JPH07301919A - 表面にレジスト模様を作る直接結像法、およびプリント回路基板製造におけるその使用 - Google Patents
表面にレジスト模様を作る直接結像法、およびプリント回路基板製造におけるその使用Info
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- JPH07301919A JPH07301919A JP5220412A JP22041293A JPH07301919A JP H07301919 A JPH07301919 A JP H07301919A JP 5220412 A JP5220412 A JP 5220412A JP 22041293 A JP22041293 A JP 22041293A JP H07301919 A JPH07301919 A JP H07301919A
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プリント回路基板のような基材表面上に光工
具の使用なしに予め定めた模様でレジスト模様を作るた
めの直接の像形成法を提供する。 【構成】 ホトレジストではなくて熱レジストを使用し
て、すなわち光誘起化学変形ではなくて熱誘起化学変形
を受ける組成物を使用して、プリント回路基板（ＰＣ
Ｂ）製造法との関連で銅クラド誘電物質上のエッチ耐性
有機樹脂物質の模様のような、基材表面上のレジストの
結像模様を直接に製造する方法である。基材表面に加え
られた熱レジスト組成物のフィルムは光工具なしに所望
の模様で集中熱源たとえばＩＲ区域で放出される熱レー
ザー、によって走査されて組成物の局在化熱誘起化学変
形をもたらす。これはレジスト模様を直接に生成する
か、あるいはフィルム中にこの模様の現像可能な潜像を
生成する。
具の使用なしに予め定めた模様でレジスト模様を作るた
めの直接の像形成法を提供する。 【構成】 ホトレジストではなくて熱レジストを使用し
て、すなわち光誘起化学変形ではなくて熱誘起化学変形
を受ける組成物を使用して、プリント回路基板（ＰＣ
Ｂ）製造法との関連で銅クラド誘電物質上のエッチ耐性
有機樹脂物質の模様のような、基材表面上のレジストの
結像模様を直接に製造する方法である。基材表面に加え
られた熱レジスト組成物のフィルムは光工具なしに所望
の模様で集中熱源たとえばＩＲ区域で放出される熱レー
ザー、によって走査されて組成物の局在化熱誘起化学変
形をもたらす。これはレジスト模様を直接に生成する
か、あるいはフィルム中にこの模様の現像可能な潜像を
生成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は直接結像法によって（す
なわち光工具の使用なしに）基材表面にレジスト模様を
製造する方法および特にプリント回路基板の製造におけ
るこのような直接製造を使用する方法に関する。
なわち光工具の使用なしに）基材表面にレジスト模様を
製造する方法および特にプリント回路基板の製造におけ
るこのような直接製造を使用する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント回路基板（ＰＣＢ）はその片面
または両面に伝導体の模様をもつ誘電材料（たとえばエ
ポキシ、ポリイミドなど、代表的にはガラス補強された
もの）から作った基材から成る。ここに使用する用語Ｐ
ＣＢは簡単な片面または両面のＰＣＢ；多層ＰＣＢの製
造に使用する片面または両面の内側の層；および多層Ｐ
ＣＢ自体；を包含することが意図される。
または両面に伝導体の模様をもつ誘電材料（たとえばエ
ポキシ、ポリイミドなど、代表的にはガラス補強された
もの）から作った基材から成る。ここに使用する用語Ｐ
ＣＢは簡単な片面または両面のＰＣＢ；多層ＰＣＢの製
造に使用する片面または両面の内側の層；および多層Ｐ
ＣＢ自体；を包含することが意図される。
【０００３】ＰＣＢの伝導体模様を製造するために多数
の技術が開発された。これらの技術として削除技術、添
加技術、および添加と削除の両方の面をもつ技術があげ
られる。このような方法に共通しているのは伝導体模様
として役立つ基板のえらばれた表面を（ポジまたはネガ
に）規定する模様付きの有機レジストへの信頼である。
すなわち、たとえば誘導性の基板表面は所望の伝導体模
様のネガで模様を付け、その後にレジストによって覆わ
れていない区域を金属メッキして伝導体の模様を与え、
次いでこのレジストを除去することができる。更にふつ
うに使用される方法において、出発材料は片面または両
面を覆う金属層（たとえば銅）をもつ誘導体であり、こ
の金属層の上に所望の回路模様のポジのレジスト模様が
配列される。レジストによって保護されていない金属区
域は誘電体基材表面にまでエッチング除去され、次いで
レジストを除去すると所望の伝導体模様が現われる。別
の通常技術においては、金属クラド誘電体が所望の伝導
体模様のネガで第１のレジストにより模様が付けられ、
非レジスト被覆区域が次いで更なる金属で蓄積され；こ
のように金属化した模様の区域が次いで同じ模様の第２
のレジストによって覆われ、次いで第１のレジストが除
去され、次いで第２のレジストが除去されて所望の伝導
体の模様が現われる。
の技術が開発された。これらの技術として削除技術、添
加技術、および添加と削除の両方の面をもつ技術があげ
られる。このような方法に共通しているのは伝導体模様
として役立つ基板のえらばれた表面を（ポジまたはネガ
に）規定する模様付きの有機レジストへの信頼である。
すなわち、たとえば誘導性の基板表面は所望の伝導体模
様のネガで模様を付け、その後にレジストによって覆わ
れていない区域を金属メッキして伝導体の模様を与え、
次いでこのレジストを除去することができる。更にふつ
うに使用される方法において、出発材料は片面または両
面を覆う金属層（たとえば銅）をもつ誘導体であり、こ
の金属層の上に所望の回路模様のポジのレジスト模様が
配列される。レジストによって保護されていない金属区
域は誘電体基材表面にまでエッチング除去され、次いで
レジストを除去すると所望の伝導体模様が現われる。別
の通常技術においては、金属クラド誘電体が所望の伝導
体模様のネガで第１のレジストにより模様が付けられ、
非レジスト被覆区域が次いで更なる金属で蓄積され；こ
のように金属化した模様の区域が次いで同じ模様の第２
のレジストによって覆われ、次いで第１のレジストが除
去され、次いで第２のレジストが除去されて所望の伝導
体の模様が現われる。
【０００４】上記の方法で使用されるレジスト（代表的
に一次レジストと呼ぶ）とは別に、レジストはまたＰＣ
Ｂのえらばれた表面区域の上に永久被覆（ハンダマスク
として知られる）を与えてこれらの区域を腐食、酸化な
どから保護するために及びＰＣＢ上で行なわれる次のハ
ンダ工程中にそれらを保護するために利用される。この
ようにして行なうレジストの使用は多くの場合「二次レ
ジスト」と呼ばれる。
に一次レジストと呼ぶ）とは別に、レジストはまたＰＣ
Ｂのえらばれた表面区域の上に永久被覆（ハンダマスク
として知られる）を与えてこれらの区域を腐食、酸化な
どから保護するために及びＰＣＢ上で行なわれる次のハ
ンダ工程中にそれらを保護するために利用される。この
ようにして行なうレジストの使用は多くの場合「二次レ
ジスト」と呼ばれる。
【０００５】ＰＣＢの製造に必要なレジスト模様の提供
は現在ほとんど独占的にホトレジストを用いて行なわれ
ている。ホトレジストは問題の表面にフィルムの形体で
加えられるが、最終的に所望のレジスト模様に直接に加
えられるわけではない。むしろ、ホトレジストの組成物
は適当な波長の放射性源（代表的にＵＶ放射線）に露出
したときに光開始変化をうけるような組成物である。す
なわち放射線へのホトレジスト・フィルムの選択的像露
光によって、次に現像して所望のレジスト模様を与える
ことのできる潜像がフィルム中に発生する。
は現在ほとんど独占的にホトレジストを用いて行なわれ
ている。ホトレジストは問題の表面にフィルムの形体で
加えられるが、最終的に所望のレジスト模様に直接に加
えられるわけではない。むしろ、ホトレジストの組成物
は適当な波長の放射性源（代表的にＵＶ放射線）に露出
したときに光開始変化をうけるような組成物である。す
なわち放射線へのホトレジスト・フィルムの選択的像露
光によって、次に現像して所望のレジスト模様を与える
ことのできる潜像がフィルム中に発生する。
【０００６】特に、ホトレジストは、活性放射線への露
光の際に起る光開始変化が非露光区域よりも有意に現像
剤に溶解性が大きいか又は有意に溶解性が小さい露光区
域を与えるためのものであるような感光性組成物から処
方される。この溶解度の差はそれによってホトレジスト
・フィルムの区域を現像剤により選択的に除去されるよ
うになし、その後にレジスト模様として役立つ他の区域
を残す。
光の際に起る光開始変化が非露光区域よりも有意に現像
剤に溶解性が大きいか又は有意に溶解性が小さい露光区
域を与えるためのものであるような感光性組成物から処
方される。この溶解度の差はそれによってホトレジスト
・フィルムの区域を現像剤により選択的に除去されるよ
うになし、その後にレジスト模様として役立つ他の区域
を残す。
【０００７】ホトレジストは「ポジ」操作または「ネ
ガ」操作のいづれかでありうる。ポジのホトレジストは
ＵＶ線照射への露出が光開始反応をもたらし、この反応
がそのような露光区域を非露光区域よりも現像剤に有意
に溶解性の大きいものにするホトレジストである。これ
らの反応はたとえばポリマー鎖中の化学結合の破壊によ
り組成物中にポリマー樹脂物質の光誘起解重合を起す性
質のものであることができ、あるいは組成物全体をその
樹脂成分を含めて現像剤により可溶性のものにする組成
物中に存在する化合物の構造の光誘起変化の性質のもの
であることができる。あるいはその他の同様の反応であ
ることができる。他方、ネガのホトレジストは、ＵＶ線
照射への露出が光開始反応をもたらし、この反応が露光
区域を非露光区域よりも現像剤中に有意に溶解性の小さ
いものにするレジストである。この反応はたとえばフリ
ーラジカル機構により光開始重合、付加重合または交差
結合を受ける組成物の利用により起りうる。従って、ポ
ジのホトレジストを使用するとき、ＵＶ線照射への露光
部分は現像剤によって選択的に除去され、他方ネガのホ
トレジストを使用するときは、ＵＶ線照射に露光されな
かった部分が現像剤により選択的に除去される（図１参
照）。
ガ」操作のいづれかでありうる。ポジのホトレジストは
ＵＶ線照射への露出が光開始反応をもたらし、この反応
がそのような露光区域を非露光区域よりも現像剤に有意
に溶解性の大きいものにするホトレジストである。これ
らの反応はたとえばポリマー鎖中の化学結合の破壊によ
り組成物中にポリマー樹脂物質の光誘起解重合を起す性
質のものであることができ、あるいは組成物全体をその
樹脂成分を含めて現像剤により可溶性のものにする組成
物中に存在する化合物の構造の光誘起変化の性質のもの
であることができる。あるいはその他の同様の反応であ
ることができる。他方、ネガのホトレジストは、ＵＶ線
照射への露出が光開始反応をもたらし、この反応が露光
区域を非露光区域よりも現像剤中に有意に溶解性の小さ
いものにするレジストである。この反応はたとえばフリ
ーラジカル機構により光開始重合、付加重合または交差
結合を受ける組成物の利用により起りうる。従って、ポ
ジのホトレジストを使用するとき、ＵＶ線照射への露光
部分は現像剤によって選択的に除去され、他方ネガのホ
トレジストを使用するときは、ＵＶ線照射に露光されな
かった部分が現像剤により選択的に除去される（図１参
照）。
【０００８】一次レジストを製造するのに使用される必
要なホトレジストフィルムを提供するために、一般に３
種のホトレジストの任意のものを使用することができ
る。その１種は乾燥フィルムとして知られているもので
あり、これは予め存在するフィルムの形体で与えられ、
このものが次いで基材に積層される。たとえば米国特許
第３，４６９，９８２号参照。実際には独占的にネガ・
ホトレジストである乾燥フィルムは、ＰＣＢの大量生産
において今日圧倒的に好ましい。
要なホトレジストフィルムを提供するために、一般に３
種のホトレジストの任意のものを使用することができ
る。その１種は乾燥フィルムとして知られているもので
あり、これは予め存在するフィルムの形体で与えられ、
このものが次いで基材に積層される。たとえば米国特許
第３，４６９，９８２号参照。実際には独占的にネガ・
ホトレジストである乾燥フィルムは、ＰＣＢの大量生産
において今日圧倒的に好ましい。
【０００９】別の種類のホトレジストフィルムは液体ホ
トレジスト組成物（ポジまたはネガのホトレジストであ
りうる）からえられるフィルムである。この組成物はロ
ーラー被覆、浸漬または紡糸などによってフィルムとし
て基材に加え、次いでフィルムを乾燥して使用された可
溶化溶媒のすべて又はほとんどを無くすことによってフ
ィルムになる。
トレジスト組成物（ポジまたはネガのホトレジストであ
りうる）からえられるフィルムである。この組成物はロ
ーラー被覆、浸漬または紡糸などによってフィルムとし
て基材に加え、次いでフィルムを乾燥して使用された可
溶化溶媒のすべて又はほとんどを無くすことによってフ
ィルムになる。
【００１０】第３の種類のホトレジストフィルムは金属
基材への電気泳動析出によってえられるフィルムであ
る。電気泳動析出されるように処方された液体ホトレジ
スト組成物を使用して電気泳動析出を行なう。たとえば
米国特許第４，５９２，８１６号、同第４，７５１，１
７２号、および同第５，００４，６７２号を参照された
い。
基材への電気泳動析出によってえられるフィルムであ
る。電気泳動析出されるように処方された液体ホトレジ
スト組成物を使用して電気泳動析出を行なう。たとえば
米国特許第４，５９２，８１６号、同第４，７５１，１
７２号、および同第５，００４，６７２号を参照された
い。
【００１１】ハンダマスクを提供するために、使用され
るホトレジストは主として液体のネガ・ホトレジスト組
成物であり、これをローラー被覆、カーテン被覆などに
よってフィルムとして加える。ハンダマスクを製造する
ための代表的な方法は米国特許第４，７８９，６２０号
に見出すことができる。
るホトレジストは主として液体のネガ・ホトレジスト組
成物であり、これをローラー被覆、カーテン被覆などに
よってフィルムとして加える。ハンダマスクを製造する
ための代表的な方法は米国特許第４，７８９，６２０号
に見出すことができる。
【００１２】ホトレジスト・フィルムの像露光、すなわ
ち所望の潜像を作るためにＵＶ光照射にフィルムのえら
ばれた部分のみを露光することは、ＵＶ光の通過を許す
適切な模様のマスク（光工具）を使用して所望の場出に
のみＵＶ光を通過させることにより主として行なわれ
る。このような光工具に伴う問題は、その製造が非常に
高価であり時間がかかることである。その上、えらばれ
た像の形成のための光工具の使用は、伝導体の模様の達
成しうる解像に、種々の理由で、限定を課す。
ち所望の潜像を作るためにＵＶ光照射にフィルムのえら
ばれた部分のみを露光することは、ＵＶ光の通過を許す
適切な模様のマスク（光工具）を使用して所望の場出に
のみＵＶ光を通過させることにより主として行なわれ
る。このような光工具に伴う問題は、その製造が非常に
高価であり時間がかかることである。その上、えらばれ
た像の形成のための光工具の使用は、伝導体の模様の達
成しうる解像に、種々の理由で、限定を課す。
【００１３】近年、ホトレジスト用のいわゆる「直接結
像」技術に注意が向けられた。これらの直接結像法にお
いて、フィルム組成物に必要な光開始変化をもたらすの
に必要な活性照射へのホトレジスト・フィルムのえらば
れた区域のみの露光は、模様のある光工具に向けられた
放射線を使用せずに、むしろ予め定めた（コンピュータ
制御の）所望の軌跡模様においてフィルムを直接に走査
するこのような放射線の好適に集光したビーム（たとえ
ば適当な波長の光のレーザー）を使用する。たとえば米
国特許第４，７２４，４６５号；Ｋｕｃｈｔａ，Ａ．
Ｄ．，“Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌ Ｒｅｑｕｉｒｅ
ｍｅｎｔｓ ｆｏｒ Ｄｉｒｅｃｔ Ｉｍａｇｉｎｇ
ｏｆ Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｓ”，Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ Ｐａｐｅｒ Ｎｏ．Ａ ８／１，Ｐｒｉｎｔｅｄ
Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｗｏｒｌｄ Ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎ
５（Ｊｕｎｅ １９９０）；Ｍｅｉｅｒ，Ｋ．，“Ｌａ
ｓｅｒ Ｄｉｒｅｃｔ Ｉｍａｇｉｎｇ ｉｎ Ｈｉｇ
ｈ ＤｅｆｉｎｉｔｉｏｎＩｍａｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅ
ｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ”，ＴｅｃｈｎｉｃａｌＰａｐ
ｅｒ Ｎｏ．Ａ ８／２，Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕ
ｉｔ ＷｏｒｌｄＣｏｎｖｅｎｔｉｏｎ ５（Ｊｕｎｅ
１９９０）参照。このような技術は多くの場合、解像
能力において、及び不完全な光工具技術および光工具取
扱い操業者によって時として生ずる欠陥を回避する点に
おいて、有力な利点を与えるけれども、今日に至るまで
に開発されたものは大量生産には余りにもおそすぎ、高
価なホトレジストを必要とし、そして工業的な使用には
不適切な寿命の短いレーザーに頼っている。
像」技術に注意が向けられた。これらの直接結像法にお
いて、フィルム組成物に必要な光開始変化をもたらすの
に必要な活性照射へのホトレジスト・フィルムのえらば
れた区域のみの露光は、模様のある光工具に向けられた
放射線を使用せずに、むしろ予め定めた（コンピュータ
制御の）所望の軌跡模様においてフィルムを直接に走査
するこのような放射線の好適に集光したビーム（たとえ
ば適当な波長の光のレーザー）を使用する。たとえば米
国特許第４，７２４，４６５号；Ｋｕｃｈｔａ，Ａ．
Ｄ．，“Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌ Ｒｅｑｕｉｒｅ
ｍｅｎｔｓ ｆｏｒ Ｄｉｒｅｃｔ Ｉｍａｇｉｎｇ
ｏｆ Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｓ”，Ｔｅｃｈｎｉｃａ
ｌ Ｐａｐｅｒ Ｎｏ．Ａ ８／１，Ｐｒｉｎｔｅｄ
Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｗｏｒｌｄ Ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎ
５（Ｊｕｎｅ １９９０）；Ｍｅｉｅｒ，Ｋ．，“Ｌａ
ｓｅｒ Ｄｉｒｅｃｔ Ｉｍａｇｉｎｇ ｉｎ Ｈｉｇ
ｈ ＤｅｆｉｎｉｔｉｏｎＩｍａｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅ
ｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ”，ＴｅｃｈｎｉｃａｌＰａｐ
ｅｒ Ｎｏ．Ａ ８／２，Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕ
ｉｔ ＷｏｒｌｄＣｏｎｖｅｎｔｉｏｎ ５（Ｊｕｎｅ
１９９０）参照。このような技術は多くの場合、解像
能力において、及び不完全な光工具技術および光工具取
扱い操業者によって時として生ずる欠陥を回避する点に
おいて、有力な利点を与えるけれども、今日に至るまで
に開発されたものは大量生産には余りにもおそすぎ、高
価なホトレジストを必要とし、そして工業的な使用には
不適切な寿命の短いレーザーに頼っている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的
は、基材表面にレジストの模様を作るための直接結像法
を提供することにある。本発明の更に特定の目的は、プ
リント回路の製造過程において、光工具の使用なしに所
望の予め定めた模様で好適に構成されたフィルムを直接
に結像させることによって与えられる模様付きレジスト
を提供することにある。本発明の更にもう１つの目的
は、感光性材料もしくは組成物に頼ることなしに、フィ
ルム組成物中で所望の結像模様を選択的に製造するため
の直接結像方法を提供することにある。
は、基材表面にレジストの模様を作るための直接結像法
を提供することにある。本発明の更に特定の目的は、プ
リント回路の製造過程において、光工具の使用なしに所
望の予め定めた模様で好適に構成されたフィルムを直接
に結像させることによって与えられる模様付きレジスト
を提供することにある。本発明の更にもう１つの目的
は、感光性材料もしくは組成物に頼ることなしに、フィ
ルム組成物中で所望の結像模様を選択的に製造するため
の直接結像方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】これらの目的および以下
に明らかになるその他の目的は、基材表面にフィルムと
して加える、且つ所望の模様で光工具の使用なしにフィ
ルムを直接に走査する適当に集光させた熱エネルギービ
ームによって伝達される熱誘起機構により選択的に変形
されうる、組成物を使用する方法の提供によって達成さ
れる。このフィルム組成物のこのようにして製造された
選択的変形は所望のレジスト模様を直接に生成させるか
又は現像可能な潜像を生成させる。基本的に、本発明の
方法は、フィルム組成物とその選択的光結像による模様
付きレジストの製造に依存する方法とは対照的に、一般
に模様の無いフィルム組成物からの模様付きレジストの
製造手段として、感熱性をもつ組成物中の組成上の変化
を誘起する選択的熱誘起に依存するものである。
に明らかになるその他の目的は、基材表面にフィルムと
して加える、且つ所望の模様で光工具の使用なしにフィ
ルムを直接に走査する適当に集光させた熱エネルギービ
ームによって伝達される熱誘起機構により選択的に変形
されうる、組成物を使用する方法の提供によって達成さ
れる。このフィルム組成物のこのようにして製造された
選択的変形は所望のレジスト模様を直接に生成させるか
又は現像可能な潜像を生成させる。基本的に、本発明の
方法は、フィルム組成物とその選択的光結像による模様
付きレジストの製造に依存する方法とは対照的に、一般
に模様の無いフィルム組成物からの模様付きレジストの
製造手段として、感熱性をもつ組成物中の組成上の変化
を誘起する選択的熱誘起に依存するものである。
【００１６】ここに熱レジストと呼ぶ、本発明に使用す
るための感熱性レジスト組成物は、好適な熱エネルギー
に応答して又は熱エネルギーを吸収して、化学変化を受
ける種類のレジストである。熱誘起化学変形の性質は組
成物を切除しうる、又は特定の現像剤中の組成物の溶解
度を増大させうる、又は特定の現像剤中の組成物の溶解
度を減少させうるものである。このようにして、組成物
から製造したフィルムの予め定めた区域の選択的熱露出
は、たとえばＰＣＢ製造におけるレジスト模様として役
立ちうる、好適に結像した組成物の模様を直接に又は間
接に製造しうる能力をもつ。
るための感熱性レジスト組成物は、好適な熱エネルギー
に応答して又は熱エネルギーを吸収して、化学変化を受
ける種類のレジストである。熱誘起化学変形の性質は組
成物を切除しうる、又は特定の現像剤中の組成物の溶解
度を増大させうる、又は特定の現像剤中の組成物の溶解
度を減少させうるものである。このようにして、組成物
から製造したフィルムの予め定めた区域の選択的熱露出
は、たとえばＰＣＢ製造におけるレジスト模様として役
立ちうる、好適に結像した組成物の模様を直接に又は間
接に製造しうる能力をもつ。
【００１７】ホトレジストと同様にして、本発明の熱レ
ジストはポジ操作性またはネガ操作性でありうる。ポジ
の熱レジストを用いる場合、必要な熱エネルギーの適当
に集光させたビームは（ａ）集光熱エネルギーに露出さ
れず従って切除されない残存フィルム部分によって表わ
される所望のレジストを直接に製造する場合、露出組成
物を切除するか、あるいは（ｂ）露出組成物を好適な溶
媒中に有意に溶解性の大きなものにする。後者の場合、
実質的に潜像がフィルムに生成され、このフィルムと好
適な現像剤との接触が熱露出区域を溶解除去し、後には
非露出区域が所望の膜様として残る。ネガの熱レジスト
を用いる場合、必要な熱エネルギーの適当な集光ビーム
への組成物の選択露出は露出区域を好適な現像中に有意
に溶解性の少ないものとして、爾後の現像剤による接触
が熱露出しなかった区域を溶解除去し、後に熱露出区域
を所望のレジスト模様として熱露出区域を残す。
ジストはポジ操作性またはネガ操作性でありうる。ポジ
の熱レジストを用いる場合、必要な熱エネルギーの適当
に集光させたビームは（ａ）集光熱エネルギーに露出さ
れず従って切除されない残存フィルム部分によって表わ
される所望のレジストを直接に製造する場合、露出組成
物を切除するか、あるいは（ｂ）露出組成物を好適な溶
媒中に有意に溶解性の大きなものにする。後者の場合、
実質的に潜像がフィルムに生成され、このフィルムと好
適な現像剤との接触が熱露出区域を溶解除去し、後には
非露出区域が所望の膜様として残る。ネガの熱レジスト
を用いる場合、必要な熱エネルギーの適当な集光ビーム
への組成物の選択露出は露出区域を好適な現像中に有意
に溶解性の少ないものとして、爾後の現像剤による接触
が熱露出しなかった区域を溶解除去し、後に熱露出区域
を所望のレジスト模様として熱露出区域を残す。
【００１８】熱レジストの使用により、光工具の使用な
しに直接像形成することによって基材表面にレジスト模
様を生ずる能力は非常に増強される。それはホトレジス
トの直接像形成に必要な特定波長の集光された放射線源
とは対照的に、低コストの固体状態レーザーから生成さ
せうるような必要エネルギーの好適に集光されたエネル
ギー源のみが像形成ビームに必要であるからである。集
光熱エネルギー源、たとえば赤外（ＩＲ）レーザービー
ムは費用、寿命および信頼性の点で、ホトレジストの直
接結像に必要なＵＶまたは深ＵＶビームよりも商業的規
模の操作に使用するのに固有に良好である。その上、光
誘起変化よりもむしろ熱誘起組成変化のみを受ける必要
のある熱レジスト組成物は、直接結像法におけるホトレ
ジスト組成物よりも固有に複雑でない。このままで、そ
れ等はＰＣＢ製作のような工業的用途に必要なコスト上
有効なように処方しうるばかりでなく、それらの簡単な
操作機構は日中の光のもとでの操作を可能にし、そして
そのような使用に必要な処理速度の達成を可能にする。
これらのことは光開始反応に依存するホトレジスト技術
を使用しては従来達成されなかったことである。
しに直接像形成することによって基材表面にレジスト模
様を生ずる能力は非常に増強される。それはホトレジス
トの直接像形成に必要な特定波長の集光された放射線源
とは対照的に、低コストの固体状態レーザーから生成さ
せうるような必要エネルギーの好適に集光されたエネル
ギー源のみが像形成ビームに必要であるからである。集
光熱エネルギー源、たとえば赤外（ＩＲ）レーザービー
ムは費用、寿命および信頼性の点で、ホトレジストの直
接結像に必要なＵＶまたは深ＵＶビームよりも商業的規
模の操作に使用するのに固有に良好である。その上、光
誘起変化よりもむしろ熱誘起組成変化のみを受ける必要
のある熱レジスト組成物は、直接結像法におけるホトレ
ジスト組成物よりも固有に複雑でない。このままで、そ
れ等はＰＣＢ製作のような工業的用途に必要なコスト上
有効なように処方しうるばかりでなく、それらの簡単な
操作機構は日中の光のもとでの操作を可能にし、そして
そのような使用に必要な処理速度の達成を可能にする。
これらのことは光開始反応に依存するホトレジスト技術
を使用しては従来達成されなかったことである。
【００１９】従って、本発明によれば、次の諸工程から
成ることを特徴とする基材表面にレジスト模様を製造す
るための直接像形成法が提供される。 （ａ）熱レジスト組成物すなわち組成物を切除するのに
有効な又はその特定現像剤中の溶解度を増大もしくは減
少させるのに有効な熱誘起化学変形を受ける組成物、の
フィルムを基材に加え、次いで （ｂ）予め定めた模様で且つ光工具の使用なしに、該フ
ィルムの予めえらばれた区域に、有効な熱エネルギーの
好適に集光したビームを指向させて該組成物の熱誘起化
学変形を生ぜしめる。
成ることを特徴とする基材表面にレジスト模様を製造す
るための直接像形成法が提供される。 （ａ）熱レジスト組成物すなわち組成物を切除するのに
有効な又はその特定現像剤中の溶解度を増大もしくは減
少させるのに有効な熱誘起化学変形を受ける組成物、の
フィルムを基材に加え、次いで （ｂ）予め定めた模様で且つ光工具の使用なしに、該フ
ィルムの予めえらばれた区域に、有効な熱エネルギーの
好適に集光したビームを指向させて該組成物の熱誘起化
学変形を生ぜしめる。
【００２０】熱レジストが熱誘起切削をうけるものであ
るとき、上記の諸工程は表面に残る非切除フィルムによ
って表わされるような所望のレジスト模様を直接に生ず
る。その他の種類の熱レジストについて、上記の諸工程
は該フィルム中に潜像を実質的に作る。熱誘起による組
成変化のために他の区域より現像剤中で有意により可溶
性になったフィルム区域の表面から溶解によって所望の
レジスト模様を作るためには、該フィルムを適切な現像
剤と接触させる爾後の工程が次いで必要である。
るとき、上記の諸工程は表面に残る非切除フィルムによ
って表わされるような所望のレジスト模様を直接に生ず
る。その他の種類の熱レジストについて、上記の諸工程
は該フィルム中に潜像を実質的に作る。熱誘起による組
成変化のために他の区域より現像剤中で有意により可溶
性になったフィルム区域の表面から溶解によって所望の
レジスト模様を作るためには、該フィルムを適切な現像
剤と接触させる爾後の工程が次いで必要である。
【００２１】本発明の方法は、メッキレジスト模様、エ
ッチレジスト模様またはハンダレジスト模様を与えるの
使用するためのＰＣＢ製作法に特別な用途をもつ。たと
えば、熱レジストは金属（たとえば銅）クラド誘電基材
の金属面にフィルムとして加えることができる。次いで
好適に集光した熱エネルギービームを所望の模様に光工
具なしにフィルムに選択的に指向させ、直接に又は溶媒
中での現像後に所望の伝導体模様のポジにレジスト模様
を生成させる。次いでレジストによって覆われない区域
の金属表面をエッチング除去する。次いでレジストの除
去（ストリッピング）によりＰＣＢ用の所望の伝導体表
面模様があらわれる。同様にして、本発明の方法は従来
電気泳動が使用されていたＰＣＢ用途において使用する
ことができる。
ッチレジスト模様またはハンダレジスト模様を与えるの
使用するためのＰＣＢ製作法に特別な用途をもつ。たと
えば、熱レジストは金属（たとえば銅）クラド誘電基材
の金属面にフィルムとして加えることができる。次いで
好適に集光した熱エネルギービームを所望の模様に光工
具なしにフィルムに選択的に指向させ、直接に又は溶媒
中での現像後に所望の伝導体模様のポジにレジスト模様
を生成させる。次いでレジストによって覆われない区域
の金属表面をエッチング除去する。次いでレジストの除
去（ストリッピング）によりＰＣＢ用の所望の伝導体表
面模様があらわれる。同様にして、本発明の方法は従来
電気泳動が使用されていたＰＣＢ用途において使用する
ことができる。
【００２２】本発明の更に詳細な面によれば、熱誘起化
学変形をもたらすように熱レジスト組成物のフィルムに
必要な強さの熱エネルギーを集光させる好ましい手段
は、赤外（ＩＲ）ビーム、たとえばレーザー・ダイオー
ドによって放出されるレーザービーム、ネオジニウム−
ヤグまたはＣＯ２ダイオード・レーザーによる方法であ
る。（特定の膜様に含まれるラインの定義の程度によっ
て示されるように）必要な程度に集光させうる他のすべ
ての熱エネルギービームを使用することができる。その
ような熱エネルギービームはたとえば太陽光のビームで
ある。集光ビームは高度に局在化させた熱エネルギーを
供給し、フィルムの化学変形を誘起し、それ故「集光し
た動くオーブンと考えることができる。適切な模様での
集光ビームによるフィルムの走査はたとえばＣＡＤ装置
によって制御することができる。たとえばＥｍｍｅｌ，
Ｐ．Ｍ．，ＳＰＩＥ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ２，
２２２（１９８０）参照。
学変形をもたらすように熱レジスト組成物のフィルムに
必要な強さの熱エネルギーを集光させる好ましい手段
は、赤外（ＩＲ）ビーム、たとえばレーザー・ダイオー
ドによって放出されるレーザービーム、ネオジニウム−
ヤグまたはＣＯ２ダイオード・レーザーによる方法であ
る。（特定の膜様に含まれるラインの定義の程度によっ
て示されるように）必要な程度に集光させうる他のすべ
ての熱エネルギービームを使用することができる。その
ような熱エネルギービームはたとえば太陽光のビームで
ある。集光ビームは高度に局在化させた熱エネルギーを
供給し、フィルムの化学変形を誘起し、それ故「集光し
た動くオーブンと考えることができる。適切な模様での
集光ビームによるフィルムの走査はたとえばＣＡＤ装置
によって制御することができる。たとえばＥｍｍｅｌ，
Ｐ．Ｍ．，ＳＰＩＥ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ２，
２２２（１９８０）参照。
【００２３】図１は電気泳動を使用する従来技術の方法
による基材上に結像レジスト模様の生成の図式代表図で
ある。基材表面、たとえばＰＣＢの製造に使用する誘電
板の外部金属被覆の表面、をネガまたはポジのホトレジ
ストでありうるホトレジスト・フィルムによって被覆す
る。マスク（光工具）を次いでフィルム上に置き、全表
面をＵＶ光によって照明し、それによってホトレジスト
・フィルムの部分を露光する。露光は好適な現像剤中で
非露光区域にくらべて露光区域の溶解度の増大をもたら
すか（ポジのホトレジスト）、または好適な現像剤中で
非露光区域にくらべて露光区域の溶解度の減少をもたら
す（ネガ・ホトレジスト）。現像後に、すなわちフィル
ムと適当な現像剤との接触後に、フィルムの可溶性の大
きい部分は除去されて下にある基材があらわれる。ポジ
・フィルムの場合、基材のあらわれた部分は光に露出し
たフィルム区域に相当し、これに対してネガ・レジスト
では基材のあらわれた部分は光に露出しなかった区域に
相当する。
による基材上に結像レジスト模様の生成の図式代表図で
ある。基材表面、たとえばＰＣＢの製造に使用する誘電
板の外部金属被覆の表面、をネガまたはポジのホトレジ
ストでありうるホトレジスト・フィルムによって被覆す
る。マスク（光工具）を次いでフィルム上に置き、全表
面をＵＶ光によって照明し、それによってホトレジスト
・フィルムの部分を露光する。露光は好適な現像剤中で
非露光区域にくらべて露光区域の溶解度の増大をもたら
すか（ポジのホトレジスト）、または好適な現像剤中で
非露光区域にくらべて露光区域の溶解度の減少をもたら
す（ネガ・ホトレジスト）。現像後に、すなわちフィル
ムと適当な現像剤との接触後に、フィルムの可溶性の大
きい部分は除去されて下にある基材があらわれる。ポジ
・フィルムの場合、基材のあらわれた部分は光に露出し
たフィルム区域に相当し、これに対してネガ・レジスト
では基材のあらわれた部分は光に露出しなかった区域に
相当する。
【００２４】図２はポジの熱レジスト・フィルムを使用
して本発明の方法により基材表面に結像レジスト模様を
生成する図式代表図である。ＰＣＢの製造に使用する誘
電板の外部銅層でありうる基材は、ポジの熱レジスト・
フィルムによって被覆される。熱エネルギーの集光ビー
ムは次いでコンピュータ制御の走査装置によってフィル
ムの予めえらばれた部分と光工具の使用なしに指向さ
れ、それによってフィルム組成物の熱活性化した部分は
熱活性化されていないフィルム部分よりもいくつかの種
類の溶液中でより可溶性になる。すなわち、フィルムと
適当な現像剤との接触により、選択的に活性化されたフ
ィルム部分は溶解されて、下にある基材があらわれる。
して本発明の方法により基材表面に結像レジスト模様を
生成する図式代表図である。ＰＣＢの製造に使用する誘
電板の外部銅層でありうる基材は、ポジの熱レジスト・
フィルムによって被覆される。熱エネルギーの集光ビー
ムは次いでコンピュータ制御の走査装置によってフィル
ムの予めえらばれた部分と光工具の使用なしに指向さ
れ、それによってフィルム組成物の熱活性化した部分は
熱活性化されていないフィルム部分よりもいくつかの種
類の溶液中でより可溶性になる。すなわち、フィルムと
適当な現像剤との接触により、選択的に活性化されたフ
ィルム部分は溶解されて、下にある基材があらわれる。
【００２５】図３はネガの熱レジストフィルムを使用し
て本発明により基材上に結像レジスト模様を生成させる
図式代表図である。この方法は図２に述べたものと実質
的に同様である。相違は熱エネルギーの集光ビームによ
る選択的熱活性化が熱活性化されていない部分に比べて
フィルムの熱活性化部分の溶解度を減少させる点にあ
る。その結果として、現像後にあらわれる基材は熱活性
化されなかったフィルム部分の下にある部分である。
て本発明により基材上に結像レジスト模様を生成させる
図式代表図である。この方法は図２に述べたものと実質
的に同様である。相違は熱エネルギーの集光ビームによ
る選択的熱活性化が熱活性化されていない部分に比べて
フィルムの熱活性化部分の溶解度を減少させる点にあ
る。その結果として、現像後にあらわれる基材は熱活性
化されなかったフィルム部分の下にある部分である。
【００２６】本発明によれば、レジストとして好適な材
料の結像した模様が次のようにして表面上に提供され
る。すなわち、まず表面に熱レジスト組成物のフィルム
を与え、次いで予め定めた模様で且つ光工具の使用なし
に、有効な熱エネルギーの適切に集光したビームをこの
フィルムの特定区域に指向させてこの区域に組成物の熱
誘起化学変化をもたらし、その結果として所望の結像レ
ジスト膜様を直接に生成させるか、あるいはこのような
膜様の現像可能な潜像を生成させる。
料の結像した模様が次のようにして表面上に提供され
る。すなわち、まず表面に熱レジスト組成物のフィルム
を与え、次いで予め定めた模様で且つ光工具の使用なし
に、有効な熱エネルギーの適切に集光したビームをこの
フィルムの特定区域に指向させてこの区域に組成物の熱
誘起化学変化をもたらし、その結果として所望の結像レ
ジスト膜様を直接に生成させるか、あるいはこのような
膜様の現像可能な潜像を生成させる。
【００２７】本発明の最も好ましい態様において、熱エ
ネルギーの適切に集光させたビームは熱レーザーによっ
て生じるＲＩビームの形体をとる。本発明の記述におい
て、および熱レジスト組成物などの特定の面において、
上記の集光熱エネルギーの使用は本発明の説明の形をと
り且つ記述の容易さのためのものである。
ネルギーの適切に集光させたビームは熱レーザーによっ
て生じるＲＩビームの形体をとる。本発明の記述におい
て、および熱レジスト組成物などの特定の面において、
上記の集光熱エネルギーの使用は本発明の説明の形をと
り且つ記述の容易さのためのものである。
【００２８】本発明の使用に好適な熱レジスト組成物
は、そこから究極的に製造される結像模様がそれ自身で
その意図する用途に好適な物理的および化学的性質（た
とえばＰＣＢのエッチレジストとして使用するときのエ
ッチング溶液に対する耐性、ＰＣＢのハンダ・マスクと
して使用するときのハンダに対する耐性、など）を有す
る組成物を構成するようにえらばれたポリマー成分また
はその前駆体を含む組成物である。また、この熱レジス
ト組成物は組成物を切除するのに有効な、あるいは特定
の現像剤中でのその溶解度を増大もしくは減少させるの
に有効な、熱誘起化学変形を受ける性質を有するように
処方される。
は、そこから究極的に製造される結像模様がそれ自身で
その意図する用途に好適な物理的および化学的性質（た
とえばＰＣＢのエッチレジストとして使用するときのエ
ッチング溶液に対する耐性、ＰＣＢのハンダ・マスクと
して使用するときのハンダに対する耐性、など）を有す
る組成物を構成するようにえらばれたポリマー成分また
はその前駆体を含む組成物である。また、この熱レジス
ト組成物は組成物を切除するのに有効な、あるいは特定
の現像剤中でのその溶解度を増大もしくは減少させるの
に有効な、熱誘起化学変形を受ける性質を有するように
処方される。
【００２９】これらの熱レジスト組成物は代表的に好適
な有機溶媒と組合せた液体の形体で使用され、いづれか
の好適な方法によって、たとえば約１０〜１００μｍの
厚さをもつフィルムとして問題の表面に塗布される。塗
布後に、熱レジストフィルムを好適な条件下で乾燥して
溶媒のすべて又はほとんどを蒸発させる（そしてもちろ
ん直接結像法に後に巻きこまれる熱誘起化学変形を永久
にもたらす条件を避ける）。ホトレジストと同様に、熱
レジストも伝導性表面、たとえばプリント回路基板材料
の銅クラド表面に電気泳動析出されるように処方するこ
ともできる。
な有機溶媒と組合せた液体の形体で使用され、いづれか
の好適な方法によって、たとえば約１０〜１００μｍの
厚さをもつフィルムとして問題の表面に塗布される。塗
布後に、熱レジストフィルムを好適な条件下で乾燥して
溶媒のすべて又はほとんどを蒸発させる（そしてもちろ
ん直接結像法に後に巻きこまれる熱誘起化学変形を永久
にもたらす条件を避ける）。ホトレジストと同様に、熱
レジストも伝導性表面、たとえばプリント回路基板材料
の銅クラド表面に電気泳動析出されるように処方するこ
ともできる。
【００３０】熱レジスト組成物はまた乾燥フィルムの形
体で提供することもできる。この場合フィルムは好適な
積層技術によって問題の表面に加えられる。前記の米国
特許第３，４６９，９８２号に記載されているように、
及び当業技術においてよく理解されているように、乾燥
フィルムのホトレジストはホトレジストの実質的に固体
の層を含み、層の少なくとも片面、好ましくは両面は薄
い柔軟性ポリマーフィルムたとえばポリエステル、ポリ
オレフイン、ポリアミド、ビニルポリマー、セルロース
エステルなどと除去可能に接着接触させる。乾燥フィル
ムは、液体のホトレジスト組成物を好適なポリマーフィ
ルム（代表的に裏打ちまたは支持シートと呼ぶ）にコー
トし、その後に組成物を乾燥することによって製造され
る。えられるものは裏打ちシートに除去可能に接着した
実質的に固体の層である。乾燥フィルムが、フォトレジ
ストの両面がポリマーフィルム（すなわち２つのポリマ
ーフィルムの間にはさまれたフィルム）に接触している
ものである場合には、第２のポリマーフィルム（代表的
に保護もしくはカバーシートと呼ぶ）は裏打ちシートに
接触する面と反対側のホトレジスト層面に配置される。
乾燥フィルムを使用してレジスト模様を作ろうとする場
合、乾燥フィルム（保護シートが始めから存在している
場合にはこれを除去したもの）を好適な熱および圧力を
使用して問題の基材に積層させてホトレジスト層の面が
基材面に直接接触するようにする。この点で、今や外側
に面する裏打ちシートは活性放射線へのホトレジスト層
の像露光のために除去することができる。更に代表的に
は、裏打ちシートは放射線に対して透明なポリマーフィ
ルム（たとえばポリエチレンテレフタレート（ＭＹＬＡ
ＲＲ））であって、裏打ちシートの除去なしに露光を行
なうことができる。
体で提供することもできる。この場合フィルムは好適な
積層技術によって問題の表面に加えられる。前記の米国
特許第３，４６９，９８２号に記載されているように、
及び当業技術においてよく理解されているように、乾燥
フィルムのホトレジストはホトレジストの実質的に固体
の層を含み、層の少なくとも片面、好ましくは両面は薄
い柔軟性ポリマーフィルムたとえばポリエステル、ポリ
オレフイン、ポリアミド、ビニルポリマー、セルロース
エステルなどと除去可能に接着接触させる。乾燥フィル
ムは、液体のホトレジスト組成物を好適なポリマーフィ
ルム（代表的に裏打ちまたは支持シートと呼ぶ）にコー
トし、その後に組成物を乾燥することによって製造され
る。えられるものは裏打ちシートに除去可能に接着した
実質的に固体の層である。乾燥フィルムが、フォトレジ
ストの両面がポリマーフィルム（すなわち２つのポリマ
ーフィルムの間にはさまれたフィルム）に接触している
ものである場合には、第２のポリマーフィルム（代表的
に保護もしくはカバーシートと呼ぶ）は裏打ちシートに
接触する面と反対側のホトレジスト層面に配置される。
乾燥フィルムを使用してレジスト模様を作ろうとする場
合、乾燥フィルム（保護シートが始めから存在している
場合にはこれを除去したもの）を好適な熱および圧力を
使用して問題の基材に積層させてホトレジスト層の面が
基材面に直接接触するようにする。この点で、今や外側
に面する裏打ちシートは活性放射線へのホトレジスト層
の像露光のために除去することができる。更に代表的に
は、裏打ちシートは放射線に対して透明なポリマーフィ
ルム（たとえばポリエチレンテレフタレート（ＭＹＬＡ
ＲＲ））であって、裏打ちシートの除去なしに露光を行
なうことができる。
【００３１】本発明の熱レジスト組成物にとって、乾燥
フィルムの製造とその使用形体はホトレジスト組成物に
ついて知られているものと実質的に同じである。液体の
熱レジスト組成物を柔軟性ポリマーフィルムに適当な層
の厚さにコートし次いで乾燥してポリマーフィルムに除
去可能に接着した熱レジスト組成物の実質的に固体の層
を得る。ホトレジストの場合と同様に、熱レジスト層の
反対側の面に除去可能に接着接触するポリマーフィルム
をもつことも可能であり好ましいことである。すなわち
乾燥フィルム熱レジストはポリマーフィルムと熱レジス
トとポリマーフィルムとのサンドイッチ構造から成る。
次いで加熱・加圧積層技術を使用して問題の基材に熱レ
ジスト層を加える。この場合、乾燥フィルムは前期のサ
ンドイッチ構造のものであり、該ポリマーフィルムシー
トの１つは予め除かれていて熱レジスト層の面が基材表
面に直接に付着するようになっている。熱レジストの像
形成の模様は放射線ではなくて熱に依存するので、外側
に面するポリマーフィルムシートは代表的に且つ好まし
くは熱による像形成が起る前に除かれるが、これは厳密
には必要のことではない。また、後に述べるように、本
発明のいくつかの態様は熱による像形成の前に光への露
出工程を使用することを伴い、これらの態様において
は、外側に面するポリマーフィルムは、活性放射線に対
して透明であるように配置されるならば、光への露光工
程の後まで所定の位置に置いておくことができる。
フィルムの製造とその使用形体はホトレジスト組成物に
ついて知られているものと実質的に同じである。液体の
熱レジスト組成物を柔軟性ポリマーフィルムに適当な層
の厚さにコートし次いで乾燥してポリマーフィルムに除
去可能に接着した熱レジスト組成物の実質的に固体の層
を得る。ホトレジストの場合と同様に、熱レジスト層の
反対側の面に除去可能に接着接触するポリマーフィルム
をもつことも可能であり好ましいことである。すなわち
乾燥フィルム熱レジストはポリマーフィルムと熱レジス
トとポリマーフィルムとのサンドイッチ構造から成る。
次いで加熱・加圧積層技術を使用して問題の基材に熱レ
ジスト層を加える。この場合、乾燥フィルムは前期のサ
ンドイッチ構造のものであり、該ポリマーフィルムシー
トの１つは予め除かれていて熱レジスト層の面が基材表
面に直接に付着するようになっている。熱レジストの像
形成の模様は放射線ではなくて熱に依存するので、外側
に面するポリマーフィルムシートは代表的に且つ好まし
くは熱による像形成が起る前に除かれるが、これは厳密
には必要のことではない。また、後に述べるように、本
発明のいくつかの態様は熱による像形成の前に光への露
出工程を使用することを伴い、これらの態様において
は、外側に面するポリマーフィルムは、活性放射線に対
して透明であるように配置されるならば、光への露光工
程の後まで所定の位置に置いておくことができる。
【００３２】本発明に使用するための、且つポジ操作熱
レジストと操作するための熱レジスト組成物の１種は、
熱エネルギーへの露出（たとえば高強度の熱ビーム、好
適には高強度の熱レーザーによって放出されるもの、へ
の露出の結果として切除しうるように処方される。この
種の熱レジストは好ましくは金属基材の、炭素の、又は
他の微粉砕粒子の懸濁した好適な有機レジストを含む。
これらの粒子は指向熱エネルギーの吸収を助け、フィル
ム組成物の蒸発もしくは揮発をもたらす。Ｎ．Ｐ．Ｆｎ
ｒｚｉｋｏｖらのＫｈｉｍ．Ｆｉｇ，９，１３５４（１
９９０）参照。すなわち、このような熱レジスト組成物
のフィルムを表面に加えて熱エネルギーの集中ビームを
使用してフィルムを、光工具の使用なしに、所望の模様
に従って走査すると、ビームに露出したフィルム区域は
切除され下地の面を直接に現わす。ビームに露出しなか
ったフィルム区域は基材面に残って所望の目的（たとえ
ばＰＣＢ製作におけるエッチレジスト）の樹脂の適切な
模様として役立つ。
レジストと操作するための熱レジスト組成物の１種は、
熱エネルギーへの露出（たとえば高強度の熱ビーム、好
適には高強度の熱レーザーによって放出されるもの、へ
の露出の結果として切除しうるように処方される。この
種の熱レジストは好ましくは金属基材の、炭素の、又は
他の微粉砕粒子の懸濁した好適な有機レジストを含む。
これらの粒子は指向熱エネルギーの吸収を助け、フィル
ム組成物の蒸発もしくは揮発をもたらす。Ｎ．Ｐ．Ｆｎ
ｒｚｉｋｏｖらのＫｈｉｍ．Ｆｉｇ，９，１３５４（１
９９０）参照。すなわち、このような熱レジスト組成物
のフィルムを表面に加えて熱エネルギーの集中ビームを
使用してフィルムを、光工具の使用なしに、所望の模様
に従って走査すると、ビームに露出したフィルム区域は
切除され下地の面を直接に現わす。ビームに露出しなか
ったフィルム区域は基材面に残って所望の目的（たとえ
ばＰＣＢ製作におけるエッチレジスト）の樹脂の適切な
模様として役立つ。
【００３３】本発明に使用するための、且つポジ−また
はネガ−操作性であるように処方しうる他の種類の熱レ
ジストは、熱誘起化学変形を受けてそれらを特定の現像
剤により可溶のものとする又はより可溶性の少ないもの
とするのに有効な組成物である。これらの熱レジストか
ら製造したフィルムを用いると、光工具の使用なしに特
定の模様に熱エネルギービームを用いるフィルムの操作
は、ビームに露出した区域に高度を局在した溶解度増大
または溶解度減少の組成変化をもたらし、その結果とし
てフィルムは露出模様の潜像をもつようになる。次いで
適切な現像剤に接触させると組成物の所望の模様がえら
れる。
はネガ−操作性であるように処方しうる他の種類の熱レ
ジストは、熱誘起化学変形を受けてそれらを特定の現像
剤により可溶のものとする又はより可溶性の少ないもの
とするのに有効な組成物である。これらの熱レジストか
ら製造したフィルムを用いると、光工具の使用なしに特
定の模様に熱エネルギービームを用いるフィルムの操作
は、ビームに露出した区域に高度を局在した溶解度増大
または溶解度減少の組成変化をもたらし、その結果とし
てフィルムは露出模様の潜像をもつようになる。次いで
適切な現像剤に接触させると組成物の所望の模様がえら
れる。
【００３４】この種のポジ熱レジストは組成物のポリマ
ーおよび／または非ポリマー分子の結合が熱露出の結果
として破壊されるものでありうる。それ自体で、選択熱
露出はそのように露出した区域を熱エネルギーに露出し
なかった手つかずの組成物区域よりも現像剤に有意によ
り可溶性にさせる。本発明の方法において使用しうるこ
のようなポジ熱レジストの例は遊離ヒドロキシが保護さ
れているフェノール性のポリマーおよび／またはモノマ
ー、および酸または加熱の際に酸を放出しうる物質を含
むものである。加熱後のこれらの有機組成物の溶解度の
変化はある種の保護基が酸触媒の存在下で加熱の際に分
子を残す結果である。たとえばエーテルの酸開裂、酸の
存在下でのエステルの加水解などである。
ーおよび／または非ポリマー分子の結合が熱露出の結果
として破壊されるものでありうる。それ自体で、選択熱
露出はそのように露出した区域を熱エネルギーに露出し
なかった手つかずの組成物区域よりも現像剤に有意によ
り可溶性にさせる。本発明の方法において使用しうるこ
のようなポジ熱レジストの例は遊離ヒドロキシが保護さ
れているフェノール性のポリマーおよび／またはモノマ
ー、および酸または加熱の際に酸を放出しうる物質を含
むものである。加熱後のこれらの有機組成物の溶解度の
変化はある種の保護基が酸触媒の存在下で加熱の際に分
子を残す結果である。たとえばエーテルの酸開裂、酸の
存在下でのエステルの加水解などである。
【００３５】ポジの熱レジスト中に含まれうるこのよう
なポリマーの特定の例はノボラック科のフェノール性ポ
リマー（酸触媒中でのフェノールまたはクレゾールとホ
ルムアルデヒドとの結合生成物）たとえばエポキシ−ノ
ボラック（ノボラックとエピクロロヒドリンとの間の反
応生成物）、またはポリ（ビニルフェノール）（カチオ
ン重合またはラジカル重合によってえられる）である。
ヒドロキシ保護基はエーテル類たとえばアルキル−、ベ
ンジル−、シクロアルキル−またはトリアルキルシリル
−、およびオキシ−カーボニル基でありうる。
なポリマーの特定の例はノボラック科のフェノール性ポ
リマー（酸触媒中でのフェノールまたはクレゾールとホ
ルムアルデヒドとの結合生成物）たとえばエポキシ−ノ
ボラック（ノボラックとエピクロロヒドリンとの間の反
応生成物）、またはポリ（ビニルフェノール）（カチオ
ン重合またはラジカル重合によってえられる）である。
ヒドロキシ保護基はエーテル類たとえばアルキル−、ベ
ンジル−、シクロアルキル−またはトリアルキルシリル
−、およびオキシ−カーボニル基でありうる。
【００３６】ネガの熱レジストは熱誘起ポリマー交差結
合反応をもとにすることができる。それ自体で、選択的
熱露出はそのように露出した区域を活性熱エネルギーに
露出しなかった手つかずの組成物よりも現像剤に有意に
とけにくくさせる。
合反応をもとにすることができる。それ自体で、選択的
熱露出はそのように露出した区域を活性熱エネルギーに
露出しなかった手つかずの組成物よりも現像剤に有意に
とけにくくさせる。
【００３７】本発明の方法に使用しうるネガ熱レジスト
は２種の一般型のものでありうる。第１の種類のレジス
トは交差結合剤としてのポリマーたとえばエポキシ樹脂
またはエポキシ−ノボラック樹脂、脂肪族−、芳香族
−、またはヘテロ芳香族−ポリアミン樹脂と、酸または
加熱の際に酸を放出する化合物とを含む。本発明により
使用しうる交差結合剤の例としてジエチレントリアミ
ン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミ
ン、ジエチレンプロピルアミン、ｏ−、ｍ−、およびｐ
−フェニレンジアミン、ビス（４−アミノフェニルメタ
ン）、ビス（４−アミノフェニル）エーテル、２−メチ
ル−イミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、および１−ベンジル−２−メチルイミダゾールがあ
げられる。
は２種の一般型のものでありうる。第１の種類のレジス
トは交差結合剤としてのポリマーたとえばエポキシ樹脂
またはエポキシ−ノボラック樹脂、脂肪族−、芳香族
−、またはヘテロ芳香族−ポリアミン樹脂と、酸または
加熱の際に酸を放出する化合物とを含む。本発明により
使用しうる交差結合剤の例としてジエチレントリアミ
ン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミ
ン、ジエチレンプロピルアミン、ｏ−、ｍ−、およびｐ
−フェニレンジアミン、ビス（４−アミノフェニルメタ
ン）、ビス（４−アミノフェニル）エーテル、２−メチ
ル−イミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾー
ル、および１−ベンジル−２−メチルイミダゾールがあ
げられる。
【００３８】本発明の方法により使用しうる第２の種類
のネガレジストは、ノボラックポリマー、化学線への露
出の際に酸を発生する光開始剤、および酸の存在下で加
熱するときにノボラックと反応しうる交差結合剤を含
む。このような光開始剤の例は２−ジアゾー１，２−ナ
フトキノン−４−スルホン酸のエステルまたはアミド、
ｏ−ニトロベンズアルデヒド、およびニトロベンジルア
ルコールから誘導されたエステル、α−ハロアシルフェ
ノン、オニウム塩たとえば周期律表の第ＶＡ族、第ＶＩ
Ａ族または第ＶＩＩＡ族の元素のオニウム塩基のクロラ
イド、ブロマイドおよびヨードアイド、および芳香族化
合物のメタンスルホネートエステルである。この種のネ
ガ熱レジスト組成物に使用しうる交差結合剤の例はヘキ
サメチルメラミン、アルキルエーテル、レゾール（塩基
触媒存在下でのフェノールまたはクレゾールとホルムア
ルデヒドとの縮合生成物）、２，６−ビス（ヒドロキシ
メチル）−４−メチルフェノール、およびエポキシ樹脂
である。この種の組成物を使用するとき、本発明の方法
は化学放射線へのフィルムの（光工具を使用しない）非
選択的フラッド露光の初期工程を含む。このフラッド露
光は後の適当な熱エネルギーへの露光の際にフィルム組
成物の熱誘起化学変形を許す、すなわち熱誘起交差結合
反応を接触させるに必要な酸（および酸環境）を含まれ
た光開始剤に発生させる。酸環境の発生はまた熱露光し
ない組成物フィルム部分を水性基材現像剤に十分に酸性
にするのにも役立つ。
のネガレジストは、ノボラックポリマー、化学線への露
出の際に酸を発生する光開始剤、および酸の存在下で加
熱するときにノボラックと反応しうる交差結合剤を含
む。このような光開始剤の例は２−ジアゾー１，２−ナ
フトキノン−４−スルホン酸のエステルまたはアミド、
ｏ−ニトロベンズアルデヒド、およびニトロベンジルア
ルコールから誘導されたエステル、α−ハロアシルフェ
ノン、オニウム塩たとえば周期律表の第ＶＡ族、第ＶＩ
Ａ族または第ＶＩＩＡ族の元素のオニウム塩基のクロラ
イド、ブロマイドおよびヨードアイド、および芳香族化
合物のメタンスルホネートエステルである。この種のネ
ガ熱レジスト組成物に使用しうる交差結合剤の例はヘキ
サメチルメラミン、アルキルエーテル、レゾール（塩基
触媒存在下でのフェノールまたはクレゾールとホルムア
ルデヒドとの縮合生成物）、２，６−ビス（ヒドロキシ
メチル）−４−メチルフェノール、およびエポキシ樹脂
である。この種の組成物を使用するとき、本発明の方法
は化学放射線へのフィルムの（光工具を使用しない）非
選択的フラッド露光の初期工程を含む。このフラッド露
光は後の適当な熱エネルギーへの露光の際にフィルム組
成物の熱誘起化学変形を許す、すなわち熱誘起交差結合
反応を接触させるに必要な酸（および酸環境）を含まれ
た光開始剤に発生させる。酸環境の発生はまた熱露光し
ない組成物フィルム部分を水性基材現像剤に十分に酸性
にするのにも役立つ。
【００３９】上記の種類の熱レジストにとって、すなわ
ち切除をもとにしない熱レジストにとって、選択的熱露
光はもちろんフィルムと適当な現像剤との接触の前に行
なわれる。現像剤は熱結像のためにこのような現像剤に
有意により可溶性にされた組成物フィルム部分（すなわ
ち、ポジ操作性熱レジストの熱露出区域、またはネガ操
作性熱レジストの非熱露出区域）を基材表面から除く。
いかなる数の好適な種類の現像剤も使用することができ
る。たとえば有機溶媒、水中油エマルジョン、油中水エ
マルジョン、特に微小エマルジョン、アルカリ金属塩
（例えば水酸化物、カーボネート）の塩基性水溶液、な
どである。
ち切除をもとにしない熱レジストにとって、選択的熱露
光はもちろんフィルムと適当な現像剤との接触の前に行
なわれる。現像剤は熱結像のためにこのような現像剤に
有意により可溶性にされた組成物フィルム部分（すなわ
ち、ポジ操作性熱レジストの熱露出区域、またはネガ操
作性熱レジストの非熱露出区域）を基材表面から除く。
いかなる数の好適な種類の現像剤も使用することができ
る。たとえば有機溶媒、水中油エマルジョン、油中水エ
マルジョン、特に微小エマルジョン、アルカリ金属塩
（例えば水酸化物、カーボネート）の塩基性水溶液、な
どである。
【００４０】熱レジスト組成物をフィルムとして加える
表面は好ましくは基材への組成物の最適の接着を得るた
めに適当な方法で予備処理されるということが理解され
るであろう。基材表面が高度に反射性である場合、熱エ
ネルギービームの反射によって生じうる悪影響を避ける
ための手段もとるべきである。反射を減少させてフィル
ム組成物の熱吸収を最大にするために、組成物中に適当
な充てん剤を使用してその透明性を減少させることもで
きる。
表面は好ましくは基材への組成物の最適の接着を得るた
めに適当な方法で予備処理されるということが理解され
るであろう。基材表面が高度に反射性である場合、熱エ
ネルギービームの反射によって生じうる悪影響を避ける
ための手段もとるべきである。反射を減少させてフィル
ム組成物の熱吸収を最大にするために、組成物中に適当
な充てん剤を使用してその透明性を減少させることもで
きる。
【００４１】前述のように、熱エネルギーの好ましい集
中源は熱エネルギーを生産しうる熱レーザーたとえばレ
ーザー・ダイオード、二酸化炭素レーザー、またはネオ
ジニウム−ヤグレーザーである。ＣＯ２レーザーの出力
は赤外にあり、最高の取得遷移は１０．６μｍにある。
ネオジニウム−ヤグレーザーは１．０６μｍの波長にお
いて高い平均パワー水準で操作することができる。レー
ザーダイオードは代表的に０．８μｍ近くで操作され
る。上記の熱エネルギー源は好ましいけれども、特定の
目的に必要な線定義の程度に十分な集中手段で必要な熱
エネルギーを与えられた組成物に与える他の適当な手段
を使用することもできる。たとえば処理速度が決定的重
要性をもつことのある、たとえばＰＣＢの工業的規模の
生産にとって、熱エネルギー源の選択が最高に可能な強
度をもつものであって、熱レジスト組成物フィルムの必
要な熱誘起化学変形が非常に迅速に起るような場合であ
るのが一般的である。
中源は熱エネルギーを生産しうる熱レーザーたとえばレ
ーザー・ダイオード、二酸化炭素レーザー、またはネオ
ジニウム−ヤグレーザーである。ＣＯ２レーザーの出力
は赤外にあり、最高の取得遷移は１０．６μｍにある。
ネオジニウム−ヤグレーザーは１．０６μｍの波長にお
いて高い平均パワー水準で操作することができる。レー
ザーダイオードは代表的に０．８μｍ近くで操作され
る。上記の熱エネルギー源は好ましいけれども、特定の
目的に必要な線定義の程度に十分な集中手段で必要な熱
エネルギーを与えられた組成物に与える他の適当な手段
を使用することもできる。たとえば処理速度が決定的重
要性をもつことのある、たとえばＰＣＢの工業的規模の
生産にとって、熱エネルギー源の選択が最高に可能な強
度をもつものであって、熱レジスト組成物フィルムの必
要な熱誘起化学変形が非常に迅速に起るような場合であ
るのが一般的である。
【００４２】本発明の理由によって、ホトレジスト組成
物と高価なレーザーに専ら依存する直接結像法によって
従来示された付随する問題に直面することのない直接結
像法の固有の利点をすべて有する直接結像法すなわち光
工具を使用することのない方法が提供される。すなわ
ち、この方法は光工具調製の時間と費用を避け、工芸そ
れ自体に起る又は光工具を取扱う操業者の結果として起
る欠陥を避ける。然しながらホトレジストにもとづく直
接結像法とは対照的に、光誘起反応に専ら依存するので
はなくて熱誘起反応に依存する本発明の方法は安価な組
成物の使用を可能にし、そしてホトレジスト組成物を使
用するときに必要なＵＶまたは深ＵＶレーザーに伴う短
い寿命とおそい速度を避ける。特に本発明はコスト的に
有効なレーザーを用いて２０〜３０秒以下で１８″／２
４″被覆パネルを走査するという現在の工業的直接結像
法の目標の実現を可能にする。
物と高価なレーザーに専ら依存する直接結像法によって
従来示された付随する問題に直面することのない直接結
像法の固有の利点をすべて有する直接結像法すなわち光
工具を使用することのない方法が提供される。すなわ
ち、この方法は光工具調製の時間と費用を避け、工芸そ
れ自体に起る又は光工具を取扱う操業者の結果として起
る欠陥を避ける。然しながらホトレジストにもとづく直
接結像法とは対照的に、光誘起反応に専ら依存するので
はなくて熱誘起反応に依存する本発明の方法は安価な組
成物の使用を可能にし、そしてホトレジスト組成物を使
用するときに必要なＵＶまたは深ＵＶレーザーに伴う短
い寿命とおそい速度を避ける。特に本発明はコスト的に
有効なレーザーを用いて２０〜３０秒以下で１８″／２
４″被覆パネルを走査するという現在の工業的直接結像
法の目標の実現を可能にする。
【００４３】また、光分解（すなわち化学変化が専ら光
による）ではなくて熱分解（すなわち化学変化が熱によ
り起る）をもとにする方法を提供することによって、本
発明は最適の結果を得るようにその化学を調整しうる種
々の熱レジスト組成物の使用を可能にする。熱レジスト
組成物は、誘電物質の及びＰＣＢのハンダマスクの好ま
しい成分であるエポキシポリマーのような簡単で安価な
ポリマーを基材にすることができる。最後に、本発明の
方法はそれ自身環境を保護するのに非常に望ましい対象
物である実質的に水性の現像溶液の使用を可能にする。
による）ではなくて熱分解（すなわち化学変化が熱によ
り起る）をもとにする方法を提供することによって、本
発明は最適の結果を得るようにその化学を調整しうる種
々の熱レジスト組成物の使用を可能にする。熱レジスト
組成物は、誘電物質の及びＰＣＢのハンダマスクの好ま
しい成分であるエポキシポリマーのような簡単で安価な
ポリマーを基材にすることができる。最後に、本発明の
方法はそれ自身環境を保護するのに非常に望ましい対象
物である実質的に水性の現像溶液の使用を可能にする。
【００４４】
【実施例】本発明の方法をいくつかの非限定的な特定の
具体例を参照して以下に具体的に説明する。 実施例１ ポジの熱レジスト組成物を次の諸成分から製造した。 ポリ（ビニルフェノール）−ｔ−ブチルオキシカー ボニルで１００％置換 ８０（ｗ／ｗ）％ ｐ−トルエンスルホン酸 ５ エチルメチルケトン（溶媒） １５ ｐ−トルエンスルホン酸は組成物の使用直前に加えた。
組成物は約１５μｍの厚さの層になるように銅基材表面
にスピン被覆した。スピン被覆は２０００ｒｐｍで２０
秒間行なった。このフィルムを次いで空気流によって乾
燥し、１．０６μｍの光を放出するネオジニウム−ヤグ
レーザーからのＩＲビームによって、ＣＡＤ装置によっ
て示される予め定めた模様に走査した。走査後に、フィ
ルムを１％ ＮａＯＨ水溶液に６０秒基板を浸漬するこ
とによって現像し、ＩＲビームによって熱活性化された
組成物のフィルム区域の銅表面から除き、基材に残るフ
ィルム区域からできたハッキリしたレジスト模様を達成
させた。
具体例を参照して以下に具体的に説明する。 実施例１ ポジの熱レジスト組成物を次の諸成分から製造した。 ポリ（ビニルフェノール）−ｔ−ブチルオキシカー ボニルで１００％置換 ８０（ｗ／ｗ）％ ｐ−トルエンスルホン酸 ５ エチルメチルケトン（溶媒） １５ ｐ−トルエンスルホン酸は組成物の使用直前に加えた。
組成物は約１５μｍの厚さの層になるように銅基材表面
にスピン被覆した。スピン被覆は２０００ｒｐｍで２０
秒間行なった。このフィルムを次いで空気流によって乾
燥し、１．０６μｍの光を放出するネオジニウム−ヤグ
レーザーからのＩＲビームによって、ＣＡＤ装置によっ
て示される予め定めた模様に走査した。走査後に、フィ
ルムを１％ ＮａＯＨ水溶液に６０秒基板を浸漬するこ
とによって現像し、ＩＲビームによって熱活性化された
組成物のフィルム区域の銅表面から除き、基材に残るフ
ィルム区域からできたハッキリしたレジスト模様を達成
させた。
【００４５】実施例２ ネガの熱レジスト組成物を次の諸成分から製造した。 エポキシ樹脂ＤＥＮ ４３８ＴＭ ３２（ｗ／ｗ）％ ソルビン酸 ８ シクロヘキサノン（溶媒） ５９ フェニレンジアミン（交差結合剤） １ フェニレンジアミンは組成物の使用直前に加えた。組成
物を基板の銅表面に加え、回転によって約４５μｍの厚
さの均一なフィルムをえた。このフィルムを次いで空気
流を使用して乾燥し、実施例１のようにＩＲレーザーに
よって走査し、次いでシクロヘキサノン中に６０秒浸漬
することによって現像し、１Ｒビームによって活性化さ
れなかったフィルム組成物を基材から除いた。基板に残
る熱活性化フィルム組成物からハッキリした形状のレジ
スト模様をえた。
物を基板の銅表面に加え、回転によって約４５μｍの厚
さの均一なフィルムをえた。このフィルムを次いで空気
流を使用して乾燥し、実施例１のようにＩＲレーザーに
よって走査し、次いでシクロヘキサノン中に６０秒浸漬
することによって現像し、１Ｒビームによって活性化さ
れなかったフィルム組成物を基材から除いた。基板に残
る熱活性化フィルム組成物からハッキリした形状のレジ
スト模様をえた。
【００４６】実施例３ ネガの熱レジスト組成物を次の諸成分から製造した。 Ｑｕａｔｒｅｘ ２４１０ ９．５（ｗ／ｗ）％ ポリ（ビニルフェノール） ２８．３ ソルビン酸 ４．７ フェニレンジアミン ０．８ シクロヘキサノン ５６．７ フェニレンジアミンは組成物の使用直前に加えた。実施
例２の方法をくりかえした。ただしこの場合の現像は下
記のミクロ乳化液中の３５℃で２分間の浸漬によって行
なった。 シクロヘキサノン １８．４（ｗ／ｗ）％ Ｐｌｕｒｏｎｉｃ Ｌ−６４ １．２ オレイン酸 ０．４ 水 ８０．０ 満足な模様がえられた。
例２の方法をくりかえした。ただしこの場合の現像は下
記のミクロ乳化液中の３５℃で２分間の浸漬によって行
なった。 シクロヘキサノン １８．４（ｗ／ｗ）％ Ｐｌｕｒｏｎｉｃ Ｌ−６４ １．２ オレイン酸 ０．４ 水 ８０．０ 満足な模様がえられた。
【００４７】実施例４ 実施例３の方法をくりかえした。ただしソルビン酸の代
りにメタアクリル酸を使用したネガ熱レジストを用い
た。この実施例に使用した現像剤は２％ ＮａＯＨ水溶
液（４０℃で９０秒）であった。はっきりした模様がえ
られた。
りにメタアクリル酸を使用したネガ熱レジストを用い
た。この実施例に使用した現像剤は２％ ＮａＯＨ水溶
液（４０℃で９０秒）であった。はっきりした模様がえ
られた。
【００４８】実施例５ 次の諸成分を混合することによってネガ熱レジスト組成
物を製造した。 ノボラック樹脂 ６（ｗ／ｗ）％ ２−ジアゾ−１，２−ナフトキノン−４−スルホン酸と トリヒドロキシベンゾフェノンとのエステル（感光剤） ４ ポリ（ビニルフェノール） ３０ ２，６−ビス（ヒドロキシメチル）−４−メチルフェノ ール（交差結合剤） ３ 溶媒※ ５７※ プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
とｎ−ブタノールの３：２混合物。 銅基板に上記組成物を回転によって被覆して実施例１と
同様にして厚さ約２０μｍの均一層をえた。このフィル
ムを次いで９０℃のオーブン中で３０分間乾燥して広帯
域ＵＶ放射線に２分間フラッド露出した。次いでこのフ
ィルムを熱（ＩＲ）レーザー（実施例と同じレーザー）
ビームによって走査し、１％ ＫＯＨ水溶液で７５秒間
現像した。満足な模様が達成された。
物を製造した。 ノボラック樹脂 ６（ｗ／ｗ）％ ２−ジアゾ−１，２−ナフトキノン−４−スルホン酸と トリヒドロキシベンゾフェノンとのエステル（感光剤） ４ ポリ（ビニルフェノール） ３０ ２，６−ビス（ヒドロキシメチル）−４−メチルフェノ ール（交差結合剤） ３ 溶媒※ ５７※ プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
とｎ−ブタノールの３：２混合物。 銅基板に上記組成物を回転によって被覆して実施例１と
同様にして厚さ約２０μｍの均一層をえた。このフィル
ムを次いで９０℃のオーブン中で３０分間乾燥して広帯
域ＵＶ放射線に２分間フラッド露出した。次いでこのフ
ィルムを熱（ＩＲ）レーザー（実施例と同じレーザー）
ビームによって走査し、１％ ＫＯＨ水溶液で７５秒間
現像した。満足な模様が達成された。
【００４９】実施例６ 次の諸成分を混合することによってポジの熱レジストを
製造した。 マルゼン５０００−ｔ−ＢＯＣ ４６．６（ｗ／ｗ）％ ベンゾイルパーオキサイド ６．７ ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロフタレート ６．７ メチルエチルケトン ４０．０ マルゼン５０００は約５０００の分子量をもつポリ（ビ
ニルフェノール）であり、ｔ−ブチルオキシカーボニル
で１００％置換されていた。この組成物を銅基材表面に
厚さ２０μｍに回転被覆し、次いで空気流によって乾燥
した。ＵＶレーザーを使用してこのフィルムを予め定め
た（ＣＡＤ指向）模様に走査し（深ＵＶレーザーも好適
である）、ＵＶ放射線に露出したフィルム組成物区域に
酸を発生するオニウム塩を発生させた。その後に、ＵＶ
レーザーについて使用したのと同じ模様で実施例１の熱
レーザーでこのフィルムを走査して、熱活性化区域にｔ
−ＢＯＣの結合の酸接触破壊を受けさせた。この熱活性
化区域を次いで、１％ ＮａＯＨ水溶液を使用（６０
秒）して、基材から除去した。上記の方法はＵＶレーザ
ーを無くすことによって変性することができ、熱レーザ
ーにのみ依存してオニウム塩から（ベンゾイルパーオキ
サイドまたは他の酸化剤、あるいは還元剤の存在下で）
酸を発生させることならびに酸接触によるｔ−ＢＯＣの
破壊がもたらされることができるということを理解すべ
きである。
製造した。 マルゼン５０００−ｔ−ＢＯＣ ４６．６（ｗ／ｗ）％ ベンゾイルパーオキサイド ６．７ ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロフタレート ６．７ メチルエチルケトン ４０．０ マルゼン５０００は約５０００の分子量をもつポリ（ビ
ニルフェノール）であり、ｔ−ブチルオキシカーボニル
で１００％置換されていた。この組成物を銅基材表面に
厚さ２０μｍに回転被覆し、次いで空気流によって乾燥
した。ＵＶレーザーを使用してこのフィルムを予め定め
た（ＣＡＤ指向）模様に走査し（深ＵＶレーザーも好適
である）、ＵＶ放射線に露出したフィルム組成物区域に
酸を発生するオニウム塩を発生させた。その後に、ＵＶ
レーザーについて使用したのと同じ模様で実施例１の熱
レーザーでこのフィルムを走査して、熱活性化区域にｔ
−ＢＯＣの結合の酸接触破壊を受けさせた。この熱活性
化区域を次いで、１％ ＮａＯＨ水溶液を使用（６０
秒）して、基材から除去した。上記の方法はＵＶレーザ
ーを無くすことによって変性することができ、熱レーザ
ーにのみ依存してオニウム塩から（ベンゾイルパーオキ
サイドまたは他の酸化剤、あるいは還元剤の存在下で）
酸を発生させることならびに酸接触によるｔ−ＢＯＣの
破壊がもたらされることができるということを理解すべ
きである。
【００５０】実施例７ ハンダマスクとして使用するのに好適なネガの熱レジス
トを次の諸成分を次の重量％で混合することによってま
ず製造した。 ブチルカルビトール ３３．０（ｗ／ｗ）％ セロソルブアセテート １．６ エポキシ樹脂 ５０．０ フロー添加剤 １．６ 着色剤 ４．５ シリカ ５．０ 水 ４．３ 使用前に、この第１組成物をメチルジアニリン（８％
ｗ／ｗ）と混合する。生成する液体組成物を模様付きの
プリント回路上にカーテン被覆して約２０μｍの厚さの
フィルムを生成させ、次いで空気流によって乾燥する。
このフィルムを次いで実施例１の熱レーザーを使用して
ＣＡＤ指向の模様に走査し、貫通孔表面、包囲パッド、
およびランドを構成する区域以外のすべての表面がレー
ザーに露出されるようにした。ブチルカルビトールを用
いる現像によって、レーザーに露出されなかったフィル
ム区域を除去し、残存する組成物のフィルム区域がハン
ダレジスト模様を形成するようにした。
トを次の諸成分を次の重量％で混合することによってま
ず製造した。 ブチルカルビトール ３３．０（ｗ／ｗ）％ セロソルブアセテート １．６ エポキシ樹脂 ５０．０ フロー添加剤 １．６ 着色剤 ４．５ シリカ ５．０ 水 ４．３ 使用前に、この第１組成物をメチルジアニリン（８％
ｗ／ｗ）と混合する。生成する液体組成物を模様付きの
プリント回路上にカーテン被覆して約２０μｍの厚さの
フィルムを生成させ、次いで空気流によって乾燥する。
このフィルムを次いで実施例１の熱レーザーを使用して
ＣＡＤ指向の模様に走査し、貫通孔表面、包囲パッド、
およびランドを構成する区域以外のすべての表面がレー
ザーに露出されるようにした。ブチルカルビトールを用
いる現像によって、レーザーに露出されなかったフィル
ム区域を除去し、残存する組成物のフィルム区域がハン
ダレジスト模様を形成するようにした。
【００５１】実施例８ 次の諸成分を次の重量％で混合することによって熱レジ
スト組成物を製造した。 マルゼン５０００−ｔ−ＢＯＣ（１００％） ２０．０（ｗ／ｗ）％ ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート ５．０ Ｑｕａｔｒｅｘ ２４１０ ３３．０ シクロヘキサノン ２９．０ メチルエチルケトン １３．０ この液体組成物を銅クラドＰＣＢ材料の上に約２０μｍ
のフィルム厚さに回転被覆し、次いで空気流中で乾燥し
た。次いでこのフィルムを実施例１の熱レーザーを使用
してＣＡＤ指向模様に走査し、レーザーに露出したフィ
ルム区域が銅表面から切除される結果をえた。レーザー
に露出されなかったフィルム区域は銅表面上に所望の模
様でハッキリしたレジストを残した。
スト組成物を製造した。 マルゼン５０００−ｔ−ＢＯＣ（１００％） ２０．０（ｗ／ｗ）％ ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート ５．０ Ｑｕａｔｒｅｘ ２４１０ ３３．０ シクロヘキサノン ２９．０ メチルエチルケトン １３．０ この液体組成物を銅クラドＰＣＢ材料の上に約２０μｍ
のフィルム厚さに回転被覆し、次いで空気流中で乾燥し
た。次いでこのフィルムを実施例１の熱レーザーを使用
してＣＡＤ指向模様に走査し、レーザーに露出したフィ
ルム区域が銅表面から切除される結果をえた。レーザー
に露出されなかったフィルム区域は銅表面上に所望の模
様でハッキリしたレジストを残した。
【００５２】本発明を特定の好ましい態様および実施例
を参照して詳細に記述したけれども、これらの記述は本
発明の限定ではなく説明のために与えられたものであ
り、本発明の範囲は特許請求の範囲中に規定されてい
る、ということが理解されるであろう。
を参照して詳細に記述したけれども、これらの記述は本
発明の限定ではなく説明のために与えられたものであ
り、本発明の範囲は特許請求の範囲中に規定されてい
る、ということが理解されるであろう。
【図１】電気泳動を使用する従来技術の方法により基材
表面上に結像レジスト模様を生成させる説明図である。
表面上に結像レジスト模様を生成させる説明図である。
【図２】ポジの熱レジスト・フィルムを使用して本発明
の方法により基材表面上に結像レジスト模様を生成させ
る説明図である。
の方法により基材表面上に結像レジスト模様を生成させ
る説明図である。
【図３】ネガの熱レジスト・フィルムを使用して本発明
の方法により基材表面上に結像レジスト模様を生成させ
る説明図である。
の方法により基材表面上に結像レジスト模様を生成させ
る説明図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５０５ Ｈ０５Ｋ 3/06 Ｈ Ｊ Ｆ 3/18 Ｄ 7511−4Ｅ 3/28 Ｄ 3/46 Ｂ 6921−4Ｅ // Ｃ０８Ｇ 59/50 (72)発明者 シュラミット ハーシュ イスラエル国 テル アビブ ユーシャ ストリート13 (72)発明者 チャバ ガル イスラエル国 ラマト ハシャリム ハロ ニム ストリート （番地なし) (72)発明者 ヤコブ モーゼル イスラエル国 クファー サバ 44280 カラニット ストリート 11
Claims (26)
- 【請求項１】 次の諸工程すなわち （ａ）組成物を切除するのに有効な又は特定の現像剤に
おける溶解度を増大もしくは減少させるのに有効な熱誘
起変形を受ける性質をもつ熱レジスト組成物のフィルム
を基材表面に加え、 （ｂ）その後に、予め定めた模様で且つ光工具の使用な
しに、所望のレジスト模様のポジまたはネガに相当する
該フィルムのえらばれた区域に、有効な熱エネルギーの
集光ビームを指向させて該組成物中に熱誘起変形を生ぜ
しめ、そして （ｃ）熱誘起変形が切除以外のものである場合には、そ
の後に該フィルムを有効な現像剤と接触させて該基材表
面から該変形のために現像剤に差別的により可溶である
該組成物の区域を選択的に除去する、諸工程を含むこと
を特徴とする基材表面に結像レジスト模様を作る直接製
造方法。 - 【請求項２】 次の諸工程すなわち （ａ）特定の現像剤における溶解度を増大もしくは減少
させるのに有効な熱誘起化学変形を受ける性質をもつ熱
レジスト組成物のフィルムを基材表面に加え、 （ｂ）その後に、予め定めた模様で且つ光工具の使用な
しに、所望のレジスト模様のポジまたはネガに相当する
該フィルムのえらばれた区域に、有効な熱エネルギーの
集光ビームを指向させて該組成物中に熱誘起化学変形を
生ぜしめ、そして （ｃ）その後に、該フィルムを有効な現像剤と接触させ
て該基材表面から該変形のために現像剤に差別的により
可溶である該組成物の区域を除去する、諸工程を含むこ
とを特徴とする基材表面に結像レジスト模様を作る直接
製造法。 - 【請求項３】 次の諸工程すなわち （ａ）特定の現像剤における溶解度を増大させるのに有
効な熱誘起化学変形を受ける性質をもつ熱レジスト組成
物のフィルムを基材表面に加え、 （ｂ）その後に、予め定めた模様で且つ光工具の使用な
しに、所望のレジスト模様のネガに相当する該フィルム
のえらばれた区域に、有効な熱エネルギーの集光ビーム
を指向させて特定の溶媒中の該フィルムのえらばれた区
域の溶解度を増大させる熱誘起化学変形を生ぜしめ、そ
して （ｃ）その後に、該フィルムを現像剤と接触させて該基
材表面からえらばれたフィルム区域を除去し、それによ
って該フィルムのえらばれた区域以外の区域を構成する
レジスト模様を生成させる、諸工程を含むことを特徴と
する基材表面に結像レジスト模様を作る直接製造法。 - 【請求項４】 次の諸工程すなわち （ａ）特定の現像剤における溶解度を減少させるのに有
効な熱誘起化学変形を受ける性質をもつ熱レジスト組成
物のフィルムを基材表面に加え、 （ｂ）その後に、予め定めた模様で且つ光工具の使用な
しに、所望のレジスト模様のポジに相当する該フィルム
のえらばれた区域に、有効な熱エネルギーの集光ビーム
を指向させて特定の溶媒中のフィルムのえらばれた区域
の溶解度を減少させる化学変形を熱的に誘起させ、そし
て （ｃ）その後に、該フィルムを現像剤と接触させて該基
材表面から該フィルムのえらばれた区域以外のフィルム
区域を除去し、それによって該フィルムのえらばれた区
域を構成するレジスト模様を生成させる、諸工程を含む
ことを特徴とする基材表面に結像レジスト模様を作る直
接製造法。 - 【請求項５】 熱レジスト組成物が（ａ）その遊離ヒド
ロキシ基が保護されているフェノール性ポリマー、フェ
ノール性モノマーおよびそれらの組合せから成る群から
えらばれた第１部材および（ｂ）酸、加熱の際に、酸を
放出する物質、およびそれらの組合せから成る群からえ
らばれた第２部材を含むことを特徴とする請求項３の方
法。 - 【請求項６】 フェノール性ポリマーがノボラック、エ
ポキシ−ノボラック、ポリ（ビニルフェノール）および
それらの組合せから成る群からえらばれる請求項５の方
法。 - 【請求項７】 フェノール性ポリマーの遊離ヒドロキシ
基がエーテル、オキシ・カーボニルおよびそれらの組合
せからえらばれた化学基によって保護されている請求項
６の方法。 - 【請求項８】 特定の現像剤中の溶解度を減少させるの
に有効な熱レジスト組成物の熱誘起化学変形がポリマー
の交差結合を含む請求項４の方法。 - 【請求項９】 熱レジスト組成物が交差結合性ポリマ
ー、該ポリマーの交差結合剤、ならびに酸、加熱の際に
酸を放出する物質、およびそれらの混合物からえらばれ
た一員を含む請求項８の方法。 - 【請求項１０】 交差結合性ポリマーがエポキシ樹脂、
エポキシ−ノボラック樹脂およびそれらの組合せからえ
らばれ、そして交差結合剤が脂肪族ポリアミン、芳香族
ポリアミン、複素環芳香族ポリアミンおよびそれらの組
合せから成る群からえらばれる請求項９の方法。 - 【請求項１１】 交差結合剤がジエチレントリアミン、
トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、
ジエチレンプロピルアミン、ｏ−フェニレンジアミン、
ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ビ
ス（４−アミノフェニル）メタン、ビス（４−アミノフ
ェニル）エーテル、２−メチル−イミダゾール、２−エ
チル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メ
チルイミダゾール、およびそれらの組合せから成る群か
らえらばれる請求項１０の方法。 - 【請求項１２】 熱レジスト組成物がノボラックポリマ
ー、ＵＶ照射の際に酸を放出する光開始剤、および酸の
存在下に加熱するとき該ノボラックポリマーと反応する
交差結合剤を含み、そして該方法が工程（ａ）の後で工
程（ｂ）の前に、該フィルム組成物を組成物中の酸を放
出するのに有効なＵＶ放射に露出させる更なる工程を含
む請求項８の方法。 - 【請求項１３】 交差結合剤がヘキサメチルメラミンア
ルキルエーテル、レゾール、２，６−ビスヒドロキシメ
チル）−４−メチルフェノール、エポキシ樹脂およびそ
れらの組合せから成る群からえらばれる請求項１２の方
法。 - 【請求項１４】 光開始剤が２−ジアゾ−１，２−ナフ
トキノン−４−スルホン酸のエステルまたはアミド、ｏ
−ニトロベンズアルデヒドおよびニトロベンジルアルコ
ールから誘導されたエステル、α−ハロアシルフェノ
ン、オニウム塩、芳香族化合物のメタンスルホネートエ
ステル、およびそれらの組合せから成る群からえらばれ
る請求項１２の方法。 - 【請求項１５】 オニウム塩が周期律表の第ＶＡ族、第
ＶＩＡ族または第ＶＩＩＡ族の元素のオニウム塩基のク
ロライド、ブロマイドおよびヨーダイドである請求項１
４の方法。 - 【請求項１６】 熱エネルギーの集光ビームが熱レーザ
ーから放出されるＩＲビームである請求項２の方法。 - 【請求項１７】 熱レーザーがネオジニウム・ヤグ・レ
ーザーである請求項１６の方法。 - 【請求項１８】 熱レジストが電気析出性であり、基材
表面が伝導性の表面であり、そして該表面への熱レジス
トの適用が電気泳動析出によって行なわれる請求項２の
方法。 - 【請求項１９】 熱レジストが乾燥フィルム熱レジスト
であり、積層によって基材表面に加えられる請求項２の
方法。 - 【請求項２０】 少なくとも片面に伝導性金属層をもつ
非伝導性基材から成るプリント回路材料が該金属層の表
面にレジスト模様を備えるプリント回路の製造法におい
て、請求項２の方法により該レジスト模様を形成する改
良を含むことを特徴とするプリント回路の製造法。 - 【請求項２１】 プリント回路のえらばれた表面区域の
上に模様付きのハンダマスクを与える方法において、請
求項４の方法により該表面区域上に模様付きハンダマス
クを形成する改良を含むことを特徴とする方法。 - 【請求項２２】 次の諸工程すなわち （ａ）組成物を切除するのに有効な熱誘起変形を受ける
性質をもつ熱レジスト組成物のフィルムを基材表面に加
え、 （ｂ）その後に、予め定めた模様で且つ光工具の使用な
しに、所望のレジスト模様のネガに相当する該フィルム
のえらばれた区域に、フィルムのえらばれた区域を切除
するのに有効な熱エネルギーの集光ビームを指向させ、
それによって該えらばれた区域以外のフィルム区域を構
成する表面上にレジスト模様を生成させる、諸工程を含
むことを特徴とする基材表面に結像レジスト模様を作る
直接製造法。 - 【請求項２３】 熱レジスト組成物の実質的に固体の薄
層を含み、この層の両面のうち少なくとも片面が薄い柔
軟性ポリマーフィルムに除去可能に接着接触しており、
そして該熱レジスト組成物が組成物を切除するのに有効
な又は特定の現像剤中の溶解度を増大もしくは減少させ
るのに有効な熱誘起変形を受ける性質をもつことを特徴
とする基材表面にレジスト模様を製造するのに使用する
ための乾燥フィルム。 - 【請求項２４】 熱レジスト組成物の層の両面が薄い柔
軟性ポリマーフィルムに除去可能に接着接触している請
求項２３の乾燥フィルム。 - 【請求項２５】 薄い柔軟性のポリマーフィルムの少な
くとも１つがポリエチレンテレフタレートから成る請求
項２４の乾燥フィルム。 - 【請求項２６】 柔軟性のポリマーフィルムの他方がポ
リオレフィンから成る請求項２５の乾燥フィルム。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IL102554A IL102554A0 (en) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | Printed circuit board production |
| US99568792A | 1992-12-23 | 1992-12-23 | |
| US134293A | 1993-01-07 | 1993-01-07 | |
| US102554 | 1993-01-07 | ||
| US001342 | 1993-01-07 | ||
| US995687 | 1993-01-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07301919A true JPH07301919A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=27271568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5220412A Pending JPH07301919A (ja) | 1992-07-20 | 1993-07-09 | 表面にレジスト模様を作る直接結像法、およびプリント回路基板製造におけるその使用 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0557138A2 (ja) |
| JP (1) | JPH07301919A (ja) |
| CA (1) | CA2091286A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009510521A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | イーストマン コダック カンパニー | 微細組立用のレーザレジスト転写 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2153986C2 (ru) | 1996-04-23 | 2000-08-10 | Хорселл Грэфик Индастриз Лимитед | Термочувствительная композиция и способ ее применения для изготовления литографической печатной формы |
| US6117610A (en) * | 1997-08-08 | 2000-09-12 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Infrared-sensitive diazonaphthoquinone imaging composition and element containing non-basic IR absorbing material and methods of use |
| WO1999001796A2 (en) | 1997-07-05 | 1999-01-14 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Pattern-forming methods |
| GB9714526D0 (en) | 1997-07-11 | 1997-09-17 | Horsell Graphic Ind Ltd | Pattern Formation |
| AU8739598A (en) | 1997-08-14 | 1999-03-08 | Horsell Graphic Industries Limited | Method of making masks and electronic parts |
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| US6136509A (en) * | 1998-06-05 | 2000-10-24 | Creo Srl | Method of exposing thermoresist |
| GB2342459B (en) | 1998-10-07 | 2003-01-15 | Horsell Graphic Ind Ltd | Improvements in relation to electronic parts |
| DE19847033A1 (de) | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Agfa Gevaert Ag | Negativ arbeitendes, strahlungsempfindliches Gemisch zur Herstellung eines mit Wärme oder Infrarotlaser bebilderbaren Aufzeichnungsmaterials |
| US6558787B1 (en) | 1999-12-27 | 2003-05-06 | Kodak Polychrome Graphics Llc | Relation to manufacture of masks and electronic parts |
| US7172991B2 (en) | 2001-10-11 | 2007-02-06 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Integrated CD/DVD recording and labeling |
| TW201830746A (zh) * | 2016-12-19 | 2018-08-16 | 美商康寧公司 | 極性彈性體微結構及其製造方法 |
-
1993
- 1993-03-09 CA CA 2091286 patent/CA2091286A1/en not_active Abandoned
- 1993-05-07 EP EP19930303542 patent/EP0557138A2/en not_active Withdrawn
- 1993-07-09 JP JP5220412A patent/JPH07301919A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009510521A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | イーストマン コダック カンパニー | 微細組立用のレーザレジスト転写 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0557138A2 (en) | 1993-08-25 |
| CA2091286A1 (en) | 1994-01-21 |
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