度センサＴか
らの温度信号Ｓｐを入力される温度コントローラ３０
と、その温度コントローラ３０によりＰＷＭ制御される
電力用半導体ＳＣＲ１（例えばソリッドステートリレー
やサイリスタモジュール）と、前記温度コントローラ３
０により開閉される電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ４
とを具備して構成されている。ヒータ部２１は、前記電
力用半導体ＳＣＲ１からのヒータ用動力線５ａと結ばれ
たヒータ６ａと、前記電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ
４の接点からのヒータ用動力線５ｂ，５ｃ，５ｄにそれ
ぞれ結ばれたヒータ６ｂ，６ｃ，６ｄとを具備して構成
されている。これらヒータ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄは、
３本のヒータ素子をΔ接続した構成であり、それぞれ同
一の容量である。従って、制御出力範囲を０〜１００
［％］とすると、４個のヒータ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ
はそれぞれＰ＝２５［％］ずつ制御出力範囲を分担す
る。
【００１５】図３は、上記温度コントローラ３０による
温度制御処理の動作手順を示す流れ図である。なお、初
期状態では、電力用半導体ＳＣＲ１はオフ状態で、電磁
接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ４は開状態である。温度コ
ントローラ３０は、温度センサＴから温度信号Ｓｐが入
力される（ステップＳ１）と、ＰＩＤ演算を行なって
（ステップＳ２）、操作出力Ｍ［％］を算出する（ステ
ップＳ３）。ステップＳ４〜ステップＳ６では、温度コ
ントローラ３０は、操作出力Ｍ［％］に応じて処理を分
岐する。すなわち、操作出力Ｍ［％］が７５＜Ｍ≦１０
０であれば（ステップＳ４）、ステップＳ７に進む。操
作出力Ｍ［％］が５０＜Ｍ≦７５であれば（ステップＳ
５）、ステップＳ９に進む。操作出力Ｍ［％］が２５＜
Ｍ≦５０であれば（ステップＳ６）、ステップＳ１１に
進む。操作出力Ｍ［％］がＭ≦２５であれば（ステップ
Ｓ６）、ステップＳ１３に進む。
温度制御処理の動作手順を示す流れ図である。なお、初
期状態では、電力用半導体ＳＣＲ１はオフ状態で、電磁
接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ４は開状態である。温度コ
ントローラ３０は、温度センサＴから温度信号Ｓｐが入
力される（ステップＳ１）と、ＰＩＤ演算を行なって
（ステップＳ２）、操作出力Ｍ［％］を算出する（ステ
ップＳ３）。ステップＳ４〜ステップＳ６では、温度コ
ントローラ３０は、操作出力Ｍ［％］に応じて処理を分
岐する。すなわち、操作出力Ｍ［％］が７５＜Ｍ≦１０
０であれば（ステップＳ４）、ステップＳ７に進む。操
作出力Ｍ［％］が５０＜Ｍ≦７５であれば（ステップＳ
５）、ステップＳ９に進む。操作出力Ｍ［％］が２５＜
Ｍ≦５０であれば（ステップＳ６）、ステップＳ１１に
進む。操作出力Ｍ［％］がＭ≦２５であれば（ステップ
Ｓ６）、ステップＳ１３に進む。
【００１６】ステップＳ７では、温度コントローラ３０
は、電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ４を“閉状態”と
する。次に、電力用半導体ＳＣＲ１の制御出力が（Ｍ−
７５）［％］となるようにＰＷＭ制御する（ステップＳ
８）。これにより、ヒータ６ａで（Ｍ−７５）［％］
（ヒータ６ａ自身にとっては４（Ｍ−７５）％）の制御
出力を受け持ち、ヒータ６ｂ，６ｃ，６ｄでそれぞれ２
５［％］（ヒータ６ｂ，６ｃ，６ｄ自身にとっては１０
０％）の制御出力を受け持つことになる。この後、前記
ステップＳ１に戻る。
は、電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ４を“閉状態”と
する。次に、電力用半導体ＳＣＲ１の制御出力が（Ｍ−
７５）［％］となるようにＰＷＭ制御する（ステップＳ
８）。これにより、ヒータ６ａで（Ｍ−７５）［％］
（ヒータ６ａ自身にとっては４（Ｍ−７５）％）の制御
出力を受け持ち、ヒータ６ｂ，６ｃ，６ｄでそれぞれ２
５［％］（ヒータ６ｂ，６ｃ，６ｄ自身にとっては１０
０％）の制御出力を受け持つことになる。この後、前記
ステップＳ１に戻る。
【００１７】ステップＳ９では、温度コントローラ３０
は、電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３を“閉状態”とする（電
磁接触器ＭＣ４は“開状態”とする）。次に、電力用半
導体ＳＣＲ１の制御出力が（Ｍ−５０）［％］となるよ
うにＰＷＭ制御する（ステップＳ１０）。これにより、
ヒータ６ａで（Ｍ−５０）［％］（ヒータ６ａ自身にと
っては４（Ｍ−５０）％）の制御出力を受け持ち、ヒー
タ６ｂ，６ｃでそれぞれ２５［％］（ヒータ６ｂ，６ｃ
自身にとっては１００％）の制御出力を受け持つことに
なる。この後、前記ステップＳ１に戻る。
は、電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３を“閉状態”とする（電
磁接触器ＭＣ４は“開状態”とする）。次に、電力用半
導体ＳＣＲ１の制御出力が（Ｍ−５０）［％］となるよ
うにＰＷＭ制御する（ステップＳ１０）。これにより、
ヒータ６ａで（Ｍ−５０）［％］（ヒータ６ａ自身にと
っては４（Ｍ−５０）％）の制御出力を受け持ち、ヒー
タ６ｂ，６ｃでそれぞれ２５［％］（ヒータ６ｂ，６ｃ
自身にとっては１００％）の制御出力を受け持つことに
なる。この後、前記ステップＳ１に戻る。
【００１８】ステップＳ１１では、温度コントローラ３
０は、電磁接触器ＭＣ２を“閉状態”とする（電磁接触
器ＭＣ３，ＭＣ４は“開状態”とする）。次に、電力用
半導体ＳＣＲ１の制御出力が（Ｍ−２５）［％］となる
ようにＰＷＭ制御する（ステップＳ１２）。これによ
り、ヒータ６ａで（Ｍ−２５）［％］（ヒータ６ａ自身
にとっては４（Ｍ−２５）％）の制御出力を受け持ち、
ヒータ６ｂで２５［％］（ヒータ６ｂ自身にとっては１
００％）の制御出力を受け持つことになる。この後、前
記ステップＳ１に戻る。
０は、電磁接触器ＭＣ２を“閉状態”とする（電磁接触
器ＭＣ３，ＭＣ４は“開状態”とする）。次に、電力用
半導体ＳＣＲ１の制御出力が（Ｍ−２５）［％］となる
ようにＰＷＭ制御する（ステップＳ１２）。これによ
り、ヒータ６ａで（Ｍ−２５）［％］（ヒータ６ａ自身
にとっては４（Ｍ−２５）％）の制御出力を受け持ち、
ヒータ６ｂで２５［％］（ヒータ６ｂ自身にとっては１
００％）の制御出力を受け持つことになる。この後、前
記ステップＳ１に戻る。
【００１９】ステップＳ１３では、温度コントローラ３
０は、電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ４を全て“開状
態”とし、電力用半導体ＳＣＲ１の制御出力がＭ［％］
となるようにＰＷＭ制御する。これにより、ヒータ６ａ
でＭ［％］（ヒータ６ａ自身にとっては４Ｍ％）の制御
出力を受け持ち、ヒータ６ｂ，６ｃ，６ｄは制御出力
“０”の状態になる。この後、前記ステップＳ１に戻
る。
０は、電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ４を全て“開状
態”とし、電力用半導体ＳＣＲ１の制御出力がＭ［％］
となるようにＰＷＭ制御する。これにより、ヒータ６ａ
でＭ［％］（ヒータ６ａ自身にとっては４Ｍ％）の制御
出力を受け持ち、ヒータ６ｂ，６ｃ，６ｄは制御出力
“０”の状態になる。この後、前記ステップＳ１に戻
る。
【００２０】上記第１実施例の温度制御装置１によれ
ば、電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ４で粗調整を行な
い、電力用半導体ＳＣＲ１で精調整を行なうように使い
分けを行うから、電磁接触器ＭＣ２〜ＭＣ４での接点の
開閉回数が減り、長寿命化を図れる。また、電力用半導
体ＳＣＲ１での制御出力範囲が２５％以下に限定され、
発熱を抑制できるようになる。そして、装置を小型化で
き、さらに、優れた温度の制御性を得られるようにな
る。
ば、電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ４で粗調整を行な
い、電力用半導体ＳＣＲ１で精調整を行なうように使い
分けを行うから、電磁接触器ＭＣ２〜ＭＣ４での接点の
開閉回数が減り、長寿命化を図れる。また、電力用半導
体ＳＣＲ１での制御出力範囲が２５％以下に限定され、
発熱を抑制できるようになる。そして、装置を小型化で
き、さらに、優れた温度の制御性を得られるようにな
る。
【００２１】−第２実施例− 図４は、本発明の第２実施例の温度制御装置を含む押出
機システムの説明図である。この押出機システム２００
は、図１の押出機システム１００における温度制御装置
１の代りに、温度制御装置１１を用いたものである。図
５は、前記温度制御装置１１とヒータ部２１を示す構成
図である。温度制御装置１１は、温度センサＴからの温
度信号Ｓｐに基づいて操作出力Ｍを算出する温度コント
ローラ４１と、前記操作出力Ｍに基づいて温度制御動作
を行うシーケンスコントローラ４０と、そのシーケンス
コントローラ４０によりＰＷＭ制御される電力用半導体
ＳＣＲ１と、前記シーケンスコントローラ４０により開
閉制御される電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ４とを具
備して構成されている。なお、前記温度コントローラ４
１は、市販の温度コントローラであり、温度センサＴか
ら温度信号Ｓｐが入力されると、ＰＩＤ演算を行なっ
て、操作出力Ｍ［％］を算出する機能を有している。
機システムの説明図である。この押出機システム２００
は、図１の押出機システム１００における温度制御装置
１の代りに、温度制御装置１１を用いたものである。図
５は、前記温度制御装置１１とヒータ部２１を示す構成
図である。温度制御装置１１は、温度センサＴからの温
度信号Ｓｐに基づいて操作出力Ｍを算出する温度コント
ローラ４１と、前記操作出力Ｍに基づいて温度制御動作
を行うシーケンスコントローラ４０と、そのシーケンス
コントローラ４０によりＰＷＭ制御される電力用半導体
ＳＣＲ１と、前記シーケンスコントローラ４０により開
閉制御される電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ４とを具
備して構成されている。なお、前記温度コントローラ４
１は、市販の温度コントローラであり、温度センサＴか
ら温度信号Ｓｐが入力されると、ＰＩＤ演算を行なっ
て、操作出力Ｍ［％］を算出する機能を有している。
【００２２】図６は、上記シーケンスコントローラ４０
による出力制御処理の動作手順を示す流れ図である。な
お、初期状態では、電力用半導体ＳＣＲ１はオフ状態
で、電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ４は開状態であ
る。シーケンスコントローラ４０は、温度コントローラ
４１から操作出力Ｍを入力される（ステップＴ１）。ス
テップＳ４〜Ｓ１３は、先に第１実施例で説明した処理
と同一である。
による出力制御処理の動作手順を示す流れ図である。な
お、初期状態では、電力用半導体ＳＣＲ１はオフ状態
で、電磁接触器ＭＣ２，ＭＣ３，ＭＣ４は開状態であ
る。シーケンスコントローラ４０は、温度コントローラ
４１から操作出力Ｍを入力される（ステップＴ１）。ス
テップＳ４〜Ｓ１３は、先に第１実施例で説明した処理
と同一である。
【００２３】上記第２実施例の温度制御装置１１によれ
ば、第１実施例の温度制御装置１の効果に加えて、市販
の温度コントローラとシーケンスコントローラを利用で
きる効果が得られる。
ば、第１実施例の温度制御装置１の効果に加えて、市販
の温度コントローラとシーケンスコントローラを利用で
きる効果が得られる。
【００２４】
【発明の効果】本発明の熱媒装置の温度制御方法および
装置によれば、ヒータ群を粗調整用ヒータと精調整用ヒ
ータとに分けて温度制御を行うから、粗調整用ヒータの
制御に例えば電磁接触器を用い，精調整用ヒータの制御
に例えば電力用半導体を用いるような使い分けが可能と
なる。そして、この使い分けが出来る結果、長寿命化を
図ることが出来ると共に、発熱を抑制できるようにな
る。また、装置を小型化でき、さらに、優れた温度の制
御性を得られるようになる。
装置によれば、ヒータ群を粗調整用ヒータと精調整用ヒ
ータとに分けて温度制御を行うから、粗調整用ヒータの
制御に例えば電磁接触器を用い，精調整用ヒータの制御
に例えば電力用半導体を用いるような使い分けが可能と
なる。そして、この使い分けが出来る結果、長寿命化を
図ることが出来ると共に、発熱を抑制できるようにな
る。また、装置を小型化でき、さらに、優れた温度の制
御性を得られるようになる。
【図１】本発明の第１実施例の熱媒装置の温度制御装置
を含む押出機システムの説明図である。
を含む押出機システムの説明図である。
【図２】第１実施例の温度制御装置とヒータ部を示す構
成図である。
成図である。
【図３】図２の温度コントローラによる温度制御処理の
動作を示す流れ図である。
動作を示す流れ図である。
【図４】本発明の第２実施例の熱媒装置の温度制御装置
を含む押出機システムの説明図である。
を含む押出機システムの説明図である。
【図５】第２実施例の温度制御装置とヒータ部を示す構
成図である。
成図である。
【図６】図５のシーケンスコントローラによる出力制御
処理の動作手順を示す流れ図である。
処理の動作手順を示す流れ図である。
【図７】従来の熱媒装置の温度制御装置の一例を含む押
出機システムを示す説明図である。
出機システムを示す説明図である。
【図８】従来の温度制御装置とヒータ部を示す構成図で
ある。
ある。
【図９】図８の温度制御装置による温度制御処理の動作
手順を示す流れ図である。
手順を示す流れ図である。
【図１０】従来の温度制御装置の他の一例を示す構成図
である。
である。
１００，２００ 押出機システム １，１１ 温度制御装置 ２ 熱媒装置 ５ａ〜５ｄ ヒータ用動力線 ６ａ〜６ｄ ヒータ ２１ ヒータ部 ３０，４１ 温度コントローラ ４０ シーケンスコントローラ ＳＣＲ１ 電力用半導体 Ｋ 押出機 ＭＣ２〜ＭＣ４ 電磁接触器 Ｔ 温度センサ Ｐ ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２９Ｃ 47/78 9349−4Ｆ 47/92 9349−4Ｆ Ｈ０５Ｂ 3/00 ３１０ Ｂ
Claims (8)
- 【請求項１】 Ｎ個（Ｎ≧２）のヒータからなるヒータ
群により熱媒を加熱し前記熱媒の温度を制御する熱媒装
置の温度制御方法において、 ｉ（１≦ｉ≦Ｎ−１）個のヒータを制御出力の粗調整用
ヒータとして制御し、残り（Ｎ−ｉ）個のヒータを制御
出力の精調整用ヒータとして制御することを特徴とする
熱媒装置の温度制御方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の温度制御方法におい
て、粗調整用ヒータの数ｉを（Ｎ−１）個とし、精調整
用ヒータの数を１個とすることを特徴とする熱媒装置の
温度制御方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載の温度制御方法におい
て、制御出力範囲を０〜１００［％］とし、Ｎ個のヒー
タにそれぞれＰ＝１００／Ｎ［％］ずつ制御出力範囲を
分担させ、操作出力Ｍ［％］がＭ≦ＰのときはＩを
“０”とし、操作出力Ｍ［％］がＭ＞ＰのときはＭ／Ｐ
−１≦Ｉ＜Ｍ／Ｐなる自然数をＩとし、Ｉ個の粗調整用
ヒータをオンし且つ（Ｎ−１−Ｉ）個の粗調整用ヒータ
をオフしてＩ個の粗調整用ヒータでＰ・Ｉ［％］の制御
出力を受け持たせると共に、１個の精調整用ヒータで
（Ｍ−Ｐ・Ｉ）［％］の制御出力を受け持たせることを
特徴とする熱媒装置の温度制御方法。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
の温度制御方法において、粗調整用ヒータの電流を機械
的な接点を有する接点スイッチによりオン／オフするこ
とで制御出力の粗調整を行ない、精調整用ヒータの電流
を電力用半導体により制御することで制御出力の精調整
を行なうことを特徴とする熱媒装置の温度制御方法。 - 【請求項５】 Ｎ個（Ｎ≧２）のヒータからなるヒータ
群により熱媒を加熱し前記熱媒の温度を制御する熱媒装
置の温度制御装置において、 ｉ（１≦ｉ≦Ｎ−１）個のヒータを粗調整用ヒータとし
て制御出力の粗調整を行なうよう制御する粗調整用ヒー
タ制御手段と、（Ｎ−ｉ）個のヒータを精調整用ヒータ
として制御出力の精調整を行なうよう制御する精調整用
ヒータ制御手段とを具備したこと特徴とする熱媒装置の
温度制御装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の温度制御装置におい
て、粗調整用ヒータの数ｉを（Ｎ−１）個とし、精調整
用ヒータの数を１個とすることを特徴とする熱媒装置の
温度制御装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の温度制御装置におい
て、制御出力範囲を０〜１００［％］とし、Ｎ個のヒー
タにそれぞれＰ＝１００／Ｎ［％］ずつ制御出力範囲を
分担させ、操作出力Ｍ［％］がＭ≦ＰのときはＩを
“０”とし、制御出力Ｐ［％］がＭ＞ＰのときはＭ／Ｐ
−１≦Ｉ＜Ｍ／Ｐなる自然数をＩとするとき、前記粗調
整用ヒータ制御手段は、Ｉ個の粗調整用ヒータをオンし
且つ（Ｎ−１−Ｉ）個の粗調整用ヒータをオフし、前記
精調整用ヒータ制御手段は、１個の精調整用ヒータの制
御出力が（Ｍ−Ｐ・Ｉ）［％］となるように制御するこ
とを特徴とする熱媒装置の温度制御装置。 - 【請求項８】 請求項５から請求項７のいずれかに記載
の温度制御装置において、粗調整用ヒータの電流をオン
／オフする機械的な接点を有する接点スイッチと、精調
整用ヒータの電流を制御する電力用半導体とを具備し、
前記粗調整用ヒータ制御手段は前記接点スイッチを制御
し、前記粗調整用ヒータ制御手段は前記電力用半導体を
制御することを特徴とする熱媒装置の温度制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6100031A JPH07306724A (ja) | 1994-05-13 | 1994-05-13 | 熱媒装置の温度制御方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6100031A JPH07306724A (ja) | 1994-05-13 | 1994-05-13 | 熱媒装置の温度制御方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07306724A true JPH07306724A (ja) | 1995-11-21 |
Family
ID=14263169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6100031A Pending JPH07306724A (ja) | 1994-05-13 | 1994-05-13 | 熱媒装置の温度制御方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07306724A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0727297A1 (en) * | 1994-09-01 | 1996-08-21 | Fanuc Ltd. | Temperature control method for injection molding machine |
| CN103677003A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-03-26 | 江苏大学 | 一种输出相位优化的pwm调功系统及方法 |
| US20150092812A1 (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Apparatus and method for measuring thermoelectric device |
| JP2020160500A (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | アズビル株式会社 | 制御装置 |
-
1994
- 1994-05-13 JP JP6100031A patent/JPH07306724A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0727297A1 (en) * | 1994-09-01 | 1996-08-21 | Fanuc Ltd. | Temperature control method for injection molding machine |
| EP0727297A4 (en) * | 1994-09-01 | 1998-10-14 | Fanuc Ltd | TEMPERATURE REGULATION PROCESS FOR AN INJECTION PRESS |
| US20150092812A1 (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Apparatus and method for measuring thermoelectric device |
| US9631981B2 (en) * | 2013-09-30 | 2017-04-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Apparatus and method for measuring thermoelectric device |
| CN103677003A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-03-26 | 江苏大学 | 一种输出相位优化的pwm调功系统及方法 |
| JP2020160500A (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | アズビル株式会社 | 制御装置 |
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