JPH07261373A - マスクの欠陥検出方法 - Google Patents
マスクの欠陥検出方法Info
- Publication number
- JPH07261373A JPH07261373A JP7947994A JP7947994A JPH07261373A JP H07261373 A JPH07261373 A JP H07261373A JP 7947994 A JP7947994 A JP 7947994A JP 7947994 A JP7947994 A JP 7947994A JP H07261373 A JPH07261373 A JP H07261373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- defect
- inspection
- defects
- transfer images
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスク自体の欠陥とプロセス中に入った欠陥
とを区別し、マスク自体の欠陥を短時間に検出しうる検
査方法を提供すること。 【構成】 同一設計データに基づいて作製された第１と
第２のマスクを用い、それぞれのマスクの転写像１２，
１３，２２，２３を２個づつ同一基板上に形成し、つい
で第１と第２のマスクの転写像１２と２２における欠陥
を比較検査を行い、欠陥位置をチェックする第１の検査
と、ついで第１のマスクの転写像１２と１３相互の比較
検査を行い、欠陥位置をチェックする第２の検査とを行
い、前記第１と第２の検査結果からマスク自体の有する
欠陥を検出するマスク欠陥の検出方法。
とを区別し、マスク自体の欠陥を短時間に検出しうる検
査方法を提供すること。 【構成】 同一設計データに基づいて作製された第１と
第２のマスクを用い、それぞれのマスクの転写像１２，
１３，２２，２３を２個づつ同一基板上に形成し、つい
で第１と第２のマスクの転写像１２と２２における欠陥
を比較検査を行い、欠陥位置をチェックする第１の検査
と、ついで第１のマスクの転写像１２と１３相互の比較
検査を行い、欠陥位置をチェックする第２の検査とを行
い、前記第１と第２の検査結果からマスク自体の有する
欠陥を検出するマスク欠陥の検出方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、微細パターン転写に有
用なＸ線露光法に用いるＸ線露光用マスクの欠陥検出方
法に関するものである。
用なＸ線露光法に用いるＸ線露光用マスクの欠陥検出方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線露光用マスクは、例えば０．２μｍ
オーダの微細パタン形成に使用するマスクであり、０．
１μｍ以下のパタン欠陥も重大な致命的欠陥として検出
されなければならない。しかし、これまで一般的に行わ
れているホトマスクに対する欠陥検出法では数μｍ以上
の欠陥を検査対象とするため、Ｘ線露光用マスクの欠陥
検出には全く対応できず、その開発が急務となってい
る。最近、高分解能の電子線走査型顕微鏡（ＳＥＭ）の
原理を応用したＸ線露光用マスクの微細欠陥検出を対象
とする欠陥検出装置が試作されるようになってきた。こ
の方法は、Ｘ線露光用マスク表面に電子線を直接照射
し、比較する２つの領域から放出される２次電子信号の
差からパタン欠陥や付着欠陥を検出するものである。し
かし、この装置はマスク表面からの信号によって欠陥の
有無を判定するため、例えばマスク裏面に付着した欠陥
を検出することが出来ないという欠点を有している。ま
た、付着欠陥のうちレジスト等の軽元素材料から成るＸ
線を良く通す実質的に無害で欠陥修正を必要としない欠
陥も致命的欠陥であるかのような判定を下すという欠点
を有していた。
オーダの微細パタン形成に使用するマスクであり、０．
１μｍ以下のパタン欠陥も重大な致命的欠陥として検出
されなければならない。しかし、これまで一般的に行わ
れているホトマスクに対する欠陥検出法では数μｍ以上
の欠陥を検査対象とするため、Ｘ線露光用マスクの欠陥
検出には全く対応できず、その開発が急務となってい
る。最近、高分解能の電子線走査型顕微鏡（ＳＥＭ）の
原理を応用したＸ線露光用マスクの微細欠陥検出を対象
とする欠陥検出装置が試作されるようになってきた。こ
の方法は、Ｘ線露光用マスク表面に電子線を直接照射
し、比較する２つの領域から放出される２次電子信号の
差からパタン欠陥や付着欠陥を検出するものである。し
かし、この装置はマスク表面からの信号によって欠陥の
有無を判定するため、例えばマスク裏面に付着した欠陥
を検出することが出来ないという欠点を有している。ま
た、付着欠陥のうちレジスト等の軽元素材料から成るＸ
線を良く通す実質的に無害で欠陥修正を必要としない欠
陥も致命的欠陥であるかのような判定を下すという欠点
を有していた。
【０００３】また特開平５−１１９４６６号「レチクル
の欠陥検出方法」も提案されているが、この提案は、ウ
エハプロセスのホトリソ工程で使用されるレチクルの欠
陥検査方法に関するものであり、マスク工程からホトリ
ソ工程へ出荷された複数のダイを有するレチクルを用
い、ウエハ上に実パタンを形成し、この実パタンを有す
るダイと、正常なパターンを有するダイを比較検査し
て、欠陥検査する方法であるが、この方法では、欠陥が
検出された場合に、レチクルの欠陥か、あるいは、ウエ
ハ上に実パタンを形成する時にできた欠陥（プロセス欠
陥）かの区別が不可能であるという問題がある。
の欠陥検出方法」も提案されているが、この提案は、ウ
エハプロセスのホトリソ工程で使用されるレチクルの欠
陥検査方法に関するものであり、マスク工程からホトリ
ソ工程へ出荷された複数のダイを有するレチクルを用
い、ウエハ上に実パタンを形成し、この実パタンを有す
るダイと、正常なパターンを有するダイを比較検査し
て、欠陥検査する方法であるが、この方法では、欠陥が
検出された場合に、レチクルの欠陥か、あるいは、ウエ
ハ上に実パタンを形成する時にできた欠陥（プロセス欠
陥）かの区別が不可能であるという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の欠点を
改善するために提案されたもので、Ｘ線露光用マスクを
直接検査対象とする従来の欠陥検出法の持つ問題点であ
るマスク表面以外に存在する欠陥が検出出来ないという
欠点と、Ｘ線透過率の高い無害な欠陥を除外できないと
いう欠点を解決するため、Ｘ線で転写したレジスト転写
像を検査対象試料とすることを提案するものである。ま
た、レジスト転写像を検査対象試料とする欠陥検査法で
は、Ｘ線露光用マスクに無関係なごみなどのウエハ疑似
欠陥が混入する可能性があるが、これらのウエハ疑似欠
陥についてもマスク欠陥と判別する方法を提案し、真に
致命的なマスク欠陥だけを検出するＸ線露光用マスクの
欠陥検出方法を提供することを目的とするものである。
換言すれば本発明では、同一マスクによる転写像間の比
較も行い、プロセス欠陥とマスク自体の欠陥を区別する
ことを目的とするものである。
改善するために提案されたもので、Ｘ線露光用マスクを
直接検査対象とする従来の欠陥検出法の持つ問題点であ
るマスク表面以外に存在する欠陥が検出出来ないという
欠点と、Ｘ線透過率の高い無害な欠陥を除外できないと
いう欠点を解決するため、Ｘ線で転写したレジスト転写
像を検査対象試料とすることを提案するものである。ま
た、レジスト転写像を検査対象試料とする欠陥検査法で
は、Ｘ線露光用マスクに無関係なごみなどのウエハ疑似
欠陥が混入する可能性があるが、これらのウエハ疑似欠
陥についてもマスク欠陥と判別する方法を提案し、真に
致命的なマスク欠陥だけを検出するＸ線露光用マスクの
欠陥検出方法を提供することを目的とするものである。
換言すれば本発明では、同一マスクによる転写像間の比
較も行い、プロセス欠陥とマスク自体の欠陥を区別する
ことを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明は （１）同一設計データに基づいて作製された複数のマス
クを用いて、各マスクの転写像を各々複数個づつ同一基
板上に形成する工程と、異なるマスクの転写像間の互い
に対応する領域を比較検査する第１の検査工程と同一の
マスクの転写像間の互いに対応する領域を比較検査する
第２の検査工程とを行い、これによってマスク自体の有
する欠陥を検出することを特徴とするマスクの欠陥検出
方法。 （２）異なるマスクの転写像間の互いに対応する領域を
比較検査した後に、同一のマスクの転写間の互いに対応
する領域を比較検査する（１）記載のマスクの欠陥検出
方法。 （３）同一設計データに基づいて作製された複数のマス
クを用いて、各マスクの転写像を各々複数個づつ同一基
板上に形成し、異なるマスクの転写像間の互いに対応す
る領域を比較し、差異のある領域を抽出し、該抽出され
た領域について、同一のマスクの転写像間で互いに対応
する領域を比較検査するマスクの欠陥検出方法。 （４）同一設計データに基づいて作製された第１と第２
のマスクを用い、それぞれのマスクの転写像を２個づつ
同一基板上に形成し、ついで第１と第２のマスクの転写
像における欠陥の比較検査を行い、欠陥位置をチェック
する第１の検査と、ついで第１のマスクの２つの転写像
相互の比較検査を行い、欠陥位置をチェックする第２の
検査とを行い、前記第１と第２の検査結果からマスク自
体の有する欠陥を検出するマスクの欠陥の検出方法。を
発明の特徴とするものである。
め本発明は （１）同一設計データに基づいて作製された複数のマス
クを用いて、各マスクの転写像を各々複数個づつ同一基
板上に形成する工程と、異なるマスクの転写像間の互い
に対応する領域を比較検査する第１の検査工程と同一の
マスクの転写像間の互いに対応する領域を比較検査する
第２の検査工程とを行い、これによってマスク自体の有
する欠陥を検出することを特徴とするマスクの欠陥検出
方法。 （２）異なるマスクの転写像間の互いに対応する領域を
比較検査した後に、同一のマスクの転写間の互いに対応
する領域を比較検査する（１）記載のマスクの欠陥検出
方法。 （３）同一設計データに基づいて作製された複数のマス
クを用いて、各マスクの転写像を各々複数個づつ同一基
板上に形成し、異なるマスクの転写像間の互いに対応す
る領域を比較し、差異のある領域を抽出し、該抽出され
た領域について、同一のマスクの転写像間で互いに対応
する領域を比較検査するマスクの欠陥検出方法。 （４）同一設計データに基づいて作製された第１と第２
のマスクを用い、それぞれのマスクの転写像を２個づつ
同一基板上に形成し、ついで第１と第２のマスクの転写
像における欠陥の比較検査を行い、欠陥位置をチェック
する第１の検査と、ついで第１のマスクの２つの転写像
相互の比較検査を行い、欠陥位置をチェックする第２の
検査とを行い、前記第１と第２の検査結果からマスク自
体の有する欠陥を検出するマスクの欠陥の検出方法。を
発明の特徴とするものである。
【０００６】
【作用】本発明は検査対象試料をＸ線露光用マスクその
ものでなくＸ線で転写したレジスト転写像とし、かつ、
同一ウエハに複数枚のＸ線露光用マスクのレジスト転写
像を複数個づつ転写し、それらを互いに比較検査するこ
とによって、Ｘ線露光用マスクに存在する欠陥とレジス
ト転写像形成工程で混入した欠陥とに分別し、さらにＸ
線露光用マスクにおける欠陥を致命的欠陥と無害な欠陥
とに分別し、最終的にＸ線露光用マスクの致命的欠陥だ
けを検出しうる作用を有する。
ものでなくＸ線で転写したレジスト転写像とし、かつ、
同一ウエハに複数枚のＸ線露光用マスクのレジスト転写
像を複数個づつ転写し、それらを互いに比較検査するこ
とによって、Ｘ線露光用マスクに存在する欠陥とレジス
ト転写像形成工程で混入した欠陥とに分別し、さらにＸ
線露光用マスクにおける欠陥を致命的欠陥と無害な欠陥
とに分別し、最終的にＸ線露光用マスクの致命的欠陥だ
けを検出しうる作用を有する。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。本
実施例は、同一設計データに基づいて作製された２枚の
Ｘ線露光用マスクを用いて各マスクの致命的欠陥を検出
する手順について述べる。
実施例は、同一設計データに基づいて作製された２枚の
Ｘ線露光用マスクを用いて各マスクの致命的欠陥を検出
する手順について述べる。
【０００８】図１は、致命的欠陥を有する２枚のＸ線露
光用マスクの欠陥配置図である。マスク１０及び２０に
は、マスク検査では検出できなかった致命的欠陥１１及
び２１が異なる位置座標に存在するものとする。なお、
簡略化のため正常なパタン等の図示は省略した。まず、
各々Ｘ線露光用マスクのレジスト転写像をＸ線露光法に
よりダイ トウダイ（Ｄｉｅ−ｔｏ−Ｄｉｅ）比較検査
のできるウエハ基板等に形成する。
光用マスクの欠陥配置図である。マスク１０及び２０に
は、マスク検査では検出できなかった致命的欠陥１１及
び２１が異なる位置座標に存在するものとする。なお、
簡略化のため正常なパタン等の図示は省略した。まず、
各々Ｘ線露光用マスクのレジスト転写像をＸ線露光法に
よりダイ トウダイ（Ｄｉｅ−ｔｏ−Ｄｉｅ）比較検査
のできるウエハ基板等に形成する。
【０００９】図２は、比較検査が出来るように同一ウエ
ハ基板上に転写した２行２列のレジスト転写像の配置例
である。１２及び１３はマスク１０のレジスト転写像で
あり、２２及び２３はマスク２０のレジスト転写像であ
る。ここで、マスク１０の致命的欠陥１１の転写欠陥１
４は、２つの転写像１２及び１３の中の同一位置座標に
共通して存在する。また、マスク２０の致命的欠陥２１
の転写欠陥２４も、転写像２２及び２３の同一位置座標
に共通して存在することが特徴的である。一方、レジス
ト転写像において新たに発生したその他の欠陥１５，１
６，１７，１８は、レジスト転写像形成工程等で混入し
た混入欠陥であり、マスク欠陥１１または２１に起因し
ない欠陥である。従って、混入欠陥の発生位置はお互い
に全く異なる点が前者と違う点である。
ハ基板上に転写した２行２列のレジスト転写像の配置例
である。１２及び１３はマスク１０のレジスト転写像で
あり、２２及び２３はマスク２０のレジスト転写像であ
る。ここで、マスク１０の致命的欠陥１１の転写欠陥１
４は、２つの転写像１２及び１３の中の同一位置座標に
共通して存在する。また、マスク２０の致命的欠陥２１
の転写欠陥２４も、転写像２２及び２３の同一位置座標
に共通して存在することが特徴的である。一方、レジス
ト転写像において新たに発生したその他の欠陥１５，１
６，１７，１８は、レジスト転写像形成工程等で混入し
た混入欠陥であり、マスク欠陥１１または２１に起因し
ない欠陥である。従って、混入欠陥の発生位置はお互い
に全く異なる点が前者と違う点である。
【００１０】次にレジスト転写像によって行うダイ ト
ウ ダイ比較検査の手順について述べる。まず最初に行
う比較検査は、左右に隣接する異なるマスクのレジスト
転写像１２と２２の間（または１３と２３の間）で実施
する。例えば、転写像１２と２２の間を全面自動比較検
査とすると、欠陥１４，２４，１５，１７が自動的に検
出されることになる。しかし、どの欠陥が各マスクの致
命的欠陥による転写欠陥であるかを自動的に判断するこ
とは、これだけのダイ トウ ダイ比較検査ではできな
い。
ウ ダイ比較検査の手順について述べる。まず最初に行
う比較検査は、左右に隣接する異なるマスクのレジスト
転写像１２と２２の間（または１３と２３の間）で実施
する。例えば、転写像１２と２２の間を全面自動比較検
査とすると、欠陥１４，２４，１５，１７が自動的に検
出されることになる。しかし、どの欠陥が各マスクの致
命的欠陥による転写欠陥であるかを自動的に判断するこ
とは、これだけのダイ トウ ダイ比較検査ではできな
い。
【００１１】そこで次に、各マスク欠陥の自動選別を可
能させるため、同一マスクのレジスト転写像同士の比較
検査を導入する。すなわち、マスク１０に対しては転写
像１２と１３の間、また、マスク２０に対して転写像２
２と２３の間で実施する。この検査は全面で行うことも
できるが、前検査で収集した４つの欠陥の位置座標デー
タを用いて各点においてのみ比較検査を実施することに
より、２回目の検査時間を大幅に短縮できる。
能させるため、同一マスクのレジスト転写像同士の比較
検査を導入する。すなわち、マスク１０に対しては転写
像１２と１３の間、また、マスク２０に対して転写像２
２と２３の間で実施する。この検査は全面で行うことも
できるが、前検査で収集した４つの欠陥の位置座標デー
タを用いて各点においてのみ比較検査を実施することに
より、２回目の検査時間を大幅に短縮できる。
【００１２】このような同一マスクの転写像同士の比較
検査では、マスク欠陥に起因する転写欠陥は同一座標位
置に存在するため「差異無し」という比較結果が得ら
れ、逆に、それ以外の欠陥の発生位置は異なるため「差
異有り」という比較結果が得られることになる。この検
査ではこのような選別論理を導入することとする。そこ
で、前検査で収集した４つの欠陥の座標データを基にし
て、各点において比較検査を実施すると、例えば、転写
像１２と１３の間の比較検査では、転写欠陥１４の位置
において「差異無し」の判定結果が得られるため、マス
ク１０に致命的欠陥１１が存在すると結論づけられる。
また、転写像２２と２３の比較検査では、転写欠陥２４
の位置において「差異無し」の判定結果が得られるた
め、マスク２０に致命的欠陥２１が存在するという結論
が容易に得られる。一方、その他の欠陥１５及び１７
（または１６と１８）の座標データにおける比較検査で
は、「差異有り」という判定結果が得られるため、これ
らの欠陥はレジスト転写像形成工程等で混入した欠陥で
ありマスクの致命的欠陥ではないということがわかる。
検査では、マスク欠陥に起因する転写欠陥は同一座標位
置に存在するため「差異無し」という比較結果が得ら
れ、逆に、それ以外の欠陥の発生位置は異なるため「差
異有り」という比較結果が得られることになる。この検
査ではこのような選別論理を導入することとする。そこ
で、前検査で収集した４つの欠陥の座標データを基にし
て、各点において比較検査を実施すると、例えば、転写
像１２と１３の間の比較検査では、転写欠陥１４の位置
において「差異無し」の判定結果が得られるため、マス
ク１０に致命的欠陥１１が存在すると結論づけられる。
また、転写像２２と２３の比較検査では、転写欠陥２４
の位置において「差異無し」の判定結果が得られるた
め、マスク２０に致命的欠陥２１が存在するという結論
が容易に得られる。一方、その他の欠陥１５及び１７
（または１６と１８）の座標データにおける比較検査で
は、「差異有り」という判定結果が得られるため、これ
らの欠陥はレジスト転写像形成工程等で混入した欠陥で
ありマスクの致命的欠陥ではないということがわかる。
【００１３】なお、ここでの説明は、２枚のＸ線露光用
マスクの場合について行ったが、３枚以上の場合でも同
様に適用可能である。また、複数チップを有するマスク
では１枚のマスクでも同様に致命的欠陥を検出可能であ
る。また、ここでの説明では、はじめに異なるマスクの
転写像間で比較検査し、その後、同一マスクの転写像間
で比較検査しているが、これらに限られるものではな
く、順序は逆でもかまわない。しかしながら、先に異な
るマスクの転写像間で比較検査すると、その後の同一マ
スクの転写像間での比較検査時に先の検査結果が利用で
きるので、検査時間の短縮の面からは好ましい。
マスクの場合について行ったが、３枚以上の場合でも同
様に適用可能である。また、複数チップを有するマスク
では１枚のマスクでも同様に致命的欠陥を検出可能であ
る。また、ここでの説明では、はじめに異なるマスクの
転写像間で比較検査し、その後、同一マスクの転写像間
で比較検査しているが、これらに限られるものではな
く、順序は逆でもかまわない。しかしながら、先に異な
るマスクの転写像間で比較検査すると、その後の同一マ
スクの転写像間での比較検査時に先の検査結果が利用で
きるので、検査時間の短縮の面からは好ましい。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、同
一設計データに基づいて作製された複数のＸ線露光用マ
スクを用いて、Ｘ線露光法により同一ウエハ上に各々の
マスクのレジスト転写像を複数個づつ転写し、それらを
互いに比較検査することによって、Ｘ線露光用マスクに
存在する欠陥とレジスト転写像形成工程等で混入した欠
陥とを選別でき、さらにＸ線露光用マスクにおける欠陥
を致命的欠陥と無害な欠陥とに選別できるため、Ｘ線露
光用マスクにおける真に致命的欠陥だけを選別して検出
できるという今までにない効果がある。その結果、厳選
されたこの致命的欠陥に関する位置データに基づいてＸ
線露光用マスクの欠陥修正を行うようにすれば、実質的
に無欠陥なＸ線露光用マスクを短時間で得ることが可能
である。また、従来の比較検査法では多くの場合、一方
に比較基準とすべき無欠陥試料を配置し、他方に欠陥検
出を必要とする検査試料を配置する方式を採用している
ため、無欠陥試料がないと比較検査ができないという欠
点があったが、本方法では、基準とすべき無欠陥試料が
なくともマスクの致命的欠陥を完璧に検出できるという
利点がある。なお検査の実施は容易であり、検出に要す
る時間も少いという効果を有する。
一設計データに基づいて作製された複数のＸ線露光用マ
スクを用いて、Ｘ線露光法により同一ウエハ上に各々の
マスクのレジスト転写像を複数個づつ転写し、それらを
互いに比較検査することによって、Ｘ線露光用マスクに
存在する欠陥とレジスト転写像形成工程等で混入した欠
陥とを選別でき、さらにＸ線露光用マスクにおける欠陥
を致命的欠陥と無害な欠陥とに選別できるため、Ｘ線露
光用マスクにおける真に致命的欠陥だけを選別して検出
できるという今までにない効果がある。その結果、厳選
されたこの致命的欠陥に関する位置データに基づいてＸ
線露光用マスクの欠陥修正を行うようにすれば、実質的
に無欠陥なＸ線露光用マスクを短時間で得ることが可能
である。また、従来の比較検査法では多くの場合、一方
に比較基準とすべき無欠陥試料を配置し、他方に欠陥検
出を必要とする検査試料を配置する方式を採用している
ため、無欠陥試料がないと比較検査ができないという欠
点があったが、本方法では、基準とすべき無欠陥試料が
なくともマスクの致命的欠陥を完璧に検出できるという
利点がある。なお検査の実施は容易であり、検出に要す
る時間も少いという効果を有する。
【図１】同一設計データに基づいて作製した２枚のＸ線
露光用マスクの致命的欠陥の配置図で（ａ），（ｂ）は
それぞれ異なるマスクの欠陥を示す。
露光用マスクの致命的欠陥の配置図で（ａ），（ｂ）は
それぞれ異なるマスクの欠陥を示す。
【図２】同一ウエハ上に２行２列に転写したレジスト転
写像の配置図である。
写像の配置図である。
１０，２０ 比較検査するＸ線露光用マスク １１，２１ 致命的なマスク欠陥 １２，１３ マスク１０のレジスト転写像 ２２，２３ マスク２０のレジスト転写像 １４，２４ マスク欠陥１１及び２１の転写欠陥像 １５，１６，１７，１８ レジスト転写像形成工程等
で混入した欠陥
で混入した欠陥
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 柴山 昭則 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 同一設計データに基づいて作製された複
数のマスクを用いて、各マスクの転写像を各々複数個づ
つ同一基板上に形成する工程と、 異なるマスクの転写像間の互いに対応する領域を比較検
査する第１の検査工程と、 同一のマスクの転写像間の互いに対応する領域を比較検
査する第２の検査工程とを行い、これによってマスク自
体の有する欠陥を検出することを特徴とするマスクの欠
陥検出方法。 - 【請求項２】 異なるマスクの転写像間の互いに対応す
る領域を比較検査した後に、 同一のマスクの転写間の互いに対応する領域を比較検査
することを特徴とする請求項１記載のマスクの欠陥検出
方法。 - 【請求項３】 同一設計データに基づいて作製された複
数のマスクを用いて、各マスクの転写像を各々複数個づ
つ同一基板上に形成し、 異なるマスクの転写像間の互いに対応する領域を比較
し、差異のある領域を抽出し、 該抽出された領域について、同一のマスクの転写像間で
互いに対応する領域を比較検査することを特徴とするマ
スクの欠陥検出方法。 - 【請求項４】 同一設計データに基づいて作製された第
１と第２のマスクを用い、それぞれのマスクの転写像を
２個づつ同一基板上に形成し、 ついで第１と第２のマスクの転写像における欠陥の比較
検査を行い、欠陥位置をチェックする第１の検査と、 ついで第１のマスクの２つの転写像相互の比較検査を行
い、欠陥位置をチェックする第２の検査とを行い、前記
第１と第２の検査結果からマスク自体の有する欠陥を検
出することを特徴とするマスクの欠陥の検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7947994A JPH07261373A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | マスクの欠陥検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7947994A JPH07261373A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | マスクの欠陥検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07261373A true JPH07261373A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=13691037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7947994A Pending JPH07261373A (ja) | 1994-03-24 | 1994-03-24 | マスクの欠陥検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07261373A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100576831B1 (ko) * | 2004-11-02 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 데이터 변환 장비의 데이터 검증 방법 |
-
1994
- 1994-03-24 JP JP7947994A patent/JPH07261373A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100576831B1 (ko) * | 2004-11-02 | 2006-05-10 | 삼성전자주식회사 | 데이터 변환 장비의 데이터 검증 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11348222B2 (en) | Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data | |
| US6272236B1 (en) | Inspection technique of photomask | |
| US7418124B2 (en) | Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns | |
| US7570800B2 (en) | Methods and systems for binning defects detected on a specimen | |
| JP5075904B2 (ja) | 回路設計図、検査方法、および処理方法 | |
| KR101296532B1 (ko) | 레티클의 설계 패턴에서의 결함들을 검출 및/또는 분류하기 위한 컴퓨터 구현 방법들 | |
| US6482557B1 (en) | Method and apparatus for evaluating the runability of a photomask inspection tool | |
| US20040179726A1 (en) | Process for detecting defects in photomasks | |
| CA1242815A (en) | Defect detection method of semiconductor wafer patterns | |
| US6999611B1 (en) | Reticle defect detection using simulation | |
| US7160650B2 (en) | Method of inspecting a mask | |
| JPH07261373A (ja) | マスクの欠陥検出方法 | |
| US7619730B2 (en) | Mask inspection DNIR replacement based on location of tri-tone level database images—2P shapes | |
| JP3268713B2 (ja) | Ｘ線マスク検査法 | |
| JPS61207953A (ja) | 自動外観検査装置 | |
| JPS58196445A (ja) | マスク検査方法 | |
| JPS63124939A (ja) | パターン検査方法およびその装置 | |
| JPH0643110A (ja) | レジストパターン欠陥の検出方法 | |
| Almog et al. | Size matters: defect detectability in reticle and wafer inspection including advanced aerial image simulation for defect printability | |
| Zurbrick | Reticle defects on optical proximity correction features | |
| Jozefov et al. | Die-To-Database Inspection-An Effective Method Of Detecting And Locating Defects On Reticles | |
| JPH0553299A (ja) | レチクルの欠陥検出方法 | |
| JPH03154329A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03202744A (ja) | レンズの解像力検査用パターン | |
| JP2006091576A (ja) | 光強度差分評価方法と半導体装置 |