JPH0730308A - 静磁波デバイス - Google Patents
静磁波デバイスInfo
- Publication number
- JPH0730308A JPH0730308A JP17453093A JP17453093A JPH0730308A JP H0730308 A JPH0730308 A JP H0730308A JP 17453093 A JP17453093 A JP 17453093A JP 17453093 A JP17453093 A JP 17453093A JP H0730308 A JPH0730308 A JP H0730308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield
- magnetostatic wave
- permanent magnets
- wave device
- wave element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 動作周波数の微調整が可能で小型な静磁波デ
バイスを提供することを目的とする。 【構成】 静磁波素子１の磁性ガーネット膜面に入力用
端子２、及び出力用端子３を有し、静磁波素子１の両面
に永久磁石４ａ、４ｂを配置し、さらに永久磁石４ａ、
４ｂの外側に軟磁性材料でできているシールド５が配置
されている静磁波デバイスに関し、シールド５の側面に
設けた可動横シールド６が移動でき、横シールド厚が可
変であることを特徴とする。横シールド厚を変えること
で、静磁波素子１に印加される磁界が変化し、静磁波デ
バイスの動作周波数を調整することが可能になる。
バイスを提供することを目的とする。 【構成】 静磁波素子１の磁性ガーネット膜面に入力用
端子２、及び出力用端子３を有し、静磁波素子１の両面
に永久磁石４ａ、４ｂを配置し、さらに永久磁石４ａ、
４ｂの外側に軟磁性材料でできているシールド５が配置
されている静磁波デバイスに関し、シールド５の側面に
設けた可動横シールド６が移動でき、横シールド厚が可
変であることを特徴とする。横シールド厚を変えること
で、静磁波素子１に印加される磁界が変化し、静磁波デ
バイスの動作周波数を調整することが可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はギガヘルツ帯で動作する
高周波フィルタ素子に関する。
高周波フィルタ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の静磁波素子は例えば特願平４−０
０６４８３号に記載されている。これは図４に示すよう
にＧＧＧ基板にＹＩＧ等の磁性ガーネット膜を成膜した
静磁波素子１の両側に２枚の永久磁石４ａ、４ｂが配置
され前記静磁波素子１に垂直磁界が印加される構造にな
っている。さらに前記永久磁石４ａ、４ｂの外側を囲む
ように固定シールド５が配置されている。この構造では
前記永久磁石４ａ、４ｂに１ｍｍ程度の薄い厚さのもの
を使っても大きな印加磁界が得られ、数ＧＨｚで動作す
る高周波フィルタを素子全体の厚さ１０ｍｍ以下で作る
ことが可能である。しかし、素子の動作周波数を調整す
ることができない。
０６４８３号に記載されている。これは図４に示すよう
にＧＧＧ基板にＹＩＧ等の磁性ガーネット膜を成膜した
静磁波素子１の両側に２枚の永久磁石４ａ、４ｂが配置
され前記静磁波素子１に垂直磁界が印加される構造にな
っている。さらに前記永久磁石４ａ、４ｂの外側を囲む
ように固定シールド５が配置されている。この構造では
前記永久磁石４ａ、４ｂに１ｍｍ程度の薄い厚さのもの
を使っても大きな印加磁界が得られ、数ＧＨｚで動作す
る高周波フィルタを素子全体の厚さ１０ｍｍ以下で作る
ことが可能である。しかし、素子の動作周波数を調整す
ることができない。
【０００３】また他の例は１９９０年１０月２６日発行
の電気学会研究会資料の電子回路研究会ＥＣＴ−９０−
９（株式会社村田製作所投稿）に記載されている。これ
は図５に示すようにＧＧＧ基板にＹＩＧ等の磁性ガーネ
ット膜を成膜した静磁波素子１の前記磁性ガーネット膜
面に入力用端子２、出力用端子３が設置され、前記静磁
波素子の両側に２枚の永久磁石４ａ、４ｂが配置され前
記静磁波素子１に垂直な磁界が印加される構造になって
いる。さらに前記印加磁界を調整するためチューニング
スクリュー７と直結した永久磁石４ｃが設置されねじに
よって前記印加磁界を調整する構造になっている。また
挿入損失の低減と、高次モードの抑圧を目的としたアジ
ャスティングスクリュー８が配置されている。この素子
は金属性のフレーム９内に収められ、前記永久磁石４ａ
はアルミナ基板１０とマグネット支持用治具１１を介し
て前記フレーム９に接続されている。しかし、本方式で
は素子の動作周波数を数ＧＨｚにするのに必要な前記印
加磁界を得るために前記永久磁石４ａ、４ｂの厚さを厚
くする必要があり、素子全体の厚さも２０ｍｍ以上にな
る。
の電気学会研究会資料の電子回路研究会ＥＣＴ−９０−
９（株式会社村田製作所投稿）に記載されている。これ
は図５に示すようにＧＧＧ基板にＹＩＧ等の磁性ガーネ
ット膜を成膜した静磁波素子１の前記磁性ガーネット膜
面に入力用端子２、出力用端子３が設置され、前記静磁
波素子の両側に２枚の永久磁石４ａ、４ｂが配置され前
記静磁波素子１に垂直な磁界が印加される構造になって
いる。さらに前記印加磁界を調整するためチューニング
スクリュー７と直結した永久磁石４ｃが設置されねじに
よって前記印加磁界を調整する構造になっている。また
挿入損失の低減と、高次モードの抑圧を目的としたアジ
ャスティングスクリュー８が配置されている。この素子
は金属性のフレーム９内に収められ、前記永久磁石４ａ
はアルミナ基板１０とマグネット支持用治具１１を介し
て前記フレーム９に接続されている。しかし、本方式で
は素子の動作周波数を数ＧＨｚにするのに必要な前記印
加磁界を得るために前記永久磁石４ａ、４ｂの厚さを厚
くする必要があり、素子全体の厚さも２０ｍｍ以上にな
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、従来は過搬型
通信機器など小型薄型化が要求される機器に静磁波デバ
イスを搭載することができなかった。
通信機器など小型薄型化が要求される機器に静磁波デバ
イスを搭載することができなかった。
【０００５】本発明の目的は動作周波数の微調整が可能
で小型かつ薄型の静磁波デバイスを提供することにあ
る。
で小型かつ薄型の静磁波デバイスを提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の静磁波デバイス
はＧＧＧ基板にＹＩＧ等の磁性ガーネット膜を成膜した
静磁波素子の前記磁性ガーネット膜面に入力用端子及び
出力用端子とを配置し、前記静磁波素子の両側に２枚の
永久磁石を配置し、さらに前記永久磁石の外側を囲むよ
うに軟磁性材料でできているシールドが配置され、前記
シールドの横シールド厚が可変になるような構造になっ
ている。
はＧＧＧ基板にＹＩＧ等の磁性ガーネット膜を成膜した
静磁波素子の前記磁性ガーネット膜面に入力用端子及び
出力用端子とを配置し、前記静磁波素子の両側に２枚の
永久磁石を配置し、さらに前記永久磁石の外側を囲むよ
うに軟磁性材料でできているシールドが配置され、前記
シールドの横シールド厚が可変になるような構造になっ
ている。
【０００７】
【実施例】（実施例１）図１は本発明の実施例である。
ＧＧＧ基板に磁性ガーネット膜を成膜した静磁波素子１
の前記磁性ガーネット膜面に入力用端子２、出力用端子
３が設置され、前記静磁波素子１の両側に２枚の永久磁
石４ａ、４ｂが配置され前記静磁波素子１に垂直磁界が
印加される構造になっている。さらに前記永久磁石４
ａ、４ｂの外側にシールド５が設置され、前記シールド
５の側面に可動横シールド６が配置されている。この構
造では前記可動横シールド６が変動することでシールド
横厚が変化し、これによって前記静磁波素子１に印加さ
れる磁界が変化し、フィルタの動作周波数が変化する。
さらに前記永久磁石４ａ、４ｂが前記シールド５で囲ま
れているため前記永久磁石４ａ、４ｂの厚さを薄くして
も大きな印加磁界が得られ、素子全体の厚さを１５ｍｍ
程度に薄くできる。 （実施例２）図２は本発明の実施例である。ＧＧＧ基板
に磁性ガーネット膜を成膜した静磁波素子１の前記磁性
ガーネット膜面に入力用端子２、出力用端子３が設置さ
れ、前記静磁波素子１の両側に２枚の永久磁石４ａ、４
ｂが配置され前記静磁波素子１に垂直磁界が印加される
構造になっている。さらに前記永久磁石４ａ、４ｂの外
側に下部シールド５ａ、上部シールド５ｂが設置され、
前記下部シールド５ａ及び前記上部シールド５ｂの間に
可動横シールド６が配置されている。この構造では前記
可動横シールド６が変動することで前記下部シールド５
ａ、上部シールド５ｂと前記可動横シールド６との接触
面積が変化することから疑似的にシールド横厚が変化
し、これによって実施例１と同様な効果が得られ、素子
全体の厚さを８ｍｍ程度に薄くできる。 （実施例３）図３は本発明の実施例である。（ａ）は図
１〜図２と同じ方向から見た図で、（ｂ）は（ａ）の側
面から見た図である。ＧＧＧ基板に磁性ガーネット膜を
成膜した静磁波素子１の前記磁性ガーネット膜面に入力
用端子２、出力用端子３が設置され、前記静磁波素子１
の両側に２枚の永久磁石４ａ、４ｂが配置され前記静磁
波素子１に垂直磁界が印加される構造になっている。さ
らに前記永久磁石４ａ、４ｂの外側にシールド５が設置
され、前記シールド５の両側に可動横シールド６が配置
されている。この構造では前記可動横シールド６が変動
することで前記シールド５と前記可動横シールド６との
接触面積が変化することから疑似的にシールド横厚が変
化し、これによって実施例１と同様な効果が得られ、素
子全体の厚さを８ｍｍ程度に薄くできる。
ＧＧＧ基板に磁性ガーネット膜を成膜した静磁波素子１
の前記磁性ガーネット膜面に入力用端子２、出力用端子
３が設置され、前記静磁波素子１の両側に２枚の永久磁
石４ａ、４ｂが配置され前記静磁波素子１に垂直磁界が
印加される構造になっている。さらに前記永久磁石４
ａ、４ｂの外側にシールド５が設置され、前記シールド
５の側面に可動横シールド６が配置されている。この構
造では前記可動横シールド６が変動することでシールド
横厚が変化し、これによって前記静磁波素子１に印加さ
れる磁界が変化し、フィルタの動作周波数が変化する。
さらに前記永久磁石４ａ、４ｂが前記シールド５で囲ま
れているため前記永久磁石４ａ、４ｂの厚さを薄くして
も大きな印加磁界が得られ、素子全体の厚さを１５ｍｍ
程度に薄くできる。 （実施例２）図２は本発明の実施例である。ＧＧＧ基板
に磁性ガーネット膜を成膜した静磁波素子１の前記磁性
ガーネット膜面に入力用端子２、出力用端子３が設置さ
れ、前記静磁波素子１の両側に２枚の永久磁石４ａ、４
ｂが配置され前記静磁波素子１に垂直磁界が印加される
構造になっている。さらに前記永久磁石４ａ、４ｂの外
側に下部シールド５ａ、上部シールド５ｂが設置され、
前記下部シールド５ａ及び前記上部シールド５ｂの間に
可動横シールド６が配置されている。この構造では前記
可動横シールド６が変動することで前記下部シールド５
ａ、上部シールド５ｂと前記可動横シールド６との接触
面積が変化することから疑似的にシールド横厚が変化
し、これによって実施例１と同様な効果が得られ、素子
全体の厚さを８ｍｍ程度に薄くできる。 （実施例３）図３は本発明の実施例である。（ａ）は図
１〜図２と同じ方向から見た図で、（ｂ）は（ａ）の側
面から見た図である。ＧＧＧ基板に磁性ガーネット膜を
成膜した静磁波素子１の前記磁性ガーネット膜面に入力
用端子２、出力用端子３が設置され、前記静磁波素子１
の両側に２枚の永久磁石４ａ、４ｂが配置され前記静磁
波素子１に垂直磁界が印加される構造になっている。さ
らに前記永久磁石４ａ、４ｂの外側にシールド５が設置
され、前記シールド５の両側に可動横シールド６が配置
されている。この構造では前記可動横シールド６が変動
することで前記シールド５と前記可動横シールド６との
接触面積が変化することから疑似的にシールド横厚が変
化し、これによって実施例１と同様な効果が得られ、素
子全体の厚さを８ｍｍ程度に薄くできる。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明はＧＧＧ基板
にＹＩＧ等の磁性ガーネット膜を成膜した静磁波素子、
静磁波素子の磁性ガーネット膜面に設置した入力用端子
及び出力用端子、静磁波素子の両面に配置した２枚の永
久磁石、２枚の永久磁石の外側に軟磁性材料でできてい
るシールドを配置した静磁波デバイスにおいて、シール
ド側面の厚さを可変にすることで静磁波素子に印加する
磁界を変化させ、フィルタの動作周波数を微調整するこ
とができる。また、永久磁石がシールドで囲まれている
ため永久磁石の厚さを薄くすることができる。
にＹＩＧ等の磁性ガーネット膜を成膜した静磁波素子、
静磁波素子の磁性ガーネット膜面に設置した入力用端子
及び出力用端子、静磁波素子の両面に配置した２枚の永
久磁石、２枚の永久磁石の外側に軟磁性材料でできてい
るシールドを配置した静磁波デバイスにおいて、シール
ド側面の厚さを可変にすることで静磁波素子に印加する
磁界を変化させ、フィルタの動作周波数を微調整するこ
とができる。また、永久磁石がシールドで囲まれている
ため永久磁石の厚さを薄くすることができる。
【図１】本発明の実施例１の静磁波デバイスを示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例２の静磁波デバイスを示す図で
ある。
ある。
【図３】本発明の実施例３の静磁波デバイスを示す図で
ある。
ある。
【図４】従来の静磁波デバイスを示す図である。
【図５】従来の静磁波デバイスを示す図である。
１ 静磁波素子 ２ 入力用端子 ３ 出力用端子 ４ａ、４ｂ、４ｃ 永久磁石 ５ シールド ５ａ 下部シールド ５ｂ 上部シールド ６ 可動横シールド ７ チューニングスクリュー ８ アジャスティングスクリュー ９ フレーム １０ アルミナ基板 １１ マグネット支持用治具
Claims (1)
- 【請求項１】 磁性ガーネット膜面に入力用端子と出力
用端子が配置され前記磁性ガーネット膜をはさみこむよ
うに２枚の永久磁石が配置されるとともに、前記永久磁
石の外側を囲むように軟磁性材料でできているシールド
が設けられ、前記磁性ガーネット膜中を伝搬する静磁波
によりフィルタの機能を生じる静磁波デバイスであっ
て、前記シールドの横シールド厚が可変であることを特
徴とする静磁波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17453093A JPH0730308A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 静磁波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17453093A JPH0730308A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 静磁波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0730308A true JPH0730308A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15980146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17453093A Pending JPH0730308A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 静磁波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730308A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329369B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2002-03-22 | 오길록 | 고주파 신호처리용 정자파 소자 |
| WO2007037625A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Seoul National University Industry Foundation | Method of generating strong spin waves and spin devices for ultra-high speed information processing using spin waves |
| US9379685B2 (en) | 2012-09-19 | 2016-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Built-in-circuit substrate and composite module |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60190001A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-27 | セレニア インダストリー エレツトロニツク アソチヤート エスピーエー | マイクロ波回路応用機器におけるガーネツト薄膜内の静磁波抑制制御方法 |
| JP3103601B2 (ja) * | 1996-02-29 | 2000-10-30 | フレックス プロダクツ，インコーポレイテッド | レーザー画像形成可能な調整された光共振器薄膜およびそれを組み込んだ印刷版 |
| JP4125408B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2008-07-30 | 不二ラテックス株式会社 | 回転動作支持機構 |
-
1993
- 1993-07-14 JP JP17453093A patent/JPH0730308A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60190001A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-27 | セレニア インダストリー エレツトロニツク アソチヤート エスピーエー | マイクロ波回路応用機器におけるガーネツト薄膜内の静磁波抑制制御方法 |
| JP3103601B2 (ja) * | 1996-02-29 | 2000-10-30 | フレックス プロダクツ，インコーポレイテッド | レーザー画像形成可能な調整された光共振器薄膜およびそれを組み込んだ印刷版 |
| JP4125408B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2008-07-30 | 不二ラテックス株式会社 | 回転動作支持機構 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329369B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2002-03-22 | 오길록 | 고주파 신호처리용 정자파 소자 |
| WO2007037625A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Seoul National University Industry Foundation | Method of generating strong spin waves and spin devices for ultra-high speed information processing using spin waves |
| US8164148B2 (en) | 2005-09-29 | 2012-04-24 | Seoul National University Industry Foundation | Method of generating strong spin waves and spin devices for ultra-high speed information processing using spin waves |
| US9379685B2 (en) | 2012-09-19 | 2016-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Built-in-circuit substrate and composite module |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960213 |