JPH07283156A - Thermal diffusion process wafer support boat - Google Patents
Thermal diffusion process wafer support boatInfo
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- JPH07283156A JPH07283156A JP6100616A JP10061694A JPH07283156A JP H07283156 A JPH07283156 A JP H07283156A JP 6100616 A JP6100616 A JP 6100616A JP 10061694 A JP10061694 A JP 10061694A JP H07283156 A JPH07283156 A JP H07283156A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程におい
て、ウェハを熱拡散処理するために、複数のウェハを支
持するための、所謂ウェハ支持用ボートに関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a so-called wafer support boat for supporting a plurality of wafers in a semiconductor manufacturing process for thermal diffusion treatment of the wafers.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、このようなウェハ支持用ボート
は、例えば図２に示すように構成されている。即ち、図
２において、ウェハ支持用ボート１は、全体が石英ガラ
スから構成されたアイソデポジション用のボートであっ
て、長手方向に沿って延びるように形成された枠状のフ
レーム２と、該フレーム２の長手方向に延びる部材の上
面に形成された、ウェハを支持するための溝３と、該フ
レーム２の長手方向に関して両端及び中間位置（図示の
場合、中央）に配置されたフレーム２を支持するために
回動可能に枢支されたコロ４と、該フレーム２の長手方
向に関して上記コロ４の間に配設された補強部材５と、
ウェハ支持用ボート１を熱拡散炉（図示せず）から引き
出すための把手６とを含んでいる。2. Description of the Related Art Conventionally, such a wafer supporting boat is constructed, for example, as shown in FIG. That is, in FIG. 2, the wafer supporting boat 1 is a boat for isodeposition which is entirely made of quartz glass, and has a frame-shaped frame 2 formed so as to extend along the longitudinal direction. A groove 3 for supporting a wafer, which is formed on an upper surface of a member extending in the longitudinal direction of the frame 2, and a frame 2 arranged at both ends and an intermediate position (center in the case shown) with respect to the longitudinal direction of the frame 2. A roller 4 rotatably supported for supporting, and a reinforcing member 5 arranged between the rollers 4 in the longitudinal direction of the frame 2.
A handle 6 for pulling out the wafer supporting boat 1 from a thermal diffusion furnace (not shown) is included.
【０００３】上記ウェハ支持用溝３は、図３に示すよう
に、フレーム２の長手方向に関して、上述したコロ４及
び補強部材５の領域を除いて、所定の間隔で設けられて
おり、上方からウェハ（図示せず）が載置され得るよう
になっている。As shown in FIG. 3, the wafer supporting grooves 3 are provided at predetermined intervals in the longitudinal direction of the frame 2 except for the regions of the rollers 4 and the reinforcing members 5 described above, and from above. A wafer (not shown) can be mounted.
【０００４】上記コロ４は、同様に図３に示すように、
フレーム２の長手方向に延びる部材を互いに連結するこ
とにより、該フレーム２の強度を高めると共に、ウェハ
支持用ボート１を熱拡散炉内に挿脱する際に、熱拡散炉
の底面を転動することによって、ウェハ支持用ボート１
の挿脱を容易にし、さらにウェハ支持用ボート１の両端
及び中間位置を熱拡散炉の底面に対して支持することに
なる。Similarly, as shown in FIG. 3, the roller 4 is
By connecting members extending in the longitudinal direction of the frame 2 to each other, the strength of the frame 2 is enhanced, and the bottom surface of the heat diffusion furnace rolls when the wafer supporting boat 1 is inserted into and removed from the heat diffusion furnace. Thus, the wafer supporting boat 1
Of the wafer supporting boat 1 is supported by the bottom surface of the heat diffusion furnace.
【０００５】また、上記補強部材５は、図３に示すよう
に、フレーム２の長手方向に延びる部材を連結すること
により、該フレーム２の強度を高めるようになってい
る。Further, as shown in FIG. 3, the reinforcing member 5 is configured to enhance the strength of the frame 2 by connecting members extending in the longitudinal direction of the frame 2.
【０００６】このように構成されたウェハ支持用ボート
１によれば、ウェハの熱拡散処理により不純物拡散を行
なう場合、以下のようにして、作業が行なわれる。即
ち、先づフレーム２上に各ウェハ支持用溝３に対して、
ウェハを載置した状態で、ウェハ支持用ボート１が熱拡
散炉内に挿入される。その後、熱拡散炉が排気され、且
つ加熱されると共に、該ウェハ支持用ボート１に対して
は、図２にて、矢印Ａで示す方向に、例えばＢＣｌ3，
Ｏ2，Ｎ2等の熱拡散用の反応ガスが流される。これによ
り、ウェハ支持用ボート１のフレーム２上にて、ウェハ
支持用溝３に載置された各ウェハに対して、上記反応ガ
スが垂直に当たることになり、各ウェハの熱拡散処理が
行なわれ得ることになる。According to the wafer supporting boat 1 thus constructed, when the impurity diffusion is performed by the thermal diffusion process of the wafer, the work is performed as follows. That is, first, for each wafer supporting groove 3 on the frame 2,
The wafer supporting boat 1 is inserted into the thermal diffusion furnace with the wafer placed thereon. Thereafter, the thermal diffusion furnace is evacuated, and while being heated, for the wafer supporting boat 1, in FIG. 2, in the direction indicated by the arrow A, for example BCl 3,
A reaction gas for thermal diffusion such as O 2 or N 2 is flown. As a result, on the frame 2 of the wafer supporting boat 1, the above reaction gas is vertically impinged on each wafer placed in the wafer supporting groove 3, and the thermal diffusion process of each wafer is performed. You will get it.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】このようなウェハ支持
用ボート１においては、熱拡散炉内に導入される反応ガ
スが、フレーム２上に並んで配設された各ウェハに対し
て、順次に反応することになる。In such a wafer supporting boat 1, the reaction gas introduced into the thermal diffusion furnace is sequentially applied to the wafers arranged side by side on the frame 2. Will react.
【０００８】ところが、フレーム２には、該フレーム２
の支持のために、コロ４が、また該フレーム２の補強の
ために、補強部材５が備えられている。これらコロ４及
び補強部材５の領域においては、フレーム２上に、ウェ
ハ支持用溝３が形成されていない。従って、上記コロ４
及び補強部材５の領域の両側では、ウェハは、この領域
を挟んで、所定間隔よりも広い間隔に配設されることに
なる。However, in the frame 2, the frame 2
A roller 4 is provided to support the frame 2, and a reinforcing member 5 is provided to reinforce the frame 2. In the region of the rollers 4 and the reinforcing member 5, the wafer supporting groove 3 is not formed on the frame 2. Therefore, the roller 4
On both sides of the region of the reinforcing member 5 and the wafer, the wafers are arranged at a wider interval than the predetermined interval with the region sandwiched therebetween.
【０００９】このため、フレーム２の両端のウェハ支持
用溝３、そして上記コロ４及び補強部材５の領域に隣接
するウェハ支持用溝３においては、反応ガスの乱流が発
生することになる。これにより、これらの領域に隣接す
るウェハ支持用溝３に載置されるウェハは、その表面
に、反応ガスの乱流によって、結晶欠陥が発生すること
がある。かくして、熱拡散工程の歩留まりが低下してし
まうという問題があった。Therefore, a turbulent flow of the reaction gas is generated in the wafer supporting groove 3 at both ends of the frame 2 and in the wafer supporting groove 3 adjacent to the region of the roller 4 and the reinforcing member 5. As a result, crystal defects may occur on the surface of the wafer placed in the wafer supporting groove 3 adjacent to these regions due to the turbulent flow of the reaction gas. Thus, there is a problem that the yield of the thermal diffusion process is reduced.
【００１０】本発明は、以上の点に鑑み、熱拡散工程に
て、ウェハの結晶欠陥が発生しないようにした、ウェハ
支持用ボートを提供することを目的としている。In view of the above points, an object of the present invention is to provide a wafer supporting boat in which crystal defects of the wafer do not occur in the thermal diffusion process.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、反応ガスが流れる横型拡散炉内にて反応ガス流に
対して垂直に複数枚のウェハを並べて支持するように、
長手方向に関して、少なくとも一ヶ所に形成された補強
部分を除いて、所定間隔に設けられた複数のウェハ支持
用溝を備えている、石英ガラスから成る、熱拡散処理用
ウェハ支持ボートにおいて、上記複数のウェハ支持用溝
のうち、長手方向に関して両端のウェハ支持用溝及び上
記補強部分に隣接するウェハ支持用溝には、ウェハと同
じ形状のダミーのウェハが載置されていることを特徴と
する、熱拡散処理用ウェハ支持ボートにより、達成され
る。According to the present invention, the above object is to support a plurality of wafers side by side in a vertical diffusion furnace in which a reaction gas flows, in a direction perpendicular to the reaction gas flow.
In the wafer support boat for heat diffusion treatment, which is made of quartz glass and has a plurality of wafer supporting grooves provided at predetermined intervals, except for the reinforcing portion formed at least at one position in the longitudinal direction, Among the wafer supporting grooves, the dummy wafers having the same shape as the wafer are placed in the wafer supporting grooves at both ends in the longitudinal direction and the wafer supporting grooves adjacent to the reinforcing portion. , A wafer support boat for thermal diffusion processing.
【００１２】本発明による熱拡散処理用ウェハ支持ボー
トは、好ましくは、上記ダミーのウェハが、熱拡散処理
の際に反応しない物質から構成されている。In the wafer support boat for thermal diffusion treatment according to the present invention, preferably, the dummy wafer is made of a substance which does not react during the thermal diffusion treatment.
【００１３】本発明による熱拡散処理用ウェハ支持ボー
トは、好ましくは、上記ダミーのウェハが、高純度ガラ
スから構成されている。In the wafer support boat for heat diffusion treatment according to the present invention, preferably, the dummy wafer is made of high-purity glass.
【００１４】[0014]
【作用】上記構成によれば、フレームのコロ，補強部材
等の補強部分の領域に隣接するウェハ支持用溝及び両端
のウェハ支持用溝には、ダミーのウェハが載置されてい
るので、これらの領域にて反応ガスの乱流が発生したと
しても、この乱流の影響は、上記のウェハ支持用溝以外
のウェハ支持用溝に載置された熱拡散処理すべきウェハ
には、及ばない。従って、各ウェハは、反応ガスの乱流
による影響を受けないことから、結晶欠陥が発生するこ
ともない。According to the above construction, since dummy wafers are placed in the wafer supporting groove and the wafer supporting grooves at both ends adjacent to the area of the reinforcing portion such as the frame roller and the reinforcing member, these Even if a turbulent flow of the reaction gas is generated in the area of, the influence of this turbulent flow does not reach the wafers to be subjected to the heat diffusion treatment mounted on the wafer supporting grooves other than the above wafer supporting grooves. . Therefore, since each wafer is not affected by the turbulent flow of the reaction gas, crystal defects are not generated.
【００１５】上記ダミーのウェハが、熱拡散処理の際に
反応しない物質から構成されている場合には、熱拡散処
理によって、該ダミーのウェハが反応することはなく、
従って、熱拡散処理すべきウェハに対して、影響を与え
ることはない。When the dummy wafer is made of a substance that does not react during the thermal diffusion process, the dummy wafer does not react due to the thermal diffusion process.
Therefore, it does not affect the wafer to be subjected to the thermal diffusion treatment.
【００１６】また、上記ダミーのウェハは、載置された
ウェハ支持用溝から容易に取り外すことが可能である。
従って、熱拡散処理によってダミーのウェハが汚れた場
合には、ダミーのウェハ単体で洗浄処理することが可能
である。Further, the dummy wafer can be easily removed from the mounted wafer supporting groove.
Therefore, when the dummy wafer is contaminated by the thermal diffusion process, it is possible to perform the cleaning process with the dummy wafer alone.
【００１７】この熱拡散処理の際に反応しない物質は、
高純度ガラスや、ウェハ支持用ボートと同じ材料である
石英ガラス等が使用され得る。The substances that do not react during this thermal diffusion treatment are
High-purity glass, quartz glass, which is the same material as the wafer supporting boat, or the like can be used.
【００１８】[0018]
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて、本発
明を詳細に説明する。図１（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明
によるウェハ支持用ボートの一実施例を示している。即
ち、図１（Ａ）及び（Ｂ）において、ウェハ支持用ボー
ト１０は、全体が石英ガラスから構成されたアイソデポ
ジション用のボートであって、長手方向に沿って延びる
ように形成された枠状のフレーム１１と、該フレーム１
１の長手方向に延びる部材の上面に形成された、ウェハ
１６を支持するための溝１２と、該フレーム１１の長手
方向に関して両端及び中間位置（図示の場合、中央）に
配置されたフレーム１１を支持するために回動可能に枢
支されたコロ１３と、該フレーム１１の長手方向に関し
て上記コロ１３の間に配設された補強部材１４と、ウェ
ハ支持用ボート１０を熱拡散炉（図示せず）から引き出
すための把手１５とを含んでいる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below based on the embodiments shown in the drawings. 1A and 1B show an embodiment of a wafer supporting boat according to the present invention. That is, in FIGS. 1A and 1B, the wafer supporting boat 10 is a boat for isodeposition which is entirely made of quartz glass, and is a frame formed so as to extend along the longitudinal direction. Frame 11 and the frame 1
1. A groove 12 for supporting a wafer 16 formed on the upper surface of a member extending in the longitudinal direction of 1 and a frame 11 arranged at both ends and an intermediate position (center in the case shown) with respect to the longitudinal direction of the frame 11. A roller 13 rotatably supported for supporting, a reinforcing member 14 arranged between the rollers 13 in the longitudinal direction of the frame 11, and a wafer supporting boat 10 for a heat diffusion furnace (not shown). And a handle 15 for pulling it out.
【００１９】上記ウェハ支持用溝１２は、フレーム１１
の長手方向に関して、上述したコロ１３及び補強部材１
４の領域を除いて、所定の間隔で設けられており、上方
からウェハ１６が載置され得るようになっている。The wafer supporting groove 12 is formed in the frame 11.
With respect to the longitudinal direction of the roller 13 and the reinforcing member 1 described above.
Except for the region 4, the wafers 16 are provided at a predetermined interval so that the wafer 16 can be placed from above.
【００２０】上記コロ１３は、フレーム１１の長手方向
に延びる部材を互いに連結することにより、該フレーム
１１の強度を高めると共に、ウェハ支持用ボート１０を
熱拡散炉内に挿脱する際に、熱拡散炉の底面を転動する
ことによって、ウェハ支持用ボート１０の挿脱を容易に
し、さらにウェハ支持用ボート１０の両端及び中間位置
を熱拡散炉の底面に対して支持することになる。The roller 13 enhances the strength of the frame 11 by connecting members extending in the longitudinal direction of the frame 11 to each other, and heats the wafer supporting boat 10 when the wafer supporting boat 10 is inserted into or removed from the heat diffusion furnace. Rolling the bottom surface of the diffusion furnace facilitates insertion and removal of the wafer supporting boat 10, and further supports both ends and intermediate positions of the wafer supporting boat 10 with respect to the bottom surface of the thermal diffusion furnace.
【００２１】また、上記補強部材１４は、フレーム１１
の長手方向に延びる部材を連結することにより、該フレ
ーム１１の強度を高めるようになっている。Further, the reinforcing member 14 is the frame 11
The strength of the frame 11 is increased by connecting members extending in the longitudinal direction.
【００２２】以上の構成は、図２及び図３に示した従来
のウェハ支持用ボートと同様の構成であるが、本発明の
実施例によるウェハ支持用ボート１０においては、フレ
ーム１１の長手方向に延びる部材に設けられたウェハ支
持用溝１２のうち、長手方向に関して両端のウェハ支持
用溝１２ａ，１２ｂ及び上記コロ１３に隣接するウェハ
支持用溝１２ｃ，１２ｄ、そして補強部材１４に隣接す
るウェハ支持用溝１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈに
は、ウェハ１６と同じ形状のダミーのウェハ１６ａが載
置されている。The above-described structure is similar to the conventional wafer supporting boat shown in FIGS. 2 and 3, but in the wafer supporting boat 10 according to the embodiment of the present invention, the frame 11 is arranged in the longitudinal direction. Of the wafer supporting grooves 12 provided in the extending member, the wafer supporting grooves 12a and 12b at both ends in the longitudinal direction, the wafer supporting grooves 12c and 12d adjacent to the rollers 13, and the wafer supporting groove adjacent to the reinforcing member 14 are provided. A dummy wafer 16a having the same shape as the wafer 16 is placed on the use grooves 12e, 12f, 12g, 12h.
【００２３】ここで、該ダミーのウェハ１６ａは、熱拡
散処理によって反応しない物質から形成されている。こ
れにより、熱拡散処理が行なわれたとき、該ダミーのウ
ェハ１６ａが熱拡散処理用の反応ガスと反応して、ウェ
ハの熱拡散処理に影響を与えないようになっている。Here, the dummy wafer 16a is formed of a substance that does not react by the thermal diffusion process. As a result, when the thermal diffusion process is performed, the dummy wafer 16a does not react with the reaction gas for the thermal diffusion process and does not affect the thermal diffusion process of the wafer.
【００２４】本発明実施例によるウェハ支持用ボート１
０は、以上のように構成されており、フレーム１１の上
記ダミーのウェハ１６ａが載置されているウェハ支持用
溝以外のウェハ支持用溝１２に対して、それぞれ熱拡散
処理すべきウェハ１６を載置した後、ウェハ支持用ボー
ト１０を、熱拡散炉内に挿入する。そして、該熱拡散炉
内が排気されると共に、該熱拡散炉内に、図１にて矢印
Ａで示す方向に、例えば、ＢＣｌ3，Ｏ2，Ｎ2等の熱拡
散用の反応ガスが導入される。これにより、ウェハ支持
用ボート１０のフレーム１１上にて、各ウェハ支持用溝
１２に載置されたウェハに対して、それぞれ上記反応ガ
スが垂直に当たることになり、各ウェハの熱拡散処理が
行なわれ得ることになる。A wafer supporting boat 1 according to an embodiment of the present invention.
0 is configured as described above, and the wafers 16 to be subjected to the thermal diffusion treatment are respectively placed in the wafer supporting grooves 12 other than the wafer supporting grooves 12 in which the dummy wafers 16a of the frame 11 are mounted. After mounting, the wafer supporting boat 10 is inserted into the thermal diffusion furnace. Then, the inside of the thermal diffusion furnace is exhausted, and a reaction gas for thermal diffusion such as BCl 3 , O 2 and N 2 in the direction indicated by an arrow A in FIG. be introduced. As a result, on the frame 11 of the wafer supporting boat 10, the wafers placed in the respective wafer supporting grooves 12 are vertically contacted with the reaction gas, and the thermal diffusion process of each wafer is performed. Will be possible.
【００２５】この場合、上記フレーム１１の両端のウェ
ハ支持用溝１２ａ，１２ｂ、そして上記コロ１３及び補
強部材１４の領域に隣接するウェハ支持用溝１２ｃ，１
２ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈにおいては、ダ
ミーのウェハ１６ａが載置されているので、広い間隔部
分に、反応ガスの乱流が発生したとしても、これらのウ
ェハ支持用溝には、熱拡散処理すべきウェハ１６ではな
く、ダミーのウェハ１６ａが載置されているので、熱拡
散処理すべきウェハ１６には、反応ガスの乱流は影響し
ない。従って、熱拡散処理したウェハ１６は、反応ガス
の乱流によって、結晶欠陥が生ずるようなことはない。In this case, the wafer supporting grooves 12a and 12b at both ends of the frame 11 and the wafer supporting grooves 12c and 1 adjacent to the regions of the roller 13 and the reinforcing member 14 are provided.
In 2d, 12e, 12f, 12g, and 12h, since the dummy wafer 16a is placed, even if a turbulent flow of the reaction gas occurs in the wide gap portion, heat is generated in these wafer supporting grooves. Since the dummy wafer 16a is placed instead of the wafer 16 to be diffusion-treated, the turbulent flow of the reaction gas does not affect the wafer 16 to be thermally diffused. Therefore, the wafer 16 that has been subjected to the thermal diffusion process does not have crystal defects due to the turbulent flow of the reaction gas.
【００２６】かくして、ウェハ支持用ボート１０のフレ
ーム１１の各ウェハ支持用溝１２に載置される、熱拡散
処理すべきすべてのウェハ１６は、適正に熱拡散処理さ
れ得ることになるので、熱拡散処理による歩留まりが向
上せしめられ得ることになる。Thus, all the wafers 16 to be subjected to the thermal diffusion treatment, which are placed in the respective wafer supporting grooves 12 of the frame 11 of the wafer supporting boat 10, can be properly subjected to the thermal diffusion treatment, so The yield due to the diffusion process can be improved.
【００２７】上記ダミーのウェハ１６ａが、熱拡散処理
の際に反応しない物質から構成されているので、熱拡散
処理によって、該ダミーのウェハ１６ａが反応すること
はない。従って、熱拡散処理すべきウェハ１６に対し
て、影響を与えることはなく、適正な熱拡散処理が行な
われ得ることになる。Since the dummy wafer 16a is made of a substance that does not react during the thermal diffusion process, the dummy wafer 16a does not react due to the thermal diffusion process. Therefore, the wafer 16 to be subjected to the heat diffusion processing is not affected, and the proper heat diffusion processing can be performed.
【００２８】また、上記ダミーのウェハ１６ａは、載置
されたウェハ支持用溝１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２
ｄ，１２ｅ，１２ｆ，１２ｇ，１２ｈから容易に取り外
すことが可能である。これにより、熱拡散処理によって
ダミーのウェハ１６ａが汚れた場合には、ダミーのウェ
ハ１６ａは、ウェハ支持用溝から外されて、単体で洗浄
処理され得る。The dummy wafer 16a has the wafer supporting grooves 12a, 12b, 12c, 12 mounted thereon.
It can be easily removed from d, 12e, 12f, 12g, 12h. As a result, when the dummy wafer 16a is contaminated by the thermal diffusion process, the dummy wafer 16a can be removed from the wafer supporting groove and cleaned by itself.
【００２９】尚、上記実施例においては、ウェハの熱拡
散処理、特にアイソデポジションを行なう場合について
説明したが、これに限らず、反応ガスによる処理を行な
うために、ウェハを支持するウェハ支持用ボートに対し
て、本発明を適用することが可能である。In the above embodiment, the case where the wafer thermal diffusion process, particularly the isodeposition, is performed has been described, but the present invention is not limited to this, and the wafer support for supporting the wafer for performing the process with the reaction gas is used. The present invention can be applied to a boat.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、フ
レームのコロ，補強部材等の補強部分の領域に隣接する
ウェハ支持用溝及び両端のウェハ支持用溝には、ダミー
のウェハが載置されているので、これらの領域にて反応
ガスの乱流が発生したとしても、この乱流の影響は、上
記のウェハ支持用溝以外のウェハ支持用溝に載置された
熱拡散処理すべきウェハには、及ばない。As described above, according to the present invention, dummy wafers are provided in the wafer supporting groove and the wafer supporting grooves at both ends adjacent to the area of the reinforcing portion such as the roller and the reinforcing member of the frame. Even if a turbulent flow of the reaction gas occurs in these areas because it is mounted, the effect of this turbulent flow is due to the thermal diffusion process performed in the wafer supporting grooves other than the above-mentioned wafer supporting groove. It does not reach the wafer to be processed.
【００３１】かくして、熱拡散処理の際の、ウェハ支持
用ボートの補強部分の領域で発生する反応ガスの乱流に
よる、ウェハ表面の結晶欠陥が、防止され得ることにな
り、熱拡散処理の歩留まりが向上することになる。Thus, the crystal defects on the wafer surface due to the turbulent flow of the reaction gas generated in the region of the reinforcing portion of the wafer supporting boat during the thermal diffusion process can be prevented, and the yield of the thermal diffusion process can be improved. Will be improved.
【００３２】また、上記ダミーのウェハは、載置された
ウェハ支持用溝から容易に取り外して、単体で洗浄する
ことが可能であるので、取扱いが容易である。Since the dummy wafer can be easily removed from the mounted wafer supporting groove and washed by itself, it is easy to handle.
【００３３】尚、上記ダミーのウェハが、熱拡散処理の
際に反応しない物質から構成されている場合には、熱拡
散処理によって、該ダミーのウェハが反応することはな
く、従って、熱拡散処理すべきウェハに対して、影響を
与えることはない。When the dummy wafer is made of a substance that does not react during the thermal diffusion process, the dummy wafer does not react due to the thermal diffusion process. It does not affect the wafer to be processed.
【００３４】かくして、本発明によれば、熱拡散工程に
て、ウェハの結晶欠陥が発生しないようにした、極めて
優れたウェハ支持用ボートが提供され得ることになる。Thus, according to the present invention, it is possible to provide an extremely excellent wafer supporting boat in which crystal defects of the wafer are prevented from occurring in the thermal diffusion step.
【図１】本発明によるウェハ支持用ボートの一実施例を
示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は側面図である。1A and 1B show an embodiment of a wafer supporting boat according to the present invention, in which FIG. 1A is a plan view and FIG. 1B is a side view.
【図２】従来のウェハ支持用ボートの一例を示す概略平
面図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing an example of a conventional wafer supporting boat.
【図３】図２のウェハ支持用ボートの詳細を示す部分平
面図である。FIG. 3 is a partial plan view showing details of the wafer supporting boat of FIG.
１０ ウェハ支持用ボート １１ フレーム １２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ，１２
ｆ，１２ｇ，１２ｈウェハ支持用溝 １３ コロ １４ 補強部材 １５ 把手 １６ ウェハ １６ａ ダミーのウェハ10 Wafer Supporting Boat 11 Frame 12, 12a, 12b, 12c, 12d, 12e, 12
f, 12g, 12h Wafer supporting groove 13 Roller 14 Reinforcing member 15 Handle 16 Wafer 16a Dummy wafer
Claims (3)
ガス流に対して垂直に複数枚のウェハを並べて支持する
ように、長手方向に関して、少なくとも一ヶ所に形成さ
れた補強部分を除いて、所定間隔に設けられた複数のウ
ェハ支持用溝を備えている、石英ガラスから成る、熱拡
散処理用ウェハ支持ボートにおいて、 上記複数のウェハ支持用溝のうち、長手方向に関して両
端のウェハ支持用溝及び上記補強部分に隣接するウェハ
支持用溝には、ウェハと同じ形状のダミーのウェハが載
置されていることを特徴とする、熱拡散処理用ウェハ支
持ボート。1. Excluding a reinforcing portion formed at least at one position in the longitudinal direction so that a plurality of wafers are aligned and supported perpendicularly to the reaction gas flow in a horizontal diffusion furnace through which the reaction gas flows. In a wafer support boat for thermal diffusion treatment, which is made of quartz glass and has a plurality of wafer supporting grooves provided at predetermined intervals, for supporting wafers at both ends in the longitudinal direction of the plurality of wafer supporting grooves. A wafer support boat for thermal diffusion treatment, wherein a dummy wafer having the same shape as the wafer is placed in the groove and the wafer support groove adjacent to the reinforcing portion.
に反応しない物質から構成されていることを特徴とす
る、請求項１に記載の熱拡散処理用ウェハ支持ボート。2. The wafer support boat for thermal diffusion processing according to claim 1, wherein the dummy wafer is made of a substance that does not react during the thermal diffusion processing.
ら構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の
熱拡散処理用ウェハ支持ボート。3. The wafer support boat for thermal diffusion processing according to claim 1, wherein the dummy wafer is made of high-purity glass.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6100616A JPH07283156A (en) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | Thermal diffusion process wafer support boat |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6100616A JPH07283156A (en) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | Thermal diffusion process wafer support boat |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283156A true JPH07283156A (en) | 1995-10-27 |
Family
ID=14278783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6100616A Pending JPH07283156A (en) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | Thermal diffusion process wafer support boat |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07283156A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012069738A (en) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Lapis Semiconductor Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor element |
| WO2017115573A1 (en) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 三菱電機株式会社 | Horizontal diffusion furnace and solar cell production method |
-
1994
- 1994-04-13 JP JP6100616A patent/JPH07283156A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012069738A (en) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Lapis Semiconductor Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor element |
| WO2017115573A1 (en) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 三菱電機株式会社 | Horizontal diffusion furnace and solar cell production method |
| JPWO2017115573A1 (en) * | 2015-12-28 | 2018-05-24 | 三菱電機株式会社 | Horizontal diffusion furnace and method for manufacturing solar cell |
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