JPH07243939A - 低コヒーレントリフレクトメータおよび反射測定方法 - Google Patents

低コヒーレントリフレクトメータおよび反射測定方法

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JPH07243939A
JPH07243939A JP3455394A JP3455394A JPH07243939A JP H07243939 A JPH07243939 A JP H07243939A JP 3455394 A JP3455394 A JP 3455394A JP 3455394 A JP3455394 A JP 3455394A JP H07243939 A JPH07243939 A JP H07243939A
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ports
optical
reflection
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Kazumasa Takada
和正 高田
Masaharu Horiguchi
正治 堀口
Hiroaki Yamada
裕朗 山田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 複数の光導波路の後方散乱光や反射光の分布
状態を短時間に測定する。 【構成】 低コヒーレントな光源の出射光を複数に分岐
する光カプラのポートに複数の光導波路を同時に接続す
る。このポート毎に変調器を設け、それぞれ異なる周波
数または位相により変調する。反射光を測定するとき
は、この周波数または位相を弁別して検波し測定する。 【効果】 単位サンプル当たりの測定時間を短縮でき
る。これにより、従来困難であった後方レーリイ散乱に
よる光導波路診断を迅速に行い、作製プロセスに評価結
果を速やかにフィードバックすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路の検査に利用す
る。本発明は低コヒーレント光干渉を利用して高空間分
解能で光導波路の反射分布を測定するリフレクトメー
タ、すなわち低コヒーレントリフレクトメータ(OLC
R)に利用する。特に、複数の被試験光導波路を同時に
短時間で検査する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】光通信を高速かつ円滑に行うためには、
複雑かつ長大な光導波路における反射分布の状況を正確
に把握し、それに適応した光波長、パルス幅等を用いる
ことが要求される。このような反射分布の把握のために
測定方法および装置の開発が強く望まれる状況にある。
【0003】従来例を図6を参照して説明する。図6は
基本となる従来の低コヒーレントリフレクトメータ(O
LCR)の測定系を示す図である。光源1は発光スペク
トル幅10nmの光を発生する。光カプラ2は2入力2
出力である。光源1からの出射光は、ポート3より光カ
プラ2に入射して二分される。二分された一方はポート
5を通過して被試験光導波路7に入射する。被試験光導
波路7内の各点に存在する散乱点や反射点によりそれぞ
れ後方散乱光や反射光(以後、両者をまとめて反射光と
呼ぶ)が生じる。反射光はポート5を逆方向に伝搬す
る。二分された他方の光は局発光として、ポート6を通
過してコリメートレンズ8により平行光となり反射鏡9
で反射された後に再び光カプラ2にポート6から入射す
る。被試験光導波路7からの反射光と局発光とは光カプ
ラ2で合波されてポート4より出射される。出射光は光
検出器10で受光され、その干渉成分がレベルメータ1
1により測定される。これを動作するには、反射鏡9を
ビーム方向に移動させて、各反射鏡9の位置に対する干
渉強度をレベルメータ11で検出する。光源1の出力光
のコヒーレント長が50μm程度であるため、反射鏡9
の各位置に対して、局発光と50μm以内で光路長の合
致した反射光のみが局発光と干渉するので、反射鏡9の
各位置と被試験光導波路7の各散乱点が一対一に対応す
る。このように、被試験光導波路7の反射分布を測定す
ることができる。このとき、光検出器10で生じる光電
流I1 は次の式で表される。
【0004】
【数1】 ここで、I3 は被試験光導波路7内の特定の反射点で生
じた反射信号の光電流(反射強度に比例)、I4 は局部
発振光の光電流、C1 は定数、fは反射鏡9の一定速度
の移動によって生じるドップラー周波数変位、tは時間
である。したがって、その地点に対して測定された干渉
強度、すなわち、2C1 (I3 4 1/2cos(2π
ft)の時間についての二乗平均値2C1 2 3
4 は、反射強度に比例する。このため、レベルメータ1
1の出力がその地点の反射率を表すことになる。このよ
うにして、反射鏡9の移動によって被試験光導波路7内
の散乱点や反射点の分布を測定できる。
【0005】その他の従来例を図7を参照して説明す
る。図7はその他の従来例を示す図である。図7は本願
出願人が特願平5−243186号において提案した測
定系である(本願出願時に未公開)。本提案の構成を用
いることにより、これまで複雑な測定系を用いていた差
動増幅器50によるバランス検波を簡単な測定系により
実現することができる。
【0006】すなわち、光源1として熱輻射光と同じ統
計に従うスペクトル幅の広いものを使用する。このた
め、光源1の強度雑音がレーザ光に比較して非常に大き
くなり、感度を制限する要因となる。そこで、低コヒー
レントリフレクトメータには、この光源1の強度雑音を
相殺することができるバランス検波を用いることが望ま
しい。
【0007】光源1からの出射光はポート41から3入
力3出力構成の光カプラ40に入射し、光パワーが3等
分されてそれぞれポート44〜46から出射される。こ
れらのポート44〜46のうちポート44は、図6に示
した基本構成におけるポート5と同様に、被試験光導波
路7に接続される。ポート46は、図6に示したポート
6と同様に、局部発振光用のポートとして使用される。
ポート45は未使用とする。ここで、この装置ではポー
ト44より先の部分の反射を測定するので、ポート45
の長さをポート44よりも短くし、かつポート45の端
面に無反射コートを施しておき、ポート45からの反射
光(このポート中での後方レーリイ散乱光や出射端の端
面反射)が被試験光導波路7からの信号(反射光)と混
入しないようにしておく。被試験光導波路7からの反射
光と局部発振光とは光カプラ40により合波され、その
合波光はポート42と43を通過して2個の光検出器1
1 、102 により受光される。
【0008】光パワーを3等分する3入力3出力の光カ
プラ40で反射光と局部発振光とを合波してポート4
2、43から出射するとき、位相差は互いに2π/3ず
つずれる。このため、光検出器101 、102 からの光
電流出力は次式で表される。
【0009】
【数2】 と表される。ここでC3 は定数である。すなわち、3入
力3出力構成の光カプラ40を用いた場合、I1 とI2
において、強度雑音の原因である右辺第1項と第2項は
いずれもC3 (I3 +I4 )となって共通であるが、右
辺第3項の干渉成分の位相は互いに2π/3ずれてい
る。したがって、差動増幅器50からの出力は次式で表
される。
【0010】
【数3】 したがって、干渉成分をレベルメータ11で検出できる
とともに、光源1の強度雑音は相殺される。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図6または図
7に示した測定系は、被試験光導波路を一つ測定する毎
に測定系が一台必要となる。被試験光導波路内の後方レ
ーリイ散乱を高い信号対雑音比(S/N)により測定す
るときには、一般に一点当たり10秒を要する。このた
め、仮に被試験光導波路上の1000点を測定しようと
すれば約3時間を要する。したがって、従来の測定系で
多くの光導波路の後方レーリイ散乱分布を測定しようと
すると膨大な時間がかかってしまう。
【0012】本発明は、このような背景に行われたもの
であり、複数の被試験光導波路の反射分布を同時に測定
することにより単位サンプル当たりの測定時間の短縮を
可能とする低コヒーレントリフレクトメータおよび反射
測定方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の第一の観点は、
光源(1)と、この光源の出射光を分岐しそのひとつの
分岐光を被試験光導波路に入射するとともにその被試験
光導波路内で生じた反射光を別の分岐光に合波する光学
手段(12)と、この光学手段により合波された光の強
度を検出する光検出手段(10)とを備えた低コヒーレ
ントリフレクトメータである。
【0014】ここで、本発明の特徴とするところは、前
記光学手段は少なくとも2つのポートを含む入出力側と
少なくとも3つのポートを含む反射側とが対向して設け
られた光カプラを含み、前記入出力側の第一のポートに
前記光源が接続され、前記反射側の第一および第二のポ
ートには被試験光導波路(26〜30)が、第三のポー
トには光反射手段(9)がそれぞれ接続され、この反射
側の前記被試験光導波路が接続された通路には、それぞ
れポートを識別できるように異なる変調波により変調を
行う光学的変調手段(21〜25)を備え、前記光検出
手段(10)の出力にはこの変調波を識別する検波手段
(31〜35)を備えるところにある。前記光学的変調
手段は位相または周波数を変調する手段を備え、前記検
波手段は位相または周波数弁別手段を含むことが望まし
い。
【0015】あるいは、前記光学手段は少なくとも3つ
のポートを含む入出力側および反射側とが対向して設け
られた光カプラを含み、この入出力側の第一ポートに光
源が、第二および第三のポートには光検出手段がそれぞ
れ接続され、この第二および第三のポートに接続された
光検出手段の出力差を求める手段を含む構成とすること
もできる。
【0016】本発明の第二の観点は、光源の出射光を分
岐しそのひとつの分岐光を被試験光導波路に入射すると
ともにその被試験光導波路内で生じた反射光を別の分岐
光に合波し、この合波された光の強度を検出する反射測
定方法である。
【0017】ここで、本発明の特徴とするところは、少
なくとも2つのポートを含む入出力側と少なくとも3つ
のポートを含む反射側とが対向して設けられた光カプラ
を用い、前記入出力側の第一のポートに前記光源を接続
し、前記反射側の第一および第二のポートには被試験光
導波路をそれぞれ接続し第三のポートには光反射手段を
接続し、この反射側の前記被試験光導波路からの被測定
光をそれぞれ識別できるように異なる変調波により変調
を行い、この変調波を識別して前記光の強度を検出する
ところにある。前記被測定光を位相または周波数により
変調を行い、この位相または周波数を弁別して光の強度
を検出することが望ましい。
【0018】あるいは、少なくとも3つのポートを含む
入出力側および反射側とが対向して設けられた光カプラ
を用い、この入出力側の第一ポートに光源を接続し第二
および第三のポートにはそれぞれ光検出手段を接続し、
この第二および第三のポートに接続された光検出手段の
出力差を求めることもできる。
【0019】
【作用】低コヒーレント光源を用い、この光源の出射光
を分岐し、そのひとつの分岐光を被試験光導波路に入射
するとともに、その被試験光導波路内で生じた反射光を
別の分岐光に合波し、この合波された光の強度を検出す
ることにより被試験光導波路の反射測定を行う。すなわ
ち、別の分岐光は反射鏡により反射されて戻り、これと
被試験光導波路からの反射光とが合波される。これによ
り、反射鏡の各位置に対して、光路長の合致した反射光
のみが局部発振光と干渉する。このため、反射鏡の各位
置と被試験光導波路の各散乱点とが1対1に対応し、被
試験光導波路の反射分布を測定することができる。
【0020】このとき、複数の被試験光導波路を同時に
測定するために、複数の分岐光を作りそれぞれ複数の被
試験光導波路に同時に入射させる。この複数の被試験光
導波路からの反射光と反射鏡からの反射光とを合波して
干渉させるのだが、この干渉光が同時に光検出器に入射
されると、それらは混合されて被試験光導波路毎に弁別
することが困難になる。そこで、本発明ではこの弁別を
容易にするために、被試験光導波路毎に光に固有の識別
信号を付与することにした。
【0021】この識別信号は、各被試験光導波路に入出
射する光に例えば、それぞれ異なる周波数により位相変
調を施すことにより付与すればよい。これにより、複数
の被試験光導波路からほとんど同時に到来する干渉光を
それぞれの被試験光導波路毎に弁別し、それぞれの反射
分布を測定することができる。また、光源の強度雑音を
相殺するために、バランス検波を用いることもできる。
バランス検波の出力を前述したように周波数毎に弁別し
て反射分布を測定する。
【0022】
【実施例】本発明第一実施例の構成を図1を参照して説
明する。図1は本発明第一実施例の測定系の構成を示す
図である。
【0023】本発明は、光源1と、この光源1の出射光
を分岐しそのひとつの分岐光を被試験光導波路26〜3
0に入射するとともにその被試験光導波路26〜30内
で生じた反射光を別の分岐光に合波する光学手段として
の光カプラ12と、この光カプラ12により合波された
光の強度を検出する光検出手段としての光検出器10と
を備えた低コヒーレントリフレクトメータである。
【0024】ここで、本発明の特徴とするところは、光
カプラ12は少なくとも2つのポートを含む入出力側と
少なくとも3つのポートを含む反射側とが対向して設け
られた光カプラ12であり、この入出力側のポート13
に光源1が接続され、前記反射側のポート15〜19に
は被試験光導波路26〜30が、ポート20には光反射
手段としての反射鏡9がそれぞれ接続され、この反射側
の被試験光導波路26〜30が接続された通路には、そ
れぞれポート15〜19を識別できるように異なる変調
波により変調を行う光学的変調手段としての変調器21
〜25を備え、光検出器10の出力にはこの変調波を識
別する検波手段としてのレベルメータ31〜35を備え
るところにある。変調器21〜25は位相または周波数
を変調する手段を備え、レベルメータ31〜35は位相
または周波数弁別手段を含む。以下では、変調器21〜
25は位相変調を行い、レベルメータ31〜35は位相
弁別手段を含むとして説明する。
【0025】次に、本発明第一実施例の動作を説明す
る。変調器21〜25は、各ポート15〜19の光ファ
イバの一部を円筒型の電歪振動子に巻付けた構造であ
る。ここで、マルチポートの光カプラ12は、複数本の
光ファイバを一括して融着遠心する方法により作製され
たものを用いたが、複数個の2入力2出力の光カプラを
接続することにより、同様の機能を実現することもでき
る。
【0026】図2は、変調器21に加えるランプ波形お
よび正弦的に変化するビート信号を示す図である。図2
(a)は、変調器21に加えるランプ波形を示す。この
ランプ波は20m秒の一周期により電圧が直線的に増加
するので、被試験光導波路26からの反射光とポート2
0からの局発光との干渉によって生じるビート信号の位
相もこの時間内で直線的に変化する。そこで、ビート信
号の位相が一周期で2πラジアンだけ変化するようにラ
ンプ波のピーク電圧を調整することにより、図2(b)
に示すような時間に対して周波数50Hzで正弦的に変
化するビート信号が得られる。他のポートの変調器22
〜25に対しても、正弦的に変化するビート信号が得ら
れるようにランプ波の駆動電圧を調整した結果、本発明
第一実施例では、被試験光導波路26〜30からの反射
光に対して、それぞれ50、60、70、80、90H
zのビート信号が発生する。
【0027】レベルメータ31〜35は、バンド幅1H
zでそれぞれ50、60、70、80、90Hzの周波
数の信号レベルを測定するように調整されている。バン
ド幅がこれら周波数間隔よりも十分狭いので、それぞれ
のレベルメータ31〜35は設定されたビート信号のみ
を測定するだけで、他の周波数のビート信号の混入は無
視することができる。このため、レベルメータ31〜3
5の出力は、それぞれ被試験光導波路26〜30の反射
によって生じたビート成分のみを測定することができ
る。
【0028】本発明第一実施例における測定手順を図3
を参照して説明する。図3は本発明第一実施例の測定手
順を示すフローチャートである。複数の被試験光導波路
26〜30を該当ポート15〜19に接続する(S
1)。変調器21〜25を設置する(S2)。各変調器
21〜25を異なる周波数で駆動する(S3)。干渉成
分中の各駆動周波数に対応した周波数成分を検波する
(S4)。各成分より反射分布を求める(S5)。
【0029】次に、本発明第一実施例の測定結果を図4
を参照して説明する。図4は本発明第一実施例の測定結
果を示す図である。本発明第一実施例において、各ポー
ト15〜19に同一の周波数の位相変調を加えた場合の
レベルメータ31の出力変化を図4(a)に示し、各ポ
ート15〜19にそれぞれ異なる周波数50、60、7
0、80、90Hzの位相変調を加えたときのレベルメ
ータ31の出力変化を図4(b)に示す。同一の周波数
を加えたのは、干渉成分をレベルメータ31で検波する
ためのビート周波数を発生させるためである。この場
合、全てのビート信号がレベルメータ31〜35の検波
バンド内に入ってしまうので、図4(a)に示すよう
に、入射点近辺の5個のピークがどこの被試験光導波路
26〜30の入射点で生じた反射であるのか識別できな
い。また、各後方レーリイ散乱光間の干渉により、長手
方向にランダムな信号変化が生じてしまうため、後方レ
ーリイ散乱信号の減衰傾向から各被試験光導波路26〜
30の損失を評価することも不可能である。
【0030】一方、異なる周波数で位相変調することに
より、図4(b)に示すように、被試験光導波路26の
みの反射ピークと、減衰する後方レーリイ散乱信号とを
求めることができる。この場合、レベルメータ31〜3
5でそれぞれ観測した反射分布は、図6または図7に示
した従来例によりそれぞれ独立に測定した反射分布とよ
く一致したことから、複数の被試験光導波路26〜30
の同時測定が本発明第一実施例により実現されたことが
示された。
【0031】次に、本発明第二実施例を図5を参照して
説明する。図5は本発明第二実施例の測定系を示す図で
ある。本発明第二実施例では、二つの光検出器101
よび102 および差動増幅器50を用いて特願平5−2
43186号に示したバランス検波を適用するものであ
る。バランス検波後の出力を本発明第一実施例と同様に
位相または周波数により弁別し、それぞれの被試験光導
波路毎の反射分布を測定する。これにより、測定時間を
短縮した上に、光源1の強度雑音の影響を除去すること
ができる反射測定を実現することができる。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の被試験光導波路の反射分布を同時測定することに
より単位サンプル当たりの測定時間の短縮を可能とする
低コヒーレントリフレクトメータおよび反射測定方法が
実現できる。
【0033】これにより、従来困難であった後方レーリ
イ散乱による光導波路診断を迅速に行い、作製プロセス
に評価結果を速やかにフィードバックすることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明第一実施例の測定系の構成を示す図。
【図2】変調器に加えるランプ波形および正弦的に変化
するビート信号を示す図。
【図3】本発明第一実施例の測定手順を示すフローチャ
ート。
【図4】本発明第一実施例の測定結果を示す図。
【図5】本発明第二実施例の測定系を示す図。
【図6】従来の低コヒーレントリフレクトメータの測定
系を示す図。
【図7】その他の従来例を示す図。
【符号の説明】
1 光源 2、12、40 光カプラ 3〜6、13〜20、41〜46 ポート 7、26〜30 被試験光導波路 8 コリメートレンズ 9 反射鏡 10 光検出器 11、31〜35 レベルメータ 21〜25 変調器 50 差動増幅器

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光源(1)と、 この光源の出射光を分岐しそのひとつの分岐光を被試験
    光導波路に入射するとともにその被試験光導波路内で生
    じた反射光を別の分岐光に合波する光学手段(12)
    と、 この光学手段により合波された光の強度を検出する光検
    出手段(10)とを備えた低コヒーレントリフレクトメ
    ータにおいて、 前記光学手段は少なくとも2つのポートを含む入出力側
    と少なくとも3つのポートを含む反射側とが対向して設
    けられた光カプラを含み、 前記入出力側の第一のポートに前記光源が接続され、 前記反射側の第一および第二のポートには被試験光導波
    路(26〜30)が、第三のポートには光反射手段
    (9)がそれぞれ接続され、 この反射側の前記被試験光導波路が接続された通路に
    は、それぞれポートを識別できるように異なる変調波に
    より変調を行う光学的変調手段(21〜25)を備え、 前記光検出手段(10)の出力にはこの変調波を識別す
    る検波手段(31〜35)を備えたことを特徴とする低
    コヒーレントリフレクトメータ。
  2. 【請求項2】 前記光学的変調手段は位相または周波数
    を変調する手段を備え、 前記検波手段は位相または周波数弁別手段を含む請求項
    1記載の低コヒーレントリフレクトメータ。
  3. 【請求項3】 前記光学手段は少なくとも3つのポート
    を含む入出力側および反射側とが対向して設けられた光
    カプラを含み、 この入出力側の第一ポートに光源が、第二および第三の
    ポートには光検出手段がそれぞれ接続され、 この第二および第三のポートに接続された光検出手段の
    出力差を求める手段を含む請求項1または2記載の低コ
    ヒーレントリフレクトメータ。
  4. 【請求項4】 光源の出射光を分岐しそのひとつの分岐
    光を被試験光導波路に入射するとともにその被試験光導
    波路内で生じた反射光を別の分岐光に合波し、この合波
    された光の強度を検出する反射測定方法において、 少なくとも2つのポートを含む入出力側と少なくとも3
    つのポートを含む反射側とが対向して設けられた光カプ
    ラを用い、 前記入出力側の第一のポートに前記光源を接続し、 前記反射側の第一および第二のポートには被試験光導波
    路をそれぞれ接続し第三のポートには光反射手段を接続
    し、 この反射側の前記被試験光導波路からの被測定光をそれ
    ぞれ識別できるように異なる変調波により変調を行い、 この変調波を識別して前記光の強度を検出することを特
    徴とする反射測定方法。
  5. 【請求項5】 前記被測定光を位相または周波数により
    変調を行い、 この位相または周波数を弁別して光の強度を検出する請
    求項4記載の反射測定方法。
  6. 【請求項6】 少なくとも3つのポートを含む入出力側
    および反射側とが対向して設けられた光カプラを用い、 この入出力側の第一ポートに光源を接続し第二および第
    三のポートにはそれぞれ光検出手段を接続し、 この第二および第三のポートに接続された光検出手段の
    出力差を求める請求項4または5記載の反射測定方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6760110B2 (en) * 2000-10-18 2004-07-06 Ando Electric Co., Ltd. Low coherent reflectometer
JP2006023409A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光センサ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP4668557B2 (ja) * 2004-07-07 2011-04-13 日本電信電話株式会社 光センサ

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