JPH07288183A - エレクトロルミネッセント装置及びｔｆｅｌ装置並びに薄膜光吸収層の形成方法 - Google Patents

エレクトロルミネッセント装置及びｔｆｅｌ装置並びに薄膜光吸収層の形成方法

Info

Publication number
JPH07288183A
JPH07288183A JP7048393A JP4839395A JPH07288183A JP H07288183 A JPH07288183 A JP H07288183A JP 7048393 A JP7048393 A JP 7048393A JP 4839395 A JP4839395 A JP 4839395A JP H07288183 A JPH07288183 A JP H07288183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
thin film
refractive index
light absorbing
film light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7048393A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4011126B2 (ja
Inventor
Eric R Dickey
アール ディッキイ エリック
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Planar Systems Inc
Original Assignee
Planar Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Planar Systems Inc filed Critical Planar Systems Inc
Publication of JPH07288183A publication Critical patent/JPH07288183A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4011126B2 publication Critical patent/JP4011126B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 エレクトロルミネッセント装置において、表
示装置のコントラストを一層増強し、アドレスされた画
素のまわりのぼんやりした領域を除去し、さらに表示装
置間のカラーの差異を除去することを目的とする。 【構成】 本発明によるエレクトロルミネッセント装置
は、少なくとも、透明電極層と、後側電極層と、これら
透明電極層と後側電極層との間に配置され、前側誘電体
層、後側誘電体層及びこれらの層の間に位置するエレク
トロルミネッセント層を含む少なくとも３個の層とを含
む複数の層とを有する。透明電極は透明基板上に形成さ
れ、透明電極と後側電極との間に電界を印加することに
より光を放出させる。入射光の大部分を吸収する薄膜吸
収層を後側電極と後側誘電体層との間に配置する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、改良された光表示性能
を有する薄膜エレクトロルミネッセント（ＴＦＥＬ）装
置に関するものである。特に、本発明は、エレクトロル
ミネッセント装置内で入射光を吸収する薄膜吸収層に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＥＬ装置は、透明基板（ガラス）上
に形成されたインジウムスズ酸化物から成る１組の前側
電極と、前側電極の後側に位置する透明誘電体層間には
さまれた透明エレクトロルミネッセント蛍光層とを有す
る薄膜積層体で構成されている。後側誘電体層の背面側
に後側電極が配置される。この後側電極は通常アルミニ
ウムで構成されている。この理由は、アルミニウムが良
好な導電性を有すると共に自己回復性能を有しているか
らである。アルミニウムの後側電極は、表示装置の背面
側に向けて伝播する光の大部分を顧客に向けて反射する
ことにより表示装置の輝度を増強する。この反射した光
は表示される画像を二重にしてしまう。この理由は、蛍
光層から放出される光は、前側方向及び背面方向に互い
に等しい量となるからである。さらに、アルミニウムの
後側電極は、表示装置の外部から入射する周辺光も前面
側に向けて反射し、反射された周辺光は表示情報と重な
り合ってしまい、表示装置のコントラスを低下させてし
まう。
【０００３】表示装置のコントラストを増大させるた
め、表示装置の前側透明基板に反射防止膜をコートして
表示装置の前面側で反射した周辺光を減少させている。
このＴＦＥＬ薄膜積層体は、さらに基板をシールする包
囲部材を有し、この包囲部材の後側壁が黒化処理されて
表示装置の後側に位置する外部光源からの光を遮光して
いる。包囲部材の黒のコーティングは前面側から表示装
置に入射し後側電極で反射されなかった周辺光を吸収し
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般にアルミニウムの
後側電極による反射は、後側電極の表面が粗いため拡散
性反射となり、この結果表示装置の他の薄膜層により拡
散性散乱が生じてしまう。この拡散性反射の量は、表示
装置に対して見る側に垂直に配置したフォトメータによ
り測定される。周辺光が法線に対して４５°の角度で表
示装置に入射する場合、典型的な表示装置の場合約１５
％の拡散性反射がある。この拡散性反射を低減するため
に円形の偏光子フィルタを用いれば、約１５％の拡散性
反射を約１％まで低減できるが、表示装置から放出され
る光の３７〜４２％の光しか透過できない不具合があ
り、しかも表示装置のコストが大幅に増大してしまう。
【０００５】表示コントラストを改善する別の試みとし
て、インジウムすず酸化物を透明後側電極に用いること
がある。このように構成すれば、後側電極での反射が低
減されると共に表示装置の後側まで通過した光を吸収す
ることができる。しかしながら、インジウムすず酸化物
はアルミニウムの金属電極よりも抵抗が高いので、適切
な導電率を得るためには一層厚くする必要ある。さら
に、インジウムすずの厚い層はアルミニウムの後側電極
が有する自己回復性能を発揮することができない。従っ
て、誘電体の降伏に起因する装置の信頼性が低下してし
まう。
【０００６】米国特許第３５６０７８４号明細書に記載
されている別の試みとして、薄膜積層体中に光吸収層を
組み込む方法がある。この公知文献には、通常の金属の
後側電極を用いる場合、光吸収層を絶縁層として又は導
電層として加えることが記載されている。しかし、蛍光
層の背後に黒い層を形成すると、蛍光体／絶縁体の界面
に悪影響を及ぼし、表示性能が低下してしまう。ある極
性の光パルスが低下し、フリッカ効果及び輝度全体の損
失が一層増大してしまう。
【０００７】米国特許第５００３２２１号明細書には、
ＴＦＥＬ薄膜積層体の透明基板とこの透明基板と隣接す
る層との間に形成した薄膜層を用いることが開示されて
いる。この膜膜層の屈折率は、この薄膜層と隣接する薄
膜との間の界面に向かって隣接する薄膜の屈折率にほぼ
等しくなるように変化し、この結果これらの層間の界面
の屈折率差は最小にされている。この特許は、種々の実
屈折率を用いることにより薄膜層間の透過率を最大にす
ることを目的としている。このため、この特許明細書
は、薄膜積層体の互いに隣接する２個の層間に屈折率が
徐々に変化する複数の層又は屈折率の連続的に変化する
単一の層を用いて各層間の光の透過率を最大にすること
が教示されている。
【０００８】透明電極層と後側電極との間に電界を印加
すると、蛍光層中に光を放出する画素が形成される。蛍
光層の物理的な構造により、画素により発生した光の大
部分は蛍光層の面内を伝播する。放出光が蛍光層中を伝
播すると、この光は蛍光層の欠陥により散乱され、放出
光の大部分は前面側及び後面側に向けて伝播する。後面
側に向けて伝播又は散乱した光は後側電極によって前面
側に向けて反射し前面側に伝播する光と一緒になる。こ
の結果、アドレスされた画素のまわりにぼんやりした領
域を生じてしまう。この場合、円形の偏光子を用いて
も、放射光全体の光量を低下させることなく画素付近に
生じた光だけを選択的に減少させることはできない。
【０００９】蛍光層と誘電体層との境界にこの境面に対
して微小な角度で入射した放出光は全反射する。この境
界面に大きな角度で入射した光は誘電体層中に屈折す
る。前面ガラスと外部空気との間の屈折率差は極めて大
きいので、外部空間へ出射させるのに必要な入射角は他
の全ての界面よりも一層大きい。すなわち、前側ガラス
と空気との境界から出射しない光はＴＦＥＬ薄膜積層体
の各層間で自由に屈折してしまう。また、ガラスと空気
との境界で後方に向けて反射した光及び他の後方に向け
て伝播する光は後側電極に入射し前側に向けて反射す
る。この光は拡散性散乱又は欠陥に衝突し、ガラスと空
気のとの境界に対する角度が増大するまで表示装置の内
部を伝播し、最終的に画素から離れた位置で表示装置か
ら出射する。
【００１０】ＴＦＥＬ表示装置の外見上の色は蛍光層か
ら放出される光の波長及び個々の薄薄膜層の厚さに依存
する。こはく色の表示装置は、一般に表示装置に対して
垂直の位置では黄色であり、垂直の視角からずれるに従
って赤／オレンジ色に移行する。或は、垂直の視角のと
き赤／オレンジ色であるが、垂直の位置からずれるに従
って黄色に移行する。現在の薄膜堆積処理技術では、ス
クリーン間の色を十分に一定になるように処理を制御す
ることは極めて困難である。
【００１１】従って、現在望まれていることは、表示装
置のコントラストを一層増強し、アドレス画素付近のぼ
んやりした領域を低減し、表示装置間の色の差異を低減
し、拡散反射を大幅に除去することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段並びに作用】本発明は上述
した従来技術の欠点を解消し、少なくとも、透明電極層
と、後側電極層と、これら透明電極層と後側電極層との
間に配置され、前後誘電体層、後側誘電体層及びこれら
の層の間に位置するエレクトロルミネッセント層を含む
少なくとも３個の層とを含む複数の層とを有するエレク
トロルミネッセント表示装置を提供する。前記３個の層
は後側電極層と透明電極層との間に配置し、透明電極層
と後側電極層との間に電界を印加することにより光を放
出するように構成する。入射光の大部分を吸収する薄膜
光吸収層を後側電極層と後側誘電体層との間に配置す
る。
【００１３】本発明の好適実施例においては、薄膜光吸
収層が、その第１の側に後側薄膜層の合成屈折率にほぼ
整合する第１の合成屈折率を有する。この薄膜光吸収層
は、その第２の側において後側電極層の合成屈折率にほ
ぼ整合する第２の合成屈折率を有する。
【００１４】薄膜光吸収層を後側電極層の前面側に配置
することにより、周辺光及びエレクトロルミネッセント
素子から発生し後側に向けて伝播する光が後側電極に入
射する前にほとんど吸収され、これにより表示装置のコ
ントラストを増大させることができる。さらに、薄膜光
吸収層の両側の界面における合成屈折率をそれぞれ後側
電極層及び隣接する層（通常は誘電体層）の合成屈折率
にほぼ整合させることにより、各界面における反射は最
小になる。
【００１５】光吸収層により後側電極に入射し前面側に
向けて反射した周辺光を吸収することにより、拡散性反
射の量は約１５％から約０．６％まで減少する。さら
に、光吸収層により表示装置間の色の差異を８０％減少
させることができる。
【００１６】さらに、光吸収層により、蛍光層から放出
され後側に向けて伝播する光及び薄膜層により後側に向
けて内部反射した光を吸収することによりアドレスされ
た画素のまわりのぼんやりした領域を減少させることが
できる。
【００１７】以下図面に基き本発明を詳細に説明する。
【００１８】
【実施例】図１を参照するに、ＴＦＥＬ装置はガラスか
ら成る透明基板１０を含み、この基板によりＴＦＥＬ素
子を構成する薄膜積層体を支持する。薄膜積層体は透明
前側電極１２及びサンドイッチ構造体の組を含み、サン
ドイッチ構造体は前側誘電体層１４と後側誘電体層１８
との間に挟まれたエレクトロルミネッセント層１６を含
んでいる。アルミニウムから成る後側電極２０を後側誘
電体層１８の後側に配置すると共に透明前側電極１２と
直交する方向に延在させ、両方の電極が同時に附勢され
たとき光の画素を形成する。ＴＦＥＬ素子は包囲部材２
２により基板１０に対して密封され、包囲部材は適当な
接着剤２４により基板１０に固定する。光吸収材料を包
囲部材２２によって画成されるキャビティに注入してさ
らに光を吸収させることもできる。この光吸収材料は充
填材料として通常用いられているシリコンオイル２４又
は米国特許第５１９４０２７号明細書に記載されている
固体充填材料とすることができる。シリコンオイル２４
は、黒の染料を含ませることにより光吸収性とすること
ができる。光吸収性は、包囲部材２２の後側の内側キャ
ビティに黒のコーティング２６を形成することにより一
層増強することができる。
【００１９】後側電極２０と後側誘電体層１８との間に
薄膜吸収層２８を形成することにより、入射する光の大
部分を吸収させることができる。吸収層２８は、この吸
収層２８と後側誘電体層１８との間の界面での光反射を
除去することができる。
【００２０】各材料はｎ−ｉｋと一般に称せられている
合成屈折率を有している。ここで、ｎは媒質中での光の
速度に関係する屈折率であり、ｋは媒質中での光の吸収
と関係する消光係数である。吸収層２８と後側誘電体層
１８との間の界面においてこれらの層の屈折率を適切に
整合させることにより、この界面において大部分の光は
前方に向けて反射しなくなる。吸収層２８と後側電極２
０との間の界面における合成屈折率を適切に整合させて
反射を最小にする必要がある。すなわち、吸収層２８の
合成屈折率は両側の界面の各材料の合成屈折率に対して
整合する必要がある。
【００２１】吸収層２８の両側の合成屈折率を整合させ
るために、屈折率及び消光係数を一方の界面から他方の
界面に亘って変化させて吸収層２８内での光の反射を最
小にする必要がある。反射を最小にするためには、吸収
層２８は、後側誘電体層との界面において透明な材料と
なり後側電極との界面においては大部分の光を吸収する
不透明材料となるように徐々に変化するように構成する
ことができる。好ましくは、吸収層は個々の後側電極と
後側誘電体層１８との間だけに配置する。吸収層は、連
続的に変化する薄膜又は図２に示す吸収層のように階段
状に変化する薄膜として構成することができる。尚、図
２の主要な部材は、吸収層２８，２８′を除いて図１の
構成部材と同一の部材を用いている。勿論、吸収層２８
は金属とすることができ、この場合吸収層は、後側電極
との間で短絡しないように図２に示すようにパターン化
する必要がある。この場合、吸収層２８′は、互いにギ
ャップを有し後側電極と同一方向に延在する細条として
パターン化される。
【００２２】吸収層は、以下の簡単な３個の条件を満た
すことにより所望の吸収特性を有し不所望な反射を最小
にできることが判明している。これらの３個の条件は以
下の通りであり、順次説明することにする。 （１）屈折率の個々の段階的な変化の幅は表示装置に用
いる光に対して極めて薄くする必要がある。 （２）光学定数は一方の材料から他方の材料まで単調に
変化させる。 （３）吸収層全体の平均光学厚さは表示装置の波長程度
になるように十分な厚さとする。
【００２３】はじめに、段階的な変化の幅を光の波長に
対して極めて薄くする要件は、吸収層内部の屈折率ｎの
変化及び消光係数ｋの変化と関連する。これらの段階的
な変化は干渉が回避されるように小さくする。多数の徐
々に変化する層で構成される吸収層２８′の場合、各隣
接する層間の屈折率及び消光係数（ｎ−ｉｋ）の変化は
十分に小さくする。合成屈折率の変化を十分に小さくす
るため、多数の薄膜を用いる必要がある。特性が連続的
に変化する吸収層２８の場合、屈折率及び消光係数は後
側誘電体層との界面から後側電極との界面に亘ってなだ
らかな勾配で変化しなければならない。合成屈折率をな
だらかに変化させることにより、光の屈折が減少する。
【００２４】第２に、光学定数は一方の材料側から他方
の材料側に向けて単調に変化させる必要がある。屈折率
ｎ及び消光係数ｋは、吸収層の内部において増加減少す
ることなく、単調に増加し又は減少しなければならな
い。屈折率ｎ又は消光係数ｋのいずれかの値が増加し次
に減少、或は減少し次に増加すると、反射が生ずるおそ
れがある。
【００２５】第３に、吸収層の平均光学厚さは光の波長
の程度にすくなくとも十分な厚さとする必要がある。光
学厚さは吸収層の屈折率と物理的厚さの積である。この
光学厚さは表示装置に用いられる光の少なくとも１／２
波長にする。
【００２６】上述した吸収層は、後側電極の前側に配置
すると多くの所望の特性を発揮する。第１に、吸収層の
内部並びに後側誘電体層又は後側電極との界面において
ほとんど反射が生ぜず、入射光を反射することなく吸収
するので、吸収層は無限の厚さの透明材料層として光学
的にモデル化することができる。すなわち、吸収層は、
入射光を前面側にほとんど反射することなく表示装置の
背面側に向けて伝播する入射光を吸収することになる。
【００２７】表示装置のコントラストは、周辺光を生ず
ることなく表示装置から放出された光に対する表示装置
によって反射した周辺光の割合である。吸収層で周辺光
を吸収することにより、周辺光は後側電極で前面側に向
けて反射せず、この結果表示装置のコントラストが増大
する。一方、この吸収層を用いることに関連して輝度に
ついての不利が生じてしまう。吸収層を有する表示装置
は、フィルタが設けられていない標準の反射性電極表示
装置の明るさの約２８％の明るさしか有していないこと
が判明した。この輝度の低下は、蛍光体から側方や背面
側に放出された光の損失に起因しており、これらの光は
標準の後側電極により観客側に向けて反射する。吸収層
を有する表示装置は、輝度が低いにもかかわらず、通常
の反射性電極の表示装置よりも優れたコントラストを有
し、高輝度よりも高コントラストが要求される用途にお
いて高い有用性を有している。
【００２８】拡散反射は、主として粗い表面を有し輝く
ようなアルミニウムから成る後側電極に入射する光によ
り発生する。従って、吸収層により後側電極に入射した
光を吸収することにより、拡散反射を発生させる主な光
成分を除去することができる。種々の薄膜積層素子間の
界面及び素子自体の欠陥により、依然として微小量の拡
散反射が残存している。吸収層を有する表示装置により
拡散反射を約１５％から約０．６％に減少させることが
でき、表示装置のコントラストを一層増強できることが
判明している。
【００２９】さらに、吸収層は光を吸収する際、大きな
角度依存性を有している。従って、背面方向に散乱しほ
ぼ入射角の角度で吸収層に入射した光はほとんど吸収さ
れ、アドレスされる画素のまわりのぼんやりとした視野
領域を減少させることができる。
【００３０】さらに、異なる薄膜間で屈折し必須の入射
角の条件を満たさず空気と誘電体との境界から散逸する
光も吸収層によって吸収される。このような屈折光を吸
収することは表示装置から出射する任意の光に対して有
効である。
【００３１】さらに、吸収層は、同一の表示装置におけ
る色変化も減少させる。異なる表示装置間の色変化の一
部は、後側電極２０によって前面側に向けて反射する光
の干渉により生ずる。色変化は、表示装置間の薄膜の厚
さの微小な変化と共に視野角の変化により発生する。後
側電極で反射した光の干渉を除去することにより、同一
の表示装置における色変化は８０％除去することができ
る。
【００３２】一般的な誘電体層は５５０ｎｍの波長にお
ける屈折率及び消光係数として、ｎ＝１．７５及びｋ≒
０を有する透明材料である。アルミニウムの後側電極は
ｎ＝０．８２及びｋ＝６．０の屈折率及び消光係数を有
し不透明材料の領域にある。これらの値を用いれば、吸
収層は好ましくは約３００〜６００Åの波長域において
ｎ＝１．７５からｎ＝０．８２まで及びｋ≒０からｋ＝
６．０まで変化するように設計する。この吸収層は、所
望の場合大幅に厚くすることもできる。水晶（ｎ＝１．
４６，ｋ≒０）及びＴａ2 Ｏ5 （ｎ＝２．３，ｋ≒０）
のような別の誘電体材料を用いることもできる。所望の
場合、後側電極はクロム（ｎ＝２．４８，ｋ＝２．３）
のような別の材料で構成することもできる。
【００３３】アルミニウムは、その導電率及び自己回復
特性により後側電極として好適な材料であり、アルミニ
ウム酸化物は自己回復性能を有する溶融性誘電体であ
る。反転構造において、モリブデンが好適な材料であ
る。反射防止吸収層を形成する理想的な方法は、アルミ
ニウム酸化物からアルミニウム電極に漸次変成させるこ
とである。この材料を堆積させる好適な方法は、直流反
応性スパッタリングである。この堆積方法により、アル
ミニウムのような単一のターゲットを用いて高速で堆積
させることができる。後側誘電体層との界面における酸
化物から後側電極との界面における金属に到る遷移は、
チャンバ中の酸素ガスの量を制御することにより達成さ
れる。誘電体の屈折率にほぼ整合しているアルミニウム
酸化膜を形成するのに十分なレベルから開始し、酸素の
圧力を徐々に減少させ、純粋なアルミニウム金属を堆積
させる。これにより、誘電体の特性ｎ及びｋを後側電極
に整合させることができる。また、ＲＦカソードを用い
てアルミニウム酸化物を堆積させると共にこの堆積物を
アルミニウムターゲットからのスパッタ材料と混合させ
ることにより同一の結果が得られる。
【００３４】変形例として、窒化シリコンを混合率が徐
々に変化するようにモリブデンと混合して、純粋のＳｉ
3 Ｎ4 から純粋なモリブデン金属まで変化する勾配を有
する吸収層を形成することもできる。所望の場合、モリ
ブデンに適当な金属を添加して必要な導電率を得ること
ができる。このような材料を堆積させるために種々の方
法があるが、好適な方法は真空蒸着である。個別のソー
ス源を用いることにより金属中に酸化物を共に堆積させ
ることができ、酸化物の量を多くし金属の量を少なくし
ながら比較的ゆっくりその割合を酸化物が少量で金属が
多量になるように変化させ、最終的に純粋の金属を堆積
させる。金属と酸化物のような透明材料とを堆積させ並
びに蛍光物質と窒化物とを堆積させるような別の堆積技
術も有効に用いることができる。
【００３５】堆積システムとして種々の形態のものを用
いることができるが、好適な装置は、ガーデックス社又
はロイボールド社により製造された装置のような基板を
シリンダを構成する多面体上に支持する“カロウゼル”
型の堆積装置がある。シリンダは回転し、基板は１個又
はそれ以上のカソードを通過する。そして、シリンダの
回転に伴い、金属酸化物の堆積処理から金属の堆積処理
へゆっくり移行する。吸収層は導電性であるため、当業
者にとって周知の標準のリフトオフ処理又はエッチング
処理を用いて各後側電極と後側誘電体との間にだけ存在
させることが好ましい。一方、吸収層の材料を電極と隣
接する端部において純粋の金属となるように吸収層の材
料を変化させる場合、後側電極間にギャップ２９′を設
ける必要がある。
【００３６】図３は図１及び２と同様な反転構造のエレ
クトロルミネッセント装置を示す。このエレクトロルミ
ネッセント装置４０は基板４４を有し、この基板が透明
な場合基板の下側の面に黒のコーティング４６を有して
いる。基板４４上に後側電極４８を堆積する。後側電極
４８と後側誘電体層５０との間に薄膜吸収層４２を配置
する。この吸収層は、前述した適当な方法を用いて段階
的に変化する複数の薄膜層として又は連続的に変化する
薄膜層として構成される。エレクトロルミネッセント層
５２は後側誘電体層５０と前側誘電体層５４との間に配
置する。透明電極層５６は前側誘電体層上に形成すると
共に透明基板５８によって包囲され、透明基板５８は透
明電極層５６に直接結合され又はギャップを以て分離さ
せる。濃度が変化する吸収層は前述したように構成され
るので、これに入射する入射光の大部分を吸収する。
【００３７】特許請求の範囲の記載に基いて種々の変更
が可能である。吸収層の材料を酸化物混合体から金属ま
で変化させる場合、一旦金属になるまで堆積した後、逆
に金属からさらに金属酸化物が堆積するようにすること
もできる。この場合入射光の大部分が吸収される十分な
厚さに堆積した後、逆に酸化物の堆積に切り換える。こ
の場合、金属から酸化物に移行する部位で反射した光の
一部は前面側に伝播するになって再び吸収層により吸収
される。薄膜積層体に別の薄膜を付加して後側誘電体層
と後側電極層との間に合わせることも可能である。
【００３８】光の大部分は光が金属側に到達する時間内
に吸収されるので、吸収層の金属側にわずかな余裕が存
在する。この結果、吸収層の全厚が約４００Åの場合、
後側電極での反射を２％以下に減少させることができる
（吸収層がない場合の反射は９０％出蟻、この９０％の
反射を２％以下に減少することができる）。
【００３９】上述した実施例で用いた用語及び式は説明
のためのものであり、これらに限定されるものではな
い。
【図面の簡単な説明】
【図１】屈折率が連続的に変化する単一の薄膜吸収層を
含む本発明によるＴＦＥＬ装置を示す線図的断面図であ
る。
【図２】屈折率が順次変化する多層の吸収層を含む本発
明によるＴＦＥＬ装置を示す線図的断面図である。
【図３】屈折率が順次変化する多層の吸収層を含む本発
明によるＴＦＥＬ装置の変形例を示す線図的断面図であ
る。
【符号の説明】
10 透明基板 12 前側電極 14 前側誘電体層 16 エレクトロルミネッセント層 18 後側誘電体層 20 後側電極 22 包囲部材 24 シリコンオイル 26 黒のコーティング 28 吸収層

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】（ａ）少なくとも、透明電極層と、後側電
    極層と、これら透明電極層と後側電極層との間に配置さ
    れ、前側誘電体層、後側誘電体層及びこれらの層の間に
    位置するエレクトロルミネッセント層を含む少なくとも
    ３個の層とを含む複数の層と、（ｂ）前記後側電極層と
    後側誘電体層との間に配置され、入射光の大部分を吸収
    する薄膜光吸収層とを具え、 前記透明電極層と後側電極層との間に電界を印加するこ
    とにより光を放出するように構成したエレクトロルミネ
    ッセント装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載のエレクトロルミネッセ
    ント装置において、（ａ）前記薄膜光吸収層が、その第
    １の側において第１の合成屈折率を有し、（ｂ）前記薄
    膜光吸収層と隣接する薄膜層が、薄膜光吸収層の第１の
    側と隣接する側において前記第１の屈折率とほぼ整合す
    る初期合成屈折率を有し、（ｃ）前記薄膜光吸収層が、
    その第２の側において第２の合成屈折率を有し、（ｄ）
    前記後側電極層が、前記薄膜光吸収層の第２の側の第２
    の合成屈折率とほぼ整合する合成屈折率を有するエレク
    トロルミネッセント装置。
  3. 【請求項３】 請求項２に記載のエレクトロルミネッセ
    ント装置において、前記薄膜光吸収層の第１の側を透明
    とし、第２の側をほぼ不透明としたエレクトロルミネッ
    セント装置。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載のエレクトロルミネッセ
    ント装置において、前記薄膜光吸収層の第１の合成屈折
    率が、第２の側の第２の合成屈折率まで徐々に変化する
    エレクトロルミネッセント装置。
  5. 【請求項５】 請求項３に記載のエレクトロルミネッセ
    ント装置において、前記薄膜光吸収層の第１の合成屈折
    率が第２の合成屈折率まで単調に変化し、（ａ）前記薄
    膜光吸収層を、蛍光層で発生する光の波長よりも薄い複
    数の個別の層で構成し、（ｂ）前記薄膜層の平均光学厚
    さを、少なくとも蛍光層で発生する光の波長程度の十分
    な厚さとしたエレクトロルミネッセント装置。
  6. 【請求項６】 請求項２に記載のエレクトロルミネッセ
    ント装置において、（ａ）前記薄膜光吸収層の屈折率の
    値が、第１の合成屈折率から第２の合成屈折率まで減少
    し、（ｂ）前記薄膜光吸収層の消光係数の値が、第１の
    側から第２の側に向けて増加するエレクトロルミネッセ
    ント装置。
  7. 【請求項７】 請求項６に記載のエレクトロルミネッセ
    ント装置において、（ａ）前記薄膜光吸収層の第１の側
    の第１の屈折率及び第１の消光係数をそれぞれ約０及び
    １．７５とし、（ｂ）第２の側の第２の屈折率及び第２
    の消光係数をそれぞれ約６．０及び０．８としたエレク
    トロルミネッセント装置。
  8. 【請求項８】 １組の透明前側電極と、１組の後側電極
    と、これら前側電極と後側電極との間に配置され、前側
    誘電体層と後側誘電体層との間にはさまれた蛍光層とを
    含む薄膜積層体を支持する基板を有し、光表示を行なう
    ＴＦＥＬ装置において、（ａ）入射光大部分を吸収する
    薄膜光吸収層を具え、（ｂ）この光吸収層を、前記１組
    の後側電極と後側誘電体層との間に配置したＴＦＥＬ装
    置。
  9. 【請求項９】 入射光の大部分を吸収するＴＦＥＬ装置
    用の薄膜光吸収層を形成するに際し、（ａ）前側誘電体
    層と後側誘電体層との間にはさまれた蛍光層を含むＴＦ
    ＥＬ膜膜積層体を構成する工程と、（ｂ）前記後側誘電
    体層の合成屈折率にほぼ整合する材料を用い、前記後側
    誘電体層上に薄膜吸収層の堆積を開始する工程と、
    （ｃ）前記材料の組成を、薄膜光吸収層の屈折率が、こ
    の薄膜光吸収層が所定の厚さに近づくにつれて不透明材
    料の屈折率に近づくように変化させる工程とを具える薄
    膜光吸収層の形成方法。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載の方法において、前記
    薄膜光吸収層が工程（ｂ）において金属酸化物で構成さ
    れ、工程（ｃ）が、薄膜光吸収層が堆積されるにしたが
    って前記金属酸化物の酸素含有量を減少させることによ
    り行なわれる方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１０に記載の方法において、前
    記光吸収層が隣接する電極間にギャップを形成する工程
    を含む方法。
  12. 【請求項１２】 入射光の大部分を吸収するＴＦＥＬ装
    置用の薄膜光吸収層を形成するに際し、（ａ）前側誘電
    体層と後側誘電体層との間にはさまれた蛍光層を含むＴ
    ＦＥＬ膜膜積層体を構成する工程と、（ｂ）前記後側誘
    電体層の合成屈折率にほぼ整合する材料を用い、前記後
    側誘電体層上に薄膜吸収層の堆積を開始する工程と、
    （ｃ）前記光吸収層の堆積中に、前記材料の組成を、前
    記薄膜光吸収層が予め定めた厚さに近づくにつれて薄膜
    光吸収層の合成屈折率が透明材料の合成屈折率に近づく
    ように変化させる工程とを具える薄膜光吸収層の形成方
    法。
  13. 【請求項１３】 請求項１１に記載の方法において、前
    記薄膜光吸収層が工程（ｂ）において金属酸化物で構成
    され、工程（ｃ）が、薄膜光吸収層が堆積されるにした
    がって前記金属酸化物の酸素含有量を減少させることに
    より行なわれる方法。
JP04839395A 1994-03-08 1995-03-08 エレクトロルミネッセント装置及びｔｆｅｌ装置用の薄膜光吸収層の形成方法 Expired - Lifetime JP4011126B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/208732 1994-03-08
US08/208,732 US5504389A (en) 1994-03-08 1994-03-08 Black electrode TFEL display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07288183A true JPH07288183A (ja) 1995-10-31
JP4011126B2 JP4011126B2 (ja) 2007-11-21

Family

ID=22775811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04839395A Expired - Lifetime JP4011126B2 (ja) 1994-03-08 1995-03-08 エレクトロルミネッセント装置及びｔｆｅｌ装置用の薄膜光吸収層の形成方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5504389A (ja)
EP (1) EP0671865B1 (ja)
JP (1) JP4011126B2 (ja)
DE (1) DE69510972T2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10333601A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及びその製造法
JPH113048A (ja) * 1997-06-10 1999-01-06 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法
JP2003197368A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置
JP2016004775A (ja) * 2014-06-16 2016-01-12 エバーディスプレイ オプトロニクス（シャンハイ） リミテッド 有機発光ダイオード表示パネル

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2795207B2 (ja) * 1994-03-31 1998-09-10 株式会社デンソー エレクトロルミネッセンス表示器及びその製造方法
US5757127A (en) * 1994-06-10 1998-05-26 Nippondenso Co., Ltd. Transparent thin-film EL display apparatus with ambient light adaptation means
JP2896980B2 (ja) * 1994-10-27 1999-05-31 セイコープレシジョン株式会社 Ｅｌ表示装置およびこのｅｌ表示装置を用いた発光文字板
JPH08190091A (ja) * 1995-01-11 1996-07-23 Aneruba Kk 液晶ディスプレイ用薄膜基板及びこの薄膜基板を使用した液晶ディスプレイ並びに液晶ディスプレイ用薄膜基板の作成装置
KR0165867B1 (ko) * 1995-01-21 1999-04-15 김은영 백색발광용 전계발광소자 및 그 제조방법
TW386609U (en) * 1996-10-15 2000-04-01 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent illumination apparatus
US5859442A (en) * 1996-12-03 1999-01-12 Micron Technology, Inc. Circuit and method for configuring a redundant bond pad for probing a semiconductor
US6261852B1 (en) * 1999-04-19 2001-07-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Check abnormal contact and via holes by electroplating method
JP4766628B2 (ja) * 2000-07-31 2011-09-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および表示装置の製造方法
US6635306B2 (en) 2001-06-22 2003-10-21 University Of Cincinnati Light emissive display with a black or color dielectric layer
CA2419121A1 (en) * 2002-05-03 2003-11-03 Luxell Technologies, Inc. Dark layer for an electroluminescent device
JP4050972B2 (ja) * 2002-10-16 2008-02-20 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
US7015639B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electroluminescent devices and method of making transparent cathodes
US7417782B2 (en) 2005-02-23 2008-08-26 Pixtronix, Incorporated Methods and apparatus for spatial light modulation
US7045954B2 (en) * 2003-06-17 2006-05-16 City University Of Hong Kong Organic light-emitting device with reduction of ambient-light-reflection by disposing a multilayer structure over a semi-transparent cathode
WO2005117501A1 (en) * 2004-05-25 2005-12-08 Agency For Science, Technology And Research Composite optical destructive electrode for high contrast electroluminescent devices
US9082353B2 (en) 2010-01-05 2015-07-14 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9261694B2 (en) 2005-02-23 2016-02-16 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US20080158635A1 (en) * 2005-02-23 2008-07-03 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US7304785B2 (en) 2005-02-23 2007-12-04 Pixtronix, Inc. Display methods and apparatus
US7999994B2 (en) 2005-02-23 2011-08-16 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US20070205969A1 (en) 2005-02-23 2007-09-06 Pixtronix, Incorporated Direct-view MEMS display devices and methods for generating images thereon
US8310442B2 (en) 2005-02-23 2012-11-13 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US9158106B2 (en) 2005-02-23 2015-10-13 Pixtronix, Inc. Display methods and apparatus
US8482496B2 (en) 2006-01-06 2013-07-09 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling MEMS display apparatus on a transparent substrate
US7405852B2 (en) 2005-02-23 2008-07-29 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US7304786B2 (en) 2005-02-23 2007-12-04 Pixtronix, Inc. Methods and apparatus for bi-stable actuation of displays
US8519945B2 (en) 2006-01-06 2013-08-27 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US8159428B2 (en) 2005-02-23 2012-04-17 Pixtronix, Inc. Display methods and apparatus
US7746529B2 (en) 2005-02-23 2010-06-29 Pixtronix, Inc. MEMS display apparatus
US9229222B2 (en) 2005-02-23 2016-01-05 Pixtronix, Inc. Alignment methods in fluid-filled MEMS displays
KR100704377B1 (ko) * 2005-12-07 2007-04-09 한국전자통신연구원 평판 표시장치 및 그 제조방법
US8526096B2 (en) 2006-02-23 2013-09-03 Pixtronix, Inc. Mechanical light modulators with stressed beams
US7876489B2 (en) 2006-06-05 2011-01-25 Pixtronix, Inc. Display apparatus with optical cavities
EP2080045A1 (en) 2006-10-20 2009-07-22 Pixtronix Inc. Light guides and backlight systems incorporating light redirectors at varying densities
US9176318B2 (en) 2007-05-18 2015-11-03 Pixtronix, Inc. Methods for manufacturing fluid-filled MEMS displays
US7852546B2 (en) 2007-10-19 2010-12-14 Pixtronix, Inc. Spacers for maintaining display apparatus alignment
JP4743132B2 (ja) * 2007-02-15 2011-08-10 ティアック株式会社 複数のファンクションキーを有する電子機器
US8248560B2 (en) 2008-04-18 2012-08-21 Pixtronix, Inc. Light guides and backlight systems incorporating prismatic structures and light redirectors
US7920317B2 (en) * 2008-08-04 2011-04-05 Pixtronix, Inc. Display with controlled formation of bubbles
US8169679B2 (en) * 2008-10-27 2012-05-01 Pixtronix, Inc. MEMS anchors
CN102834763B (zh) * 2010-02-02 2015-07-22 皮克斯特罗尼克斯公司 用于制造填充冷密封流体的显示装置的方法
JP2013519122A (ja) 2010-02-02 2013-05-23 ピクストロニックス・インコーポレーテッド ディスプレイ装置を制御するための回路
TWI475574B (zh) * 2012-02-29 2015-03-01 Far Eastern New Century Coprration 塗佈型透明導電膜結構及其應用
US9134552B2 (en) 2013-03-13 2015-09-15 Pixtronix, Inc. Display apparatus with narrow gap electrostatic actuators
US9983423B2 (en) 2015-09-22 2018-05-29 Apple Inc. Touch sensitive display with graded index layer

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3560784A (en) * 1968-07-26 1971-02-02 Sigmatron Inc Dark field, high contrast light emitting display
GB2017138B (en) * 1978-02-03 1982-08-18 Sharp Kk Light absortion film for rear elecrodes of electroluminescent display panel
DE3231727A1 (de) * 1981-09-21 1983-04-07 Sun Chemical Corp., New York, N.Y. Elektrolumineszente anzeigevorrichtung
US4634639A (en) * 1984-04-30 1987-01-06 Hoya Corporation Electroluminescent panel having a light absorption layer of germanium oxide
US4717859A (en) * 1984-12-14 1988-01-05 Gold Star Co., Ltd. Polychromatic electro luminescence display device
FR2582130B1 (fr) * 1985-05-20 1987-08-14 Menn Roger Ecran matriciel electroluminescent trichrome et procede de fabrication
US4870322A (en) * 1986-04-15 1989-09-26 Hoya Corporation Electroluminescent panel having a layer of germanium nitride between an electroluminescent layer and a back electrode
US5003221A (en) * 1987-08-29 1991-03-26 Hoya Corporation Electroluminescence element
US4963788A (en) * 1988-07-14 1990-10-16 Planar Systems, Inc. Thin film electroluminescent display with improved contrast
CA1302547C (en) * 1988-12-02 1992-06-02 Jerzy A. Dobrowolski Optical interference electroluminescent device having low reflectance
KR930010129B1 (ko) * 1990-10-31 1993-10-14 주식회사 금성사 박막 el 표시소자의 제조방법 및 구조
US5232543A (en) * 1992-07-17 1993-08-03 Lear Seating Corporation, Inc. Apparatus for bonding fabric to seat cushion trenches
CA2151468A1 (en) * 1992-12-14 1994-06-23 Russell A. Budzilek Sunlight viewable thin film electroluminescent display having darkened metal electrodes
US5517080A (en) * 1992-12-14 1996-05-14 Westinghouse Norden Systems Inc. Sunlight viewable thin film electroluminescent display having a graded layer of light absorbing dark material
US5445898A (en) * 1992-12-16 1995-08-29 Westinghouse Norden Systems Sunlight viewable thin film electroluminescent display

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10333601A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及びその製造法
JPH113048A (ja) * 1997-06-10 1999-01-06 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法
JP2003197368A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置
JP2016004775A (ja) * 2014-06-16 2016-01-12 エバーディスプレイ オプトロニクス（シャンハイ） リミテッド 有機発光ダイオード表示パネル

Also Published As

Publication number Publication date
US5504389A (en) 1996-04-02
DE69510972D1 (de) 1999-09-02
DE69510972T2 (de) 1999-12-09
EP0671865A1 (en) 1995-09-13
EP0671865B1 (en) 1999-07-28
JP4011126B2 (ja) 2007-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4011126B2 (ja) エレクトロルミネッセント装置及びｔｆｅｌ装置用の薄膜光吸収層の形成方法
KR100424254B1 (ko) 플라즈마 표시 장치용 광학 필터
JP2529741B2 (ja) 光学干渉式ｅｌ素子
EP0272760B1 (en) Display device
US3560784A (en) Dark field, high contrast light emitting display
JP2553696B2 (ja) 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置
CA2150081A1 (en) Electrically-conductive, contrast-selectable, contrast-improving filter
US20080113183A1 (en) High contrast sphere-supported thin-film electroluminescent devices
KR20020065760A (ko) 광학적 전기적 특성을 지닌 기능성 박막
US20070177289A1 (en) Optical filter and plasma display panel employing the same
RU2119274C1 (ru) Тонкопленочный электролюминесцентный дисплей с высокой контрастностью и способ его изготовления
CA1223054A (en) Electroluminescent display device
JP2888380B2 (ja) 薄膜エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法
JP2004078188A (ja) バックライト用光拡散フィルム
JPH09156964A (ja) 光吸収性反射防止体
JP2002371350A (ja) 透明積層体の製造方法
US4634639A (en) Electroluminescent panel having a light absorption layer of germanium oxide
US8102104B2 (en) Front-side filter and plasma display panel device including the front-side filter
KR100603260B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터 및 그제조방법
JPH09325213A (ja) 光反射防止膜付偏光フィルム
JPH06324326A (ja) 液晶表示装置
JPH03222287A (ja) 薄膜ｅｌ素子
JPH0256892A (ja) エレクトロルミネセンスパネル
JPH0836171A (ja) 液晶表示装置用遮光膜および液晶表示装置
KR100326464B1 (ko) 전계 발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050301

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050601

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20050606

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060425

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060725

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060728

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061025

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070206

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20070507

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070510

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070606

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20070606

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070726

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070904

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070905

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term