JPH07286975A - 電磁波による分析装置 - Google Patents
電磁波による分析装置Info
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- JPH07286975A JPH07286975A JP10214694A JP10214694A JPH07286975A JP H07286975 A JPH07286975 A JP H07286975A JP 10214694 A JP10214694 A JP 10214694A JP 10214694 A JP10214694 A JP 10214694A JP H07286975 A JPH07286975 A JP H07286975A
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- slit
- rays
- analyzer
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 分析されるべき対象物５に高輝度Ｘ線等の電
磁波を照射する照射手段（線源51、モノクロメータ２、
コリメータスリット３）と、この照射によって前記対象
物から発生する前記対象物に固有の電磁波（特に螢光Ｘ
線39）を検出する半導体検出器８等の検出手段とを有
し、更に、前記対象物と前記照射手段との間にスリット
40等のバックグラウンド低減手段が設けられている、電
磁波による分析装置（特に全反射螢光Ｘ線分析装置5
0）。 【効果】 バックグラウンドを十二分に減少させて検出
感度（Ｓ／Ｎ比）を向上させることができ、かつ、高輝
度の放射電磁波が使用可能となって検出感度を一層高め
ることができる。
磁波を照射する照射手段（線源51、モノクロメータ２、
コリメータスリット３）と、この照射によって前記対象
物から発生する前記対象物に固有の電磁波（特に螢光Ｘ
線39）を検出する半導体検出器８等の検出手段とを有
し、更に、前記対象物と前記照射手段との間にスリット
40等のバックグラウンド低減手段が設けられている、電
磁波による分析装置（特に全反射螢光Ｘ線分析装置5
0）。 【効果】 バックグラウンドを十二分に減少させて検出
感度（Ｓ／Ｎ比）を向上させることができ、かつ、高輝
度の放射電磁波が使用可能となって検出感度を一層高め
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電磁波による分析装置、
特に全反射螢光Ｘ線分析装置に関するものである。
特に全反射螢光Ｘ線分析装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、元素は、その吸収端エネルギー
よりも高いエネルギーの電磁波（光、Ｘ線等）を照射さ
れると、元素固有のエネルギーの電磁波を放出する。こ
の電磁波がＸ線の領域の場合、これを螢光Ｘ線と呼ぶ
が、この螢光Ｘ線のエネルギーと強度を測定して、元素
の同定と定量を行うことができる。この分析技術が、螢
光Ｘ線分析である。
よりも高いエネルギーの電磁波（光、Ｘ線等）を照射さ
れると、元素固有のエネルギーの電磁波を放出する。こ
の電磁波がＸ線の領域の場合、これを螢光Ｘ線と呼ぶ
が、この螢光Ｘ線のエネルギーと強度を測定して、元素
の同定と定量を行うことができる。この分析技術が、螢
光Ｘ線分析である。
【０００３】例えば、シリコンウエハ表面に金属の汚染
元素が存在している場合、Ｘ線（励起光）をシリコンウ
エハに照射し、このウエハ表面の金属汚染元素による螢
光Ｘ線を検出器に入射させ、そのエネルギー及び強度に
よって金属汚染元素は極微量でも同定しかつ定量するこ
とができる。
元素が存在している場合、Ｘ線（励起光）をシリコンウ
エハに照射し、このウエハ表面の金属汚染元素による螢
光Ｘ線を検出器に入射させ、そのエネルギー及び強度に
よって金属汚染元素は極微量でも同定しかつ定量するこ
とができる。
【０００４】こうした螢光Ｘ線分析においては、シリコ
ンウエハ表面の極微量の金属汚染元素を同定、定量する
ためには、Ｓ／Ｎ比を向上しなくてはならないので、試
料に照射される励起光が全反射される条件を用いて、そ
の散乱光強度を減少させ、ノイズを低減化する必要があ
る。即ち、全反射螢光Ｘ線分析法を実施する必要があ
る。
ンウエハ表面の極微量の金属汚染元素を同定、定量する
ためには、Ｓ／Ｎ比を向上しなくてはならないので、試
料に照射される励起光が全反射される条件を用いて、そ
の散乱光強度を減少させ、ノイズを低減化する必要があ
る。即ち、全反射螢光Ｘ線分析法を実施する必要があ
る。
【０００５】図７は、通常の全反射螢光Ｘ線分析法に使
用する分析装置20を示す。この分析装置20によれば、励
起光源21として回転対陰極Ｘ線源、Ｘ線封入管等が用い
られ、ここからの出射Ｘ線１より得られる励起Ｘ線10
は、モノクロメータ２、コリメータスリット３（横スリ
ット）を通して単色化（特定波長の選択）、平行化（特
定波長のＸ線の平行ビーム化、更にはビームサイズの決
定）され、更に、全反射条件とするために、図８のよう
に視斜角φを臨界角よりも小さな角度に設定して、真空
チェンバ６内の試料（例えばシリコンウエハ）５に照射
される。
用する分析装置20を示す。この分析装置20によれば、励
起光源21として回転対陰極Ｘ線源、Ｘ線封入管等が用い
られ、ここからの出射Ｘ線１より得られる励起Ｘ線10
は、モノクロメータ２、コリメータスリット３（横スリ
ット）を通して単色化（特定波長の選択）、平行化（特
定波長のＸ線の平行ビーム化、更にはビームサイズの決
定）され、更に、全反射条件とするために、図８のよう
に視斜角φを臨界角よりも小さな角度に設定して、真空
チェンバ６内の試料（例えばシリコンウエハ）５に照射
される。
【０００６】この結果、試料５の表面にある微量な金属
汚染元素からは、元素固有のエネルギーを持った螢光Ｘ
線９が発せられる。これを、エネルギー分散型の分析で
は、半導体検出器８（ＳＳＤ）により検出し、螢光Ｘ線
９のエネルギーにより元素を同定し、強度によりその量
を定量する。視斜角φの決定は、簡便に行うには、試料
５の後方に強度モニタ７（例えばイオンチェンバ）を配
し、スリット12からの全反射Ｘ線11の強度により視斜角
φをモニタする。
汚染元素からは、元素固有のエネルギーを持った螢光Ｘ
線９が発せられる。これを、エネルギー分散型の分析で
は、半導体検出器８（ＳＳＤ）により検出し、螢光Ｘ線
９のエネルギーにより元素を同定し、強度によりその量
を定量する。視斜角φの決定は、簡便に行うには、試料
５の後方に強度モニタ７（例えばイオンチェンバ）を配
し、スリット12からの全反射Ｘ線11の強度により視斜角
φをモニタする。
【０００７】ところが、全反射螢光Ｘ線分析において、
通常の励起光源の場合は、上記のような配置でも、モノ
クロメータ２、コリメータスリット３からの散乱及び回
折線によるバックグラウンドは励起光源の輝度が大きく
ないので問題にはならないが、検出感度を高めようとし
て高輝度光源である放射Ｘ線１を用いた場合は、モノク
ロメータ２及びコリメータスリット３のエッジからの回
折、散乱線がバックグラウンド増加を招き、検出感度の
向上に結び付かない。
通常の励起光源の場合は、上記のような配置でも、モノ
クロメータ２、コリメータスリット３からの散乱及び回
折線によるバックグラウンドは励起光源の輝度が大きく
ないので問題にはならないが、検出感度を高めようとし
て高輝度光源である放射Ｘ線１を用いた場合は、モノク
ロメータ２及びコリメータスリット３のエッジからの回
折、散乱線がバックグラウンド増加を招き、検出感度の
向上に結び付かない。
【０００８】即ち、高輝度光源である放射Ｘ線を励起光
源とした場合は、線源が高輝度であるために、スリット
３等での回折や散乱がバックグラウンドの増加を引き起
こし、Ｓ／Ｎ比の改善にはならないので、期待した程の
感度向上は得られない。しかしながら、これまでの分析
装置では、モノクロメータ２は励起Ｘ線のエネルギーを
決めるために、また、コリメータスリット３は平行ビー
ムを得て視斜角を正確に決めたりモノクロメータ２から
の散乱を除いたりするために組み込まれた部品である
が、コリメータスリット３自身からのバックグラウンド
の増加への寄与があり、上記した如きバックグラウンド
に対する対策は講じられていない。
源とした場合は、線源が高輝度であるために、スリット
３等での回折や散乱がバックグラウンドの増加を引き起
こし、Ｓ／Ｎ比の改善にはならないので、期待した程の
感度向上は得られない。しかしながら、これまでの分析
装置では、モノクロメータ２は励起Ｘ線のエネルギーを
決めるために、また、コリメータスリット３は平行ビー
ムを得て視斜角を正確に決めたりモノクロメータ２から
の散乱を除いたりするために組み込まれた部品である
が、コリメータスリット３自身からのバックグラウンド
の増加への寄与があり、上記した如きバックグラウンド
に対する対策は講じられていない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した如きバックグラウンドを十二分に減少させて検出感
度（Ｓ／Ｎ比）を向上させることができ、かつ、高輝度
の放射電磁波が使用可能となって検出感度を一層高める
ことができる、Ｘ線等の電磁波による分析装置を提供す
ることにある。
した如きバックグラウンドを十二分に減少させて検出感
度（Ｓ／Ｎ比）を向上させることができ、かつ、高輝度
の放射電磁波が使用可能となって検出感度を一層高める
ことができる、Ｘ線等の電磁波による分析装置を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、分析さ
れるべき対象物（例えばシリコンウエハ等の試料）に電
磁波（特に高輝度の放射Ｘ線）を照射する照射手段と、
この照射によって前記対象物から発生する前記対象物に
固有の電磁波（特に螢光Ｘ線）を検出する検出手段とを
有し、更に、前記対象物と前記照射手段との間にバック
グラウンド低減手段が設けられている、電磁波による分
析装置に係るものである。
れるべき対象物（例えばシリコンウエハ等の試料）に電
磁波（特に高輝度の放射Ｘ線）を照射する照射手段と、
この照射によって前記対象物から発生する前記対象物に
固有の電磁波（特に螢光Ｘ線）を検出する検出手段とを
有し、更に、前記対象物と前記照射手段との間にバック
グラウンド低減手段が設けられている、電磁波による分
析装置に係るものである。
【００１１】本発明によるこの分析装置においては、上
記の照射手段は、具体的には、高輝度の放射Ｘ線を発生
させる線源と、前記放射Ｘ線から高輝度の特定波長のＸ
線を選択するモノクロメータと、このモノクロメータか
らの高輝度の特定波長のＸ線を平行ビームとするコリメ
ータとからなっている。
記の照射手段は、具体的には、高輝度の放射Ｘ線を発生
させる線源と、前記放射Ｘ線から高輝度の特定波長のＸ
線を選択するモノクロメータと、このモノクロメータか
らの高輝度の特定波長のＸ線を平行ビームとするコリメ
ータとからなっている。
【００１２】そして、上記の対象物を収容しかつ前記コ
リメータからの高輝度の特定波長のＸ線を受入れて前記
対象物に入射させる真空チェンバ内において前記対象物
の前位にバックグラウンド低減用のスリットが配置さ
れ、このスリットを通して前記高輝度の特定波長のＸ線
が前記対象物に導かれると共に、この対象物から発生す
る螢光Ｘ線が検出器に入射するように構成することがで
きる。
リメータからの高輝度の特定波長のＸ線を受入れて前記
対象物に入射させる真空チェンバ内において前記対象物
の前位にバックグラウンド低減用のスリットが配置さ
れ、このスリットを通して前記高輝度の特定波長のＸ線
が前記対象物に導かれると共に、この対象物から発生す
る螢光Ｘ線が検出器に入射するように構成することがで
きる。
【００１３】上記のバックグラウンド低減用のスリット
は、対象物の直前数mm程度の位置に配置されているこ
と、また、そのスリット幅は20μｍ〜100 μｍであるこ
とが望ましい。
は、対象物の直前数mm程度の位置に配置されているこ
と、また、そのスリット幅は20μｍ〜100 μｍであるこ
とが望ましい。
【００１４】また、上記の対象物に入射した高輝度の特
定波長のＸ線（特に全反射Ｘ線）が強度モニタに入射
し、前記特定波長のＸ線に対する前記対象物の視斜角が
モニタされるようにし、全反射螢光Ｘ線分析装置として
構成するのが望ましい。
定波長のＸ線（特に全反射Ｘ線）が強度モニタに入射
し、前記特定波長のＸ線に対する前記対象物の視斜角が
モニタされるようにし、全反射螢光Ｘ線分析装置として
構成するのが望ましい。
【００１５】本発明の分析装置によれば、上記のスリッ
トの如きバックグラウンド低減手段を対象物と電磁波照
射手段との間に設けているので、上記の如くにモノクロ
メータの直後に配されるコリメータによる散乱を効果的
に除去して、バックグラウンドを十二分に減少させ、検
出感度（Ｓ／Ｎ比）を向上させることができる。しかも
これによって、高輝度の放射電磁波を励起ビームとして
使用可能となって検出感度を一層高めることができ、特
に全反射螢光Ｘ線分析の利点を十二分に生かすことがで
きる。
トの如きバックグラウンド低減手段を対象物と電磁波照
射手段との間に設けているので、上記の如くにモノクロ
メータの直後に配されるコリメータによる散乱を効果的
に除去して、バックグラウンドを十二分に減少させ、検
出感度（Ｓ／Ｎ比）を向上させることができる。しかも
これによって、高輝度の放射電磁波を励起ビームとして
使用可能となって検出感度を一層高めることができ、特
に全反射螢光Ｘ線分析の利点を十二分に生かすことがで
きる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１７】図１〜図５は、本発明を全反射螢光Ｘ線分
析装置に適用した第１の実施例を示すものである。
析装置に適用した第１の実施例を示すものである。
【００１８】本実施例による全反射螢光Ｘ線分析装置50
の注目すべき構成は、図７及び図８に示した従来装置に
比べて、図１及び図２に示すように、真空チェンバ６内
に配置された試料５（例えばシリコンウエハ）の直前に
バックグラウンド低減用の20μｍ〜100 μｍ幅のスリッ
ト40（縦スリット）を設置していることである。
の注目すべき構成は、図７及び図８に示した従来装置に
比べて、図１及び図２に示すように、真空チェンバ６内
に配置された試料５（例えばシリコンウエハ）の直前に
バックグラウンド低減用の20μｍ〜100 μｍ幅のスリッ
ト40（縦スリット）を設置していることである。
【００１９】即ち、試料５の直前にスリット40を設置す
ることによって、励起線源51として高輝度の放射Ｘ線31
を励起Ｘ線30として用いるとき、真空チェンバ６の前方
に配したモノクロメータ２及びコリメータスリット３
（横スリット）による既述した散乱線が試料５に入射す
ることを大幅に減少させることができる。この結果、バ
ックグラウンドを十二分に減少させ、半導体検出器８に
よって試料５からの螢光Ｘ線39を高Ｓ／Ｎ比で検出で
き、その検出感度を向上させることができる。
ることによって、励起線源51として高輝度の放射Ｘ線31
を励起Ｘ線30として用いるとき、真空チェンバ６の前方
に配したモノクロメータ２及びコリメータスリット３
（横スリット）による既述した散乱線が試料５に入射す
ることを大幅に減少させることができる。この結果、バ
ックグラウンドを十二分に減少させ、半導体検出器８に
よって試料５からの螢光Ｘ線39を高Ｓ／Ｎ比で検出で
き、その検出感度を向上させることができる。
【００２０】この放射Ｘ線の輝度はＸ線エネルギーによ
って異なるが、例えば１×109 個／秒／mm2 以上とする
ことが望ましい。
って異なるが、例えば１×109 個／秒／mm2 以上とする
ことが望ましい。
【００２１】従って、本実施例による分析装置は、放射
Ｘ線を使用し、全反射螢光Ｘ線分析のもつ優れた利点を
十二分に生かすことが可能となる。
Ｘ線を使用し、全反射螢光Ｘ線分析のもつ優れた利点を
十二分に生かすことが可能となる。
【００２２】本実施例による分析装置において、バック
グラウンド低減用のスリット40のスリット幅は、狭い方
がバックグラウンド低減の効果が大きいために望ましい
が、励起Ｘ線30の輝度や試料５（例えばシリコンウエ
ハ）の反りを考慮すると、20μｍから100 μｍが望まし
く、試料５が５インチウエハの場合、励起Ｘ線30の試料
５への視斜角が0.05度以下のときは測定時間も考慮する
と、スリット幅は50μｍとするのが一層望ましい。ま
た、スリット40の挿入位置は、試料５の直前（ウエハの
端）から数mm程度の位置であるのが望ましい。
グラウンド低減用のスリット40のスリット幅は、狭い方
がバックグラウンド低減の効果が大きいために望ましい
が、励起Ｘ線30の輝度や試料５（例えばシリコンウエ
ハ）の反りを考慮すると、20μｍから100 μｍが望まし
く、試料５が５インチウエハの場合、励起Ｘ線30の試料
５への視斜角が0.05度以下のときは測定時間も考慮する
と、スリット幅は50μｍとするのが一層望ましい。ま
た、スリット40の挿入位置は、試料５の直前（ウエハの
端）から数mm程度の位置であるのが望ましい。
【００２３】なお、上記において、試料５から全反射さ
れたＸ線41は、スリット12を通して強度モニタ７（例え
ばイオンチェンバ：シンチレーションカウンタ）に入射
し、既述したと同様に試料５の視斜角がモニタされる。
その他、半導体検出器８をはじめ、分析装置の各構成部
品は公知のものを使用している。真空チェンバ６内の真
空度は１Pa以下とする。
れたＸ線41は、スリット12を通して強度モニタ７（例え
ばイオンチェンバ：シンチレーションカウンタ）に入射
し、既述したと同様に試料５の視斜角がモニタされる。
その他、半導体検出器８をはじめ、分析装置の各構成部
品は公知のものを使用している。真空チェンバ６内の真
空度は１Pa以下とする。
【００２４】次に、本実施例による分析装置を使用した
実際の分析データについて説明する。
実際の分析データについて説明する。
【００２５】図３は、バックグラウンド低減用のスリッ
ト40が試料５の直前に挿入されておらず、単に半導体検
出器８にバックグラウンド低減のためにキャップを装着
した場合、検出感度は、およそ10の10乗から10の11乗at
oms/平方cmが限界となることを示している。
ト40が試料５の直前に挿入されておらず、単に半導体検
出器８にバックグラウンド低減のためにキャップを装着
した場合、検出感度は、およそ10の10乗から10の11乗at
oms/平方cmが限界となることを示している。
【００２６】これに対し、本発明に基いてバックグラウ
ンド低減用スリット40を試料５の直前に挿入することに
よって、図４のように、検出感度が10の９乗atoms/平方
cmオーダに改善された。
ンド低減用スリット40を試料５の直前に挿入することに
よって、図４のように、検出感度が10の９乗atoms/平方
cmオーダに改善された。
【００２７】また、スリット40のスリット幅について
は、図５に示すように、種々のスリット幅のスリット40
を使用した結果、20μｍ〜100 μｍのスリット幅で試料
５の表面の元素（Ｆｅ等）の検出を低バックグラウンド
で行うことができることが分かった。
は、図５に示すように、種々のスリット幅のスリット40
を使用した結果、20μｍ〜100 μｍのスリット幅で試料
５の表面の元素（Ｆｅ等）の検出を低バックグラウンド
で行うことができることが分かった。
【００２８】図６は、本発明を全反射螢光Ｘ線分析装置
に適用した第２の実施例を示すものである。
に適用した第２の実施例を示すものである。
【００２９】この実施例では、図１に示した実施例とは
異なり、モノクロメータ２及びコリメータスリット３と
試料５との距離が大きい場合、バックグラウンド低減用
のスリット40を真空チェンバ６の外部においてコリメー
タスリット３の後位に配置している。
異なり、モノクロメータ２及びコリメータスリット３と
試料５との距離が大きい場合、バックグラウンド低減用
のスリット40を真空チェンバ６の外部においてコリメー
タスリット３の後位に配置している。
【００３０】このようにスリット40を配置しても、コリ
メータスリット３の回折、散乱による散乱線が真空チェ
ンバ６内（即ち、試料５上）へ入射することを抑制する
ことができるため、上記した第１の実施例で述べた如き
バックグラウンド低減効果を得ることができる。また、
スリット40を真空チェンバ６の外部に設けるため、その
配置が容易となる。
メータスリット３の回折、散乱による散乱線が真空チェ
ンバ６内（即ち、試料５上）へ入射することを抑制する
ことができるため、上記した第１の実施例で述べた如き
バックグラウンド低減効果を得ることができる。また、
スリット40を真空チェンバ６の外部に設けるため、その
配置が容易となる。
【００３１】以上、本発明の実施例を説明したが、上述
の実施例は本発明の技術的思想に基いて更に変形が可能
である。
の実施例は本発明の技術的思想に基いて更に変形が可能
である。
【００３２】例えば、バックグラウンド低減手段とし
て、上述したスリット40に限らず、ソーラースリット等
の如き他の手段を使用してもよい。また、その配置も上
述した位置以外であってよい。
て、上述したスリット40に限らず、ソーラースリット等
の如き他の手段を使用してもよい。また、その配置も上
述した位置以外であってよい。
【００３３】また、検出手段も半導体検出器の如きエネ
ルギー分散型のみならず、分光器（例えばアナライザー
結晶分光器）を用いる波長分散型であってよい。
ルギー分散型のみならず、分光器（例えばアナライザー
結晶分光器）を用いる波長分散型であってよい。
【００３４】また、本発明による分析装置は、シリコン
ウエハをはじめ、種々の対象物の分析に使用可能であっ
て、非破壊分析を行う上で有用である。
ウエハをはじめ、種々の対象物の分析に使用可能であっ
て、非破壊分析を行う上で有用である。
【００３５】
【発明の作用効果】本発明は上述した如く、スリットの
如きバックグラウンド低減手段を対象物と電磁波照射手
段との間に設けているので、モノクロメータの直後に配
されるコリメータによる散乱を効果的に除去して、バッ
クグラウンドを十二分に減少させ、検出感度（Ｓ／Ｎ
比）を向上させることができる。しかも、これによっ
て、高輝度の放射電磁波を励起ビームとして使用可能と
なって検出感度を一層高めることができ、特に全反射螢
光Ｘ線分析の利点を十二分に生かすことができる。
如きバックグラウンド低減手段を対象物と電磁波照射手
段との間に設けているので、モノクロメータの直後に配
されるコリメータによる散乱を効果的に除去して、バッ
クグラウンドを十二分に減少させ、検出感度（Ｓ／Ｎ
比）を向上させることができる。しかも、これによっ
て、高輝度の放射電磁波を励起ビームとして使用可能と
なって検出感度を一層高めることができ、特に全反射螢
光Ｘ線分析の利点を十二分に生かすことができる。
【図１】本発明の第１の実施例による全反射螢光Ｘ線分
析装置の概略断面図である。
析装置の概略断面図である。
【図２】同分析装置の要部の平面図である。
【図３】本発明に基づかない全反射螢光Ｘ線分析による
スペクトル図である。
スペクトル図である。
【図４】本発明に基づく全反射螢光Ｘ線分析によるスペ
クトル図である。
クトル図である。
【図５】本発明に基づく全反射螢光Ｘ線分析においてバ
ックグラウンド低減用のスリットのスリット幅を変化さ
せた場合の各スペクトル図である。
ックグラウンド低減用のスリットのスリット幅を変化さ
せた場合の各スペクトル図である。
【図６】本発明の第２の実施例による全反射螢光Ｘ線分
析装置の概略断面図である。
析装置の概略断面図である。
【図７】従来の全反射螢光Ｘ線分析装置の概略断面図で
ある。
ある。
【図８】同分析装置の要部の平面図である。
１・・・出射Ｘ線 ２・・・モノクロメータ ３・・・コリメータスリット ５・・・試料 ６・・・真空チェンバ ７・・・強度モニタ ８・・・半導体検出器 ９、39・・・螢光Ｘ線 10、30・・・励起Ｘ線 11、41・・・全反射Ｘ線 12・・・スリット 20、50・・・全反射螢光Ｘ線分析装置 21・・・励起光源 31・・・放射Ｘ線 40・・・バックグラウンド低減用スリット 51・・・励起線源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川戸 清爾 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 分析されるべき対象物に電磁波を照射す
る照射手段と、この照射によって前記対象物から発生す
る前記対象物に固有の電磁波を検出する検出手段とを有
し、更に、前記対象物と前記照射手段との間にバックグ
ラウンド低減手段が設けられている、電磁波による分析
装置。 - 【請求項２】 照射手段が、高輝度の放射Ｘ線を発生さ
せる線源と、前記放射Ｘ線から高輝度の特定波長のＸ線
を選択するモノクロメータと、このモノクロメータから
の高輝度の特定波長のＸ線を平行ビームとするコリメー
タとからなり、対象物を収容しかつ前記コリメータから
の高輝度の特定波長のＸ線を受入れて前記対象物に入射
させる真空チェンバ内において前記対象物の前位にバッ
クグラウンド低減用のスリットが配置され、このスリッ
トを通して前記高輝度の特定波長のＸ線が前記対象物に
導かれると共に、この対象物から発生する螢光Ｘ線が検
出器に入射するように構成された、、請求項１に記載し
た分析装置。 - 【請求項３】 バックグラウンド低減用のスリットのス
リット幅が20μｍ〜100μｍである、請求項２に記載し
た分析装置。 - 【請求項４】 バックグラウンド低減用のスリットが対
象物の直前数mm程度の位置に配置されている、請求項２
又は３に記載した分析装置。 - 【請求項５】 対象物に入射した高輝度の特定波長の反
射Ｘ線が強度モニタに入射し、前記特定波長のＸ線に対
する前記対象物の視斜角がモニタされる、請求項２〜４
のいずれか１項に記載した分析装置。 - 【請求項６】 全反射螢光Ｘ線分析装置として構成され
た、請求項１〜５のいずれか１項に記載した分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10214694A JPH07286975A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 電磁波による分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10214694A JPH07286975A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 電磁波による分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07286975A true JPH07286975A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=14319614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10214694A Pending JPH07286975A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 電磁波による分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07286975A (ja) |
-
1994
- 1994-04-15 JP JP10214694A patent/JPH07286975A/ja active Pending
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