JPH0730115A

JPH0730115A - 薄膜トランジスタ及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0730115A
Application number: JP17515493A
Authority: JP
Inventors: Takaaki Shinagawa; 陽明品川; Takeshi Tanaka; 武田中; Kazuhiro Ogawa; 和宏小川
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-07-15
Filing date: 1993-07-15
Publication date: 1995-01-31

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】レーザー等のエネルギービームの優れた性質を
利用して特性の優れた薄膜トランジスタを製造する方
法、及び優れた特性を有する薄膜トランジスタの構造を
提供すること。このような薄膜トランジスタを用いて表
示品質の優れた薄膜トランジスタ方式の液晶表示装置を
提供すること。【構成】基板上に形成され、ゲート電極２、ゲート絶縁
膜３、半導体からなる能動層、半導体に不純物をドーピ
ングして形成されたオーミックコンタクト層１２、ソー
ス電極１０、ドレイン電極１１を有する薄膜トランジス
タにおいて、オーミックコンタクト層１２をソース，ド
レイン電極１０，１１からはみださせ、かつはみでた部
分を結晶化させた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は薄膜半導体装置に関する
ものであり、特に液晶ディスプレイを駆動する薄膜トラ
ンジスタ及びその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、能動層を有する薄膜トランジスタ
では、その製造工程で半導体層にレーザー等のエネルギ
ービームを照射することがよく行われていた。例えば、
結晶化した能動層を有する逆スタガー型の薄膜トランジ
スタの製造は、通常次のような方法で行われていた。絶
縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、そして非晶質
半導体を形成した後に、エネルギービームを照射して半
導体を結晶化させ、次いでパターニングして能動層、続
いてオーミックコンタクト層、ソース，ドレイン電極を
形成する。もしくは特開昭60-245124号公報に記載され
ているように、絶縁性基板上にゲート電極からソース，
ドレイン電極まで全て形成した後、保護膜SiO₂を形成し
レーザーを照射して能動層を結晶化させて製造してい
る。

【０００３】これらの方法で製造された薄膜トランジス
タの構造は、オーミックコンタクト層とソース電極の積
層膜及びオーミックコンタクト層とドレイン電極の積層
膜は共に能動層に面した側面が互いに揃うように積層、
すなわちオーミックコンタクト層とソース電極またはド
レイン電極の能動層に面した部分は同一平面パタ−ンと
なっている。また、オーミックコンタクト層と能動層は
それぞれ均質な材料から形成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の殆どは
多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタに関するもの
であり、レーザー等のエネルギービームは能動層を形成
する半導体の結晶化を行うことに使用され、特にそれ以
外の目的で使用されるようなことはなかった。

【０００５】本発明の目的は、レーザー等のエネルギー
ビームの優れた性質を利用してより特性の優れた薄膜ト
ランジスタを製造する方法、及び優れた特性を有する薄
膜トランジスタの構造を提供することにある。さらに、
このような薄膜トランジスタを用いて表示品質の優れた
薄膜トランジスタ方式の液晶表示装置を提供することを
目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、基板上に形成され、ゲート電極、ゲー
ト絶縁膜、半導体からなる能動層、半導体に不純物をド
ーピングして形成されたオーミックコンタクト層、ソー
ス電極、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタにおい
て、オーミックコンタクト層がソース，ドレイン電極か
らはみでており、かつはみでた部分をほぼ結晶化させ
る。また、このはみでたオーミックコンタクト層と接す
る能動層の領域に不純物を注入する。

【０００７】また、基板上にゲート電極からソース，ド
レイン電極まで全て形成した後に、レーザー等のエネル
ギービームを能動層だけでなくオーミックコンタクト層
にも照射する。

【０００８】また、液晶表示装置を構成するガラス基板
の表示部、あるいは表示部とこれと同一基板に設ける駆
動回路に上記薄膜トランジスタを用いる。

【０００９】

【作用】オーミックコンタクト層のソース，ドレイン電
極からはみでた領域を結晶化させることにより、その部
分が低抵抗化し、ＯＮ電流が大きくなる。また、このは
みでたオーミックコンタクト層と接する能動層の領域に
不純物を注入することにより、薄膜トランジスタの高移
動度化とＯＦＦ電流の低減が可能となる。

【００１０】また、エネルギービームを能動層だけでな
くオーミックコンタクト層にも照射することにより、オ
ーミックコンタクト層のエネルギービームを照射した部
分が結晶化する。さらに、エネルギービームの熱により
オーミックコンタクト層から不純物が拡散し能動層に注
入される。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。

【００１２】まず本発明を薄膜トランジスタの製造に適
用した第一実施例について説明する。図１〜６は本発
明の一実施例における薄膜トランジスタの製造工程を示
す断面図である。まず図１に示すように、ガラス基板１
上にAlを2800Åスパッタリング法で堆積しパターニング
してゲート電極２を形成し、次いでこれを陽極酸化して
1100Åのオ−ミックコンタクト層となるアルミナゲート
絶縁膜３を形成する。そして、プラズマＣＶＤで原料ガ
スSiH₄，NH₃，N₂を用いて２層目のゲート絶縁膜として2
000Åの窒化シリコン膜４を堆積する。次いで全面に能
動層となる２００〜６００Åの非晶質シリコン５と200
〜600Åのｎ型の非晶質シリコン６をプラズマＣＶＤで
それぞれ原料ガスにSiH₄，H₂とSiH₄，H₂，PH₃を用いて
連続堆積しパターニングして島状にする。次いで、スパ
ッタリング法で600ÅのCr７，4000ÅのAl８を連続堆積
する。

【００１３】次に、図２に示すようにレジスト９を塗布
した後フォトリソグラフィーによりソース，ドレイン電
極を形成するための所定の形状のフォトレジストパタ−
ンを形成する。

【００１４】そして、図３に示すようにAl８を燐酸，酢
酸，硝酸を主成分とする溶液で、また、Cr７を硝酸第二
セリウムアンモン水溶液でそれぞれウェットエッチング
して順次除去し、ソース電極10，ドレイン電極11を形成
する。次いで、ヒドラジン主成分の溶液でｎ型の非晶質
シリコン６をウェットエッチングして除去しオーミック
コンタクト層12を形成する。

【００１５】次に、図４に示すようにソース電極10，ド
レイン電極11をさらにウェットエッチング法によりエッ
チングし、これらの端面を1〜5μｍ横方向に後退させオ
ーミックコンタクト層12を形成するｎ型の非晶質シリコ
ンを一部露呈させる。

【００１６】次に図５に示すように能動層５のみならず
ｎ型非晶質シリコンの露呈部13にも220mJ/cm²のXeClエ
キシマレーザー14を照射する。その結果、図６に示すよ
うに能動層が多結晶シリコン15になるだけでなく、ｎ型
非晶質シリコンの露呈部13も溶融結晶化しｎ型の多結晶
シリコン16になる。さらにレーザ照射時の熱によりｎ型
非晶質シリコンの露呈部13から不純物であるＰが拡散
し、その下部の半導体層に注入し弱いｎ型領域17とな
る。

【００１７】上述の実施例によれば、オーミックコンタ
クト層の一部が低抵抗な多結晶シリコンとなるので、図
７が示すとおり電流の大部分がｎ型の多結晶シリコン16
を通り、その結果オーミックコンタクト層全体の抵抗が
低下する。さらに、図８の不純物濃度の分布図に示すよ
うにその下部の半導体層が弱いｎ型領域17となることで
ドレイン領域がLDD構造（ドレイン電極−ｎ+−ｎ−能動
層）となる。ここで、図８（ａ）における縦軸の深さ
は、その右側の図８（ｂ）に示したＴＦＴの断面構造と
対応する。従って、オーミックコンタクト層の低抵抗化
によるＯＮ電流の増加とドレイン領域がLDD構造となる
ことによるＯＦＦ電流の低下が予想される。図９は従来
構造の薄膜トランジスタと本実施例に従って製造した薄
膜トランジスタのゲート電圧−ドレイン電流特性を比較
したものである。明らかに本実施例に従えば従来構造の
薄膜トランジスタと比べて大きなＯＮ電流，小さなＯＦ
Ｆ電流を有する特性が優れた薄膜トランジスタを製造で
きる。

【００１８】なお、前述の実施例において露呈したオー
ミックコンタクト層に照射するレーザーのエネルギーを
能動層に照射する場合よりも高くして、その下部の半導
体層も多結晶化させることも可能である。例えば露呈し
たオーミックコンタクト層に照射するレーザーのエネル
ギーを300mJ/cm²とすると、下部の半導体層の更なる低
抵抗化できるので、図１０のゲート電圧−ドレイン電流
特性が示すように、従来構造のものより高いＯＮ電流特
性をもつ薄膜トランジスタが得られる。

【００１９】逆に、前述の実施例において露呈したオー
ミックコンタクト層に照射するレーザーのエネルギーを
能動層に照射する場合よりも低くして、その下部の半導
体層を非晶質のままにしておくことも可能である。例え
ば露呈したオーミックコンタクト層に照射するレーザー
のエネルギーを170mJ/cm²とすると、その下部の半導体
層は非晶質のままなので、多結晶シリコンの能動層に高
抵抗の非晶質の半導体が接合がすることになり、図１１
のゲート電圧−ドレイン電流特性が示すように、従来構
造のものより低いＯＦＦ電流特性をもつ薄膜トランジス
タを製造できる。

【００２０】次に本発明の第２実施例を図１２，１３に
より説明する。前述の実施例ではオーミックコンタクト
層の一部にレーザを照射する際に上層のソース電極10，
ドレイン電極11を横方向に後退エッチングしてオーミッ
クコンタクト層の一部を露呈させたが、図１２に示すと
おり、ｎ型の非晶質シリコン６を除去してオーミックコ
ンタクト層12を形成し、レジストを除去した後そのまま
エキシマレーザー光14を能動層５のみならずオーミック
コンタクト層12の側面に斜めに照射してもよい。例え
ば、斜めに照射するレーザーのエネルギーは310mJ/cm²
で入射角度は側面に対して45°である。このような製造
方法によっても図１３に示すとおりオーミックコンタク
ト層の側面が溶融結晶化してｎ型の多結晶シリコン16に
なり、さらにその下部の半導体層に不純物が拡散し弱い
ｎ型領域17となる。従って、この方法によってもオーミ
ックコンタクト層の低抵抗化とドレイン領域のLDD化が
図れ特性の優れた薄膜トランジスタが製造できる。

【００２１】なお、前記全ての実施例は能動層の上にオ
ーミックコンタクト層の一部が積層している構造の薄膜
トランジスタであれば適用できる。例えば、図１４に示
すようにオーミックコンタクト層12が能動層５からはみ
でて能動層の側面と接触している構造の薄膜トランジス
タにも適用できる。

【００２２】次に、本発明により製造した薄膜トランジ
スタ（以下ＴＦＴと略す）をアクティブマトリクス型液
晶表示装置の表示部画素の駆動素子として用いた例につ
いて説明する。

【００２３】図１５は本発明の一実施例であるアクティ
ブマトリクス型の液晶表示装置の構成を示す。同図で
は、マトリクス状に配置された複数の液晶セル（ＬＣ）
に対して、それぞれスイッチ素子としてＴＦＴを設け、
このＴＦＴのスイッチング動作によって各液晶セルを駆
動するようにしたものである（図１５では、ＴＦＴとＬ
Ｃを各々１個記載、他は省略してある）。ここで、ガラ
ス基板１上で横方向に並んだＴＦＴの各ゲ−トから共通
に引き出した電極であるゲ−トラインＧ１〜ＧＭに対し
て順次ゲ−ト電圧を印加し、各ゲ−トライン毎にＴＦＴ
のゲ−トをオンしていく。一方、縦方向に並んだＴＦＴ
の各ドレインから共通に引き出した電極であるドレイン
ラインＤ１〜ＤＮに対してデ−タ電圧を印加し、上記オ
ンされたＴＦＴを介して各液晶セルにデ−タ信号を書き
込んでいく。一つの液晶セルとＴＦＴからなる一画素の
平面構造を図１６に示す。さらに図１６中の破線Ｘ−
Ｘ’における断面構造を図１７に示す。ドレイン配線Ｄ
とゲート配線Ｇの交点の近くに形成されたＴＦＴとそれ
にソース電極10を介して接続された液晶セルＬＣが配置
からなる。ＴＦＴの断面構造は第１の実施例（図６）と
同じであり、基本的には図１〜６に記載の製造方法によ
り得られるが、次の点が異なる。

【００２４】（１）ゲート電極２、アルミナゲート絶縁
膜３を形成形成後、透明導電材料であるＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）の膜をスパッタ法により
堆積し、ウエットエッチングまたはドライエッチングに
より所定の形状に加工して透明電極１８（画素電極）形
成する。

【００２５】（２）ソース電極10と透明電極18を接続す
るために透明電極上のゲート絶縁膜４をＳＦ₆系のガス
でドライエッチングして除去する。

【００２６】（３）ゲート配線Ｇ，ドレイン配線Ｄをそ
れぞれゲート電極２ドレイン電極１１と同時に成膜、エ
ッチング加工して形成する。

【００２７】ＴＦＴや透明電極以外の部分についての製
造方法は以下のようになる。ＴＮ型液晶19はＴＦＴなど
を形成したガラス基板1と対向するガラス基板（対向基
板）20の間に封入される。対向ガラス基板20上には不要
な光線を遮蔽するするためのブラックマトリクスと対向
基板となるＩＴＯ18膜が形成されている。液晶は、対向
ガラス基板20に形成した透明電極18（対向電極）とガラ
ス基板1に形成した透明電極18との間に電圧を印加して
駆動され、電圧の大きさによって画素ごとに表示する明
度をかえて画素のマトリクス上で画像を表示する。ガラ
ス基板１、20のいずれにも光を偏向させるための偏向板
21が貼付られている。この２枚の偏向板の偏向軸を直
交、又は平行配置させると、それぞれノーマリーブラッ
ク，ノーマリーホワイトの表示モードとなる。又、図に
は示していないが液晶を配向させるための配向膜が、液
晶19と接する面すなわちガラス基板１側では保護膜22の
表面に、対向ガラス基板20側では透明電極18の表面に塗
布されている。配向膜は塗布後に表面をラビング法によ
り処理され、液晶分子を配向させるための異方性を与え
られている。なお本実施例ではソースと同層の電極10’
とゲート電極２（Ｇ）の間に容量Ｃａｄｄを形成してい
る。容量Ｃａｄｄは、ＴＦＴを通して透明電極18に書き
込まれた電圧で液晶を駆動する際、電圧の歪を低減し表
示される画像の品質を向上する効果をもつ。

【００２８】本実施例においては、従来構造の逆スタガ
ー型結晶性薄膜トランジスタと異なり、本発明になる例
えば図６に示すようなドレイン領域がLDD構造であり、
また能動層が多結晶であるＴＦＴを表示部画素の駆動素
子として用いる。このＴＦＴは前述のようにＯＦＦ電流
が小さいため、これを用いた本実施例の液晶表示装置で
は良好な画像が得られる。さらにＴＦＴのチャネル幅を
狭くしても大きなＯＮ電流が得られるためＴＦＴを微細
化でき、これによって画素の開口率を高めることがで
き、明るい表示画面が得られる。

【００２９】上記実施例では本発明になるＴＦＴを表示
部のスイッチ素子に用いた。次に、本発明によるＴＦＴ
を液晶表示装置の表示部を駆動する駆動回路に用いた実
施例について説明する。本実施例では、駆動回路の一部
を表示部と同一基板上に形成する。

【００３０】図１８はこのようなアクティブマトリクス
型の液晶表示装置の構成を示す。本実施例では周辺駆動
回路の機能の一部分を画素の薄膜トランジスタと同じガ
ラス基板上に形成している。同図では、マトリクス状に
配置された複数の液晶セル（ＬＣ）に対して、それぞれ
薄膜トランジスタを設け、この薄膜トランジスタのスイ
ッチング動作によって各液晶セルを駆動するようにした
ものである。ここで、ガラス基板１上で横方向に並んだ
薄膜トランジスタの各ゲ−トから共通に引き出した電極
であるゲ−トラインＧ１〜ＧＭに対して、ゲ−ト駆動回
路（ドライバーＩＣ）23から順次ゲ−ト電圧を印加し、
各ゲ−トライン毎にＴＦＴのゲ−トをオンしていく。一
方、縦方向に並んだ薄膜トランジスタの各ドレインから
共通に引き出した電極であるドレインラインＤ１〜ＤＮ
に対して、上記ＴＦＴがオンされたゲ−トライン毎のデ
−タ電圧をデ−タ駆動回路24からサンプリング回路25を
経て順次印加し、各液晶セルに与えていく。また、サン
プリング回路25は図１９に示した様に、上記各ドレイン
ラインに対してサンプリング薄膜トランジスタを有し、
サンプリング薄膜トランジスタのゲ−トには表示部の薄
膜トランジスタのゲ−ト電圧がオンしている間に複数の
電圧φ１、φ２を供給する。ドレインラインは２本ずつ
ひとまとめにされ、サンプリング回路25からデ−タ駆動
回路24に接続される。サンプリング回路25は表示部の薄
膜トランジスタと同じガラス基板１上に形成されるの
で、サンプリング回路25がガラス基板1とは別に、すな
わち外付けので設けた場合より、ガラス基板1上の端子
と外部の回路との接続数は半減される。すなわち、ドレ
インラインＤ１とＤ２がひとまとめにされＤＫ１として
デ−タ駆動回路に接続され、結果として表示部の薄膜ト
ランジスタ及びサンプリング回路25が形成された基板と
デ−タ駆動回路24との接続数は半減、すなわちデ−タ駆
動回路24を構成するドライバＩＣ数を半減できる。サン
プリング回路25は画素薄膜トランジスタと同じ工程で容
易に形成できるので、ドライバＩＣ数を半減にした効果
により、液晶表示コストを低減できる効果がある。な
お、画素部の薄膜トランジスタは能動層が非晶質である
ものであっても良いし、もちろん第一実施例で示した構
造の多結晶薄膜トランジスタであっても、もしくは従来
構造の多結晶薄膜トランジスタであっても良い。

【００３１】もちろん、駆動回路の全部を表示部と同一
基板上に本発明のＴＦＴを用いて形成してもよい。

【００３２】図２０は、本発明に係るＴＦＴを有する液
晶表示装置を用いた情報処理装置であるラップトップ型
（又はブック型）のパーソナルコンピュ−タに関する実
施例の斜視図を示す。装置は、キ−ボ−ド26からなる情
報入力部、信号処理部、メモリ部などを備えた本体と、
上記の実施例で述べた液晶表示装置を有する表示モニタ
−27から構成される。本実施例によると、表示モニタ−
の表示画像が明るく、また画像品質が優れた情報処理装
置が得られる。また、液晶表示装置の駆動回路の一部ま
たは全部を表示部を構成するガラス基板上に形成するた
め、小型、軽量で低コストのマイクロコンピュ−タが実
現できる。またデータ駆動用ドライバＩＣの数が少な
く、従来表示部のガラス基板の上と下の両側に配置する
必要のあったＩＣを上側もしくは下側の一方のみとする
ことができる。これにより、図２０に示す様に表示装置
の表示領域の額縁（図中では表示領域の下側）を小さく
できるためマイクロコンピュ−タの小型化が図れるか、
あるいは表示モニタ−の大きさが同じ場合には表示面を
大型化することが可能となる。

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、オーミックコンタクト
層の低抵抗化によってＯＮ電流が大きく、またドレイン
領域をLDD構造とするよってＯＦＦ電流の小さな薄膜ト
ランジスタを提供することができる。

【００３４】さらに、このような薄膜トランジスタを用
いて、明るく表示品質の優れた薄膜トランジスタ方式の
液晶表示装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の薄膜トランジスタの一実施例の製造工
程を示す断面図である。

【図２】本発明の薄膜トランジスタの一実施例の製造工
程を示す断面図である。

【図３】本発明の薄膜トランジスタの一実施例の製造工
程を示す断面図である。

【図４】本発明の薄膜トランジスタの一実施例の製造工
程を示す断面図である。

【図５】本発明の薄膜トランジスタの一実施例の製造工
程を示す断面図である。

【図６】本発明の薄膜トランジスタの一実施例の製造工
程を示す断面図である。

【図７】本発明の一実施例の薄膜トランジスタの中の電
流経路を示す断面図である。

【図８】本発明の一実施例の薄膜トランジスタのドレイ
ン領域における不純物Ｐの分布を示す図である。

【図９】本発明の薄膜トランジスタのゲート電圧−ドレ
イン電流特性を従来構造の薄膜トランジスタの特性と比
較した図である。

【図１０】本発明の薄膜トランジスタのゲート電圧−ド
レイン電流特性を従来構造の薄膜トランジスタの特性と
比較した図である。

【図１１】本発明の薄膜トランジスタのゲート電圧−ド
レイン電流特性を従来構造の薄膜トランジスタの特性と
比較した図である。

【図１２】本発明の薄膜トランジスタの一実施例の製造
方法を示す断面図である。

【図１３】図１２の製造方法によって製造した薄膜トラ
ンジスタの断面構造を示す図である。

【図１４】本発明を適用できる薄膜トランジスタの構造
の一例を示した断面図である。

【図１５】本発明による薄膜トランジスタを適用したア
クティブマトリクス型の液晶表示装置の構成を示す図で
ある。

【図１６】本発明による薄膜トランジスタを適用した液
晶表示装置の一画素の平面構造を示す図である。

【図１７】本発明による薄膜トランジスタを適用した液
晶表示装置の一画素の断面構造を示す図である。

【図１８】本発明による薄膜トランジスタを適用したア
クティブマトリクス型の液晶表示装置の構成を示す図で
ある。

【図１９】本発明による薄膜トランジスタを適用したア
クティブマトリクス型の液晶表示装置の回路構成を示す
図である。

【図２０】本発明による薄膜トランジスタを適用した液
晶表示装置を用いたパーソナルコンピュータの概略斜視
図である。

【符号の説明】

１：ガラス基板，２：ゲート電極，３：アルミナゲート
絶縁膜，４：窒化シリコン膜，５：非晶質シリコン，
６：ｎ型の非晶質シリコン，７：Cr，８：Al，９：レジ
スト，10：ソース電極，11：ドレイン電極，12：オーミ
ックコンタクト層，13：ｎ型非晶質シリコンの露呈部，
14：エキシマレーザービ−ム，15：多結晶シリコン，1
6：ｎ型の多結晶シリコン，17：弱いｎ型領域，18：透
明電極，19：ＴＮ型液晶，20：対向ガラス基板，21：偏
向板，22：保護膜，23：ゲート駆動回路，24：データ駆
動回路，25：サンプリング回路，26：キーボード，27：
表示モニタ−

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成され、ゲート電極、ゲート絶
縁膜、半導体からなる能動層、半導体に不純物をドーピ
ングして形成されたオーミックコンタクト層、ソース電
極、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタにおいて、オーミックコンタクト層がソース，ドレイン電極からは
みでており、かつはみでた部分がほぼ結晶化しているこ
とを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】基板上に形成され、ゲート電極、ゲート絶
縁膜、半導体からなる能動層、半導体に不純物をドーピ
ングして形成されたオーミックコンタクト層、ソース電
極、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタにおいて、前記オーミックコンタクト層の前記能動層に面した側面
の近傍がほぼ結晶化していることを特徴とする薄膜トラ
ンジスタ。
【請求項３】特許請求の範囲第１項において、少なくと
も前記はみでたオーミックコンタクト層と接する能動層
の領域が結晶化していることを特徴とする薄膜トランジ
スタ。
【請求項４】特許請求の範囲第１項において、少なくと
も前記はみでたオーミックコンタクト層と接する能動層
の領域が非晶質であることを特徴とする薄膜トランジス
タ。
【請求項５】特許請求の範囲第１項において、前記はみ
でたオーミックコンタクト層と接する前記能動層の領域
には不純物が注入されていることを特徴とする薄膜トラ
ンジスタ。
【請求項６】特許請求の範囲第５項において、前記注入
された不純物は前記オーミックコンタクト層に含有され
る不純物と同種であることを特徴とする薄膜トランジス
タ。
【請求項７】特許請求の範囲第２項において、前記結晶
化したオーミックコンタクト層の側面近傍と接する能動
層に不純物が注入されていることを特徴とする薄膜トラ
ンジスタ。
【請求項８】基板上に形成され、ゲート電極、ゲート絶
縁膜、半導体からなる能動層、半導体に不純物をドーピ
ングして形成されたオーミックコンタクト層、ソース電
極、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタの製造方法
において、前記オーミックコンタクト層を形成した後、オーミック
コンタクト層の少なくとも一部にエネルギービームを照
射することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】基板上に形成され、ゲート電極、ゲート絶
縁膜、半導体からなる能動層、半導体に不純物をドーピ
ングして形成されたオーミックコンタクト層、ソース電
極、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタの製造方法
において、前記能動層とオーミックコンタクト層を形成した後、能
動層とオーミックコンタクト層の少なくとも一部にエネ
ルギービームを照射することを特徴とする薄膜トランジ
スタの製造方法。
【請求項１０】基板上に形成され、ゲート電極、ゲート
絶縁膜、半導体からなる能動層、半導体に不純物をドー
ピングして形成されたオーミックコンタクト層、ソース
電極、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタの製造方
法において、前記能動層上のソース，ドレイン電極間の不純物をドー
ピングした半導体層を除去した後、能動層とオーミック
コンタクト層の少なくとも一部にエネルギービームを照
射することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】基板上に形成され、ゲート電極、ゲート
絶縁膜、半導体からなる能動層、半導体に不純物をドー
ピングして形成されたオーミックコンタクト層、ソース
電極、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタの製造方
法において、前記能動層上のソース，ドレイン電極間の不純物をドー
ピングした半導体層を除去した後、ソース，ドレイン電
極をさらにエッチングして後退させ一部オーミックコン
タクト層を露呈させてから、能動層と露呈したオーミッ
クコンタクト層にエネルギービームを照射することを特
徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】基板上に形成され、ゲート電極、ゲート
絶縁膜、半導体からなる能動層、半導体に不純物をドー
ピングして形成されたオーミックコンタクト層、ソース
電極、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタの製造方
法において、前記能動層上のソース，ドレイン電極間の不純物をドー
ピングした半導体層を除去した後、能動層及びオーミッ
クコンタクト層の側面にエネルギービームを照射し、オ
ーミックコンタクト層の側面にはエネルギビームを前記
基板に対して斜めに照射することを特徴とする薄膜トラ
ンジスタの製造方法。
【請求項１３】基板上に複数のゲ−トライン、複数のド
レインライン、該ゲ−トラインとドレインラインの各交
差部に薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタと接続さ
れた画素電極を形成し、前記画素電極によって液晶を駆
動する液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタはゲート電極、ゲート絶縁膜、半
導体からなる能動層、半導体に不純物をドーピングして
形成されたオーミックコンタクト層、ソース電極、ドレ
イン電極を有し、オーミックコンタクト層がソース，ド
レイン電極からはみでており、かつはみでた部分がほぼ
結晶化していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】基板上に複数のゲ−トライン、複数のド
レインライン、該ゲ−トラインとドレインラインの各交
差部に薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタと接続さ
れた画素電極を形成し、前記画素電極によって液晶を駆
動する液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタはゲート電極、ゲート絶縁膜、半
導体からなる能動層、半導体に不純物をドーピングして
形成されたオーミックコンタクト層、ソース電極、ドレ
イン電極を有し、前記オーミックコンタクト層の前記能
動層に面した側面の近傍がほぼ結晶化していることを特
徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】基板上に複数のゲ−トライン、複数のド
レインライン、該ゲ−トラインとドレインラインの各交
差部に薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタと接続さ
れた画素電極を形成し、前記画素電極によって液晶を駆
動する液晶表示装置の製造方法において、前記薄膜トランジスタはゲート電極、ゲート絶縁膜、半
導体からなる能動層、半導体に不純物をドーピングして
形成されたオーミックコンタクト層、ソース電極、ドレ
イン電極を有し、前記オーミックコンタクト層を形成し
た後、オーミックコンタクト層の少なくとも一部にエネ
ルギービームを照射することを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。
【請求項１６】基板上に表示部および該表示部を駆動す
る駆動回路の少なくとも一部を形成した液晶表示装置に
おいて、前記駆動回路の少なくとも一部はゲート電極、ゲート絶
縁膜、半導体からなる能動層、半導体に不純物をドーピ
ングして形成されたオーミックコンタクト層、ソース電
極、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタによって形
成され、オーミックコンタクト層がソース，ドレイン電
極からはみでており、かつはみでた部分がほぼ結晶化し
ていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】基板上に表示部および該表示部を駆動す
る駆動回路の少なくとも一部を形成した液晶表示装置に
おいて、前記駆動回路の少なくとも一部はゲート電極、ゲート絶
縁膜、半導体からなる能動層、半導体に不純物をドーピ
ングして形成されたオーミックコンタクト層、ソース電
極、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタによって形
成され、前記オーミックコンタクト層の前記能動層に面
した側面の近傍がほぼ結晶化していることを特徴とする
液晶表示装置。
【請求項１８】基板上に表示部および該表示部を駆動す
る駆動回路の少なくとも一部を形成した液晶表示装置の
製造方法において、前記駆動回路の少なくとも一部はゲート電極、ゲート絶
縁膜、半導体からなる能動層、半導体に不純物をドーピ
ングして形成されたオーミックコンタクト層、ソース電
極、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタによって形
成され、前記オーミックコンタクト層を形成した後、オ
ーミックコンタクト層の少なくとも一部にエネルギービ
ームを照射することを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。
【請求項１９】表示手段、情報入力手段、信号処理手
段、記憶手段を備えた情報処理装置において、前記表示手段は、基板上に複数のゲ−トライン、複数の
ドレインライン、該ゲ−トラインとドレインラインの各
交差部に薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタと接続
された画素電極を形成し、前記画素電極によって液晶を
駆動する液晶表示装置であり、前記薄膜トランジスタは
ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体からなる能動層、半
導体に不純物をドーピングして形成されたオーミックコ
ンタクト層、ソース電極、ドレイン電極を有し、オーミ
ックコンタクト層がソース，ドレイン電極からはみでて
おり、かつはみでた部分がほぼ結晶化していることを特
徴とする情報処理装置。