JPH07268623A - イオンスパッタ装置 - Google Patents
イオンスパッタ装置Info
- Publication number
- JPH07268623A JPH07268623A JP8796094A JP8796094A JPH07268623A JP H07268623 A JPH07268623 A JP H07268623A JP 8796094 A JP8796094 A JP 8796094A JP 8796094 A JP8796094 A JP 8796094A JP H07268623 A JPH07268623 A JP H07268623A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- electrode
- sample
- ion sputtering
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料に電子衝撃による損傷を与えることなく
イオンスパッタリングが行え、しかもターゲットの交換
のみで簡単にイオンボンバートも行えるイオンスパッタ
装置。 【構成】 イオンスパッタ装置は、希薄気体状態に維持
される真空槽１と、この真空槽１の中に配置された試料
台６と、この試料台６と対向して前記真空槽１内に配置
されたターゲント電極３と、このターゲット電極３に取
り付けられたターゲット２と、前記ターゲット電極３が
負電位となるよう放電電圧を印加する電源８とを有す
る。ターゲット電極３に磁石１０を取り付け、同ターゲ
ット電極３に取り付けたターゲット２の板面に沿う方向
に磁界を形成する。さらに、前記試料台６が電源８に接
続された正電極１３側と絶縁されている。
イオンスパッタリングが行え、しかもターゲットの交換
のみで簡単にイオンボンバートも行えるイオンスパッタ
装置。 【構成】 イオンスパッタ装置は、希薄気体状態に維持
される真空槽１と、この真空槽１の中に配置された試料
台６と、この試料台６と対向して前記真空槽１内に配置
されたターゲント電極３と、このターゲット電極３に取
り付けられたターゲット２と、前記ターゲット電極３が
負電位となるよう放電電圧を印加する電源８とを有す
る。ターゲット電極３に磁石１０を取り付け、同ターゲ
ット電極３に取り付けたターゲット２の板面に沿う方向
に磁界を形成する。さらに、前記試料台６が電源８に接
続された正電極１３側と絶縁されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ中で陽イオン
によりターゲットの分子を弾き出し、このターゲットと
対向して配置された試料や基板の表面に金属薄膜を形成
するイオンスパッタ装置に関する。
によりターゲットの分子を弾き出し、このターゲットと
対向して配置された試料や基板の表面に金属薄膜を形成
するイオンスパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子顕微鏡観察用の生物試料等の電気的
不導体を導電性にする場合、或は基板上に金属薄膜等を
成膜する場合に、この種のイオンスパッタ装置が使用さ
れる。従来における一般的なイオンスパッタ装置は、図
３に示す通りである。筒状のガラス壁１６の上下両端部
を金属板１４、１５で気密に封止して真空槽１が構成さ
れており、この真空槽１は、真空ポンプ７により減圧さ
れる。この真空槽１の上下に対向して試料台６とターゲ
ット電極３とが対向して配置してあり、試料台６上には
試料ｓが載せられ、ターゲット電極３の下面にはターゲ
ット２が取り付けられている。ターゲット電極３は、絶
縁材４により金属板１４と絶縁されると共に、静電シー
ルド５で囲まれている。
不導体を導電性にする場合、或は基板上に金属薄膜等を
成膜する場合に、この種のイオンスパッタ装置が使用さ
れる。従来における一般的なイオンスパッタ装置は、図
３に示す通りである。筒状のガラス壁１６の上下両端部
を金属板１４、１５で気密に封止して真空槽１が構成さ
れており、この真空槽１は、真空ポンプ７により減圧さ
れる。この真空槽１の上下に対向して試料台６とターゲ
ット電極３とが対向して配置してあり、試料台６上には
試料ｓが載せられ、ターゲット電極３の下面にはターゲ
ット２が取り付けられている。ターゲット電極３は、絶
縁材４により金属板１４と絶縁されると共に、静電シー
ルド５で囲まれている。
【０００３】ターゲット電極３と試料台６に電気的に導
通した金属板１５とに、ターゲット電極３が負電位とな
るよう電源８が接続され、この電源８の電圧は、電圧調
整器９により調整される。このイオンスパッタ装置によ
り、例えば試料ｓを金属薄膜でコーティングし、導電性
試料とする場合、真空槽１内を真空ポンプ７で減圧し、
放電に適した５〜７Ｐａ程度の気圧に保持すると共に、
ターゲット電極３と試料台６との間に１５００〜２５０
０Ｖの高電圧を印加し、プラズマ状態とする。
通した金属板１５とに、ターゲット電極３が負電位とな
るよう電源８が接続され、この電源８の電圧は、電圧調
整器９により調整される。このイオンスパッタ装置によ
り、例えば試料ｓを金属薄膜でコーティングし、導電性
試料とする場合、真空槽１内を真空ポンプ７で減圧し、
放電に適した５〜７Ｐａ程度の気圧に保持すると共に、
ターゲット電極３と試料台６との間に１５００〜２５０
０Ｖの高電圧を印加し、プラズマ状態とする。
【０００４】この状態では、真空槽１内に残留する気体
分子が＋イオンと電子とに電離する。そして、＋イオン
はターゲット電極３に印加した電圧に応じた加速度でタ
ーゲット２の表面に衝突し、ターゲット２の分子を弾き
出す。このとき、静電シールド５は、＋イオンをターゲ
ット２の表面に集中させる働きをする。弾き出された分
子は、試料台６上の試料ｓに飛散し、同試料ｓの表面に
被着して同試料ｓをコーティングする。
分子が＋イオンと電子とに電離する。そして、＋イオン
はターゲット電極３に印加した電圧に応じた加速度でタ
ーゲット２の表面に衝突し、ターゲット２の分子を弾き
出す。このとき、静電シールド５は、＋イオンをターゲ
ット２の表面に集中させる働きをする。弾き出された分
子は、試料台６上の試料ｓに飛散し、同試料ｓの表面に
被着して同試料ｓをコーティングする。
【０００５】また、このようなイオンスパッタ装置を用
い、イオンボンバード法により物質の表面を親水性化す
ることが行われている。そのためには、まずターゲット
２をスパッタ率の低い金属に交換する。さらに、真空槽
１内を１０Ｐａ程度の圧力に調整すると共に、ターゲッ
ト電極３と試料台６との間に、物質の表面を損傷しない
程度の３００〜５００Ｖの交流電圧を印加する。この状
態では、物質の表面に＋イオンと電子が交互に飛来し、
結果的に物質の表面にイオンが注入され、その表面が＋
にチャージされて親水性となる。
い、イオンボンバード法により物質の表面を親水性化す
ることが行われている。そのためには、まずターゲット
２をスパッタ率の低い金属に交換する。さらに、真空槽
１内を１０Ｐａ程度の圧力に調整すると共に、ターゲッ
ト電極３と試料台６との間に、物質の表面を損傷しない
程度の３００〜５００Ｖの交流電圧を印加する。この状
態では、物質の表面に＋イオンと電子が交互に飛来し、
結果的に物質の表面にイオンが注入され、その表面が＋
にチャージされて親水性となる。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】前記従来の装置に
おいて、イオンスパッタリングを行う場合、ターゲット
電極３と試料台６との間に１５００〜２５００Ｖという
高い電圧を印加する必要があることから、高速に加速さ
れた電子が陽極側にある試料台６上の試料ｓに入射す
る。このため、電子衝撃により、試料ｓの温度上昇が大
きく、且つその損傷も大きい。
おいて、イオンスパッタリングを行う場合、ターゲット
電極３と試料台６との間に１５００〜２５００Ｖという
高い電圧を印加する必要があることから、高速に加速さ
れた電子が陽極側にある試料台６上の試料ｓに入射す
る。このため、電子衝撃により、試料ｓの温度上昇が大
きく、且つその損傷も大きい。
【０００７】さらに、 前記従来の装置において、イオ
ンボンバードを行う場合、電源８をより低電圧の交流電
源に切り替え、その電圧で放電が維持できるよう、真空
槽１内をより高い圧力に調整する必要があった。このよ
うに、イオンボンバードを行うには、イオンスパッタリ
ングの場合と、電源や真空槽１内の気圧の条件を異なら
せなければならないため、付帯設備としての電源が大型
化し、さらに真空槽１内の気圧調整が面倒であった。
ンボンバードを行う場合、電源８をより低電圧の交流電
源に切り替え、その電圧で放電が維持できるよう、真空
槽１内をより高い圧力に調整する必要があった。このよ
うに、イオンボンバードを行うには、イオンスパッタリ
ングの場合と、電源や真空槽１内の気圧の条件を異なら
せなければならないため、付帯設備としての電源が大型
化し、さらに真空槽１内の気圧調整が面倒であった。
【０００８】本発明は、このような従来の課題に鑑み、
試料に電子衝撃による損傷を与えることなくイオンスパ
ッタリングが行え、しかもターゲットの交換のみで簡単
にイオンボンバードも行えるイオンスパッタ装置を提供
することを目的とする。
試料に電子衝撃による損傷を与えることなくイオンスパ
ッタリングが行え、しかもターゲットの交換のみで簡単
にイオンボンバードも行えるイオンスパッタ装置を提供
することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明では、前記の目的
を達成するため、ターゲット電極３に取り付けたターゲ
ット２の板面に沿う方向に磁界を形成し、ターゲット２
の表面にマグネトロンを構成すると共に、試料台６を正
電極１３側と絶縁し、電気的に浮遊状態とさせることと
した。これにより、従来の装置と同様の圧力下で、より
低電圧でイオンスパッタリングを可能とし、且つ試料台
６への電子の入射を防止することとした。
を達成するため、ターゲット電極３に取り付けたターゲ
ット２の板面に沿う方向に磁界を形成し、ターゲット２
の表面にマグネトロンを構成すると共に、試料台６を正
電極１３側と絶縁し、電気的に浮遊状態とさせることと
した。これにより、従来の装置と同様の圧力下で、より
低電圧でイオンスパッタリングを可能とし、且つ試料台
６への電子の入射を防止することとした。
【００１０】すなわち、本発明によるイオンスパッタ装
置は、希薄気体状態に維持される真空槽１と、この真空
槽１の中に配置された試料台６と、この試料台６と対向
して前記真空槽１内に配置されたターゲット電極３と、
このターゲット電極３に取り付けられたターゲット２
と、前記ターゲット電極３が負電位となるよう放電電圧
を印加する電源８とを有するイオンスパッタ装置におい
て、ターゲット電極３に磁石１０を取り付け、同ターゲ
ット電極３に取り付けたターゲット２の板面に沿う方向
に磁界を形成すると共に、前記試料台６を電源８に接続
された正電極１３側と絶縁したことを特徴とする。
置は、希薄気体状態に維持される真空槽１と、この真空
槽１の中に配置された試料台６と、この試料台６と対向
して前記真空槽１内に配置されたターゲット電極３と、
このターゲット電極３に取り付けられたターゲット２
と、前記ターゲット電極３が負電位となるよう放電電圧
を印加する電源８とを有するイオンスパッタ装置におい
て、ターゲット電極３に磁石１０を取り付け、同ターゲ
ット電極３に取り付けたターゲット２の板面に沿う方向
に磁界を形成すると共に、前記試料台６を電源８に接続
された正電極１３側と絶縁したことを特徴とする。
【００１１】さらに、この本発明によるイオンスパッタ
装置では、前記ターゲット２をイオンボンバード用のス
パッタ率の低いターゲット１２とし、イオンスパッタ装
置を用いてイオンボンバードを行う。
装置では、前記ターゲット２をイオンボンバード用のス
パッタ率の低いターゲット１２とし、イオンスパッタ装
置を用いてイオンボンバードを行う。
【００１２】
【作用】前記本発明によるイオンスパッタ装置では、タ
ーゲット２の表面に沿って磁界が形成されるため、放電
によって生じた電子が磁界の中で螺旋運動を起こし、そ
の飛距離を延ばす。このため、真空槽１内の残留ガスと
の衝突の機会が多くなり、残留ガスがプラズマ化される
ことから、低い気圧の中で＋イオンの密度が飛躍的に増
大する。従って、従来のものに比べて放電電圧が３００
〜５００Ｖと、数分の１で済む。しかも、プラズマ領域
も、磁場の最も強いターゲット２の表面部分に集中する
ため、静電シールドが無くてもイオンが効率よくターゲ
ット２を衝撃する。
ーゲット２の表面に沿って磁界が形成されるため、放電
によって生じた電子が磁界の中で螺旋運動を起こし、そ
の飛距離を延ばす。このため、真空槽１内の残留ガスと
の衝突の機会が多くなり、残留ガスがプラズマ化される
ことから、低い気圧の中で＋イオンの密度が飛躍的に増
大する。従って、従来のものに比べて放電電圧が３００
〜５００Ｖと、数分の１で済む。しかも、プラズマ領域
も、磁場の最も強いターゲット２の表面部分に集中する
ため、静電シールドが無くてもイオンが効率よくターゲ
ット２を衝撃する。
【００１３】しかも、前記試料台６を電源８に接続され
た正電極１３側と絶縁したので、試料台６上の試料ｓに
電子が入射するのが防止される。こため、試料ｓの温度
上昇や損傷を低いレベルに抑えながら、その表面コーテ
ィングが可能となる。また、この本発明によるイオンス
パッタ装置によりイオンボンバードを行う場合、前述し
た磁場の働きにより、低電圧で安定した放電が持続され
るため、イオンスパッタリングを行うのと同じ電源を使
用し、同じ気圧でイオンボンバードを行うことができ
る。すなわち、単にターゲット１２をスパッタ率の低い
ものに換えるだけで、イオンボンバードを行うことがで
きる。
た正電極１３側と絶縁したので、試料台６上の試料ｓに
電子が入射するのが防止される。こため、試料ｓの温度
上昇や損傷を低いレベルに抑えながら、その表面コーテ
ィングが可能となる。また、この本発明によるイオンス
パッタ装置によりイオンボンバードを行う場合、前述し
た磁場の働きにより、低電圧で安定した放電が持続され
るため、イオンスパッタリングを行うのと同じ電源を使
用し、同じ気圧でイオンボンバードを行うことができ
る。すなわち、単にターゲット１２をスパッタ率の低い
ものに換えるだけで、イオンボンバードを行うことがで
きる。
【００１４】
【実施例】次に、図面を参照しながら、本発明の実施例
について詳細且つ具体的に説明する。図１に本発明の実
施例によるイオンスパッタ装置の概要が示されており、
図３に示された従来例と共通する部分には同じ符号が付
してある。
について詳細且つ具体的に説明する。図１に本発明の実
施例によるイオンスパッタ装置の概要が示されており、
図３に示された従来例と共通する部分には同じ符号が付
してある。
【００１５】例えば、円筒状のガラス壁１６の上下両端
部を金属板１４、１５で気密に封止して真空槽１が構成
されており、この真空槽１は、真空ポンプ７により減圧
され、その内部が希薄ガス雰囲気におかれる。この真空
槽１の上下に対向して試料台６とターゲット電極３とが
対向して配置してある。
部を金属板１４、１５で気密に封止して真空槽１が構成
されており、この真空槽１は、真空ポンプ７により減圧
され、その内部が希薄ガス雰囲気におかれる。この真空
槽１の上下に対向して試料台６とターゲット電極３とが
対向して配置してある。
【００１６】試料台６は、絶縁材１１により金属板１５
と絶縁して保持されており、この試料台６上には試料ｓ
が載せられる。この試料台６は、金属板１５と電気的に
接続された正電極１３に囲まれている。他方、ターゲッ
ト電極３は、磁性体からなり、絶縁材４により金属板１
４と絶縁されると共に、その下面が凹状にくり抜かれ、
その中央に磁石１０が設けられている。磁石１０は、そ
の下面がターゲット電極３の周囲の縁面と面一になるよ
うターゲット電極３に取り付けられている。この磁石１
０は、その下面側とターゲット電極３に取り付けられた
上面とに各々磁極がある。従って、磁性体であるターゲ
ット電極３の外周縁には、前記磁石１０の下面と異なる
磁極が形成される。これにより、磁石１０の下面とその
周囲にあるターゲット電極３の縁面との間に磁界が形成
される。このターゲット電極３の縁面と磁石１０の下面
にわたってターゲット２が貼られるが、前記磁界はこの
ターゲット２に沿って形成される。
と絶縁して保持されており、この試料台６上には試料ｓ
が載せられる。この試料台６は、金属板１５と電気的に
接続された正電極１３に囲まれている。他方、ターゲッ
ト電極３は、磁性体からなり、絶縁材４により金属板１
４と絶縁されると共に、その下面が凹状にくり抜かれ、
その中央に磁石１０が設けられている。磁石１０は、そ
の下面がターゲット電極３の周囲の縁面と面一になるよ
うターゲット電極３に取り付けられている。この磁石１
０は、その下面側とターゲット電極３に取り付けられた
上面とに各々磁極がある。従って、磁性体であるターゲ
ット電極３の外周縁には、前記磁石１０の下面と異なる
磁極が形成される。これにより、磁石１０の下面とその
周囲にあるターゲット電極３の縁面との間に磁界が形成
される。このターゲット電極３の縁面と磁石１０の下面
にわたってターゲット２が貼られるが、前記磁界はこの
ターゲット２に沿って形成される。
【００１７】ターゲット電極３と前記正電極１３に電気
的に導通した金属板１５とに、ターゲット電極３が負電
位となるよう電源８が接続され、この電源８の電圧は、
電圧調整器９により調整される。このイオンスパッタ装
置により、例えば試料ｓを金属薄膜でコーティングする
場合、真空槽１内を真空ポンプ７で減圧し、５〜７Ｐａ
程度の気圧に保持すると共に、ターゲット電極３と試料
台６との間に３００〜５００Ｖの電圧を印加し、放電さ
せる。
的に導通した金属板１５とに、ターゲット電極３が負電
位となるよう電源８が接続され、この電源８の電圧は、
電圧調整器９により調整される。このイオンスパッタ装
置により、例えば試料ｓを金属薄膜でコーティングする
場合、真空槽１内を真空ポンプ７で減圧し、５〜７Ｐａ
程度の気圧に保持すると共に、ターゲット電極３と試料
台６との間に３００〜５００Ｖの電圧を印加し、放電さ
せる。
【００１８】本発明によるイオンスパッタ装置では、タ
ーゲット２の表面に沿って磁界が形成されるため、放電
によって生じた電子が磁界の中で螺旋運動するため、真
空槽１内の残留ガスとの衝突の機会が多くなり、残留ガ
スがプラズマ化される。従って、従来のイオンスパッタ
装置に比べ、同程度の気圧の下でより低い放電電圧によ
り、＋イオンの密度を高くすることができる。また、プ
ラズマ領域も、磁場の最も強いターゲット２の表面部分
に集中し、＋イオンがターゲット２を効率よく衝撃す
る。このイオン衝撃によりターゲット２から弾き出され
た分子は、試料台６上の試料ｓに飛散し、同試料ｓの表
面に被着して同試料ｓをコーティングする。さらに、こ
の実施例によるイオンスパッタ装置では、前記試料台６
が電源８に接続された金属板１５側と絶縁されているの
で、試料台６上の試料ｓに電子が入射するのが防止され
る。
ーゲット２の表面に沿って磁界が形成されるため、放電
によって生じた電子が磁界の中で螺旋運動するため、真
空槽１内の残留ガスとの衝突の機会が多くなり、残留ガ
スがプラズマ化される。従って、従来のイオンスパッタ
装置に比べ、同程度の気圧の下でより低い放電電圧によ
り、＋イオンの密度を高くすることができる。また、プ
ラズマ領域も、磁場の最も強いターゲット２の表面部分
に集中し、＋イオンがターゲット２を効率よく衝撃す
る。このイオン衝撃によりターゲット２から弾き出され
た分子は、試料台６上の試料ｓに飛散し、同試料ｓの表
面に被着して同試料ｓをコーティングする。さらに、こ
の実施例によるイオンスパッタ装置では、前記試料台６
が電源８に接続された金属板１５側と絶縁されているの
で、試料台６上の試料ｓに電子が入射するのが防止され
る。
【００１９】このようなイオンスパッタ装置を用い、イ
オンボンバード法により薄膜の表面を親水性化する場
合、ターゲット２をスパッタ率の低い金属からなるター
ゲット１２に交換する。例えば、図２に示す例では、タ
ーゲット２の下面にをカバーするように、スパッタ率の
低いターゲット１２を取り付けている。この場合、ター
ゲット２、１２が磁性体の場合は、磁石１０の磁力を利
用してターゲット電極３にターゲット２、１２を取り付
けることができる。他方、非磁性のターゲット２、１２
を使用する場合は、ターゲット２、１２を浅いカップ状
に成形し、これをターゲット電極３に被せるようにして
取り付けることができる。
オンボンバード法により薄膜の表面を親水性化する場
合、ターゲット２をスパッタ率の低い金属からなるター
ゲット１２に交換する。例えば、図２に示す例では、タ
ーゲット２の下面にをカバーするように、スパッタ率の
低いターゲット１２を取り付けている。この場合、ター
ゲット２、１２が磁性体の場合は、磁石１０の磁力を利
用してターゲット電極３にターゲット２、１２を取り付
けることができる。他方、非磁性のターゲット２、１２
を使用する場合は、ターゲット２、１２を浅いカップ状
に成形し、これをターゲット電極３に被せるようにして
取り付けることができる。
【００２０】本発明によるイオンスパッタ装置では、単
にターゲットをスパッタ率の低いものに換えるだけで、
前述した磁場の働きにより、低電圧で安定した放電が持
続されるため、イオンスパッタリングを行うのと同じ電
源を使用し、同じ気圧でイオンボンバードを行うことが
できる。すなわちこの状態では、物質の表面にターゲッ
ト１２の表面で反射した＋イオンが飛来し、物質の表面
にイオンが注入される。
にターゲットをスパッタ率の低いものに換えるだけで、
前述した磁場の働きにより、低電圧で安定した放電が持
続されるため、イオンスパッタリングを行うのと同じ電
源を使用し、同じ気圧でイオンボンバードを行うことが
できる。すなわちこの状態では、物質の表面にターゲッ
ト１２の表面で反射した＋イオンが飛来し、物質の表面
にイオンが注入される。
【００２１】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、低
い気圧の中で比較的低い放電電圧により、高い＋イオン
密度がターゲットの表面部分に集中して得られるため、
効率のよいイオンスパッタリングが可能となる。これに
より、試料ｓの温度上昇や損傷を低いレベルに抑えなが
ら、その表面コーティングが可能となる。
い気圧の中で比較的低い放電電圧により、高い＋イオン
密度がターゲットの表面部分に集中して得られるため、
効率のよいイオンスパッタリングが可能となる。これに
より、試料ｓの温度上昇や損傷を低いレベルに抑えなが
ら、その表面コーティングが可能となる。
【００２２】さらに、試料台を電源に接続された正電極
側と絶縁したものでは、試料台上の試料に電子が入射す
るのが防止されるため、試料ｓの温度上昇や損傷がさら
に小さくなる。また、本発明によるイオンスパッタ装置
によりイオンボンバードを行う場合、イオンスパッタリ
ングを行うのと同じ電源を使用し、同じ気圧でイオンボ
ンバードを行うことができ、単にターゲットをスパッタ
率の低いものに換えるだけでよいので、きわめて簡便で
ある。
側と絶縁したものでは、試料台上の試料に電子が入射す
るのが防止されるため、試料ｓの温度上昇や損傷がさら
に小さくなる。また、本発明によるイオンスパッタ装置
によりイオンボンバードを行う場合、イオンスパッタリ
ングを行うのと同じ電源を使用し、同じ気圧でイオンボ
ンバードを行うことができ、単にターゲットをスパッタ
率の低いものに換えるだけでよいので、きわめて簡便で
ある。
【図１】本発明の実施例によるイオンスパッタ装置の概
略縦断側面図である。
略縦断側面図である。
【図２】同実施例によるイオンスパッタ装置によりイオ
ンボンバード処理を行う状態の概略縦断側面図である。
ンボンバード処理を行う状態の概略縦断側面図である。
【図３】従来例によるイオンスパッタ装置の概略縦断側
面図である。
面図である。
１ 真空槽 ２ ターゲット ３ ターゲント電極 ６ 試料台 ８ 電源 １０ 磁石 １２ ターゲット １３ 正電極
Claims (2)
- 【請求項１】 希薄気体状態に維持される真空槽１と、
この真空槽１の中に配置された試料台６と、この試料台
６と対向して前記真空槽１内に配置されたターゲット電
極３と、このターゲット電極３に取り付けられたターゲ
ット２と、前記ターゲット電極３が負電位となるよう放
電電圧を印加する電源８とを有するイオンスパッタ装置
において、ターゲット電極３に磁石１０を取り付け、同
ターゲット電極３に取り付けたターゲット２の板面に沿
う方向に磁界を形成すると共に、前記試料台６を電源８
に接続された正電極１３側と絶縁したことを特徴とする
イオンスパッタ装置。 - 【請求項２】 前記ターゲットがイオンボンバード用の
スパッタ率の低いターゲット１２である請求項１に記載
のイオンスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8796094A JPH07268623A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | イオンスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8796094A JPH07268623A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | イオンスパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07268623A true JPH07268623A (ja) | 1995-10-17 |
Family
ID=13929441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8796094A Pending JPH07268623A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | イオンスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07268623A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002194542A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Anelva Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP8796094A patent/JPH07268623A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002194542A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-10 | Anelva Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
| JP4592949B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2010-12-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | マグネトロンスパッタリング装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR890004880B1 (ko) | 스퍼터링 방법 및 장치 | |
| US5198718A (en) | Filamentless ion source for thin film processing and surface modification | |
| US3669871A (en) | Sputtering apparatus having a concave source cathode | |
| US4179351A (en) | Cylindrical magnetron sputtering source | |
| US5006218A (en) | Sputtering apparatus | |
| EP0055326B1 (en) | System and method for deflecting and focusing a broad plasma beam | |
| JPS6254078A (ja) | 陰極スパツタリング処理により基板に薄層を被着する装置 | |
| JP2002080962A (ja) | スパッタリング装置及び薄膜製造方法 | |
| US3669860A (en) | Method and apparatus for applying a film to a substrate surface by diode sputtering | |
| US5891311A (en) | Sputter coating system and method using substrate electrode | |
| US3708418A (en) | Apparatus for etching of thin layers of material by ion bombardment | |
| RU1809840C (ru) | Устройство дл нанесени тонких пленок в вакууме | |
| KR100273326B1 (ko) | 고주파 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막형성방법 | |
| JPH07268623A (ja) | イオンスパッタ装置 | |
| US3573185A (en) | Anodic sputtering | |
| JPH0770512B2 (ja) | 低エネルギイオン化粒子照射装置 | |
| US4201654A (en) | Anode assisted sputter etch and deposition apparatus | |
| CN107447195B (zh) | 磁控管及磁控溅射系统 | |
| JP2928105B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH1083894A (ja) | 基板表面を改質するためのプラズマの処理装置および方法 | |
| JPS63307272A (ja) | イオンビ−ムスパツタ装置 | |
| RU1802551C (ru) | Способ ионно-лучевого нанесения покрытий | |
| JP2604853B2 (ja) | 回路板のスルーホール形成方法 | |
| JPS6127464B2 (ja) | ||
| JPS6127463B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060502 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060831 |