JPH07242582A - ３−ヘキシナールアセタール及びシス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセタールの製造法 - Google Patents
３−ヘキシナールアセタール及びシス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセタールの製造法Info
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- JPH07242582A JPH07242582A JP5531694A JP5531694A JPH07242582A JP H07242582 A JPH07242582 A JP H07242582A JP 5531694 A JP5531694 A JP 5531694A JP 5531694 A JP5531694 A JP 5531694A JP H07242582 A JPH07242582 A JP H07242582A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】シス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニ
ルアセタールを高収率かつ高純度で得る製造法を提供す
る。 【構成】式（１）または式（２）で表されることを特徴
とする３−ヘキシナールアセタール。前記３−ヘキシナ
ールアセタールを水素添加せしめることを特徴とするシ
ス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセター
ルの製造法。 【化１】 【化２】 【効果】シス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニ
ルアセタールを高収率かつ高純度で得ることができる。
ルアセタールを高収率かつ高純度で得る製造法を提供す
る。 【構成】式（１）または式（２）で表されることを特徴
とする３−ヘキシナールアセタール。前記３−ヘキシナ
ールアセタールを水素添加せしめることを特徴とするシ
ス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセター
ルの製造法。 【化１】 【化２】 【効果】シス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニ
ルアセタールを高収率かつ高純度で得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規な３−ヘキシナール
アセタール及びそれを原料に用いるシス−３−ヘキセナ
ールジシス−３−ヘキセニルアセタールの製造法に関す
る。
アセタール及びそれを原料に用いるシス−３−ヘキセナ
ールジシス−３−ヘキセニルアセタールの製造法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】下記式（３）で表されるシス−３−ヘキ
セナールジシス−３−ヘキセニルアセタールは、他のア
セタール類とは異なった新しい芳香を有することが見出
され、香料成分としての用途が期待されている。かかる
シス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセタ
ールの製造法としては、シス−３−ヘキセナールとシス
−３−ヘキセノールとを触媒及び脱水剤の存在下に縮合
させる方法が知られているが、この方法では多くの副生
成物が生成し、目的物を高収率かつ高純度で得られない
といった問題点があった（Ｓ．Ａｒｃｔａｎｄｅｒ，”
Ｐｅｒｆｕｍｅａｎｄ Ｆｌａｖｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌｓ”，Ｓｔｅｆｆｅｎ，Ａｒｃｔａｎｄｅｒ’ｓ，
Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｌａｓ Ｖｅｇａｓ，Ｎ
Ｖ，１９６９）。
セナールジシス−３−ヘキセニルアセタールは、他のア
セタール類とは異なった新しい芳香を有することが見出
され、香料成分としての用途が期待されている。かかる
シス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセタ
ールの製造法としては、シス−３−ヘキセナールとシス
−３−ヘキセノールとを触媒及び脱水剤の存在下に縮合
させる方法が知られているが、この方法では多くの副生
成物が生成し、目的物を高収率かつ高純度で得られない
といった問題点があった（Ｓ．Ａｒｃｔａｎｄｅｒ，”
Ｐｅｒｆｕｍｅａｎｄ Ｆｌａｖｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌｓ”，Ｓｔｅｆｆｅｎ，Ａｒｃｔａｎｄｅｒ’ｓ，
Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｌａｓ Ｖｅｇａｓ，Ｎ
Ｖ，１９６９）。
【０００３】
【化３】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は前記問題点
を解決するべく鋭意検討を行ったところ、後記式（４）
または式（５）で表される新規な３−ヘキシナールアセ
タールは公知化合物から合成できること、さらに、該３
−ヘキシナールアセタールを水素添加することによりシ
ス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセター
ルを高収率かつ高純度で得られることを見出し、かかる
知見に基づき本発明を完成するに到った。
を解決するべく鋭意検討を行ったところ、後記式（４）
または式（５）で表される新規な３−ヘキシナールアセ
タールは公知化合物から合成できること、さらに、該３
−ヘキシナールアセタールを水素添加することによりシ
ス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセター
ルを高収率かつ高純度で得られることを見出し、かかる
知見に基づき本発明を完成するに到った。
【０００５】
【課題を解決する為の手段】かくして本発明によれば式
（４）または式（５）で表されることを特徴とする３−
ヘキシナールアセタールが提供される。さらに本発明に
よれば、該３−ヘキシナールアセタールを水素添加する
ことを特徴とするシス−３−ヘキセナールジシス−３−
ヘキセニルアセタールの製造法が提供される。
（４）または式（５）で表されることを特徴とする３−
ヘキシナールアセタールが提供される。さらに本発明に
よれば、該３−ヘキシナールアセタールを水素添加する
ことを特徴とするシス−３−ヘキセナールジシス−３−
ヘキセニルアセタールの製造法が提供される。
【０００６】
【化４】
【０００７】
【化５】
【０００８】本発明の３−ヘキシナールアセタールは文
献未記載の新規化合物であり、前記式（４）または式
（５）で表される構造を有するものである。すなわち、
式（４）で表される３−ヘキシナールジシス−３−ヘキ
セニルアセタールまたは式（５）で表される３−ヘキシ
ナールジ−３−ヘキシニルアセタールである。本発明の
３−ヘキシナールアセタールは、常法に従い得ることが
できる。例えば、３−ヘキシナールアセタールが式
（４）で表される３−ヘキシナールジシス−３−ヘキセ
ニルアセタールである場合は、式（６）で表される３−
ヘキシナールジアルキル−アセタールとシス−３−ヘキ
セン−１−オールとを酸触媒の存在下に反応させること
により得ることができる。また、３−ヘキシナールアセ
タールが式（５）で表される３−ヘキシナールジ−３−
ヘキシニルアセタールである場合は、式（６）で表され
る３−ヘキシナールジアルキル−アセタールと３−ヘキ
シン−１−オールとを酸触媒の存在下に反応させること
により得ることができる。
献未記載の新規化合物であり、前記式（４）または式
（５）で表される構造を有するものである。すなわち、
式（４）で表される３−ヘキシナールジシス−３−ヘキ
セニルアセタールまたは式（５）で表される３−ヘキシ
ナールジ−３−ヘキシニルアセタールである。本発明の
３−ヘキシナールアセタールは、常法に従い得ることが
できる。例えば、３−ヘキシナールアセタールが式
（４）で表される３−ヘキシナールジシス−３−ヘキセ
ニルアセタールである場合は、式（６）で表される３−
ヘキシナールジアルキル−アセタールとシス−３−ヘキ
セン−１−オールとを酸触媒の存在下に反応させること
により得ることができる。また、３−ヘキシナールアセ
タールが式（５）で表される３−ヘキシナールジ−３−
ヘキシニルアセタールである場合は、式（６）で表され
る３−ヘキシナールジアルキル−アセタールと３−ヘキ
シン−１−オールとを酸触媒の存在下に反応させること
により得ることができる。
【０００９】
【化６】 式中、Ｒ3はアルキル基を示し、例えば、メチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソ
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニ
ル基などが挙げられる。なかでも、メチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基などの低級アルキル基
が好適である。
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソ
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニ
ル基などが挙げられる。なかでも、メチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基などの低級アルキル基
が好適である。
【００１０】酸触媒としては、例えば、塩酸、リン酸、
硝酸などの無機酸；塩化アンモニウム、硝酸アンモニウ
ムなどの無機酸の塩；メタンスルホン酸、パラトルエン
スルホン酸、ベンゼンスルホン酸などのスルホン酸；パ
ラトルエンスルホン酸ピリジニウムなどのスルホン酸の
塩；酸型イオン交換樹脂；ポリビニルピリジン塩酸塩な
どが挙げられる。なかでも、好ましいものはスルホン酸
やその塩であり、特に好ましいものはパラトルエンスル
ホン酸やそのピリジニウム塩である。
硝酸などの無機酸；塩化アンモニウム、硝酸アンモニウ
ムなどの無機酸の塩；メタンスルホン酸、パラトルエン
スルホン酸、ベンゼンスルホン酸などのスルホン酸；パ
ラトルエンスルホン酸ピリジニウムなどのスルホン酸の
塩；酸型イオン交換樹脂；ポリビニルピリジン塩酸塩な
どが挙げられる。なかでも、好ましいものはスルホン酸
やその塩であり、特に好ましいものはパラトルエンスル
ホン酸やそのピリジニウム塩である。
【００１１】３−ヘキシナールジアルキル−アセタール
１モルに対するシス−３−ヘキセン−１−オールまたは
３−ヘキシン−１−オールの使用量は、通常、１〜２０
モル、好ましくは１．５〜５モルである。また、３−ヘ
キシナールジアルキル−アセタール１モルに対する酸触
媒の使用量は、通常、０．０００１〜０．１モル、好ま
しくは０．００１〜０．１モルである。
１モルに対するシス−３−ヘキセン−１−オールまたは
３−ヘキシン−１−オールの使用量は、通常、１〜２０
モル、好ましくは１．５〜５モルである。また、３−ヘ
キシナールジアルキル−アセタール１モルに対する酸触
媒の使用量は、通常、０．０００１〜０．１モル、好ま
しくは０．００１〜０．１モルである。
【００１２】反応温度は、通常、０〜１００℃、好まし
くは１０〜５０℃である。反応時間は、通常、数分〜１
０時間、好ましくは１０分〜５時間である。反応の方法
は特に限定されず、通常は反応成分を混合し攪拌すれば
よい。反応を速やかに行い、平衡を有利に導くには、副
生するアルコールを系外に逐次留去させることが好まし
い場合がある。また、減圧下に反応を実施してもよく、
その場合の圧力は、反応温度における、原料の３−ヘキ
シナールジアルキル−アセタール、シス−３−ヘキセン
−１−オールまたは３−ヘキシン−１−オールの蒸気圧
のいずれよりも高く、副生するアルコールの蒸気圧より
も低い圧力が選択される。
くは１０〜５０℃である。反応時間は、通常、数分〜１
０時間、好ましくは１０分〜５時間である。反応の方法
は特に限定されず、通常は反応成分を混合し攪拌すれば
よい。反応を速やかに行い、平衡を有利に導くには、副
生するアルコールを系外に逐次留去させることが好まし
い場合がある。また、減圧下に反応を実施してもよく、
その場合の圧力は、反応温度における、原料の３−ヘキ
シナールジアルキル−アセタール、シス−３−ヘキセン
−１−オールまたは３−ヘキシン−１−オールの蒸気圧
のいずれよりも高く、副生するアルコールの蒸気圧より
も低い圧力が選択される。
【００１３】反応終了後は、常法により３−ヘキシナー
ルアセタールを単離することができる。例えば、反応液
をアルカリ水溶液で洗浄し、有機層を蒸留する方法が挙
げられる。蒸留の際には、蒸留中の分解を防止するため
に炭酸カリウムや炭酸ナトリウムなどの炭酸のアルカリ
金属塩またはトリエタノールアミンのようなアミン類を
添加することが好ましい場合がある。
ルアセタールを単離することができる。例えば、反応液
をアルカリ水溶液で洗浄し、有機層を蒸留する方法が挙
げられる。蒸留の際には、蒸留中の分解を防止するため
に炭酸カリウムや炭酸ナトリウムなどの炭酸のアルカリ
金属塩またはトリエタノールアミンのようなアミン類を
添加することが好ましい場合がある。
【００１４】本発明では、このようにして得られた３−
ヘキシナールアセタールを水素添加触媒の存在下に水素
添加することにより、シス−３−ヘキセナールジシス−
３−ヘキセニルアセタールを得ることができる。水素添
加触媒は、炭素−炭素三重結合を選択的に炭素−炭素二
重結合に接触還元する際に、通常用いられているもので
あれば特に限定されず、例えば、パラジウム系水素添加
触媒が用いられる。パラジウム系水素添加触媒としては
パラジウムを活性源として含むものであれば何れも使用
可能であり、例えば、リンドラー触媒、パラジウム担持
の活性炭、パラジウム担持の炭酸カルシウム、パラジウ
ム担持のシリカゲル、パラジウム担持のケイソウ土、パ
ラジウムブラックなどが挙げられる。なかでも、リンド
ラー触媒が賞用される。水素添加触媒の使用量は、３−
ヘキシナールアセタール１００重量部に対し、０．００
１〜０．３重量部、好ましくは０．０１〜０．１重量部
である。
ヘキシナールアセタールを水素添加触媒の存在下に水素
添加することにより、シス−３−ヘキセナールジシス−
３−ヘキセニルアセタールを得ることができる。水素添
加触媒は、炭素−炭素三重結合を選択的に炭素−炭素二
重結合に接触還元する際に、通常用いられているもので
あれば特に限定されず、例えば、パラジウム系水素添加
触媒が用いられる。パラジウム系水素添加触媒としては
パラジウムを活性源として含むものであれば何れも使用
可能であり、例えば、リンドラー触媒、パラジウム担持
の活性炭、パラジウム担持の炭酸カルシウム、パラジウ
ム担持のシリカゲル、パラジウム担持のケイソウ土、パ
ラジウムブラックなどが挙げられる。なかでも、リンド
ラー触媒が賞用される。水素添加触媒の使用量は、３−
ヘキシナールアセタール１００重量部に対し、０．００
１〜０．３重量部、好ましくは０．０１〜０．１重量部
である。
【００１５】水素添加反応は常法に従い、バッチ式また
は流通式の反応器中に水素を吸収させることによって行
われる。また、反応に際し不活性溶媒を存在させること
ができる。不活性溶媒としては、例えば、ヘキサン、シ
クロヘキサンなどの飽和炭化水素；メタノール、エタノ
ール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類；
ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素；
テトラヒドロフランなどのエーテル類；アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；酢
酸エチルなどのエステル類などが挙げられる。なかで
も、飽和炭化水素やアルコール類が好ましく、飽和炭化
水素が特に好ましい。不活性溶媒の使用量は３−ヘキシ
ナールアセタールの濃度が５〜１００重量％になる範囲
で適宜選択される。反応温度は、通常、０〜１００℃、
好ましくは２０〜５０℃である。
は流通式の反応器中に水素を吸収させることによって行
われる。また、反応に際し不活性溶媒を存在させること
ができる。不活性溶媒としては、例えば、ヘキサン、シ
クロヘキサンなどの飽和炭化水素；メタノール、エタノ
ール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類；
ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素；
テトラヒドロフランなどのエーテル類；アセトン、メチ
ルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；酢
酸エチルなどのエステル類などが挙げられる。なかで
も、飽和炭化水素やアルコール類が好ましく、飽和炭化
水素が特に好ましい。不活性溶媒の使用量は３−ヘキシ
ナールアセタールの濃度が５〜１００重量％になる範囲
で適宜選択される。反応温度は、通常、０〜１００℃、
好ましくは２０〜５０℃である。
【００１６】水素添加反応終了後は反応液から触媒を分
離した後、蒸留やカラムクロマトグラフィーに供するこ
とにより、シス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセ
ニルアセタールを取得することができる。
離した後、蒸留やカラムクロマトグラフィーに供するこ
とにより、シス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセ
ニルアセタールを取得することができる。
【００１７】以下に、本発明の３−ヘキシナールアセタ
ール及びシス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニ
ルアセタールの製造法の好ましい態様を示す。 （１）３−ヘキシナールアセタールが式（４）で表され
る３−ヘキシナールジシス−３−ヘキセニルアセタール
である本発明の３−ヘキシナールアセタール。 （２）３−ヘキシナールアセタールが式（５）で表され
る３−ヘキシナールジ−３−ヘキシニルアセタールであ
る本発明の３−ヘキシナールアセタール。 （３）３−ヘキシナールアセタールをパラジウム系水素
添加触媒の存在下に水素添加するシス−３−ヘキセナー
ルジシス−３−ヘキセニルアセタールの製造法。 （４）パラジウム系水素添加触媒がリンドラー触媒であ
るシス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセ
タールの製造法。 （５）水素添加触媒の使用量が、３−ヘキシナールアセ
タール１００重量部に対し、０．０１〜０．１０重量部
である本発明のシス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘ
キセニルアセタールの製造法。 （６）水素添加反応を飽和炭化水素またはアルコール類
の存在下に行う本発明のシス−３−ヘキセナールジシス
−３−ヘキセニルアセタールの製造法。 （７）水素添加反応を２０〜５０℃で行う本発明のシス
−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセタール
の製造法。
ール及びシス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニ
ルアセタールの製造法の好ましい態様を示す。 （１）３−ヘキシナールアセタールが式（４）で表され
る３−ヘキシナールジシス−３−ヘキセニルアセタール
である本発明の３−ヘキシナールアセタール。 （２）３−ヘキシナールアセタールが式（５）で表され
る３−ヘキシナールジ−３−ヘキシニルアセタールであ
る本発明の３−ヘキシナールアセタール。 （３）３−ヘキシナールアセタールをパラジウム系水素
添加触媒の存在下に水素添加するシス−３−ヘキセナー
ルジシス−３−ヘキセニルアセタールの製造法。 （４）パラジウム系水素添加触媒がリンドラー触媒であ
るシス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセ
タールの製造法。 （５）水素添加触媒の使用量が、３−ヘキシナールアセ
タール１００重量部に対し、０．０１〜０．１０重量部
である本発明のシス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘ
キセニルアセタールの製造法。 （６）水素添加反応を飽和炭化水素またはアルコール類
の存在下に行う本発明のシス−３−ヘキセナールジシス
−３−ヘキセニルアセタールの製造法。 （７）水素添加反応を２０〜５０℃で行う本発明のシス
−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセタール
の製造法。
【００１８】
【発明の効果】かくして、本発明によればシス−３−ヘ
キセナールジシス−３−ヘキセニルアセタールの合成中
間体として有用な新規化合物が提供され、それを使用す
ることによりシス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキ
セニルアセタールを高収率かつ高純度で得ることができ
る。
キセナールジシス−３−ヘキセニルアセタールの合成中
間体として有用な新規化合物が提供され、それを使用す
ることによりシス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキ
セニルアセタールを高収率かつ高純度で得ることができ
る。
【００１９】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明する。なお、実施例及び比較例中の％は重量基準
である。 実施例１ ３−ヘキシナールジ−３−ヘキシニルアセタールの合成 反応器に３−ヘキシナールジエチルアセタール１７．０
グラム、３−ヘキシン−１−オール２９．４グラム及び
パラトルエンスルホン酸１水和物１．０グラムを入れ混
合した。反応器に還流冷却器を取り付け、その頂部にコ
ールドトラップを経て真空系に接続し、１０ｍｍＨｇの
減圧下、４０℃で１時間攪拌した。反応後、エーテルで
希釈し析出した結晶をろ過により除去し、ろ液を炭酸ナ
トリウム水溶液、水で順次洗浄した。有機層にトリエタ
ノールアミン１グラムを加え、１０ｍｍＨｇの減圧下に
低沸点部分を留去し、次いで残部を２ｍｍＨｇで減圧蒸
留したところ、沸点１４５〜１５０℃（２ｍｍＨｇ）の
３−ヘキシナールジ−３−ヘキシニルアセタール１５．
４グラムを得た。３−ヘキシナールジエチルアセタール
に対するモル収率は５６％であった。このものの純度を
ガスクロマトグラフィーで分析したところ、９９％であ
った。
に説明する。なお、実施例及び比較例中の％は重量基準
である。 実施例１ ３−ヘキシナールジ−３−ヘキシニルアセタールの合成 反応器に３−ヘキシナールジエチルアセタール１７．０
グラム、３−ヘキシン−１−オール２９．４グラム及び
パラトルエンスルホン酸１水和物１．０グラムを入れ混
合した。反応器に還流冷却器を取り付け、その頂部にコ
ールドトラップを経て真空系に接続し、１０ｍｍＨｇの
減圧下、４０℃で１時間攪拌した。反応後、エーテルで
希釈し析出した結晶をろ過により除去し、ろ液を炭酸ナ
トリウム水溶液、水で順次洗浄した。有機層にトリエタ
ノールアミン１グラムを加え、１０ｍｍＨｇの減圧下に
低沸点部分を留去し、次いで残部を２ｍｍＨｇで減圧蒸
留したところ、沸点１４５〜１５０℃（２ｍｍＨｇ）の
３−ヘキシナールジ−３−ヘキシニルアセタール１５．
４グラムを得た。３−ヘキシナールジエチルアセタール
に対するモル収率は５６％であった。このものの純度を
ガスクロマトグラフィーで分析したところ、９９％であ
った。
【００２０】以下に、３−ヘキシナールジ−３−ヘキシ
ニルアセタールのスペクトルデータを示す。 ＩＲ（ｎｅａｔ，ＫＢｒ，ｃｍ-1）：２９７６，２９３
７，２９２０，２８７９，２８５０，１４６０，１４３
７，１３７７，１３２５，１３２１，１２８４，１２１
５，１１４６，１１２４，１０５７，８８７，８５４，
７８３
ニルアセタールのスペクトルデータを示す。 ＩＲ（ｎｅａｔ，ＫＢｒ，ｃｍ-1）：２９７６，２９３
７，２９２０，２８７９，２８５０，１４６０，１４３
７，１３７７，１３２５，１３２１，１２８４，１２１
５，１１４６，１１２４，１０５７，８８７，８５４，
７８３
【００２１】1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）
δ（ｐｐｍ）：１．１１（ｔ，９Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈ
ｚ），２．１３〜２．１９（ｍ，６Ｈ），２．４５
（ｍ，４Ｈ），２．５０（ｍ，２Ｈ），３．６１（ｍ，
２Ｈ），３．７２（ｍ，２Ｈ），４．７０（ｔ，１Ｈ，
Ｊ＝５．９Ｈｚ）
δ（ｐｐｍ）：１．１１（ｔ，９Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈ
ｚ），２．１３〜２．１９（ｍ，６Ｈ），２．４５
（ｍ，４Ｈ），２．５０（ｍ，２Ｈ），３．６１（ｍ，
２Ｈ），３．７２（ｍ，２Ｈ），４．７０（ｔ，１Ｈ，
Ｊ＝５．９Ｈｚ）
【００２２】13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣ
ｌ3）δ（ｐｐｍ）：１２．４，１２．５，１４．１，
１４．２，２０．２，２４．７，６４．８，７４．２，
７６．０，８２．９，８３．５，１０１．４
ｌ3）δ（ｐｐｍ）：１２．４，１２．５，１４．１，
１４．２，２０．２，２４．７，６４．８，７４．２，
７６．０，８２．９，８３．５，１０１．４
【００２３】マススペクトル（ＥＩ）ｍ／ｅ（％）：２
０７（６５），１７７（４），１５１（１０），１４９
（１３），１２１（９），１０５（７），９３（６），
８１（１００），７９（４３），６５（６），５３（２
３）
０７（６５），１７７（４），１５１（１０），１４９
（１３），１２１（９），１０５（７），９３（６），
８１（１００），７９（４３），６５（６），５３（２
３）
【００２４】実施例２ ３−ヘキシナールジシス−３−ヘキセニルアセタールの
合成 反応器に３−ヘキシナールジエチルアセタール８．５グ
ラム、シス−３−ヘキセン−１−オール１５．０グラム
及びパラトルエンスルホン酸ピリジニウム１．０グラム
を入れ混合した。反応器に還流冷却器を取り付け、その
頂部にコールドトラップを経て真空系に接続し、１０ｍ
ｍＨｇの減圧下、５０℃で３時間攪拌した。反応後、実
施例１と同様に処理したところ、沸点１３０〜１３３℃
（２ｍｍＨｇ）の３−ヘキシナールジシス−３−ヘキセ
ニルアセタール８．５グラムを得た。３−ヘキシナール
−ジエチルアセタールに対するモル収率は６１％であっ
た。このものの純度をガスクロマトグラフィーで分析し
たところ、９９％であった。
合成 反応器に３−ヘキシナールジエチルアセタール８．５グ
ラム、シス−３−ヘキセン−１−オール１５．０グラム
及びパラトルエンスルホン酸ピリジニウム１．０グラム
を入れ混合した。反応器に還流冷却器を取り付け、その
頂部にコールドトラップを経て真空系に接続し、１０ｍ
ｍＨｇの減圧下、５０℃で３時間攪拌した。反応後、実
施例１と同様に処理したところ、沸点１３０〜１３３℃
（２ｍｍＨｇ）の３−ヘキシナールジシス−３−ヘキセ
ニルアセタール８．５グラムを得た。３−ヘキシナール
−ジエチルアセタールに対するモル収率は６１％であっ
た。このものの純度をガスクロマトグラフィーで分析し
たところ、９９％であった。
【００２５】以下に、３−ヘキシナールジシス−３−ヘ
キセニルアセタールのスペクトルデータを示す。 ＩＲ（ｎｅａｔ，ＫＢｒ，ｃｍ-1）：３００８，２９６
４，２９３５，２９２０，２８７５，１６５５，１４６
１，１４３７，１３７５，１３４８，１３２１，１２１
３，１１４６，１１２２，１０５７，８４３，７９１，
７２１
キセニルアセタールのスペクトルデータを示す。 ＩＲ（ｎｅａｔ，ＫＢｒ，ｃｍ-1）：３００８，２９６
４，２９３５，２９２０，２８７５，１６５５，１４６
１，１４３７，１３７５，１３４８，１３２１，１２１
３，１１４６，１１２２，１０５７，８４３，７９１，
７２１
【００２６】1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）
δ（ｐｐｍ）：０．９７（ｔ，６Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈ
ｚ），１．１２（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），２．０
６（ｍ，４Ｈ），２．１７（ｍ，２Ｈ），２．３４
（ｍ，４Ｈ），２．４９（ｍ，２Ｈ），３．４９（ｍ，
２Ｈ），３．６２（ｍ，２Ｈ），４．６３（ｔ，１Ｈ，
Ｊ＝５．６Ｈｚ），５．３６（ｍ，２Ｈ），５．４７
（ｍ，２Ｈ）
δ（ｐｐｍ）：０．９７（ｔ，６Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈ
ｚ），１．１２（ｔ，３Ｈ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），２．０
６（ｍ，４Ｈ），２．１７（ｍ，２Ｈ），２．３４
（ｍ，４Ｈ），２．４９（ｍ，２Ｈ），３．４９（ｍ，
２Ｈ），３．６２（ｍ，２Ｈ），４．６３（ｔ，１Ｈ，
Ｊ＝５．６Ｈｚ），５．３６（ｍ，２Ｈ），５．４７
（ｍ，２Ｈ）
【００２７】13Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣ
ｌ3）δ（ｐｐｍ）：１２．５，１４．１，１４．３，
２０．７，２４．９，２７．９，６５．９，７４．５，
８３．３，１０１．５，１２４．９，１３３．７
ｌ3）δ（ｐｐｍ）：１２．５，１４．１，１４．３，
２０．７，２４．９，２７．９，６５．９，７４．５，
８３．３，１０１．５，１２４．９，１３３．７
【００２８】マススペクトル（ＥＩ）ｍ／ｅ（％）：２
７８（０．０５），２４９（０．３），２１１（２
４），１９６（４），１７９（２０），１６１（１
０），１３５（２６），１２９（１９），１１１
（６），８３（１００），６７（１８），５５（１０
０），４１（３５）
７８（０．０５），２４９（０．３），２１１（２
４），１９６（４），１７９（２０），１６１（１
０），１３５（２６），１２９（１９），１１１
（６），８３（１００），６７（１８），５５（１０
０），４１（３５）
【００２９】実施例３ シス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセタ
ールの合成 反応器に３−ヘキシナールジ−３−ヘキシニルアセター
ル１．０グラム、リンドラー触媒１００ミリグラム及び
ｎ−ヘキサン１０ミリリットルを入れ、反応器内を排気
した。次いで、水素ガスを導入し、室温、攪拌下に水素
２９６ミリリットルを吸収させた。反応後、触媒を吸引
ろ過により除去し、溶媒を減圧下に留去したところ、無
色透明のシス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニ
ルアセタール０．９８グラム（収率９８％）を得た。化
合物の同定はスペクトル分析で行った。
ールの合成 反応器に３−ヘキシナールジ−３−ヘキシニルアセター
ル１．０グラム、リンドラー触媒１００ミリグラム及び
ｎ−ヘキサン１０ミリリットルを入れ、反応器内を排気
した。次いで、水素ガスを導入し、室温、攪拌下に水素
２９６ミリリットルを吸収させた。反応後、触媒を吸引
ろ過により除去し、溶媒を減圧下に留去したところ、無
色透明のシス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニ
ルアセタール０．９８グラム（収率９８％）を得た。化
合物の同定はスペクトル分析で行った。
【００３０】実施例４ シス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセタ
ールの合成 ３−ヘキシナールジ−３−ヘキシニルアセタールに代え
て、３−ヘキシナールジシス−３−ヘキセニルアセター
ル２．０グラムを用いること以外は実施例３に準じて操
作を行ったところ、無色透明のシス−３−ヘキセナール
ジシス−３−ヘキセニルアセタール１．９４グラム（収
率９７％）を得た。化合物の同定はスペクトル分析で行
った。
ールの合成 ３−ヘキシナールジ−３−ヘキシニルアセタールに代え
て、３−ヘキシナールジシス−３−ヘキセニルアセター
ル２．０グラムを用いること以外は実施例３に準じて操
作を行ったところ、無色透明のシス−３−ヘキセナール
ジシス−３−ヘキセニルアセタール１．９４グラム（収
率９７％）を得た。化合物の同定はスペクトル分析で行
った。
Claims (3)
- 【請求項１】 式（１）で表される３−ヘキシナールア
セタール。 【化１】 - 【請求項２】 式（２）で表される３−ヘキシナールア
セタール。 【化２】 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の３−ヘキ
シナールアセタールを水素添加することを特徴とするシ
ス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセター
ルの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5531694A JPH07242582A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | ３−ヘキシナールアセタール及びシス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセタールの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5531694A JPH07242582A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | ３−ヘキシナールアセタール及びシス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセタールの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07242582A true JPH07242582A (ja) | 1995-09-19 |
Family
ID=12995157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5531694A Pending JPH07242582A (ja) | 1994-02-28 | 1994-02-28 | ３−ヘキシナールアセタール及びシス−３−ヘキセナールジシス−３−ヘキセニルアセタールの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07242582A (ja) |
-
1994
- 1994-02-28 JP JP5531694A patent/JPH07242582A/ja active Pending
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