JPH07302863A - Resin-sealed semiconductor device, and its manufacture - Google Patents

Resin-sealed semiconductor device, and its manufacture

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JPH07302863A
JPH07302863A JP11436294A JP11436294A JPH07302863A JP H07302863 A JPH07302863 A JP H07302863A JP 11436294 A JP11436294 A JP 11436294A JP 11436294 A JP11436294 A JP 11436294A JP H07302863 A JPH07302863 A JP H07302863A
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chip
resin
semiconductor chip
lead
semiconductor
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JP11436294A
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Japanese (ja)
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Noriko Murakami
紀子 村上
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide a lead-on-chip structure of semiconductor device sealed with resin which can protect the whole area of the surface of the chip with chip-coating resin. CONSTITUTION:One end of a lead 12 is arranged in the specified position of the surface of a semiconductor chip 11. The bonding pad of the semiconductor chip 11 and the lead 12 are connected with each other by a wire. Chip-coating resin 14 is applied on the surface of the semiconductor chip 11. Moreover, chip- coating resin 14 is charged between the surface of the semiconductor chip 11 and the lead 12. And, each component is sealed in a body with molding resin 15. For this semiconductor device 1 sealed with resin, the semiconductor chip 11 and the lead 12 are connected with each other by chip-coating resin 14, so the whole area of the surface of the semiconductor chip 11 is covered with chip-coating resin 14.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止半導体装置及
びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-sealed semiconductor device and a method for manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】図３には、リードオンチップ構造の樹脂
封止半導体装置の構成図を示す。この樹脂封止半導体装
置３は、図４に示す工程で製造される。すなわち、先ず
図４（１）に示すように、リード３１の一端の裏面に接
着テープ３２を接着する。次いで、図４（２）に示すよ
うに、半導体チップ３３表面の所定位置にリード３１を
配置する。そして、例えばここでは図示しないボンディ
ングツールによって、リード３１上から圧力を加えると
ともに熱を加え、接着テープ３２を介して半導体チップ
３３とリード３１とを熱圧着する。次いで、図４（３）
に示すように、半導体チップ３３のボンディングパッド
とリード３１とをワイヤ３４で接続する。その後、図４
（４）に示すように、半導体チップ３３の表面にチップ
コート樹脂３５を滴下し、このチップコート樹脂３５を
加熱して硬化させる。上記のようにして、半導体チップ
３３の表面をチップコート樹脂３５で覆った後、上記半
導体装置装置３０を図３に示したようにモールド樹脂３
６で一体に封止する。これによって、樹脂封止半導体装
置３を製造する。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a block diagram of a resin-sealed semiconductor device having a lead-on-chip structure. The resin-sealed semiconductor device 3 is manufactured in the process shown in FIG. That is, first, as shown in FIG. 4A, the adhesive tape 32 is adhered to the back surface of one end of the lead 31. Next, as shown in FIG. 4B, the leads 31 are arranged at predetermined positions on the surface of the semiconductor chip 33. Then, for example, with a bonding tool (not shown), pressure and heat are applied from above the leads 31, and the semiconductor chip 33 and the leads 31 are thermocompression bonded via the adhesive tape 32. Then, FIG. 4 (3)
As shown in FIG. 3, the bonding pad of the semiconductor chip 33 and the lead 31 are connected by the wire 34. After that, FIG.
As shown in (4), the chip coat resin 35 is dropped on the surface of the semiconductor chip 33, and the chip coat resin 35 is heated and cured. After the surface of the semiconductor chip 33 is covered with the chip coat resin 35 as described above, the semiconductor device 30 is molded with the mold resin 3 as shown in FIG.
6 is integrally sealed. In this way, the resin-sealed semiconductor device 3 is manufactured.

【０００３】上記樹脂封止半導体装置３では、半導体チ
ップ３３及びモールド樹脂３６との線膨張係数の違いに
よって装置内に生じる熱応力が、チップコート樹脂３５
によって半導体チップ３３表面で緩和される。また、こ
のチップコート樹脂３３によって、半導体チップ３３表
面に水分が侵入することが防止される。In the resin-sealed semiconductor device 3, the thermal stress generated in the device due to the difference in the linear expansion coefficient between the semiconductor chip 33 and the mold resin 36 causes the chip coat resin 35.
Is relaxed on the surface of the semiconductor chip 33. Further, the chip coat resin 33 prevents water from entering the surface of the semiconductor chip 33.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記樹脂封止
半導体装置及びその製造方法には、以下の様な課題があ
った。すなわち、上記構成の樹脂封止半導体装置では、
半導体チップの表面がチップコート樹脂と接着テープと
で覆われる。通常、接着テープは、チップコート樹脂と
は異なる材質で形成されている。このため、半導体チッ
プ表面の全域をチップコート樹脂で保護することができ
ない。例えば、上記接着テープとしては、熱可塑性のポ
リイミド系樹脂やポリイミドアミド樹脂系樹脂が多用さ
れている。これらの樹脂は、線膨張係数及びヤング率の
値から半導体チップとモールド樹脂との線膨張係数の違
いによって生じる熱応力を緩和することができない。こ
のため、例えば半田リフローの際に、樹脂封止半導体装
置が高温に加熱されると、モールド樹脂の熱膨張によっ
て生じる熱応力が、接着テープ下の半導体チップ表面に
伝わる。そして、この熱応力によって半導体チップ表面
のパッシベーションにクラックが発生したり、パッシベ
ーションの下層のアルミニウム配線がスライドして断線
に至る。However, the resin-encapsulated semiconductor device and the method for manufacturing the same have the following problems. That is, in the resin-sealed semiconductor device having the above configuration,
The surface of the semiconductor chip is covered with the chip coat resin and the adhesive tape. Usually, the adhesive tape is formed of a material different from the chip coat resin. Therefore, the entire surface of the semiconductor chip cannot be protected by the chip coat resin. For example, a thermoplastic polyimide resin or a polyimide amide resin resin is often used as the adhesive tape. These resins cannot alleviate the thermal stress caused by the difference in the linear expansion coefficient between the semiconductor chip and the molding resin from the values of the linear expansion coefficient and Young's modulus. Therefore, when the resin-encapsulated semiconductor device is heated to a high temperature during, for example, solder reflow, thermal stress generated by thermal expansion of the mold resin is transmitted to the surface of the semiconductor chip under the adhesive tape. The thermal stress causes cracks in the passivation on the surface of the semiconductor chip, or the aluminum wiring in the lower layer of the passivation slides, leading to disconnection.

【０００５】また、上記接着テープとして用いられてい
る樹脂は吸湿性が高いため、モールド樹脂に水分が吸湿
された場合には、この水分が接着テープを介して半導体
チップ表面に達する。そして、この水分によって、半導
体チップ表面にリーク電流が発生する。これによって樹
脂封止半導体装置が誤動作する。このため、装置の電気
的な信頼性を確保することができない。Further, since the resin used as the adhesive tape has a high hygroscopic property, when the mold resin absorbs moisture, the moisture reaches the surface of the semiconductor chip through the adhesive tape. Then, this moisture causes a leak current on the surface of the semiconductor chip. This causes the resin-sealed semiconductor device to malfunction. Therefore, the electrical reliability of the device cannot be ensured.

【０００６】一方、上記製造方法では、リードと半導体
チップとを接着テープを介して熱圧着する。このため、
上記熱圧着の工程では半導体チップ表面に応力が加わ
る。したがって、半導体チップにダメージを加えること
なく樹脂封止半導体装置を製造することができない。On the other hand, in the above manufacturing method, the lead and the semiconductor chip are thermocompression bonded via the adhesive tape. For this reason,
In the thermocompression bonding process, stress is applied to the surface of the semiconductor chip. Therefore, the resin-sealed semiconductor device cannot be manufactured without damaging the semiconductor chip.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの本発明の樹脂封止半導体装置は以下のように構成さ
れている。半導体チップ表面の所定位置にはリードの一
端が配置されている。上記半導体チップのボンディング
パッドと上記リードとはワイヤで接続されている。この
半導体チップ表面にはチップコート樹脂が塗布されてい
る。また、半導体チップの表面とリードとの間隔には、
このチップコート樹脂が充填されている。そして、上記
の各構成要素は、モールド樹脂で一体に封止されてい
る。上記チップコート樹脂としては、シリコーン系また
はポリイミド系の熱硬化性樹脂を用いる。The resin-sealed semiconductor device of the present invention for solving the above-mentioned problems is constructed as follows. One end of the lead is arranged at a predetermined position on the surface of the semiconductor chip. The bonding pad of the semiconductor chip and the lead are connected by a wire. A chip coat resin is applied to the surface of the semiconductor chip. In addition, the distance between the surface of the semiconductor chip and the leads is
This chip coat resin is filled. Each of the above components is integrally sealed with a molding resin. A silicone or polyimide thermosetting resin is used as the chip coat resin.

【０００８】また、上記の樹脂封止半導体装置は以下の
方法で製造する。第１の工程では、上記半導体チップの
表面に対して所定の間隔を保ってリードを配置する。そ
して、第２の工程では、上記半導体チップのボンディン
グパッドと上記リードとをワイヤで接続する。第３の工
程では、上記半導体チップの表面にチップコート樹脂を
滴下することによって、この半導体チップの表面にチッ
プコート樹脂を塗布しさらに半導体チップとリードとの
間隔に当該チップコート樹脂を充填する。そして、この
チップコート樹脂を加熱して硬化させる。第４の工程で
は、上記各構成要素をモールド樹脂で一体に封止する。
上記第３の工程でのチップコート樹脂の滴下は、上記半
導体チップと上記リードとの間隔に当該チップコート樹
脂が充填されかつ少なくとも上記チップコート樹脂が半
導体チップの表面に塗布された後に滴下を停止する。The above resin-sealed semiconductor device is manufactured by the following method. In the first step, the leads are arranged at a predetermined distance from the surface of the semiconductor chip. Then, in the second step, the bonding pad of the semiconductor chip and the lead are connected by a wire. In the third step, by dropping the chip coat resin on the surface of the semiconductor chip, the chip coat resin is applied to the surface of the semiconductor chip, and the space between the semiconductor chip and the lead is filled with the chip coat resin. Then, the chip coat resin is heated and cured. In the fourth step, the above components are integrally sealed with a molding resin.
The dropping of the chip coat resin in the third step is stopped after the gap between the semiconductor chip and the lead is filled with the chip coat resin and at least the chip coat resin is applied to the surface of the semiconductor chip. To do.

【０００９】[0009]

【作用】本発明の樹脂封止半導体装置では、半導体チッ
プとリードとの間にチップコート樹脂が充填されてお
り、上記半導体チップとリードとはこのチップコート樹
脂によって接着される。このため、半導体チップの表面
がチップコート樹脂で一体に覆われる。チップコート樹
脂は、半導体チップの線膨張係数とモールド樹脂との線
膨張係数との違いによって半導体チップの表面に生じる
熱応力を緩和すると共に吸湿性の低いものである。した
がって、上記チップコート樹脂によって半導体チップ表
面の全域で上記熱応力が緩和される。また、モールド樹
脂に吸湿された水分はチップコートを介して半導体チッ
プ表面に達しにくい。In the resin-sealed semiconductor device of the present invention, the chip coat resin is filled between the semiconductor chip and the lead, and the semiconductor chip and the lead are bonded by this chip coat resin. Therefore, the surface of the semiconductor chip is integrally covered with the chip coat resin. The chip coat resin relaxes thermal stress generated on the surface of the semiconductor chip due to the difference between the linear expansion coefficient of the semiconductor chip and the linear expansion coefficient of the mold resin, and has low hygroscopicity. Therefore, the chip coating resin alleviates the thermal stress over the entire surface of the semiconductor chip. Further, the moisture absorbed by the mold resin does not easily reach the surface of the semiconductor chip through the chip coat.

【００１０】そして、本発明の樹脂封止半導体装置の製
造方法では、半導体チップの表面に滴下したチップコー
ト樹脂を硬化させることで、チップコート樹脂で半導体
チップとリードとが接着される。したがって、半導体チ
ップに応力を加えることなく半導体チップとリードとが
接着される。In the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, the chip coat resin dropped onto the surface of the semiconductor chip is cured to bond the semiconductor chip and the lead with the chip coat resin. Therefore, the semiconductor chip and the lead are bonded together without applying stress to the semiconductor chip.

【００１１】[0011]

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１に示
すように、樹脂封止半導体装置１は以下のように構成さ
れている。すなわち、半導体チップ１１表面の所定位置
には、半導体チップ１１の表面に対して所定の重なりを
保ちながら少なくとも１本以上のリード１２が配置され
ている。半導体チップ１１のボンディングパッドとリー
ド１２とはワイヤ１３で接続されている。そして、少な
くともワイヤ１３が接合されている部分を除いた半導体
チップ１１の表面には、チップコート樹脂１４が塗布さ
れている。さらに、このチップコート樹脂１４は、半導
体チップ１１とリード１２との間に充填されている。さ
らに、半導体チップ１１，リード１２のインナーリード
１２ａ部分，ワイヤ１３及びチップコート樹脂１４は、
モールド樹脂１５で一体に封止されている。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. As shown in FIG. 1, the resin-sealed semiconductor device 1 is configured as follows. That is, at least one lead 12 is arranged at a predetermined position on the surface of the semiconductor chip 11 while keeping a predetermined overlap with the surface of the semiconductor chip 11. The bonding pad of the semiconductor chip 11 and the lead 12 are connected by the wire 13. The chip coat resin 14 is applied to the surface of the semiconductor chip 11 except at least the portion where the wires 13 are joined. Further, the chip coat resin 14 is filled between the semiconductor chip 11 and the leads 12. Further, the semiconductor chip 11, the inner lead 12a portion of the lead 12, the wire 13 and the chip coat resin 14 are
It is integrally sealed with the mold resin 15.

【００１２】上記半導体チップ１１は、例えば素子が形
成されたシリコン基板の上層にアルミニウムのような導
電性材料からなる配線及びボンディングパッドが形成さ
れているものである。そして、ボンディングパッド部分
を除いた表面層には、例えばシリコン窒化膜からなるパ
ッシベーション膜が形成された構造になっている。The semiconductor chip 11 has, for example, wiring and bonding pads made of a conductive material such as aluminum formed on an upper layer of a silicon substrate on which elements are formed. Then, the surface layer excluding the bonding pad portion has a structure in which a passivation film made of, for example, a silicon nitride film is formed.

【００１３】上記リード１２は、例えば鉄−ニッケル合
金や銅等からなる金属リボンを成形したものである。さ
らに、半導体チップ１１とリード１２との重なり具合
は、半導体チップ１１表面に露出しているボンディング
パッド（図示せず）上方にリード１２が重ならない位置
にする。The lead 12 is formed by molding a metal ribbon made of, for example, an iron-nickel alloy or copper. Further, the degree of overlap between the semiconductor chip 11 and the lead 12 is set to a position where the lead 12 does not overlap above the bonding pad (not shown) exposed on the surface of the semiconductor chip 11.

【００１４】上記ワイヤ１３は、例えばＡｕまたはＡｕ
とＳｉとの合金からなるものである。一本のワイヤ１３
の一端は、上記ボンディングパッドに接合されている。
そして、このワイヤ１３の他端は、リード１２に接合さ
れている。また、各リード１２と半導体チップ１１表面
に形成されている各ボンディングパッドとは、それぞれ
の別々のワイヤ１３によって接合されている。The wire 13 is, for example, Au or Au.
And an alloy of Si and Si. One wire 13
Has one end bonded to the bonding pad.
The other end of the wire 13 is joined to the lead 12. Further, each lead 12 and each bonding pad formed on the surface of the semiconductor chip 11 are joined by separate wires 13.

【００１５】上記チップコート樹脂１４は、半導体チッ
プ１１表面を保護するためのものである。このチップコ
ート樹脂１４としては、樹脂封止半導体装置１内に生じ
る熱応力を半導体チップ１１の表面で緩和し、かつ吸湿
性の充分に低いものを用いる。このような樹脂として、
例えば、シリコーン系またはポリイミド系樹の熱硬化性
樹脂がある。例えば、半導体チップ１１がシリコンの単
結晶からなる場合には、半導体チップ１１の線膨張係数
は２．８×１０-6／Ｋである。また、通常用いられてい
るモールド樹脂１５は、線膨張係数が１．５×１０-5／
Ｋ程度である。これに対してシリコーン系樹脂は、線膨
張係数が３×１０-4／Ｋ，ヤング率が１ｋｇ／ｍｍ2程
度である。また、ポリイミド系の樹脂は線膨張係数が
０．３５×１０-4，ヤング率が２００〜５００ｋｇ／ｍ
ｍ2 程度である。このため、これらのシリコン系樹脂ま
たはポリイミド系樹脂を半導体チップ１１表面に塗布す
ることによって、半導体チップ１１とモールド樹脂１５
との線膨張係数の違いによって半導体チップ１１とモー
ルド樹脂１５との間に生じる熱応力が、半導体チップ１
１表面で緩和される。上記のシリコーン系またはポリイ
ミド系の熱硬化性樹脂は、例えば充填剤を添加すること
によって、線膨張係数及びヤング率を所定の値に調節し
て用いる。The chip coat resin 14 is for protecting the surface of the semiconductor chip 11. As the chip coat resin 14, one that alleviates thermal stress generated in the resin-sealed semiconductor device 1 on the surface of the semiconductor chip 11 and has sufficiently low hygroscopicity is used. As such a resin,
For example, there are silicone-based or polyimide-based thermosetting resins. For example, when the semiconductor chip 11 is made of silicon single crystal, the linear expansion coefficient of the semiconductor chip 11 is 2.8 × 10 −6 / K. Further, the mold resin 15 that is normally used has a linear expansion coefficient of 1.5 × 10 −5 /
It is about K. On the other hand, the silicone resin has a linear expansion coefficient of 3 × 10 −4 / K and a Young's modulus of about 1 kg / mm 2 . The polyimide resin has a linear expansion coefficient of 0.35 × 10 −4 and a Young's modulus of 200 to 500 kg / m.
It is about m 2 . Therefore, by applying these silicon-based resin or polyimide-based resin on the surface of the semiconductor chip 11, the semiconductor chip 11 and the mold resin 15
The thermal stress generated between the semiconductor chip 11 and the mold resin 15 due to the difference in linear expansion coefficient between the semiconductor chip 1 and
1 Relaxed on the surface. The silicone-based or polyimide-based thermosetting resin is used by adjusting the linear expansion coefficient and Young's modulus to predetermined values by adding a filler, for example.

【００１６】上記モールド樹脂１５は、例えばエポキシ
樹脂と硬化剤と酸化シリコンからなる充填剤とを主成分
として含有した樹脂である。The mold resin 15 is a resin containing, for example, an epoxy resin, a curing agent, and a filler made of silicon oxide as main components.

【００１７】上記構成の樹脂封止半導体装置１では、半
導体チップ１１とリード１２とがその間隔に充填された
チップコート樹脂１４によって接着される。このため、
半導体チップ１１の表面は、チップコート樹脂１４で一
体に覆われる。このチップコート樹脂１４としてはシリ
コーン系またはポリイミド系の樹脂を用いている。した
がって、半導体チップ１１の表面全域では、半導体チッ
プ１１の線膨張係数とモールド樹脂１５との線膨張係数
との違いによって半導体チップ１１の表面に生じる熱応
力が、チップコート樹脂１４によって緩和される。さら
に、上記シリコーン系またはポリイミド系の樹脂は吸湿
性が低いものである。このため、モールド樹脂１５に吸
湿された水分がこのチップコート樹脂１４によって半導
体チップ１１の表面に達することが防止される。したが
って、樹脂封止半導体装置１内の水分によって半導体チ
ップ１１表面でリーク電流が発生することを防止でき
る。In the resin-sealed semiconductor device 1 having the above structure, the semiconductor chip 11 and the leads 12 are bonded by the chip coat resin 14 filled in the space. For this reason,
The surface of the semiconductor chip 11 is integrally covered with the chip coat resin 14. As the chip coat resin 14, a silicone or polyimide resin is used. Therefore, the thermal stress generated on the surface of the semiconductor chip 11 due to the difference between the linear expansion coefficient of the semiconductor chip 11 and the linear expansion coefficient of the mold resin 15 is alleviated by the chip coat resin 14 over the entire surface of the semiconductor chip 11. Further, the silicone-based or polyimide-based resin has low hygroscopicity. Therefore, the moisture absorbed by the mold resin 15 is prevented from reaching the surface of the semiconductor chip 11 by the chip coat resin 14. Therefore, it is possible to prevent a leak current from being generated on the surface of the semiconductor chip 11 due to the moisture in the resin-sealed semiconductor device 1.

【００１８】尚、チップコート樹脂１４は、上記実施例
で説明した部分に限って塗布されるものではない。例え
ば、上記部分に加えて、半導体チップ１１の側面や裏
面、ワイヤ１３で接合されている部分を除くリード１２
の上面及び側面に塗布されるものでも良い。The chip coat resin 14 is not limited to the portion described in the above embodiment. For example, in addition to the above-mentioned portion, the leads 12 except the side surface and the back surface of the semiconductor chip 11 and the portion joined by the wire
It may be applied to the upper and side surfaces of the.

【００１９】次に、上記樹脂封止半導体装置１の製造方
法の実施例を図２に基づいて説明する。先ず、第１の工
程では、図２（１）に示すように、半導体チップ１１の
表面に対して所定の重なりを維持し、かつ半導体チップ
１１と所定の間隔ｗを保つ状態にリード１２を配置す
る。Next, an embodiment of a method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device 1 will be described with reference to FIG. First, in the first step, as shown in FIG. 2A, the leads 12 are arranged in a state of maintaining a predetermined overlap with the surface of the semiconductor chip 11 and maintaining a predetermined distance w from the semiconductor chip 11. To do.

【００２０】半導体チップ１１に対して上記のような状
態でリード１２を配置するためには、例えば、第１の治
具２１と第２の治具２２とを用いる。第１の治具２１の
一例を示す。この第１の治具２１は、鉄または鉄を含む
化合物からなるものである。そして、少なくとも上面を
開口した箱形状であり、その内部に半導体チップ１１を
収納できるように形成されている。また、第１の治具２
１の内部の深さｈは、半導体チップ１１の高さＨに半導
体チップ１１とリード１２との間隔ｗを加えた値とす
る。また、第１の治具２１の側壁は、その上面にリード
１２を載置できるように形成されている。次に第２の治
具２２の一例を示す。この第２の治具２２は、ＯＮ−Ｏ
ＦＦ自在の電磁石からなり、第１の治具２１の上面の開
口と同様の開口が設けられたフレーム形状のものであ
る。In order to arrange the leads 12 on the semiconductor chip 11 in the above-described state, for example, the first jig 21 and the second jig 22 are used. An example of the first jig 21 is shown. The first jig 21 is made of iron or a compound containing iron. Further, it has a box shape with at least an upper surface opened, and is formed so that the semiconductor chip 11 can be housed therein. In addition, the first jig 2
The internal depth h of 1 is the height H of the semiconductor chip 11 plus the distance w between the semiconductor chip 11 and the leads 12. Further, the side wall of the first jig 21 is formed so that the lead 12 can be placed on the upper surface thereof. Next, an example of the second jig 22 will be shown. This second jig 22 is ON-O
The frame is formed of an electromagnet capable of freely flipping, and has a frame shape having an opening similar to the opening on the upper surface of the first jig 21.

【００２１】上記第１及び第２の治具２１，２２を用い
た半導体チップ１１及びリード１２の配置は、以下のよ
うにする。先ず、半導体チップ１１を第１の治具２１内
に収納する。次いで、半導体チップ１１の表面に対して
所定の重なりを保つようにリード１２の位置決めを行
う。そして、リード１２を第１の治具２１の側壁の上面
に載置する。そして、第２の治具２２の開口と第１の治
具２１の開口とを一致させた状態で、第１の治具２１上
にリード１２を介して第２の治具２２を載置する。その
後、第２の治具２２の電磁石をＯＮにする。これによっ
て、半導体チップ１１の表面に対して、設定した状態で
リード１２が配置される。The arrangement of the semiconductor chip 11 and the leads 12 using the first and second jigs 21 and 22 is as follows. First, the semiconductor chip 11 is housed in the first jig 21. Next, the leads 12 are positioned so as to keep a predetermined overlap with the surface of the semiconductor chip 11. Then, the lead 12 is placed on the upper surface of the side wall of the first jig 21. Then, with the opening of the second jig 22 and the opening of the first jig 21 aligned, the second jig 22 is mounted on the first jig 21 via the leads 12. . After that, the electromagnet of the second jig 22 is turned on. As a result, the leads 12 are arranged on the surface of the semiconductor chip 11 in the set state.

【００２２】次に、第２の工程では、図２（２）に示す
ように、半導体チップ１１のボンディングパッドとリー
ド１２とをワイヤ１３で接続する。Next, in the second step, as shown in FIG. 2B, the bonding pad of the semiconductor chip 11 and the lead 12 are connected by the wire 13.

【００２３】その後、第３の工程では、図２（３）に示
すように、半導体チップ１１の表面上に、ノズル２３の
先端から液体状にしたチップコート樹脂１４を滴下す
る。この際、半導体チップ１１とリード１２との間隔ｗ
に対応させて、この間隔ｗが狭い場合にはチップコート
樹脂１４をより低粘度にする。これによって、半導体チ
ップ１１の表面で液体状のチップコート樹脂１４が充分
に広がり、さらに半導体チップ１１とリード１２との間
隔にチップコート樹脂１４が充分に充填されるようにす
る。そして、少なくとも半導体チップ１１の表面全域が
充分にチップコート樹脂１４で覆われ、かつ半導体チッ
プ１１とリード１２との間に充分にチップコート樹脂１
４が充填された後、チップコート樹脂１４の滴下を停止
する。Then, in the third step, as shown in FIG. 2C, the liquid chip coat resin 14 is dropped from the tip of the nozzle 23 onto the surface of the semiconductor chip 11. At this time, the distance w between the semiconductor chip 11 and the lead 12
Corresponding to the above, when the interval w is narrow, the chip coat resin 14 is made to have a lower viscosity. As a result, the liquid chip coat resin 14 is sufficiently spread on the surface of the semiconductor chip 11, and the space between the semiconductor chip 11 and the leads 12 is sufficiently filled with the chip coat resin 14. Then, at least the entire surface of the semiconductor chip 11 is sufficiently covered with the chip coat resin 14, and the space between the semiconductor chip 11 and the leads 12 is sufficient.
4 is filled, the dropping of the chip coat resin 14 is stopped.

【００２４】上記のようにチップコート樹脂１４を半導
体チップ１１の表面に滴下した後、このチップコート樹
脂１４を加熱する。これによって、チップコート樹脂１
４を硬化させる。加熱条件の一例を示す。チップコート
樹脂１４としてシリコーン系樹脂を用いた場合には、１
５０℃で１時間程加熱する。また、チップコート樹脂１
４としてポリイミド系樹脂を用いた場合には、３００℃
で１時間程加熱する。After the chip coat resin 14 is dropped on the surface of the semiconductor chip 11 as described above, the chip coat resin 14 is heated. As a result, chip coat resin 1
4 is cured. An example of heating conditions is shown. When a silicone resin is used as the chip coat resin 14, it is 1
Heat at 50 ° C. for about 1 hour. Also, chip coat resin 1
When a polyimide resin is used for 4, 300 ° C
And heat for about 1 hour.

【００２５】上記のようにしてチップコート樹脂１４を
硬化させた後、第２の治具２２の電磁石をＯＦＦにして
この第２の治具２２をリード１２上から取り外す。その
後、第１の治具２１から半導体チップ１１を抜き取る。
尚、第２の治具２２の取り外しは、チップコート樹脂１
４を半導体チップ１１上に滴下する前でも良い。After the chip coat resin 14 is hardened as described above, the electromagnet of the second jig 22 is turned off and the second jig 22 is removed from the lead 12. After that, the semiconductor chip 11 is pulled out from the first jig 21.
It should be noted that the chip coat resin 1 is used to remove the second jig 22.
4 may be dropped on the semiconductor chip 11.

【００２６】次に、図２（４）に示すように、第４の工
程では、半導体チップ１１とリード１２のインナーリー
ド１２ａ部分とワイヤ１３とチップコート樹脂１４とを
モールド樹脂１５で一体に封止する。これによって半導
体装置１が形成される。Next, as shown in FIG. 2 (4), in the fourth step, the semiconductor chip 11, the inner lead 12 a portion of the lead 12, the wire 13 and the chip coat resin 14 are integrally sealed with the mold resin 15. Stop. As a result, the semiconductor device 1 is formed.

【００２７】上記の樹脂封止半導体装置の製造方法で
は、半導体チップ１１の表面にチップコート樹脂１４を
滴下し、このチップコート樹脂１４を硬化させることで
半導体チップ１１とリード１２とが接着される。したが
って、半導体チップ１１に応力を加えることなく半導体
チップ１１とリード１２とが接着される。In the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device described above, the chip coat resin 14 is dropped on the surface of the semiconductor chip 11 and the chip coat resin 14 is cured to bond the semiconductor chip 11 and the leads 12 together. . Therefore, the semiconductor chip 11 and the leads 12 are bonded together without applying stress to the semiconductor chip 11.

【００２８】また、半導体チップ１１の表面にチップコ
ート樹脂１４を塗布する工程と、半導体チップ１１とリ
ード１２とを接着する工程とを同一の工程で行うことが
できる。このため、上記の工程を別々に行うこ必要がな
く工程数が削減される。そして、同一材料及び同一工程
によって、半導体チップとリードとの接着及び半導体チ
ップ表面の保護とを行うため、製造コストを低減化する
ことが可能になる。さらに、この製造方法では、予め半
導体チップとリードとの間隔ｗを設定し、この間隔ｗに
チップコート樹脂１４を充填するようにしている。この
ため、従来の接着テープの厚さに制約されることなく樹
脂封止半導体装置１の厚みを設定することが可能にな
る。したがって、上記間隔ｗをより狭くすることによっ
て樹脂封止半導体装置１の薄型化を図ることができる。
加えて、上記製造工程でチップコート樹脂として用いて
いる熱硬化性樹脂は、熱硬化の際にも内部にボイドを発
生させることがない。このため、モールド樹脂内に吸湿
された水分がボイド内に溜まることが防止される。Further, the step of applying the chip coat resin 14 on the surface of the semiconductor chip 11 and the step of adhering the semiconductor chip 11 and the leads 12 can be performed in the same step. Therefore, it is not necessary to separately perform the above steps, and the number of steps is reduced. Since the semiconductor chip and the lead are bonded and the surface of the semiconductor chip is protected by the same material and the same process, the manufacturing cost can be reduced. Further, in this manufacturing method, the gap w between the semiconductor chip and the lead is set in advance, and the gap w is filled with the chip coat resin 14. Therefore, the thickness of the resin-sealed semiconductor device 1 can be set without being restricted by the thickness of the conventional adhesive tape. Therefore, the resin-sealed semiconductor device 1 can be made thinner by narrowing the interval w.
In addition, the thermosetting resin used as the chip coat resin in the above manufacturing process does not generate voids inside during thermosetting. Therefore, it is possible to prevent the moisture absorbed in the mold resin from accumulating in the void.

【００２９】[0029]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の樹脂封止
半導体装置によれば、半導体チップとリードとの間にチ
ップコート樹脂を充填することによって、半導体チップ
表面の全域をチップコート樹脂で保護することが可能に
なる。このため、上記チップコート樹脂によって樹脂封
止半導体装置内に生じる熱応力を半導体チップ表面の全
域で緩和することができる。したがって、上記熱応力に
よるパッシベーション膜クラックや、アルミニウム配線
のスライドを防止し、リフロー耐性の向上を図ることが
できる。また、上記チップコート樹脂によってモールド
樹脂に吸湿された水分が半導体チップの表面に伝わるこ
とを防止できる。したがって、上記水分による半導体チ
ップ表面でのリーク電流の発生を防止して樹脂封止半導
体装置の電気的な信頼性を確保することが可能になる。
また、本発明の樹脂封止半導体装置の製造方法によれ
ば、半導体チップに滴下したチップコート樹脂によって
半導体チップとリードとを接着するので、半導体チップ
に応力が加えることなく半導体チップとリードとを接着
することができる。したがって、半導体チップ表面の素
子にダメージを加えることなく樹脂封止半導体装置を製
造することが可能になる。As described above, according to the resin-sealed semiconductor device of the present invention, by filling the chip coat resin between the semiconductor chip and the lead, the entire surface of the semiconductor chip is covered with the chip coat resin. It becomes possible to protect. Therefore, the thermal stress generated in the resin-sealed semiconductor device by the chip coat resin can be relaxed over the entire surface of the semiconductor chip. Therefore, it is possible to prevent cracking of the passivation film and sliding of the aluminum wiring due to the thermal stress, and improve the reflow resistance. Further, it is possible to prevent the moisture absorbed by the mold resin by the chip coat resin from being transmitted to the surface of the semiconductor chip. Therefore, it is possible to prevent the leakage current from being generated on the surface of the semiconductor chip due to the water content and ensure the electrical reliability of the resin-sealed semiconductor device.
Further, according to the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, the semiconductor chip and the lead are bonded by the chip coat resin dropped on the semiconductor chip, so that the semiconductor chip and the lead are bonded to each other without applying stress to the semiconductor chip. Can be glued. Therefore, it becomes possible to manufacture the resin-sealed semiconductor device without damaging the elements on the surface of the semiconductor chip.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】実施例を説明する構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram illustrating an embodiment.

【図２】実施例を説明する工程図である。FIG. 2 is a process chart illustrating an example.

【図３】従来例を説明する構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram illustrating a conventional example.

【図４】従来例を説明する工程図である。FIG. 4 is a process diagram illustrating a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 樹脂封止半導体装置 １１ 半導体チップ １２ リード １３ ワイヤ １４ チップコート樹脂 １５ モールド樹脂 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Resin-sealed semiconductor device 11 Semiconductor chip 12 Lead 13 Wire 14 Chip coat resin 15 Mold resin

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｇ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 23/50 G

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 半導体チップと、前記半導体チップの所
定位置に配置されるリードと、前記半導体チップのボン
ディングパッドと前記リードとを接続するワイヤと、前
記半導体チップの表面に塗布されるチップコート樹脂
と、前記チップと前記リードの一部分と前記ワイヤと前
記チップコート樹脂とを一体に封止するモールド樹脂と
からなる樹脂封止半導体装置において、 前記リードは、その一端が前記半導体チップ表面に配置
され、 前記半導体チップと前記リードとの間には前記チップコ
ート樹脂が充填されていることを特徴とする樹脂封止半
導体装置。1. A semiconductor chip, a lead arranged at a predetermined position of the semiconductor chip, a wire connecting a bonding pad of the semiconductor chip and the lead, and a chip coat resin applied to the surface of the semiconductor chip. And a part of the chip, the lead, and a molding resin that integrally seals the wire and the chip coating resin, wherein one end of the lead is disposed on the surface of the semiconductor chip. A resin-sealed semiconductor device, wherein the chip coat resin is filled between the semiconductor chip and the lead. 【請求項２】 請求項１記載の樹脂封止半導体装置の製
造方法であって、 半導体チップの表面に対して所定の間隔を保ってリード
を配置する第１の工程と、 前記半導体チップのボンディングパッドと前記リードと
をワイヤで接続する第２の工程と、 前記半導体チップの表面にチップコート樹脂を滴下する
ことによって、当該半導体チップの表面に当該チップコ
ート樹脂を塗布して当該半導体チップと前記リードとの
間隔に当該チップコート樹脂を充填し、その後当該チッ
プコート樹脂を加熱して硬化させる第３の工程と、 前記半導体チップと前記リードの一部分と前記ワイヤと
前記チップコート樹脂とをモールド樹脂で一体に封止す
る第４の工程とからなることを特徴とする樹脂封止半導
体装置の製造方法。2. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein a first step of arranging leads at a predetermined distance from a surface of the semiconductor chip, and bonding of the semiconductor chip A second step of connecting the pad and the lead with a wire; and applying the chip coat resin to the surface of the semiconductor chip by dropping the chip coat resin on the surface of the semiconductor chip to form the semiconductor chip and the semiconductor chip. A third step of filling the chip coat resin in a space between the leads and then heating and hardening the chip coat resin, and molding the semiconductor chip, a part of the lead, the wire and the chip coat resin. And a fourth step of integrally sealing with a resin-sealed semiconductor device. 【請求項３】 請求項２記載の樹脂封止半導体装置の製
造方法において、 前記第３の工程でのチップコート樹脂の滴下は、前記半
導体チップと前記リードとの間隔に当該チップコート樹
脂が充填されかつ少なくとも当該半導体チップの表面に
当該チップコート樹脂が塗布された後に滴下を停止する
ことを特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。3. The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 2, wherein the dropping of the chip coat resin in the third step is performed by filling the gap between the semiconductor chip and the lead with the chip coat resin. A method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device, characterized in that dripping is stopped after at least the surface of the semiconductor chip is coated with the chip coating resin.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH10270611A (en) * 1997-01-22 1998-10-09 Hitachi Ltd Resin sealed semiconductor device and manufacture thereof
WO1999001771A1 (en) * 1997-07-04 1999-01-14 Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho Sensor with diaphragm sensor chip

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270611A (en) * 1997-01-22 1998-10-09 Hitachi Ltd Resin sealed semiconductor device and manufacture thereof
WO1999001771A1 (en) * 1997-07-04 1999-01-14 Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho Sensor with diaphragm sensor chip
US6201285B1 (en) 1997-07-04 2001-03-13 Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho Sensor with diaphragm sensor chip

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