JPH0727986B2 - マイクロ波素子用パッケ−ジの製造方法 - Google Patents
マイクロ波素子用パッケ−ジの製造方法Info
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- JPH0727986B2 JPH0727986B2 JP62172695A JP17269587A JPH0727986B2 JP H0727986 B2 JPH0727986 B2 JP H0727986B2 JP 62172695 A JP62172695 A JP 62172695A JP 17269587 A JP17269587 A JP 17269587A JP H0727986 B2 JPH0727986 B2 JP H0727986B2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、マイクロ波素子用パッケージの製造方法に関
するものである。より詳細には、微細な配線パターンを
超電導材料で形成し、集積度および信頼性が高いマイク
ロ波集積回路またはマイクロ波FET用のパッケージの製
造方法に関する。
するものである。より詳細には、微細な配線パターンを
超電導材料で形成し、集積度および信頼性が高いマイク
ロ波集積回路またはマイクロ波FET用のパッケージの製
造方法に関する。
従来の技術 近年マイクロ波、特に10GHz以上のマイクロ波用のモノ
リシック集積回路が徐々に製品化されている。従来のマ
イクロ波FETのパッケージを第２図を参照して説明す
る。
リシック集積回路が徐々に製品化されている。従来のマ
イクロ波FETのパッケージを第２図を参照して説明す
る。
第２図は、従来のマイクロ波FETパッケージの模式図で
ある。従来のマイクロ波FETパッケージは、キャビティ
９が中央に形成されている例えばアルミナ製の基板７の
上面上に厚膜印刷によりメタライズ配線パターン８を描
き、アルミナキャップ10（側壁部分のみ図示し、基板７
と平行なカバー部分を省略してある）を低融点ガラスを
用いて気密に封止するという工程を経て製造されてい
る。
ある。従来のマイクロ波FETパッケージは、キャビティ
９が中央に形成されている例えばアルミナ製の基板７の
上面上に厚膜印刷によりメタライズ配線パターン８を描
き、アルミナキャップ10（側壁部分のみ図示し、基板７
と平行なカバー部分を省略してある）を低融点ガラスを
用いて気密に封止するという工程を経て製造されてい
る。
発明が解決しようとする問題点 従来のマイクロ波集積回路、マイクロ波FETパッケージ
は、気密性等の信頼性は非常に高いが、厚膜印刷技術を
用いているために、微細な配線を描けず、またパターン
精度が悪いという欠点がある。従って、集積回路の小型
化、高密度化に合わせてパッケージを小型化するのに限
界がある。
は、気密性等の信頼性は非常に高いが、厚膜印刷技術を
用いているために、微細な配線を描けず、またパターン
精度が悪いという欠点がある。従って、集積回路の小型
化、高密度化に合わせてパッケージを小型化するのに限
界がある。
詳述するならば、例えばマイクロ波FET用パッケージは
大きさが通常5mm角程度と大変小さいため、小型にあた
っては特に微細な配線パターンが必要である。
大きさが通常5mm角程度と大変小さいため、小型にあた
っては特に微細な配線パターンが必要である。
このような微細な精密配線パターンを形成する方法とし
て、フォトリソグラフィを用いることが考えられる。と
ころが、この方法をマイクロ波FET用パッケージに用い
る場合には、気密封止用の枠が既に作られている形式の
パッケージ基板の場合、その気密封止用の枠の段差によ
り、フォトリソグラフィを用いて配線パターンを形成す
ることは不可能である。そのため、フォトリソグラフィ
をパッケージに用いる場合、枠のない平板な基板上にフ
ォトリソグラフィによりパターニングをしてから、その
上に枠を気密に接着しなければならない。
て、フォトリソグラフィを用いることが考えられる。と
ころが、この方法をマイクロ波FET用パッケージに用い
る場合には、気密封止用の枠が既に作られている形式の
パッケージ基板の場合、その気密封止用の枠の段差によ
り、フォトリソグラフィを用いて配線パターンを形成す
ることは不可能である。そのため、フォトリソグラフィ
をパッケージに用いる場合、枠のない平板な基板上にフ
ォトリソグラフィによりパターニングをしてから、その
上に枠を気密に接着しなければならない。
ところが、マイクロ波FET用パッケージは上述したよう
に大きさが小さく、気密封止をするパス（リークパス、
すなわち配線パターンの間のパッケージ基板面が露出し
ている部分）があまりとれないため、粒径の小さいガラ
スすなわち800℃以上の軟化点を有するガラスを用いな
ければならない。この温度では、金属は強く酸化される
ため、配線パターンの形成に金属（メタライズ）を使用
することが不可能であった。
に大きさが小さく、気密封止をするパス（リークパス、
すなわち配線パターンの間のパッケージ基板面が露出し
ている部分）があまりとれないため、粒径の小さいガラ
スすなわち800℃以上の軟化点を有するガラスを用いな
ければならない。この温度では、金属は強く酸化される
ため、配線パターンの形成に金属（メタライズ）を使用
することが不可能であった。
また金属の酸化の問題を解決し、メタライズによる配線
パターンを使用しても、金属の配線パターンと封止ガラ
スとの密着性はセラミック部に比して悪く、しばしば信
頼性試験時のリークにつながってしまう。
パターンを使用しても、金属の配線パターンと封止ガラ
スとの密着性はセラミック部に比して悪く、しばしば信
頼性試験時のリークにつながってしまう。
そこで、本発明の目的は、上記の問題点を解決し、微細
な配線パターンを有し、小型、高集積化が可能な新規な
マイクロ波集積回路またはマイクロ波FET用のパッケー
ジを製造する方法を提供するものである。
な配線パターンを有し、小型、高集積化が可能な新規な
マイクロ波集積回路またはマイクロ波FET用のパッケー
ジを製造する方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段 本発明に従うと、複合酸化物超電導材料で形成された配
線パターンを有するマイクロ波素子用パッケージを製造
する方法において、パッケージ基板の上面上に複合酸化
物超電導材料層を形成し、該複合酸化物超電導材料層を
フォトリソグラフィを用いてパターンニングして超電導
配線パターンを形成し、前記パッケージ基板の前記上面
上に封止用のわくをガラスで固定することを特徴とする
マイクロ波素子用パッケージの製造方法が提供される。
線パターンを有するマイクロ波素子用パッケージを製造
する方法において、パッケージ基板の上面上に複合酸化
物超電導材料層を形成し、該複合酸化物超電導材料層を
フォトリソグラフィを用いてパターンニングして超電導
配線パターンを形成し、前記パッケージ基板の前記上面
上に封止用のわくをガラスで固定することを特徴とする
マイクロ波素子用パッケージの製造方法が提供される。
本発明によるマイクロ波素子用パッケージに用いる複合
酸化物超電導材料としてはBa、ＹおよびCuを含む複合酸
化物超電導材料が好ましい。
酸化物超電導材料としてはBa、ＹおよびCuを含む複合酸
化物超電導材料が好ましい。
この複合酸化物超電導材料としては公知の任意の材料を
用いることができる。
用いることができる。
特に、下記一般式： （α1-XβX）γyOz （但し、αは周期律表IIa族に含まれる元素であり、β
は周期律表IIIa族に含まれる元素であり、γは周期律表
Ib、IIb、IIIb、IVaおよびVIII族から選択される少なく
とも一つの元素であり、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ0.1≦ｘ
≦0.9、0.4≦ｙ≦3.0、１≦ｚ≦５を満たす数である） で示される複合酸化物が好ましい。これらの複合酸化物
はペロブスカイト型または擬似ペロブスカイト型酸化物
を主体としたものと考えられる。
は周期律表IIIa族に含まれる元素であり、γは周期律表
Ib、IIb、IIIb、IVaおよびVIII族から選択される少なく
とも一つの元素であり、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ0.1≦ｘ
≦0.9、0.4≦ｙ≦3.0、１≦ｚ≦５を満たす数である） で示される複合酸化物が好ましい。これらの複合酸化物
はペロブスカイト型または擬似ペロブスカイト型酸化物
を主体としたものと考えられる。
上記周期律表IIa族元素αとしては、Ba、Sr、Ca、Mg、B
e等が好ましく、例えば、Ba、Srを挙げることができ、
この元素αの10〜80％をMg、Ca、Srから選択された１種
または２種の元素で置換することもできる。また上記周
期律表IIIa族元素βはとしては、Ｙ、La、Sc、Ce、Gd、
Ho、Er、Tm、Yb、Lu等が好ましく、例えばＹ、Laとする
ことができ、この元素βのうち、10〜80％をScまたはLa
以外のランタノイド元素から選択された１種または２種
の元素で置換することもできる。前記元素γは一般にCu
であるが、その一部を周期律表Ib、IIb、IIIb、IVaおよ
びVIII族から選択される他の元素、例えば、Ti、Ｖ等で
置換することもできる。
e等が好ましく、例えば、Ba、Srを挙げることができ、
この元素αの10〜80％をMg、Ca、Srから選択された１種
または２種の元素で置換することもできる。また上記周
期律表IIIa族元素βはとしては、Ｙ、La、Sc、Ce、Gd、
Ho、Er、Tm、Yb、Lu等が好ましく、例えばＹ、Laとする
ことができ、この元素βのうち、10〜80％をScまたはLa
以外のランタノイド元素から選択された１種または２種
の元素で置換することもできる。前記元素γは一般にCu
であるが、その一部を周期律表Ib、IIb、IIIb、IVaおよ
びVIII族から選択される他の元素、例えば、Ti、Ｖ等で
置換することもできる。
また、本発明の方法に従うと、基板としてAl2O3を用い
る場合は、サファイアが好ましい。基板に使用するにあ
たり好ましい材料として、他にMgO、SrTiO3等がある。
る場合は、サファイアが好ましい。基板に使用するにあ
たり好ましい材料として、他にMgO、SrTiO3等がある。
作用 本発明は、上記した問題点を解決するために、複合酸化
物超電導体を用いてフォトリソグラフィーで配線パター
ンを形成し、そして、ガラスを使用して封止用の枠を固
定することを主要な特徴としている。
物超電導体を用いてフォトリソグラフィーで配線パター
ンを形成し、そして、ガラスを使用して封止用の枠を固
定することを主要な特徴としている。
まず、パッケージ基板の平らな上面に形成した複合酸化
物超電導体層に対してフォトリソグラフィーを適用して
配線パターンを形成するので、段差の問題なく微細な配
線パターンを形成することができる。
物超電導体層に対してフォトリソグラフィーを適用して
配線パターンを形成するので、段差の問題なく微細な配
線パターンを形成することができる。
また、配線パターンを形成する複合酸化物超電導体は、
セラミクスの１種であるためガラスとのなじみがよく、
配線パターンを形成後その上にガラスを用いて封止用枠
を気密接着することが、たいへん容易となる。
セラミクスの１種であるためガラスとのなじみがよく、
配線パターンを形成後その上にガラスを用いて封止用枠
を気密接着することが、たいへん容易となる。
更に、配線パターンを超電導体で形成するので、低損失
となり、より高性能なマイクロ波集積回路パッケージが
製造できる。
となり、より高性能なマイクロ波集積回路パッケージが
製造できる。
実施例 本発明の効果を確認するために、第１図に示す２ピンの
マイクロ波FET用パッケージを試作した。2mm角のキャビ
ティ９をあけた厚み0.25mmのAl2O3（サファイア）基板
１の表裏面の全面にスパッタリング法により超電導薄膜
を２μｍの厚みで形成した。
マイクロ波FET用パッケージを試作した。2mm角のキャビ
ティ９をあけた厚み0.25mmのAl2O3（サファイア）基板
１の表裏面の全面にスパッタリング法により超電導薄膜
を２μｍの厚みで形成した。
スパッタリングは、マグネトロンスパッタリング法と
し、まず、チャンバ内を真空に排気した後、5.0×10-2T
orrのArガスと1.0×10-2TorrのO2ガスを導入した。基板
温度を600℃にし、マグネトロン電極には、3w/cm2の高
周波電力をかけた。酸化物超電導薄膜原料ターゲットと
して、Y2O3、BaCO3をＹ、Baのモル比1:2で混合し、CuO
をＹ、Ba、Cuのモル比が1:2:3となる量よりも10重量％
過剰に混合し、950℃焼結して得たYBa2Cu3O7焼結体ブロ
ックを用いた。
し、まず、チャンバ内を真空に排気した後、5.0×10-2T
orrのArガスと1.0×10-2TorrのO2ガスを導入した。基板
温度を600℃にし、マグネトロン電極には、3w/cm2の高
周波電力をかけた。酸化物超電導薄膜原料ターゲットと
して、Y2O3、BaCO3をＹ、Baのモル比1:2で混合し、CuO
をＹ、Ba、Cuのモル比が1:2:3となる量よりも10重量％
過剰に混合し、950℃焼結して得たYBa2Cu3O7焼結体ブロ
ックを用いた。
成膜後、酸素分圧１気圧の雰囲気下で基板温度を650℃
に保ち15時間保持した後、７度／分で冷却した。
に保ち15時間保持した後、７度／分で冷却した。
そのようにして形成された超電導薄膜をフォトリソグラ
フィでパターニングして、線幅100μｍのライン２を形
成した。
フィでパターニングして、線幅100μｍのライン２を形
成した。
その後、リードフレームとのロー付部やワイヤーボンデ
ィング所定部には、マスク蒸着法で部分的に、Au/Pd/Ti
の薄膜コーティングを行ない、電極パッド４を形成し
た。
ィング所定部には、マスク蒸着法で部分的に、Au/Pd/Ti
の薄膜コーティングを行ない、電極パッド４を形成し
た。
その上に内側3mm角、外側4mm角で高さ0.5mmのAl2O3の枠
３をガラス付けした。さらに裏側にCu−Ｗ合金（不図
示）をAgロウでロウ付けし、上記配線パターン両端に形
成したロウ付部にFe−Ni合金のリードフレーム５をやは
りAgロウでロウ付した。
３をガラス付けした。さらに裏側にCu−Ｗ合金（不図
示）をAgロウでロウ付けし、上記配線パターン両端に形
成したロウ付部にFe−Ni合金のリードフレーム５をやは
りAgロウでロウ付した。
比較のためにアルミナ積層技術を用いた同型のパッケー
ジと、配線をNi/Mo/TI薄膜で形成し、酸化を防ぐために
窒素雰囲気でガラス付したものについてリークとパター
ン精度を調べた。結果を第１表に示す。
ジと、配線をNi/Mo/TI薄膜で形成し、酸化を防ぐために
窒素雰囲気でガラス付したものについてリークとパター
ン精度を調べた。結果を第１表に示す。
発明の効果 以上説明してきたように、本発明の方法に従うと、リー
ク歩留もよくパターン精度も良好なマイクロ波パッケー
ジを製造することができる。また、本発明に従って製造
されたマイクロ波素子用パッケージは、配線パターンが
超電導体で形成されているので低損失かつ高性能とな
る。
ク歩留もよくパターン精度も良好なマイクロ波パッケー
ジを製造することができる。また、本発明に従って製造
されたマイクロ波素子用パッケージは、配線パターンが
超電導体で形成されているので低損失かつ高性能とな
る。
本発明により、超電導技術のエレクトロニクスへの応用
は一層促進される。
は一層促進される。
第１図（ａ）は、本発明の方法を用いて製造されたマイ
クロ波パッケージの１例の平面図であり、 第１図（ｂ）は、第１図（ａ）のＡ−Ａにおける断面図
であり、 第２図（ａ）は、従来のマイクロ波パッケージ１例の平
面図であり、 第２図（ｂ）は、第２図（ａ）のＢ−Ｂにおける断面図
である。 （主な参照番号） １……Al2O3基板、２……超電導配線パターン、３……A
l2O3枠、４……電極パッド、５……リードフレーム、６
……封止ガラス、７……多層アルミナ基板、８……メタ
ライズ配線パターン、９……キャビティ、10……封止枠
クロ波パッケージの１例の平面図であり、 第１図（ｂ）は、第１図（ａ）のＡ−Ａにおける断面図
であり、 第２図（ａ）は、従来のマイクロ波パッケージ１例の平
面図であり、 第２図（ｂ）は、第２図（ａ）のＢ−Ｂにおける断面図
である。 （主な参照番号） １……Al2O3基板、２……超電導配線パターン、３……A
l2O3枠、４……電極パッド、５……リードフレーム、６
……封止ガラス、７……多層アルミナ基板、８……メタ
ライズ配線パターン、９……キャビティ、10……封止枠
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上代 哲司 兵庫県伊丹市昆陽北１丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内 (56)参考文献 特開 昭62−15837（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−99746（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−51554（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】複合酸化物超電導材料で形成された配線パ
ターンを有するマイクロ波素子用パッケージを製造する
方法において、パッケージ基板の上面上に複合酸化物超
電導材料層を形成し、該複合酸化物超電導材料層をフォ
トリソグラフィを用いてパターンニングして超電導配線
パターンを形成し、前記パッケージ基板の前記上面上に
封止用のわくをガラスで固定することを特徴とするマイ
クロ波素子用パッケージの製造方法。 - 【請求項２】上記複合酸化物超電導材料が、Ba、Ｙおよ
びCuを含む複合酸化物超電導材料であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載のマイクロ波素子用パッ
ケージの製造方法。 - 【請求項３】前記マイクロ波素子用パッケージは、マイ
クロ波集積回路用またはマイクロ波FET（電界効果トラ
ンジスタ）用であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項または第２項記載のマイクロ波素子用パッケージの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62172695A JPH0727986B2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 | マイクロ波素子用パッケ−ジの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62172695A JPH0727986B2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 | マイクロ波素子用パッケ−ジの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6417420A JPS6417420A (en) | 1989-01-20 |
| JPH0727986B2 true JPH0727986B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=15946639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62172695A Expired - Fee Related JPH0727986B2 (ja) | 1987-07-10 | 1987-07-10 | マイクロ波素子用パッケ−ジの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727986B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5274249A (en) * | 1991-12-20 | 1993-12-28 | University Of Maryland | Superconducting field effect devices with thin channel layer |
| JP2674680B2 (ja) * | 1994-02-23 | 1997-11-12 | 宇都宮大学長 | 超伝導超格子結晶デバイス |
| JP2861956B2 (ja) * | 1996-07-24 | 1999-02-24 | 日本電気株式会社 | 高周波デバイスパッケージ及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-07-10 JP JP62172695A patent/JPH0727986B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6417420A (en) | 1989-01-20 |
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