JPH07242638A - アリールスルホナート誘導体の製造方法 - Google Patents
アリールスルホナート誘導体の製造方法Info
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- JPH07242638A JPH07242638A JP3591394A JP3591394A JPH07242638A JP H07242638 A JPH07242638 A JP H07242638A JP 3591394 A JP3591394 A JP 3591394A JP 3591394 A JP3591394 A JP 3591394A JP H07242638 A JPH07242638 A JP H07242638A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アリール基からアリールスルホナート誘導体
を、高収率で再現性よく製造する方法を提供する。 【構成】 アリール基をスルホン化した後、エステル系
溶媒から晶析、またはエステル系溶媒中金属炭酸塩で中
和し、アリールスルホナート誘導体を製造する方法。
を、高収率で再現性よく製造する方法を提供する。 【構成】 アリール基をスルホン化した後、エステル系
溶媒から晶析、またはエステル系溶媒中金属炭酸塩で中
和し、アリールスルホナート誘導体を製造する方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、染料中間体などに有用
なアリールスルホナート誘導体の新規な製造方法に関す
る。
なアリールスルホナート誘導体の新規な製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、アリールスルホナート誘導体をス
ルホン化によって合成する際、反応液を水や塩水に注
ぎ、晶析させることによって生成物を取り出していた。
しかし、スルホナート誘導体は一般に水溶性が高いため
に水から晶析しなかったり、又、基質が加水分解を受け
やすい置換基を有している場合、晶析操作中に分解する
などの問題を有していた。
ルホン化によって合成する際、反応液を水や塩水に注
ぎ、晶析させることによって生成物を取り出していた。
しかし、スルホナート誘導体は一般に水溶性が高いため
に水から晶析しなかったり、又、基質が加水分解を受け
やすい置換基を有している場合、晶析操作中に分解する
などの問題を有していた。
【０００３】一方、ピラゾリジン−３，５−ジオン環を
有するアリールスルホナート誘導体は、例えば、特開平
１−１８３，６５２号公報に記載されているように色素
中間体として用いられてきた。
有するアリールスルホナート誘導体は、例えば、特開平
１−１８３，６５２号公報に記載されているように色素
中間体として用いられてきた。
【０００４】その合成法としては、先の特許に記載され
ているように、 １ 相当するアリール化合物のスルホン化 ２ ヒドラジノアリールスルホナート類とマロン酸エス
テル類の縮合 が知られているが、特に１の場合、生成物の水溶性が大
きく、また、酸性条件下で分解しやすいために、スルホ
ン酸基をフリーの酸基として取り出すことが困難であ
り、また、金属塩として取り出す場合も、必ずしも再現
性よく高収率で取り出すことが困難であるという問題を
有していた。
ているように、 １ 相当するアリール化合物のスルホン化 ２ ヒドラジノアリールスルホナート類とマロン酸エス
テル類の縮合 が知られているが、特に１の場合、生成物の水溶性が大
きく、また、酸性条件下で分解しやすいために、スルホ
ン酸基をフリーの酸基として取り出すことが困難であ
り、また、金属塩として取り出す場合も、必ずしも再現
性よく高収率で取り出すことが困難であるという問題を
有していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、アリールスルホナート誘導体をスルホン酸基をフリ
ーの酸基として高収率で製造する方法を提供することで
あり、また他の目的は、スルホン酸の金属塩を高収率で
再現性よく製造する方法を提供することである。
は、アリールスルホナート誘導体をスルホン酸基をフリ
ーの酸基として高収率で製造する方法を提供することで
あり、また他の目的は、スルホン酸の金属塩を高収率で
再現性よく製造する方法を提供することである。
【０００６】同時に、ピラゾリジン−１，３−ジオン環
を有するアリールスルホナート誘導体をスルホン酸基を
フリーの酸基として高収率で製造する方法を提供するこ
とであり、また、スルホン酸の金属塩を高収率で再現性
よく製造する方法を提供することである。
を有するアリールスルホナート誘導体をスルホン酸基を
フリーの酸基として高収率で製造する方法を提供するこ
とであり、また、スルホン酸の金属塩を高収率で再現性
よく製造する方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の目的の一つは、
アリール基を有する化合物をスルホン化した後、エステ
ル系溶媒から晶析することを特徴とするアリールスルホ
ナート誘導体の製造方法によって達成された。
アリール基を有する化合物をスルホン化した後、エステ
ル系溶媒から晶析することを特徴とするアリールスルホ
ナート誘導体の製造方法によって達成された。
【０００８】さらに、本発明の目的の一つは、アリール
基をスルホン化した後、エステル系溶媒中、金属炭酸塩
で造塩することを特徴とするアリールスルホナート誘導
体の製造方法によって達成された。
基をスルホン化した後、エステル系溶媒中、金属炭酸塩
で造塩することを特徴とするアリールスルホナート誘導
体の製造方法によって達成された。
【０００９】さらに、本発明の目的の一つは、下記一般
式（Ａ）で表される化合物を硫酸または発煙硫酸でスル
ホン化した後、エステル系溶媒から晶析することを特徴
とする下記一般式（Ｂ）で表されるアリールスルホナー
ト誘導体の製造方法によって達成された。
式（Ａ）で表される化合物を硫酸または発煙硫酸でスル
ホン化した後、エステル系溶媒から晶析することを特徴
とする下記一般式（Ｂ）で表されるアリールスルホナー
ト誘導体の製造方法によって達成された。
【００１０】
【化５】
【００１１】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 は置換基を表し、Ｘは
連結基を表す。ｍ、ｎは０、または１を表す。ｐ、ｑは
０から５の整数を表し、ｐ、ｑが２以上のとき、Ｒ1 、
Ｒ2は同一でも異なっていてもよい。）
連結基を表す。ｍ、ｎは０、または１を表す。ｐ、ｑは
０から５の整数を表し、ｐ、ｑが２以上のとき、Ｒ1 、
Ｒ2は同一でも異なっていてもよい。）
【００１２】
【化６】
【００１３】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 は置換基を表し、Ｘは
連結基を表す。ｍ、ｎは０、または１を表す。ｐ、ｑは
０から５の整数を表し、ｐ、ｑが２以上のとき、Ｒ1 、
Ｒ2は同一でも異なっていてもよい。ｒ、ｓは０、１ま
たは２を表す。但し、ｒとｓの両方が０ということはな
い。）
連結基を表す。ｍ、ｎは０、または１を表す。ｐ、ｑは
０から５の整数を表し、ｐ、ｑが２以上のとき、Ｒ1 、
Ｒ2は同一でも異なっていてもよい。ｒ、ｓは０、１ま
たは２を表す。但し、ｒとｓの両方が０ということはな
い。）
【００１４】さらに、本発明の目的の一つは、上記一般
式（Ａ）で表される化合物を硫酸または発煙硫酸でスル
ホン化した後、エステル系溶媒中、金属炭酸塩で造塩す
ることを特徴とする下記一般式（Ｃ）で表されるアリー
ルスルホナート誘導体の製造方法によって達成された。
式（Ａ）で表される化合物を硫酸または発煙硫酸でスル
ホン化した後、エステル系溶媒中、金属炭酸塩で造塩す
ることを特徴とする下記一般式（Ｃ）で表されるアリー
ルスルホナート誘導体の製造方法によって達成された。
【００１５】
【化７】
【００１６】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 は置換基を表し、Ｘは
連結基を表す。Ｍは金属原子を表す。ｍ、ｎは０、また
は１を表す。ｐ、ｑは０から５の整数を表し、ｐ、ｑが
２以上のとき、Ｒ1 、Ｒ2 は同一でも異なっていてもよ
い。ｒ、ｓは０、１または２を表す。但し、ｒとｓの両
方が０ということはない。）
連結基を表す。Ｍは金属原子を表す。ｍ、ｎは０、また
は１を表す。ｐ、ｑは０から５の整数を表し、ｐ、ｑが
２以上のとき、Ｒ1 、Ｒ2 は同一でも異なっていてもよ
い。ｒ、ｓは０、１または２を表す。但し、ｒとｓの両
方が０ということはない。）
【００１７】次に、本発明について詳細に説明する。本
発明のアリール基とはフェニル基と、それにさらにベン
ゾ縮環して形成される芳香族炭化水素基を表し、置換基
を有していてもよい。置換基としては濃硫酸、または発
煙硫酸に安定な基であれば特に限定されないが、特に好
ましいものとして、アルキル基、水酸基、アルコキシ
基、アミノ基、ハロゲン、アルコキシカルボニル基、ア
ミノアルキル基、アシルアミノ基等が挙げられる。
発明のアリール基とはフェニル基と、それにさらにベン
ゾ縮環して形成される芳香族炭化水素基を表し、置換基
を有していてもよい。置換基としては濃硫酸、または発
煙硫酸に安定な基であれば特に限定されないが、特に好
ましいものとして、アルキル基、水酸基、アルコキシ
基、アミノ基、ハロゲン、アルコキシカルボニル基、ア
ミノアルキル基、アシルアミノ基等が挙げられる。
【００１８】本発明に用いられる一般式（Ａ）で表され
る化合物について説明する。Ｒ1 、Ｒ2 で表される置換
基は炭素数１から３のアルキル基、メトキシ基、エトキ
シ基、水酸基、カルボキシル基が好ましい。また、ｐ、
ｑがそれぞれ２以上のとき、Ｒ1 、Ｒ2 はそれぞれベン
ゾ縮環していてもよい。その場合、形成される環に置換
基を有していてもよいが、その置換基は、炭素数１から
３のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、水酸基、カ
ルボキシル基が好ましい。Ｘで表される連結基は、メチ
レン基、エチレン基、−CH2CH2O −が好ましい。ｐ、ｑ
は０から２が好ましい。
る化合物について説明する。Ｒ1 、Ｒ2 で表される置換
基は炭素数１から３のアルキル基、メトキシ基、エトキ
シ基、水酸基、カルボキシル基が好ましい。また、ｐ、
ｑがそれぞれ２以上のとき、Ｒ1 、Ｒ2 はそれぞれベン
ゾ縮環していてもよい。その場合、形成される環に置換
基を有していてもよいが、その置換基は、炭素数１から
３のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、水酸基、カ
ルボキシル基が好ましい。Ｘで表される連結基は、メチ
レン基、エチレン基、−CH2CH2O −が好ましい。ｐ、ｑ
は０から２が好ましい。
【００１９】次に、一般式（Ｂ）で表される化合物につ
いて説明する。Ｒ1 、Ｒ2 で表される置換基、Ｘで表さ
れる連結基、ｐ、ｑで表される整数については、一般式
（Ａ）で説明したのと同様である。Ｒ1 、Ｒ2 で表され
る置換基がベンゾ縮環している場合、スルホ基はその環
に置換されてもよい。
いて説明する。Ｒ1 、Ｒ2 で表される置換基、Ｘで表さ
れる連結基、ｐ、ｑで表される整数については、一般式
（Ａ）で説明したのと同様である。Ｒ1 、Ｒ2 で表され
る置換基がベンゾ縮環している場合、スルホ基はその環
に置換されてもよい。
【００２０】本発明で用いられるスルホン化試剤として
は、濃硫酸、発煙硫酸、無水硫酸、クロロスルホン酸が
好ましく、なかでも濃硫酸、発煙硫酸が特に好ましい。
本発明で用いられる発煙硫酸は、０から６０％の濃度が
好ましく、特に１０から４０％が好ましい。
は、濃硫酸、発煙硫酸、無水硫酸、クロロスルホン酸が
好ましく、なかでも濃硫酸、発煙硫酸が特に好ましい。
本発明で用いられる発煙硫酸は、０から６０％の濃度が
好ましく、特に１０から４０％が好ましい。
【００２１】本発明で晶析溶媒として用いられるエステ
ル系溶媒は、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸オクチルの
ように酢酸と炭素数８以下のアルコールから合成される
エステルが好ましい。また、複数のエステル系溶媒を混
合して用いてもよい。本発明の晶析溶媒として用いられ
るエステル系溶媒に他の溶剤を加え、混合溶媒として用
いてもよい。そのような溶剤としては、塩化メチレン、
クロロホルム、二塩化エチレン、オルトジクロロベンゼ
ンなどのハロゲン化炭化水素が好ましい。混合溶媒とし
て用いる場合、混合する溶剤は、６０パーセント以下、
特に５０パーセント以下の濃度になるように混合するこ
とが好ましい。晶析の際、反応液に晶析溶媒を加えて
も、逆に反応液を晶析溶媒に加えてもよい。混合溶媒を
用いる場合、予め混合して晶析溶媒に用いても、別々に
加えてもよい。但し、別々に加える場合、先ず、反応液
とエステル系溶媒を混合することが好ましい。
ル系溶媒は、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸オクチルの
ように酢酸と炭素数８以下のアルコールから合成される
エステルが好ましい。また、複数のエステル系溶媒を混
合して用いてもよい。本発明の晶析溶媒として用いられ
るエステル系溶媒に他の溶剤を加え、混合溶媒として用
いてもよい。そのような溶剤としては、塩化メチレン、
クロロホルム、二塩化エチレン、オルトジクロロベンゼ
ンなどのハロゲン化炭化水素が好ましい。混合溶媒とし
て用いる場合、混合する溶剤は、６０パーセント以下、
特に５０パーセント以下の濃度になるように混合するこ
とが好ましい。晶析の際、反応液に晶析溶媒を加えて
も、逆に反応液を晶析溶媒に加えてもよい。混合溶媒を
用いる場合、予め混合して晶析溶媒に用いても、別々に
加えてもよい。但し、別々に加える場合、先ず、反応液
とエステル系溶媒を混合することが好ましい。
【００２２】次に、一般式（Ｃ）で表される化合物につ
いて説明する。Ｒ1 、Ｒ2 で表される置換基、Ｘで表さ
れる連結基、ｐ、ｑで表される整数については、一般式
（Ａ）で説明したのと同様である。Ｒ1 、Ｒ2 で表され
る置換基がベンゾ縮環している場合、スルホナート基は
その環に置換されてもよい。Ｍはナトリウム、カリウム
などのアルカリ金属、またはカルシウムなどのアルカリ
土類金属を表す。
いて説明する。Ｒ1 、Ｒ2 で表される置換基、Ｘで表さ
れる連結基、ｐ、ｑで表される整数については、一般式
（Ａ）で説明したのと同様である。Ｒ1 、Ｒ2 で表され
る置換基がベンゾ縮環している場合、スルホナート基は
その環に置換されてもよい。Ｍはナトリウム、カリウム
などのアルカリ金属、またはカルシウムなどのアルカリ
土類金属を表す。
【００２３】本発明で造塩時に用いられるエステル系溶
媒は、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸オクチルのように
酢酸と炭素数８以下のアルコールから合成されるエステ
ルが好ましい。また、複数のエステル系溶媒を混合して
用いてもよい。本発明の造塩時に用いられるエステル系
溶媒に他の溶剤を加え、混合溶媒として用いてもよい。
そのような溶剤としては、塩化メチレン、クロロホル
ム、二塩化エチレン、オルトジクロロベンゼンなどのハ
ロゲン化炭素数が好ましい。混合溶媒として用いる場
合、混合する溶剤は、５０パーセント以下、特に４０パ
ーセント以下の濃度になるように混合することが好まし
い。
媒は、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸オクチルのように
酢酸と炭素数８以下のアルコールから合成されるエステ
ルが好ましい。また、複数のエステル系溶媒を混合して
用いてもよい。本発明の造塩時に用いられるエステル系
溶媒に他の溶剤を加え、混合溶媒として用いてもよい。
そのような溶剤としては、塩化メチレン、クロロホル
ム、二塩化エチレン、オルトジクロロベンゼンなどのハ
ロゲン化炭素数が好ましい。混合溶媒として用いる場
合、混合する溶剤は、５０パーセント以下、特に４０パ
ーセント以下の濃度になるように混合することが好まし
い。
【００２４】中和の際、中和溶媒に金属炭酸塩を懸濁さ
せ、その中に反応液を加えることが好ましい。本発明に
用いられる金属炭酸塩は、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ムなどのアルカリ金属の炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、
炭酸水素カリウムなどのアルカリ金属の炭酸水素塩、炭
酸カルシウムなどのアルカリ土類金属の炭酸塩である。
せ、その中に反応液を加えることが好ましい。本発明に
用いられる金属炭酸塩は、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ムなどのアルカリ金属の炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、
炭酸水素カリウムなどのアルカリ金属の炭酸水素塩、炭
酸カルシウムなどのアルカリ土類金属の炭酸塩である。
【００２５】次に本発明の一般式（Ｂ）で表されるアリ
ールスルホナート誘導体の具体例を示す。
ールスルホナート誘導体の具体例を示す。
【００２６】
【化８】
【００２７】
【化９】
【００２８】次に本発明の一般式（Ｃ）で表されるアリ
ールスルホナート誘導体の具体例を示す。
ールスルホナート誘導体の具体例を示す。
【００２９】
【化１０】
【００３０】
【化１１】
【００３１】
【実施例】次に実施例、及び比較例によって本発明をさ
らに詳細に説明する。 実施例１ ５−ホルミル−２−メトキシベンゼンスルホン酸の合成 ｐ−アニスアルデヒド６．８ｇと濃硫酸６．８mlの懸濁
液に６０％発煙硫酸６．８mlを６０℃でかき混ぜながら
滴下し、さらに４時間、６０℃で加熱攪拌した。冷却
後、酢酸エチル５００mlに注ぎ、１０分間攪拌した後、
室温で二晩放置した。析出した白色固体を濾取し、酢酸
エチルで洗浄し、減圧乾燥した。収量８．１２ｇ（７５
％）。 1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ：ＤＭＳＯ−ｄ6 ）：
３．８８（３Ｈ，ｓ），７．１８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈ
ｚ），７．９０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８，２Ｈｚ），８．
２１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝２Ｈｚ），９．８８（１Ｈ，ｓ）
らに詳細に説明する。 実施例１ ５−ホルミル−２−メトキシベンゼンスルホン酸の合成 ｐ−アニスアルデヒド６．８ｇと濃硫酸６．８mlの懸濁
液に６０％発煙硫酸６．８mlを６０℃でかき混ぜながら
滴下し、さらに４時間、６０℃で加熱攪拌した。冷却
後、酢酸エチル５００mlに注ぎ、１０分間攪拌した後、
室温で二晩放置した。析出した白色固体を濾取し、酢酸
エチルで洗浄し、減圧乾燥した。収量８．１２ｇ（７５
％）。 1ＨＮＭＲ（３００ＭＨｚ：ＤＭＳＯ−ｄ6 ）：
３．８８（３Ｈ，ｓ），７．１８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８Ｈ
ｚ），７．９０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８，２Ｈｚ），８．
２１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝２Ｈｚ），９．８８（１Ｈ，ｓ）
【００３２】実施例２ １，２−ビス（４−スルホフェニル）ピラゾリジン−
３，５−ジオン（化合物Ｂ−１）の合成 ３０％発煙硫酸１２０mlに、１，２−ジフェニルピラゾ
リジン−３，５−ジオン６０ｇを反応液の温度が９０℃
越えないように少しずつ加えた。添加後、８０℃で２時
間攪拌し、さらに１００℃で２時間攪拌した。反応終了
後、６０℃に冷却し、酢酸ブチル１２０mlを加えて希釈
した。この溶液を酢酸ブチル５４０mlと塩化メチレン６
６０mlの混合溶媒に滴下し、１０分間攪拌した後、室温
で一晩放置した。析出した乳白色固体を濾取し、酢酸エ
チルで洗浄し、減圧乾燥した。収量９５ｇ（９６％）、
m.p.：１５２℃分解
３，５−ジオン（化合物Ｂ−１）の合成 ３０％発煙硫酸１２０mlに、１，２−ジフェニルピラゾ
リジン−３，５−ジオン６０ｇを反応液の温度が９０℃
越えないように少しずつ加えた。添加後、８０℃で２時
間攪拌し、さらに１００℃で２時間攪拌した。反応終了
後、６０℃に冷却し、酢酸ブチル１２０mlを加えて希釈
した。この溶液を酢酸ブチル５４０mlと塩化メチレン６
６０mlの混合溶媒に滴下し、１０分間攪拌した後、室温
で一晩放置した。析出した乳白色固体を濾取し、酢酸エ
チルで洗浄し、減圧乾燥した。収量９５ｇ（９６％）、
m.p.：１５２℃分解
【００３３】実施例３ １，２−ビス（４−スルホベンジル）ピラゾリジン−
３，５−ジオン（化合物Ｂ−３）の合成 ２０％発煙硫酸２５mlに、１，２−ジベンジルピラゾリ
ジン−３，５−ジオン４．７ｇを少しずつ加えた。添加
後、８０℃で４時間攪拌した。反応終了後、６０℃に冷
却し、酢酸エチル１２５mlを加えて希釈した後、室温で
一晩放置した。析出した白色固体を濾取し、酢酸エチル
で洗浄し、減圧乾燥した。収量６．３ｇ（８５％）、m.
p.：１３７℃分解
３，５−ジオン（化合物Ｂ−３）の合成 ２０％発煙硫酸２５mlに、１，２−ジベンジルピラゾリ
ジン−３，５−ジオン４．７ｇを少しずつ加えた。添加
後、８０℃で４時間攪拌した。反応終了後、６０℃に冷
却し、酢酸エチル１２５mlを加えて希釈した後、室温で
一晩放置した。析出した白色固体を濾取し、酢酸エチル
で洗浄し、減圧乾燥した。収量６．３ｇ（８５％）、m.
p.：１３７℃分解
【００３４】実施例４ １，２−ビス（４−スルホフェニル）ピラゾリジン−
３，５−ジオン 二−ナトリウム（化合物Ｃ−１）の合
成 ３０％発煙硫酸２０mlに、１，２−ジフェニルピラゾリ
ジン−３，５−ジオン９．８ｇを反応液の温度が９０℃
を越えないように少しずつ加えた。添加後、８０℃で２
時間攪拌し、さらに１００℃で２時間攪拌した。反応終
了後、６０℃に冷却し、酢酸エチル４０mlを加えて希釈
した。この溶液を炭酸ナトリウム５３ｇと酢酸エチル６
０mlの懸濁液に激しく攪拌しながら滴下した。滴下終了
後、溶媒を減圧溜去し、残渣にメタノール１００mlを加
えて抽出した。抽出液を濃縮し、イソプロピルアルコー
ル４０mlを加えた。析出した白色固体を濾取し、イソプ
ロピルアルコールで洗浄し、減圧乾燥した。収量１４．
６ｇ（８５％）、m.p.：３００℃以上
３，５−ジオン 二−ナトリウム（化合物Ｃ−１）の合
成 ３０％発煙硫酸２０mlに、１，２−ジフェニルピラゾリ
ジン−３，５−ジオン９．８ｇを反応液の温度が９０℃
を越えないように少しずつ加えた。添加後、８０℃で２
時間攪拌し、さらに１００℃で２時間攪拌した。反応終
了後、６０℃に冷却し、酢酸エチル４０mlを加えて希釈
した。この溶液を炭酸ナトリウム５３ｇと酢酸エチル６
０mlの懸濁液に激しく攪拌しながら滴下した。滴下終了
後、溶媒を減圧溜去し、残渣にメタノール１００mlを加
えて抽出した。抽出液を濃縮し、イソプロピルアルコー
ル４０mlを加えた。析出した白色固体を濾取し、イソプ
ロピルアルコールで洗浄し、減圧乾燥した。収量１４．
６ｇ（８５％）、m.p.：３００℃以上
【００３５】実施例５ １，２−ビス（４−スルホベンジル）ピラゾリジン−
３，５−ジオン 二−ナトリウム（化合物Ｃ−３）の合
成 ２０％発煙硫酸１０mlに、１，２−ジベンジルピラゾリ
ジン−３，５−ジオン３．３ｇを少しずつ加えた。添加
後、８０℃で４時間攪拌した。反応終了後、６０℃に冷
却し、酢酸エチル１５mlを加えて希釈した。この溶液を
炭酸ナトリウム２６ｇと酢酸エチル３５mlの懸濁液に激
しく攪拌しながら滴下した。滴下終了後、減圧溜去し、
残渣からメタノール５０mlで抽出した。抽出液を濃縮
し、イソプロピルアルコール２５mlを加えた。析出した
白色固体を濾取し、イソプロピルアルコールで洗浄し、
減圧乾燥した。収量４．９ｇ（８６％）、m.p.：３００
℃以上
３，５−ジオン 二−ナトリウム（化合物Ｃ−３）の合
成 ２０％発煙硫酸１０mlに、１，２−ジベンジルピラゾリ
ジン−３，５−ジオン３．３ｇを少しずつ加えた。添加
後、８０℃で４時間攪拌した。反応終了後、６０℃に冷
却し、酢酸エチル１５mlを加えて希釈した。この溶液を
炭酸ナトリウム２６ｇと酢酸エチル３５mlの懸濁液に激
しく攪拌しながら滴下した。滴下終了後、減圧溜去し、
残渣からメタノール５０mlで抽出した。抽出液を濃縮
し、イソプロピルアルコール２５mlを加えた。析出した
白色固体を濾取し、イソプロピルアルコールで洗浄し、
減圧乾燥した。収量４．９ｇ（８６％）、m.p.：３００
℃以上
【００３６】比較例１ 実施例５と同一条件（８０℃、４時間）でスルホン化反
応を行った。冷却後、３０ｇの氷中に注ぎ、１０パーセ
ントの水酸化ナトリウム溶液で中和した。水を減圧溜去
し、残渣から、実施例５と同様に抽出、濃縮し、析出さ
せた。析出した白色固体を濾取し、イソプロピルアルコ
ールで洗浄し、減圧乾燥した。収量２．１ｇ。但し、高
速液体クロマトグラフィーによる分析では、化合物Ｃ−
３の純度は３０％以下であった。実施例５で得られた化
合物Ｃ−３の純度は８９％であった。
応を行った。冷却後、３０ｇの氷中に注ぎ、１０パーセ
ントの水酸化ナトリウム溶液で中和した。水を減圧溜去
し、残渣から、実施例５と同様に抽出、濃縮し、析出さ
せた。析出した白色固体を濾取し、イソプロピルアルコ
ールで洗浄し、減圧乾燥した。収量２．１ｇ。但し、高
速液体クロマトグラフィーによる分析では、化合物Ｃ−
３の純度は３０％以下であった。実施例５で得られた化
合物Ｃ−３の純度は８９％であった。
【００３７】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、アリール基
からアリールスルホナート誘導体を、高収率で再現性よ
く製造できるという顕著に優れた効果が得られる。
からアリールスルホナート誘導体を、高収率で再現性よ
く製造できるという顕著に優れた効果が得られる。
Claims (4)
- 【請求項１】 アリール基を有する化合物をスルホン化
した後、エステル系溶媒から晶析することを特徴とする
アリールスルホナート誘導体の製造方法。 - 【請求項２】 アリール基を有する化合物をスルホン化
した後、エステル系溶媒中、金属炭酸塩で造塩すること
を特徴とするアリールスルホナート誘導体の製造方法。 - 【請求項３】 下記一般式（Ａ）で表される化合物を硫
酸、または発煙硫酸でスルホン化した後、エステル系溶
媒から晶析することを特徴とする下記一般式（Ｂ）で表
されるアリールスルホナート誘導体の製造方法。 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は置換基を表し、Ｘは連結基を表
す。ｍ、ｎは０、または１を表す。ｐ、ｑは０から５の
整数を表し、ｐ、ｑが２以上のとき、Ｒ1 、Ｒ2は同一
でも異なっていてもよい。） 【化２】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は置換基を表し、Ｘは連結基を表
す。ｍ、ｎは０、または１を表す。ｐ、ｑは０から５の
整数を表し、ｐ、ｑが２以上のとき、Ｒ1 、Ｒ2は同一
でも異なっていてもよい。ｒ、ｓは０、１または２を表
す。但し、ｒとｓの両方が０ということはない。） - 【請求項４】 下記一般式（Ａ）で表される化合物を硫
酸、または発煙硫酸でスルホン化した後、エステル系溶
媒中、金属炭酸塩で造塩することを特徴とする下記一般
式（Ｃ）で表されるアリールスルホナート誘導体の製造
方法。 【化３】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は置換基を表し、Ｘは連結基を表
す。ｍ、ｎは０、または１を表す。ｐ、ｑは０から５の
整数を表し、ｐ、ｑが２以上のとき、Ｒ1 、Ｒ2は同一
でも異なっていてもよい。） 【化４】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 は置換基を表し、Ｘは連結基を表
す。Ｍは金属原子を表す。ｍ、ｎは０、または１を表
す。ｐ、ｑは０から５の整数を表し、ｐ、ｑが２以上の
とき、Ｒ1 、Ｒ2 は同一でも異なっていてもよい。ｒ、
ｓは０、１または２を表す。但し、ｒとｓの両方が０と
いうことはない。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3591394A JPH07242638A (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | アリールスルホナート誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3591394A JPH07242638A (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | アリールスルホナート誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07242638A true JPH07242638A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12455278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3591394A Pending JPH07242638A (ja) | 1994-03-07 | 1994-03-07 | アリールスルホナート誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07242638A (ja) |
-
1994
- 1994-03-07 JP JP3591394A patent/JPH07242638A/ja active Pending
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