JPH07287223A - 反射型液晶表示素子 - Google Patents
反射型液晶表示素子Info
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- JPH07287223A JPH07287223A JP6103186A JP10318694A JPH07287223A JP H07287223 A JPH07287223 A JP H07287223A JP 6103186 A JP6103186 A JP 6103186A JP 10318694 A JP10318694 A JP 10318694A JP H07287223 A JPH07287223 A JP H07287223A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 暗表示を暗くし、かつ明表示を明るくし、コ
ントラストが改善された反射型液晶表示素子を提供す
る。 【構成】 一対の基板４、７の配向膜３、６間に常温で
ネマティック状態となる液晶９を封入した液晶セル１
と、この液晶セル１の上方に配置された直線偏光板１０
と、液晶セル１の下方に配置された反射板１１と、直線
偏光板１０と液晶セル１との間に配置された１軸性位相
板１２とを備え、非選択電圧印加時における液晶セル１
のΔｎ・ｄの値と１軸性位相板１２のリターデーション
との差を外部光波長の４分の１にした。したがって、非
選択電圧印加時に可視光の全波長において、光が直線偏
光板１０と反射板１１との間を往復するときの光路差が
各波長ごとで半波長となり、直線偏光板１０で理想的に
遮光されるため、暗表示が暗くなり、また直線偏光板１
０を１枚だけ配置したから、明表示が明るくなり、コン
トラストを高くすることができる。
ントラストが改善された反射型液晶表示素子を提供す
る。 【構成】 一対の基板４、７の配向膜３、６間に常温で
ネマティック状態となる液晶９を封入した液晶セル１
と、この液晶セル１の上方に配置された直線偏光板１０
と、液晶セル１の下方に配置された反射板１１と、直線
偏光板１０と液晶セル１との間に配置された１軸性位相
板１２とを備え、非選択電圧印加時における液晶セル１
のΔｎ・ｄの値と１軸性位相板１２のリターデーション
との差を外部光波長の４分の１にした。したがって、非
選択電圧印加時に可視光の全波長において、光が直線偏
光板１０と反射板１１との間を往復するときの光路差が
各波長ごとで半波長となり、直線偏光板１０で理想的に
遮光されるため、暗表示が暗くなり、また直線偏光板１
０を１枚だけ配置したから、明表示が明るくなり、コン
トラストを高くすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ネマティック型の液
晶を用いた反射型液晶表示素子に関する。
晶を用いた反射型液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】事務機器などに広く使用されている液晶
表示素子には、バックライト装置を用いずに画像などの
情報を表示することのできる反射型液晶表示素子があ
る。この反射型液晶表示素子としては、素子構造が単純
で駆動装置が簡素化できる単純マトリックス構造のもの
が広く使用されている。この単純マトリックス構造の反
射型液晶表示素子は、例えば、所定の間隔を隔てて対向
配置された一対の基板と、これら一対の基板の対向面そ
れぞれに互いに直角に交差するように形成された帯状の
電極と、各基板の対向面それぞれに電極を覆って形成さ
れ、所定方向に配向処理が施された配向膜と、これら配
向膜間に封入されるネマティック型の液晶とによって液
晶セルを形成し、この液晶セルの外側にこれを挾むよう
に一対の偏光板を配置し、一方の偏光板と液晶セルとの
間に特定波長の位相差を補償する位相板を配置し、他方
の偏光板の外側に反射板を配置した構造となっている。
この反射型液晶表示素子では、対向する電極に時分割駆
動によって選択電圧が印加されることにより液晶分子の
配向が変化し、この配向の変化に伴う光学的な変化を一
対の偏光板および反射板で視覚化することにより所望の
表示が行なわれるとともに、位相板により液晶を透過す
る光の位相差を補償することにより、非選択電圧印加時
（電圧無印加時を含む）における暗表示状態での光の反
射率（透過率）を低く抑え、暗表示を暗くしている。
表示素子には、バックライト装置を用いずに画像などの
情報を表示することのできる反射型液晶表示素子があ
る。この反射型液晶表示素子としては、素子構造が単純
で駆動装置が簡素化できる単純マトリックス構造のもの
が広く使用されている。この単純マトリックス構造の反
射型液晶表示素子は、例えば、所定の間隔を隔てて対向
配置された一対の基板と、これら一対の基板の対向面そ
れぞれに互いに直角に交差するように形成された帯状の
電極と、各基板の対向面それぞれに電極を覆って形成さ
れ、所定方向に配向処理が施された配向膜と、これら配
向膜間に封入されるネマティック型の液晶とによって液
晶セルを形成し、この液晶セルの外側にこれを挾むよう
に一対の偏光板を配置し、一方の偏光板と液晶セルとの
間に特定波長の位相差を補償する位相板を配置し、他方
の偏光板の外側に反射板を配置した構造となっている。
この反射型液晶表示素子では、対向する電極に時分割駆
動によって選択電圧が印加されることにより液晶分子の
配向が変化し、この配向の変化に伴う光学的な変化を一
対の偏光板および反射板で視覚化することにより所望の
表示が行なわれるとともに、位相板により液晶を透過す
る光の位相差を補償することにより、非選択電圧印加時
（電圧無印加時を含む）における暗表示状態での光の反
射率（透過率）を低く抑え、暗表示を暗くしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな反射型液晶表示素子では、暗表示は暗くて問題ない
が、偏光板を２枚用いているため、２枚の偏光板によっ
て光が吸収され、選択電圧印加時における明表示が非常
に暗くなり、画像などの情報が見づらくなるという問題
がある。このことを具体的に説明する。例えば、液晶セ
ルの対向するそれぞれの配向膜には互いに平行で同じ方
向に配向処理が施され、これにより液晶分子がホモジニ
アス配向されている。また、反射板側の偏光板はその透
過軸を配向処理方向に対して左回り（以下、正または＋
という）４５°の方向に向けて配置され、位相板はその
遅相軸を配向処理方向に対し９０°の方向に向けて配置
され、この位相板側の偏光板は透過軸を配向処理方向に
対して右回り（以下、負または−という）４５°の方向
に向けて配置されている。このような具体例では、図７
に示すように、非選択電圧（例えば１．９７Ｖ）を印加
した暗表示状態での反射率が６．２％と良いが、選択電
圧（例えば２．６９Ｖ）を印加した明表示状態での反射
率が３０％と悪い。
うな反射型液晶表示素子では、暗表示は暗くて問題ない
が、偏光板を２枚用いているため、２枚の偏光板によっ
て光が吸収され、選択電圧印加時における明表示が非常
に暗くなり、画像などの情報が見づらくなるという問題
がある。このことを具体的に説明する。例えば、液晶セ
ルの対向するそれぞれの配向膜には互いに平行で同じ方
向に配向処理が施され、これにより液晶分子がホモジニ
アス配向されている。また、反射板側の偏光板はその透
過軸を配向処理方向に対して左回り（以下、正または＋
という）４５°の方向に向けて配置され、位相板はその
遅相軸を配向処理方向に対し９０°の方向に向けて配置
され、この位相板側の偏光板は透過軸を配向処理方向に
対して右回り（以下、負または−という）４５°の方向
に向けて配置されている。このような具体例では、図７
に示すように、非選択電圧（例えば１．９７Ｖ）を印加
した暗表示状態での反射率が６．２％と良いが、選択電
圧（例えば２．６９Ｖ）を印加した明表示状態での反射
率が３０％と悪い。
【０００４】このような問題を改善するために、従来で
は、液晶セルと反射板との間に配置された偏光板を取り
除き、位相板の外側に配置された偏光板を１枚だけ用い
ることにより、選択電圧印加時における明表示を明るく
することが考えられている。しかし、このような反射型
表示素子では、偏光板を単に１枚減らしただけであるか
ら、明表示が明るくなるばかりか、暗表示までも明るく
なり、コントラストが低下するという問題が生じる。こ
のことを上述と同様な具体例について説明する。この具
体例では、上述と同様、液晶分子がホモジニアス配向さ
れ、位相板が遅相軸を配向処理方向に対し９０°の方向
に向けて配置され、偏光板が透過軸を配向処理方向に対
し−４５°の方向に向けて配置されている。したがっ
て、この具体例では、図８に示すように、選択電圧（例
えば１．９７Ｖ）を印加した明表示状態での反射率が３
８％と高いが、非選択電圧（例えば１．４４Ｖ）を印加
した暗表示状態での反射率も７．４％と高いためにコン
トラストが低くなる。
は、液晶セルと反射板との間に配置された偏光板を取り
除き、位相板の外側に配置された偏光板を１枚だけ用い
ることにより、選択電圧印加時における明表示を明るく
することが考えられている。しかし、このような反射型
表示素子では、偏光板を単に１枚減らしただけであるか
ら、明表示が明るくなるばかりか、暗表示までも明るく
なり、コントラストが低下するという問題が生じる。こ
のことを上述と同様な具体例について説明する。この具
体例では、上述と同様、液晶分子がホモジニアス配向さ
れ、位相板が遅相軸を配向処理方向に対し９０°の方向
に向けて配置され、偏光板が透過軸を配向処理方向に対
し−４５°の方向に向けて配置されている。したがっ
て、この具体例では、図８に示すように、選択電圧（例
えば１．９７Ｖ）を印加した明表示状態での反射率が３
８％と高いが、非選択電圧（例えば１．４４Ｖ）を印加
した暗表示状態での反射率も７．４％と高いためにコン
トラストが低くなる。
【０００５】この発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、暗表示を暗くし、かつ明表示を明るくし、これに
よりコントラストの改善を図った反射型液晶表示素子を
提供することを目的とする。
ので、暗表示を暗くし、かつ明表示を明るくし、これに
よりコントラストの改善を図った反射型液晶表示素子を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記目的を
達成するため、対向する面各々に電極およびこの電極を
覆って所定方向に配向処理が施された配向膜が夫々形成
された一対の基板の前記配向膜間に常温でネマティック
状態となる液晶を封入して液晶層を形成した液晶セル
と、この液晶セルの一方の外側に配置された偏光板と、
前記液晶セルの他方の外側に配置された反射板と、前記
偏光板と前記反射板との間に配置された位相板とを備え
た反射型液晶表示素子であって、電圧無印加時における
前記液晶セルの屈折率異方性Δｎと液晶層厚ｄとの積Δ
ｎ・ｄと前記位相板のリターデーションとの差が、前記
液晶セルに入射する光の全波長について各波長の略４分
の１の整数倍であることを特徴とするものである。
達成するため、対向する面各々に電極およびこの電極を
覆って所定方向に配向処理が施された配向膜が夫々形成
された一対の基板の前記配向膜間に常温でネマティック
状態となる液晶を封入して液晶層を形成した液晶セル
と、この液晶セルの一方の外側に配置された偏光板と、
前記液晶セルの他方の外側に配置された反射板と、前記
偏光板と前記反射板との間に配置された位相板とを備え
た反射型液晶表示素子であって、電圧無印加時における
前記液晶セルの屈折率異方性Δｎと液晶層厚ｄとの積Δ
ｎ・ｄと前記位相板のリターデーションとの差が、前記
液晶セルに入射する光の全波長について各波長の略４分
の１の整数倍であることを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】この発明によれば、電圧無印加時における液晶
セルのΔｎ・ｄの値と位相板のリターデーションとの差
が可視光の全波長についてその波長の略４分の１の整数
倍となるような位相板を用いるから、非選択電圧印加時
に可視光の全波長において、光が偏光板と反射板との間
を往復するときの光路差が各波長ごとで半波長の略整数
倍となり、偏光板で理想的に遮光あるいは透過されるこ
とになるため、反射率（透過率）が低い理想的な暗表示
状態あるいは反射率の高い理想的な明表示状態が得ら
れ、また液晶セルの一方の外側に偏光板を１枚配置した
だけであるから、明表示状態での反射率（透過率）が高
く、明表示がより明るくなり、この結果コントラスが高
くなる。
セルのΔｎ・ｄの値と位相板のリターデーションとの差
が可視光の全波長についてその波長の略４分の１の整数
倍となるような位相板を用いるから、非選択電圧印加時
に可視光の全波長において、光が偏光板と反射板との間
を往復するときの光路差が各波長ごとで半波長の略整数
倍となり、偏光板で理想的に遮光あるいは透過されるこ
とになるため、反射率（透過率）が低い理想的な暗表示
状態あるいは反射率の高い理想的な明表示状態が得ら
れ、また液晶セルの一方の外側に偏光板を１枚配置した
だけであるから、明表示状態での反射率（透過率）が高
く、明表示がより明るくなり、この結果コントラスが高
くなる。
【０００８】
【実施例】以下、図１〜図６を参照して、この発明の反
射型液晶表示素子の一実施例について説明する。図１お
よび図２は反射型液晶表示素子の断面図および分解斜視
図である。これらの図において、液晶セル１は、複数配
列された帯状の一方の電極２およびこれらの電極２を覆
う配向膜３が形成された下基板４と、前記一方の電極２
と直交して対向する複数配列された帯状の他方の電極５
およびこれら他方の電極５を覆う配向膜６が形成された
上基板７と、上・下基板７、４を所定の間隔を隔てて接
合するシール材８と、上・下基板７、４とシール材８と
に囲われた領域内に封入された常温でネマティック状態
となる液晶９とからなっている。この液晶セル１は図面
上で上方から外部光が入射されるものである。液晶セル
１の上基板７の外側には直線偏光板１０が配置され、下
基板４の外側には反射板１１が配置されている。また、
液晶セル１と直線偏光板１０との間には本例では１軸性
位相板１２が介装されている。
射型液晶表示素子の一実施例について説明する。図１お
よび図２は反射型液晶表示素子の断面図および分解斜視
図である。これらの図において、液晶セル１は、複数配
列された帯状の一方の電極２およびこれらの電極２を覆
う配向膜３が形成された下基板４と、前記一方の電極２
と直交して対向する複数配列された帯状の他方の電極５
およびこれら他方の電極５を覆う配向膜６が形成された
上基板７と、上・下基板７、４を所定の間隔を隔てて接
合するシール材８と、上・下基板７、４とシール材８と
に囲われた領域内に封入された常温でネマティック状態
となる液晶９とからなっている。この液晶セル１は図面
上で上方から外部光が入射されるものである。液晶セル
１の上基板７の外側には直線偏光板１０が配置され、下
基板４の外側には反射板１１が配置されている。また、
液晶セル１と直線偏光板１０との間には本例では１軸性
位相板１２が介装されている。
【０００９】下基板４と上基板７とが対向するそれぞれ
の面に形成された配向膜３、６には、ラビングなどの配
向処理が施されている。すなわち、各配向膜３、６に
は、図２に示すように、液晶セル１を正面から観察した
ときに水平な線に平行な同じ方向１ａに配向処理が夫々
施されている。このような配向処理により、液晶９はそ
の分子が約２°のプレチルト角をもってホモジニアス配
向されている。そして、この液晶セル１のギャップ（液
晶層厚）ｄと屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄの値は、
約９１２ｎｍ（測定波長：５９０ｎｍ）に設定されてい
る。直線偏光板１０は、その透過軸１０ａが配向処理方
向１ａに対し−４５°の角度をなすように配置されてい
る。また、反射板１１は、合成樹脂製のフィルムまたは
ボードの表面に銀やアルミニウムなどの反射率の高い金
属膜を形成したものである。そして、１軸性位相板１２
は、ポリカーボネートなどに比べて波長分散が極めて大
きい材料で形成されたもので、そのリターデーション
（屈折率異方性ΔｎLと厚さｄLとの積ΔｎL・ｄL）が約
７６５ｎｍ（測定波長：５９０ｎｍ）で、電圧無印加時
における１軸性位相板１２のリターデーション（ΔｎL
・ｄL）と液晶セル１のΔｎ・ｄの値との差が可視光の
全ての波長光でその波長の略４分の１の整数倍となるよ
うな位相板を使用する。この１軸性位相板１２は、その
延伸方向の遅相軸（光学軸）１２ａが配向処理方向１ａ
に対し約９０°の角度をなすように配置されている。な
お、１軸性位相板１２の光学軸としては、上記遅相軸と
これに直交する方向の進相軸があり、この進相軸を配向
処理方向１ａに対し約９０゜の角度をなすように配置し
てもよい。
の面に形成された配向膜３、６には、ラビングなどの配
向処理が施されている。すなわち、各配向膜３、６に
は、図２に示すように、液晶セル１を正面から観察した
ときに水平な線に平行な同じ方向１ａに配向処理が夫々
施されている。このような配向処理により、液晶９はそ
の分子が約２°のプレチルト角をもってホモジニアス配
向されている。そして、この液晶セル１のギャップ（液
晶層厚）ｄと屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄの値は、
約９１２ｎｍ（測定波長：５９０ｎｍ）に設定されてい
る。直線偏光板１０は、その透過軸１０ａが配向処理方
向１ａに対し−４５°の角度をなすように配置されてい
る。また、反射板１１は、合成樹脂製のフィルムまたは
ボードの表面に銀やアルミニウムなどの反射率の高い金
属膜を形成したものである。そして、１軸性位相板１２
は、ポリカーボネートなどに比べて波長分散が極めて大
きい材料で形成されたもので、そのリターデーション
（屈折率異方性ΔｎLと厚さｄLとの積ΔｎL・ｄL）が約
７６５ｎｍ（測定波長：５９０ｎｍ）で、電圧無印加時
における１軸性位相板１２のリターデーション（ΔｎL
・ｄL）と液晶セル１のΔｎ・ｄの値との差が可視光の
全ての波長光でその波長の略４分の１の整数倍となるよ
うな位相板を使用する。この１軸性位相板１２は、その
延伸方向の遅相軸（光学軸）１２ａが配向処理方向１ａ
に対し約９０°の角度をなすように配置されている。な
お、１軸性位相板１２の光学軸としては、上記遅相軸と
これに直交する方向の進相軸があり、この進相軸を配向
処理方向１ａに対し約９０゜の角度をなすように配置し
てもよい。
【００１０】図３は、液晶セル１、本例の１軸性位相板
１２、および従来の位相板の各波長（０．４〜０．７μ
ｍ）に対するΔｎ・ｄおよびΔｎL・ｄLの関係を示した
図である。この図３から明らかなように、この実施例の
１軸性位相板１２のΔｎL・ｄL曲線Ｂは、液晶セル１の
Δｎ・ｄ曲線Ａに対し、両者の差が波長が大きくなるに
従い大きくなっている。これに対して、従来の位相板の
ΔｎL・ｄL曲線Ｃは、液晶セル１のΔｎ・ｄ曲線Ａに対
し、両者の差が逆に波長が大きくなるに従い小さくなっ
ている。このため、図４に示すように、この実施例の１
軸性位相板１２では、全波長（０．４〜０．７μｍ）に
対し、液晶セル１のΔｎ・ｄと１軸性位相板１２のΔｎ
L・ｄLとの差と光源光波長との比δが実線で示すように
一定値の直線となるが、従来の位相板では、点線で示す
ような右下がりの曲線となる。
１２、および従来の位相板の各波長（０．４〜０．７μ
ｍ）に対するΔｎ・ｄおよびΔｎL・ｄLの関係を示した
図である。この図３から明らかなように、この実施例の
１軸性位相板１２のΔｎL・ｄL曲線Ｂは、液晶セル１の
Δｎ・ｄ曲線Ａに対し、両者の差が波長が大きくなるに
従い大きくなっている。これに対して、従来の位相板の
ΔｎL・ｄL曲線Ｃは、液晶セル１のΔｎ・ｄ曲線Ａに対
し、両者の差が逆に波長が大きくなるに従い小さくなっ
ている。このため、図４に示すように、この実施例の１
軸性位相板１２では、全波長（０．４〜０．７μｍ）に
対し、液晶セル１のΔｎ・ｄと１軸性位相板１２のΔｎ
L・ｄLとの差と光源光波長との比δが実線で示すように
一定値の直線となるが、従来の位相板では、点線で示す
ような右下がりの曲線となる。
【００１１】したがって、このような反射型液晶表示素
子では、電圧無印加時における液晶セル１のΔｎ・ｄの
値と１軸性位相板１２のΔｎL・ｄLとの差が可視光の全
ての波長についての光源光波長その４分の１になってい
るから、非選択電圧印加時に可視光の全波長において、
光が直線偏光板１０と反射板１１との間を往復するとき
の光路差が各波長ごとで半波長となり、直線偏光板１０
で理想的に遮光されることになり、このため暗表示状態
での反射率が低く、暗表示が最適な暗さになり、また液
晶セル１の上側に直線偏光板１０を１枚配置しただけで
あるから、１枚の偏光板を使用する従来例と同様、選択
電圧印加時における明表示状態での反射率が高く、明表
示が明るくなり、この結果コントラスが高くなる。因み
に、この反射型液晶表示素子における光の反射率を測定
した結果について、図５を参照して説明すると、非選択
電圧（１．３７Ｖ）を印加した暗表示状態では反射率が
６．３％と低く、充分に暗い暗表示が得られ、選択電圧
（１．９７Ｖ）を印加した明表示状態では反射率が３８
％と高く、充分に明るい明表示が得られることがわか
る。
子では、電圧無印加時における液晶セル１のΔｎ・ｄの
値と１軸性位相板１２のΔｎL・ｄLとの差が可視光の全
ての波長についての光源光波長その４分の１になってい
るから、非選択電圧印加時に可視光の全波長において、
光が直線偏光板１０と反射板１１との間を往復するとき
の光路差が各波長ごとで半波長となり、直線偏光板１０
で理想的に遮光されることになり、このため暗表示状態
での反射率が低く、暗表示が最適な暗さになり、また液
晶セル１の上側に直線偏光板１０を１枚配置しただけで
あるから、１枚の偏光板を使用する従来例と同様、選択
電圧印加時における明表示状態での反射率が高く、明表
示が明るくなり、この結果コントラスが高くなる。因み
に、この反射型液晶表示素子における光の反射率を測定
した結果について、図５を参照して説明すると、非選択
電圧（１．３７Ｖ）を印加した暗表示状態では反射率が
６．３％と低く、充分に暗い暗表示が得られ、選択電圧
（１．９７Ｖ）を印加した明表示状態では反射率が３８
％と高く、充分に明るい明表示が得られることがわか
る。
【００１２】なお、上記実施例では、１軸性位相板１２
のリターデーション（ΔｎL・ｄL）と液晶セル１のΔｎ
・ｄの値との差が光源光の全ての波長についてその４分
の１となるような１軸性位相板１２を用いたネガティブ
タイプについて述べたが、これに限らず、例えば１軸性
位相板のリターデーション（ΔｎL・ｄL）と電圧無印加
時における液晶セル１のΔｎ・ｄの値との差が光源光の
全ての波長についてその２分の１となるような１軸性位
相板を用いたポジティブタイプにも適用できる。この場
合には、１軸性位相板のリターデーション（ΔｎL・
ｄL）は約６１７ｎｍ（測定波長：５９０ｎｍ）に設定
されている。このような反射型液晶表示素子では、非選
択電圧印加時に可視光の全波長において、光が直線偏光
板１０と反射板１１との間を往復するときの光路差が各
波長ごとで１波長となり、この結果、光が直線偏光板１
０を理想的に透過することになり、明表示状態での反射
率が高く、コントラスが高くなる。この反射型液晶表示
素子における光の反射率を測定した結果について、図６
を参照して説明すると、非選択電圧（０．７３Ｖ）を印
加した明表示状態では反射率が３８％と高く、充分に明
るい明表示が得られ、選択電圧（１．９６Ｖ）を印加し
た暗表示状態では反射率が６．５％と低く、充分に暗い
ことがわかる。
のリターデーション（ΔｎL・ｄL）と液晶セル１のΔｎ
・ｄの値との差が光源光の全ての波長についてその４分
の１となるような１軸性位相板１２を用いたネガティブ
タイプについて述べたが、これに限らず、例えば１軸性
位相板のリターデーション（ΔｎL・ｄL）と電圧無印加
時における液晶セル１のΔｎ・ｄの値との差が光源光の
全ての波長についてその２分の１となるような１軸性位
相板を用いたポジティブタイプにも適用できる。この場
合には、１軸性位相板のリターデーション（ΔｎL・
ｄL）は約６１７ｎｍ（測定波長：５９０ｎｍ）に設定
されている。このような反射型液晶表示素子では、非選
択電圧印加時に可視光の全波長において、光が直線偏光
板１０と反射板１１との間を往復するときの光路差が各
波長ごとで１波長となり、この結果、光が直線偏光板１
０を理想的に透過することになり、明表示状態での反射
率が高く、コントラスが高くなる。この反射型液晶表示
素子における光の反射率を測定した結果について、図６
を参照して説明すると、非選択電圧（０．７３Ｖ）を印
加した明表示状態では反射率が３８％と高く、充分に明
るい明表示が得られ、選択電圧（１．９６Ｖ）を印加し
た暗表示状態では反射率が６．５％と低く、充分に暗い
ことがわかる。
【００１３】また、上記実施例では、１軸性位相板１２
を液晶セル１と直線偏光板１０との間に介在させたが、
これに限らず、例えば液晶セル１と反射板１１との間に
介装させても良い。
を液晶セル１と直線偏光板１０との間に介在させたが、
これに限らず、例えば液晶セル１と反射板１１との間に
介装させても良い。
【００１４】また、上記実施例では、液晶９の分子がホ
モジニアス配向された液晶セル１を用いた場合について
述べたが、これに限らず、本発明は、例えば、液晶分子
が９０°ねじれて配向されたツイステッドネマティック
タイプ、液晶分子が１８０゜〜２７０°程度ねじれて配
向されたスーパーツイステッドネマティックタイプ、あ
るいは液晶分子が垂直配向されたホメオトロピックタイ
プなどの液晶セルを用いた場合にも適用することができ
る。さらに、位相板は１軸位相板に限らず、図３及び図
４に示す実施例の位相板と同様のΔｎ・ｄの波長分散特
性を示す種々の位相板を使用できる。
モジニアス配向された液晶セル１を用いた場合について
述べたが、これに限らず、本発明は、例えば、液晶分子
が９０°ねじれて配向されたツイステッドネマティック
タイプ、液晶分子が１８０゜〜２７０°程度ねじれて配
向されたスーパーツイステッドネマティックタイプ、あ
るいは液晶分子が垂直配向されたホメオトロピックタイ
プなどの液晶セルを用いた場合にも適用することができ
る。さらに、位相板は１軸位相板に限らず、図３及び図
４に示す実施例の位相板と同様のΔｎ・ｄの波長分散特
性を示す種々の位相板を使用できる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、電圧無印加時における液晶セルのΔｎ・ｄの値と位
相板のリターデーションとの差を光源光の全ての波長に
ついてその４分の１の整数倍にしたから、非選択電圧印
加時に可視光の全波長において、光が偏光板と反射板と
の間を往復するときの光路差が各波長ごとで半波長の整
数倍となり、偏光板で理想的に遮光あるいは透過される
ことになるため、反射率が低く充分に暗い表示状態ある
いは反射率が高く充分に明るい明表示状態が得られ、ま
た液晶セルの一方の外側に偏光板を１枚配置しただけで
あるから、明表示がより明るくなり、この結果コントラ
スを高くすることができる。
ば、電圧無印加時における液晶セルのΔｎ・ｄの値と位
相板のリターデーションとの差を光源光の全ての波長に
ついてその４分の１の整数倍にしたから、非選択電圧印
加時に可視光の全波長において、光が偏光板と反射板と
の間を往復するときの光路差が各波長ごとで半波長の整
数倍となり、偏光板で理想的に遮光あるいは透過される
ことになるため、反射率が低く充分に暗い表示状態ある
いは反射率が高く充分に明るい明表示状態が得られ、ま
た液晶セルの一方の外側に偏光板を１枚配置しただけで
あるから、明表示がより明るくなり、この結果コントラ
スを高くすることができる。
【図１】この発明の液晶表示素子の一実施例を示す断面
図。
図。
【図２】図１の概略構成を示す分解斜視図。
【図３】上記実施例の液晶セル、１軸性位相板、および
従来の位相板の各波長に対するΔｎ・ｄおよびΔｎL・
ｄLの関係を示した図。
従来の位相板の各波長に対するΔｎ・ｄおよびΔｎL・
ｄLの関係を示した図。
【図４】上記実施例の１軸性位相板と従来の位相板とに
おける全波長に対する液晶セルのΔｎ・ｄと各位相板の
ΔｎL・ｄLとの差と光源光波長との比δの関係を示した
図。
おける全波長に対する液晶セルのΔｎ・ｄと各位相板の
ΔｎL・ｄLとの差と光源光波長との比δの関係を示した
図。
【図５】上記実施例で、１軸性位相板のリターデーショ
ン（ΔｎL・ｄL）と液晶セルのΔｎ・ｄの値との差が光
源光波長の４分の１となる１軸性位相板を用いたネガテ
ィブタイプにおける印加電圧に対する反射率を示した
図。
ン（ΔｎL・ｄL）と液晶セルのΔｎ・ｄの値との差が光
源光波長の４分の１となる１軸性位相板を用いたネガテ
ィブタイプにおける印加電圧に対する反射率を示した
図。
【図６】上記実施例で、１軸性位相板のリターデーショ
ン（ΔｎL・ｄL）と液晶セルのΔｎ・ｄの値との差が光
源光波長の２分の１となる１軸性位相板を用いたポジテ
ィブタイプにおける印加電圧に対する反射率を示した
図。
ン（ΔｎL・ｄL）と液晶セルのΔｎ・ｄの値との差が光
源光波長の２分の１となる１軸性位相板を用いたポジテ
ィブタイプにおける印加電圧に対する反射率を示した
図。
【図７】偏光板を２枚用いた従来の液晶表示素子の具体
例における印加電圧に対する反射率を示した図。
例における印加電圧に対する反射率を示した図。
【図８】偏光板を１枚だけ用いた従来の液晶表示素子の
具体例における印加電圧に対する反射率を示した図。
具体例における印加電圧に対する反射率を示した図。
１ 液晶セル ２、５ 電極 ３、６ 配向膜 ４、７ 基板 ９ 液晶 １０ 直線偏光板 １１ 反射板 １２ １軸性位相板
Claims (9)
- 【請求項１】 対向する面各々に電極およびこの電極を
覆って所定方向に配向処理が施された配向膜がそれぞれ
形成された一対の基板の前記配向膜間に常温でネマティ
ック状態となる液晶を封入して液晶層を形成した液晶セ
ルと、この液晶セルの一方の外側に配置された偏光板
と、前記液晶セルの他方の外側に配置された反射板と、
前記偏光板と前記反射板との間に配置された位相板とを
備えた反射型液晶表示素子であって、 電圧無印加時における前記液晶セルの屈折率異方性Δｎ
と液晶層厚ｄとの積Δｎ・ｄと前記位相板のリターデー
ションとの差が、前記液晶セルに入射する光の全波長に
ついて各波長の略４分の１の整数倍であることを特徴と
する反射型液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記液晶セルのΔｎ・ｄと前記位相板の
リターデーションとの差が、前記液晶セルに入射する光
の全波長について各波長の略２分の１の奇数倍で、表示
がネガ表示である請求項１記載の反射型液晶表示素子。 - 【請求項３】 前記液晶セルのΔｎ・ｄと前記位相板の
リターデーションとの差が、前記液晶セルに入射する光
の全波長について各波長の略２分の１の偶数倍で、表示
がポジ表示である請求項１記載の反射型液晶表示素子。 - 【請求項４】 前記液晶セルは前記液晶分子がホモジニ
アス配向されている請求項２乃至請求項３記載の反射型
液晶表示素子。 - 【請求項５】 前記位相板は１軸性位相板である請求項
２乃至請求項３記載の反射型液晶表示素子。 - 【請求項６】 前記液晶セルは前記液晶分子が一方の前
記配向膜から他方の前記配向膜に向かって捩じれるよう
に並んで配向したツイストネマティック液晶セルである
請求項２乃至請求項３記載の反射型液晶表示素子。 - 【請求項７】 前記位相板を前記偏光板と前記液晶セル
との間に配置した請求項４乃至請求項６記載の反射型液
晶表示素子。 - 【請求項８】 前記位相板の光学軸と該位相板に隣接す
る側の前記配向膜の配向処理方向とが直交している請求
項７記載の反射型液晶表示素子。 - 【請求項９】 前記偏光板の透過軸と該偏光板に近接す
る側の前記配向膜の配向処理とが略４５゜で交差してい
る請求項８記載の反射型液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6103186A JPH07287223A (ja) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | 反射型液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6103186A JPH07287223A (ja) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | 反射型液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07287223A true JPH07287223A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=14347492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6103186A Pending JPH07287223A (ja) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | 反射型液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07287223A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0898196A2 (en) * | 1997-08-21 | 1999-02-24 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal projector |
| EP0959381A1 (de) * | 1998-05-16 | 1999-11-24 | Lüder, Ernst, Prof. Dr.-Ing. habil. | Flüssigkristalldisplay |
| KR100302879B1 (ko) * | 1999-10-25 | 2001-11-02 | 황인길 | 반사형 마이크로 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법 |
| CN102830542A (zh) * | 2012-09-10 | 2012-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 偏光片、显示面板的制作方法及偏光片的制作方法 |
-
1994
- 1994-04-19 JP JP6103186A patent/JPH07287223A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0898196A2 (en) * | 1997-08-21 | 1999-02-24 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal projector |
| EP0898196A3 (en) * | 1997-08-21 | 2000-07-26 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal projector |
| EP0959381A1 (de) * | 1998-05-16 | 1999-11-24 | Lüder, Ernst, Prof. Dr.-Ing. habil. | Flüssigkristalldisplay |
| US6559918B1 (en) | 1998-05-16 | 2003-05-06 | Institut Fuer Netzwerk- Und Systemtheorie Labor Fuer Bildschirmtechnik | Flexible liquid crystal display device with improved mechanical ability |
| KR100302879B1 (ko) * | 1999-10-25 | 2001-11-02 | 황인길 | 반사형 마이크로 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법 |
| CN102830542A (zh) * | 2012-09-10 | 2012-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 偏光片、显示面板的制作方法及偏光片的制作方法 |
| CN102830542B (zh) * | 2012-09-10 | 2015-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 偏光片、显示面板的制作方法及偏光片的制作方法 |
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